JP2000138365A - 半導体エネルギー検出器 - Google Patents
半導体エネルギー検出器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 充分な基板の機械的強度と、小さい基板抵抗
とを有する裏面照射型の半導体エネルギー検出器を提供
する。 【解決手段】 基板１の裏面側に、裏面照射によるエネ
ルギー線検出を可能にするための薄形部２と、その周辺
の基板枠１ａとに加えて、薄形部２を分割するように基
板梁１ｂを形成することによって、薄形部２について基
板の充分な機械的強度を確保し、また、薄形部２の歪み
を抑制して、それによる検出時の焦点ぼけ等を防ぐこと
ができる。また同時に、基板抵抗が高い薄形部２の各部
位から、基板抵抗が低い基板枠１ａまたは基板梁１ｂま
での距離を充分短く設定することによって、基板抵抗を
低減して高速読み出し動作を可能にすることができる。
とを有する裏面照射型の半導体エネルギー検出器を提供
する。 【解決手段】 基板１の裏面側に、裏面照射によるエネ
ルギー線検出を可能にするための薄形部２と、その周辺
の基板枠１ａとに加えて、薄形部２を分割するように基
板梁１ｂを形成することによって、薄形部２について基
板の充分な機械的強度を確保し、また、薄形部２の歪み
を抑制して、それによる検出時の焦点ぼけ等を防ぐこと
ができる。また同時に、基板抵抗が高い薄形部２の各部
位から、基板抵抗が低い基板枠１ａまたは基板梁１ｂま
での距離を充分短く設定することによって、基板抵抗を
低減して高速読み出し動作を可能にすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電荷結合素子（Ｃ
ＣＤ、Charge Coupled Device）やアクティブピクセル
センサ（ＡＰＳ、Active Pixel Sensor）などを用いた
半導体エネルギー検出器に関するものである。
ＣＤ、Charge Coupled Device）やアクティブピクセル
センサ（ＡＰＳ、Active Pixel Sensor）などを用いた
半導体エネルギー検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】撮像素子として利用される電荷結合素子
（ＣＣＤ）は、アナログ電荷群をクロックパルスに同期
して一方向に転送するもので、空間情報を時系列信号に
変換することができる。ただし、ＣＣＤに光を照射した
まま電荷を転送すると、それぞれの部位で光励起された
電荷と転送された電荷とが混じり合って、いわゆるスミ
アを起こし、画像信号が劣化する。そのため通常は、画
像の撮像（エネルギー線像の検出）を行う電荷蓄積期間
と、画像の転送を行う電荷転送期間とに時分割して動作
させて使用される。実用的な撮像デバイスとしては、例
えばフレーム転送型（ＦＴ型）、フル・フレーム転送型
（ＦＦＴ型）、インターライン転送型（ＩＴ型）などが
ある。このうち、計測用としては主にＦＦＴ型ＣＣＤが
用いられる。ＦＦＴ型ＣＣＤは、蓄積部が無く受光部を
大きくできるので、光の利用率が高く、微弱光の計測に
適している。
（ＣＣＤ）は、アナログ電荷群をクロックパルスに同期
して一方向に転送するもので、空間情報を時系列信号に
変換することができる。ただし、ＣＣＤに光を照射した
まま電荷を転送すると、それぞれの部位で光励起された
電荷と転送された電荷とが混じり合って、いわゆるスミ
アを起こし、画像信号が劣化する。そのため通常は、画
像の撮像（エネルギー線像の検出）を行う電荷蓄積期間
と、画像の転送を行う電荷転送期間とに時分割して動作
させて使用される。実用的な撮像デバイスとしては、例
えばフレーム転送型（ＦＴ型）、フル・フレーム転送型
（ＦＦＴ型）、インターライン転送型（ＩＴ型）などが
ある。このうち、計測用としては主にＦＦＴ型ＣＣＤが
用いられる。ＦＦＴ型ＣＣＤは、蓄積部が無く受光部を
大きくできるので、光の利用率が高く、微弱光の計測に
適している。
【０００３】半導体製造分野におけるウエハ検査やフォ
トマスク（レチクル）検査等に用いられるＣＣＤなどの
半導体エネルギー検出器としては、パターンの焼き付け
露光に使用される光源を用いて検査が行われるために、
紫外光（例えば、高圧水銀灯ｇ線：波長４３６nm、高圧
水銀灯ｉ線：３６５nm、ＸｅＣｌエキシマレーザ：３０
８nm、ＫｒＦエキシマレーザ：２４８nm、ＡｒＦエキシ
マレーザ：１９３nm、など）に高い感度を有するものが
必要とされる場合がある。
トマスク（レチクル）検査等に用いられるＣＣＤなどの
半導体エネルギー検出器としては、パターンの焼き付け
露光に使用される光源を用いて検査が行われるために、
紫外光（例えば、高圧水銀灯ｇ線：波長４３６nm、高圧
水銀灯ｉ線：３６５nm、ＸｅＣｌエキシマレーザ：３０
８nm、ＫｒＦエキシマレーザ：２４８nm、ＡｒＦエキシ
マレーザ：１９３nm、など）に高い感度を有するものが
必要とされる場合がある。
【０００４】そのような撮像素子の１つとして、裏面照
射型ＣＣＤがある（例えば特開平６−２９５０６号）。
表面照射型ＣＣＤにおいては、受光部を覆っている転送
電極を例えば多結晶シリコンによる電極として、表面を
受光面として撮像を行うが、多結晶シリコンは波長４０
０ｎｍ以下の光を吸収してしまうため、紫外光に対する
感度が低くなってしまう。これに対して裏面照射型ＣＣ
Ｄとは、基板を例えば厚さ１０〜３０μｍ程度まで薄く
してＣＣＤを形成し、裏面からエネルギー線を入射して
撮像を行うものであり、したがって、表面側に配設され
る転送電極に影響されずに光の入射・受光を行うことが
でき、紫外光などの短波長光に対しても高い感度を有す
るＣＣＤが実現される。
射型ＣＣＤがある（例えば特開平６−２９５０６号）。
表面照射型ＣＣＤにおいては、受光部を覆っている転送
電極を例えば多結晶シリコンによる電極として、表面を
受光面として撮像を行うが、多結晶シリコンは波長４０
０ｎｍ以下の光を吸収してしまうため、紫外光に対する
感度が低くなってしまう。これに対して裏面照射型ＣＣ
Ｄとは、基板を例えば厚さ１０〜３０μｍ程度まで薄く
してＣＣＤを形成し、裏面からエネルギー線を入射して
撮像を行うものであり、したがって、表面側に配設され
る転送電極に影響されずに光の入射・受光を行うことが
でき、紫外光などの短波長光に対しても高い感度を有す
るＣＣＤが実現される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような裏面照射型ＣＣＤにおいては、その薄形部の薄
さによって機械的強度が低く、取り扱いが難しいという
問題がある。また、ＣＣＤを含めてＭＯＳ型デバイスで
は基板電位の確保、すなわち基板抵抗を小さくすること
が重要であるが、大きい薄形部を有する裏面照射型ＣＣ
Ｄにおいては小さい基板抵抗の実現は構造上困難であ
る。
たような裏面照射型ＣＣＤにおいては、その薄形部の薄
さによって機械的強度が低く、取り扱いが難しいという
問題がある。また、ＣＣＤを含めてＭＯＳ型デバイスで
は基板電位の確保、すなわち基板抵抗を小さくすること
が重要であるが、大きい薄形部を有する裏面照射型ＣＣ
Ｄにおいては小さい基板抵抗の実現は構造上困難であ
る。
【０００６】このような裏面照射型ＣＣＤにおいては、
例えば上記の特開平６−２９５０６号に示されたものの
ように、基板枠を有する構成として強度を補強する方法
が用いられることがある。図１２は、そのような裏面照
射型ＣＣＤの一例を裏面側からみた底面図、また、図１
３は、そのＶI−ＶI矢印断面図である。ここでは、基板
１において受光部領域に対応する基板部分を薄形化して
薄形部２とし、その周辺部分に基板を薄形化せずに枠状
に残した基板枠１ａが形成されている。しかし、受光部
の面積が大きくなると、このような構造のみでは薄形部
２について充分な機械的強度が確保できず、また、薄形
部２の各部位に生じる歪みによって焦点が合わなくなる
（焦点ぼけ）、という問題がある。
例えば上記の特開平６−２９５０６号に示されたものの
ように、基板枠を有する構成として強度を補強する方法
が用いられることがある。図１２は、そのような裏面照
射型ＣＣＤの一例を裏面側からみた底面図、また、図１
３は、そのＶI−ＶI矢印断面図である。ここでは、基板
１において受光部領域に対応する基板部分を薄形化して
薄形部２とし、その周辺部分に基板を薄形化せずに枠状
に残した基板枠１ａが形成されている。しかし、受光部
の面積が大きくなると、このような構造のみでは薄形部
２について充分な機械的強度が確保できず、また、薄形
部２の各部位に生じる歪みによって焦点が合わなくなる
（焦点ぼけ）、という問題がある。
【０００７】また、ＣＣＤの各画素は、ＭＯＳ−ＦＥＴ
と等価であり、ゲートに印加されたクロックパルスによ
り基板の電荷を充電・放電することによって、ＣＣＤの
電荷転送のためのポテンシャル井戸を形成・変化させて
いる。しかし、厚い基板が残存している基板枠１ａの部
分では、その基板抵抗は０．７Ω／□程度と低いのに対
して、薄形部２においてはその薄さのために基板抵抗は
１００〜１０００Ω／□程度と非常に高くなってしま
い、そのため基板電荷の充電・放電を速やかに行うこと
ができない。特に、基板枠１ａは強度を補強すると同時
に基板電荷の充電・放電を補助する機能をも有している
が、受光部に対応している薄形部２の中心付近などで
は、基板枠１ａまでの距離が長く、基板抵抗によって電
荷転送の速度が抑えられて高速動作ができない。
と等価であり、ゲートに印加されたクロックパルスによ
り基板の電荷を充電・放電することによって、ＣＣＤの
電荷転送のためのポテンシャル井戸を形成・変化させて
いる。しかし、厚い基板が残存している基板枠１ａの部
分では、その基板抵抗は０．７Ω／□程度と低いのに対
して、薄形部２においてはその薄さのために基板抵抗は
１００〜１０００Ω／□程度と非常に高くなってしま
い、そのため基板電荷の充電・放電を速やかに行うこと
ができない。特に、基板枠１ａは強度を補強すると同時
に基板電荷の充電・放電を補助する機能をも有している
が、受光部に対応している薄形部２の中心付近などで
は、基板枠１ａまでの距離が長く、基板抵抗によって電
荷転送の速度が抑えられて高速動作ができない。
【０００８】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、充分な基板強度と、小さい基板抵抗
とを有する裏面照射型の半導体エネルギー検出器を提供
することを目的とする。
されたものであり、充分な基板強度と、小さい基板抵抗
とを有する裏面照射型の半導体エネルギー検出器を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による半導体エネルギー検出器は、半
導体基板の表面に電荷読み出し部が形成されている半導
体エネルギー検出器において、半導体基板の裏面には、
半導体基板が薄形化されて、エネルギー線の検出が行わ
れる複数の薄形部と、半導体基板の周縁部に形成され
て、複数の薄形部をその内側領域に含む基板枠と、基板
枠の内側領域において、複数の薄形部についてのそれぞ
れの境界部分に形成されている単一または複数の基板梁
と、が形成されていることを特徴とする。
るために、本発明による半導体エネルギー検出器は、半
導体基板の表面に電荷読み出し部が形成されている半導
体エネルギー検出器において、半導体基板の裏面には、
半導体基板が薄形化されて、エネルギー線の検出が行わ
れる複数の薄形部と、半導体基板の周縁部に形成され
て、複数の薄形部をその内側領域に含む基板枠と、基板
枠の内側領域において、複数の薄形部についてのそれぞ
れの境界部分に形成されている単一または複数の基板梁
と、が形成されていることを特徴とする。
【００１０】また、電荷読み出し部は、電荷結合素子か
らなることを特徴としても良い。
らなることを特徴としても良い。
【００１１】半導体基板の表面側に形成されたＣＣＤな
どの電荷読み出し部の受光部領域に対応する裏面側の領
域を含んで形成された薄形部と、その周辺部分に基板を
残存させた基板枠と、を有して構成された裏面照射型半
導体エネルギー検出器において、その薄形部の領域を複
数の領域に分割し、それらの領域の境界部分に基板を全
部または一部残存させて形成される基板梁を設けた構成
とすることによって、紫外光などに対して高い感度を有
すると同時に、受光部の面積が大きい場合などにおいて
も、半導体基板の充分な機械的強度を確保して、薄形部
の各部位に生じる歪みによる焦点ぼけを抑制した半導体
エネルギー検出器とすることができる。
どの電荷読み出し部の受光部領域に対応する裏面側の領
域を含んで形成された薄形部と、その周辺部分に基板を
残存させた基板枠と、を有して構成された裏面照射型半
導体エネルギー検出器において、その薄形部の領域を複
数の領域に分割し、それらの領域の境界部分に基板を全
部または一部残存させて形成される基板梁を設けた構成
とすることによって、紫外光などに対して高い感度を有
すると同時に、受光部の面積が大きい場合などにおいて
も、半導体基板の充分な機械的強度を確保して、薄形部
の各部位に生じる歪みによる焦点ぼけを抑制した半導体
エネルギー検出器とすることができる。
【００１２】また、このような基板梁によって、基板抵
抗が高い薄形部の各部位から、基板抵抗が低い基板枠ま
たは基板梁までの距離を充分に短縮するように基板梁を
構成することによって基板抵抗を低減して、電荷転送等
の高速動作を可能にすることができる。
抗が高い薄形部の各部位から、基板抵抗が低い基板枠ま
たは基板梁までの距離を充分に短縮するように基板梁を
構成することによって基板抵抗を低減して、電荷転送等
の高速動作を可能にすることができる。
【００１３】なお、このような裏面照射形の半導体エネ
ルギー検出器は、紫外光を含む光の他に、電子線やＸ線
などのエネルギー線の検出にも有効に用いることができ
る。
ルギー検出器は、紫外光を含む光の他に、電子線やＸ線
などのエネルギー線の検出にも有効に用いることができ
る。
【００１４】また、電荷読み出し部は、水平方向を分割
し垂直方向を長手方向として配設される複数の垂直配列
を有して構成され、基板梁は、少なくとも２つの垂直配
列に対応する裏面上の領域を通るように設置されたこと
を特徴とする。
し垂直方向を長手方向として配設される複数の垂直配列
を有して構成され、基板梁は、少なくとも２つの垂直配
列に対応する裏面上の領域を通るように設置されたこと
を特徴とする。
【００１５】特に、電荷読み出し部を複数の垂直配列を
有して構成した場合、基板梁を少なくとも２つの垂直配
列に対応する部位を含んで設置する、すなわち、垂直配
列の配列方向と平行でないように基板梁を設置すること
によって、例えば全領域が不感領域となる垂直配列が生
じないように構成することができる。
有して構成した場合、基板梁を少なくとも２つの垂直配
列に対応する部位を含んで設置する、すなわち、垂直配
列の配列方向と平行でないように基板梁を設置すること
によって、例えば全領域が不感領域となる垂直配列が生
じないように構成することができる。
【００１６】さらに、複数の垂直配列のそれぞれに対応
する裏面上の領域において、複数の薄形部が設けられて
いる領域の面積がそれぞれ等しいことを特徴としても良
い。
する裏面上の領域において、複数の薄形部が設けられて
いる領域の面積がそれぞれ等しいことを特徴としても良
い。
【００１７】例えばベルトコンベア上にある物体など、
一定速度で移動している物体を撮像する方法として、物
体の移動速度に対応した速度で受光部に蓄積される電荷
を転送しつつ電荷の蓄積を行うＴＤＩ（Time Delay and
Integration）駆動法が用いられるが、各垂直配列での
薄形部が設けられている領域の面積を同一とした上記の
構成の半導体エネルギー検出器にこのＴＤＩ駆動法を適
用して撮像を行った場合、物体の各位置に対応する電荷
蓄積・検出の感度が検出・撮像される像全体で均一な検
出器とすることができる。
一定速度で移動している物体を撮像する方法として、物
体の移動速度に対応した速度で受光部に蓄積される電荷
を転送しつつ電荷の蓄積を行うＴＤＩ（Time Delay and
Integration）駆動法が用いられるが、各垂直配列での
薄形部が設けられている領域の面積を同一とした上記の
構成の半導体エネルギー検出器にこのＴＤＩ駆動法を適
用して撮像を行った場合、物体の各位置に対応する電荷
蓄積・検出の感度が検出・撮像される像全体で均一な検
出器とすることができる。
【００１８】上記したＴＤＩ駆動法は、例えば検出対象
の移動速度に対応した速度で電荷転送を行いつつ、検出
対象のエネルギー線像のぶれのない検出を行うＴＤＩ駆
動法によって電荷読み出し部を制御する電荷転送制御部
をさらに備える構成とすることによって実現される。
の移動速度に対応した速度で電荷転送を行いつつ、検出
対象のエネルギー線像のぶれのない検出を行うＴＤＩ駆
動法によって電荷読み出し部を制御する電荷転送制御部
をさらに備える構成とすることによって実現される。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による半
導体エネルギー検出器の好適な実施形態について詳細に
説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同
一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の
寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
導体エネルギー検出器の好適な実施形態について詳細に
説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同
一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の
寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００２０】図１は、本発明に係る半導体エネルギー検
出器の第１の実施形態を裏面側からみた底面図である。
また、図２は、図１に示した半導体エネルギー検出器の
Ｉ−Ｉ矢印断面図である。なお、表面側に形成されてい
るＣＣＤの垂直及び水平の電荷転送方向は、図１におい
ては図面上の垂直及び水平方向と一致している。また、
図２においては図面上の上方が図１に示されている裏面
側、下方がＣＣＤが形成されている表面側である。
出器の第１の実施形態を裏面側からみた底面図である。
また、図２は、図１に示した半導体エネルギー検出器の
Ｉ−Ｉ矢印断面図である。なお、表面側に形成されてい
るＣＣＤの垂直及び水平の電荷転送方向は、図１におい
ては図面上の垂直及び水平方向と一致している。また、
図２においては図面上の上方が図１に示されている裏面
側、下方がＣＣＤが形成されている表面側である。
【００２１】本実施形態における半導体エネルギー検出
器は、厚さ約３００μｍ、抵抗率１０〜１００Ω・ｃｍ
程度で、面方位（１００）のＰ型シリコン基板１上に構
成されている。裏面照射型の半導体エネルギー検出器に
おいては、基板の薄形化、及び裏面入射面のポテンシャ
ルスロープ（アキュムレーション層）の形成が必要であ
る。基板の薄形化によって、入射面近傍で光電変換され
て生じた電子が、電荷転送のポテンシャル井戸に拡散す
るまでに再結合によって消滅しないようにし、また、光
電変換する基板裏面と電荷転送する基板表面との距離を
短くして、隣接画素への拡散を抑制させて解像度の低下
を防ぐことができる。一方、裏面入射面のポテンシャル
スロープ（アキュムレーション層）の形成によって、入
射面近傍で光電変換されて生じた電子が電荷転送のため
のポテンシャル井戸へ容易に拡散するようにすることが
できる。このようなポテンシャルスロープ（アキュムレ
ーション層）の形成は、例えばボロンイオンの注入と、
その活性化熱処理によってなされる。
器は、厚さ約３００μｍ、抵抗率１０〜１００Ω・ｃｍ
程度で、面方位（１００）のＰ型シリコン基板１上に構
成されている。裏面照射型の半導体エネルギー検出器に
おいては、基板の薄形化、及び裏面入射面のポテンシャ
ルスロープ（アキュムレーション層）の形成が必要であ
る。基板の薄形化によって、入射面近傍で光電変換され
て生じた電子が、電荷転送のポテンシャル井戸に拡散す
るまでに再結合によって消滅しないようにし、また、光
電変換する基板裏面と電荷転送する基板表面との距離を
短くして、隣接画素への拡散を抑制させて解像度の低下
を防ぐことができる。一方、裏面入射面のポテンシャル
スロープ（アキュムレーション層）の形成によって、入
射面近傍で光電変換されて生じた電子が電荷転送のため
のポテンシャル井戸へ容易に拡散するようにすることが
できる。このようなポテンシャルスロープ（アキュムレ
ーション層）の形成は、例えばボロンイオンの注入と、
その活性化熱処理によってなされる。
【００２２】基板１の、受光部に対応する領域を含む裏
面側の領域には、厚さ１０〜３０μｍ程度に薄くされた
（したがって２７０〜２９０μｍ程度の深さでエッチン
グされた）薄形部２が形成されている。この薄形部２
は、本実施形態においては図１に示すように等しい面積
で４分割（垂直・水平方向にそれぞれ２分割）されて形
成されている。すなわち、薄形部２の周辺部分に基板を
薄形化せずに枠状に残存させた基板枠１ａに加えて、薄
形部２の領域内に基板を梁状に残存させた基板梁１ｂが
形成されている。
面側の領域には、厚さ１０〜３０μｍ程度に薄くされた
（したがって２７０〜２９０μｍ程度の深さでエッチン
グされた）薄形部２が形成されている。この薄形部２
は、本実施形態においては図１に示すように等しい面積
で４分割（垂直・水平方向にそれぞれ２分割）されて形
成されている。すなわち、薄形部２の周辺部分に基板を
薄形化せずに枠状に残存させた基板枠１ａに加えて、薄
形部２の領域内に基板を梁状に残存させた基板梁１ｂが
形成されている。
【００２３】このように薄形部２及び基板枠１ａに加え
てさらに基板梁１ｂを有して基板１を構成することによ
って、薄形部２によって裏面からの受光・撮像を可能に
して、紫外光等への高い感度を実現しつつ、かつ、基板
梁１ｂによって基板１の薄形部２について充分な機械的
強度を確保し、薄形部２の歪みを抑制して、それによる
撮像時の焦点ぼけを防ぐことができる。また、この基板
梁１ｂを形成することによって、従来、薄形部２から基
板枠１ａまでの距離が長かったことに起因して生じてい
た高い基板抵抗の問題を解決して、薄形部２の各部位か
ら、基板抵抗が低い基板枠１ａまたは基板梁１ｂまでの
距離を充分に短縮して、電荷転送等の高速動作を可能に
することができる。
てさらに基板梁１ｂを有して基板１を構成することによ
って、薄形部２によって裏面からの受光・撮像を可能に
して、紫外光等への高い感度を実現しつつ、かつ、基板
梁１ｂによって基板１の薄形部２について充分な機械的
強度を確保し、薄形部２の歪みを抑制して、それによる
撮像時の焦点ぼけを防ぐことができる。また、この基板
梁１ｂを形成することによって、従来、薄形部２から基
板枠１ａまでの距離が長かったことに起因して生じてい
た高い基板抵抗の問題を解決して、薄形部２の各部位か
ら、基板抵抗が低い基板枠１ａまたは基板梁１ｂまでの
距離を充分に短縮して、電荷転送等の高速動作を可能に
することができる。
【００２４】また、このとき、受光部領域内の基板梁１
ｂが設置されている部位は不感領域もしくは低感度領域
となるが、例えばＣＣＤの受光面積を大きくしたい要望
があるＸ線撮像や天文観測などにおいては、従来から、
複数のＣＣＤを隙間無く並べることによって大面積化を
実施している場合がある。このように、不感領域となる
それぞれのＣＣＤの隙間の存在が実用上障害となってい
ないような用途に対しては、本発明によるＣＣＤなどの
半導体エネルギー検出器における、基板梁１ｂによる不
感または低感度領域についても実用上は問題とならな
い。
ｂが設置されている部位は不感領域もしくは低感度領域
となるが、例えばＣＣＤの受光面積を大きくしたい要望
があるＸ線撮像や天文観測などにおいては、従来から、
複数のＣＣＤを隙間無く並べることによって大面積化を
実施している場合がある。このように、不感領域となる
それぞれのＣＣＤの隙間の存在が実用上障害となってい
ないような用途に対しては、本発明によるＣＣＤなどの
半導体エネルギー検出器における、基板梁１ｂによる不
感または低感度領域についても実用上は問題とならな
い。
【００２５】基板１の裏面側には、図２に示すように保
護膜であるシリコン酸化膜３が例えば厚さ０．１μｍ程
度に形成され、また、薄形部２に対応した基板部分に
は、Ｐ+高濃度層４が形成されている。Ｐ+高濃度層４は
例えば厚さ０．２μｍ程度で濃度５×１０18／ｃｍ3程
度に形成され、光入射面に近い部位で光電変換された電
荷を表面側へ拡散させる機能を有している。
護膜であるシリコン酸化膜３が例えば厚さ０．１μｍ程
度に形成され、また、薄形部２に対応した基板部分に
は、Ｐ+高濃度層４が形成されている。Ｐ+高濃度層４は
例えば厚さ０．２μｍ程度で濃度５×１０18／ｃｍ3程
度に形成され、光入射面に近い部位で光電変換された電
荷を表面側へ拡散させる機能を有している。
【００２６】一方、表面側にはＣＣＤ５が形成されてお
り、これによって、裏面入射型の半導体エネルギー検出
器が構成されている。すなわち、裏面側から入射された
光は、Ｐ+高濃度層４からＣＣＤ５までの領域において
光電変換され、光電変換によって生じた電荷はＣＣＤ５
に向けて拡散して、ＣＣＤのポテンシャル井戸に到達し
蓄積されて、検出・撮像が行われる。
り、これによって、裏面入射型の半導体エネルギー検出
器が構成されている。すなわち、裏面側から入射された
光は、Ｐ+高濃度層４からＣＣＤ５までの領域において
光電変換され、光電変換によって生じた電荷はＣＣＤ５
に向けて拡散して、ＣＣＤのポテンシャル井戸に到達し
蓄積されて、検出・撮像が行われる。
【００２７】このような薄形部２を有する構造は、ＣＣ
Ｄのウエハプロセスの途中工程において形成される。ま
ず、シリコン基板１にシリコン窒化膜を堆積し、ホトリ
ソグラフィ工程により所望の形状にパターニングし、そ
れをマスクとしてシリコン基板１をＫＯＨからなるエッ
チング液で、シリコン窒化膜に覆われたチップ周辺部を
厚く残したままエッチングすることにより形成される。
Ｄのウエハプロセスの途中工程において形成される。ま
ず、シリコン基板１にシリコン窒化膜を堆積し、ホトリ
ソグラフィ工程により所望の形状にパターニングし、そ
れをマスクとしてシリコン基板１をＫＯＨからなるエッ
チング液で、シリコン窒化膜に覆われたチップ周辺部を
厚く残したままエッチングすることにより形成される。
【００２８】図３は、図１に示した半導体エネルギー検
出器を表面側からみた上面図であり、本実施形態におい
ては、ＦＦＴ型ＣＣＤ（例えば約２０μｍ×２０μｍの
画素が２次元的に、水平方向に５１２または１０２４
列、垂直方向に１２８または２５６行配置されてなる）
が形成されている。なお、このような表面側のＣＣＤの
構成については従来と同様のものを用いている。また、
以下に示す他の実施形態に関しても表面側の構成は基板
及び受光面の形状・面積等を除いてこれと同様のもので
あるが、いずれも表面側はこのようなＦＦＴ型ＣＣＤに
限られるものではなく、他の形態のＣＣＤまたはＣＣＤ
以外の素子等を用いた半導体エネルギー検出器とするこ
とも可能である。
出器を表面側からみた上面図であり、本実施形態におい
ては、ＦＦＴ型ＣＣＤ（例えば約２０μｍ×２０μｍの
画素が２次元的に、水平方向に５１２または１０２４
列、垂直方向に１２８または２５６行配置されてなる）
が形成されている。なお、このような表面側のＣＣＤの
構成については従来と同様のものを用いている。また、
以下に示す他の実施形態に関しても表面側の構成は基板
及び受光面の形状・面積等を除いてこれと同様のもので
あるが、いずれも表面側はこのようなＦＦＴ型ＣＣＤに
限られるものではなく、他の形態のＣＣＤまたはＣＣＤ
以外の素子等を用いた半導体エネルギー検出器とするこ
とも可能である。
【００２９】基板１の表面上には、垂直方向を電荷の転
送方向とした垂直転送チャネル６が複数列（例えば幅約
２０μｍで、５１２または１０２４列）配列されてお
り、これに直交する方向を長手方向として複数の垂直転
送電極からなる垂直転送電極群７が配設されて、垂直シ
フトレジスタが形成されている。配列されたそれぞれの
垂直転送チャネル６は水平転送チャネル８（例えば幅約
２５〜１００μｍ）に接続され、これに直交して複数の
水平転送電極からなる水平転送電極群９が配設されて、
水平シフトレジスタが形成されている。なお、垂直転送
電極群７については、ＦＴ型ＣＣＤの場合には上下２つ
の領域に分割されて、それぞれ受光部（上の領域）及び
蓄積部（下の領域）が形成される。
送方向とした垂直転送チャネル６が複数列（例えば幅約
２０μｍで、５１２または１０２４列）配列されてお
り、これに直交する方向を長手方向として複数の垂直転
送電極からなる垂直転送電極群７が配設されて、垂直シ
フトレジスタが形成されている。配列されたそれぞれの
垂直転送チャネル６は水平転送チャネル８（例えば幅約
２５〜１００μｍ）に接続され、これに直交して複数の
水平転送電極からなる水平転送電極群９が配設されて、
水平シフトレジスタが形成されている。なお、垂直転送
電極群７については、ＦＴ型ＣＣＤの場合には上下２つ
の領域に分割されて、それぞれ受光部（上の領域）及び
蓄積部（下の領域）が形成される。
【００３０】電荷蓄積期間に受光・撮像によってポテン
シャル井戸に蓄積された電荷は、垂直転送チャネル６及
び垂直転送電極群７を有する垂直シフトレジスタと、水
平転送チャネル８及び水平転送電極群９を有する水平シ
フトレジスタとによって、電荷転送期間に順次転送さ
れ、時系列信号となる。転送された電荷は、一定電位の
アウトプットゲート１０の下を通過し、リセットゲート
１１によって一定の電位に保たれたフローティングダイ
オード１２のポテンシャル井戸に送り込まれて、フロー
ティングダイオード１２の電位を変化させる。この電位
の変化をオンチップのＦＥＴ１３と、外付けの負荷抵抗
１４からなるソースフォロワ回路を通して読み出し、出
力端子１５より画像出力を得る。その後、フローティン
グダイオード１２に送り込まれた電荷は、リセットゲー
ト１１の下を通過してリセットドレイン１６より放出さ
れる。
シャル井戸に蓄積された電荷は、垂直転送チャネル６及
び垂直転送電極群７を有する垂直シフトレジスタと、水
平転送チャネル８及び水平転送電極群９を有する水平シ
フトレジスタとによって、電荷転送期間に順次転送さ
れ、時系列信号となる。転送された電荷は、一定電位の
アウトプットゲート１０の下を通過し、リセットゲート
１１によって一定の電位に保たれたフローティングダイ
オード１２のポテンシャル井戸に送り込まれて、フロー
ティングダイオード１２の電位を変化させる。この電位
の変化をオンチップのＦＥＴ１３と、外付けの負荷抵抗
１４からなるソースフォロワ回路を通して読み出し、出
力端子１５より画像出力を得る。その後、フローティン
グダイオード１２に送り込まれた電荷は、リセットゲー
ト１１の下を通過してリセットドレイン１６より放出さ
れる。
【００３１】図４は、本発明に係る半導体エネルギー検
出器の第２の実施形態を裏面側からみた底面図である。
また、図５は、図４に示した半導体エネルギー検出器の
II−II矢印断面図である。なお、図面上の垂直・水平方
向等に関しては図１及び図２と同様である。また、基板
の厚さ、薄形部の厚さ（エッチング深さ）、及びその断
面構造等については第１の実施形態と同様である。
出器の第２の実施形態を裏面側からみた底面図である。
また、図５は、図４に示した半導体エネルギー検出器の
II−II矢印断面図である。なお、図面上の垂直・水平方
向等に関しては図１及び図２と同様である。また、基板
の厚さ、薄形部の厚さ（エッチング深さ）、及びその断
面構造等については第１の実施形態と同様である。
【００３２】本実施形態における薄形部２は、水平方
向、すなわち垂直シフトレジスタの電荷転送方向と直交
する方向、を長手方向として等しい面積で基板梁１ｂに
よって４分割（垂直方向に４分割）されて形成されてい
る。このような構成においては、薄形部２が設けられて
いる部位の面積が、表面側に形成されている垂直配列で
あるそれぞれの垂直転送チャネル６に対応する裏面側の
領域に対してそれぞれ等しくなるように基板梁１ｂが設
置されており、これによって、第１の実施形態と同様の
機械的強度の確保等の効果に加えて、さらにＴＤＩ（Ti
me Delay and Integration）駆動法を用いた場合におい
て、基板梁１ｂによる不感または低感度領域の問題を生
じない撮像を行うことが可能となる。
向、すなわち垂直シフトレジスタの電荷転送方向と直交
する方向、を長手方向として等しい面積で基板梁１ｂに
よって４分割（垂直方向に４分割）されて形成されてい
る。このような構成においては、薄形部２が設けられて
いる部位の面積が、表面側に形成されている垂直配列で
あるそれぞれの垂直転送チャネル６に対応する裏面側の
領域に対してそれぞれ等しくなるように基板梁１ｂが設
置されており、これによって、第１の実施形態と同様の
機械的強度の確保等の効果に加えて、さらにＴＤＩ（Ti
me Delay and Integration）駆動法を用いた場合におい
て、基板梁１ｂによる不感または低感度領域の問題を生
じない撮像を行うことが可能となる。
【００３３】ＴＤＩ駆動法とは、例えばベルトコンベア
上にある物体など、一定速度で移動している撮像対象で
ある物体を撮像するのに用いられる撮像法であって、撮
像対象の進行方向を垂直シフトレジスタの電荷転送方向
と一致させて設置し、受光部の各ポテンシャル井戸に蓄
積された電荷を撮像対象の移動速度に対応した速度で転
送しつつ、電荷の蓄積・撮像を行う方法である。このよ
うな方法によれば、特定の蓄積電荷は、撮像対象の移動
にかかわらず常に撮像対象の特定の位置に対応して、ス
ミア・ぶれの生じない撮像を行うことができる。
上にある物体など、一定速度で移動している撮像対象で
ある物体を撮像するのに用いられる撮像法であって、撮
像対象の進行方向を垂直シフトレジスタの電荷転送方向
と一致させて設置し、受光部の各ポテンシャル井戸に蓄
積された電荷を撮像対象の移動速度に対応した速度で転
送しつつ、電荷の蓄積・撮像を行う方法である。このよ
うな方法によれば、特定の蓄積電荷は、撮像対象の移動
にかかわらず常に撮像対象の特定の位置に対応して、ス
ミア・ぶれの生じない撮像を行うことができる。
【００３４】上記のように、薄形部２が設けられている
部位の面積が、それぞれの垂直転送チャネル６に対して
等しくなるように基板梁１ｂを設置することによって、
ＴＤＩ駆動法において垂直転送チャネル６を転送される
それぞれの蓄積電荷が、基板梁１ｂによる不感・低感度
領域を通過する時間・割合を等しくすることができ、し
たがって、撮像感度が撮像される像全体に対して均一に
なるようにすることが可能となる。なお、このようなＴ
ＤＩ駆動法は、実際には例えば図３に示したＣＣＤにお
いて垂直転送電極群７及び水平転送電極群９の転送電極
にそれぞれ印加される電圧等を制御することによって、
ＴＤＩ駆動法にしたがって電荷転送を制御する電荷転送
制御部（図示していない）を設置することによって実現
される。
部位の面積が、それぞれの垂直転送チャネル６に対して
等しくなるように基板梁１ｂを設置することによって、
ＴＤＩ駆動法において垂直転送チャネル６を転送される
それぞれの蓄積電荷が、基板梁１ｂによる不感・低感度
領域を通過する時間・割合を等しくすることができ、し
たがって、撮像感度が撮像される像全体に対して均一に
なるようにすることが可能となる。なお、このようなＴ
ＤＩ駆動法は、実際には例えば図３に示したＣＣＤにお
いて垂直転送電極群７及び水平転送電極群９の転送電極
にそれぞれ印加される電圧等を制御することによって、
ＴＤＩ駆動法にしたがって電荷転送を制御する電荷転送
制御部（図示していない）を設置することによって実現
される。
【００３５】図６は、本発明に係る半導体エネルギー検
出器の第３の実施形態を裏面側からみた底面図である。
また、図７は、図６に示した半導体エネルギー検出器の
III−III矢印断面図である。なお、図面上の垂直・水平
方向等に関しては図１及び図２と同様である。また、基
板の厚さ、薄形部の厚さ（エッチング深さ）、及びその
断面構造等については第１または第２の実施形態と同様
である。
出器の第３の実施形態を裏面側からみた底面図である。
また、図７は、図６に示した半導体エネルギー検出器の
III−III矢印断面図である。なお、図面上の垂直・水平
方向等に関しては図１及び図２と同様である。また、基
板の厚さ、薄形部の厚さ（エッチング深さ）、及びその
断面構造等については第１または第２の実施形態と同様
である。
【００３６】本実施形態は、第２の実施形態と類似のも
のであるが、その薄形部２及び基板梁１ｂは、垂直転送
チャネル６に対して４５°の角度で右上がり斜めに形成
されている。このような形状とすることによって、第２
の実施形態に比べてさらにその機械的強度を高めて、薄
形部２の歪みによる焦点ぼけをさらに低減した半導体エ
ネルギー検出器とすることができる。
のであるが、その薄形部２及び基板梁１ｂは、垂直転送
チャネル６に対して４５°の角度で右上がり斜めに形成
されている。このような形状とすることによって、第２
の実施形態に比べてさらにその機械的強度を高めて、薄
形部２の歪みによる焦点ぼけをさらに低減した半導体エ
ネルギー検出器とすることができる。
【００３７】また、本実施形態においても、基板梁１ｂ
の上端（基板枠１ａの上部との境界端）及び下端（基板
枠１ａの下部との境界端）の水平方向の位置をそれぞれ
図６に示すように対応させることによって、薄形部２が
設けられている部位の面積が、それぞれの垂直転送チャ
ネル６に対して等しくなるように基板梁１ｂが設置・構
成されており、したがって、第２の実施形態と同様に、
ＴＤＩ駆動法を用いた場合において、基板梁１ｂによる
不感または低感度領域の問題を生じない撮像を行うこと
ができる。
の上端（基板枠１ａの上部との境界端）及び下端（基板
枠１ａの下部との境界端）の水平方向の位置をそれぞれ
図６に示すように対応させることによって、薄形部２が
設けられている部位の面積が、それぞれの垂直転送チャ
ネル６に対して等しくなるように基板梁１ｂが設置・構
成されており、したがって、第２の実施形態と同様に、
ＴＤＩ駆動法を用いた場合において、基板梁１ｂによる
不感または低感度領域の問題を生じない撮像を行うこと
ができる。
【００３８】本発明による半導体エネルギー検出器は、
上記した実施形態に限られるものではなく、様々な形態
のものを用いることができる。
上記した実施形態に限られるものではなく、様々な形態
のものを用いることができる。
【００３９】図８は、本発明に係る半導体エネルギー検
出器の第４の実施形態を裏面側からみた底面図である。
また、図９は、図８に示した半導体エネルギー検出器の
IＶ−IＶ矢印断面図である。第１〜第３の実施形態にお
いては、基板枠１ａ及び基板梁１ｂの高さ（厚さ）はす
べて等しく設定されていたが、本実施形態においては、
基板梁１ｂの高さ（厚さ）が基板枠１ａよりも低く（薄
く）されている。このような構成は、シリコンエッチン
グを２段階に分けて行うことによって実現することが可
能であり、これによって、撮像対象からの画像の影を生
じにくくすることができる。
出器の第４の実施形態を裏面側からみた底面図である。
また、図９は、図８に示した半導体エネルギー検出器の
IＶ−IＶ矢印断面図である。第１〜第３の実施形態にお
いては、基板枠１ａ及び基板梁１ｂの高さ（厚さ）はす
べて等しく設定されていたが、本実施形態においては、
基板梁１ｂの高さ（厚さ）が基板枠１ａよりも低く（薄
く）されている。このような構成は、シリコンエッチン
グを２段階に分けて行うことによって実現することが可
能であり、これによって、撮像対象からの画像の影を生
じにくくすることができる。
【００４０】図１０は、本発明に係る半導体エネルギー
検出器の第５の実施形態を裏面側からみた底面図であ
る。また、図１１は、図１０に示した半導体エネルギー
検出器のＶ−Ｖ矢印断面図である。本実施形態において
は、基板枠１ａ及び基板梁１ｂの裏面入射面側の領域に
マスク蒸着によってメタライゼーションを施して、金属
層１ｃが形成されている。これによって、さらに基板抵
抗を低減することができる。例えば、図８及び図９に示
したように基板梁１ｂをやや低く形成した場合、この部
分の基板抵抗がやや高くなってしまうが、そのような場
合に、このメタライゼーションによる金属層１ｃの形成
は特に有効である。
検出器の第５の実施形態を裏面側からみた底面図であ
る。また、図１１は、図１０に示した半導体エネルギー
検出器のＶ−Ｖ矢印断面図である。本実施形態において
は、基板枠１ａ及び基板梁１ｂの裏面入射面側の領域に
マスク蒸着によってメタライゼーションを施して、金属
層１ｃが形成されている。これによって、さらに基板抵
抗を低減することができる。例えば、図８及び図９に示
したように基板梁１ｂをやや低く形成した場合、この部
分の基板抵抗がやや高くなってしまうが、そのような場
合に、このメタライゼーションによる金属層１ｃの形成
は特に有効である。
【００４１】
【発明の効果】本発明によるＣＣＤなどの半導体エネル
ギー検出器は、以上詳細に説明したように、次のような
効果を得る。すなわち、表面側に電荷読み出し部が形成
されている半導体エネルギー検出器において、裏面側に
基板を薄形化した薄形部を設けて電子線、Ｘ線、及び紫
外光等に対して高い感度を有する裏面照射型半導体エネ
ルギー検出器とすると同時に、薄形部の周辺の基板枠に
加えて薄形部を分割するように基板梁をさらに設置する
ことによって、基板の機械的強度を強くし、薄形部の歪
みによる焦点ぼけを低減することができる。また、薄形
部の各部位における基板抵抗を、基板枠または基板梁ま
での距離を充分に短くすることによって低減させ、それ
によって電荷転送の高速動作による読み出し時間の短縮
を実現することができる。
ギー検出器は、以上詳細に説明したように、次のような
効果を得る。すなわち、表面側に電荷読み出し部が形成
されている半導体エネルギー検出器において、裏面側に
基板を薄形化した薄形部を設けて電子線、Ｘ線、及び紫
外光等に対して高い感度を有する裏面照射型半導体エネ
ルギー検出器とすると同時に、薄形部の周辺の基板枠に
加えて薄形部を分割するように基板梁をさらに設置する
ことによって、基板の機械的強度を強くし、薄形部の歪
みによる焦点ぼけを低減することができる。また、薄形
部の各部位における基板抵抗を、基板枠または基板梁ま
での距離を充分に短くすることによって低減させ、それ
によって電荷転送の高速動作による読み出し時間の短縮
を実現することができる。
【００４２】さらに、特にそのような基板梁を、それぞ
れの垂直転送チャネルに対してその覆う面積が等しくな
るように構成することによって、ＴＤＩ駆動法による紫
外光などのエネルギー線の検出を行った場合に、各蓄積
電荷が基板梁による不感・低感度領域を通過する時間を
等しくして、各検出点について検出感度が均一である検
出・撮像等を行うことができる半導体エネルギー検出器
とすることができる。
れの垂直転送チャネルに対してその覆う面積が等しくな
るように構成することによって、ＴＤＩ駆動法による紫
外光などのエネルギー線の検出を行った場合に、各蓄積
電荷が基板梁による不感・低感度領域を通過する時間を
等しくして、各検出点について検出感度が均一である検
出・撮像等を行うことができる半導体エネルギー検出器
とすることができる。
【図１】本発明に係る半導体エネルギー検出器の第１の
実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
【図２】図１に示した半導体エネルギー検出器のＩ−Ｉ
矢印断面図である。
矢印断面図である。
【図３】図１に示した半導体エネルギー検出器の表面側
構成を示す上面図である。
構成を示す上面図である。
【図４】本発明に係る半導体エネルギー検出器の第２の
実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
【図５】図４に示した半導体エネルギー検出器のII−II
矢印断面図である。
矢印断面図である。
【図６】本発明に係る半導体エネルギー検出器の第３の
実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
【図７】図６に示した半導体エネルギー検出器のIII−I
II矢印断面図である。
II矢印断面図である。
【図８】本発明に係る半導体エネルギー検出器の第４の
実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
【図９】図８に示した半導体エネルギー検出器のIＶ−I
Ｖ矢印断面図である。
Ｖ矢印断面図である。
【図１０】本発明に係る半導体エネルギー検出器の第５
の実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
の実施形態の裏面側構成を示す底面図である。
【図１１】図１０に示した半導体エネルギー検出器のＶ
−Ｖ矢印断面図である。
−Ｖ矢印断面図である。
【図１２】従来の裏面照射型ＣＣＤの一例の裏面側構成
を示す底面図である。
を示す底面図である。
【図１３】図１２に示した裏面照射型ＣＣＤのＶI−ＶI
矢印断面図である。
矢印断面図である。
１…Ｐ型シリコン基板、１ａ…基板枠、１ｂ…基板梁、
１ｃ…金属層、２…薄形部、３…シリコン酸化膜、４…
Ｐ+高濃度層、５…ＣＣＤ、６…垂直転送チャネル、７
…垂直転送電極群、８…水平転送チャネル、９…水平転
送電極群、１０…アウトプットゲート、１１…リセット
ゲート、１２…フローティングダイオード、１３…ＦＥ
Ｔ、１４…負荷抵抗、１５…出力端子、１６…リセット
ドレイン。
１ｃ…金属層、２…薄形部、３…シリコン酸化膜、４…
Ｐ+高濃度層、５…ＣＣＤ、６…垂直転送チャネル、７
…垂直転送電極群、８…水平転送チャネル、９…水平転
送電極群、１０…アウトプットゲート、１１…リセット
ゲート、１２…フローティングダイオード、１３…ＦＥ
Ｔ、１４…負荷抵抗、１５…出力端子、１６…リセット
ドレイン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 晃永 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 4M118 AA08 AA10 AB01 BA10 BA12 BA13 BA14 BA30 DB01 DD04 DD09 DD12 EA01 FA06 FA38 GA02 GA10 5C024 AA11 AA16 CA16 CA31 FA01 GA11 GA24 JA34
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に電荷読み出し部が形
成されている半導体エネルギー検出器において、 前記半導体基板の裏面には、 前記半導体基板が薄形化されて、エネルギー線の検出が
行われる複数の薄形部と、 前記半導体基板の周縁部に形成されて、前記複数の薄形
部をその内側領域に含む基板枠と、 前記基板枠の内側領域において、前記複数の薄形部につ
いてのそれぞれの境界部分に形成されている単一または
複数の基板梁と、が形成されていることを特徴とする半
導体エネルギー検出器。 - 【請求項２】 前記電荷読み出し部は、電荷結合素子か
らなることを特徴とする請求項１記載の半導体エネルギ
ー検出器。 - 【請求項３】 前記電荷読み出し部は、水平方向を分割
し垂直方向を長手方向として設置される複数の垂直配列
を有して構成され、 前記基板梁は、少なくとも２つの前記垂直配列に対応す
る裏面上の領域を通るように形成されたことを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体エネルギー検出器。 - 【請求項４】 前記複数の垂直配列のそれぞれに対応す
る裏面上の領域において、前記複数の薄形部が設けられ
ている領域の面積がそれぞれ等しいことを特徴とする請
求項３記載の半導体エネルギー検出器。 - 【請求項５】 検出対象の移動速度に対応した速度で電
荷転送を行いつつ、前記検出対象のエネルギー線像のぶ
れのない検出を行うＴＤＩ駆動法によって前記電荷読み
出し部を制御する電荷転送制御部をさらに備えることを
特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体エ
ネルギー検出器。
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|---|---|---|---|
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| EP99951166A EP1146563B1 (en) | 1998-11-02 | 1999-10-29 | Semiconductor energy sensor |
| US09/845,204 US6541753B2 (en) | 1998-11-02 | 2001-05-01 | Semiconductor energy detector having reinforcement |
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|---|---|---|---|
| JP31225598A JP4317280B2 (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 半導体エネルギー検出器 |
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| JP4317280B2 JP4317280B2 (ja) | 2009-08-19 |
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ID=18027044
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|---|---|---|---|
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- 1998-11-02 JP JP31225598A patent/JP4317280B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1999
- 1999-10-29 WO PCT/JP1999/006045 patent/WO2000026967A1/ja active IP Right Grant
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