JP2000124239A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びリードフレーム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法及びリードフレーム

Info

Publication number
JP2000124239A
JP2000124239A JP10289037A JP28903798A JP2000124239A JP 2000124239 A JP2000124239 A JP 2000124239A JP 10289037 A JP10289037 A JP 10289037A JP 28903798 A JP28903798 A JP 28903798A JP 2000124239 A JP2000124239 A JP 2000124239A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
sealing
semiconductor device
lead frame
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10289037A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3425089B2 (ja
Inventor
Yukio Yamaguchi
幸雄 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP28903798A priority Critical patent/JP3425089B2/ja
Publication of JP2000124239A publication Critical patent/JP2000124239A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3425089B2 publication Critical patent/JP3425089B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 裏面側に突出した外部電極を有する生産性及
び品質の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法及びこの
製造に適したリードフレームを提供する。 【解決手段】 リードフレーム４に搭載された多数の半
導体チップ２を、封止金型１５の下金型１５ａに設けら
れた１つキャビティー凹部１４に収納した状態で樹脂封
止を行なうことにより生産性を向上させる。樹脂封止を
行なう際には、上金型１５ｂの金型面とリードフレーム
４との間に封止テープ６を介在させることにより、リー
ドフレーム４の信号接続端子が封止テープ６に食い込む
作用を利用して、封止樹脂の裏面から突出した外部電極
を形成する。押圧ブロック４１でリードフレーム４の各
チップ搭載領域Ｒcp間の連結部を押圧することにより、
外電局のスタンドオフ高さを均一に調整できるととも
に、リードフレーム４の変形を抑制して封止樹脂にしわ
などが発生するのを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置の製造方法及び樹脂封止型半導体装置の製造に適し
たリードフレームの構造に係り、特に、裏面に電極端子
を露出させるようにしたものの改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２４（ａ），（ｂ）は、裏面で電極端
子を露出させた従来の樹脂封止型半導体装置のそれぞれ
上面側及び裏面側から見た斜視図である。また、図２４
（ｃ）は、図２４（ａ）に示すXXIVc−XXIVc線における
断面図である。
【０００３】図２４（ｃ）に示すように、従来の樹脂封
止型半導体装置は、信号接続用端子１０１と、半導体チ
ップ１０２を支持するためのダイパッド１０３と、ダイ
パッド１０３を支持するための吊りリード（図示せず）
とを有するリードフレーム１０４を用いて半導体チップ
１０２を実装したものである。ダイパッド１０３上には
半導体チップ１０２が接着材により接合されており、半
導体チップ１０２の電極パッド（図示せず）と信号接続
用端子１０１とは、金属細線１０５により互いに電気的
に接続されている。そして、信号接続用端子１０１，ダ
イパッド１０３，半導体チップ１０２，吊りリード及び
金属細線１０５は、封止樹脂１０７内に封止されてい
る。
【０００４】また、信号接続用端子１０１の下面側には
封止樹脂１０７は存在せず、信号接続用端子１０１の下
面が露出されており、この信号接続用端子１０１の下面
が実装基板との接続面となる。すなわち、信号接続用端
子１０１の下部が外部電極１１０となっている。
【０００５】なお、信号接続用端子１０１の側方には外
部電極端子となるアウターリードが存在せず、信号接続
用端子１０１の下部が外部電極１１０となっているの
で、半導体装置の小型化を図ることができる。図２４
（ｃ）には表れていないが、各外部電極１１０同士の間
には封止樹脂７が存在している。
【０００６】以下、従来の電極裏面露出型樹脂封止型半
導体装置の製造方法とそれに用いる封止用金型の構造に
ついて説明する。
【０００７】次に、従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法について、図面を参照しながら説明する。図２５〜
図２８は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示
す断面図である。
【０００８】まず、図２５に示す工程で、信号接続端子
１０１、ダイパッド１０３を有するリードフレーム１０
４を用意する。なお、図中、ダイパッド１０３は吊りリ
ードによって支持されているものであるが、吊りリード
の図示は省略している。また、吊りリードにはディプレ
ス部が形成され、ダイパッド１０３はアップセットされ
ている。なお、このリードフレーム１０４には、樹脂封
止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーが設けられて
いない。
【０００９】次に、図２６に示す工程で、用意したリー
ドフレーム１０４のダイパッド１０３の上に半導体チッ
プ１０２を接着剤により接合する。この工程は、いわゆ
るダイボンド工程である。
【００１０】そして、図２７に示す工程で、ダイパッド
１０３上に接合された半導体チップ１０２と信号接続端
子１０１とを金属細線１０５により電気的に接続する。
この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属
細線１０５には、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線など
が適宜用いられる。
【００１１】次に、図２８に示す工程で、ダイパッド１
０３，半導体チップ１０２，信号接続端子１０１，吊り
リード及び金属細線１０５を封止樹脂１０７により封止
する。この場合、半導体チップ１０２が接合されたリー
ドフレーム１０４が封止金型内に収納されて、トランス
ファーモールドされるが、特に信号接続端子１０１の裏
面が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹
脂封止が行なわれる。
【００１２】最後に、樹脂封止後に信号接続端子１０１
の延長部分を切断する。この切断工程により、切断後の
信号接続端子１０１の先端面は封止樹脂１０７の側面か
らやや突出した状態となる。
【００１３】そして、従来の樹脂封止型半導体装置の製
造工程では、樹脂封止工程で、封止樹脂１０７が信号接
続端子１０１の裏面側に回り込んで、樹脂バリ（樹脂の
はみ出し分）を形成する場合があることから、通常は、
樹脂封止工程の後、信号接続端子１０１の切断工程の前
に、樹脂バリを吹き飛ばすためのウォータージェット工
程を導入している。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
樹脂封止型半導体装置の製造方法の樹脂封止工程におい
ては、半導体チップを封止金型のキャビティー凹部に入
り込ませ、リードフレームのインナーリードを金型面に
密着させた状態で樹脂封止しているが、それでも封止樹
脂がインナーリードの裏面側に回り込んで、外部電極の
表面に樹脂バリ（樹脂のはみ出し分）が発生する。そこ
で、従来は、外部電極上の樹脂バリを吹き飛ばすために
ウォータージェット工程を導入していたが、このような
ウォータージェット工程には多大の手間を要し、樹脂封
止型半導体装置の量産工程における工程削減等の工程の
簡略化の要請に反する。つまり、樹脂バリの発生は、そ
のような工程の簡略化のための大きな阻害要因となって
いた。また、ウォータージェット工程によって、樹脂バ
リだけでなく柔らかい金属メッキも剥がれるという品質
上の大きな問題が発生するおそれもあった。
【００１５】そこで、最近では、本出願人によって、樹
脂封止工程において、上面側に半導体チップを搭載した
リードフレームの下面とこれに対向する金型面との間に
封止テープを介在させ、封止金型の締め付け力によって
リードフレーム（特に信号接続端子）を封止テープに食
い込ませた状態で、樹脂封止を行なうことにより、樹脂
バリの形成を防止するとともに、信号接続端子の裏面を
封止樹脂よりも突出させて、外部電極のスタンドオフを
確保しようとする技術が提案されている。
【００１６】ところが、封止テープを用いて樹脂封止を
行なう場合において、信号接続用端子の下部である外部
電極のスタンドオフを確保すべく、封止金型のキャビテ
ィ凹部にリードフレーム上の半導体チップを一つずつセ
ットして成形する製造方法が採られており、製造工程の
生産性やリードフレームの利用率が悪いという不具合が
あった。
【００１７】また、封止テープを用いる場合でも、封止
金型の締め付け力が強すぎると、封止金型の面で挟まれ
熱により軟化した封止テープが信号接続用端子の間には
みだし、このはみ出した部分が本来形成されるべき樹脂
面よりも深く樹脂内に食い込んで封止樹脂と信号接続用
端子の密着力が低下したり、信号接続用端子の側面には
み出した封止テープのたわみ部分によるすじが樹脂面に
形成されて封止樹脂と信号接続用端子の結合力が弱くな
るという不具合があった。
【００１８】一方、封止金型の締め付け力を低下させ
て、信号接続用端子の側面にはみ出す封止テープの量を
少なくしようとすると、リードフレームがキャビティ凹
部に充填された封止樹脂の圧力に耐えきれずに変形した
り、リードフレームの裏面と封止テープとの間、リード
フレームと封止金型のパーテーング面の間に樹脂バリが
生じるおそれがある。
【００１９】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あって、その目的は、封止テープを用いながら多数の半
導体チップを共通のキャビティー凹部に収納して樹脂封
止を行なうことにより、生産性が高く安価で品質の良い
電極裏面露出型樹脂封止型半導体装置の製造方法と、こ
の製造方法の実施に適したリードフレームとを提供する
ことにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するための複
数のチップ搭載領域と各チップ搭載領域同士の間に設け
られた連結部とを有し、各チップ搭載領域に信号接続端
子を設けてなるリードフレームを準備する第１の工程
と、上記各チップ搭載領域において、半導体チップの電
極パッドと上記リードフレームの信号接続用端子とを電
気的に接続して被成形物を形成する第２の工程と、封止
用金型のキャビティ凹部に対向する金型面と上記リード
フレームの裏面との間に封止テープを介在させた状態
で、上記封止金型のキャビティー凹部に上記各半導体チ
ップが入り込むように上記被成形物を封止金型にセット
する第３の工程と、上記封止テープを介してキャビティ
凹部の周辺部をクランプすることにより、押圧しなが
ら、キャビティ内に樹脂を充填して封止する第４の工程
とを備えている。
【００２１】この方法により、封止金型に設けられた共
通のキャビティー凹部内に多数の樹脂封止型半導体装置
が形成される。また、封止テープを使用することによっ
て、信号接続端子の下部が封止樹脂の裏面から突出した
構造となるので、この下部を外部電極として使用する際
のスタンドオフも確保される。しかも、第４の工程にお
いて、封止テープの存在により、信号接続端子の裏面へ
の樹脂バリの形成は阻止される。よって、製造工程の簡
素化を図りつつ、裏面側に突出した外部電極を有しなが
ら生産性の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
することができる。
【００２２】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記第４の工程では、上記リードフレームの上記
各チップ搭載領域間の連結部を上記キャビティ凹部内で
クランプすることにより、多数の半導体チップを共通の
キャビティー凹部内で封止しながら、各信号接続端子の
スタンドオフ量の均一化や、封止テープのしわに起因す
る封止樹脂表面の樹脂すじの発生などを確実に防止する
ことができる。
【００２３】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記第４の工程では、上記リードフレームの連結
部をキャビティ凹部内で押圧ブロックによりクランプす
ることが好ましい。
【００２４】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記第４の工程では、上記封止金型の上記キャビ
ティ凹部に対向する金型面に予め彫り込み部を設けてお
き、この彫り込み部に上記封止テープを逃がすように上
記押圧ブロックによりクランプすることにより、封止テ
ープの信号接続端子の側方への余分なはみ出しを抑制で
き、外部電極のスタンドオフ量をより均一化することが
できる。
【００２５】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記第４の工程では、上記押圧ブロックにより各
半導体チップのコーナー部付近の領域で各連結部の交差
部をクランプすることが好ましい。
【００２６】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記押圧ブロックは、ほぼ四角形の横断面を有し
ていてもよい。その場合、特に、上記ほぼ四角形の４つ
の辺が上記連結部に約４５°で交差していることで、上
記押圧ブロックの側面の形状の転写により面取りされた
コーナー部を有する樹脂封止型半導体装置が得られ、面
取りのための工程を別途行なう必要がなくなる。
【００２７】また、上記押圧ブロックが、連結部が延び
る方向に平行な４つの直線部を有する流線形の十字形の
横断面を有している場合にも、上記押圧ブロックの側面
の形状の転写により丸く面取りされたコーナー部を有す
る樹脂封止型半導体装置が得られる利点がある。
【００２８】上記押圧ブロックが、先端に向かうほど断
面積が小さくなる順テーパを有する場合には、大型の樹
脂封止型半導体装置についても、面取りのための工程を
別途設けなくてもコーナー部が面取りされた構造が得ら
れる。
【００２９】上記押圧ブロックが、中心部にエジェクタ
ーピンが配置された筒状の部材である場合には、封止樹
脂との接触による摩耗の少ないエジェクターピンを使用
して、型開きや離型を行なうことができる。
【００３０】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記封止テープを金型面に沿って展延する機構を
有する封止金型を用いることにより、封止テープのしわ
の発生を抑制することができ、ひいては、樹脂面に封止
テープのしわなどの転写によるしわやすじのない樹脂封
止型半導体装置が得られることになる。
【００３１】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記第１の工程では、上記連結部から延びる信号
接続端子よりも上記外枠から延びる信号接続端子の方が
長いリードフレームを準備することにより、第４の工程
において、特に大きな圧力が加えられるリードフレーム
の外枠近傍の信号接続端子の側方に封止テープが大きく
変形して入り込んだとしても、後にその部分を切断によ
って除去することができるので、信号接続端子と封止樹
脂との密着力の不足などの不具合を防止することができ
る。
【００３２】本発明のリードフレームは、半導体チップ
を搭載する複数のチップ搭載領域を囲む外枠と、上記各
チップ搭載領域間に設けられた連結部と、上記各チップ
搭載領域に設けられ、上記外枠又は上記連結部から上記
半導体チップの搭載位置に向かって延びる信号接続端子
とを備え、上記連結部から延びる信号接続端子よりも上
記外枠から延びる信号接続端子の方が長い。
【００３３】これにより、上述のような樹脂封止型半導
体装置の製造方法に適したリードフレームの構造が得ら
れる。
【００３４】上記リードフレームにおいて、上記外枠に
リードフレームの熱変形を吸収するためのスリット部を
設けることにより、特に構造的に弱い連結部の反りを防
止することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１（ａ），
（ｂ）は、裏面で電極端子を露出させた第１の実施形態
に係る樹脂封止型半導体装置をそれぞれ上面側及び裏面
側から見た斜視図である。また、図１（ｃ）は、図１
（ａ）に示すIc−Ic線における断面図である。
【００３６】図１（ｃ）に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、信号接続用端子１と、半導体チ
ップ２を支持するためのダイパッド３と、ダイパッド３
を支持するための吊りリード（図示せず）とを有するリ
ードフレームを用いて半導体チップ２を接合したもので
ある。ダイパッド３上には半導体チップ２が接着材によ
り接合されており、半導体チップ２の電極パッド（図示
せず）と信号接続用端子１とは、金属細線５により互い
に電気的に接続されている。そして、信号接続用端子
１，ダイパッド３，半導体チップ２，吊りリード及び金
属細線５は、封止樹脂７内に封止されている。
【００３７】図２（ａ）は図１（ｃ）における信号接続
用端子１及び半導体チップ２の端部付近を拡大して示す
部分断面図、図２（ｂ）は樹脂封止型半導体装置の側面
の一部を拡大して示す部分側面図である。図２（ａ），
（ｂ）に示すように、信号接続用端子１の下面は、封止
樹脂７から露出するとともに封止樹脂７の下面よりも下
方に突出しており、この信号接続用端子１の下面が実装
基板との接続面となる。すなわち、封止樹脂７から下方
に突出している信号接続用端子１の下部が外部電極１０
となっている。そして、信号接続用端子１の上面には、
封止樹脂７との密着性を高めるための２つの溝部１ａ，
１ｂが形成されており、信号接続用端子１の上面のうち
２つの溝部１ａ，１ｂ間のボンディング部１ｃに金属細
線５がボンディングされている。また、信号接続端子１
は、リードフレーム４の外枠や連結部に接続される延長
部１ｄを有していたが、この延長部１ｄは封止樹脂後に
切断され、完成品には存在していない。
【００３８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、外部電極１０が封止樹脂７の下面よりも下方に突出
して形成されているため、実装基板に樹脂封止型半導体
装置を実装する際の外部電極１０と実装基板の電極との
接合において、外部電極１０のスタンドオフ高さが予め
確保されていることになる。しかも、信号接続用端子１
の裏面には封止樹脂７の回り込みに起因する樹脂バリが
存在しないので、製造工程における樹脂バリ除去のため
のウォータージェット工程が不要となる。その結果、工
程の削減を図ることができるのみならず、チップ搭載前
におけるリードフレームのメッキも可能になり、樹脂封
止型半導体装置の品質の向上をも図ることができる。さ
らに、後述のような製造工程を採用することによって、
封止樹脂７の表面には封止テープから転写されたしわも
存在しない。
【００３９】なお、信号接続用端子１の側方には外部電
極端子となるアウターリードが存在せず、信号接続用端
子１の下部が外部電極１０となっているので、半導体装
置の小型化を図ることができる。
【００４０】次に、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程について、図３〜図９を参照しながら説
明する。
【００４１】まず、図３（ａ）は、本実施形態に係る樹
脂封止型半導体装置に用いられるリードフレーム４の全
体構造を示す平面図である。ただし、図注は断線に示す
領域よりも右方の領域では、記載を簡略化している。ま
た、図３（ｂ）は、図３（ａ）の一部を拡大して示す部
分平面図である。リードフレーム４には、半導体チップ
を実装するための領域である多数のチップ搭載領域Ｒcp
が設けられており、各チップ搭載領域Ｒcpには、半導体
チップを搭載するためのダイパッド３と、ダイパッド３
を支持するための吊りリード８と、チップ搭載領域Ｒcp
の各４つの辺部から内方に延びる信号接続端子１とが設
けられている。なお、吊りリード８には、ダイパッド３
を信号接続用端子１の位置よりも上方にアップセットす
るためのディプレス部が形成されている。各チップ搭載
領域Ｒcp間には、信号接続端子１の付け根ともなる連結
部２０が設けられている。また、外枠１７に接続される
信号接続端子１には、連結部２０に接続される信号接続
端子１よりも長い延長部１ｄが設けられている。また、
リードフレーム４の外枠１７における連結部２０の出口
部分には、熱によるリードフレーム４の連結部２０の変
形を吸収するためのスリット部１２が設けられていて、
キャビティ凹部１４に充填された封止樹脂の圧力により
封止テープ６がリードフレーム４から離れるのを防止で
きるように構成されている。また、ワイヤーボンド工程
においても熱による変形を防止して、歩留まりの向上と
品質の向上とを実現するように構成されている。
【００４２】なお、封止樹脂工程において溶融した封止
樹脂の注入経路であるランナー（図３（ａ）の○で示す
部分）は、リードフレーム４の外枠１７のみに設けられ
ており、チップ搭載領域Ｒcp間の領域には設けられてい
ない。
【００４３】次に、図４に示す工程で、用意したリード
フレーム４のダイパッド３の上に、半導体チップ２を接
着剤により接合する。この工程は、いわゆるダイボンド
工程である。
【００４４】次に、図５に示す工程で、ダイパッド３上
に接合された半導体チップ２と信号接続用端子１とを金
属細線５により電気的に接合する。この工程は、いわゆ
るワイヤーボンド工程である。被成形物５０は、このリ
ードフレーム４と、リードフレーム４上に搭載された半
導体チップ２と、金属細線５とからなっている。
【００４５】次に、図６（ａ）に示す工程で、多数の半
導体チップ２が接合されたリードフレーム４の裏面側に
封止テープ６を貼り付ける。この封止テープ６の役割
は、特に信号接続用端子１の裏面側に樹脂封止時に封止
樹脂が回り込まないようにするストッパー的な役割であ
り、信号接続用端子１の裏面に樹脂バリが形成されるの
を防止する機能を果たすものである。ただし、図６
（ａ）においては、リードフレーム４の構造は平板状に
簡略記載されている。そして、図６（ｂ）は、図６
（ａ）のうちある１つの半導体チップ４が搭載されてい
る部分のみを拡大して示す断面図である。図６（ｂ）に
示すように、この封止テープ６は、リードフレーム４の
半導体チップ２が接合されている面に対向する面つまり
リードフレーム４の裏面全体に密着しているが、吊りリ
ード８のディプレス部によってアップセットされた吊り
リード８（図示せず）の一部やダイパッド３には密着し
ていない。
【００４６】上記封止テープ６は、ポリエチレンテレフ
タレート，ポリイミド，ポリカーポネートなどを主成分
とする樹脂をベースとしたフイルムであることが好まし
いが、樹脂封止後に容易に剥がすことができ、樹脂封止
工程の際の高温に耐性があるものであれば、他の樹脂材
料により構成されていてもよい。本実施形態における封
止テープ６はポリイミドを主成分としたフイルムであ
り、そのフィルム厚は５０（μｍ）である。封止テープ
６が信号接続端子１の裏面よりも上方に入り込む量が封
止テープ６の厚さで定まることから、信号接続端子１の
裏面と封止樹脂７の裏面との間の段差の大きさは、封止
工程前に貼付した封止テープ６の厚みによりコントロー
ルすることができる。本発明では、５０（μｍ）の封止
テープ６を用いているので、段差の大きさつまり外部電
極１０の突出量は、一般的にはその半分程度であり、最
大限封止テープ６の厚みである。
【００４７】次に、図７に示す工程で、キャビティー用
凹部１４を有する下金型１５ａと、ほぼフラットな金型
面を有する上金型１５ｂとからなる封止金型１５を用意
する。そして、リードフレーム４上の多数の半導体チッ
プ２が搭載されている側を下方に向けて、各半導体チッ
プ２が下金型１５ａの共通のキャビティ凹部１４に入り
込むように、リードフレーム４を下金型１５ａに位置合
わせする。そして、この状態で、リードフレーム４及び
封止テープ６をキャビティー凹部１４周囲のパーティン
グ面３１で挟圧し、複数個の半導体チップ２を搭載した
被成形物５０を封止樹脂７により樹脂封止を行う。この
とき、図１（ｃ）に示すように、半導体チップ２の上面
側、つまり金属細線５が接続されている面側とダイパッ
ド３の下方とに封止樹脂７が充填されるとともに、半導
体チップ２上方の封止樹脂７の上端面が金属細線５のル
ープ高さ以上の高さ位置にあるように封止される。そし
て、ダイパッド３下方の封止樹脂７の下端面と半導体チ
ップ２の上方の封止樹脂７の上端面との間の寸法が封止
樹脂７の厚みである。
【００４８】ここで、パーティング面３１によって封止
テープ６と共に押圧されるリードフレーム４の被押圧部
は、封止樹脂の成形圧力によりキャビティー凹部１４の
外側にふくらむなどの変形が生じない程度の強度を有し
ている。
【００４９】図８（ａ）は、この樹脂封止工程における
信号接続端子１と封止テープ６との状態を断面図であ
る。図８（ｂ）は、樹脂封止工程における封止金型１５
内の一部を示す断面図であって、便宜上、上金型１５ｂ
と下金型１５ａとは上下関係が逆に表されている。封止
金型１５の内部にはヒ−ターが装着されており、このヒ
ーターは支持台を介してモールド装置に固定されてい
る。また、下金型１５ａはガイドに沿って上下動する可
動板に支持されていて、下金型１５ａが上昇した位置で
上金型１５ｂと型締めされる構成になっている。
【００５０】図８（ａ）に示すように、成形（樹脂封
止）時における金型の締め付け圧力と金型温度の影響に
より、信号接続端子１が封止テープ６に食い込むこと
で、信号接続端子１の側方においては、封止テープ６が
はみ出して、信号接続用端子１間に封止テープ６の変形
物２２としてたまり込む。ただし、図８（ｂ）に示すよ
うに、この封止テープ６の変形物２２は、後に切断機に
よって信号接続端子１の外枠側の延長部１ｄをカット線
２１に沿って切断する際に、樹脂封止型半導体装置から
切り離される。そのために、図３（ｂ）に示すように、
リードフレーム４の外枠１７に接続される信号接続端子
１には長い延長部１ｄが設けられている。また、図３
（ｂ）に示す各チップ搭載領域Ｒcp間の連結部２０の幅
は、切断機によって効率よく切断できる範囲内でできる
限り小さい寸法にすることが望ましく、本実施形態では
０．３〜１ｍｍ程度としている。
【００５１】この樹脂封止工程における封止金型１５の
熱により、信号接続用端子１の裏面に密着した封止テー
プ６がその内側に入り込み、信号接続用端子１の裏面と
封止テープ６の面との間には段差９が形成される。した
がって、封止樹脂７が充填されると、封止テープ６の面
によって規定される封止樹脂７の裏面から信号接続用端
子１の下部が突出した構造となり、信号接続用端子１は
スタンドオフ高さを確保できる。そのため、この突出し
た信号接続用端子１は、そのまま外部電極１０として用
いることができる。
【００５２】最後に、図９（ａ）に示す工程で、リード
フレーム４の裏面に貼り付けた封止テープ６をピールオ
フにより除去すると、信号接続端子１の下部が封止樹脂
７の裏面よりも突出した構造を有する成形物５１が得ら
れる。そして、成型物５１を、リードフレーム４の外枠
１７に接続される信号接続端子１の延長部１ｄ（図８
（ｂ）参照）や各チップ搭載領域Ｒcp間の連結部２０を
含むカット線２１に沿って切断して、個々の樹脂封止型
半導体装置を得る。図９（ｂ）は、切断機のカッター刃
と成形物のカット線２１との関係を示す斜視図である。
【００５３】本実施形態の製造方法によると、以下のよ
うな顕著な効果を発揮することができる。
【００５４】第１に、信号接続端子１の下部が封止樹脂
７の裏面から突出する構造が得られ、この突出した部分
を外部電極１０として実装基板との信号接続のために用
いることができる。その際、樹脂バリの発生がきわめて
少なくバリ落とし工程の短縮あるいは時間短縮が可能な
ことと、バリ落とし工程の悪影響が少なく有機物等の付
着が少なため、メッキ面品質が良く、プリメッキが可能
で、プリント基板への実装品質の安定性が確保できる。
【００５５】第２に、封止金型１５において、半導体チ
ップごとにキャビティー凹部を設けて、各半導体チップ
を個別に封止してから切断金型を用いて切断する方法の
場合には、ランナーやゲートが多くなるので、封止樹脂
の流れによる金型の摩耗損傷が激しくなり、メンテナン
スのためのコストが増大するという不具合があった。そ
れに対し、本実施形態の製造方法では、１つのキャビテ
ィー凹部１４に多数の半導体チップ２を収納するので、
ランナーやゲートが極めて少なくなり、金型の摩耗はわ
ずかとなるので、上述のような不具合は解消される。
【００５６】第３に、半導体装置ごとにキャビティー凹
部１４を設ける必要がないことで、金型設計に際して、
ランナー，エジェクターピン，エアーベント等を多数設
ける必要がないとともに、封止金型の構造が簡案化され
るため、封止金型の設計，製造が容易になり、製造時間
の短縮や小型の半導体装置ほど高くなる金型の製造コス
トの低減が達成できる。 第４に、図７に示す工程で、図８（ａ）に示す封止テー
プ６の変形物２２の形状が封止樹脂７の裏面に転写され
ても、図８（ｂ）に示すように、最終的な樹脂封止型半
導体装置からは容易に除去される。その結果、封止テー
プ６に発生した変形物２２が半導体装置に転写されるこ
ともなく、品質のよい樹脂封止型半導体装置の生産が可
能になった。
【００５７】第５に、半導体装置のコーナー部に設けら
れ、リードフレーム４の連結部２０に接続しているダイ
パット３を支える吊りリード８の切断においてもカット
時の応力による金型の摩耗と樹脂欠けの不安定による品
質不良や、金型の保守コストのための費用の増大を防止
することができる。
【００５８】次に、本実施形態のようなリードフレーム
の構造を採用したことによる利点について説明する。
【００５９】上述のように、本実施形態に係るリードフ
レーム４の最大の特徴は、外枠１７に接続される信号接
続用端子１の延長部１ｄを連結部２０に接続される信号
接続用端子１の延長部よりも長く設定したことにある。
【００６０】すなわち、樹脂封止工程において、リード
フレーム４に貼り付けられた封止テープ６が、成形時に
キャビティー凹部１４のパーテング面で挟圧され金型の
締め付け圧力と金型温度の影響により外枠１７よりはみ
出して、余分な封止テープが信号接続用端子１間に入り
込み封止テープの変形物２２が生じる。ところが、従来
は、半導体装置ごとにキャビティー凹部１４を構成して
いたためリードフレーム４設計の効率が悪くなるため上
金型を加工して封止テープ６を逃がす工夫をしていたが
信号接続用端子１間に封止樹脂７の溝部（すじ）が発生
し、キャビティー凹部１４のパーテング面で挟圧された
外周部に樹脂バリが発生していた。
【００６１】それに対し、本実施形態に係るリードフレ
ーム４の構造によると、図３（ｂ）に示すように、外枠
１７に接続される信号接続用端子１の延長部１ｄが連結
部２０に接続される信号接続用端子１の延長部よりも長
く設定されていて、この信号接続用端子１の延長部１ｄ
は、図８（ｂ）に示すごとく、樹脂封止工程の終了後に
は切断される部分である。このような構造により、図８
（ａ）に示すように、封止金型１５のキャビティー凹部
１４周囲のパーチング面で締め付けられた封止テープ６
の変形物２２が、外枠１７に接続される信号接続端子１
の間に入り込んでその形状が封止樹脂７に転写されて
も、封止樹脂７における転写領域は最終的な製品には存
在しなくなる。よって、樹脂バリを防止し品質のよい樹
脂封止を可能にしている。
【００６２】また、トランスファーモールドにより封止
樹脂７を注入するためのランナー部が、リードフレーム
４のチップ搭載領域Ｒcp間に配置されていないために、
切断幅より狭く半導体装置間を接続する連結部２０を設
計でき、効率的で安価な生産が可能になった。
【００６３】さらに、リードフレーム４の外枠１７にス
リット部１２が設けられているので、樹脂封止工程にお
いてキャビティ凹部１４に充填された封止樹脂の圧力に
より封止テープ６がリードフレーム４から離れようとす
るのを防止することができ、熱による連結部２０の反り
を防止することができる。
【００６４】一方、樹脂封止工程において、樹脂の成形
圧力によって封止金型１５のうちキャビティー凹部１４
に対向する金型面に封止テープ６，連結部２０，信号接
続用端子１（延長部１ｄを含む）などが押しつけられる
ので、連結部２０は、その幅を細くしても封止樹脂７に
よって変形することがない。その結果、切断機による一
度の切断で個々の樹脂封止型半導体装置同士を分離する
ことが可能になった。
【００６５】さらに、リードフレーム４において、ラン
ナーがチップ搭載領域Ｒcp間に配置されていないため、
切断幅より狭く各チップ搭載領域Ｒcp間を接続する連結
部２０を設計でき、切断機により一度の切断で半導体装
置間を分離することが可能で、効率的で安価な生産が可
能になった。
【００６６】次に、本実施形態のような封止金型の構造
を採用したことによる利点について説明する。
【００６７】本実施形態に係る封止金型１５の最大の特
徴は、下金型１５ａにおいて、多数の半導体チップ２を
一括して収納できるキャビティー凹部１４を設けている
点である。そして、各チップ搭載領域Ｒcpの周辺部では
なくキャビティー凹部１４の周辺部のパーティング面３
１で、リードフレーム４と封止テープ６とを挟圧するよ
うにしている。すなわち、封止テープ６及びリードフレ
ーム４の挟圧される部分の面積が従来に比して少ないの
で、封止金型１５の型締め力を大きくすることが可能と
なる。その結果、パーティング面３１からの封止樹脂７
の漏れがなく、樹脂バリの発生を大幅に低減することが
可能になった。また、リードフレーム４のチップ搭載領
域Ｒcp間の連結部２０には型締め力がかからないため
に、リードフレーム４の変形を抑制することができる。
【００６８】なお、封止テープ６は、下金型１５ａにセ
ットされたリードフレーム４に型締め時に貼り付けて密
着させても良く、この場合はリール供給が可能で生産性
も向上する。詳細については後の実施形態において説明
する。
【００６９】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態に係る外部電極を裏面側に露出させた樹脂封止
型半導体装置の樹脂封止方法について、図面を参照しな
がら説明する。
【００７０】本実施形態においても、リードフレーム４
の構造は、図３（ａ），（ｂ）に示す通りとし、図４〜
図６に示す工程を経るものとする。
【００７１】そして、本実施形態の樹脂封止工程におい
ては、図１０に示すように、複数個の半導体チップを搭
載しディプレス部が形成されたリードフレーム４をキャ
ビティ凹部１４が設けられた下金型１５ａに位置合わせ
して搭載し、上金型１５ｂ面を所要の柔軟性、耐熱性お
よび伸縮性を有する封止テープ６を展延して被覆した
後、型締めし下金型１５ａ内に搭載したリードフレーム
に上記封止テープ６を密着させる。そして、上記封止テ
ープ６を介して上記被成形物５０周辺部をパーティング
面３１で押圧するとともに、チップ搭載領域Ｒcpの周囲
に設けられたクランプ部材４０により、キャビティー凹
部１４内の上記被成形物５０周辺部の連結部２０を水平
方向への移動を妨げるようにクランプしている。この各
クランプ部材４０は、連結部２０を押圧するものであれ
ばよく、例えば後述の本実施形態における各実施例で採
用される押圧ブロックなどを用いることができる。
【００７２】次に、トランスファーモールドにより、キ
ャビティ凹部１４で形成される樹脂圧入部に溶融状態の
封止樹脂７を圧入して、充填された封止樹脂７の圧力に
より、キャビティー凹部１４に対向する上金型１５ｂの
金型面に、封止テープ６，連結部２０，信号接続用端子
１等を押圧しながら封止樹脂７内に封止する。その際、
信号接続用端子１の裏面側に封止樹脂７が回り込まない
ように、クランプ部材４０により、チップ搭載領域Ｒcp
間の連結部２０をキャビティー凹部１４内でクランプす
るとともに、キャビティー凹部１４の周辺部をパーティ
ング面３１で上記封止テープ６を介して押圧しながら樹
脂封止する。このため、第１の実施形態と同様に、樹脂
バリの少ない成型が可能になるとともに、クランプ部材
４０によりリードフレーム４の変形や反りをより効果的
に抑制することができる。
【００７３】また、本実施形態においても、第１の実施
形態と同様に、図１（ｃ）に示すように、半導体チップ
２の上面側、つまり金属細線５が接続されている面側と
ダイパッド３の下方とに封止樹脂７が充填される。この
とき、半導体チップ２上方の封止樹脂７の上端面が金属
細線５のループ高さ以上の高さ位置にあるように封止さ
れ、ダイパッド３下方の封止樹脂７の下端面と半導体チ
ップ２の上方の封止樹脂７の上端面との間の寸法が封止
樹脂７の厚みである。
【００７４】その後の工程の図示は省略するが、図９に
示すような切断機による切断工程を経て、最終的な樹脂
封止型半導体装置が得られる。
【００７５】本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の
製造方法によると、樹脂封止工程において、図１０に示
すように、クランプ部材４０により、チップ搭載領域Ｒ
cp間の連結部２０をリードフレーム４のクランプ部材４
０によってクランプしているので、リードフレーム４の
反りを防止することができる。すなわち、本実施形態の
方法では、リードフレーム４の各チップ搭載領域Ｒcp間
の連結部２０がクランプされているので、樹脂封止工程
中に封止樹脂７の圧力が上金型１５ｂの方向に作用した
ときにも、連結部２０が封止樹脂７の圧力を受けて水平
方向に変形するのが抑制される。したがって、連結部２
０の幅寸法を必要最小とすることができ切断機による効
率的な生産方式が可能になった。
【００７６】また、キャビティー凹部１４内で連結部２
０のクランプ部材４０は細い連結部２０の反りを押さえ
封止テープ６のはがれを防止する。被成形物５０の大き
さにより適切に配置し、また樹脂成形の安定に配慮した
形状であり、キャビティー凹部１４の周辺部をパーティ
ング面３１で押圧して樹脂漏れを防止するほど強く封止
テープ６をクランプする必要がないため、封止テープ６
が信号接続用端子１の延長部分にはみ出さない特徴があ
り、封止樹脂７の裏面に封止テープ６のしわが転写され
ることが少ない。
【００７７】特に、クランプ部材４０が存在すること
で、被成形物５０を封止金型１５内で型締めする前に封
止テープ６をリードフレーム４に貼り付ける必要がな
い。すなわち、封止テープ６に例えば熱融着性の接着剤
をコーティングしておいて、加熱することにより封止テ
ープ６とリードフレーム４とを貼り付けてから型締めす
る場合には、クランプ部材４０がなくても封止テープ６
のしわの発生などの不具合を生じることなく、共通のキ
ャビティー凹部１４に多数の半導体チップ２を入り込ま
せることができる。しかし、接着剤を用いることはコス
トが増大するに加えて、ワイヤボンドに品質上の問題が
生じる。それに対し、本実施形態では、封止テープをリ
ードフレームに接着剤によって貼り付けなくても共通の
キャビティー凹部１４に多数の半導体チップ２を入り込
ませて樹脂封止することができるという利点がある。
【００７８】また、成形時に封止テープ６が信号接続用
端子１間に封止金型１５の締め付け圧力と金型温度の影
響により余分に入り込まないクランプ部材４０の設計と
封止テープ６の厚みになっており、樹脂バリや封止テー
プのしわに起因する樹脂すじの発生を少なくし、信号接
続用端子１の裏面は封止樹脂７の裏面から突出した構造
となり、信号接続端子１の下部に形成される外部端子１
０のスタンドオフ高さを確保できる。
【００７９】また、樹脂封止工程において、押圧ブロッ
ク４０によってリードフレーム４の連結部２０を押圧す
ることにより、封止金型１５内に収納されたリードフレ
ーム４の熱による変形によってキャビティー凹部１４で
金属細線５同士が接触して発生する不良を確実に防止す
ることができ、薄型の樹脂封止型半導体装置の歩留まり
の向上を図ることができる。
【００８０】このように、本実施形態の樹脂封止方法に
よると、クランプ部材４０によりキャビティー凹部１４
内で各チップ搭載領域Ｒcp間の連結部２０をクランプす
ることによって、簡単な金型構造で、スタンドオフが確
保された信号接続用端子１の裏面部分に樹脂バリのな
い、樹脂すじの少ない生産性の良い半導体装置の生産が
可能になった。
【００８１】なお、図１１に示すように、信号接続用端
子１の先端部が上金型１５ｂ側に（図１１では下方に）
位置するように、信号接続端子１を水平面に対して２〜
３°程度傾けて形成することによって、より確実に信号
接続用端子１の裏面側における樹脂バリの発生を防止す
ることができる。
【００８２】次に、本実施形態のクランプ部材の具体的
な構造に関する本実施形態の実施例について説明する。
各実施例における押圧ブロックを用いた樹脂封止工程や
その後の切断工程は上述の通りであって、各実施例につ
いてほぼ共通である。
【００８３】−第１の実施例− 図１２は、第２の実施形態の第１の実施例に係る樹脂封
止工程を示す断面図である。同図に示すように、リード
フレーム４に搭載された複数個の半導体チップ２を下金
型１５ａのキャビティー凹部１４内に入り込ませるよう
にリードフレーム４と下金型１５ａとを位置合わせする
とともに、各チップ搭載領域Ｒcpの連結部２０をクラン
プ部材としての押圧ブロック４１により押圧する。な
お、上金型１５ｂの金型面を所要の柔軟性，耐熱性およ
び伸縮性を有する封止テープ６により被覆した後、型締
めして下金型１５ａ内に搭載したリードフレーム４に上
記封止テープ６を密着させて、上記封止テープ６を介し
て被成形物５０をパーティング面３１で押圧することは
言うまでもない。
【００８４】図１３は、本実施例における押圧ブロック
４１によって押圧される領域を示すリードフレーム４の
平面図であって、理解を容易にするために半導体チップ
や金属細線の図示を省略している。図１３に示すほぼ十
字形の破線部分が押圧ブロック４１によって押圧される
領域であり、本実施例では、下金型１５ａのキャビティ
ー凹部１４内において、各押圧ブロック４１は、被成形
物５０の各半導体チップ２のコーナー部付近の領域に対
向する位置に配設されている。言い換えると、リードフ
レーム４の連結部２０の交差部を押圧するように取り付
けられている。そして、この押圧ブロック４１の横断面
形状は角部が丸められたいわゆる流線型の十字形であ
り、樹脂封止工程における溶融した封止樹脂の流れを乱
さないように考慮されている。なお、押圧ブロック４１
は、リードフレーム４の辺部においては十字形柱を縦方
向に半分に割った形状を、リードフレーム４のコーナー
部においては、十字形柱を縦方向に４分の１に割った形
状をそれぞれ有している。
【００８５】そして、この押圧ブロック４１は、封止テ
ープ６とリードフレーム４が離れずに封止テープ６が少
し変形し、かつ、封止樹脂７が入り込まない程度に押圧
するようにその長さなどが設定されている。
【００８６】図１４は、本実施例に係る押圧ブロックを
用いて樹脂封止を行なったときの，封止樹脂７とリード
フレーム４の構造のみを抜き出して示す斜視図である。
各コーナー部の一部は切断工程における切断領域からは
み出るので、切断後の樹脂封止型半導体装置の各コーナ
ー部には押圧ブロック４１の形状が転写されて、４つの
コーナー部が丸く面取りされた樹脂封止型半導体装置が
得られる。
【００８７】本実施例に係る押圧ブロック４１により、
クランプ部材によって押圧される範囲を拡大することが
できるので、樹脂封止工程における安定した成形が可能
であるとともに、封止金型１５の構造も簡素であり製造
コストが安価になる。そして、半導体装置の最終製品の
大きさに応じて、押圧ブロック４１の大きさを選択する
ことにより、封止樹脂７の流動性に影響を与えない構造
とすることが可能で、信号接続用端子１の裏面側におけ
る樹脂バリや、封止樹脂７の裏面における樹脂すじのな
い樹脂封止型半導体装置が形成される。本実施例の押圧
ブロック４１の構造は、比較的大型の樹脂封止型半導体
装置に適した構造である。
【００８８】さらに、押圧ブロック４１による押圧部
は、封止樹脂がリードフレーム４上に充填されないた
め、リードフレーム４の露出部を切断機の認識用の位置
決めの役割を果たすアライメントマークに使用すること
ができる。すなわち、穴加工等をリードフレーム４に施
す必要がなく、樹脂封止型半導体装置を効率的かつ精度
良く生産することができる。
【００８９】−第２の実施例− 本実施例では、樹脂封止工程における封止金型内の断面
図は省略するが、図１２に示す横断面形状がほぼ十字形
の押圧ブロック４１の代わりに、四角柱状の押圧ブロッ
ク４２を用いている。
【００９０】図１５は、第２の実施例における押圧ブロ
ック４２によって押圧される領域を示すリードフレーム
４の平面図であって、理解を容易にするために半導体チ
ップや金属細線の図示を省略している。図１５に示すほ
ぼ正方形の破線部分が押圧ブロック４２によって押圧さ
れる領域であり、本実施例においても、下金型１５ａの
キャビティー凹部１４内において、各押圧ブロック４２
は、被成形物５０の各半導体チップ２のコーナー部付近
の領域に対向する位置に配設されている。言い換える
と、リードフレーム４の連結部２０の交差部を押圧する
ように取り付けられている。この押圧ブロック４２の各
辺は連結部２０の延びる方向とは４５°の角度をなすよ
うに設けられている。なお、樹脂封止工程における溶融
した封止樹脂の流れを乱さないように、四角柱の各コー
ナー部を丸く面取りしておいてもよい。また、小型の樹
脂封止型半導体装置を形成する場合には、連結部２０の
各交差部に押圧ブロック４２を設ける必要はなく、数個
飛びに配置することにより封止金型１５の構造の簡素化
を図ることができる。なお、押圧ブロック４２は、リー
ドフレーム４の辺部においては四角柱を縦方向に半分に
割った形状を、リードフレーム４のコーナー部において
は、四角柱を縦方向に４分の１に割った形状をそれぞれ
有している。
【００９１】図１６は、本実施例に係る押圧ブロックを
用いて樹脂封止を行なったときの，封止樹脂７とリード
フレーム４の構造のみを抜き出して示す斜視図である。
各コーナー部の一部は切断工程における切断領域からは
み出るので、切断後の樹脂封止型半導体装置の各コーナ
ー部には押圧ブロック４２の形状が転写されて、４つの
コーナー部が面取りされた樹脂封止型半導体装置が得ら
れる。
【００９２】本実施例に係る押圧ブロック４２を用いて
生産される樹脂封止型半導体装置の特徴は、コーナー部
が面取りされていることである。このようにコーナー部
に面取りが施されていることにより、樹脂封止型半導体
装置の検査工程や、樹脂封止型半導体装置を供給する形
態であるテーピングの収納部の中、あるいは、実装時の
基板の上などに、封止樹脂７のコーナー部が欠けて落下
する不良を確実に防止することができる。すなわち、本
実施例に係る押圧ブロック４２を用いて樹脂封止を行な
うことにより、コーナー部に生じやすい樹脂欠けのな
い，品質の良い樹脂封止型半導体装置の提供を図ること
ができる。
【００９３】なお、押圧ブロック４２の４つの辺のうち
１つの辺の幅のみを大きくしておくことにより、形成さ
れる樹脂封止型半導体装置の１コーナーのみが大きくな
るので、複雑な封止金型を用いなくても１ピン表示機能
を有する樹脂封止型半導体装置を容易に形成することが
できる。
【００９４】−第３の実施例− 本実施例においても、樹脂封止工程における封止金型内
の断面図は省略するが、図１２に示す横断面形状がほぼ
十字形の押圧ブロック４１の代わりに、小型の四角柱状
の押圧ブロック４３を用いている。
【００９５】図１７は、第３の実施例における押圧ブロ
ック４３によって押圧される領域を示すリードフレーム
４の平面図であって、理解を容易にするために半導体チ
ップや金属細線の図示を省略している。図１７に示すほ
ぼ正方形の破線部分が押圧ブロック４３によって押圧さ
れる領域であり、本実施例においても、下金型１５ａの
キャビティー凹部１４内において、各押圧ブロック４３
は、被成形物５０の各半導体チップ２のコーナー部付近
の領域に対向する位置に配設されている。言い換える
と、リードフレーム４の連結部２０の交差部を押圧する
ように取り付けられている。この押圧ブロック４３の各
辺は連結部２０の延びる方向とほぼ平行になるように設
けられている。なお、樹脂封止工程における溶融した封
止樹脂の流れを乱さないように、四角柱の各コーナー部
部を丸く面取りしておいてもよい。また、小型の樹脂封
止型半導体装置を形成する場合には、連結部２０の各交
差部に押圧ブロック４３を設ける必要はなく、数個飛び
に配置することにより封止金型１５の構造の簡素化を図
ることができる。本実施例では、リードフレーム４の辺
部及びコーナー部には押圧ブロック４３は配置していな
い。
【００９６】図１８は、本実施例に係る押圧ブロックを
用いて樹脂封止を行なったときの，封止樹脂７とリード
フレーム４の構造のみを抜き出して示す斜視図である。
この各コーナー部は切断工程における切断領域内に全て
包含されるので、切断後の樹脂封止型半導体装置には、
押圧ブロック４３の形状の転写痕は残らない。
【００９７】本実施例に係る四角柱状の押圧ブロック４
３によると、封止樹脂の流動性に悪い影響がほとんどな
く、しかも簡素な構造によって、信号接続用端子１の裏
面部分に樹脂バリ、樹脂すじの少ない樹脂封止型半導体
装置の提供を図ることができる。
【００９８】−第４の実施例− 図１９は、第４の実施例において用いられるテーパ付き
四角柱状の押圧ブロック４４の一部を示す斜視図であ
る。同図に示すように、本実施例に係る押圧ブロック４
４は、基部では横断面積が広く先端に向かうほど横断面
積が小さくなる順テーパを有している。
【００９９】本実施例では、樹脂封止工程における封止
金型内の断面図は省略するが、図１２に示す横断面形状
がほぼ十字形の押圧ブロック４１の代わりに、テーパ付
き四角柱状の押圧ブロック４４を用いている。
【０１００】また、本実施例における押圧ブロック４４
によって押圧される領域を示すリードフレーム４の平面
図は省略するが、第２の実施例で説明した図１６に示す
領域とほぼ同様である。すなわち、本実施例において
も、下金型１５ａのキャビティー凹部１４内において、
各押圧ブロック４４は、被成形物５０の各半導体チップ
２のコーナー部付近の領域に対向する位置に配設されて
いる。言い換えると、リードフレーム４の連結部２０の
交差部を押圧するように取り付けられている。この押圧
ブロック４４の各辺は連結部２０の延びる方向とは４５
°の角度をなすように設けられている。押圧ブロック４
４は、リードフレーム４の辺部においては四角柱を縦方
向に半分に割った形状を、リードフレーム４のコーナー
部においては、四角柱を縦方向に４分の１に割った形状
をそれぞれ有している。なお、小型の樹脂封止型半導体
装置を形成する場合には、連結部２０の各交差部に押圧
ブロック４４を設ける必要はなく、数個飛びに配置する
（リードフレーム４全体の辺部及びコーナー部には押圧
ブロック配置しなくてもよい）ことにより封止金型１５
の構造の簡素化を図ることができる。
【０１０１】本実施例に係る押圧ブロック４４を用いて
樹脂封止を行なったときの，封止樹脂７とリードフレー
ム４の構造のみを示す図は省略するが、図１６に示す構
造とほぼ同様である。本実施形態においても、図１６に
示すような各コーナー部は切断工程における切断領域か
らはみ出るので、切断後の樹脂封止型半導体装置の各コ
ーナー部には押圧ブロック４４の形状が転写されて、４
つのコーナー部が面取りされた樹脂封止型半導体装置が
得られる。その場合、図１（ａ）に示すような平行に面
取りされたコーナー部ではなく、テーパをもって面取り
されたコーナー部が形成される。
【０１０２】本実施例に係る押圧ブロック４４を用いて
生産される樹脂封止型半導体装置の特徴は、コーナー部
がテーパを持って面取りされていることである。このよ
うにコーナー部に面取りが施されていることにより、上
述の第２の実施形態とほぼ同様の効果を発揮することが
できる。
【０１０３】特に、本実施形態の押圧ブロック４４によ
り、リードフレーム４の連結部２０に接する先端部で
は、連結部２０の交差部の面積による制約を受けるが、
その下方では横断面積を大きく確保できるので、比較的
大型の樹脂封止型半導体装置に対しても、より適切な大
きさの面取りを施すことが可能となる利点がある。
【０１０４】なお、上記第１の実施例のような横断面が
十字形の押圧ブロック４１についても同様のテーパを持
たせてもよい。
【０１０５】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態に係る裏面側に外部電極を露出させた樹脂封止
型半導体装置の樹脂封止方法について、図面を参照しな
がら説明する。
【０１０６】図２０は本実施形態に係る樹脂封止工程に
おける封止金型１５の状態を示す断面図である。
【０１０７】同図に示すように、本実施形態において
は、リードフレーム４の信号接続用端子１の裏面部分に
封止樹脂７が回り込まないように、上金型１５ｂのリー
ドフレーム４の連結部２０の交差部に対向する位置に、
彫り込み部２１と該彫り込み部２１に開口する真空引き
用穴１９とを設けている。この真空引き用穴１９は、樹
脂封止工程において、上金型１５ｂの金型面に接触する
封止テープ２０を彫り込み部２１の側に吸着し固定する
ためのものである。
【０１０８】また、下金型１５ａのキャビティー凹部１
４には、上記第２の実施形態と同様の機能を果たす押圧
ブロック４５と、該押圧ブロック４５内を上下に移動可
能なエジェクターピン３０とが設けられている。図２１
は、押圧ブロック４５とエジェクターピン３０との構造
を拡大して示す部分斜視図である。このエジェクターピ
ン３０を上方に突き出すことにより、樹脂封止後に封止
金型１５が開かれるとともに、リードフレーム４が押し
上げられて離型する。
【０１０９】そして、真空引き用穴１９は、リードフレ
ーム４の連結部２０の交差部に対向する位置，つまり押
圧ブロック４５に対向する位置に配置されているので、
リードフレーム４の連結部２０の交差部に接触している
封止テープ６を彫り込み部２１内に逃がす。その結果、
封止テープ６の一部が彫り込み部２１に逃げ込むので、
封止テープ６の信号接続端子１側方への余分なはみ出し
が防がれ、封止テープ６の厚みつまり外部電極１０のス
タンドオフ量が変わるような悪影響が緩和される。
【０１１０】一方、真空引き用穴１９によって吸着され
る封止テープ６の下方にリードフレーム４が配置されて
おり、押圧ブロック４５によりリードフレーム４を介し
て封止テープ６が押圧されるが、上金型１５ｂの彫り込
み部２１で封止テープ６が破損することがあっても、押
圧ブロック４５により押さえながら樹脂封止を行なうの
で、溶融した封止樹脂７が彫り込み部２１から真空引き
用穴１９内に入り込むおそれがほとんどなくなり、修復
に多くの時間を必要とするおそれは少ない。なお、彫り
込み部２１は、リードフレーム４の連結部２０に沿って
溝状に形成しても良い。また、彫り込み部２１に封止樹
脂が入り込むことが少ないため、彫り込み部２１の代わ
りに、真空引き用溝を設けてもよい。
【０１１１】また、図２１に示すように、押圧ブロック
４５内に被成形物を離型するためのエジェクターピン３
０を設けることにより、従来のようにエジェクターピン
３０が封止樹脂に直接接触するのを回避しうる構造とな
る。したがって、封止樹脂との接触によるエジェクター
ピン３０の摩耗がなく、エジェクターピン３０の交換コ
ストと稼働ロスとをなくすことができるとともに、エジ
ェクターピン３０と封止樹脂との密着によって離型が不
安定になることで生じる樹脂封止型半導体装置の品質の
悪化を防止し、リフレッシュのための作業の頻度を大幅
に低減することができる。特に、本発明のように多数の
半導体チップを収納するようにした大型のキャビティー
凹部１４を設けた構造（図２０参照）において、このよ
うな樹脂封止後の離型の安定性の向上効果は大きな意義
を有する。
【０１１２】本実施形態の製造方法によっても、上記第
１，第２の実施形態と同様に、樹脂バリの発生を少なく
し、信号接続用端子１の下部が封止樹脂７の裏面から突
出した構造を容易に実現できる。
【０１１３】（第４の実施形態）次に、真空吸着装置や
ロール装置を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に
関する第４の実施形態について説明する。図２２に示す
ように、本実施形態に用いられる樹脂封止装置は、封止
テープ６を吸着するための真空吸着装置１６と、上記第
３の実施形態と同様のエジェクターピンを内蔵した押圧
ブロック４５とを備えている。ただし、この押圧ブロッ
ク４５に代えて、上記第２の実施形態の各実施例で説明
したような押圧ブロック４１〜４４のいずれか１つを用
いることも可能である。
【０１１４】また、図２３に示すように（この図に示す
状態では、真空引き装置１６は同図に示す断面内には存
在していない）、本実施形態に係る樹脂封止装置は、封
止テープ６を供給するための供給ロール２３と、使用済
みの封止テープ６を巻き取るための巻き取りロール２４
とを有するロール装置を備えている。
【０１１５】そして、本実施形態における樹脂封止工程
においては、上述の第１の実施形態と同じ手順で、リー
ドフレーム上に多数の半導体チップ２を搭載してなる被
成形物５０を形成する（図６（ａ）参照）。
【０１１６】次に、図２２に示すように、被成形物５０
を下金型１５ａのキャビティー凹部１４内に入り込ませ
た状態で、図２３に示す供給ロール２３から封止テープ
６を供給し、封止金型１５の上金型１５ｂ近傍に配置さ
れている真空吸着装置１６により、封止テープ６を吸引
して、封止テープ６を上金型５ｂの金型面に密着させ
る。
【０１１７】次に、図２３に示すように、真空吸着装置
１６を同図に示す断面に直交する２方向に移動させるこ
とにより封止テープ６を展延し均一に延ばし維持した状
態で、以下の手順により樹脂封止を行なう。すなわち、
多数の半導体チップを搭載したリードフレームが下金型
１５ａのキャビティー凹部１４に設置されると、樹脂タ
ブレット２７が下金型１５ａの封止樹脂供給部に投入さ
れる。次に、封止金型の上金型１５ａと下金型１５ｂと
が型締めされ、ピストン２８により下方から溶融した封
止樹脂がキャビティー凹部１４に供給されて、樹脂封止
型半導体装置が射出成形される。その際、図２３には示
されていないが、上記第２，第３の実施形態の樹脂封止
工程と同様に、押圧ブロック４５によりリードフレーム
４の連結部を押圧する。そして、射出成形が終了する
と、脂封止工程の終了後には、エジェクターピンによ
り、封止金型１５の型開きと、成型物の離型とが行なわ
れる。
【０１１８】本実施形態の製造方法によると、上記第
１，第２の実施形態と同様の効果に加えて、真空吸着装
置１６と供給リール２３、巻き取りリール２４によって
封止テープ６を展延する作用により、金型温度の影響に
よる封止テープ６のシワ、みぞの発生をより確実に防止
することができる。また、エジェクターピンを内蔵する
押圧ブロック４５を備えているので、上記第３の実施形
態と同様に、封止樹脂７との接触による摩耗によるエジ
ェクターピンの交換や、品質の低下等の不具合を確実に
防止することができる。
【０１１９】また、真空吸着装置１６の移動量をコント
ロールすることと、供給ロール２３，巻き取りロール２
４によるテンションの調整とにより封止テープ６の伸び
率を考慮して、適切な張力を与えることができる。この
メカニズムは、樹脂封止の際、封止テープ６が熱収縮を
起こし、縮まろうとする作用に対して、真空引き装置１
６の真空吸着作用によって封止テープ６の収縮を抑制し
て、封止テープ６に引っ張り応力を与えることにより、
封止テープ６のしわやすじの発生を防止し、封止テープ
６と接する封止樹脂７の面を平坦にするものである。そ
の結果、広い面積に亘ってしわのない安定した封止テー
プ６の供給が可能になり、樹脂封止型半導体装置の裏面
の封止樹脂７が平坦に形成される。よって、高い生産性
で、高い品質を有する樹脂封止型半導体装置の製造が可
能になる。
【０１２０】本実施形態を採用することにより、封止テ
ープ６のしわなどの発生を抑制するために封止金型１５
の上金型１５ｂ内に真空引き装置につながる真空溝を多
数配置することなどの複雑な金型構造を採用する必要が
なくなり、封止金型１５の構造の簡素化を図ることがで
きる。
【０１２１】なお、本実施形態において、樹脂封止時
に、図２３に示す断面（供給ロール２３，巻き取りロー
ル２４によって封止テープ６を引っ張っている方向を含
む断面）の２カ所にも真空吸着装置１６を追加配置し
て、各真空吸着装置１６の移動量をコントロールするこ
とにより、封止テープ６の供給，巻き取り方向における
しわやすじの発生を抑制することができるので、封止テ
ープ６の効率的な利用が可能になる。
【０１２２】また、本実施形態においても、上記第３の
実施形態と同様に、上金型１５ｂに彫り込み部２１と真
空引き用穴１９とを設けてもよい。その場合には、真空
吸着装置１６によって展延した封止テープ６を確実に固
定する機能を果たすことができる。ただし、封止金型１
５内で押圧ブロック４５（あるいは第２実施形態におけ
る押圧ブロック４１〜４４のうちのいずれか１つ）によ
り、リードフレーム４を封止テープ６の上から密着させ
ることができるので、通常は、彫り込み部２１や真空引
き用穴１９は不要である。
【０１２３】さらに、上記各実施形態において、樹脂封
止型半導体装置の大きさ、厚さにより押圧ブロック４１
〜４５の形状，位置を組み合わせたり、リードフレーム
の構造を適宜変えて実施してもよいことはいうまでもな
い。
【０１２４】たとえば、ダイパッド３を封止樹脂７の下
面に露出することにより、低熱抵抗化を図ることもでき
るし、ダイパット３が封止樹脂の上面側に露出するよう
な樹脂封止型半導体装置についても上記各実施形態を適
用することができる。あるいは、半導体チップ２の電極
パッドにはんだ等のバンプを設けて、半導体チップ２を
信号接続用端子１とフリップチップ接続してもよい。さ
らに、リードフレーム以外の基材であるポリイミド、樹
脂基板等の母材の上に半導体チップ２を搭載した被成形
物にも各実施形態を適用することができる。
【０１２５】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方
法によると、半導体チップが接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止テープを介在させて樹脂封
止する際に、多数の半導体チップを封止金型の共通のキ
ャビティー凹部内で樹脂封止することにより、製造工程
の簡素化を図りつつ、裏面側に突出した外部電極を有し
ながら生産性の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法を
提供することができる。
【０１２６】また、本発明のリードフレームによると、
上記樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施に適したリ
ードフレームの提供を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】それぞれ順に、第１の実施形態に係る樹脂封止
型半導体装置をそれぞれ上面側及び裏面側から見た斜視
図、及びIc−Ic線における断面図である。
【図２】順に、信号接続用端子及び半導体チップの端部
付近を拡大して示す部分断面図、及び樹脂封止型半導体
装置の側面の一部を拡大して示す部分側面図である。
【図３】順に、第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程のうちリードフレームの準備工程を示す
平面図及び一部を拡大して示す部分平面図である。
【図４】第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の
製造工程のうちダイボンド工程を示す断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の
製造工程のうちワイヤボンド工程を示す断面図である。
【図６】順に、第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程のうち封止テープをリードフレームの裏
面に貼り付ける工程を示す断面図及びその一部を拡大し
て示す部分断面図である。
【図７】第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の
製造工程のうち樹脂封止工程における封止金型内の状態
を示す断面図である。
【図８】順に、第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程のうち樹脂封止工程における信号接続端
子への封止テープのはみ出し状態及び封止金型内の状態
を拡大して示す部分断面図である。
【図９】順に、第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程のうち切断工程を示す断面図及び斜視図
である。
【図１０】第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造工程のうち樹脂封止工程における封止金型内の状
態を示す断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造工程のうち樹脂封止工程における信号接続用端子
の傾き状態の好ましい例を示す部分断面図である。
【図１２】第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造工程のうち樹脂封止工程の具体例に関する各実施
例における封止金型内の状態を示す断面図である。
【図１３】第２の実施形態のうち断面十字形の押圧ブロ
ックを用いた第１の実施例におけるリードフレームへの
押圧ブロックの接触状態を示す部分平面図である。
【図１４】第２の実施形態のうち断面十字形の押圧ブロ
ックを用いた第１の実施例における樹脂封止後の成型物
の形状を示す部分斜視図である。
【図１５】第２の実施形態のうち断面大型の正方形の押
圧ブロックを用いた第２の実施例におけるリードフレー
ムへの押圧ブロックの接触状態を示す部分平面図であ
る。
【図１６】第２の実施形態のうち断面大型の正方形の押
圧ブロックを用いた第２の実施例における樹脂封止後の
成型物の形状を示す部分斜視図である。
【図１７】第２の実施形態のうち断面正方形の押圧ブロ
ックを用いた第３の実施例におけるリードフレームへの
押圧ブロックの接触状態を示す部分平面図である。
【図１８】第２の実施形態のうち断面正方形の押圧ブロ
ックを用いた第３の実施例における樹脂封止後の成型物
の形状を示す部分斜視図である。
【図１９】第２の実施形態のうちテーパ付き四角柱の押
圧ブロックを用いた第４の実施例における押圧ブロック
の形状を示す部分斜視図である。
【図２０】第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造工程のうち樹脂封止工程における封止金型内の状
態を示す断面図である。
【図２１】第３の実施形態に係る樹脂封止工程で用いら
れるエジェクターピンを内蔵した押圧ブロックの形状を
示す部分斜視図である。
【図２２】第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造工程のうち樹脂封止前に封止テープを装着して真
空吸着装置で吸着する工程における封止金型の状態を示
す断面図である。
【図２３】第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造工程のうち樹脂封止前に封止テープを装着して２
つのロールにより引っ張り力を加える工程における封止
金型の状態を示す断面図である。
【図２４】それぞれ順に、従来の樹脂封止型半導体装置
の上面側及び裏面側から見た斜視図、及びXXIVc−XXIVc
線における断面図である。
【図２５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるリードフレームを用意する工程を示す断面図であ
る。
【図２６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるダイパッド上に半導体チップを接合する工程を示す
断面図である。
【図２７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける金属細線を形成する工程を示す断面図である。
【図２８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける樹脂封止工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 信号接続用端子 １ａ，１ｂ 溝部 １ｃ ボンディング部 １ｄ 延長部 ２ 半導体チップ ３ ダイパッド ４ リードフレーム ５ 金属細線 ６ 封止テープ ７ 封止樹脂 ８ 吊りリード １０ 外部電極 １２ スリット １４ キャビティー凹部 １５ 封止金型 １５ａ 下金型 １５ｂ 上金型 １６ 真空吸着装置 １７ 外枠 ２０ 連結部 ２１ 彫り込み部 ２２ 変形物 ２３ 供給ロール ２４ 巻き取りロール ２７ タブレット ２８ ピストン ３０ エジェクターピン ３１ パーティング面 ４０ クランプ部材 ４１〜４５ 押圧ブロック ５０ 被成形物 ５１ 成型物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｊ // Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｆターム(参考） 4F202 AD19 AH33 CA12 CB01 CB12 CK25 CK41 CK89 CM72 CQ01 CQ05 CQ06 4F206 AD19 AH37 JA02 JB17 JN25 JQ81 JW23 4M109 AA01 BA01 CA21 FA06 5F061 AA01 BA01 CA21 DA01 DA06 DA15 DD12 DD14 EA03

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップを搭載するための複数のチ
    ップ搭載領域と各チップ搭載領域同士の間に設けられた
    連結部とを有し、各チップ搭載領域に信号接続端子を設
    けてなるリードフレームを準備する第１の工程と、 上記各チップ搭載領域において、半導体チップの電極パ
    ッドと上記リードフレームの信号接続用端子とを電気的
    に接続して被成形物を形成する第２の工程と、 封止用金型のキャビティ凹部に対向する金型面と上記リ
    ードフレームの裏面との間に封止テープを介在させた状
    態で、上記封止金型のキャビティー凹部に上記各半導体
    チップが入り込むように上記被成形物を封止金型にセッ
    トする第３の工程と、 上記封止テープを介してキャビティ凹部の周辺部をクラ
    ンプすることにより、押圧しながら、キャビティ内に樹
    脂を充填して封止する第４の工程とを備えている樹脂封
    止型半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の
    製造方法において、 上記第４の工程では、上記リードフレームの上記各チッ
    プ搭載領域間の連結部を上記キャビティ凹部内でクラン
    プすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の樹脂封止型半導体装置の
    製造方法において、 上記第４の工程では、上記リードフレームの連結部をキ
    ャビティ凹部内で押圧ブロックによりクランプすること
    を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の樹脂封止型半導体装置の
    製造方法において、 上記第４の工程では、上記封止金型の上記キャビティ凹
    部に対向する金型面に予め彫り込み部を設けておき、こ
    の彫り込み部に上記封止テープを逃がすように上記押圧
    ブロックによりクランプすることを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項３又は４記載の樹脂封止型半導体
    装置の製造方法において、 上記第４の工程では、上記押圧ブロックにより各半導体
    チップのコーナー部付近の領域で各連結部の交差部をク
    ランプすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
    造方法。
  6. 【請求項６】 請求項３〜５のうちいずれか１つに記載
    の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 上記押圧ブロックは、ほぼ四角形の横断面を有すること
    を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の樹脂封止型半導体装置の
    製造方法において、 上記押圧ブロックは、上記ほぼ四角形の４つの辺が上記
    連結部の延びる方向に約４５°で交差しており、 上記押圧ブロックの側面の形状の転写により面取りされ
    たコーナー部を有する樹脂封止型半導体装置を形成する
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項３〜５のうちいずれか１つに記載
    の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 上記押圧ブロックは、上記連結部が延びる方向に平行な
    ４つの直線部を有する流線形の十字形の横断面を有し、 上記押圧ブロックの側面の形状の転写により丸く面取り
    されたコーナー部を有する樹脂封止型半導体装置を形成
    することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 請求項３〜８のうちいずれか１つに記載
    の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 上記押圧ブロックは、先端に向かうほど断面積が小さく
    なる順テーパを有することを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項３〜９のうちいずれか１つに記
    載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 上記押圧ブロックは、中心部にエジェクターピンが配置
    された筒状の部材であることを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のうちいずれか１つに
    記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 上記封止テープを金型面に沿って展延する機構を有する
    封止金型を用いることを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１〜１１のうちいずれか１つに
    記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 上記第１の工程では、上記連結部から延びる信号接続端
    子よりも上記外枠から延びる信号接続端子の方が長いリ
    ードフレームを準備することを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 半導体チップを搭載する複数のチップ
    搭載領域を囲む外枠と、 上記各チップ搭載領域間に設けられた連結部と、 上記各チップ搭載領域に設けられ、上記外枠又は上記連
    結部から上記半導体チップの搭載位置に向かって延びる
    信号接続端子とを備え、 上記連結部から延びる信号接続端子よりも上記外枠から
    延びる信号接続端子の方が長いことを特徴とするリード
    フレーム。
  14. 【請求項１４】 請求項１記載のリードフレームにおい
    て、 上記外枠には、リードフレームの熱変形を吸収するため
    のスリット部が設けられていることを特徴とするリード
    フレーム。
JP28903798A 1998-10-12 1998-10-12 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3425089B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28903798A JP3425089B2 (ja) 1998-10-12 1998-10-12 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28903798A JP3425089B2 (ja) 1998-10-12 1998-10-12 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000124239A true JP2000124239A (ja) 2000-04-28
JP3425089B2 JP3425089B2 (ja) 2003-07-07

Family

ID=17738018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28903798A Expired - Fee Related JP3425089B2 (ja) 1998-10-12 1998-10-12 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3425089B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002151625A (ja) * 2000-08-31 2002-05-24 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2008091956A (ja) * 2007-12-26 2008-04-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008113021A (ja) * 2007-12-17 2008-05-15 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US7402502B2 (en) 2003-12-25 2008-07-22 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device by using a matrix frame
US7482701B2 (en) 2006-08-11 2009-01-27 Panasonic Corporation Production equipment of resin molding semiconductor device, method of manufacturing resin molding semiconductor device, and resin molding semiconductor device
US7595548B2 (en) 2004-10-08 2009-09-29 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and manufacturing method therefor
US7791180B2 (en) 2004-10-01 2010-09-07 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and lead frame used for same
JP2011049604A (ja) * 2000-08-31 2011-03-10 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
US8125079B2 (en) 2006-06-20 2012-02-28 Panasonic Corporation Molded semiconductor device, apparatus for producing the same, and method for manufacturing the same
NL2010379C2 (nl) * 2013-03-01 2014-09-03 Besi Netherlands B V Mal, drager met te omhullen elektronische componenten, drager met omhulde elektronische componenten, gesepareerd omhulde elektronisch component en werkwijze voor het omhullen van elektronische componenten.
JP2015030235A (ja) * 2013-08-06 2015-02-16 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止金型、樹脂封止方法、および樹脂封止金型のクリーニング方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011049604A (ja) * 2000-08-31 2011-03-10 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
JP4669166B2 (ja) * 2000-08-31 2011-04-13 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
JP2002151625A (ja) * 2000-08-31 2002-05-24 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7402502B2 (en) 2003-12-25 2008-07-22 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device by using a matrix frame
US7791180B2 (en) 2004-10-01 2010-09-07 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and lead frame used for same
US7595548B2 (en) 2004-10-08 2009-09-29 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and manufacturing method therefor
US7727793B2 (en) 2004-10-08 2010-06-01 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and manufacturing method therefor
US8125079B2 (en) 2006-06-20 2012-02-28 Panasonic Corporation Molded semiconductor device, apparatus for producing the same, and method for manufacturing the same
US7482701B2 (en) 2006-08-11 2009-01-27 Panasonic Corporation Production equipment of resin molding semiconductor device, method of manufacturing resin molding semiconductor device, and resin molding semiconductor device
JP2008113021A (ja) * 2007-12-17 2008-05-15 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2008091956A (ja) * 2007-12-26 2008-04-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
NL2010379C2 (nl) * 2013-03-01 2014-09-03 Besi Netherlands B V Mal, drager met te omhullen elektronische componenten, drager met omhulde elektronische componenten, gesepareerd omhulde elektronisch component en werkwijze voor het omhullen van elektronische componenten.
WO2014133390A1 (en) * 2013-03-01 2014-09-04 Besi Netherlands B.V. Mould, carrier with encapsulated electronic components, separated encapsulated electronic component and method for encapsulating electronic components
CN105008105A (zh) * 2013-03-01 2015-10-28 贝斯荷兰有限公司 模具、具有封装电子元件、分离的封装电子元件的载体以及用于封装电子元件的方法
US10032653B2 (en) 2013-03-01 2018-07-24 Besi Netherlands B.V. Mould, carrier with encapsulated electronic components, separated encapsulated electronic component and method for encapsulating electronic components
TWI649812B (zh) * 2013-03-01 2019-02-01 荷蘭商貝西荷蘭有限公司 模具，具有封裝的電子元件之載體，分離的封裝電子元件及用於電子元件封裝之方法
US10720340B2 (en) 2013-03-01 2020-07-21 Besi Netherlands B.V. Mould, carrier with encapsulated electronic components, separated encapsulated electronic component and method for encapsulating electronic components
JP2015030235A (ja) * 2013-08-06 2015-02-16 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止金型、樹脂封止方法、および樹脂封止金型のクリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3425089B2 (ja) 2003-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1335428B1 (en) Resin-moulded semiconductor device and method for manufacturing the same
US20020017738A1 (en) Resin sealing method and resin sealing apparatus
JP3194917B2 (ja) 樹脂封止方法
JP3581814B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2001007131A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用金型
JP2000124239A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びリードフレーム
US6676885B2 (en) Plural semiconductor devices bonded onto one face of a single circuit board for subsequent batch resin encapsulation of the plural semiconductor devices in a single cavity formed by molding dies
JP3450223B2 (ja) 半導体装置封入用金型、及び、半導体装置封入方法
US5422314A (en) Lead frame and production method for producing semiconductor device using the lead frame
JP3535760B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置，その製造方法及びリードフレーム
TWI244706B (en) Method of resin sealing a semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, and forming die for resin sealing the semiconductor device
JP2954148B1 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその製造装置
JP2005085832A (ja) 樹脂モールド装置
JPH1092856A (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2002254481A (ja) 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法
JP3710942B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3447948B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2002118130A (ja) マトリクスパッケージの樹脂封止方法
JPH11214414A (ja) 半導体ｉｃの製造方法
US20140239473A1 (en) Wire bonding assembly and method
JP3970671B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10209194A (ja) 半導体装置、その製造方法およびそれに用いる樹脂モールド工程装置
JP2003133351A (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP2000124384A (ja) 半導体装置及びそれに用いるリードフレーム並びに半導体装置の製造方法
JP3795047B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100502

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110502

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110502

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120502

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees