JP2000138867A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JP2000138867A JP2000138867A JP10311881A JP31188198A JP2000138867A JP 2000138867 A JP2000138867 A JP 2000138867A JP 10311881 A JP10311881 A JP 10311881A JP 31188198 A JP31188198 A JP 31188198A JP 2000138867 A JP2000138867 A JP 2000138867A
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- optical sensor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スイッチを介して各半導体光センサの出力信
号を取り出す構成になった固体撮像素子に特有の固定パ
ターンノイズを除去し、高画質が得られる固体撮像素子
を実現する。 【解決手段】 半導体光センサを１次元方向または２次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、センサ部に設けられ
た各半導体光センサの特性のばらつきを補正するための
データを用意しておき、この補正データで半導体光セン
サの出力信号を補正する。
号を取り出す構成になった固体撮像素子に特有の固定パ
ターンノイズを除去し、高画質が得られる固体撮像素子
を実現する。 【解決手段】 半導体光センサを１次元方向または２次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、センサ部に設けられ
た各半導体光センサの特性のばらつきを補正するための
データを用意しておき、この補正データで半導体光セン
サの出力信号を補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光センサを
１次元方向または２次元方向に配列し、各半導体光セン
サの出力信号を走査することにより、画像の１次元的分
布または２次元的分布を電気信号の時間的分布に変換し
て出力する固体撮像素子に関するものである。更に詳し
くは、スイッチを介して各半導体光センサの出力信号を
取り出す構成になった固体撮像素子の特性改善に関する
ものである。
１次元方向または２次元方向に配列し、各半導体光セン
サの出力信号を走査することにより、画像の１次元的分
布または２次元的分布を電気信号の時間的分布に変換し
て出力する固体撮像素子に関するものである。更に詳し
くは、スイッチを介して各半導体光センサの出力信号を
取り出す構成になった固体撮像素子の特性改善に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子にはＣＣＤ撮像素子とＣＭ
ＯＳ形撮像素子（これをＣＭＯＳセンサと呼ぶことにす
る）がある。ＣＭＯＳセンサは、ＣＣＤ撮像素子と異な
り、センサ部分とその周辺回路とをＣＭＯＳプロセスで
一体に製造することができるため、セット価格が安価に
なるという利点がある。
ＯＳ形撮像素子（これをＣＭＯＳセンサと呼ぶことにす
る）がある。ＣＭＯＳセンサは、ＣＣＤ撮像素子と異な
り、センサ部分とその周辺回路とをＣＭＯＳプロセスで
一体に製造することができるため、セット価格が安価に
なるという利点がある。
【０００３】図２は従来におけるＣＭＯＳセンサの構成
例を示した図である。図２で、エリアセンサ部１０に
は、半導体光センサを１次元方向または２次元方向に配
列し、クロックにより開閉動作するＭＯＳＦＥＴを各半
導体光センサの出力信号線に設けた構成をなしている。
各ＭＯＳＦＥＴを順番に開閉していくことによって各半
導体光センサの出力信号を走査する。
例を示した図である。図２で、エリアセンサ部１０に
は、半導体光センサを１次元方向または２次元方向に配
列し、クロックにより開閉動作するＭＯＳＦＥＴを各半
導体光センサの出力信号線に設けた構成をなしている。
各ＭＯＳＦＥＴを順番に開閉していくことによって各半
導体光センサの出力信号を走査する。
【０００４】駆動クロック発生回路１１は、各半導体光
センサの出力信号を走査するための多相クロックをエリ
アセンサ部１０に与える。シグナルコンディショナ１２
は、エリアセンサ部１０から取り出した半導体光センサ
の出力信号からスイッチングノイズを除去し、信号レベ
ルを整える。Ａ／Ｄ変換器（アナログ／デジタル変換
器）１３は、半導体光センサの出力信号をデジタル信号
に変換する。変換は駆動クロック発生回路１１からのサ
ンプルクロックのタイミングで行う。Ａ／Ｄ変換器１３
の出力がデジタル画像データとして処理される。
センサの出力信号を走査するための多相クロックをエリ
アセンサ部１０に与える。シグナルコンディショナ１２
は、エリアセンサ部１０から取り出した半導体光センサ
の出力信号からスイッチングノイズを除去し、信号レベ
ルを整える。Ａ／Ｄ変換器（アナログ／デジタル変換
器）１３は、半導体光センサの出力信号をデジタル信号
に変換する。変換は駆動クロック発生回路１１からのサ
ンプルクロックのタイミングで行う。Ａ／Ｄ変換器１３
の出力がデジタル画像データとして処理される。
【０００５】図３はエリアセンサ部１０の構成例を示し
た図である。図３で、半導体光センサの一例としてのフ
ォトダイオードＰＤ１〜ＰＤＮは、１次元方向に配列さ
れている。ＭＯＳＦＥＴ Ｓ１〜ＳＮは、各半導体光セ
ンサＰＤ１〜ＰＤＮの各出力信号線に設けられている。
多相クロックＣ１〜ＣＮはそれぞれ位相が異なり、駆動
クロック発生回路１１から与えられる。位相が異なる多
相クロックＣ１〜ＣＮによりＭＯＳＦＥＴ Ｓ１〜ＳＮ
が順番に開閉され、フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤＮの
出力信号が順次に取り出される。
た図である。図３で、半導体光センサの一例としてのフ
ォトダイオードＰＤ１〜ＰＤＮは、１次元方向に配列さ
れている。ＭＯＳＦＥＴ Ｓ１〜ＳＮは、各半導体光セ
ンサＰＤ１〜ＰＤＮの各出力信号線に設けられている。
多相クロックＣ１〜ＣＮはそれぞれ位相が異なり、駆動
クロック発生回路１１から与えられる。位相が異なる多
相クロックＣ１〜ＣＮによりＭＯＳＦＥＴ Ｓ１〜ＳＮ
が順番に開閉され、フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤＮの
出力信号が順次に取り出される。
【０００６】ＣＭＯＳセンサは、センサ部の基板上に周
辺回路を取り込めることから、安価で高機能を実現でき
るというメリットがある。その反面、ＭＯＳＦＥＴの特
性のばらつき、配線インピーダンスのばらつき等によっ
て、ＣＭＯＳセンサ特有の固定パターンノイズが発生
し、画質の悪化を招くという問題点があった。このよう
な事情から、従来は高画質を要求される場合はＣＣＤ撮
像素子を用いてきた。
辺回路を取り込めることから、安価で高機能を実現でき
るというメリットがある。その反面、ＭＯＳＦＥＴの特
性のばらつき、配線インピーダンスのばらつき等によっ
て、ＣＭＯＳセンサ特有の固定パターンノイズが発生
し、画質の悪化を招くという問題点があった。このよう
な事情から、従来は高画質を要求される場合はＣＣＤ撮
像素子を用いてきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した問題
点を解決するためになされたものであり、センサ部に設
けられた各半導体光センサの特性のばらつきを補正する
ためのデータを用意しておき、この補正データで半導体
光センサの出力信号を補正することによって、スイッチ
を介して各半導体光センサの出力信号を取り出す構成に
なった固体撮像素子に特有の固定パターンノイズを除去
し、高画質が得られる固体撮像素子を実現することを目
的とする。
点を解決するためになされたものであり、センサ部に設
けられた各半導体光センサの特性のばらつきを補正する
ためのデータを用意しておき、この補正データで半導体
光センサの出力信号を補正することによって、スイッチ
を介して各半導体光センサの出力信号を取り出す構成に
なった固体撮像素子に特有の固定パターンノイズを除去
し、高画質が得られる固体撮像素子を実現することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は次のとおりの構
成になった固体撮像素子である。
成になった固体撮像素子である。
【０００９】（１）半導体光センサを１次元方向または
２次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのゲイン補正値データを格納するゲイン補正値メモリ
と、各半導体光センサのオフセット補正値データを格納
するオフセット補正値メモリと、各半導体光センサの出
力信号を走査するための多相クロックを出力する駆動ク
ロック発生回路と、前記多相クロックの出力に応じて前
記ゲイン補正値メモリ及びオフセット補正値メモリから
ゲイン補正値データ及びオフセット補正値データをそれ
ぞれ読み出す読出手段と、半導体光センサから得た画像
データをゲイン補正値メモリから読み出したゲイン補正
値データで補正するゲイン補正手段と、半導体光センサ
から得た画像データをオフセット補正値メモリから読み
出したオフセット補正値データで補正するオフセット補
正手段と、を具備したことを特徴とする固体撮像素子。
２次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのゲイン補正値データを格納するゲイン補正値メモリ
と、各半導体光センサのオフセット補正値データを格納
するオフセット補正値メモリと、各半導体光センサの出
力信号を走査するための多相クロックを出力する駆動ク
ロック発生回路と、前記多相クロックの出力に応じて前
記ゲイン補正値メモリ及びオフセット補正値メモリから
ゲイン補正値データ及びオフセット補正値データをそれ
ぞれ読み出す読出手段と、半導体光センサから得た画像
データをゲイン補正値メモリから読み出したゲイン補正
値データで補正するゲイン補正手段と、半導体光センサ
から得た画像データをオフセット補正値メモリから読み
出したオフセット補正値データで補正するオフセット補
正手段と、を具備したことを特徴とする固体撮像素子。
【００１０】（２）半導体光センサを１次元方向または
２次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのゲイン補正値データを格納するゲイン補正値メモリ
と、各半導体光センサの出力信号を走査するための多相
クロックを出力する駆動クロック発生回路と、前記多相
クロックの出力に応じて前記ゲイン補正値メモリからゲ
イン補正値データを読み出す読出手段と、半導体光セン
サから得た画像データをゲイン補正値メモリから読み出
したゲイン補正値データで補正するゲイン補正手段と、
を具備したことを特徴とする固体撮像素子。
２次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのゲイン補正値データを格納するゲイン補正値メモリ
と、各半導体光センサの出力信号を走査するための多相
クロックを出力する駆動クロック発生回路と、前記多相
クロックの出力に応じて前記ゲイン補正値メモリからゲ
イン補正値データを読み出す読出手段と、半導体光セン
サから得た画像データをゲイン補正値メモリから読み出
したゲイン補正値データで補正するゲイン補正手段と、
を具備したことを特徴とする固体撮像素子。
【００１１】（３）半導体光センサを１次元方向または
２次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのオフセット補正値データを格納するオフセット補正
値メモリと、各半導体光センサの出力信号を走査するた
めの多相クロックを出力する駆動クロック発生回路と、
前記多相クロックの出力に応じて前記オフセット補正値
メモリからオフセット補正値データを読み出す読出手段
と、半導体光センサから得た画像データをオフセット補
正値メモリから読み出したオフセット補正値データで補
正するオフセット補正手段と、を具備したことを特徴と
する固体撮像素子。
２次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのオフセット補正値データを格納するオフセット補正
値メモリと、各半導体光センサの出力信号を走査するた
めの多相クロックを出力する駆動クロック発生回路と、
前記多相クロックの出力に応じて前記オフセット補正値
メモリからオフセット補正値データを読み出す読出手段
と、半導体光センサから得た画像データをオフセット補
正値メモリから読み出したオフセット補正値データで補
正するオフセット補正手段と、を具備したことを特徴と
する固体撮像素子。
【００１２】（４）前記スイッチは、ＭＯＳＦＥＴ、バ
イポーラトランジスタ、メカニカルスイッチのいずれか
であることを特徴とする（１）乃至（３）のいずれかに
記載された固体撮像素子。
イポーラトランジスタ、メカニカルスイッチのいずれか
であることを特徴とする（１）乃至（３）のいずれかに
記載された固体撮像素子。
【００１３】（５）前記半導体光センサ、スイッチ、ゲ
イン補正値メモリ、オフセット補正値メモリ、駆動クロ
ック発生回路、読出手段、ゲイン補正手段及びオフセッ
ト補正手段はＣＭＯＳプロセスで一体に製造されること
を特徴とする（１）乃至（３）のいずれかに記載された
固体撮像素子。
イン補正値メモリ、オフセット補正値メモリ、駆動クロ
ック発生回路、読出手段、ゲイン補正手段及びオフセッ
ト補正手段はＣＭＯＳプロセスで一体に製造されること
を特徴とする（１）乃至（３）のいずれかに記載された
固体撮像素子。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を詳しく
説明する。図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図１で図２と同一のものは同一符号を付ける。
説明する。図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図１で図２と同一のものは同一符号を付ける。
【００１５】図１で、ゲイン補正値メモリ２０は、エリ
アセンサ部１０にある各半導体光センサのゲイン補正値
データを格納する。ゲイン補正値データには、半導体光
センサの配置位置に応じたアドレスが付けられている。
オフセット補正値メモリ２１は、エリアセンサ部１０に
ある各半導体光センサのオフセット補正値データを格納
する。オフセット補正値データもゲイン補正値データと
同様にアドレスが割り付けられている。
アセンサ部１０にある各半導体光センサのゲイン補正値
データを格納する。ゲイン補正値データには、半導体光
センサの配置位置に応じたアドレスが付けられている。
オフセット補正値メモリ２１は、エリアセンサ部１０に
ある各半導体光センサのオフセット補正値データを格納
する。オフセット補正値データもゲイン補正値データと
同様にアドレスが割り付けられている。
【００１６】アドレスカウンタ２２は、駆動クロック発
生回路１１が出力する多相クロックのクロック数をカウ
ントし、カウントに応じたアドレスを出力する。半導体
光センサの出力信号を順番に取り出していくに従って、
カウントが増加または減少していく。従って、カウント
に応じたアドレスをゲイン補正値メモリ２０及びオフセ
ット補正値メモリ２１に与えることによって、各半導体
光センサに対応するゲイン補正値データ及びオフセット
補正値データが順次に読み出される。
生回路１１が出力する多相クロックのクロック数をカウ
ントし、カウントに応じたアドレスを出力する。半導体
光センサの出力信号を順番に取り出していくに従って、
カウントが増加または減少していく。従って、カウント
に応じたアドレスをゲイン補正値メモリ２０及びオフセ
ット補正値メモリ２１に与えることによって、各半導体
光センサに対応するゲイン補正値データ及びオフセット
補正値データが順次に読み出される。
【００１７】バッファ２３及び２４は、外部から補正値
データをゲイン補正値メモリ２０及びオフセット補正値
メモリ２１に書込むときにデータを一時的に格納する。
加算器２５は、半導体光センサから得た画像データにオ
フセット補正値メモリ２１から読み出したオフセット補
正値データを加算することによって、オフセット補正演
算を行う。乗算器２６は、オフセット補正後の画像デー
タにゲイン補正値メモリ２０から読み出したゲイン補正
値データを乗算することによって、ゲイン補正演算を行
う。乗算器２６が固定パターンノイズ除去後のデジタル
画像データＤ１として出力される。
データをゲイン補正値メモリ２０及びオフセット補正値
メモリ２１に書込むときにデータを一時的に格納する。
加算器２５は、半導体光センサから得た画像データにオ
フセット補正値メモリ２１から読み出したオフセット補
正値データを加算することによって、オフセット補正演
算を行う。乗算器２６は、オフセット補正後の画像デー
タにゲイン補正値メモリ２０から読み出したゲイン補正
値データを乗算することによって、ゲイン補正演算を行
う。乗算器２６が固定パターンノイズ除去後のデジタル
画像データＤ１として出力される。
【００１８】図１に示す回路はＣＭＯＳプロセスで一体
に製造される。
に製造される。
【００１９】図１の固体撮像素子の動作を説明する。ま
ず、補正値データを書き込む動作について説明する。最
初に、ゲイン補正値メモリ２０の記憶データを「１」
に、オフセット補正値メモリ２１の記憶データを「０」
にそれぞれ初期化する。これは、初期状態をゲイン
「１」、オフセット「０」にするためである。
ず、補正値データを書き込む動作について説明する。最
初に、ゲイン補正値メモリ２０の記憶データを「１」
に、オフセット補正値メモリ２１の記憶データを「０」
にそれぞれ初期化する。これは、初期状態をゲイン
「１」、オフセット「０」にするためである。
【００２０】次に、既知の一様な光量φ1の光をエリア
センサ部１０に当て、このときのデジタル画像データを
外部で記憶しておく。その後、φ1とは異なる既知の一
様な光量φ2を同様に当て、同じくデジタル画像データ
を外部で記憶しておく。光量φ1とφ2は全画素数（全半
導体光センサ数）のデータがあり、それぞれ一様なデー
タであるはずだか、誤差を含んでいることがある。そこ
で、半導体光センサの出力は光量に対してリニアの関係
にあると仮定し、一次補間式ｙ＝ａｘ＋ｂを用いる。こ
こで、ｙは半導体光センサの出力、ｘは光量である。
センサ部１０に当て、このときのデジタル画像データを
外部で記憶しておく。その後、φ1とは異なる既知の一
様な光量φ2を同様に当て、同じくデジタル画像データ
を外部で記憶しておく。光量φ1とφ2は全画素数（全半
導体光センサ数）のデータがあり、それぞれ一様なデー
タであるはずだか、誤差を含んでいることがある。そこ
で、半導体光センサの出力は光量に対してリニアの関係
にあると仮定し、一次補間式ｙ＝ａｘ＋ｂを用いる。こ
こで、ｙは半導体光センサの出力、ｘは光量である。
【００２１】外部で記憶した半導体光センサの出力と光
量φ1及びφ2をｙ＝ａｘ＋ｂに代入し、係数ａとｂの値
を求める。係数ａとｂは半導体光センサ毎に求める。係
数ａとｂよりゲイン補正値１／ａとオフセット補正値−
ｂを半導体光センサ毎に求める。エリアセンサ部１０に
カラーフィルタがあるときは、各カラー毎に計算する。
量φ1及びφ2をｙ＝ａｘ＋ｂに代入し、係数ａとｂの値
を求める。係数ａとｂは半導体光センサ毎に求める。係
数ａとｂよりゲイン補正値１／ａとオフセット補正値−
ｂを半導体光センサ毎に求める。エリアセンサ部１０に
カラーフィルタがあるときは、各カラー毎に計算する。
【００２２】このようにして求めた補正値１／ａと−ｂ
をバッファ２３と２４を介して外部からゲイン補正値メ
モリ２０及びオフセット補正値メモリ２１に書き込む。
補正値１／ａと−ｂを用いることにより、一次補間式ｙ
＝ａｘ＋ｂはｙ＝ｘに補正される。これらの作業はデバ
イスの検査・調整工程で行われる。
をバッファ２３と２４を介して外部からゲイン補正値メ
モリ２０及びオフセット補正値メモリ２１に書き込む。
補正値１／ａと−ｂを用いることにより、一次補間式ｙ
＝ａｘ＋ｂはｙ＝ｘに補正される。これらの作業はデバ
イスの検査・調整工程で行われる。
【００２３】次に、補正値データを用いて固体パターン
ノイズを除去する動作を説明する。Ａ／Ｄ変換器１３か
ら得られたデジタル画像データＤ０に対して、画素毎
（半導体光センサ毎）に、加算器２５でオフセット補正
を、乗算器２６でオフセット補正をそれぞれ行う。これ
により、一次関数で補正されたデータＤ１を得ることが
できる。
ノイズを除去する動作を説明する。Ａ／Ｄ変換器１３か
ら得られたデジタル画像データＤ０に対して、画素毎
（半導体光センサ毎）に、加算器２５でオフセット補正
を、乗算器２６でオフセット補正をそれぞれ行う。これ
により、一次関数で補正されたデータＤ１を得ることが
できる。
【００２４】なお、実施例ではスイッチの例としてＭＯ
ＳＦＥＴを挙げているが、スイッチはこれに限らずバイ
ポーラトランジスタ等の半導体スイッチであっても、メ
カニカルスイッチであってもよい。
ＳＦＥＴを挙げているが、スイッチはこれに限らずバイ
ポーラトランジスタ等の半導体スイッチであっても、メ
カニカルスイッチであってもよい。
【００２５】また、実施例ではＣＭＯＳセンサの例を挙
げているか、ＣＭＯＳセンサに限ることはない。本発明
は、スイッチを介して各半導体光センサの出力信号を取
り出す構成になった固体撮像素子であればよい。
げているか、ＣＭＯＳセンサに限ることはない。本発明
は、スイッチを介して各半導体光センサの出力信号を取
り出す構成になった固体撮像素子であればよい。
【００２６】また、実施例ではオフセット補正をするた
めの回路とゲイン補正をするための回路の両方を設けた
場合について説明したが、これらの回路の一方だけ設け
てもよい。
めの回路とゲイン補正をするための回路の両方を設けた
場合について説明したが、これらの回路の一方だけ設け
てもよい。
【００２７】また、加算器２５と乗算器２６をシグナル
コンディショナ１２とＡ／Ｄ変換器１３の間に設けても
よい。この場合は、ゲイン補正値メモリ２０とオフセッ
ト補正値メモリ２１の読出データをＤ／Ａ変換してから
加算器２５と乗算器２６に与える。
コンディショナ１２とＡ／Ｄ変換器１３の間に設けても
よい。この場合は、ゲイン補正値メモリ２０とオフセッ
ト補正値メモリ２１の読出データをＤ／Ａ変換してから
加算器２５と乗算器２６に与える。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば次の効果が得られる。
【００２９】請求項１乃至請求項３の発明によれば、ス
イッチを介して各半導体光センサの出力信号を取り出す
構成になった固体撮像素子に特有の固定パターンノイズ
を除去し、高画質の画像を得ることができる。
イッチを介して各半導体光センサの出力信号を取り出す
構成になった固体撮像素子に特有の固定パターンノイズ
を除去し、高画質の画像を得ることができる。
【００３０】請求項４の発明によれば、スイッチが半導
体スイッチである場合は、高速動作と信頼性の向上を実
現できる。メカニカルスイッチである場合は、半導体ス
イッチに比べてリーク電流を低減できる。
体スイッチである場合は、高速動作と信頼性の向上を実
現できる。メカニカルスイッチである場合は、半導体ス
イッチに比べてリーク電流を低減できる。
【００３１】請求項５の発明によれば、センサ部分とそ
の周辺回路とをＣＭＯＳプロセスで一体に製造すること
ができるため、安価な回路で高画質の固体撮像素子が得
られる。
の周辺回路とをＣＭＯＳプロセスで一体に製造すること
ができるため、安価な回路で高画質の固体撮像素子が得
られる。
【００３２】以上説明したように本発明によれば、スイ
ッチを介して各半導体光センサの出力信号を取り出す構
成になった固体撮像素子を用いてもＣＣＤ撮像素子と同
等な高画質が得られる固体撮像素子を実現できる。
ッチを介して各半導体光センサの出力信号を取り出す構
成になった固体撮像素子を用いてもＣＣＤ撮像素子と同
等な高画質が得られる固体撮像素子を実現できる。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】従来におけるＣＭＯＳセンサの構成例を示した
図である。
図である。
【図３】図２のＣＭＯＳセンサの要部構成図である。
【符号の説明】 １０ エリアセンサ部 １１ 駆動クロック発生回路 ２０ ゲイン補正値メモリ ２１ オフセット補正値メモリ ２２ アドレスカウンタ ２５ 加算器 ２６ 乗算器
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体光センサを１次元方向または２次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、 各半導体光センサのゲイン補正値データを格納するゲイ
ン補正値メモリと、 各半導体光センサのオフセット補正値データを格納する
オフセット補正値メモリと、 各半導体光センサの出力信号を走査するための多相クロ
ックを出力する駆動クロック発生回路と、 前記多相クロックの出力に応じて前記ゲイン補正値メモ
リ及びオフセット補正値メモリからゲイン補正値データ
及びオフセット補正値データをそれぞれ読み出す読出手
段と、 半導体光センサから得た画像データをゲイン補正値メモ
リから読み出したゲイン補正値データで補正するゲイン
補正手段と、 半導体光センサから得た画像データをオフセット補正値
メモリから読み出したオフセット補正値データで補正す
るオフセット補正手段と、を具備したことを特徴とする
固体撮像素子。 - 【請求項２】 半導体光センサを１次元方向または２次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、 各半導体光センサのゲイン補正値データを格納するゲイ
ン補正値メモリと、 各半導体光センサの出力信号を走査するための多相クロ
ックを出力する駆動クロック発生回路と、 前記多相クロックの出力に応じて前記ゲイン補正値メモ
リからゲイン補正値データを読み出す読出手段と、 半導体光センサから得た画像データをゲイン補正値メモ
リから読み出したゲイン補正値データで補正するゲイン
補正手段と、を具備したことを特徴とする固体撮像素
子。 - 【請求項３】 半導体光センサを１次元方向または２次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、 各半導体光センサのオフセット補正値データを格納する
オフセット補正値メモリと、 各半導体光センサの出力信号を走査するための多相クロ
ックを出力する駆動クロック発生回路と、 前記多相クロックの出力に応じて前記オフセット補正値
メモリからオフセット補正値データを読み出す読出手段
と、 半導体光センサから得た画像データをオフセット補正値
メモリから読み出したオフセット補正値データで補正す
るオフセット補正手段と、を具備したことを特徴とする
固体撮像素子。 - 【請求項４】 前記スイッチは、ＭＯＳＦＥＴ、バイポ
ーラトランジスタ、メカニカルスイッチのいずれかであ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに
記載された固体撮像素子。 - 【請求項５】 前記半導体光センサ、スイッチ、ゲイン
補正値メモリ、オフセット補正値メモリ、駆動クロック
発生回路、読出手段、ゲイン補正手段及びオフセット補
正手段はＣＭＯＳプロセスで一体に製造されることを特
徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された
固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10311881A JP2000138867A (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10311881A JP2000138867A (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138867A true JP2000138867A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=18022543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10311881A Pending JP2000138867A (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138867A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100355146B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2002-10-11 | 세빛아이에스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 |
| EP1349383A1 (en) * | 2000-12-01 | 2003-10-01 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Image sensor output correcting device |
| US7420599B2 (en) | 2001-04-03 | 2008-09-02 | Institut Für Mikroelektronik Stuttgart | Method and device for the FPN correction of image signals |
| JP2009105966A (ja) * | 2009-02-06 | 2009-05-14 | Sony Corp | 固定パターンノイズ除去回路、固定パターンノイズ除去方法、プログラムおよび撮像装置 |
| US8089533B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-01-03 | Sony Corporation | Fixed pattern noise removal circuit, fixed pattern noise removal method, program, and image pickup apparatus |
| KR101762091B1 (ko) | 2009-03-24 | 2017-07-26 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
-
1998
- 1998-11-02 JP JP10311881A patent/JP2000138867A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101762091B1 (ko) | 2009-03-24 | 2017-07-26 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
| KR101804100B1 (ko) | 2009-03-24 | 2017-12-01 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
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