JP2000138197A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加圧された処理液を供給する際に，基板の金
属汚染を防止することができる処理装置及び処理方法を
提供する。 【解決手段】 ジェットポンプ４７によって高圧に加圧
された純水をウェハＷに供給して洗浄処理するジェット
ノズル４０を備えた表面洗浄処理装置７において，ウェ
ハＷにミスト状の炭酸水溶液を供給する炭酸水溶液供給
ノズル４１をジェットノズル４０と別に設けた。炭酸水
溶液供給ノズル４１，炭酸水溶液供給ノズル４１に炭酸
水溶液を移送する移送回路５２は，いずれも炭酸水溶液
中に金属成分を溶出させない材質から成る。
属汚染を防止することができる処理装置及び処理方法を
提供する。 【解決手段】 ジェットポンプ４７によって高圧に加圧
された純水をウェハＷに供給して洗浄処理するジェット
ノズル４０を備えた表面洗浄処理装置７において，ウェ
ハＷにミスト状の炭酸水溶液を供給する炭酸水溶液供給
ノズル４１をジェットノズル４０と別に設けた。炭酸水
溶液供給ノズル４１，炭酸水溶液供給ノズル４１に炭酸
水溶液を移送する移送回路５２は，いずれも炭酸水溶液
中に金属成分を溶出させない材質から成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，例えば半導体ウ
ェハ等の基板に処理液を供給して処理する，処理装置及
び処理方法に関するものである。
ェハ等の基板に処理液を供給して処理する，処理装置及
び処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に，半導体デバイスの製造工程にお
いては，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」とい
う。）の表裏面に付着したパーティクル，有機汚染物，
金属不純物等のコンタミネーションを除去するために洗
浄処理システムが使用されている。ウェハを洗浄する洗
浄処理システムの１つとして，例えばスピン型の洗浄処
理装置を用いた枚葉式の洗浄処理システムが知られてい
る。
いては，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」とい
う。）の表裏面に付着したパーティクル，有機汚染物，
金属不純物等のコンタミネーションを除去するために洗
浄処理システムが使用されている。ウェハを洗浄する洗
浄処理システムの１つとして，例えばスピン型の洗浄処
理装置を用いた枚葉式の洗浄処理システムが知られてい
る。
【０００３】従来の洗浄処理装置は，例えばウェハの表
面に付着したパーティクルを効果的に除去するために，
回転しているウェハの表面に，ブラシやスポンジ等の部
材を回転させながら接触させて洗浄するスクラブ洗浄
や，ジェットポンプによって高圧に加圧された処理液を
ジェットノズルによってウェハの表面に供給するジェッ
ト洗浄が知られている。
面に付着したパーティクルを効果的に除去するために，
回転しているウェハの表面に，ブラシやスポンジ等の部
材を回転させながら接触させて洗浄するスクラブ洗浄
や，ジェットポンプによって高圧に加圧された処理液を
ジェットノズルによってウェハの表面に供給するジェッ
ト洗浄が知られている。
【０００４】従来のジェット洗浄においては，比抵抗の
高い純水を用いるときには，静電対策が不可欠となって
いる。即ち，例えば１５〜１８ＭΩ程度の純水を，５０
ｋｇｆ／ｃｍ2〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2の高圧でウェハの
表面に供給すると，ウェハが電荷を帯びることになり
（帯電），帯電量が絶縁耐圧を越えた場合，静電気によ
るスパーク（放電）が発生して，ウェハに形成された半
導体デバイスを破壊（静電破壊）するおそれがある。
高い純水を用いるときには，静電対策が不可欠となって
いる。即ち，例えば１５〜１８ＭΩ程度の純水を，５０
ｋｇｆ／ｃｍ2〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2の高圧でウェハの
表面に供給すると，ウェハが電荷を帯びることになり
（帯電），帯電量が絶縁耐圧を越えた場合，静電気によ
るスパーク（放電）が発生して，ウェハに形成された半
導体デバイスを破壊（静電破壊）するおそれがある。
【０００５】そこで，図１１に示すように，処理液をジ
ェットノズル１００にまで移送する移送回路１０１にお
いては，二酸化炭素（ＣＯ2）がバブリングされている
バブリング部１０２に純水（ＤＩＷ）を通すことによっ
て，純水に二酸化炭素を溶解させ，処理液として炭酸水
溶液（Ｈ2ＣＯ3）を生成するようになっている。そし
て，比抵抗が０．２ＭΩ程度の炭酸水溶液をジェットポ
ンプ１０３によって高圧に加圧した後，ジェットノズル
１００に送り，このような炭酸水溶液をウェハＷの表面
に供給する。炭酸水溶液は，静電気が発生するのを中和
するいわゆるイオン水として働き，ウェハＷの表面が帯
電するのを防止する。
ェットノズル１００にまで移送する移送回路１０１にお
いては，二酸化炭素（ＣＯ2）がバブリングされている
バブリング部１０２に純水（ＤＩＷ）を通すことによっ
て，純水に二酸化炭素を溶解させ，処理液として炭酸水
溶液（Ｈ2ＣＯ3）を生成するようになっている。そし
て，比抵抗が０．２ＭΩ程度の炭酸水溶液をジェットポ
ンプ１０３によって高圧に加圧した後，ジェットノズル
１００に送り，このような炭酸水溶液をウェハＷの表面
に供給する。炭酸水溶液は，静電気が発生するのを中和
するいわゆるイオン水として働き，ウェハＷの表面が帯
電するのを防止する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，移送回
路１０１，ジェットポンプ１０３の材質は，構造上，ス
テンレス鋼などの金属によって構成されているので，弱
酸性である炭酸水溶液が，これら移送回路１０１，ジェ
ットポンプ１０３に流れ込むことになれば，これら移送
回路１０１，ジェットポンプ１０３の金属成分（鉄，ク
ロム，ニッケル等）が，例えば１×１０11ａｔｏｍｓ／
ｃｍ2程度の割合で炭酸水溶液中に溶出してしまう。こ
のような金属成分を含んだ炭酸水溶液がジェットノズル
１００によってウェハＷの表面に供給されれば，ウェハ
Ｗが金属汚染されてしまう。
路１０１，ジェットポンプ１０３の材質は，構造上，ス
テンレス鋼などの金属によって構成されているので，弱
酸性である炭酸水溶液が，これら移送回路１０１，ジェ
ットポンプ１０３に流れ込むことになれば，これら移送
回路１０１，ジェットポンプ１０３の金属成分（鉄，ク
ロム，ニッケル等）が，例えば１×１０11ａｔｏｍｓ／
ｃｍ2程度の割合で炭酸水溶液中に溶出してしまう。こ
のような金属成分を含んだ炭酸水溶液がジェットノズル
１００によってウェハＷの表面に供給されれば，ウェハ
Ｗが金属汚染されてしまう。
【０００７】従って，本発明の目的は，加圧された処理
液を供給する際に，基板の金属汚染を防止することがで
きる処理装置及び処理方法を提供することにある。
液を供給する際に，基板の金属汚染を防止することがで
きる処理装置及び処理方法を提供することにある。
【０００８】上記課題を解決するために，請求項１の発
明は，加圧機構によって加圧された処理液を基板に供給
して処理する処理液供給ノズルを備えた処理装置におい
て，前記基板に帯電除去液を供給する帯電除去液供給ノ
ズルを前記処理液供給ノズルと別に設けたことを特徴と
する。
明は，加圧機構によって加圧された処理液を基板に供給
して処理する処理液供給ノズルを備えた処理装置におい
て，前記基板に帯電除去液を供給する帯電除去液供給ノ
ズルを前記処理液供給ノズルと別に設けたことを特徴と
する。
【０００９】請求項１に記載の処理装置によれば，処理
液供給ノズルと帯電除去液供給ノズルとを個別に設け，
帯電除去液供給ノズルによって基板に帯電除去液を供給
して基板が帯電しないようにする一方で，処理液供給ノ
ズルから加圧された処理液を基板に供給して基板からパ
ーティクル等の不純物を除去する。この場合，帯電除去
液は加圧機構に流れ込むことがないので，加圧機構の金
属成分が帯電除去液に溶出することもない。これによ
り，金属成分を含んでいない帯電除去液を基板に供給す
ることができ，基板の金属汚染を防止することができ
る。従って，静電破壊を防止しつつも，基板を良好に処
理することが可能となる。また，処理液のみを供給する
場合，処理液と帯電除去液とを供給する場合とを使い分
けることによって，処理の応用範囲を広げることができ
る。なお，ここでいう静電破壊とは，基板上で静電気に
よるスパーク（放電）が発生して，例えば基板に形成さ
れたデバイスを破壊するようなことをいう。
液供給ノズルと帯電除去液供給ノズルとを個別に設け，
帯電除去液供給ノズルによって基板に帯電除去液を供給
して基板が帯電しないようにする一方で，処理液供給ノ
ズルから加圧された処理液を基板に供給して基板からパ
ーティクル等の不純物を除去する。この場合，帯電除去
液は加圧機構に流れ込むことがないので，加圧機構の金
属成分が帯電除去液に溶出することもない。これによ
り，金属成分を含んでいない帯電除去液を基板に供給す
ることができ，基板の金属汚染を防止することができ
る。従って，静電破壊を防止しつつも，基板を良好に処
理することが可能となる。また，処理液のみを供給する
場合，処理液と帯電除去液とを供給する場合とを使い分
けることによって，処理の応用範囲を広げることができ
る。なお，ここでいう静電破壊とは，基板上で静電気に
よるスパーク（放電）が発生して，例えば基板に形成さ
れたデバイスを破壊するようなことをいう。
【００１０】請求項１に記載の処理装置において，請求
項２に記載したように，溶媒に帯電除去成分を溶解させ
て帯電除去液を生成する溶解手段と，前記溶解手段から
帯電除去液供給ノズルに帯電除去液を移送する回路であ
って，前記帯電除去液中に金属成分を溶出させない材質
から成る移送回路とを設けることが好ましい。
項２に記載したように，溶媒に帯電除去成分を溶解させ
て帯電除去液を生成する溶解手段と，前記溶解手段から
帯電除去液供給ノズルに帯電除去液を移送する回路であ
って，前記帯電除去液中に金属成分を溶出させない材質
から成る移送回路とを設けることが好ましい。
【００１１】かかる構成によれば，溶解手段に溶媒を通
し，この溶媒に帯電除去成分を溶解させて帯電除去液を
生成する。この帯電除去液は，移送回路を介して帯電除
去液供給ノズルにまで移送されることになるが，この移
送回路の材質には，帯電除去液中に金属成分を溶出させ
ないものが使用されるため，移送中に，帯電除去液に金
属成分が溶出することがない。これにより，金属成分を
含まない帯電除去液を基板に供給することができる。な
お，移送回路の配管の材質には，例えばフッ素樹脂等を
用いるのがよい。
し，この溶媒に帯電除去成分を溶解させて帯電除去液を
生成する。この帯電除去液は，移送回路を介して帯電除
去液供給ノズルにまで移送されることになるが，この移
送回路の材質には，帯電除去液中に金属成分を溶出させ
ないものが使用されるため，移送中に，帯電除去液に金
属成分が溶出することがない。これにより，金属成分を
含まない帯電除去液を基板に供給することができる。な
お，移送回路の配管の材質には，例えばフッ素樹脂等を
用いるのがよい。
【００１２】請求項３に記載したように，前記帯電除去
液供給ノズルは，前記帯電除去液に金属成分を溶出させ
ない材質からなり，前記基板にミスト状の帯電除去液を
供給するように構成されることが好ましい。
液供給ノズルは，前記帯電除去液に金属成分を溶出させ
ない材質からなり，前記基板にミスト状の帯電除去液を
供給するように構成されることが好ましい。
【００１３】かかる構成によれば，帯電除去液中に金属
成分を溶出させない材質から成る帯電除去液供給ノズル
が，帯電除去液を基板に供給する。これにより，供給中
に，帯電除去液中に金属成分が溶出することがなく，金
属成分を含まない帯電除去液を基板に供給することがで
きる。さらに，帯電除去液供給ノズルよりミスト状の帯
電除去液を基板に供給するので，帯電除去液の液膜を基
板に形成することができ，液膜の膜厚を非常に薄いもの
とすることができる。従って，加圧された処理液の基板
に対する処理効果に影響なく帯電を防止することが可能
となる。
成分を溶出させない材質から成る帯電除去液供給ノズル
が，帯電除去液を基板に供給する。これにより，供給中
に，帯電除去液中に金属成分が溶出することがなく，金
属成分を含まない帯電除去液を基板に供給することがで
きる。さらに，帯電除去液供給ノズルよりミスト状の帯
電除去液を基板に供給するので，帯電除去液の液膜を基
板に形成することができ，液膜の膜厚を非常に薄いもの
とすることができる。従って，加圧された処理液の基板
に対する処理効果に影響なく帯電を防止することが可能
となる。
【００１４】ここで，請求項４に記載したように，前記
帯電除去液供給ノズルに気体供給回路が接続されること
により，前記帯電除去液供給ノズルは，前記基板にミス
ト状の帯電除去液を供給するように構成されているのが
よい。かかる構成によれば，気体供給回路によって帯電
除去液供給ノズル内に気体が供給されることにより，帯
電除去液供給ノズル内で帯電除去液がミストとなって，
これを帯電除去液供給ノズルが基板に供給する。これに
より，請求項３に記載したような膜厚が非常に薄い液膜
を基板の表面に形成できる。
帯電除去液供給ノズルに気体供給回路が接続されること
により，前記帯電除去液供給ノズルは，前記基板にミス
ト状の帯電除去液を供給するように構成されているのが
よい。かかる構成によれば，気体供給回路によって帯電
除去液供給ノズル内に気体が供給されることにより，帯
電除去液供給ノズル内で帯電除去液がミストとなって，
これを帯電除去液供給ノズルが基板に供給する。これに
より，請求項３に記載したような膜厚が非常に薄い液膜
を基板の表面に形成できる。
【００１５】請求項５に記載したように，前記帯電除去
液は，炭酸水溶液とするのがよい。この場合，請求項２
の溶媒を純水とし，帯電除去成分を二酸化炭素とする。
液は，炭酸水溶液とするのがよい。この場合，請求項２
の溶媒を純水とし，帯電除去成分を二酸化炭素とする。
【００１６】請求項６の発明は，加圧機構によって加圧
された処理液を基板に供給して処理する処理方法におい
て，前記処理液を基板に供給する前に，前記帯電除去液
を基板に予め供給して帯電除去液の液膜を形成すること
を特徴とする。
された処理液を基板に供給して処理する処理方法におい
て，前記処理液を基板に供給する前に，前記帯電除去液
を基板に予め供給して帯電除去液の液膜を形成すること
を特徴とする。
【００１７】請求項６に記載の処理方法によれば，基板
に予め帯電除去液の液膜を形成して，帯電を除去するこ
とにより静電破壊を防止する。そして，このような基板
に，加圧された処理液を供給する。
に予め帯電除去液の液膜を形成して，帯電を除去するこ
とにより静電破壊を防止する。そして，このような基板
に，加圧された処理液を供給する。
【００１８】請求項７の発明は，加圧機構によって加圧
された処理液を基板に供給して処理する処理方法におい
て，前記処理液を基板に供給すると同時に，前記帯電除
去液を基板に供給することを特徴とする。
された処理液を基板に供給して処理する処理方法におい
て，前記処理液を基板に供給すると同時に，前記帯電除
去液を基板に供給することを特徴とする。
【００１９】請求項７に記載の処理方法によれば，処理
液を基板に供給すると同時に基板に帯電除去液を供給し
て，帯電を除去することにより静電破壊を防止する。
液を基板に供給すると同時に基板に帯電除去液を供給し
て，帯電を除去することにより静電破壊を防止する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を，キャリア単位で基板であるウェハを搬入し，ウェ
ハを一枚ずつ洗浄，乾燥を行い，キャリア単位でウェハ
を搬出するように構成された洗浄処理システムに基づい
て説明する。図１は，本実施の形態を説明するための洗
浄処理システム１の斜視図である。
態を，キャリア単位で基板であるウェハを搬入し，ウェ
ハを一枚ずつ洗浄，乾燥を行い，キャリア単位でウェハ
を搬出するように構成された洗浄処理システムに基づい
て説明する。図１は，本実施の形態を説明するための洗
浄処理システム１の斜視図である。
【００２１】この洗浄処理システム１には，ウェハＷを
収納したキャリアＣを４個分載置できる載置部２が設け
られている。洗浄処理システム１の中央には，載置部２
に載置されたキャリアＣから洗浄前のウェハＷを一枚ず
つ取り出し，また，洗浄後のウェハＷをキャリアＣに収
納する取出収納アーム３が配置されている。この取出収
納アーム３の背部には，取出収納アーム３との間でウェ
ハＷの授受を行い搬送機構である搬送アーム５が待機し
ている。搬送アーム５は，洗浄処理システム１の中央に
設けられた搬送路６に沿って移動可能に設けられてい
る。搬送路６の両側には，各種の処理装置が配置されて
いる。具体的には，搬送路６の一方の側方には，例えば
ウェハＷの表面を洗浄処理するための表面洗浄処理装置
７と，ウェハＷの裏面を洗浄処理するための裏面洗浄処
理装置８とが並んで配置されている。また，搬送路６の
他方の側方には，加熱処理装置９が４基積み重ねて設け
られている。この加熱処理装置９は，ウェハＷを加熱し
て乾燥させるための手段である。この加熱処理装置９に
隣接して２基のウェハ反転装置１０が積み重ねて設けら
れている。
収納したキャリアＣを４個分載置できる載置部２が設け
られている。洗浄処理システム１の中央には，載置部２
に載置されたキャリアＣから洗浄前のウェハＷを一枚ず
つ取り出し，また，洗浄後のウェハＷをキャリアＣに収
納する取出収納アーム３が配置されている。この取出収
納アーム３の背部には，取出収納アーム３との間でウェ
ハＷの授受を行い搬送機構である搬送アーム５が待機し
ている。搬送アーム５は，洗浄処理システム１の中央に
設けられた搬送路６に沿って移動可能に設けられてい
る。搬送路６の両側には，各種の処理装置が配置されて
いる。具体的には，搬送路６の一方の側方には，例えば
ウェハＷの表面を洗浄処理するための表面洗浄処理装置
７と，ウェハＷの裏面を洗浄処理するための裏面洗浄処
理装置８とが並んで配置されている。また，搬送路６の
他方の側方には，加熱処理装置９が４基積み重ねて設け
られている。この加熱処理装置９は，ウェハＷを加熱し
て乾燥させるための手段である。この加熱処理装置９に
隣接して２基のウェハ反転装置１０が積み重ねて設けら
れている。
【００２２】ここで，表面洗浄処理装置７の構成につい
て説明する。図２は，表面洗浄処理装置７の内部の斜視
図である。図３は，表面洗浄処理装置７の内部の平面図
であり，図４は，図３中のＡ−Ａ線断面図である。この
表面洗浄処理装置７は，ケース２０のほぼ中央に設けら
れたカップ２１内で，スピンチャック２２によってウェ
ハＷを水平に吸着保持するようになっている。このスピ
ンチャック２２は，カップ２１の下方に設けられたモー
タ２３によって回転自在になるように構成されている。
そして，洗浄処理中は，スピンチャック２２によって回
転しているウェハＷの表面に純水（ＤＩＷ）を供給し，
ウェハＷを包囲するカップ２１によって，この純水が周
囲に飛び散ることを防止するようになっている。また，
図示の如くケース２０の壁面に，ウェハＷをこの表面洗
浄処理装置７に搬入・搬出する際に上下動して開閉する
開閉ドア２４を設けている。
て説明する。図２は，表面洗浄処理装置７の内部の斜視
図である。図３は，表面洗浄処理装置７の内部の平面図
であり，図４は，図３中のＡ−Ａ線断面図である。この
表面洗浄処理装置７は，ケース２０のほぼ中央に設けら
れたカップ２１内で，スピンチャック２２によってウェ
ハＷを水平に吸着保持するようになっている。このスピ
ンチャック２２は，カップ２１の下方に設けられたモー
タ２３によって回転自在になるように構成されている。
そして，洗浄処理中は，スピンチャック２２によって回
転しているウェハＷの表面に純水（ＤＩＷ）を供給し，
ウェハＷを包囲するカップ２１によって，この純水が周
囲に飛び散ることを防止するようになっている。また，
図示の如くケース２０の壁面に，ウェハＷをこの表面洗
浄処理装置７に搬入・搬出する際に上下動して開閉する
開閉ドア２４を設けている。
【００２３】表面洗浄処理装置７には，ウェハＷの表面
にブラシやスポンジ等の部材を回転させながら接触させ
て洗浄処理するスクラブ洗浄機２５が設けられている。
スクラブ洗浄機２５は，駆動機構３０の上端に水平に支
持されたアーム部材３１を備え，駆動機構３０の稼働に
よってアーム部材３１を昇降移動させることができると
共に，図３中のθ方向に旋回させ，ウェハＷの上方を往
復移動させることができる構成になっている。アーム部
材３１の先端下方に図示しない昇降回転機構の稼働によ
って昇降及び回転自在なシャフト３２を設け，このシャ
フト３２の下端に処理体３３を固定している。この処理
体３３は，その下面にブラシやスポンジ等からなる部材
を取り付けており，処理体３３を回転させてウェハＷの
表面に接触させることにより，ウェハＷの表面を洗浄処
理するようになっている。なお，この処理体３３に純水
供給回路を接続し，下方中央から純水を吐出しながら，
処理体３３をウェハＷの表面に接触させるようにしても
よい。
にブラシやスポンジ等の部材を回転させながら接触させ
て洗浄処理するスクラブ洗浄機２５が設けられている。
スクラブ洗浄機２５は，駆動機構３０の上端に水平に支
持されたアーム部材３１を備え，駆動機構３０の稼働に
よってアーム部材３１を昇降移動させることができると
共に，図３中のθ方向に旋回させ，ウェハＷの上方を往
復移動させることができる構成になっている。アーム部
材３１の先端下方に図示しない昇降回転機構の稼働によ
って昇降及び回転自在なシャフト３２を設け，このシャ
フト３２の下端に処理体３３を固定している。この処理
体３３は，その下面にブラシやスポンジ等からなる部材
を取り付けており，処理体３３を回転させてウェハＷの
表面に接触させることにより，ウェハＷの表面を洗浄処
理するようになっている。なお，この処理体３３に純水
供給回路を接続し，下方中央から純水を吐出しながら，
処理体３３をウェハＷの表面に接触させるようにしても
よい。
【００２４】表面洗浄処理装置７は，後述するジェット
ポンプ４６によって例えば５０ｋｇｆ／ｃｍ2〜１００
ｋｇｆ／ｃｍ2の高圧に加圧された純水のみをウェハＷ
に供給して洗浄処理するジェットノズル４０と，高圧に
加圧された純水を供給してもウェハＷを帯電させないよ
うにウェハＷの表面に炭酸水溶液（Ｈ2ＣＯ3）を供給す
る炭酸水溶液供給ノズル４１をジェットノズル４０と別
に設けている。
ポンプ４６によって例えば５０ｋｇｆ／ｃｍ2〜１００
ｋｇｆ／ｃｍ2の高圧に加圧された純水のみをウェハＷ
に供給して洗浄処理するジェットノズル４０と，高圧に
加圧された純水を供給してもウェハＷを帯電させないよ
うにウェハＷの表面に炭酸水溶液（Ｈ2ＣＯ3）を供給す
る炭酸水溶液供給ノズル４１をジェットノズル４０と別
に設けている。
【００２５】ジェットノズル４０は，ケース２０の内部
においてスピンチャック２２を挟んでスクラブ洗浄機２
５と対称位置に配置されたジェット洗浄機４２に装着さ
れている。即ち，ジェット洗浄機４２は，駆動機構４３
の上端に水平に支持されていたアーム部材４４を備え，
駆動機構４３の稼働によってアーム部材４４を昇降移動
させることができると共に，図３中のθ’方向に旋回さ
せ，ウェハＷの上方を往復移動させることが可能な構成
になっている。そして，アーム部材４４の先端に上記ジ
ェットノズル４０を装着している。図５に示すように，
このジェットノズル４０には，純水を供給する純水供給
回路４５が接続され，この純水供給回路４５の途中に
は，前述したジェットポンプ４６が介装されている。こ
のジェットポンプ４６は，いわゆるプランジャ式のポン
プであり，駆動エアを用いて純水を加圧して高圧水とす
る。
においてスピンチャック２２を挟んでスクラブ洗浄機２
５と対称位置に配置されたジェット洗浄機４２に装着さ
れている。即ち，ジェット洗浄機４２は，駆動機構４３
の上端に水平に支持されていたアーム部材４４を備え，
駆動機構４３の稼働によってアーム部材４４を昇降移動
させることができると共に，図３中のθ’方向に旋回さ
せ，ウェハＷの上方を往復移動させることが可能な構成
になっている。そして，アーム部材４４の先端に上記ジ
ェットノズル４０を装着している。図５に示すように，
このジェットノズル４０には，純水を供給する純水供給
回路４５が接続され，この純水供給回路４５の途中に
は，前述したジェットポンプ４６が介装されている。こ
のジェットポンプ４６は，いわゆるプランジャ式のポン
プであり，駆動エアを用いて純水を加圧して高圧水とす
る。
【００２６】炭酸水溶液供給ノズル４１は，支持台５０
に取り付けられ，ウェハＷの中心方向に炭酸水溶液を吐
き出すように指向されている。図５に示すように，純水
に二酸化炭素（ＣＯ2）を溶解させて炭酸水溶液を生成
するセル部５１と，セル部５１から炭酸水溶液供給ノズ
ル４１に炭酸水溶液を移送する回路であって，炭酸水溶
液中に金属成分（鉄，クロム，ニッケル等）を溶出させ
ない材質，例えばフッ素樹脂から成る移送回路５２とを
設けている。
に取り付けられ，ウェハＷの中心方向に炭酸水溶液を吐
き出すように指向されている。図５に示すように，純水
に二酸化炭素（ＣＯ2）を溶解させて炭酸水溶液を生成
するセル部５１と，セル部５１から炭酸水溶液供給ノズ
ル４１に炭酸水溶液を移送する回路であって，炭酸水溶
液中に金属成分（鉄，クロム，ニッケル等）を溶出させ
ない材質，例えばフッ素樹脂から成る移送回路５２とを
設けている。
【００２７】図６に示すように，セル部５１の上面に
は，純水供給回路５３の出口と，二酸化炭素を供給する
二酸化炭素供給回路５４の途中から分岐した分岐回路５
５の出口と，移送回路５２の入口とが接続されている。
セル部５１の内部に，中空糸５６を設け，この中空糸５
６と分岐回路５５とが連通している。セル部５１では，
純水供給回路５３からセル部５１に流れ込んだ純水を，
中空糸５６の周面を迂回するようにして，移送回路５２
の出口に向かって流すようになっている。その間に中空
糸５６を介して純水に二酸化炭素を溶解させて，例えば
比抵抗が０．０５ＭΩ程度で飽和した炭酸水溶液を生成
し，このような炭酸水溶液を移送回路５２に流出させる
ようになっている。なお，このような簡易な構成のセル
部５１は，安価でメンテナンスの手間が殆どかからな
い。
は，純水供給回路５３の出口と，二酸化炭素を供給する
二酸化炭素供給回路５４の途中から分岐した分岐回路５
５の出口と，移送回路５２の入口とが接続されている。
セル部５１の内部に，中空糸５６を設け，この中空糸５
６と分岐回路５５とが連通している。セル部５１では，
純水供給回路５３からセル部５１に流れ込んだ純水を，
中空糸５６の周面を迂回するようにして，移送回路５２
の出口に向かって流すようになっている。その間に中空
糸５６を介して純水に二酸化炭素を溶解させて，例えば
比抵抗が０．０５ＭΩ程度で飽和した炭酸水溶液を生成
し，このような炭酸水溶液を移送回路５２に流出させる
ようになっている。なお，このような簡易な構成のセル
部５１は，安価でメンテナンスの手間が殆どかからな
い。
【００２８】移送回路５２の途中には，フィルタ５７，
フローメータ５８，弁５９を順が介装されている。セル
部５１から流出した炭酸水溶液をフィルタ５７，フロー
メータ５８の順に流して浄化及び流量の確認を行い，弁
５９を開放させることにより，炭酸水溶液供給ノズル４
１に，所定の状態にある炭酸水溶液を送る構成になって
いる。
フローメータ５８，弁５９を順が介装されている。セル
部５１から流出した炭酸水溶液をフィルタ５７，フロー
メータ５８の順に流して浄化及び流量の確認を行い，弁
５９を開放させることにより，炭酸水溶液供給ノズル４
１に，所定の状態にある炭酸水溶液を送る構成になって
いる。
【００２９】炭酸水溶液の移送は，工場供給圧（０．５
ｋｇｆ／ｃｍ2〜１ｋｇｆ／ｃｍ2）を用いて行うので，
加圧された純水とは異なり，材質がステンレス鋼などの
金属から成るジェットポンプ４６は不要となっている。
さらに，移送回路５２だけでなく，フィルタ５７，フロ
ーメータ５８，弁５９も，いずれも炭酸水溶液中に金属
成分を溶出させないような材質，例えばフッ素樹脂，石
英等から成っている。従って，セル部５１から炭酸水溶
液供給ノズル４１に炭酸水溶液を移送している間，炭酸
水溶液中に金属成分が溶出するようなことはない。
ｋｇｆ／ｃｍ2〜１ｋｇｆ／ｃｍ2）を用いて行うので，
加圧された純水とは異なり，材質がステンレス鋼などの
金属から成るジェットポンプ４６は不要となっている。
さらに，移送回路５２だけでなく，フィルタ５７，フロ
ーメータ５８，弁５９も，いずれも炭酸水溶液中に金属
成分を溶出させないような材質，例えばフッ素樹脂，石
英等から成っている。従って，セル部５１から炭酸水溶
液供給ノズル４１に炭酸水溶液を移送している間，炭酸
水溶液中に金属成分が溶出するようなことはない。
【００３０】炭酸水溶液供給ノズル４１は，炭酸水溶液
中に金属成分を溶出させない材質，例えば石英から成っ
ており，さらに炭酸水溶液供給ノズル４１には，上記二
酸化炭素供給回路５４が接続されている。この二酸化炭
素供給回路５４の途中には，二酸化炭素の供給をオン・
オフする弁６０が介装されている。従って，弁６０を開
放させれば，二酸化炭素が炭酸水溶液供給ノズル４１内
に供給され，図７に示すように，炭酸水溶液供給ノズル
４１は，ミスト状の炭酸水溶液を吐出してウェハＷの表
面に供給するようになっている。また，ジェットノズル
４０が純水を吐出してウェハＷの表面に供給する前に，
炭酸水溶液供給ノズル４１がミスト状の炭酸水溶液をウ
ェハＷの表面に供給することや，ジェットノズル４０が
純水を供給すると同時に，炭酸水溶液供給ノズル４１が
ミスト状の炭酸水溶液をウェハＷの表面に供給するこ
と，さらに炭酸水溶液供給ノズル４１がミスト状の炭酸
水溶液が供給することを停止する一方で，ジェットノズ
ル４０が単独で純水を供給すること等をプロセスレシピ
で自由に設定することが可能となっている。
中に金属成分を溶出させない材質，例えば石英から成っ
ており，さらに炭酸水溶液供給ノズル４１には，上記二
酸化炭素供給回路５４が接続されている。この二酸化炭
素供給回路５４の途中には，二酸化炭素の供給をオン・
オフする弁６０が介装されている。従って，弁６０を開
放させれば，二酸化炭素が炭酸水溶液供給ノズル４１内
に供給され，図７に示すように，炭酸水溶液供給ノズル
４１は，ミスト状の炭酸水溶液を吐出してウェハＷの表
面に供給するようになっている。また，ジェットノズル
４０が純水を吐出してウェハＷの表面に供給する前に，
炭酸水溶液供給ノズル４１がミスト状の炭酸水溶液をウ
ェハＷの表面に供給することや，ジェットノズル４０が
純水を供給すると同時に，炭酸水溶液供給ノズル４１が
ミスト状の炭酸水溶液をウェハＷの表面に供給するこ
と，さらに炭酸水溶液供給ノズル４１がミスト状の炭酸
水溶液が供給することを停止する一方で，ジェットノズ
ル４０が単独で純水を供給すること等をプロセスレシピ
で自由に設定することが可能となっている。
【００３１】次に，以上のように構成された洗浄処理シ
ステム１において行われるウェハＷの洗浄について説明
する。まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されて
いないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣ
を載置部２に載置する。そして，この載置部２に載置さ
れたキャリアＣからウェハＷが取り出され，取出搬入ア
ーム３を介して搬送アーム５に受け渡される。そして，
表面洗浄処理装置７及び裏面洗浄処理装置８を用いて，
ウェハＷを洗浄処理し，ウェハＷの表裏面に付着してい
るパーティクル等を除去する。
ステム１において行われるウェハＷの洗浄について説明
する。まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されて
いないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣ
を載置部２に載置する。そして，この載置部２に載置さ
れたキャリアＣからウェハＷが取り出され，取出搬入ア
ーム３を介して搬送アーム５に受け渡される。そして，
表面洗浄処理装置７及び裏面洗浄処理装置８を用いて，
ウェハＷを洗浄処理し，ウェハＷの表裏面に付着してい
るパーティクル等を除去する。
【００３２】ここで，表面洗浄処理装置７で行われる洗
浄処理について説明する。この表面洗浄処理装置７は，
ジェット洗浄やスクラブ洗浄を単独で行ったり，ジェッ
ト洗浄の後にスクラブ洗浄を，逆にスクラブ洗浄の後に
ジェット洗浄を行うことが可能であるが，本実施の形態
では，スクラブ洗浄の後にジェット洗浄を行う場合につ
いて，図８に示すフローチャートに基づいて説明する。
浄処理について説明する。この表面洗浄処理装置７は，
ジェット洗浄やスクラブ洗浄を単独で行ったり，ジェッ
ト洗浄の後にスクラブ洗浄を，逆にスクラブ洗浄の後に
ジェット洗浄を行うことが可能であるが，本実施の形態
では，スクラブ洗浄の後にジェット洗浄を行う場合につ
いて，図８に示すフローチャートに基づいて説明する。
【００３３】まず，搬送アーム５は，開放された開閉ド
ア２４から表面洗浄処理装置７内に進入し，図３に示し
たように，スピンチャック２２にウェハＷを受け渡す。
搬送アーム５は表面洗浄処理装置７内から退出し，開閉
ドア２４を閉じる。そして，スピンチャク２２によって
吸着保持されたウェハＷを，モータ２３の稼働によっ
て，スピンチャック２２と一体となって回転させ，洗浄
処理を開始する（Ｓ１）。まず，スクラブ洗浄機２５を
ウェハＷの上方に移動させ，ウェハＷの表面に処理体３
０を接触させてスクラブ洗浄を行う。スクラブ洗浄が終
了した後，ジェット洗浄機４２を稼働させてジェット洗
浄を行う。
ア２４から表面洗浄処理装置７内に進入し，図３に示し
たように，スピンチャック２２にウェハＷを受け渡す。
搬送アーム５は表面洗浄処理装置７内から退出し，開閉
ドア２４を閉じる。そして，スピンチャク２２によって
吸着保持されたウェハＷを，モータ２３の稼働によっ
て，スピンチャック２２と一体となって回転させ，洗浄
処理を開始する（Ｓ１）。まず，スクラブ洗浄機２５を
ウェハＷの上方に移動させ，ウェハＷの表面に処理体３
０を接触させてスクラブ洗浄を行う。スクラブ洗浄が終
了した後，ジェット洗浄機４２を稼働させてジェット洗
浄を行う。
【００３４】即ち，図５及び図６に示したように，セル
部５１に純水（ＤＩＷ）を通し，純水に二酸化炭素（Ｃ
Ｏ2）を溶解させて，比抵抗が０．０５ＭΩ程度で飽和
した炭酸水溶液（Ｈ2ＣＯ3）を生成する。ここで，中空
糸５６を備えたセル部５１は，簡易な構成なため，図１
１で説明したような，比抵抗値を例えば０．２ＭΩに制
御する従来のバブリング部１０２と比べて安価になって
おり，しかもメンテナンスも殆ど行わないで済ますこと
ができる。
部５１に純水（ＤＩＷ）を通し，純水に二酸化炭素（Ｃ
Ｏ2）を溶解させて，比抵抗が０．０５ＭΩ程度で飽和
した炭酸水溶液（Ｈ2ＣＯ3）を生成する。ここで，中空
糸５６を備えたセル部５１は，簡易な構成なため，図１
１で説明したような，比抵抗値を例えば０．２ＭΩに制
御する従来のバブリング部１０２と比べて安価になって
おり，しかもメンテナンスも殆ど行わないで済ますこと
ができる。
【００３５】炭酸水溶液は，工場供給圧（０．５ｋｇｆ
／ｃｍ2〜１ｋｇｆ／ｃｍ2）によって移送回路５２から
炭酸水溶液供給ノズル４１にまで移送される一方で，二
酸化炭素供給回路５４によって炭酸水溶液供給ノズル４
１内に二酸化炭素が供給される。そして，炭酸水溶液供
給ノズル４１内で炭酸水溶液がミストとなって，これを
炭酸水溶液供給ノズル４１が吐出してウェハＷの表面に
供給し，ウェハＷの表面に炭酸水溶液の液膜を形成する
（Ｓ２）。
／ｃｍ2〜１ｋｇｆ／ｃｍ2）によって移送回路５２から
炭酸水溶液供給ノズル４１にまで移送される一方で，二
酸化炭素供給回路５４によって炭酸水溶液供給ノズル４
１内に二酸化炭素が供給される。そして，炭酸水溶液供
給ノズル４１内で炭酸水溶液がミストとなって，これを
炭酸水溶液供給ノズル４１が吐出してウェハＷの表面に
供給し，ウェハＷの表面に炭酸水溶液の液膜を形成する
（Ｓ２）。
【００３６】次いで，待機状態にあったジェット洗浄機
４２を，ウェハＷの上方に旋回させて，ジェットポンプ
４６によって例えば５０ｋｇｆ／ｃｍ2〜１００ｋｇｆ
／ｃｍ2の高圧に加圧された純水を，ジェットノズル４
０によってウェハＷの表面に供給する（Ｓ３）。ジェッ
ト洗浄機４２を少なくともウェハＷの表面中央からウェ
ハＷの周縁部まで往復移動させて，高圧に加圧された純
水をウェハＷの回転と合わせてウェハＷの表面全体に均
一に供給する。
４２を，ウェハＷの上方に旋回させて，ジェットポンプ
４６によって例えば５０ｋｇｆ／ｃｍ2〜１００ｋｇｆ
／ｃｍ2の高圧に加圧された純水を，ジェットノズル４
０によってウェハＷの表面に供給する（Ｓ３）。ジェッ
ト洗浄機４２を少なくともウェハＷの表面中央からウェ
ハＷの周縁部まで往復移動させて，高圧に加圧された純
水をウェハＷの回転と合わせてウェハＷの表面全体に均
一に供給する。
【００３７】このように，ジェットノズル４０と炭酸水
溶液供給ノズル４１とを個別に設け，炭酸水溶液供給ノ
ズル４１によってミスト状の炭酸水溶液を予めウェハＷ
に供給して炭酸水溶液の液膜を形成し，ウェハＷを帯電
させないようにする一方で，その後に，このようなウェ
ハＷにジェットノズル４０から高圧に加圧された純水を
供給し，ウェハＷの表面からパーティクル等の不純物を
除去する。
溶液供給ノズル４１とを個別に設け，炭酸水溶液供給ノ
ズル４１によってミスト状の炭酸水溶液を予めウェハＷ
に供給して炭酸水溶液の液膜を形成し，ウェハＷを帯電
させないようにする一方で，その後に，このようなウェ
ハＷにジェットノズル４０から高圧に加圧された純水を
供給し，ウェハＷの表面からパーティクル等の不純物を
除去する。
【００３８】この場合，炭酸水溶液は，純水のようにジ
ェットポンプ４６に流れ込むことがないので，ジェット
ポンプ４６の金属成分が炭酸水溶液に溶出することもな
い。さらに，移送回路５２の材質はフッ素樹脂から成
り，炭酸水溶液供給ノズル４１の材質は石英，樹脂から
成り，その他，フィルタ５７，フローメータ５８，弁５
９の材質も，炭酸水溶液中に金属成分を溶出させないも
のが使用できるため，移送中及び供給中に，炭酸水溶液
中に金属成分が溶出することがない。これにより，金属
成分を含んでいない炭酸水溶液をウェハＷに供給するこ
とができ，ウェハＷの金属汚染を防止することができ
る。従って，静電破壊を防止しつつも，ウェハＷの表面
を良好に洗浄処理することが可能となる。
ェットポンプ４６に流れ込むことがないので，ジェット
ポンプ４６の金属成分が炭酸水溶液に溶出することもな
い。さらに，移送回路５２の材質はフッ素樹脂から成
り，炭酸水溶液供給ノズル４１の材質は石英，樹脂から
成り，その他，フィルタ５７，フローメータ５８，弁５
９の材質も，炭酸水溶液中に金属成分を溶出させないも
のが使用できるため，移送中及び供給中に，炭酸水溶液
中に金属成分が溶出することがない。これにより，金属
成分を含んでいない炭酸水溶液をウェハＷに供給するこ
とができ，ウェハＷの金属汚染を防止することができ
る。従って，静電破壊を防止しつつも，ウェハＷの表面
を良好に洗浄処理することが可能となる。
【００３９】しかも，高圧に加圧された純水を供給する
前に，ミスト状の炭酸水溶液を供給して炭酸水溶液の液
膜をウェハＷの表面に予め形成することができ，炭酸水
溶液の液膜の膜厚を非常に薄いものとすることができ
る。そして，高圧に加圧された純水のウェハＷに対する
洗浄効果に影響なく帯電を防止することが可能となる。
さらに，ジェットノズル４０から供給される純水に，ミ
スト状の炭酸水溶液が混合しても，純水の浄化能力が落
ちて洗浄効果が低下するということもない。従って，高
圧に加圧された純水による洗浄効果を最大限に発揮する
ことができる。
前に，ミスト状の炭酸水溶液を供給して炭酸水溶液の液
膜をウェハＷの表面に予め形成することができ，炭酸水
溶液の液膜の膜厚を非常に薄いものとすることができ
る。そして，高圧に加圧された純水のウェハＷに対する
洗浄効果に影響なく帯電を防止することが可能となる。
さらに，ジェットノズル４０から供給される純水に，ミ
スト状の炭酸水溶液が混合しても，純水の浄化能力が落
ちて洗浄効果が低下するということもない。従って，高
圧に加圧された純水による洗浄効果を最大限に発揮する
ことができる。
【００４０】所定の時間の経過後，ジェット洗浄機４２
からの純水の供給が停止し，ジェット洗浄機４２は，元
の待機状態に戻る。それからしばらく立つと，炭酸水溶
液供給ノズル４１も，ミスト状の炭酸水溶液を吐出する
ことを停止する（Ｓ４）。この後，ウェハＷを高速回転
させて乾燥処理を行い（Ｓ５），洗浄処理を終了させ
る。以上のような炭酸水溶液供給ノズル４１の動作及び
ジェットノズル４０の動作を図９のタイミングチャート
に示す。
からの純水の供給が停止し，ジェット洗浄機４２は，元
の待機状態に戻る。それからしばらく立つと，炭酸水溶
液供給ノズル４１も，ミスト状の炭酸水溶液を吐出する
ことを停止する（Ｓ４）。この後，ウェハＷを高速回転
させて乾燥処理を行い（Ｓ５），洗浄処理を終了させ
る。以上のような炭酸水溶液供給ノズル４１の動作及び
ジェットノズル４０の動作を図９のタイミングチャート
に示す。
【００４１】ウェハＷの表面の洗浄処理が終了すると，
開閉ドア２４を開放させ，搬送アーム５によって，ウェ
ハＷを表面洗浄処理装置７から取り出す。その後，ウェ
ハ反転装置１０でウェハＷを反転させ，裏面洗浄処理装
置８でウェハＷの裏面を洗浄，乾燥処理する。そして，
必要に応じて，ウェハＷを乾燥処理装置９で例えば３０
秒間１００℃に加熱して乾燥させる。所定の洗浄工程が
終了したウェハＷは，搬送アーム５から取出収納アーム
３に受け渡され，再びキャリアＣに収納される。続い
て，残りの２４枚のウェハＷに対しても一枚ずつ同様な
洗浄工程が行われていく。２５枚のウェハＷに対して所
定の洗浄工程が終了すると，キャリアＣ単位で洗浄処理
システム１外に搬出される。
開閉ドア２４を開放させ，搬送アーム５によって，ウェ
ハＷを表面洗浄処理装置７から取り出す。その後，ウェ
ハ反転装置１０でウェハＷを反転させ，裏面洗浄処理装
置８でウェハＷの裏面を洗浄，乾燥処理する。そして，
必要に応じて，ウェハＷを乾燥処理装置９で例えば３０
秒間１００℃に加熱して乾燥させる。所定の洗浄工程が
終了したウェハＷは，搬送アーム５から取出収納アーム
３に受け渡され，再びキャリアＣに収納される。続い
て，残りの２４枚のウェハＷに対しても一枚ずつ同様な
洗浄工程が行われていく。２５枚のウェハＷに対して所
定の洗浄工程が終了すると，キャリアＣ単位で洗浄処理
システム１外に搬出される。
【００４２】かくして，本実施の形態の表面洗浄処理装
置７によれば，ジェットノズル４０と炭酸水溶液供給ノ
ズル４１とを個別に設けて，高圧に加圧された純水と炭
酸水溶液を別々に供給するように構成したので，金属成
分を含まない炭酸水溶液をウェハＷの表面に供給するこ
とができ，ウェハＷの金属汚染を防止することができ
る。従って，静電破壊を防止しつつも，ウェハＷの表面
を良好に洗浄処理することが可能となる。
置７によれば，ジェットノズル４０と炭酸水溶液供給ノ
ズル４１とを個別に設けて，高圧に加圧された純水と炭
酸水溶液を別々に供給するように構成したので，金属成
分を含まない炭酸水溶液をウェハＷの表面に供給するこ
とができ，ウェハＷの金属汚染を防止することができ
る。従って，静電破壊を防止しつつも，ウェハＷの表面
を良好に洗浄処理することが可能となる。
【００４３】なお，本発明の実施の形態の一例について
説明したが，本発明はこの例に限定されず種々の様態を
採りうるものである。例えば，図１０に示すように，二
酸化炭素供給回路５４をセル部５１のみに接続させるよ
うにして，炭酸水溶液をミストにするためのＮ2（窒
素）ガスを供給するＮ2供給回路７０を別途設けて，こ
のＮ2供給回路７０を炭酸水溶液供給ノズル４１に接続
するようにしてもよい。このような構成においては，Ｎ
2供給回路７０中に介装された弁７１を開放させて，Ｎ2
ガスを炭酸水溶液供給ノズル４１に供給し，Ｎ2ガスを
用いて炭酸水溶液をミストにする。従って，上記実施の
形態に比べて，消耗費のかかる二酸化炭素の使用量を減
らすことができ，ランニングコストを抑制することがで
きる。なお，Ｎ2供給回路７０を設け，二酸化炭素供給
回路５４の出口をセル部５１に接続した以外は，先に説
明した表面洗浄処理装置７と同一の構成であるので，図
５及び図１０において，同一の機能及び構成を有する構
成要素については，同一符号を付することにより，重複
説明を省略する。
説明したが，本発明はこの例に限定されず種々の様態を
採りうるものである。例えば，図１０に示すように，二
酸化炭素供給回路５４をセル部５１のみに接続させるよ
うにして，炭酸水溶液をミストにするためのＮ2（窒
素）ガスを供給するＮ2供給回路７０を別途設けて，こ
のＮ2供給回路７０を炭酸水溶液供給ノズル４１に接続
するようにしてもよい。このような構成においては，Ｎ
2供給回路７０中に介装された弁７１を開放させて，Ｎ2
ガスを炭酸水溶液供給ノズル４１に供給し，Ｎ2ガスを
用いて炭酸水溶液をミストにする。従って，上記実施の
形態に比べて，消耗費のかかる二酸化炭素の使用量を減
らすことができ，ランニングコストを抑制することがで
きる。なお，Ｎ2供給回路７０を設け，二酸化炭素供給
回路５４の出口をセル部５１に接続した以外は，先に説
明した表面洗浄処理装置７と同一の構成であるので，図
５及び図１０において，同一の機能及び構成を有する構
成要素については，同一符号を付することにより，重複
説明を省略する。
【００４４】また，ジェットノズル４０によって純水を
ウェハＷに供給すると同時にウェハＷに炭酸水溶液を供
給するようにしてもよい。かかる洗浄処理方法において
も，静電破壊を確実に防止しながら，ウェハＷの表面か
らパーティクル等の不純物を除去することができる。さ
らに，炭酸水溶液供給ノズル４１を，ジェット洗浄機４
２に取り付けてもよい。これにより，炭酸水溶液供給ノ
ズル４１を，ジェットノズル４０と同様にウェハＷの上
方を往復移動させることができる。
ウェハＷに供給すると同時にウェハＷに炭酸水溶液を供
給するようにしてもよい。かかる洗浄処理方法において
も，静電破壊を確実に防止しながら，ウェハＷの表面か
らパーティクル等の不純物を除去することができる。さ
らに，炭酸水溶液供給ノズル４１を，ジェット洗浄機４
２に取り付けてもよい。これにより，炭酸水溶液供給ノ
ズル４１を，ジェットノズル４０と同様にウェハＷの上
方を往復移動させることができる。
【００４５】また，ウェハＷの表面状況や洗浄処理の種
類によっては，二酸化炭素が原因となって，ウェハＷの
表面が荒れてしまうような問題がある，この場合，炭酸
水溶液供給ノズル４１の供給を止め，ジェットノズル４
０によって高圧に加圧された純水のみをウェハＷの表面
に供給するようにしてもよい。従来であれば，一つの供
給手段によって炭酸水溶液のみしか供給することができ
なかったので，上記のような問題があっても解決する手
段がなかったが，本実施の形態のように，ジェットノズ
ル４０と炭酸水溶液供給ノズル４１を個別に設ければ，
上記問題を解決することが可能となる。このように，純
水のみを供給する場合，純水と炭酸水溶液とを供給する
場合とを使い分けることによって，洗浄処理の応用範囲
を広げることができる。
類によっては，二酸化炭素が原因となって，ウェハＷの
表面が荒れてしまうような問題がある，この場合，炭酸
水溶液供給ノズル４１の供給を止め，ジェットノズル４
０によって高圧に加圧された純水のみをウェハＷの表面
に供給するようにしてもよい。従来であれば，一つの供
給手段によって炭酸水溶液のみしか供給することができ
なかったので，上記のような問題があっても解決する手
段がなかったが，本実施の形態のように，ジェットノズ
ル４０と炭酸水溶液供給ノズル４１を個別に設ければ，
上記問題を解決することが可能となる。このように，純
水のみを供給する場合，純水と炭酸水溶液とを供給する
場合とを使い分けることによって，洗浄処理の応用範囲
を広げることができる。
【００４６】以上は何れも基板としてウェハＷを用いた
例について説明したが，基板としてＬＣＤ基板を用いて
もよい。また，本発明の作用効果，即ち，静電破壊を防
止しつつも，基板を良好な処理を行えることに着目すれ
ば，単なる洗浄処理ではなく，例えば所定の処理液を基
板に塗布する装置や方法に対して本発明を応用すること
もできる。
例について説明したが，基板としてＬＣＤ基板を用いて
もよい。また，本発明の作用効果，即ち，静電破壊を防
止しつつも，基板を良好な処理を行えることに着目すれ
ば，単なる洗浄処理ではなく，例えば所定の処理液を基
板に塗布する装置や方法に対して本発明を応用すること
もできる。
【００４７】
【発明の効果】請求項１〜５に記載の発明によれば，処
理液供給手段と帯電除去液供給手段とを個別に設けて，
加圧された処理液と帯電除去液を別々に供給するように
構成したので，金属成分を含まない帯電除去液を基板に
供給することができ，基板の金属汚染を防止することが
できる。従って，静電破壊を防止しつつも，基板を良好
に処理することが可能となる。
理液供給手段と帯電除去液供給手段とを個別に設けて，
加圧された処理液と帯電除去液を別々に供給するように
構成したので，金属成分を含まない帯電除去液を基板に
供給することができ，基板の金属汚染を防止することが
できる。従って，静電破壊を防止しつつも，基板を良好
に処理することが可能となる。
【００４８】請求項２〜４に記載の発明によれば，移送
回路，帯電除去液供給ノズルは，いずれも帯電除去液中
に金属成分を溶出させない材質から成るので，移送中及
び供給中に，帯電除去液中に金属成分が溶出することが
ない。特に請求項３，４によれば，帯電除去液供給ノズ
ルが，基板にミスト状の帯電除去液を供給するように構
成されることになるので，加圧された処理液の基板に対
する処理効果に影響なく帯電を防止することが可能とな
る。
回路，帯電除去液供給ノズルは，いずれも帯電除去液中
に金属成分を溶出させない材質から成るので，移送中及
び供給中に，帯電除去液中に金属成分が溶出することが
ない。特に請求項３，４によれば，帯電除去液供給ノズ
ルが，基板にミスト状の帯電除去液を供給するように構
成されることになるので，加圧された処理液の基板に対
する処理効果に影響なく帯電を防止することが可能とな
る。
【００４９】請求項６，７に記載の発明によれば，帯電
を除去しながら，加圧された処理液を基板に供給するの
で，請求項１〜５と同様に静電破壊を防止しつつも，基
板を良好に処理することが可能となる。
を除去しながら，加圧された処理液を基板に供給するの
で，請求項１〜５と同様に静電破壊を防止しつつも，基
板を良好に処理することが可能となる。
【図１】本実施の形態にかかる表面洗浄処理装置が備え
られた洗浄処理システムの斜視図である。
られた洗浄処理システムの斜視図である。
【図２】本実施の形態にかかる表面洗浄処理装置の斜視
図である。
図である。
【図３】本実施の形態にかかる表面洗浄処理装置の平面
図である。
図である。
【図４】図３中のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】ジェットノズル及び炭酸水溶液供給ノズルにか
かる回路図である。
かる回路図である。
【図６】セル部の内部断面図である。
【図７】ウェハの表面に炭酸水溶液供給ノズルがミスト
状の炭酸水溶液を供給している状態を示す説明図であ
る。
状の炭酸水溶液を供給している状態を示す説明図であ
る。
【図８】本実施の形態にかかる洗浄処理方法を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図９】炭酸水溶液供給ノズルの動作及びジェットノズ
ルの動作を示すタイミングチャートである。
ルの動作を示すタイミングチャートである。
【図１０】Ｎ2供給回路が設けられた，ジェットノズル
及び炭酸水溶液供給ノズルにかかる他の回路図である。
及び炭酸水溶液供給ノズルにかかる他の回路図である。
【図１１】従来のジェットノズルにかかる回路図であ
る。
る。
１ 洗浄処理システム ７ 表面洗浄処理装置 ４０ ジェットノズル ４１ 炭酸水溶液供給ノズル ４６ ジェットポンプ ５１ セル部 ５２ 移送回路 ５４ 二酸化炭酸供給回路 Ｃ キャリア Ｗ ウェハ
Claims (7)
- 【請求項１】 加圧機構によって加圧された処理液を基
板に供給して処理する処理液供給ノズルを備えた処理装
置において，前記基板に帯電除去液を供給する帯電除去
液供給ノズルを前記処理液供給ノズルと別に設けたこと
を特徴とする，処理装置。 - 【請求項２】 溶媒に帯電除去成分を溶解させて帯電除
去液を生成する溶解手段と，前記溶解手段から帯電除去
液供給ノズルに帯電除去液を移送する回路であって，前
記帯電除去液中に金属成分を溶出させない材質から成る
移送回路とを設けたことを特徴とする，請求項１に記載
の処理装置。 - 【請求項３】 前記帯電除去液供給ノズルは，前記帯電
除去液に金属成分を溶出させない材質からなり，前記基
板にミスト状の帯電除去液を供給するように構成された
ことを特徴とする，請求項１又は２に記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記帯電除去液供給ノズルに気体供給回
路が接続されることにより，前記帯電除去液供給ノズル
は，前記基板にミスト状の帯電除去液を供給するように
構成されたことを特徴とする，請求項３に記載の処理装
置。 - 【請求項５】 前記帯電除去液は，炭酸水溶液であるこ
とを特徴とする，請求項１，２，３又は４に記載の処理
装置。 - 【請求項６】 加圧機構によって加圧された処理液を基
板に供給して処理する処理方法において，前記処理液を
基板に供給する前に，前記帯電除去液を基板に予め供給
して帯電除去液の液膜を形成することを特徴とする，処
理方法。 - 【請求項７】 加圧機構によって加圧された処理液を基
板に供給して処理する処理方法において，前記処理液を
基板に供給すると同時に，前記帯電除去液を基板に供給
することを特徴とする，処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32750098A JP3626610B2 (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 処理装置及び処理方法 |
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| KR1019990047919A KR100563843B1 (ko) | 1998-11-02 | 1999-11-01 | 기판세정장치 및 기판세정방법 |
| US09/431,169 US6367490B1 (en) | 1998-11-02 | 1999-11-01 | Processing apparatus and processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32750098A JP3626610B2 (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 処理装置及び処理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138197A true JP2000138197A (ja) | 2000-05-16 |
| JP3626610B2 JP3626610B2 (ja) | 2005-03-09 |
Family
ID=18199848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32750098A Expired - Fee Related JP3626610B2 (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 処理装置及び処理方法 |
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| KR (1) | KR100563843B1 (ja) |
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| JP2007134600A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US7364626B2 (en) | 2001-11-01 | 2008-04-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20110041996A (ko) * | 2009-10-16 | 2011-04-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
| CN111905459A (zh) * | 2020-07-15 | 2020-11-10 | 厦门理工学院 | 一种固态co2清洗机的尾气处理系统 |
| WO2023080015A1 (ja) * | 2021-11-08 | 2023-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| JP3892792B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2007-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
| JP4011900B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4101609B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2008-06-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法 |
| JP3902027B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2007-04-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US7077916B2 (en) * | 2002-03-11 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate cleaning method and cleaning apparatus |
| US20050000549A1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-06 | Oikari James R. | Wafer processing using gaseous antistatic agent during drying phase to control charge build-up |
| JP4335042B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2009-09-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR100557222B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2006-03-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법 |
| JP4789446B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2011-10-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理装置 |
| TWI546878B (zh) | 2012-12-28 | 2016-08-21 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| KR20160125585A (ko) * | 2015-04-21 | 2016-11-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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| JPS59168446A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-22 | Nec Corp | 洗浄方法 |
| JPS62123737A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Hitachi Ltd | ダイシング装置 |
| JPH03131026A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Seiko Epson Corp | 洗浄装置 |
| JPH0574752A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Seiko Epson Corp | 洗浄装置 |
| JP3140556B2 (ja) * | 1992-04-23 | 2001-03-05 | 沖電気工業株式会社 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JP3193533B2 (ja) * | 1993-07-16 | 2001-07-30 | 沖電気工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| KR0134680Y1 (ko) * | 1995-06-30 | 1999-03-20 | 김주용 | 반도체 소자의 부식방지를 위한 세정장치 |
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| JPH10261601A (ja) * | 1997-03-20 | 1998-09-29 | Speedfam Co Ltd | 研磨装置のワーク剥離方法及びワーク剥離装置 |
-
1998
- 1998-11-02 JP JP32750098A patent/JP3626610B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-01 US US09/431,169 patent/US6367490B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-01 TW TW088118946A patent/TW434655B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-01 KR KR1019990047919A patent/KR100563843B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
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| TW434655B (en) | 2001-05-16 |
| US6367490B1 (en) | 2002-04-09 |
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