JP4048849B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子に係わり、ランダムアクセス読み出しを複雑な信号処理なしで行うことができるCMOSイメージセンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図4は、従来の固体撮像素子を示す概略平面図である。
図5は、従来の固体撮像素子の動作を説明するためのタイミングチャート図であり、(A)は、フィールドスタート信号、(B)は、垂直クロック、(C)は、水平クロックを示す図である。
図4に示すように、従来の固体撮像素子は、画素部2と、垂直シフトレジスタ41と、水平出力回路10と、水平出力回路10からの信号を出力する出力ポート6と、ADコンバータ7と、フィールドメモリ11を含むブロック単位画像処理回路8と、画像処理済み信号出力ポート9と、から構成されているCMOSイメージセンサと称される固体撮像素子である。
【0003】
画素部2は、二次元マトリクス状に配置された多数の画素から構成され、各画素は入射被写体光を光電変換して入射光量に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、その電荷を転送して蓄積する蓄積部と、この蓄積部からの電荷による電位変化を所定のタイミングで画素外へ撮像信号として出力する出力用トランジスタとから構成されている。
【0004】
水平出力回路10は、CDS(Correlated Duble Sampling:相関二重サンプリング)回路31と水平シフトレジスタ32とからなる。
CDS回路31は、画素部2から出力された撮像信号のノイズを除去し、水平シフトレジスタ32は、画素部2の画素列の選択と撮像信号の出力とをそれぞれ行う。
【0005】
ADコンバータ7は、出力ポート6から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換を行う。ブロック単位画像処理回路8は、ADコンバータ7で変換されたデジタル信号をフィールドメモリ11に蓄積した後、JPEG等によりコード変換を行う。
通常読み出し時には、出力ポート6に撮像信号が出力される。なお、これらのADコンバータ7やブロック単位処理回路8はCMOSイメージセンサ内に1チップで構成されることもある。また、図示しない外部回路からは、所定のタイミングを有した垂直及び水平クロックパルスがそれぞれ垂直及び水平シフトレジスタ41、32に出力される。
【0006】
次に、従来の固体撮像素子の読み出しについて説明する。
ここで、垂直シフトレジスタ41及び水平シフトレジスタ32のスタート位置は、左下端である。
図5(A)、(B)に示すように、フィールドスタート信号に基づいて、図示しない外部回路から垂直クロックパルスを垂直シフトレジスタ41に出力する。
こうして、垂直シフトレジスタ41の最下行のレジスタを「1」とし、最下行以外のレジスタを「0」として、最下行の画素を選択する。
【0007】
次に、最下行の画素から出力された撮像信号をCDS回路31でノイズキャンセルを行った後、このCDS回路31内のメモリに保存する。
続いて、図5(C)に示すように、前記図示しない外部回路から、垂直クロックパルスを出力した所定のタイミング後、水平シフトレジスタ32に水平クロックパルスを出力する。こうして、最左列のCDS回路31を選択し、前記図示しない外部回路から1水平クロックパルスを水平シフトレジスタ32へ送り、シフトレジスタの「1」の位置を最左列から1列ずつ右方向に順番に移動して、最下行の撮像信号をCDS回路31のメモリに蓄積した後、出力ポート6から出力する。以上の作業を終了すると、水平シフトレジスタ32のレジスタは、「0」にリセットされる。
【0008】
次に、前記図示しない外部回路から垂直シフトレジスタ41に1垂直クロックパルスを出力して、レジスタを最下行から1つずつ上に移動した後、上記と同様な動作を繰り返して最上行の画素まで行う。そして、水平シフトレジスタ32及び垂直シフトレジスタ41の全てのレジスタが「0」にリセットされ、1フィールド分の動作を行う。
この出力ポート6から出力されたアナログの全撮像信号をADコンバータ7でデジタル変換した後、ブロック単位画像処理回路8のフィールドメモリ11に蓄える。フィールドメモリ11に蓄えられた撮像信号の読み出しは、ブロック単位画像処理回路8からこの撮像信号を画像処理済み信号出力ポート9に出力する。
【0009】
ランダムアクセスは、ブロック単位画像処理回路8の後段の処理回路で、フィールドメモリ11に蓄えられた全撮像信号のうちの必要な領域を選択的な画像処理によって行う。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ランダムアクセスを行う場合には、前記したように、フィールドメモリ11に全撮像信号を取り込んだ後、選択的な画像処理を行うため、ブロック単位画像処理回路8での信号処理に大幅な時間を必要なことやブロック単位画像処理回路8の構成が複雑になるといった問題を生じていた。
【0011】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて成されたものであり、複雑な画像処理回路を必要としないランダムアクセス読み出し可能な固体撮像素子を提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の撮像画素がマトリクス状に形成され、かつ前記複数の撮像画素が単位ブロックの整数倍で区分された画素部と、行方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した入力端子を備えた垂直シフトレジスタと、列方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した入力端子を備えた水平シフトレジスタと、前記垂直シフトレジスタの垂直走査によって出力された前記行方向の撮像信号のノイズキャンセルを行った後、撮像信号を蓄積するCDS回路と、前記水平シフトレジスタの水平走査によって前記CDS回路から出力される前記撮像信号を出力する出力ポートとからなる固体撮像素子であって、
前記画素部の全撮像領域のうち、ランダムアクセス読み出し領域の前記行方向の垂直アドレス及び前記列方向の水平アドレスを出力する外部入力手段と、前記垂直シフトレジスタの入力端子に対応し、前記外部入力手段から出力された前記垂直アドレスを前記垂直シフトレジスタの入力端子に入力する出力端子を備えた垂直アドレス制御手段と、前記水平シフトレジスタの入力端子に対応し、前記外部入力手段から出力された前記水平アドレスを前記水平シフトレジスタの入力端子に入力する出力端子を備えた水平アドレス制御手段とからなることを特徴とする固体撮像素子を提供する。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態における固体撮像素子について図1乃至図3を用いて説明する。
図1は、本発明の実施形態における固体撮像素子を示す概略平面図である。
図2は、水平シフトレジスタ部の拡大図である。
図3は、本発明の実施形態における固体撮像素子のタイミングチャート図であり、(A)は、垂直クロックコントロール回路43及び水平アドレスコントロール回路34に供給するフィールドスタート信号、(B)は、垂直クロックパルス、(C)は、水平クロックパルスを示す図である。従来例と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略する。
図1に示すように、本発明の実施形態の固体撮像素子1は、所定のブロック単位で区分された画素部2と、水平シフトレジスタ部3と、垂直シフトレジスタ部4と、外部信号入力回路5と、出力ポート6と、ADコンバータ7と、ブロック単位画像処理回路8と、画像処理済み信号出力ポート9と、からならなる。
【0014】
図1に示すように、画素部2は、8×8画素を基本ブロック単位とし、この基本ブロック単位の整数倍の領域で区分されているとし、ランダムアクセス読み出し領域は、A行目からB行目までの範囲と、C列目からD列目までの範囲とで囲まれた領域とする。m0、m、m1、n0、n、n1を正の整数とし、画素部2の左上端部をスタート位置とする時、A行目、B行目及び最終行目のそれぞれは、画素の行列で表すと、スタート位置から下方に8×m0画素行目、8×(m0+m)画素行目及び8×(m0+m+m1)画素行目であり、C列目、D列目及び最終列目のそれぞれは、スタート位置から右方向に8×n0画素列目、8×(n0+n)画素列目及び8×(n0+n+n1)画素列目である。
【0015】
図1及び図2に示すように、水平シフトレジスタ部3は、CDS回路31と、水平シフトレジスタ32と、水平アドレス制御回路33と、水平アドレスコントロール回路34とからなり、列の選択、信号の出力及びランダムアクセス時の水平アドレス制御を行う。
水平シフトレジスタ32は、8画素毎に撮像信号の読み出し用入力端子を備えている。水平アドレス制御回路33は、8画素毎に水平シフトレジスタ32の入力端子に対応した出力端子を備えている。
水平アドレスコントロール回路34は、水平シフトレジスタ32にランダムアクセス読み出しスタート位置を指示する信号を出力する。
【0016】
垂直シフトレジスタ部4は、垂直シフトレジスタ41と、垂直アドレス制御回路42と、垂直クロックコントロール回路43と、からなり、行の選択、画素の制御及びランダムアクセス時のアドレス制御を行う。
垂直アドレス制御回路42は、水平アドレス制御回路33と同様の構成を有し、ランダムアクセス領域の読み出し開始位置を垂直シフトレジスタ41に指示する信号を出力する。
垂直クロックコントロール回路43は、水平アドレスコントロール回路34と同様に、垂直シフトレジスタ42にランダムアクセス読み出しスタート位置を指示する信号を出力する。
【0017】
外部信号入力回路5は、ランダムアクセス読み出し領域の読み出し範囲の信号を出力する。
ブロック単位画像処理回路8は、従来のフィールドメモリ11よりも小規模なメモリ81を有している。
ここでは、8×8画素の基本ブロック単位で信号処理することを前提としているので、メモリ81は、最低8行分、或いはその2倍の16行分の蓄積量があれば良い。画素部2がVGA(640×480画素)である場合には、メモリ81の容量は、このVGAの1フィールド分の蓄積している場合の1.7%〜3.3%程度であり非常に少ない。
【0018】
次に、本発明の実施形態における固体撮像素子のランダムアクセス動作について図3を併せ用いて説明する。
図3(A)に示すように、フィールドスタート信号に基づいて、垂直クロックコントロール回路43及び水平アドレスコントロール回路34から垂直クロックパルス及び水平クロックパルスを垂直シフトレジスタ41及び水平シフトレジスタ32に出力する。
この際、垂直シフトレジスタ41、水平シフトレジスタ32の全レジスタは0である。
【0019】
図3(B)に示すように、垂直シフトレジスタ41に、垂直クロックコントロール回路43から1垂直クロックパルスを出力すると同時に、ランダムアクセス読み出し領域におけるA行目の(8×m0)画素行に対応する垂直アドレス制御回路42の出力端子に外部信号入力回路5からアドレス信号を出力する。この時、図3(D)に示すように、垂直シフトレジスタ41のレジスタが「1」となる。その他のレジスタは「0」である。(8×m0)画素行から出力された撮像信号をCDS回路31でノイズキャンセルを行った後、このCDS31回路内のメモリに保存する。
【0020】
図3(C)、(E)に示すように、水平シフトレジスタ32に、水平アドレスコントロール回路34から1水平クロックパルスを出力すると同時に、ランダムアクセス読み出し領域におけるC列目の8×n0画素列目に対応する水平アドレス制御回路33の出力端子に外部信号入力回路5からアドレス信号を出力する。この時、水平シフトレジスタ32のレジスタが「1」となる。その他のレジスタは「0」である。そして、1水平クロックパルスを送る毎にレジスタ「1」の位置をD列の8×(n0+n)画素列目まで水平走査して撮像信号を出力ポート6から出力する。
そして、この出力ポート6から出力された撮像信号をADコンバータ7でデジタル変換した後、ブロック単位画像処理回路8のメモリ81に蓄積する。
【0021】
次に、図3(B)に示す垂直シフトレジスタ41から1垂直クロックパルスを出力し、垂直シフトレジスタ41のレジスタの位置「1」を1つ下げる。即ち、レジスタの位置「1」を8×(m0+1)画素行目にする。
8×(m0+1)画素行目から出力された撮像信号をCDS回路31でノイズキャンセルを行った後、CDS31回路内のメモリに保存する。
次に、前記と同様にして、(8×n0)画素列目〜8×(n0+n)画素列目までの水平走査を行って撮像信号を出力ポート6から出力する。そして、この出力ポート6から出力された撮像信号をADコンバータ7でデジタル変換した後、ブロック単位画像処理回路8のメモリ81に蓄積する。
【0022】
ブロック単位画像処理回路8は、8画素行分の撮像信号を蓄積すると処理を開始し、画像処理済み信号出力ポート9からランダムアクセス読み出し領域のブロック撮像画像を出力する。この後、メモリ81をリセットし、次の撮像信号の入力を待つ。
以上の垂直及び水平走査を順次行って、出力ポート6から出力されたランダムアクセス読み出し領域の全ての撮像信号を処理し、画像処理済み信号出力ポート9からランダムアクセス読み出し領域のブロック画像を出力する。
【0023】
以上のように、本発明の実施形態によれば、画素部2は、8×8画素を基本ブロック単位とし、この基本ブロック単位の整数倍の領域で区分されているので、ブロック単位での処理が可能となるため、ブロック単位画像処理回路8の構成が簡単になり、高速処理を行うことができる。また、ランダムアクセス読み出し領域だけを読み出して画像処理をするので、大規模なメモリが不要となるため、高速処理が可能となる。
なお、本発明の実施形態では、8×8画素を基本ブロック単位としたが、pを正の整数とする時、(p×p)画素を基本ブロック単位とする画像処理回路を有する固体撮像素子にも適用可能であることはいういうまでもない。
【0024】
【発明の効果】
本発明よれば、複数の撮像画素がマトリクス状に形成され、かつ前記複数の撮像画素が単位ブロックの整数倍で区分された画素部と、行方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した入力端子を備えた垂直シフトレジスタと、列方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した入力端子を備えた水平シフトレジスタと、前記垂直シフトレジスタの垂直走査によって出力された前記行方向の撮像信号のノイズキャンセルを行った後、撮像信号を蓄積するCDS回路と、前記水平シフトレジスタの水平走査によって前記CDS回路から出力される前記撮像信号を出力する出力ポートとからなる固体撮像素子であって、前記画素部の全撮像領域のうち、ランダムアクセス読み出し領域の前記行方向の垂直アドレス及び前記列方向の水平アドレスを出力する外部入力手段と、前記垂直シフトレジスタの入力端子に対応し、前記外部入力手段から出力された前記垂直アドレスを前記垂直シフトレジスタの入力端子に入力する出力端子を備えた垂直アドレス制御手段と、前記水平シフトレジスタの入力端子に対応し、前記外部入力手段から出力された前記水平アドレスを前記水平シフトレジスタの入力端子に入力する出力端子を備えた水平アドレス制御手段とからなるので、ブロック単位での処理が可能となるため、ブロック単位画像処理回路の構成が簡単になり、高速処理を行うことができる。また、ランダムアクセス読み出し領域だけを読み出して画像処理をするので、大規模なメモリが不要となるため、高速処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における固体撮像素子を示す概略平面図である。
【図2】水平シフトレジスタ部の拡大図である。
【図3】本発明の実施形態における固体撮像素子のタイミングチャート図であり、(A)は、フィールドスタート信号、(B)は、垂直クロックパルス、(C)は、水平クロックパルスを示す図である。
【図4】従来の固体撮像素子を示す概略平面図である。
【図5】従来の固体撮像素子の動作を説明するためのタイミングチャート図であり、(A)は、フィールドスタート信号、(B)は、垂直クロックパルス、(C)は、水平クロックパルスを示す図である。
【符号の説明】
1…固体撮像素子、2…画素部、3…水平シフトレジスタ部、31…CDS回路、32…水平シフトレジスタ、33…水平アドレス制御回路、34…水平アドレスコントロール回路、4…垂直シフトレジスタ部、41…垂直シフトレジスタ、42…垂直アドレス制御回路、43…垂直クロックコントロール回路、5…外部信号入力回路、6…出力ポート、7…ADコンバータ、8…ブロック単位画像処理回路、81…メモリ、9…画像処理済み信号出力ポート
Claims (1)
- 複数の撮像画素がマトリクス状に形成され、かつ前記複数の撮像画素が単位ブロックの整数倍で区分された画素部と、
行方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した入力端子を備えた垂直シフトレジスタと、
列方向に、前記単位ブロックの画素毎に対応した入力端子を備えた水平シフトレジスタと、
前記垂直シフトレジスタの垂直走査によって出力された前記行方向の撮像信号のノイズキャンセルを行った後、撮像信号を蓄積するCDS回路と、
前記水平シフトレジスタの水平走査によって前記CDS回路から出力される前記撮像信号を出力する出力ポートと
からなる固体撮像素子であって、
前記画素部の全撮像領域のうち、ランダムアクセス読み出し領域の前記行方向の垂直アドレス及び前記列方向の水平アドレスを出力する外部入力手段と、
前記垂直シフトレジスタの入力端子に対応し、前記外部入力手段から出力された前記垂直アドレスを前記垂直シフトレジスタの入力端子に入力する出力端子を備えた垂直アドレス制御手段と、
前記水平シフトレジスタの入力端子に対応し、前記外部入力手段から出力された前記水平アドレスを前記水平シフトレジスタの入力端子に入力する出力端子を備えた水平アドレス制御手段と
からなることを特徴とする固体撮像素子。
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