JP2000133064A

JP2000133064A - 表面改質ｉｔｏ膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子

Info

Publication number: JP2000133064A
Application number: JP10319881A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Hashimoto; 雄一橋本; Akihiro Senoo; 章弘妹尾; Kazunori Ueno; 和則上野; Seiji Mashita; 精二真下
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-10-23
Filing date: 1998-10-23
Publication date: 2000-05-12
Anticipated expiration: 2018-10-23
Also published as: JP4124888B2

Abstract

(57)【要約】【課題】面抵抗の増加を引き起こすことなくＩＴＯ膜
の表面領域の汚染を除去するＩＴＯ膜の表面処理方法、
および表面改質を行ったＩＴＯ膜を有機発光素子の陽極
として用いることで極めて輝度の高い電荷注入型発光素
子を得ることができる。【解決手段】２０〜１００ｅＶのエネルギー範囲にあ
る不活性ガスによる正イオンをＩＴＯ膜に照射して表面
改質を行うＩＴＯ膜の表面処理方法、およびその表面改
質を行った表面改質ＩＴＯ膜を電極として用いた電荷注
入型発光素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不活性ガスによる
正イオンを用いて低抵抗率を有するＩＴＯ膜とするＩＴ
Ｏ膜の表面改質方法に関するものである。

【０００２】また、本発明は発光性物質からなる発光層
を有し、電界を印加した際、電極から注入された電荷が
再結合することにより、直接光エネルギーに変換できる
電荷注入型発光素子に関するものであり、詳しくは不活
性ガスによる正イオンを照射して表面改質を行ったＩＴ
Ｏ膜を電極として用いた電荷注入型発光素子に関する。

【０００３】

【従来の技術】液晶あるいは有機発光素子等に使用され
るＩＴＯ膜（透明導電性膜）は、その普及に伴って高性
能化の要求が高まっており、特にＩＴＯ膜の低抵抗率
化、さらには電極としての電荷の注入性の高効率化が強
く望まれている。

【０００４】従来、ＩＴＯ膜を基板等に成膜するには、
真空蒸着あるいはスタッパリング等のドライプロセスに
よる成膜方法が一般的に行われている。しかしながら、
真空蒸着あるいはスパッタリングにより得られたＩＴＯ
膜は、ＩＴＯの結晶性が成膜時の基板温度及び成膜速度
に依存するため、物理的な表面形状（面粗さ）や結晶面
に係るＩＴＯ膜の電気的特性を大きく改善することは困
難であり、有機発光素子等の電極としての機能（電荷注
入性）を向上させることは不可能であった。

【０００５】一方、有機材料の電界発光現象は１９６３
年にポープ（Ｐｏｐｅ）らによってアントラセン単結晶
で観測され（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．３８（１９６
３）２０４２）、それに続き１９６５年にヘルフリッヒ
（Ｈｅｌｆｉｎｃｈ）とシュナイダー（Ｓｃｈｎｅｉｄ
ｅｒ）は注入効率の良い溶液電極系を用いる事により比
較的強い注入型ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）の観
測に成功している（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．１４
（１９６５）２２９）。

【０００６】それ以来、米国特許３，１７２，８６２
号、米国特許３，１７３，０５０号、米国特許３，７１
０，１６７号、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．４４（１９６
６）２９０２、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５０（１９６
９）１４３６４、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．５８（１９
７３）１５４２、あるいはＣｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．３６（１９７５）３４５等に報告されている様に、
共役の有機ホスト物質と縮合ベンゼン環を持つ共役の有
機活性化剤とで有機発光性物質を形成する研究が行われ
た。ナフタレン、アンスラセン、フェナンスレン、テト
ラセン、ピレン、ベンゾピレン、クリセン、ピセン、カ
ルバゾール、フルオレン、ビフェニル、ターフェニル、
トリフェニレンオキサイド、ジハロビフェニル、トラン
ス−スチルベン及び１，４−ジフェニルブタジエン等が
有機ホスト物質の例として示され、アンスラセン、テト
ラセン、及びペンタセン等が活性化剤の例として挙げら
れた。しかしこれらの有機発光性物質はいずれもｌμｍ
以上をこえる厚さを持つ単一層として存在し、発光には
高電界が必要であった。この為、真空蒸着法による薄膜
素子の研究が進められた（例えばＴｈｉｎＳｏｌｉｄ
Ｆｉｌｍｓ９４（１９８２）１７１、Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ２４（１９８３）７４８、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．２５（１９８６）Ｌ７７３）。しかし薄膜化
は駆動電圧の低減には有効ではあったが、実用レベルの
高輝度の素子を得るには至らなかった。

【０００７】しかし近年タン（Ｔａｎｇ）らは（Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１９８７）９１３ある
いは米国特許４，３５６，４２９号）、陽極と陰極との
間に２つの極めて薄い層（電荷輸送層と発光層）を真空
蒸着で積層したＥＬ素子を考案し、低い駆動電圧で高輝
度を実現した。この種の積層型有機ＥＬデバイスはその
後も活発に研究され、例えば特開昭５９−１９４３９３
号公報、米国特許４，５３９，５０７号、特開昭５９−
１９４３９３号公報、米国特許４，７２０，４３２号、
特開昭６３−２６４６９２号公報、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．５５（１９８９）１４６７、特開平３−
１６３１８８等に記載されている。

【０００８】また更にＪｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．２７（１９８８）Ｌ２６９．Ｌ７１３には、キャリ
ア輸送と発光の機能を分離した３層構造のＥＬ素子が報
告されており、発光色を決める発光層の色素の選定に際
してもキヤリヤ輸送性能の制約が緩和され選択の自由度
がかなり増し、更には中央の発光層にホールと電子（あ
るいは励起子）を有効に閉じ込めて発光の向上をはかる
可能性も示唆される。

【０００９】積層型有機ＥＬ素子の作成には、一般に真
空蒸着法が用いられているが、キャスティング法によっ
てもかなりの明るさの素子が得られる事が報告されてい
る（例えば、第５０回応物学会学術講演会講演予稿集ｌ
００６（１９８９）及び第５０回応物学会学術講演会講
演予稿集１０４１（１９９０））。

【００１０】更には、ホール輸送化合物としてポリビニ
ルカルバゾール、電子輸送化合物としてオキサジアゾー
ル誘導体及び発光体としてクマリン６を混合した溶液か
ら浸漬塗布法で形成した混合１層型ＥＬ素子でもかなり
高い発光効率が得られる事が報告されている（例えば、
第３８回応物関係連合講演会講演予稿集１０８６（１９
９１））。上述の様に有機ＥＬデバイスにおける最近の
進歩は著しく広汎な用途の可能性を示峻している。

【００１１】しかしそれらの研究の歴史はまだまだ浅
く、未だその材料研究やデバイス化への研究は十分なさ
れていない。現状では更なる高輝度の光出力や長時間の
使用による経時変化や酸素を含む雰囲気気体や湿気など
による劣化等の耐久性の面に未だ問題があった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な従
来技術の問題点を解決するために成されたものであり、
スパッタリング法などにより得られたＩＴＯ膜の表面領
域における物理的及び電気的性質を改質し、面抵抗の増
加を引き起こすことなくＩＴＯ膜の表面領域の汚染を除
去することができる表面処理方法を提供することにあ
る。

【００１３】また、この様にして得られたＩＴＯ膜を電
荷注入型発光素子の電極として用いることで、従来にな
い高輝度の光出力を有する電荷注入型発光素子を提供す
ることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第一の発
明は、２０〜１００ｅＶのエネルギー範囲にある不活性
ガスによる正イオンをＩＴＯ膜に照射して表面改質を施
したことを特徴とする表面改質ＩＴＯ膜である。

【００１５】本発明の第二の発明は、２０〜１００ｅＶ
のエネルギー範囲にある不活性ガスによる正イオンをＩ
ＴＯ膜に照射して表面改質を行うことを特徴とするＩＴ
Ｏ膜の表面処理方法である。

【００１６】前記正イオンを照射してＩＴＯ膜の表面改
質を行う場合、少なくとも１０ｍＷ／ｃｍ²以上１Ｗ／
ｃｍ²以下のパワーをＩＴＯ膜表面に与えるのが好まし
い。前記正イオンにより、ＩＴＯ膜の深さ方向５ｎｍ以
内の表面領域を改質するのが好ましい。

【００１７】本発明の第三の発明は、本発明の第二の発
明は、２０〜１００ｅＶのエネルギー範囲にある不活性
ガスによる正イオンをＩＴＯ膜に照射して表面改質を行
った表面改質ＩＴＯ膜を電極として用いることを特徴と
する電荷注入型発光素子である。

【００１８】前記正イオンを照射してＩＴＯ膜の表面改
質を行う場合、少なくとも１０ｍＷ／ｃｍ²以上１Ｗ／
ｃｍ²以下のパワーをＩＴＯ膜表面に与えるのが好まし
い。前記表面改質ＩＴＯ膜が、正イオンによりＩＴＯ膜
の深さ方向５ｎｍ以内の表面領域を改質したＩＴＯ膜で
あるのが好ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の表面改質ＩＴＯ膜は、Ｉ
ＴＯ膜の表面処理を施したものであり、その表面処理方
法として、２０〜１００ｅＶのエネルギー範囲にある不
活性ガスによる正イオンをＩＴＯ膜に照射して表面改質
を行うことを特徴とする。

【００２０】一般にスパッタリング法等で作製されたＩ
ＴＯ膜は、面抵抗と光透過性を両立するために総膜厚は
１００〜２００ｎｍと薄く、かつ成膜時の結晶化の影響
で表面には数ｎｍ〜数十ｎｍの凹凸が存在する。また、
ＩＴＯ膜を成膜後、大気中に放置することや有機溶媒に
よる洗浄によりＩＴＯ膜の表面領域は油など炭化水素系
の付着物により汚染されている。

【００２１】このようなＩＴＯ膜表面の汚れを除去する
ための表面改質を行う場合、正イオンの照射エネルギー
が極端に大きすぎると、ＩＴＯ膜は削れてしまい面抵抗
の増加や表面の凹凸の増大を引き起こてしまう。

【００２２】したがって、本発明の表面処理方法では、
正イオンのエネルギーが２０〜１００ｅＶ、好ましくは
３０〜６０ｅＶである粒子を、少なくとも１０ｍＷ／ｃ
ｍ²以上１Ｗ／ｃｍ²以下のパワーでＩＴＯ膜の深さ方向
５ｎｍ以内の表面領域に照射することで、ＩＴＯ膜の面
抵抗の増加を引き起こすことなく、表面領域の汚れを除
去し、加えて有機発光素子の電極としての機能（電荷注
入性）を向上させることが可能となった。

【００２３】以下、図面を参照して、本発明に係る実施
の形態について説明する。図１は、本発明に係るＩＴＯ
膜の表面処理方法を行うための一例を示す表面処理装置
である。

【００２４】上記表面処理装置は、チャンバー１内に石
英管４のまわりを高周波コイル３で取り巻いた放電管２
と、表面処理を行うＩＴＯ膜を有する基板（ＩＴＯ基
板）を保持する基板ホルダー６によって構成されてい
る。なお、上記ホルダー６は電流計７と直流電源８に、
上記高周波コイル３は高周波電源５とコンデンサ９に接
続されている。

【００２５】また、上記放電管２には、マスフローコン
トローラ（不図示）を介して不活性ガス供給装置（不図
示）に接続されたノズルが配置されている。さらに、上
記チャンバー１は、図示しない真空排気装置に接続さ
れ、所定の真空度に維持されるようになっている。上記
構成からなる表面処理装置でＩＴＯ膜を有するガラス基
板を基板ホルダー６に取り付け、チャンバー１内を約１
０^−５〜１０^−６Ｔｏｒｒに真空排気する。

【００２６】次に、放電管２内に、マスフローコントロ
ーラを介して不活性ガスであるアルゴンガスを１０ｃｃ
ｍの流量で流し、３×１０^−３Ｔｏｒｒの圧力に調整
し、１３．５６ＭＨｚの高周波電源５を動作させると、
管内に無電極放電によるプラズマが発生する。このよう
な状態で、基板ホルダー６に直流電源８を用いて、任意
の負の電圧を印加すると、プラズマ中の正イオン（アル
ゴンイオン）が引き出され、基板ホルダー６に取り付け
られたＩＴＯ基板の表面にアルゴンイオンが照射され、
ＩＴＯ膜の表面改質が行われる。

【００２７】ここでは、基板ホルダー６に０〜−１２０
Ｖまでの電圧を３０秒間印加してＩＴＯ膜の表面処理を
行い、その後、面抵抗（ρ）、面粗さ（Ｒｚ）、Ｃ（炭
素）の含有量を求めた。その結果を図２に示す。

【００２８】面粗さ（Ｒｚ）は、原子間力顕微鏡（セイ
コーインストゥルメンツ社製、ＳＰＩ−３８００）によ
り求め、Ｃの含有量はオージェ電子分光分析法（日本電
子製、ＪＡＭＰ−１０Ｓ）で分析した。

【００２９】図２に示されているように、基板ホルダー
への印加電圧（Ａｒイオンの運動エネルギーと同義）
が、−２０〜−１００Ｖの範囲（パワーは４０ｍＷ／ｃ
ｍ²〜０．９Ｗ／ｃｍ²）では面抵抗の増加もなく面方向
５ｎｍ以内で表面改質が行われ、汚染物質であるＣ（炭
素）が効率よく除去されている。しかしながら、基板ホ
ルダーへの印加電圧が−２０Ｖ未満ではＣの除去がほと
んどなされていない。

【００３０】なお、上記の基板ホルダーへの印加電圧と
Ａｒイオンのエネルギーとが同義であることの意味は、
印加電圧により加速されたＡｒイオンの有する運動エネ
ルギーが、印加電圧とほぼ等しいと云う理由によるもの
である。具体的には、アルゴンイオンの２０ｅＶのエネ
ルギーは基板ホルダーへの印加電圧２０Ｖに該当し、１
００ｅＶのエネルギーは基板ホルダーへの印加電圧１０
０Ｖに該当する。

【００３１】また、基板ホルダーへの印加電圧が−１０
０Ｖより大きいと、処理される深さが増大し、スパッタ
リングによる膜厚低下に伴う面抵抗の増加といった弊害
を引き起こした。

【００３２】以上のことから、アルゴンイオンのエネル
ギーが２０〜１００ｅＶの範囲、好ましくは３０〜８０
ｅＶ、さらに好ましくは２０〜６０ｅＶの範囲にあるイ
オンをＩＴＯ膜に照射すれば、面抵抗の増加もなくＣの
除去が行われ、ＩＴＯ膜の極く最表面のみの改質が可能
となることがわかる。

【００３３】本発明の表面処理方法において、正イオン
を引き出すためのプラズマ生成方法は図１に示した高周
波放電装置にかぎらず、圧力勾配型プラズマガンを使用
したプラズマ生成方法等いずれのものでもかまわない。

【００３４】また、本発明の表面処理方法において、発
生させるプラズマ密度は１０^９〜１０^１３ｍ^−３、好ま
しくは１０^１０〜１０^１２ｍ^−３の範囲であることがＩ
ＴＯ膜にダメージを与えない正イオン密度の照射が可能
となり望ましい。

【００３５】次に、図面に沿って本発明の電荷注入型発
光素子の具体例として、有機発光素子を更に詳細に説明
する。図３は本発明の有機発光素子の一例を示す断面図
である。図３は基板１０上に陽極１１、発光層１２及び
陰極１３を順次設けた構成のものである。ここで使用す
る有機発光素子はそれ自体でホール輸送能、エレクトロ
ン輸送能及び発光性の性能を単一で有している場合や、
それぞれの特性を有する化合物を混ぜて使う場合に有用
である。

【００３６】図４は本発明の有機発光素子の他の例を示
す断面図である。図４は基板１０上に陽極１１、ホール
輸送層１４、電子輸送層１５及び陰極１３を順次設けた
構成のものである。この場合は発光物質はホール輸送性
かあるいは電子輸送性のいずれかあるいは両方の機能を
有している材料をそれぞれの層に用い、発光性の無い単
なるホール輸送物質あるいは電子輸送物質と組み合わせ
て用いる場合に有用である。また、この場合、発光層１
２はホール輸送層１４および電子輸送層１５からなる。

【００３７】図５は本発明の有機発光素子の他の例を示
す断面図である。図５は基板１０上に陽極１１、ホール
輸送層１４、発光層１２、電子輸送層１５及び陰極１３
を順次設けた構成のものである。

【００３８】図６は本発明の有機発光素子の他の例を示
す断面図である。図６は基板１０上に陽極１１、発光層
１２、電子輸送層１５及び陰極１３を順次設けた構成の
ものである。

【００３９】これらの図５および図６の有機発光素子
は、キヤリヤ輸送と発光の機能を分離したものであり、
ホール輸送性、電子輸送性、発光性の各特性を有した化
合物と適時組み合わせて用いられ極めて材料の選択の自
由度が増すとともに、発光波長を異にする種々の化合物
が使用出来る為、発光色相の多様化が可能となる。また
更に中央の発光層にホールと電子（あるいは励起子）を
有効に閉じ込めて発光効率の向上を図る事も可能にな
る。

【００４０】本発明の構成の有機発光素子は、従来の有
機発光素子に比べ、極めてホール注入性及びエレクトロ
ン注入性に優れており、必要に応じて図３乃至図６のい
ずれの形態でも使用する事が可能である。

【００４１】一般に、有機発光素子は電荷注入型発光素
子であり、電極からのキャリア（ホール又はエレクトロ
ン）の注入量に強く依存する。そして電極（陽極や陰
極）からのキャリア注入は、長時間にわたる使用におい
ても常に一定であることが望ましい。

【００４２】しかし、実際陽極として通常用いられてい
るＩＴＯ電極は、その製膜方法やその後の放置状態及び
洗浄方法に起因する物理的な表面形状や表面領域の汚染
等、電極としての電気的物理的なマッチングの不完全さ
も相まって、素子を流れる電流（電極からのキャリア注
入による）が減少し、著しい光出力の低下をもたらして
いた。

【００４３】しかしながら、本発明の表面処理方法を行
った表面改質ＩＴＯ膜を陽極として用いた有機発光素子
は、電極とそれに接している有機化合物からなる層の電
子的なマッチングが最適な状態にあるため、陽極からの
キャリア注入量が増大し、発光輝度が飛躍的に向上し
た。

【００４４】本発明の有機発光素子においては、発光層
構成成分として、電子写真感光体分野等で研究されてい
るホール輸送性化合物やこれ迄知られているホール輸送
性発光体化合物（例えば表１〜４に示される化合物等）
あるいは電子輸送性化合物やこれ迄知られている電子輸
送性発光体化合物（例えば表５〜６に挙げられる化合
物）を必要に応じて２種類以上使用する事も出来る。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】

【表３】

【００４８】

【表４】

【００４９】

【表５】

【００５０】

【表６】

【００５１】本発明の有機発光素子において、発光層は
一般には真空蒸着あるいは適当な結着性樹脂と組み合わ
せて薄膜を形成する。上記結着剤としては広範囲な結着
性樹脂より選択でき、例えばポリビニルカルバゾール樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
リレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リビニルアセタール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ア
クリル樹脂、メタクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、シリコン樹脂、ポリスルホン樹脂、尿素樹脂等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。こ
れらは単独または共重合体ポリマーとして１種または２
種以上混合して用いても良い。

【００５２】一方、陰極材料としては仕事関数が小さな
銀、鉛、錫、マグネシウム、アルミニウム、カルシウ
ム、マンガン、インジウム、クロムあるいはこれらの合
金が用いられる。

【００５３】本発明の有機発光素子は、従来の白熱灯、
螢光灯あるいは発光ダイオードなどと異なり、大面積、
高分解能、薄型、軽量、高速動作、完全な固体デバイス
であり、高度な要求を満たす可能性のあるＥＬパネルに
使用することができる。

【００５４】

【実施例】以下本発明を実施例によって具体的に説明す
る。

【００５５】実施例１〜９および比較例１〜３ガラス基板上にスパッタリング法により膜厚１２０ｎｍ
のＩＴＯ膜を製膜したＩＴＯ基板を図１に示す表面処理
装置の基板ホルダーに保持した。次に、表面処理装置の
チャンバー内を１×１０^−６Ｔｏｒｒまで真空排気した
のち、マスフローコントローラを介してアルゴンガスを
１０ｃｃｍの流量で流し、放電管内の圧力が３×１０
^−３Ｔｏｒｒになるように調整した。

【００５６】次いで、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を
動作させ、放電管内にアルゴンプラズマを発生させた
後、基板ホルダーに−２０Ｖ（２０ｅＶのエネルギーに
該当する）の電圧を３０秒間印加してＩＴＯ膜の表面処
理を行った。

【００５７】処理終了後、ただちに下記の構造式（１）
で示される化合物からなるホール輸送層（膜厚３０ｎ
ｍ）、そしてＡｌｑ_３からなる発光層（膜厚５０ｎ
ｍ）、さらにＡｌからなる陰極（膜厚１２０ｎｍ）を各
次順次真空蒸着により形成し、実施例１の素子を作成し
た。

【００５８】

【化１】

【００５９】また、基板ホルダーに印加する電圧を下記
の表７に示す電圧とした以外は実施例１と同様の方法で
作成した素子を、各々比較例１、実施例２〜９、比較例
２の素子とした。

【００６０】一方、全く処理を行わない他は実施例１と
同様の方法で作成した素子を比較例３の素子とする。

【００６１】

【表７】の

【００６２】このようにして作成した素子のＩＴＯ／陰
極間に１０Ｖの電圧を印加して発光輝度を測定した結果
を図７に示す。結果をみて明らかなように、アルゴンイ
オンのエネルギーが２０〜１００ｅＶの範囲で表面処理
を施した表面改質ＩＴＯを電極として用いた発光素子の
発光輝度は大きく改善されていることがわかる。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の表面処理
方法をＩＴＯ膜に行うと、面抵抗の増加を引き起こすこ
となく、ＩＴＯ膜の表面領域の汚染を除去することがで
きる。また、このようにして表面改質を行った表面改質
ＩＴＯ膜を有機発光素子の陽極として用いることで、極
めて輝度の高い発光を得ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＩＴＯ膜の表面処理方法を行うた
めの一例を示す表面処理装置である。

【図２】本発明に係るＩＴＯ膜の処理条件（イオンエネ
ルギー）に対するＩＴＯ膜の面粗さと面抵抗とＣ含有量
の変化を示す図である。

【図３】本発明の有機発光素子の一例を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の有機発光素子の他の例を示す断面図で
ある。

【図５】本発明の有機発光素子の他の例を示す断面図で
ある。

【図６】本発明の有機発光素子の他の例を示す断面図で
ある。

【図７】本発明に係るＩＴＯ膜の表面処理を行った表面
改質ＩＴＯ膜を電極として用いた有機発光素子の発光輝
度の変化を示す図である。

【符号の説明】

１チャンバー２放電管３高周波コイル４石英管５高周波電源６基板ホルダー７電流計８直流電源９コンデンサー１０基板１１陽極１２発光層１３陰極１４ホール輸送層１５電子輸送層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上野和則東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者真下精二東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB11 AB15 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 4K029 BA50 BC09 BD00 CA10 5G323 BA02 BB05 BC03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２０〜１００ｅＶのエネルギー範囲にあ
る不活性ガスによる正イオンをＩＴＯ膜に照射して表面
改質を施したことを特徴とする表面改質ＩＴＯ膜。
【請求項２】２０〜１００ｅＶのエネルギー範囲にあ
る不活性ガスによる正イオンをＩＴＯ膜に照射して表面
改質を行うことを特徴とするＩＴＯ膜の表面処理方法。
【請求項３】前記正イオンを照射してＩＴＯ膜の表面
改質を行う場合、少なくとも１０ｍＷ／ｃｍ²以上１Ｗ
／ｃｍ²以下のパワーをＩＴＯ膜表面に与える請求項２
記載のＩＴＯ膜の表面処理方法。
【請求項４】前記正イオンにより、ＩＴＯ膜の深さ方
向５ｎｍ以内の表面領域を改質する請求項２または３記
載のＩＴＯ膜の表面処理方法。
【請求項５】２０〜１００ｅＶのエネルギー範囲にあ
る不活性ガスによる正イオンをＩＴＯ膜に照射して表面
改質を行った表面改質ＩＴＯ膜を電極として用いること
を特徴とする電荷注入型発光素子。
【請求項６】前記正イオンを照射してＩＴＯ膜の表面
改質を行う場合、少なくとも１０ｍＷ／ｃｍ²以上１Ｗ
／ｃｍ²以下のパワーをＩＴＯ膜表面に与える請求項５
記載の電荷注入型発光素子。
【請求項７】前記表面改質ＩＴＯ膜が、正イオンによ
りＩＴＯ膜の深さ方向５ｎｍ以内の表面領域を改質した
ＩＴＯ膜である請求項５または６記載の電荷注入型発光
素子。