JP2000111885A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のプラスチック基板に比べ、低複屈折率
で厚肉の大型ＬＣＤに好適な樹脂基板を用いた液晶表示
素子の提供。 【解決手段】 粘度平均分子量１００００〜３５００
０、可視光線の透過率８０％以上及びガラス転移温度１
４０℃以上であるポリカーボネート樹脂からなる厚さが
０．１０〜２．０ｍｍ及び表面粗さ（Ｒａ）０．１μ以
下のシート状成形体であって、その両面に厚さ０．３〜
１５μのコート膜を少なくとも一層有し、且つ少なくと
も片面に更にガスバリア膜及び／又は透明導電膜を有
し、その状態における平均リターデーション（Δｎｄ）
が５ｎｍ以下であることを特徴とする液晶表示素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子に関
する。詳しくは、特定のポリカーボネート樹脂基板を用
いる液晶表示素子に関する。本発明に用いるポリカーボ
ネート樹脂基板は、現在液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等
に使用されているガラス基板の代替として用いられるも
のであり、従来のプラスチックフィルム製ＬＣＤ基板
（以下、「ＰＦ−ＬＣＤ」と略記することがある）では
達成し得なかった低複屈折率と基板厚みを有しながら、
更に優れた耐熱性、表面平坦性、耐衝撃性、耐薬品性、
耐溶剤性、水蒸気バリア性、酸素ガスバリア性等を有し
ている。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話、電子手帳、ポケットベ
ル、携帯情報端末、小型ノートパソコン等のＬＣＤを搭
載した携帯型機器が著しく普及してきている。現在これ
らに搭載の液晶表示素子にはガラス基板が広く用いられ
ているものの、携帯型機器には更なる「軽量化」、「薄
型化」、「割れ難さ」が要求されるようになってきてお
り、ガラス基板に比べて軽くて割れにくいＰＦ−ＬＣＤ
の開発が盛んに行われ、携帯電話等の小型ＬＣＤ分野で
は一部ＰＦ−ＬＣＤが実用化されつつある。

【０００３】これまでＰＦ−ＬＣＤに使用される樹脂と
しては、高い光線透過率を有し且つ高い耐熱性を有する
熱可塑性の非晶性透明樹脂が代表的であり、具体的には
ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレ
ート、ポリイミド、環状構造を含む非晶質ポリオレフィ
ン等がＰＦ−ＬＣＤとして検討されてきた。例えば特開
昭６０−２２２２４１号公報には、溶媒キャスト法によ
り製造したポリエーテルスルホン樹脂基板にアンカーコ
ートを塗布し、その上に透明電極膜であるインジウムチ
ンオキサイド膜（ＩＴＯ膜）を形成させてなる透明導電
性フィルムが提案されている。しかしながら、かかる溶
媒キャスト法によるポリエーテルスルホン製基板におい
ては、表面精度を保ちながら溶媒を揮散させることが工
業的に困難となる為、フィルム厚を１００ミクロン以上
にすることができない欠点があった。その為、ＬＣＤ用
基板としての自己支持特性上、或いは均一なセルギャッ
プを確保する上で好適な１００ミクロン厚より厚いシー
トを製造できない問題があった。

【０００４】また押出成形方法により作製されたポリエ
ーテルスルホン製基板では、押し出しシートの光学的歪
み値自体が大きいだけでなく、シート面内での光学的歪
み値の分布も大きく、光学特性上目的とする高品質のシ
ートを得ることが困難であった。更に押出シート中には
ダイライン、ゲル化物、フィッシュアイ等が発生し易
く、表面精度ムラの発生する欠点もあった。特にロール
走行方向に高低差数十ミクロンの筋状に発生するダイラ
インは、コーティング後１００ミクロンを超える筋とし
て残る場合もあるため、これを使用した液晶パネルでは
表示ムラとして現れ、大きな欠点となっていた。またポ
リエーテルスルホン樹脂の比重は１．３７であり、ポリ
カーボネート樹脂の比重１．２０に比べて大きいため液
晶表示素子の軽量化効果に劣るという欠点も有してい
た。

【０００５】特開平７−１２６３７５号公報には、熱可
塑成形されたポリカーボネート平板の光学的歪みを解消
するために、保護フィルムを貼付したポリカーボネート
樹脂シートをガラス転移温度以上で加熱処理してなる光
学用ポリカーボネートシートが提案されている。しかし
ながら、ガラス転移温度以上の熱処理は、成型時の凍結
歪みが力学的変形を伴って解消されることから、上記の
方法では、成型時に付与された平板の平坦性を再現性良
く維持させることが困難であり、結果として、押出成形
平板の光学的歪みを十分に解消することができず、光学
的特性上又表面の平坦精度上、目的の品質の基板を得る
ことができなかった。

【０００６】また、特開平８−２１１３７６号公報、特
開平８−２６７６８９号公報には、溶媒キャスト法によ
るポリカーボネート樹脂製ＰＦ−ＬＣＤが開示されてい
る。かかる溶媒キャスト法の場合、表面精度を保ちなが
ら溶媒を蒸発させることが工業的に困難であり、基板と
しての自己支持特性上、或いは均一なセルギャップコン
トロール上、ＬＣＤ用基板として好適な１００ミクロン
より厚いシートを得ることができなかったため、ＳＴＮ
−ＬＣＤへの応用が困難であるため、小型のＴＮ−ＬＣ
Ｄ用途のみにしか使用できないのが現状であった。更に
この自己支持性のないポリカーボネート製ＰＦ−ＬＣＤ
は、ＰＶＡを延伸して製膜された偏光板が熱や湿度によ
り変形を起こした場合、これに追従してＬＣＤ基板が反
ってしまう問題も有していた。更にリターデーションの
値も１０ｎｍ以上であり大型、高精細なＬＣＤ画面を得
られない欠点もあった。

【０００７】またポリアリレート樹脂製ＰＦ−ＬＣＤ、
ポリイミド製ＰＦ−ＬＣＤは溶剤キャスティング法によ
り製造されるが、汎用溶剤に溶解しにくい欠点を有し、
その乾燥にも高温を要するためフィルムが黄色く着色す
る問題も有していた。また、溶剤キャスティング法故、
溶剤の揮発を充分に行うためフィルム厚みも１００ミク
ロン程度が限度であり、更に複屈折も１０ｎｍ以下に下
げることは困難であった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のＰＦ−ＬＣＤについては大画面に対応できるような自
己支持性やセルギャップコントロールを可能にするのに
十分な厚みや、低複屈折が達成されていなかった。本発
明は、かかる現状において従来技術の問題点を解決すべ
くなされたものである。即ち、本発明の目的は、ＬＣＤ
基板として自己支持性を発現するのに必要な１００ミク
ロン以上の基板厚みにおいて従来に無い低複屈折率を有
し、更に表面平滑性、耐熱性、耐溶剤性、耐薬品性、ガ
スバリア性、耐衝撃性に優れたポリカーボネート樹脂製
基板を用いた液晶表示素子を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
について鋭意検討を重ねた結果、特定のポリカーボネー
ト樹脂成形体に特定の熱プレス処理を施すことにより得
られた優れた表面平坦性と低複屈折率を有したポリカー
ボネート基板に、耐溶剤性、耐薬品性、ガスバリア性、
透明導電性膜を付与することによりＬＣＤ基板として優
れた性能が得られることを見出し、本発明を完成するに
至った。

【００１０】即ち、本発明の要旨は、粘度平均分子量１
００００〜３５０００、可視光線の透過率８０％以上及
びガラス転移温度１４０℃以上であるポリカーボネート
樹脂からなる厚さが０．１０〜２．０ｍｍ及び表面粗さ
（Ｒａ）０．１μ以下のシート状成形体であって、その
両面に厚さ０．３〜１５μのコート膜を少なくとも一層
有し、且つ少なくとも片面に更にガスバリア膜及び／又
は透明導電膜を有し、その状態における平均リターデー
ション（Δｎｄ）が５ｎｍ以下であることを特徴とする
液晶表示素子、にある。以下、本発明を詳細に説明す
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明に使用されるポリカーボネ
ート樹脂は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１４０℃以上で
あることが必要である。Ｔｇが１４０℃未満のポリカー
ボネート樹脂では、ＬＣＤ製造工程上に含まれる種々の
加熱処理（ＩＴＯ高温スパッタリング、ポリイミド配向
膜焼成、異方誘電コネクタ圧着、基板洗浄後の乾燥等）
で要求される耐熱性が十分ではなく、基板変形や表面平
坦性低下等が発生するので好ましくない。本発明に使用
されるポリカーボネート樹脂のＴｇについては、上記Ｌ
ＣＤ製造工程における耐熱性の必要性により１４０℃以
上あれば問題ないが、透明導電膜の更なる低抵抗化のた
めには、より高温においてスパッタリングを実施するこ
とが好ましいためポリカーボネート樹脂のＴｇは、好ま
しくは１５０℃以上、より好ましくは１７０℃以上、特
には１８０℃以上であることが好ましい。

【００１２】本発明に使用されるポリカーボネート樹脂
の可視光の光線透過率は、０．１０〜２．００ｍｍの厚
さにおいて好ましくは８０％以上であり、８５％以上で
あることがより好ましい。光線透過率が８０％未満であ
るとＬＣＤを組み上げた後、画面が暗くなる場合がある
ため好ましくない。本発明に使用されるポリカーボネー
ト樹脂組成物の粘度平均分子量

【００１３】

【数２】

【００１４】については、１００００〜３５０００のも
のが好適に用いられる。

【００１５】

【数３】

【００１６】が１００００未満であると、基板の耐衝撃
性低下により該ＬＣＤ搭載機器の落下時にＬＣＤ基板が
割れる場合があるため好ましくない。逆に

【００１７】

【数４】

【００１８】が３５０００を越えると複屈折の値が十分
に低い値とならない場合があり好ましくない。かかる特
性を考慮すると、粘度平均分子量

【００１９】

【数５】

【００２０】は、１００００〜３５０００であり、好ま
しくは１１０００〜２８０００であり、特には１２００
０〜２２０００の範囲のものが好適に用いられる。本発
明のポリカーボネート樹脂基板の熱プレス処理後の末端
ＯＨ量については７００ｐｐｍ未満であることが好まし
く、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、特には３
５０ｐｐｍ以下が好ましい。末端ＯＨ量が７００ｐｐｍ
以上であると、耐衝撃性等の機械的物性の低下が著し
く、また熱プレス処理後にポリカーボネート樹脂基板と
プレス板との密着が強固であり、剥がす際に基板が割れ
てしまい、基板が製造できない場合があるため好ましく
ない。

【００２１】本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、
二価フェノール化合物とホスゲン又は炭酸ジエステル等
のカーボネート前駆体とを主たる成分とし、必要に応じ
て末端停止剤を反応させて、界面重合法又は溶融重合法
により得ることができる。上記の二価フェノール化合物
としては、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−
ジメチルフェニル）プロパン、１−フェニル−１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、４，４′−ジ
ヒドロキシテトラフェニルメタン、９，９−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）フルオレン、フェノールフタレイ
ン、１，１′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン、４，４′−ジヒド
ロキシ−ビフェニル、メチレンビスフェノール、４，
４′−エチリデンビスフェノール、２，２′−メチレン
ビス（４−メチルフェノール）、４，４′−メチリデン
−ビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，４′−
（１−メチル−エチリデン）ビス（２−メチルフェノー
ル）、４，４′−（１−メチルエチリデン）ビス（２，
６−ジメチルフェノール）、４，４′−エチリデンビス
フェノール等が挙げられる。これらは、二種以上の混合
物としても良い。

【００２２】また、上記の二価フェノール化合物と共に
共重合成分として、例えば、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｎ−プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−ｎ−ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−ｎ−ペンタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｎ−ヘキサン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−ｎ−ヘプタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−ｎ−オクタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｎ−ノナン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｎ−デカン、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）ナフチルメタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）トルイルメタン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−（４−エチルフェニル）メタン、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−（４−ｎ−プロピルフェ
ニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−（４
−イソプロピルフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−（４−ｎ−ブチルフェニル）メタン、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−（４−ペンチルフェニ
ル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−（４−
ヘキシルフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−（４−フルオロフェニル）メタン、ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−（４−クロロフェニル）メタ
ン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−（２−フルオロ
フェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
（２−クロロフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）テトラフルオロフェニルメタン、ビス（４−
ヒドロキシフェニル）テトラクロロフェニルメタン、ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビ
ス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェニル）
メタン、ビス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−フェニルメタン、ビス（３−フェニル−４−
ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、ビス（３
−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス
（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、１，１−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（３
−エチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−
ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）エタン、１，１−ビス（３，５−ジフルオロ−４
−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（３−ク
ロロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス
（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン
等の中心炭素に水素原子が結合しているビスフェノール
類、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｎ−ブ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｎ−
ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
ｎ−ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−ｎ−ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−ｎ−オクタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−ｎ−ノナン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−ｎ−デカン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−１−フェニルエタン（通称ビスフェ
ノールＰ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−ナフチルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−１−トルイルエタン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−１−（４−エチルフェニル）エ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−
（４−ｎ−プロピルフェニル）エタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−イソプロピル
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−（４−ｎ−ブチルフェニル）エタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−ペン
チルフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−１−（４−ヘキシルフェニル）エタン、
１，１−ビス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（３−フェニ
ル−４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−
フルオロフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１−（４−クロロフェニル）エタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（２−
フルオロフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１−（２−クロロフェニル）エタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−テトラ
フルオロフェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−テトラクロロフェニルエタン等の中
心炭素に一つのメチル基が結合しているビスフェノール
類、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（通称ビスフェノールＣ）、２，２−ビス
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−イソブチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フル
オロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン等の中心炭素に二つ
のメチル基が結合しているビスフェノール類、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１，１
−ジフェニルメタン、ビス（３−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、ビス
（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）−１，１−
ジフェニルメタン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシ
フェニル）−１，１−ジフェニルメタン等のジフェニル
メタン誘導体であるビスフェノール類、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（通称ビス
フェノールＺ）、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−イソブチル−
４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビ
ス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン等のシクロヘキサン誘導体である
ビスフェノール類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，
１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３
−エチル−４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３−イソブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス（３−フルオロ−４−
ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロ
ヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘ
キサン等の３，３，５−トリメチルシクロヘキサン誘導
体であるビスフェノール類、９，９−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビ
ス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）フル
オレン、９，９−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−イソブチル−
４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス
（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン等のフルオレン誘導体であるビ
スフェノール類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）シクロノナン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロデカン等のシクロアルカン誘
導体であるビスフェノール類、４，４′−ビフェノール
等の芳香族環が直接結合したビスフェノール類、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス
（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビ
ス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）ス
ルホン、ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン等のスルホン誘導体であるビスフェノ
ール類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エ
ーテル、ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）
エーテル、ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）エーテル、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシ
フェニル）エーテル、ビス（３，５−ジフルオロ−４−
ヒドロキシフェニル）エーテル等のエーテル結合を有す
るビスフェノール類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルフィド、ビス（３−エチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−イソブチル
−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−フ
ルオロ−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス
（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）スル
フィド等のスルフィド結合を有するビスフェノール類、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホキシ
ド、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ビス（３−エチル−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホキシド、ビス（３−イソブチル−４−
ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３−フルオ
ロ−４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス
（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）スル
ホキシド等のスルホキシド誘導体であるビスフェノール
類、フェノールフタレイン等のヘテロ原子含有脂肪族環
を有するビスフェノール類、ヒドロキノン、レゾルシノ
ール、メチルヒドロキノン等のジヒドロキシベンゼン
類、１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒド
ロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類、ビス
（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−ヒドロキシフ
ェニル）ジフルオロメタン、１，１−ビス（２，３，
５，６−テトラフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）パ
ーフルオロエタン、２，２−ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）パーフルオロ
プロパン等の炭素−水素結合のないビスフェノール類等
から選択される一種以上を使用することができる。かか
る共重合成分の使用量は、ポリカーボネート樹脂の所望
のガラス転移温度を損なわない範囲から選択される。

【００２３】中でも２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、４，４′−
（１−フェニルエチリデン）ビスフェノール（通称ビス
フェノールＰ）、４，４′−シクロヘキシリデンビスフ
ェノール誘導体（通称ビスフェノールＺ誘導体、下記構
造式（Ｉ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン
（通称ビスフェノールＳ）等の二価フェノール化合物
が、工業的に入手容易であり、ガラス転移温度１４０℃
以上で、波長５５０ｎｍにおける光線透過率が８５％以
上の粘度平均分子量１００００〜３５０００のポリカー
ボネート樹脂が界面重合法又は溶融重合法によって容易
に製造できるため好適に用いられる。

【００２４】またビスフェノールＺ誘導体（式（Ｉ））
においては、Ｒ¹ 〜Ｒ¹⁰＝Ｈである二価フェノール化合
物、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ ＝Ｈ、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ ＝
ＣＨ ₃ 、Ｒ⁸ 〜Ｒ¹⁰＝Ｈである二価フェノール化合物、
Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁵ 、Ｒ ⁶ ＝Ｈ、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸
＝ＣＨ₃ 、Ｒ⁹ 〜Ｒ¹⁰＝Ｈである二価フェノール化合
物、Ｒ¹ 〜Ｒ⁶ ＝Ｈ、Ｒ⁷ 〜Ｒ⁸ ＝ＣＨ₃ 、Ｒ⁹ 〜Ｒ¹⁰
＝Ｈである二価フェノール化合物等が挙げられるが、入
手容易性や耐熱性の観点からＲ¹ 〜Ｒ¹⁰＝Ｈである二価
フェノール化合物又はＲ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ ＝
Ｈ、Ｒ⁴ 、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ ＝ＣＨ₃ 、Ｒ⁹ 〜Ｒ¹⁰＝Ｈである
二価フェノール化合物が好ましい。

【００２５】

【化１】

【００２６】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、
Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 、Ｒ⁹ 及びＲ¹⁰は、それぞれ独立し
て、水素原子又はメチル基を表す） 本発明のポリカーボネート樹脂基板に使用されるポリカ
ーボネート樹脂は、上記二価フェノール化合物の中から
選ばれる一種類の二価フェノール化合物から界面重合法
又は溶融重合法により製造されたポリカーボネート樹脂
をそのまま用いる方法、或いは二価フェノール化合物か
ら界面重合法又は溶融重合法により製造されたポリカー
ボネート樹脂の複数種を押出機を使用して溶融混練する
方法やメチレンクロライド等の可溶媒中で溶液混合する
方法等により複数混合する方法により製造される。

【００２７】また上記二価フェノール化合物の中から選
ばれる二種類以上の二価フェノール化合物を共重合成分
として界面重合法又は溶融重合法により共重合ポリカー
ボネート樹脂を製造する方法や、かかる共重合ポリカー
ボネート樹脂に更に異種二価フェノール化合物由来のポ
リカーボネート樹脂を溶融混練法や溶液混合法により混
合する方法で得ることも出来る。

【００２８】本発明のポリカーボネート樹脂基板のプレ
ス処理に使用される押出成形体又は射出成形板の成形方
法に関しては、Ｔダイ等のスリット状ダイスから溶融樹
脂を平板状に押し出す等の公知の押し出し成形法や射出
成形法を使用することができる。面積や厚み等に特に制
限はないが、押出成形体や射出成形体中に焼けや異物、
気泡等が存在しているとプレス処理後のポリカーボネー
ト基板まで残存するので好ましくない。本発明のポリカ
ーボネート樹脂基板を製造するための熱プレス処理温度
は、

【００２９】

【数６】

【００３０】式（１）の温度範囲にあることが好まし
い。Ｔが、

【００３１】

【数７】

【００３２】よりも低いと複屈折の低減効果が十分では
なく、目的とする５ｎｍ以下のリターデーションのポリ
カーボネート樹脂基板が得られない場合があり好ましく
ない。一方、Ｔが

【００３３】

【数８】

【００３４】より高いとポリカーボネート樹脂基板を熱
プレスした後の黄色着色や機械的物性の低下が起こる場
合があるため好ましくない。熱プレス処理を実施する雰
囲気は、窒素ガスやアルゴンガスのような不活性ガス雰
囲気下又は真空中が好ましいが、中でも特に真空中が好
ましい。通常の大気中で熱プレスを実施すると、熱プレ
ス処理後にポリカーボネート樹脂基板をプレス板から剥
離するのが困難であったり、表面平坦性が損なわれた
り、機械的物性が著しく低下したり、着色が起こる場合
があるため好ましくない。不活性ガス雰囲気中で実施す
る場合、酸素ガス濃度は１０容量％以下、好ましくは５
容量％以下、特には１容量％以下であることが好まし
い。

【００３５】また真空中で実施する場合、基板とプレス
板の間に発生する隙間が生じても、気泡として残存する
ことは無く、製造条件としてより適切である。真空中で
実施の場合は、系内の圧力は１００ｍｍＨｇ以下、好ま
しくは５０ｍｍＨｇ以下、特には３０ｍｍＨｇ以下であ
ることが好ましい。本発明におけるポリカーボネート樹
脂基板を製造するための熱プレス処理時間は、熱処理温
度Ｔに到達した時点から通常１〜６０分程度であるが、
ポリカーボネート樹脂の熱劣化防止の観点から、２〜２
０分が好ましく、特には３〜１０分程度が好ましい。６
０分以上の熱プレス処理では着色、物性低下が激しく、
１分未満では複屈折の低減が十分ではない場合があり好
ましくない。

【００３６】本発明に使用されるポリカーボネート樹脂
組成物層の厚さは、０．１０〜２．０ｍｍ、好ましくは
０．２〜１．５ｍｍである。０．１０ｍｍ未満では基板
が自重により撓みやすく、従来のガラス基板を使用した
ＬＣＤ製造プロセスに使用しにくい傾向があり、更にＳ
ＴＮ型ＬＣＤにおいては、そのセルギャップのバラツキ
を０．１μ以下に調節することが困難であり、これを使
用した液晶パネルでは表示ムラが現れる場合があり好ま
しくない。逆に２．０ｍｍを越えると従来の０．７０〜
１．５０ｍｍのガラス基板と同じ重量となり、軽量化の
目的から外れてしまう場合があるので好ましくない。

【００３７】本発明に使用されるポリカーボネート樹脂
基板の表面粗度（Ｒａ）は、０．１μ以下であることが
好ましい。Ｒａが０．１μを超えてもＴＮ液晶の表示パ
ネルには使用できるが、ＳＴＮ液晶表示パネル用ではセ
ル面内でのバラツキを０．１μ以下に調節することが要
求されるためＲ（ａ）が０．１μを超えると表示ムラが
生じてしまう場合があるので好ましくない。良質な画質
を得るためには０．１μ以下、好ましくは０．０５μ以
下、特には０．０１μ以下であることが好ましい。

【００３８】また本発明のポリカーボネート樹脂組成物
にはＬＣＤ基板としての性能を損なわない範囲に於いて
慣用の成分、例えば光安定剤、熱安定剤、紫外線吸収
剤、酸化防止剤、帯電防止剤、滑剤、着色剤、可塑剤、
増粘剤、離型剤、衝撃性改良剤、難燃剤等を含み得て種
々な成形法で成形するのが良い。これらの添加剤に関し
ては成形時に原料と共に投入することもできるし、表面
に塗布することもできる。

【００３９】本発明に使用されるポリカーボネート樹脂
基板を熱プレス処理するための平面板は、Ｒ（ａ）が
０．１μ以下の表面平坦性を有し、ポリカーボネート樹
脂の溶融温度以上の温度やプレス圧力で変形や化学的な
劣化が起こらず、またポリカーボネート樹脂に着色・分
子量低下等の化学的な変質作用をもたらさず、熱プレス
処理圧力でも物理的に変形の起こらない材質であれば特
に制限はないが、通常上記条件を満たす材質としては、
無機材料又は金属材料が挙げられ、耐熱ガラス板やステ
ンレス製鋼板が好適に使用でき、中でもステンレス製鋼
板が好ましい。

【００４０】本発明の熱プレス処理において加熱・冷却
時間は特に限定されないが、通常５分から１２０分の範
囲であることが好ましい。加熱時間が５分未満では複屈
折率値が十分に低減できない場合があり、１２０分より
長いとポリカーボネート樹脂の劣化が起こるため好まし
くない。熱プレス処理のプレス圧力Ｐ（ｇ／ｃｍ² ）に
ついては、１０〜１０００（ｇ／ｃｍ² ）であることが
好ましく、より好ましくは２０〜５００（ｇ／ｃｍ² ）
であり、４０〜２００（ｇ／ｃｍ² ）が特に好ましい。
１０（ｇ／ｃｍ² ）未満では、プレス時、プレス板鏡面
からの転写精度が十分では無い場合があり、１０００
（ｇ／ｃｍ² ）を超えると、プレス温度を上げても樹脂
の複屈折値が目標まで低減されない場合があり好ましく
ない。

【００４１】本発明に使用されるポリカーボネート樹脂
基板の複屈折とは、基板の製膜方向と幅方向とがなす面
内の複屈折を指し、光学的位相差で表す。この複屈折値
が光学位相差で１５ｎｍを超えると液晶表示素子に組み
上げた際、画質に色滲み等の問題が発生する。良好な画
質を得るための複屈折値は好ましくは平均で１０ｎｍ以
下、より好ましくは平均で５ｎｍ以下、特には平均で２
ｎｍ以下であることが好ましい。

【００４２】衝撃強度については、液晶表示素子組み上
げ後の取り扱いの問題、特に携帯使用機器に装着した際
の割れにくさの観点から、衝撃強度がデュポン法衝撃試
験において、破壊エネルギー値が６００ｇｆ・ｃｍ未満
では、例えばコンクリート床上に落とした場合に割れる
可能性が高いため好ましくない。この破壊エネルギー値
については、好ましくは９００ｇｆ・ｃｍ以上、より好
ましくは２０００ｇｆ・ｃｍ以上、特には３０００ｇｆ
・ｃｍ以上であることが好ましい。

【００４３】本発明のポリカーボネート樹脂基板を用い
た液晶表示素子の層構成としては、シート状成形体であ
るポリカーボネート樹脂基板の両面にコート膜を少なく
とも一層有し、且つ少なくとも片面にガスバリア膜及び
／又は透明導電膜を有するものである。具体的には、例
えばポリカーボネート樹脂基板の両側にコート膜を一層
有し、且つ一方のコート膜の上に透明導電膜、また他方
のコート膜の上にガスバリア膜、更にコート膜を有する
もの（層構成１）、ポリカーボネート樹脂基板の両側に
コート膜を一層有し、一方のコート膜の上に順次ガスバ
リア膜、コート膜及び透明導電膜を有するもの（層構成
２）、ポリカーボネート樹脂基板の両側にコート膜を一
層有し、一方のコート膜の上に順次ガスバリア膜、コー
ト膜及び透明導電膜を有し、また他方のコート膜の上に
ガスバリア膜、更にコート膜を有するもの（層構成３）
等が挙げられる。これらの中、層構成１及び２のものが
好ましい。

【００４４】 （層構成１） 透明導電膜 厚さ５０〜３０００Å コート膜 厚さ０．３〜１５μ ポリカーボネート樹脂基板 厚さ０．１０〜２．００ｍｍ コート膜 厚さ０．３〜１５μ ガスバリア膜 厚さ５０〜１０００Å コート膜 厚さ０．３〜１５μ

【００４５】 （層構成２） 透明導電膜 厚さ５０〜３０００Å コート膜 厚さ０．３〜１５μ ガスバリア膜 厚さ５０〜１０００Å コート膜 厚さ０．３〜１５μ ポリカーボネート樹脂基板 厚さ０．１０〜２．００ｍｍ コート膜 厚さ０．３〜１５μ

【００４６】本発明に使用される透明導電膜を形成する
透明電導性物質としては、酸化インジウム、酸化スズ、
金、銀、ニッケル、銅等が挙げられ、これらは単独又は
混合して使用することができる。このうち、通常酸化イ
ンジウム９９〜９０重量％と酸化スズ１〜１０重量％と
の混合物よりなるインジウムチンオキサイドが透明性と
導電性のバランスの観点から特に好ましい。透明導電膜
を形成する方法は従来から公知の方法を用いて行うこと
ができ特に制限されるものではなく、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、
プラズマガンを使用した真空蒸着法等を用いて行うこと
ができるが、透明導電膜と保護コートとの密着性の観点
から真空蒸着法、イオンプレーディング法、スパッタリ
ング法が好ましく、ＩＴＯエッチング性の観点から中で
もスパッタリング法が特に好ましい。またＩＴＯ膜の厚
さは、透明性及び導電性のバランスの観点から通常５０
〜３０００Åの範囲であり、より好ましくは２００〜２
０００Åである。

【００４７】ＩＴＯ製膜温度Ｔ（℃）の範囲は、室温≦
Ｔ≦Ｔｇ−１０℃の範囲で実施可能であるが、ＩＴＯ膜
のシート抵抗値の低抵抗値化の観点から１００℃以上が
好ましく、１５０℃以上でＩＴＯ膜形成することが特に
好ましい。本発明に使用されるガスバリア膜は、液晶パ
ネル内への水分子や酸素分子の侵入による気泡発生、液
晶化合物の劣化を防止する目的で積層する。ガスバリア
膜としては、高バリア能、高透明性を有し基板上に高い
表面精度で薄膜状に積層できる物質なら特に制限はな
く、無機系化合物、有機系化合物が挙げられるが、無機
系化合物が高い透明性や酸素ガス及び水蒸気に対して極
めて高いバリア性を有するため特に好ましい。

【００４８】無機系化合物としては、金属、非金属、亜
金属の酸化物、窒化物が挙げられ、具体例としては、酸
化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化アンチモン、酸化イン
ジウム、酸化カルシウム、酸化カドミウム、酸化銀、酸
化金、酸化クロム、珪素酸化物、酸化コバルト、酸化ジ
ルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化鉄、酸化銅、
酸化ニッケル、酸化白金、酸化パラジウム、酸化ビスマ
ス、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化モリブデ
ン、酸化バナジウム、酸化バリウム、窒化珪素等が挙げ
られるが、酸素ガスバリア性、水蒸気バリア性、透明性
の観点から、珪素酸化物、酸化アルミニウム、窒化珪素
が好ましく、中でも珪素酸化物、窒化珪素がより好まし
く、珪素酸化物が特に好ましい。尚、無機酸化物には、
微量の金属、非金属、亜金属単体やそれらの水酸化物、
また、可撓性を向上させるために適宜炭素又はフッ素が
含まれていても良い。無機系化合物によるガスバリア膜
を形成する方法は従来から公知の方法を用いて行うこと
ができ特に制限されるものではなく、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法等
を用いて行うことができるが、透明導電膜と保護コート
との密着性の観点から真空蒸着法、イオンプレーティン
グ法、スパッタリング法が好ましい。

【００４９】かかる無機酸化物からなるガスバリア層の
厚さに特に制限はなく、無機酸化物の種類等によっても
異なるが、酸化珪素膜の場合、酸素ガスバリア性、水蒸
気バリア性、透明性の観点から、膜厚は５０〜１０００
Åが好ましい。５０Å未満では十分なバリア性が得るこ
とができず、１０００Åを超えるとバリア効果は殆ど増
大せず、透明性が損なわれる傾向にあるため望ましくな
い。

【００５０】本発明に使用されるコート膜には、ＬＣＤ
製造工程において使用される有機溶剤、アルカリ溶液、
酸性溶液、擦傷からポリカーボネート基板を保護する効
果がある。具体的には架橋性高分子が好ましく光硬化性
樹脂や熱硬化性樹脂が好適に使用できる。架橋高分子を
構成する有機モノマー化合物としては、イソアミルアク
リレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレ
ート、ブトキシエチルアクリレート、エトキシジエチレ
ングリコールアクリレート、メトキシトリエチレングリ
コールアクリレート、メトキシポリエチレングリコール
アクリレート、メトキシジプロピレングリコールアクリ
レート、フェノキシエチルアクリレート、フェノキシポ
リエチレングリコールアクリレート、ノニルフェノール
エチレンオキサイド付加物アクリレート、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、イソボニルアクリレート、２
−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、２−ヒドロキシブチルアクリレー
ト、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレ
ート、２−アクリロイロキシエチルコハク酸、２−アク
リロイロキシエチルフタル酸、２−アクリロイロキシエ
チル−２−ヒドロキシエチルフタル酸、２−ヒドロキシ
アクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等
の単官能アクリレート、メタクリル酸、メチルメタクリ
レート、エチルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレ
ート、イソブチルメタクリレート、２−エチルヘキシル
メタクリレート、イソデシルメタクリレート、ｎ−ラウ
リルメタクリレート、ｎ−ステアリルメタクリレート、
メトキシエチレングリコールメタクリレート、メトキシ
ポリエチレングリコールメタクリレート、シクロヘキシ
ルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレ
ート、ベンジルメタクリレート、フェノキシメタクリレ
ート、イソボニルメタクリレート、２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレ
ート、２−ヒドロキシブチルメタクリレート、ジメチル
アミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメ
タクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート四
級化物、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級化
物、２−メタクリロイロキシエチルコハク酸、２−メタ
クリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−メタ
クリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレ
ート、グリシジルメタクリレート、２−メタクリロイロ
キシエチルアシッドホスフェート、γ−メタアクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン等の単官能メタクリレー
ト、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチ
レングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコー
ルジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリ
レート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、ジメ
チロールトリシクロデカンジアクリレート、ビスフェノ
ールＡのエチレンオキサイド付加物ジアクリレート、ビ
スフェノールＡのプロピレンオキサイド付加物ジアクリ
レート、等の二官能アクリレート、トリメチロールプロ
パントリアクリレート、エチレンオキサイド変性トリメ
チロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート等の三官能アクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレート、ジトリメチロール
プロパンテトラアクリレート等の四官能アクリレート、
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等の六官能
アクリレートが挙げられる。これらは単独で用いても複
数混合して用いても良い。

【００５１】ラジカル重合開始剤としては、ＵＶ照射に
よってラジカル発生するものであれば特に制限はない
が、下記の開始剤が入手容易であり好ましい。ベンゾフ
ェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタ
ン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェ
ニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェ
ニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキ
シエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチ
ル−１−プロパン−１−オン、２−メチル−１［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン
−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−
（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、ビス
（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリ
メチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、ビス（２，
４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィ
ンオキサイド、ビス（η−２，４−シクロペンタジエン
−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ
−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム等が挙
げられ、これらは単独でも複数混合して使用しても良
い。有機モノマー化合物に対するラジカル重合開始剤の
添加量は１〜１５重量％程度が好ましい。１重量％未満
或いは１５重量％を超えて添加すると、硬化膜の耐溶剤
性、耐薬品性が目標に達しないことがあるので好ましく
ない。

【００５２】本発明に使用されるシリコーン系硬化性樹
脂としては、公知の種々アルコキシシラン化合物が使用
できる。アルコキシシラン化合物の例を挙げると、トリ
メチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等の
モノアルコキシシラン類、ジメチルジメトキシシラン、
ジメチルジエトキシシラン等のジアルコキシシラン類、
メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、β−（３，４エポキシシク
ロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン等のトリアルコキシシラン類、テ
トラエトキシシラン、テトラメトキシシラン等のテトラ
アルコキシシラン類等である。また透明性を損なわない
範囲において基板とシリコーン硬化性樹脂の接着性を向
上させる目的でアクリル系樹脂、ポリウレタン樹脂、エ
ポキシ樹脂、メラミン樹脂等を添加又は下塗りすること
ができる。

【００５３】本発明のコート膜を形成するモノマー化合
物の塗布方法は公知の方法を用いて良く、スプレーコー
ト法、フローコート法、ロールコート法、マイヤーバー
コート法、エアナイフ法、キスコート法、アークグラビ
ア法、ジェットリバース法、キス・ディッピング法、リ
ップコータ法、コンマリバース法、コンマダイレクト
法、バーコート法、グラビアダイレクト法、オフセット
グラビア法、ロールコート法、スピンコート法、ディッ
プコート法、ラミネートコート法等が挙げられるが、膜
厚の制御しやすさの観点からロールコート法、ディップ
コート法、スピンコート法が好ましい。またモノマー混
合物の粘度調整のため有機溶剤による希釈をしても良
い。有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブ
チルアルコール、２−エトキシエタノール、ｎ−ヘキサ
ン、エチレングリコール、シクロヘキサン、石油エーテ
ル、ケロシン、リグロイン等、ポリカーボネート樹脂を
侵さない物を用いるのが好ましい。コート膜の厚みは、
０．３〜１５μの範囲であり、好ましくは０．５〜１２
μ、特には０．７〜１０μの範囲が好ましい。厚みが
０．３μより薄いと耐溶剤性、耐薬品性、耐刷傷性の観
点から好ましくなく、１５μより厚いと基板屈曲時にＩ
ＴＯ膜にクラック等の破損が発生する場合があり好まし
くない。

【００５４】本発明による液晶表示素子用ポリカーボネ
ート基板は、４０℃、９０％ＲＨにおける水蒸気バリア
量が２．０ｇ／ｍ² ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下、より好ま
しくは１．５ｇ／ｍ² ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下、１．０
ｇ／ｍ² ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下であることが好まし
い。更に４０℃、９０％ＲＨにおける酸素ガス透過量は
１．０ｃｃ／ｍ² ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下、より好まし
くは０．５ｃｃ／ｍ² ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下、特には
０．１ｃｃ／ｍ² ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下であることが
好ましい。バリア性が上記条件を達成していないと、液
晶パネル内に気泡等が発生しやすく、長期信頼性の観点
から好ましくない。

【００５５】本発明のポリカーボネート樹脂基板を用い
た液晶表示素子のシート抵抗値は使用用途によって異な
るが、１３００Å程度のＩＴＯ膜を基板上に形成した状
態で６０（Ω／□）以下、より好ましくは５０ (Ω／
□）以下、特には４０ (Ω／□）以下であることが好ま
しい。６０ (Ω／□）を超えるシート抵抗値では、小型
サイズＬＣＤやモノクロ表示ＬＣＤ用途にしか使用する
ことができないので好ましくない。

【００５６】本発明の液晶表示素子用ポリカーボネート
樹脂基板は、アルカリ水溶液に曝されるＩＴＯ膜のパタ
ーンニング工程、基板上に有機溶剤に溶解させたポリイ
ミドを塗布した後、焼成しポリイミド配向膜を形成する
配向膜形成工程で十分な耐薬品性及び溶剤性を有してい
ることが望ましく、４０℃、３．５％苛性ソーダ水溶液
１０分浸漬後、次いで８５℃においてＮ−メチル−２−
ピロリドンに１０分接触後における透明導電膜のシート
抵抗値の変化が±１５％以内、より好ましくは±１０％
以内、更には±５％であることが好ましい。±１５％を
超えると透明導電膜をパターンニング後、断線等の問題
が発生するため好ましくない。本発明のポリカーボネー
ト樹脂基板を用いた液晶表示素子は、波長５５０ｎｍに
おける光線透過率が７０％以上必要であり、７５％以上
であることがより好ましい。７０％未満であると液晶画
面が暗くなるので好ましくない。

【００５７】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はその要旨を超えない限りこれらの実施
例に限定されるものではない。なお、原料ポリカーボネ
ート樹脂の物性、熱プレス基板の諸特性、硬化性コート
の組成等は次の通りである。 ＜ガラス転移温度＞ＡＳＴＭ Ｄ３４１８に準拠して測
定した。 ＜基板厚み＞シックネスゲージにより基板厚みを測定し
た。

【００５８】＜膜の厚さ＞実施例及び比較例により得ら
れたポリカーボネート樹脂基板のガスバリア薄膜と導電
膜については、シートの断面を透過型電子顕微鏡（日立
製作所製、Ｈ−６００型）で観察し、薄膜の厚さを測定
した。 ＜耐溶剤性＞耐溶剤性については、実施例及び比較例に
より得られたエッチング前のＩＴＯ製膜付きポリカーボ
ネート樹脂基板を８５℃でＮ−メチル−２−ピロリドン
を滴下し１０分した後の基板の表面外観、ＩＴＯ膜の表
面抵抗値（Ω／□）を測定した。

【００５９】＜耐薬品性＞耐薬品性については、ＩＴＯ
製膜した基板を４０℃の３．５重量％苛性ソーダ水溶液
にドブ漬けした後の、基板の外観、ＩＴＯ膜の表面抵抗
値（Ω／□）を評価した。 ＜複屈折率＞自動複屈折測定装置（（株）オーク製作
所、ＡＤＲ−１５０Ｎ）を用い、垂直入射によりシング
ルパスのリターデーション値（Ｒ値、単位；ｎｍ）を測
定した。

【００６０】＜表面抵抗値の測定＞三菱化学（株）製の
四端子法抵抗測定器（ロレスターＭＰ）を用いて、表面
抵抗値（Ω／□）を測定した。 ＜光線透過率＞（株）日立製作所の分光光度計を使用
し、波長５５０ｎｍでの透過率を測定した。

【００６１】＜表面の粗さ（Ｒａ）＞表面粗さ測定器
（（株）東京精密製、サーフコーム５７５Ａ）を用い、
ダイヤモンド針（１μｍＲ、９０°円錐）、測定長さ
０．５ｍｍ、カットオフ値０．１６ｍｍ、測定速度０．
０６ｍｍ／秒及び直線補正の条件で測定した。 ＜酸素透過率＞ＡＳＴＭ Ｄ−３９８５に準拠して、酸
素透過率測定装置（ＯＸ−ＴＲＡＮ１０／５０Ｈ）を使
用し、温度４０℃、相対湿度９０％ＲＨの条件下で測定
した。本測定装置は０．１ｃｃ以下の酸素透過量領域に
測定精度がないため、実施例中においては０．１ｃｃ以
下の測定値はすべて「＜０．１」と表記した。尚、測定
に用いたサンプルはＩＴＯ膜をスパッタリングしていな
い状態のポリカーボネート樹脂基板を用いた。

【００６２】＜透湿度試験＞東洋精機（株）製の透湿度
試験器を使用して、温度４０℃、相対湿度９０％ＲＨの
条件下でＪＩＳ Ｚ−０２０８に準拠して測定した。
尚、測定に用いたサンプルはＩＴＯ膜をスパッタリング
してしない基板を用いた。 ＜耐衝撃強度試験＞デュポン法落球試験により測定し
た。測定装置は東洋精器社製落球試験器を使用し、被測
定サンプルが破損若しくはヒビが入る最低の落球のエネ
ルギーで最低破壊エネルギー値を表した。

【００６３】＜屈曲試験＞基板を３５ｍｍ円柱にＩＴＯ
膜を内側にして１０秒巻き付け保持した後、ＩＴＯ膜表
面抵抗値、ガスバリア性等の諸物性を評価した。実施例
表においては、屈曲試験後、ＩＴＯ膜の表面抵抗値に１
％以上の悪化が認められた場合は「×」とし、変化が１
％以内の場合は「○」とした。

【００６４】＜液晶表示素子の作製＞基板のＩＴＯ膜上
にトップコート及びポリイミド配向膜を約５００Åを形
成した後、この基板の間に液晶材料を注入し、シール部
材で封止し、更に外方向側表面に偏光板を積層し、液晶
表示素子を作製した。これにより工程上で発生する問
題、液晶画面の画質、長期信頼性等を評価した。実施例
表において液晶画面の画質が良好な場合は「○」、色滲
み等が発生し画質が劣る場合は「×」とした。また液晶
表示素子組み上げ後、２３℃５０％ＲＨ環境下に７日間
静置した後、画面が良好な場合は「○」、画面内に黒点
等の欠陥が発生した場合は「×」とした。 ＜粘度平均分子量＞ウベローデ型キャピラリー粘度計を
用いて、塩化メチレン中２０℃の極限粘度［η］を測定
し、以下の式により粘度平均分子量

【００６５】

【数９】

【００６６】を求めた。

【００６７】

【数１０】

【００６８】＜末端ＯＨ量測定＞四塩化チタン／酢酸法
（Ｍａｋｒｏｍｏｌ Ｃｈｅｍ．， ８８， ２１５
（１９６５））により比色定量を行った。 ＜ＵＶ硬化性コート組成＞ （組成１）ペンタエリスリトールトリアクリレート（共
栄社化学（株）製 ライトアクリレートＰＥ−３Ａ）３
０重量部、エポキシアクリレート（日本化薬（株）製
カヤラッドＲ１３０）３０重量部、２−ヒドロキシエチ
ルアクリレート（共栄社化学（株）製 ライトエステル
ＨＯＡ）２０重量部、γ−メタクリロキシプロピルトリ
メトキシシラン（東レダウコーニング（株）製 ＳＺ６
０３０）２０重量部、光開始剤（チバ・スペシャリティ
・ケミカルズ（株）製 ダロキュア１１７３）５重量部

【００６９】（組成２）ジメチロールトリシクロデカン
ジアクリレート（共栄社化学（株）製 ライトアクリレ
ートＤＣＰ−Ａ）３０重量部、エポキシアクリレート
（日本化薬（株）製 カヤラッドＲ１３０）３０重量
部、ジメチロールプロパンテトラアクリレート（共栄社
化学（株）製 ライトアクリレートＤＴＭＰ−４Ａ）４
０重量部、光開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカル
ズ（株）製 イルガキュア１８００）５重量部

【００７０】（組成３）ネオペンチルグリコールジアク
リレート（共栄社化学（株）製 ライトアクリレートＮ
Ｐ−Ａ）４０重量部、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート（共栄社化学（株）製 ＤＰＥ−６Ａ）２０
重量部、トリメチロールプロパントリアクリレート（共
栄社化学（株）製 ライトアクリレートＴＭＰ−Ａ）４
０重量部、光開始剤ダロキュア１１７３ ５重量部

【００７１】（組成４） ＜シリコーン系熱硬化性コート組成＞ アンカーコート： Ａ液＝エピコート８２８（油化シェルエポキシ（株）
製、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂） Ｂ液＝エポメートＢ００２（同社製、複素環式ジアミン
変性物） Ａ／Ｂ＝２／１（重量％比） バーコーターにて３．２ミクロン厚に塗布した後、熱硬
化させた。 硬化条件：熱風循環式オーブン、８０度×３時間 シロキサン層：テトラメトキシシラン（東京化成（株）
製）／ジメチルジメトキシシラン（東京化成（株）製）
／γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（東京化成
（株）製）／０．０１ＮＨＣｌ １２ｇ バーコーターにて３．０ミクロン厚に塗布した後、熱硬
化させた。 硬化条件：熱風循環式オーブン、１３０度×２時間

【００７２】実施例１ 粘度平均分子量１９３００、Ｔｇ＝１８３℃のポリカー
ボネートＰ（顆粒状）を東芝射出成型機（ＩＳ−４５
Ｍ）により成形温度３２０℃、金型温度９０℃にて８０
ｍｍ×８０ｍｍ×２．０ｍｍ厚の平板を射出成形した。
この射出板の末端ＯＨ量は２８０ｐｐｍであった。次い
で、成形板を両面が表面粗さＲａ＝０．００４μに加工
されたステンレス製平板２枚で挟むことにより、真空中
（２０ｍｍＨｇ）で熱プレス処理を行った。プレス温度
は２７０℃、プレス時間は２０分、プレス時の圧力は６
０ｇ／ｃｍ² 、使用したスペーサの厚みは０．４００ｍ
ｍであった。

【００７３】ステンレス板からのポリカーボネート基板
の剥離は、ステンレス板の表面温度が１２０℃になった
ところで剥がした。ポリカーボネート板の厚みは平均
０．３９９ｍｍであり、この段階で剥がしたポリカーボ
ネート基板の衝撃強度試験を実施したところ１００００
ｇｆ・ｃｍ以上の最低破壊エネルギー値を示した。本基
板の複屈折は、シングルパスのリターデーションで基板
全面で２ｎｍ以下の範囲にあり、表面粗さはＲａ＝０．
００５μであった。このポリカーボネート樹脂基板の光
線透過率は８９．８％であった。

【００７４】次いで該熱プレス板を１０ｃｍ角にカット
した後、スピンコーターにセットし、モノマー組成１の
コート液を３ｍＬ中心部に滴下し、３００ｒｐｍで２０
秒、次いで１５００ｒｐｍで１０秒の条件でコートし
た。次いで出力４ｋｗ高圧水銀ランプにより紫外線を照
射総量５．０Ｊ／ｃｍ² となるよう照射して保護コート
を硬化させた。コート膜の厚さは３．２μであった。同
条件で反対面にもコート膜を作製した。

【００７５】両面コート膜を形成したポリカーボネート
基板にＳｉＯ₂ をターゲット材料として１１０℃にて２
００Åの膜厚でＲＦスパッタリングした後、この上にも
スピンコーターによりモノマー組成１によるコート膜を
形成した。この基板について４０℃、９０％ＲＨにおけ
る酸素ガス透過量と水蒸気透過量を測定したところ、酸
素ガス透過量は０．１０ｇ／ｍ² ・２４ｈｒ・ａｔｍ以
下であり、水蒸気透過量は０．３０ｇ／ｍ² ・２４ｈｒ
・ａｔｍ以下であった。ＳｉＯ₂ をスパッタリングした
面とは反対側の面にもＩＴＯ（ＳｎＯ １０重量％）を
１１０℃にて膜厚１３００Åとなるようスパッタリング
した。ＩＴＯ膜の表面抵抗値を測定したところ、２８．
６ (Ω／□）であった。この段階で表面粗さを測定した
ところ、Ｒａ＝０．００５μｍであった。次いで該基板
を４０℃で３．５重量％苛性ソーダ水溶液に１０分浸漬
した後、表面抵抗値を測定したところ、２８．６ (Ω／
□）であった。更に８５℃のオーブン中でＮ−メチル−
２−ピロリドンをＩＴＯ膜上に滴下し１０分経った後、
エタノールで洗浄し乾燥後のシート抵抗値は２８．６
(Ω／□）であった。

【００７６】更に該基板のＩＴＯ膜上にトップコート及
びポリイミド配向膜を約５００Åを形成した後、この基
板の間に液晶材料を注入し、シール部材で封止し、更に
外方向側表面に偏光板を積層し、液晶表示素子を得た。
製造工程において何ら問題は発生しなかった。この様に
して得られた液晶表示素子の画質は、ガラス基板を用い
た液晶表示素子と同等の性能を有していた。

【００７７】実施例２ 実施例１において粘度平均分子量３２３００、Ｔｇ＝１
８７℃のポリカーボネートＰを使用した以外は実施例１
と同様な実験を行った。 実施例３ 実施例１において粘度平均分子量１２１００、Ｔｇ＝１
７１℃のポリカーボネートＰを使用した以外は実施例１
と同様な実験を行った。

【００７８】実施例４ 実施例１において粘度平均分子量１９２００、Ｔｇ＝１
４８℃のポリカーボネートＰを使用した以外は実施例１
と同様な実験を行った。 実施例５ 実施例１において窒素気流下で熱プレス処理を行う代わ
りに、窒素気流下（１０Ｎｍ³ ／ｈｒ、酸素ガス濃度
０．４％以下）で行った以外は実施例１と同様な実験を
行った。

【００７９】実施例６ 実施例１において基板の厚みを１．８５ｍｍとした以外
は、実施例１と同様な実験を行った。 実施例７ 実施例１において基板の厚みを０．１２ｍｍとした以外
は、実施例１と同様な実験を行った。

【００８０】実施例８ 実施例１において熱プレス圧力を６００ｇ／ｃｍ² とし
た以外は実施例１と同様な実験を行った。 実施例９、１０、１１ 実施例１においてモノマー組成１に変えてモノマー組成
２、３、４を使用した以外は実施例１と同様な実験を行
った。

【００８１】実施例１２ 実施例１においてスピンコーターに変えてバーコーター
を使用し、厚さ１２．０μのコート膜を形成させた以外
は実施例１と同様な実験を行った。 実施例１３ 実施例１においてＳｉＯ膜厚を７５０Åとした他は実施
例１と同様な実験を行った。

【００８２】実施例１４ 実施例１と同様な実験から得られたポリカーボネート基
板両面に実施例１と同様にコート膜をスピンコートし
た。次いでこの上にＳｉＯ₂ ターゲット材として膜厚２
００Åとなるようにスパッタリングした。更にＳｉＯ₂
膜上に組成１のコート膜をスピンコートで形成した後、
次いで１１０℃においてＩＴＯ膜を膜厚１３００Åとな
るようにスパッタリングした。この上にトップコート及
びポリイミド配向膜を約５００Åを形成した。次にこの
基板の間に液晶材料を注入し、シール部材で封止し、更
に外方向側表面に偏光板を積層し、液晶表示素子を得
た。製造工程において何ら問題は発生しなかった。この
様にして得られた液晶表示素子の画質は、ガラス基板を
用いた液晶表示素子と同等の性能を有していた。

【００８３】実施例１５ 原料としてポリカーボネートＺ（粘度平均分子量２１８
００、Ｔｇ＝１７２℃）を使用した以外は、実施例１と
同様な実験を行った。 実施例１６ 原料としてポリカーボネートＡ及びポリカーボネートＰ
の５０／５０（重量％比）混合物（二軸押出機により３
２０℃にて溶融混合を実施した）、粘度平均分子量２０
３００、Ｔｇ＝１６６℃を使用した以外は、実施例１と
同様に製作、評価を行った。

【００８４】実施例１７ 原料としてポリカーボネートＡ及びポリカーボネートＺ
の３０／７０（重量％比）混合物（二軸押出機により３
２０℃にて溶融混練を実施した）、粘度平均分子量１９
８００、Ｔｇ＝１６５℃を使用した以外は、実施例１と
同様に製作、評価を行った。

【００８５】実施例１８ 原料としてポリカーボネートＡ／ポリカーボネートＰ／
ポリカーボネートＺの１／１／１（重量比）混合物（二
軸押出機により３２０℃にて溶融混練を実施した）、粘
度平均分子量１８９００、Ｔｇ＝１６８℃を使用した以
外は実施例１と同様な実験を行った。

【００８６】実施例１９ 原料としてビスフェノールＡ／ビスフェノールＳ＝７５
／２５（モル％比）の共重合体を重合し、粘度平均分子
量２１０００、Ｔｇ＝１７１℃のポリカーボネート樹脂
を使用した以外は実施例１と同様な実験を行った。 実施例２０ 原料としてビスフェノールＡ／ビスフェノールＺ＝５０
／５０（モル％比）の共重合体を重合し、粘度平均分子
量１９８００、Ｔｇ＝１６１℃のポリカーボネート樹脂
を使用した以外は実施例１と同様な実験を行った。

【００８７】実施例２１ 原料としてビスフェノールＡ／ビスフェノールＰ／ビス
フェノールＳ＝１／１／１（モル比）の共重合体を界面
重合法により重合し、粘度平均分子量１８５００、Ｔｇ
＝１７８℃のポリカーボネート樹脂を使用した以外は実
施例１と同様な実験を行った。 実施例２２ 原料としてビスフェノールＡ／ビスフェノールＺ誘導体
である１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン＝５０／５０（モル
％）の共重合体を界面重合法により重合して得た粘度平
均分子量２１５００、Ｔｇ＝２０５℃を使用した以外は
実施例１と同様な実験を行った。

【００８８】実施例２３ 原料としてビスフェノールＡ／ビスフェノールＺ誘導体
（実施例２３で使用）＝５０／５０（モル％）の共重合
体を界面重合法により重合して得た粘度平均分子量２２
０００、Ｔｇ＝２０５℃のポリカーボネート樹脂１００
重量部にポリカーボネートＡ ７０重量部を３２０℃に
て溶融混練して得たＴｇ＝１７９℃、粘度平均分子量１
９５００のポリカーボネート樹脂を使用した以外は実施
例１と同様な実験を行った。

【００８９】実施例２４ 実施例１においてＩＴＯ製膜温度を１６０℃にした以外
は実施例１と同様な実験を行った。 実施例２５ ポリカーボネートＡ ５０重量部とポリカーボネートＰ
５０重量部をメチレンクロライド５００重量部に撹拌
しながら均一に溶解させた後、メチレンクロライドを減
圧留去した。原料として該ポリカーボネート樹脂塊を１
４０℃にて２４時間減圧乾燥したものを粉砕処理した顆
粒状ポリカーボネート樹脂を使用した以外は実施例１と
同様な実験を行った。粘度平均分子量２０１００、Ｔｇ
＝１６８℃であった。

【００９０】実施例２６ ポリカーボネートＡ／ポリカーボネートＰ／ポリカーボ
ネートＺを１／１／１の重量部比でメチレンクロライド
に撹拌しながら均一に溶解させた後、メチレンクロライ
ドを減圧留去した。原料として該ポリカーボネート樹脂
塊を１４０℃にて２４時間減圧乾燥したものを粉砕処理
した顆粒状ポリカーボネート樹脂を使用した以外は実施
例１と同様な実験を行った。粘度平均分子量１９２０
０、Ｔｇ＝１６７℃であった。

【００９１】比較例１ 実施例１において粘度平均分子量８０００、Ｔｇ＝１３
２℃のポリカーボネートＡを使用した以外は、実施例１
と同様にした。本基板は非常に脆く、デュポン法落球試
験値は５２０（ｇｆ／ｃｍ）であった。また該基板は液
晶画面組み上げ工程で反りを生じ、組み上げた液晶画面
には滲みが発生し、低画質の液晶表示素子が得られた。

【００９２】比較例２ 実施例１において粘度平均分子量４５０００、Ｔｇ＝１
７３℃のポリカーボネートＰを使用した以外は、実施例
１と同様にした。複屈折は、平均で３８．４ｎｍと著し
く悪化し、該基板から組み上げた液晶画面には滲みが発
生した。 比較例３ 実施例１において熱プレス処理をオーブン（大気）中で
実施した以外は、実施例１と同様な実験を行った。プレ
ス板からポリカーボネート板が剥がれ難く、剥がす際割
れてしまったため次の工程に進むことが出来なかった。

【００９３】比較例４ 実施例１において熱プレス温度を１９０℃とした以外は
実施例１と同様な実験を行った。複屈折は、平均で９
８．２ｎｍと著しく悪化し、該基板から組み上げた液晶
画面には滲みが発生した。 比較例５ 実施例１において熱プレス温度を３８０℃とした以外は
実施例１と同様な実験を行った。プレス板からポリカー
ボネート板が剥がれ難く、剥がす際割れてしまったため
次の工程に進むことが出来なかった。

【００９４】比較例６ 実施例１において熱プレス圧力を５ｇ／ｃｍ² とした以
外は実施例１と同様な実験を行った。複屈折は、平均で
８０．０ｎｍと著しく悪化し、該基板から組み上げた液
晶画面には滲みが発生した。 比較例７ 実施例１において熱プレス圧力を３０００ｇ／ｃｍ² と
した以外は実施例１と同様な実験を行った。複屈折は、
平均で６０．５ｎｍと著しく悪化し、該基板から組み上
げた液晶画面には滲みが発生した。

【００９５】比較例８ 実施例１において熱プレス処理の際、表面粗さがＲａ＝
０．３μのステンレス板を使用した以外は実施例１と同
様な実験を行った。本基板により組み上げた液晶表示素
子は、色滲みが発生した。また７日後パネル内に黒い点
が数点発生した。 比較例９ 実施例１において、コート液８重量部に対して、エチル
セロソルブ（２−エトキシエタノール）９２重量部を加
えスピンコートし、膜厚０．１６μのコート膜を形成し
た以外は実施例１と同様な実験を行った。耐ＮＭＰ試験
及びアルカリ試験で基板表面に変形が認められ、液晶画
面組み上げ工程へは進めなかった。

【００９６】比較例１０ 実施例１において、バーコーターを使用して約１８．３
μの保護コートを形成した以外は実施例１と同様な実験
を行った。屈曲させるとＩＴＯの抵抗値が６７(Ω／
□）に上昇し、目視でＩＴＯ膜にクラックも観察でき
た。本基板を使用し液晶画面組み上げた所、画面が暗い
ものが得られた。

【００９７】比較例１１ 実施例１と同様な実験から得た熱プレス板を１０ｃｍ角
にカットした後コート膜を形成せず、そのままＳｉＯ₂
をターゲット材料として１１０℃にて２００Åの膜厚で
ＲＦスパッタリングした。次いでＳｉＯ₂ をスパッタリ
ングした面とは反対側の面にもＩＴＯ（ＳｎＯ １０重
量％）を１１０℃にて膜厚１３００Åとなるようスパッ
タリングした。ＩＴＯ膜のシート抵抗値を測定したとこ
ろ、３４．２ (Ω／□）であった。この段階で表面粗さ
を測定したところ、Ｒａ＝０．００５μｍであった。次
いで該基板を耐アルカリ試験後、シート抵抗値を測定し
たところ、７９．７(Ω／□）であり、耐ＮＭＰ試験後
のシート抵抗値は∞（Ω／□）となったため、ＬＣＤ組
み上げ工程には進めなかった。

【００９８】比較例１２ 実施例１においてＳｉＯ₂ 膜上にコート膜を形成しなか
った他は実施例１と同様な実験を行った。酸素ガス透過
量、水蒸気透過量が著しく増加した他に、液晶表示素子
を組み上げたところ、７日後パネル内に黒い点が数点発
生した。 比較例１３ 実施例１においてＳｉＯ₂ を２０Åとなるようにスパッ
タリングした以外は実施例１と同様な実験を行った。液
晶表示素子を組み上げたところ、７日後パネル内に黒い
点が数点発生した。

【００９９】比較例１４ 実施例１において末端ＯＨ量１２００ｐｐｍ、Ｔｇ＝１
５２℃、粘度平均分子量１４３００のポリカーボネート
Ｐを使用した以外は実施例１と同様な実験を行った。熱
プレス処理後、鏡面平板から剥離することが困難であ
り、剥がそうとすると割れてしまい次の工程へは進めな
かった。 比較例１５ 粘度平均分子量１９３００、Ｔｇ１８３℃のポリカーボ
ネートＰをＴダイ付き押出機に投入し、ダイスから押し
出されたシートを表面温度２００℃に調整した冷却ドラ
ム上にキャスティングして、平均厚さ０．１６１ｍｍの
シートを得た。得られたシートにはダイラインによる透
過ムラが僅かに観察された。本シート基板に実施例１と
同様な実験を行って組み上げた液晶画面には滲みが発生
した。

【０１００】比較例１６ 粘度平均分子量１９３００、Ｔｇ１８３℃のポリカーボ
ネートＰを１５重量部をメチレンクロライド８５重量部
に溶解した後、アプリケーターにより鋼板上に流延した
後、溶媒を室温で徐々に乾燥した。残留メチレンクロラ
イドが１０重量％になった後、１２０℃にて残留メチレ
ンクロライドが０．１重量％になるまで乾燥し、９５ミ
クロン厚の透明フィルムを得た。本フィルムを使用して
組み上げた液晶画面には滲みが発生した。

【０１０１】

【表１】

【０１０２】

【表２】

【０１０３】

【表３】

【０１０４】

【表４】

【０１０５】

【表５】

【０１０６】

【表６】

【０１０７】

【表７】

【０１０８】

【表８】

【０１０９】

【表９】

【０１１０】

【表１０】

【０１１１】

【発明の効果】本発明の液晶表示素子は、優れた表面平
坦性及び低複屈折率を有したポリカーボネート樹脂基板
に耐溶剤性、耐薬品性、ガスバリア性、透明導電性膜を
付与しているので、ＬＣＤ基板として優れた性能が得ら
れる。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 JA02 JA06 JA09 JB03 JB13 JD08 JD14 4F100 AA33 AK25 AK45A AK49 AK52 AR00C AR00D AT00B BA03 BA04 BA05 BA07 BA10B BA10C BA10D CA30 EJ20A GB41 JA05A JA07A JA20A JA20B JD02C JG01D JK15A JN01A JN01D JN30 YY00 YY00A YY00B 4J029 AA09 AB07 AC02 AD01 AD07 AD10 AE04 BB13A BD09A BD09C BH02 KB02

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 粘度平均分子量１００００〜３５００
   ０、可視光線の透過率８０％以上及びガラス転移温度１
   ４０℃以上であるポリカーボネート樹脂からなる厚さが
   ０．１０〜２．０ｍｍ及び表面粗さ（Ｒａ）０．１μ以
   下のシート状成形体であって、その両面に厚さ０．３〜
   １５μのコート膜を少なくとも一層有し、且つ少なくと
   も片面に更にガスバリア膜及び／又は透明導電膜を有
   し、その状態における平均リターデーション（Δｎｄ）
   が５ｎｍ以下であることを特徴とする液晶表示素子。
2. 【請求項２】 シート状成形体がポリカーボネート樹脂
   の押出成形体又は射出成形体を不活性ガス雰囲気下又は
   １００ｍｍＨｇ以下の真空下、下記式（１）で表される
   温度Ｔにおいて、表面粗さ（Ｒａ）が０．１μ以下の表
   面を有する金属材料又は無機材料よりなる平面にて上下
   より１０〜１０００（ｇ／ｃｍ² ）の圧力にて熱プレス
   処理して得られたものである請求項１に記載の液晶表示
   素子。 【数１】
3. 【請求項３】 下記（Ａ）ないし（Ｆ）の積層構成から
   なることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示
   素子。 （Ａ）…透明導電膜 厚さ：５０〜３０００Å （Ｂ）…コート膜 厚さ：０．３〜１５μ （Ｃ）…ポリカーボネート樹脂基板 厚さ：０．１０〜２．０ｍｍ （Ｄ）…コート膜 厚さ：０．３〜１５μ （Ｅ）…ガスバリア膜 厚さ：５０〜１０００Å （Ｆ）…コート膜 厚さ：０．３〜１５μ
4. 【請求項４】 下記（Ｇ）ないし（Ｌ）の積層構成から
   なることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示
   素子。 （Ｇ）…透明導電膜 厚さ：５０〜３０００Å （Ｈ）…コート膜 厚さ：０．３〜１５μ （Ｉ）…ガスバリア膜 厚さ：５０〜１０００Å （Ｊ）…コート膜 厚さ：０．３〜１５μ （Ｋ）…ポリカーボネート樹脂基板 厚さ：０．１０〜２．０ｍｍ （Ｌ）…コート膜 厚さ：０．３〜１５μ
5. 【請求項５】 ポリカーボネート樹脂が、２，２−ビス
   （４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
   （４−ヒドロキシフェニル）非置換若しくはメチル置換
   シクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スル
   ホン又は１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）３，
   ３，５−トリメチルシクロヘキサンを全ジオール成分
   中、これらの合計量で５０重量％以上用いたものである
   ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の
   液晶表示素子。
6. 【請求項６】 二価フェノール化合物が１，１−ビス
   （４−ヒドロキシフェニル）３，３，５−トリメチルシ
   クロヘキサンであることを特徴とする請求項５に記載の
   液晶表示素子。
7. 【請求項７】 コート膜がその分子内にアクリル基を１
   〜６個含有する有機アクリレート化合物及び／又はその
   分子内にメタクリル基を１〜６個含有する有機メタクリ
   レート化合物の重合体からなることを特徴とする請求項
   １ないし６のいずれかに記載の液晶表示素子。
8. 【請求項８】 コート膜がシリコーン系硬化物であるこ
   とを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の液
   晶表示素子。
9. 【請求項９】 透明導電膜がインジウムチンオキサイド
   であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに
   記載の液晶表示素子。
10. 【請求項１０】 透明導電膜インジウムチンオキサイド
    製膜時の基板温度が１５０℃以上であることを特徴とす
    る請求項１ないし９のいずれかに記載の液晶表示素子。
11. 【請求項１１】 ガスバリア膜が厚さ５０〜１０００Å
    の酸化珪素膜であることを特徴とする請求項１ないし１
    ０のいずれかに記載の液晶表示素子。
12. 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれかにおけ
    る透明導電膜を除いた層構成の液晶表示素子用ポリカー
    ボネート樹脂基板において、４０℃における９０％ＲＨ
    における水蒸気透過量が２．０ｇ／ｍ² ・２４ｈｒ・ａ
    ｔｍ以下、且つ同条件における酸素ガス透過量が１．０
    ｃｃ／ｍ² ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下であることを特徴と
    する液晶表示素子。
13. 【請求項１３】 透明導電膜の表面抵抗値が４０（Ω／
    □）以下であることを特徴とする請求項１ないし１２の
    いずれかに記載の液晶表示素子。
14. 【請求項１４】 波長５５０ｎｍにおける光線透過率が
    ７５％以上であることを特徴とする請求項１ないし１３
    のいずれかに記載の液晶表示素子。
15. 【請求項１５】 ４０℃において３．５％苛性ソーダ水
    溶液に１０分浸漬後、次いで８５℃においてＮ−メチル
    −２−ピロリドンに１０分接触させた後の透明導電膜の
    表面抵抗値の変化が±１５％以内であることを特徴とす
    る請求項１ないし１４のいずれかに記載の液晶表示素
    子。
16. 【請求項１６】 ポリカーボネート樹脂組成物のＴｇが
    １６０℃以上であることを特徴とする請求項１ないし１
    ５のいずれかに記載の液晶表示素子。
17. 【請求項１７】 ポリカーボネート樹脂組成物のＴｇが
    １８０℃以上であることを特徴とする請求項１ないし１
    ５のいずれかに記載の液晶表示素子。
18. 【請求項１８】 ポリカーボネート樹脂基板の末端ＯＨ
    量が７００ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１
    ないし１７のいずれかに記載の液晶表示素子。