JP2000114378A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000114378A5
JP2000114378A5 JP1999236742A JP23674299A JP2000114378A5 JP 2000114378 A5 JP2000114378 A5 JP 2000114378A5 JP 1999236742 A JP1999236742 A JP 1999236742A JP 23674299 A JP23674299 A JP 23674299A JP 2000114378 A5 JP2000114378 A5 JP 2000114378A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
elements
terminal
substrate
lower layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP1999236742A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000114378A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/162,629 external-priority patent/US6252291B1/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2000114378A publication Critical patent/JP2000114378A/ja
Publication of JP2000114378A5 publication Critical patent/JP2000114378A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Description

【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板(36)と、
前記基板の上に重なる複数の金属層(M3,M4)であって、該複数の金属層が、前記基板に隣接する下層(M3)と該下層の上方に離間して設けられた上層(M4)とを含む、複数の金属層(M3,M4)と、
前記基板上に設けられた複数の回路素子(16)を含む回路と、
前記回路素子のうちの選択された1つに関連して電気的に接続される複数のアクセス素子(20)とからなり、
前記アクセス素子の各々が、前記下層に位置する端子(32)と、前記上層に位置する細長いスパン素子(30)とを含み、該細長いスパン素子(30)は、前記端子の上に重なるようにして電気的に接続された第1の端部、及び、第2の端子の上に重なるようにして設けられた第2の端部を有する、集積回路チップ(10)。
【請求項2】
前記回路素子のうちの少なくとも1つについて、前記端子(34)のうちの一方が該回路素子に接続され、前記スパン素子を切断することによって、該回路素子が他の端子及び接続されたいずれの回路からも切り離されるように構成される、請求項1に記載の集積回路チップ。
【請求項3】
前記回路素子は入力ノード(22)及び出力ノード(24)を有し、前記アクセス素子は、前記入力ノード及び前記出力ノードのうちの少なくとも一方に接続され、前記スパン素子を切断することによって、前記回路素子が機能的に切り離されるように構成される、請求項1又は請求項2に記載の集積回路チップ。
【請求項4】
前記回路素子は複数のインタフェースノード(22,24)を有し、前記回路素子を動作させるために前記インタフェースノードが全て前記回路の他の部分に接続され、前記ノードのうちの少なくとも1つは前記回路の他の部分から電気的に分離され、前記アクセス素子の1つの端子に接続される、請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の集積回路チップ。
【請求項5】
前記上層の上に設けられた、前記スパン素子と前記回路との間の電気接続部(26)を含む、請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の集積回路チップ。
【請求項6】
前記下層の下に、前記基板に対して更に近い位置に更なる金属層を有する、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の集積回路チップ。
【請求項7】
前記上層と前記下層の間に絶縁層(I34)を有し、前記スパン素子の両端の位置において前記絶縁層にバイア(40)が画定される、請求項1〜6のうちのいずれか一項に記載の集積回路チップ。
【請求項8】
集積回路(10)を製造する方法であって、
基板(36)を用意するステップと、
前記基板上に回路(12,14)を作成するステップと
を含み、前記回路を作成するステップは、
前記基板に隣接する下層(M3)と該下層の上方に離間して設けられた上層(M4)とを含む複数の金属層を形成するステップと、
前記基板上に複数の回路素子(16)を形成するステップと、
複数のアクセス素子(20)を形成するステップであって、前記アクセス素子の各々が、前記回路素子のうちの選択された1つに関連して電気的に接続され、前記下層に位置する第1及び第2の端子(32,34)と、前記上層に位置する細長いスパン素子(30)とを含み、該細長いスパン素子(30)は、前記第1の端子の上に重なるようにして電気的に接続された第1の端部、及び、第2の端子の上に重なるようにして設けられた第2の端部を有するものである、複数のアクセス素子(20)を形成するステップと
からなる方法。
【請求項9】
前記回路を動作させるステップ、その動作を分析するステップ、及び、前記スパン素子を切断することによって前記チップを再加工するステップを含む、請求項8に記載の方法。
【請求項10】
前記回路を動作させるステップ、その動作を分析するステップ、及び、前記スパン素子のうちの少なくとも1つを前記回路のうちの1つに接続することによって前記チップを再加工するステップを含む、請求項8又は請求項9に記載の方法。
JP11236742A 1998-09-28 1999-08-24 変更容易である回路配線を有する半導体回路素子及びその製造方法 Withdrawn JP2000114378A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/162,629 US6252291B1 (en) 1998-09-28 1998-09-28 Modifiable semiconductor circuit element
US162,629 1998-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000114378A JP2000114378A (ja) 2000-04-21
JP2000114378A5 true JP2000114378A5 (ja) 2006-06-15

Family

ID=22586456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11236742A Withdrawn JP2000114378A (ja) 1998-09-28 1999-08-24 変更容易である回路配線を有する半導体回路素子及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6252291B1 (ja)
EP (1) EP0991125A1 (ja)
JP (1) JP2000114378A (ja)
KR (1) KR100380516B1 (ja)
CN (1) CN1249538A (ja)
SG (1) SG73604A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6323534B1 (en) 1999-04-16 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Fuse for use in a semiconductor device
US6492205B1 (en) * 2000-12-26 2002-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Utilization of macro power routing area for buffer insertion
CN103606547B (zh) * 2013-11-29 2016-11-02 深圳市德赛微电子技术有限公司 一种带激光修调工艺的集成电路版图结构及集成芯片

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0020116B1 (en) 1979-05-24 1984-03-14 Fujitsu Limited Masterslice semiconductor device and method of producing it
JPH0346349A (ja) 1989-07-14 1991-02-27 Hitachi Ltd 半導体装置
US5360988A (en) 1991-06-27 1994-11-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and methods for production thereof
US5675174A (en) * 1993-01-06 1997-10-07 Rohm Co., Ltd. Method for using fuse structure in semiconductor device
DE4344663A1 (de) * 1993-12-27 1995-06-29 Nuenchritz Chemie Gmbh Flüssige Polysiloxane
IL109491A (en) 1994-05-01 1999-11-30 Quick Tech Ltd Customizable logic array device
JP3375447B2 (ja) * 1995-02-07 2003-02-10 富士通株式会社 半導体装置
US5659201A (en) * 1995-06-05 1997-08-19 Advanced Micro Devices, Inc. High conductivity interconnection line
US5900668A (en) * 1995-11-30 1999-05-04 Advanced Micro Devices, Inc. Low capacitance interconnection
WO1997036330A1 (en) * 1996-03-28 1997-10-02 Intel Corporation Memory cell design with vertically stacked crossovers
US5764563A (en) * 1996-09-30 1998-06-09 Vlsi Technology, Inc. Thin film load structure
JPH11154706A (ja) * 1997-11-20 1999-06-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6992376B2 (en) Electronic package having a folded package substrate
EP0020116B1 (en) Masterslice semiconductor device and method of producing it
EP1198003A4 (en) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD, CIRCUIT BOARD, AND ELECTRONIC DEVICE
WO2002017367A3 (en) Semiconductor device having passive elements and method of making same
JP2004319991A (ja) パワー半導体モジュール
WO2002058152A3 (en) Electronic circuit device and method for manufacturing the same
US7456075B2 (en) Resistance dividing circuit and manufacturing method thereof
CN106298701B (zh) Dc-dc转换器中的电流分布
JPS621247A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000114378A5 (ja)
JP2003258107A5 (ja)
WO2002075811A3 (en) Method for fabricating a metal resistor in an ic chip and related structure
KR100306411B1 (ko) 반도체장치배선의레이아웃방법및반도체장치를위한배선레이아웃프로그램이기록되는기록매체
KR100192589B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
JP4553722B2 (ja) 抵抗分割回路及びその製造方法
US7138900B2 (en) Resetable over-current protection device and method of making the same
JPH03215995A (ja) 多層配線モジュール
JP2008251850A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP3119625B2 (ja) 容量素子内蔵半導体装置および入力端子容量調整方法
KR20150005350A (ko) 랩핑층을 가진 반도체 소자를 제조하는 방법
JP2000114378A (ja) 変更容易である回路配線を有する半導体回路素子及びその製造方法
CN107958875A (zh) 半导体装置以及布线基板的设计方法
JP2001203428A (ja) サージ保護回路
JP3017181B1 (ja) 半導体集積回路の配線方法
JP2005510877A (ja) 電子装置