JP2000105939A - 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JP2000105939A JP2000105939A JP10274869A JP27486998A JP2000105939A JP 2000105939 A JP2000105939 A JP 2000105939A JP 10274869 A JP10274869 A JP 10274869A JP 27486998 A JP27486998 A JP 27486998A JP 2000105939 A JP2000105939 A JP 2000105939A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異なる波長のレーザチップを搭載した半導体
レーザ装置は、ピックアップが大型化かつ複雑化する。
また、１つのパッケージ上に水平に２つのレーザチップ
を取り付けると、２つのレーザチップの発光点位置間隔
が大きくなってしまい、ピックアップを作るのが困難で
ある。 【解決手段】 前記複数のレーザチップのうち、少なく
とも１つは、その端面を、そのレーザチップの導波路に
対して、鋭角の角度をつけて形成し、他のレーザチップ
からのレーザ光が、この鋭角の角度を有した端面を反射
鏡として、反射されてから、出射されてなることを特徴
とする。
レーザ装置は、ピックアップが大型化かつ複雑化する。
また、１つのパッケージ上に水平に２つのレーザチップ
を取り付けると、２つのレーザチップの発光点位置間隔
が大きくなってしまい、ピックアップを作るのが困難で
ある。 【解決手段】 前記複数のレーザチップのうち、少なく
とも１つは、その端面を、そのレーザチップの導波路に
対して、鋭角の角度をつけて形成し、他のレーザチップ
からのレーザ光が、この鋭角の角度を有した端面を反射
鏡として、反射されてから、出射されてなることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】光ディスクの記録再生装置用
の光源に関するものであり、特に、ＤＶＤ、ＣＤ−Ｒの
両ディスクの記録再生が可能な記録再生用装置用光源に
関する。
の光源に関するものであり、特に、ＤＶＤ、ＣＤ−Ｒの
両ディスクの記録再生が可能な記録再生用装置用光源に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＶＤを記録再生するには、波長７８０
ｎｍレーザ光では、光をディスク上のピットの大きさま
で絞り込むことができず、波長が６３５ｎｍ又は６５０
ｎｍの半導体レーザを備えた装置が必要である。
ｎｍレーザ光では、光をディスク上のピットの大きさま
で絞り込むことができず、波長が６３５ｎｍ又は６５０
ｎｍの半導体レーザを備えた装置が必要である。
【０００３】一方、ＣＤ−Ｒのディスクに用いられる色
素は、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍのレーザ光では、
反射せずに透過していまい、ディスクを読み取ることが
できない。従って、ＣＤ−Ｒのディスクを記録再生する
には、波長７８０ｎｍの半導体レーザを備えた装置が必
要となる。
素は、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍのレーザ光では、
反射せずに透過していまい、ディスクを読み取ることが
できない。従って、ＣＤ−Ｒのディスクを記録再生する
には、波長７８０ｎｍの半導体レーザを備えた装置が必
要となる。
【０００４】ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ
等、さまざまなディスクが普及している現在では、１つ
の記録再生装置で、すべてのディスクを記録再生するこ
とが必要である。特に、ＣＤ−ＲとＤＶＤとを一つの記
録再生装置で記録、再生することができるようにするた
めには、上記の理由により、波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザと、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの半導体レーザ
の２つを備えた半導体レーザ装置を用いなければならな
い。
等、さまざまなディスクが普及している現在では、１つ
の記録再生装置で、すべてのディスクを記録再生するこ
とが必要である。特に、ＣＤ−ＲとＤＶＤとを一つの記
録再生装置で記録、再生することができるようにするた
めには、上記の理由により、波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザと、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの半導体レーザ
の２つを備えた半導体レーザ装置を用いなければならな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＤＶＤとＣＤ−Ｒを一
つの記録再生装置で、記録再生するには、現在では、波
長７８０ｎｍの半導体レーザと、波長６３５ｎｍ又は６
５０ｎｍの半導体レーザの２つを備えた半導体レーザ装
置を使用して、ピックアップを作らねばならず、ピック
アップが大型且つ複雑なものになる。
つの記録再生装置で、記録再生するには、現在では、波
長７８０ｎｍの半導体レーザと、波長６３５ｎｍ又は６
５０ｎｍの半導体レーザの２つを備えた半導体レーザ装
置を使用して、ピックアップを作らねばならず、ピック
アップが大型且つ複雑なものになる。
【０００６】また、波長７８０ｎｍの半導体レーザチッ
プと、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの半導体レーザチ
ップの２つを、１つのパッケージ上に水平方向に取り付
けた半導体レーザ装置が提案されているが、これはレー
ザチップ幅やサブマウント幅の影響を受け、２つのレー
ザチップの発光点位置間隔が大きくなってしまうため、
ピックアップを作るのが今案であり、また、たとえ作れ
たとしてもさまざまな制約がある。
プと、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの半導体レーザチ
ップの２つを、１つのパッケージ上に水平方向に取り付
けた半導体レーザ装置が提案されているが、これはレー
ザチップ幅やサブマウント幅の影響を受け、２つのレー
ザチップの発光点位置間隔が大きくなってしまうため、
ピックアップを作るのが今案であり、また、たとえ作れ
たとしてもさまざまな制約がある。
【０００７】本発明は、ＤＶＤとＣＤ−Ｒとを一つの記
録再生装置で、記録、再生するためのピックアップにお
いて、１つのパッケージの半導体レーザ装置を用いて２
つのレーザ光を出射することができ、ピックアップを容
易に小型化、単純化することを目的としている。
録再生装置で、記録、再生するためのピックアップにお
いて、１つのパッケージの半導体レーザ装置を用いて２
つのレーザ光を出射することができ、ピックアップを容
易に小型化、単純化することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）に係
る半導体レーザ装置は、異なる波長を有する複数のレー
ザチップを、１パッケージに搭載した半導体レーザ装置
において、前記レーザチップが、光学系からみて、その
光軸が近接するよう搭載されてなることによって、上記
の目的を達成する。
る半導体レーザ装置は、異なる波長を有する複数のレー
ザチップを、１パッケージに搭載した半導体レーザ装置
において、前記レーザチップが、光学系からみて、その
光軸が近接するよう搭載されてなることによって、上記
の目的を達成する。
【０００９】本発明（請求項２）に係る半導体レーザ装
置は、前記レーザチップが、光学系からみて、その光軸
が、合わさるように搭載されてなることによって、上記
の目的を達成する。
置は、前記レーザチップが、光学系からみて、その光軸
が、合わさるように搭載されてなることによって、上記
の目的を達成する。
【００１０】本発明（請求項３）に係る半導体レーザ装
置は、前記レーザチップが、光学系からみて、その光軸
間の距離を１６０μｍ以下に合わせるように搭載されて
なることによって、上記の目的を達成する 本発明（請求項４）に係る半導体レーザ装置は、前記複
数のレーザチップのうち、少なくとも１つが、その端面
を、そのレーザチップの導波路に対して、鋭角の角度を
つけて形成し、他のレーザチップからのレーザ光が、こ
の鋭角の角度を有した端面を反射鏡として、反射されて
から、出射されてなることによって、上記の目的を達成
する。
置は、前記レーザチップが、光学系からみて、その光軸
間の距離を１６０μｍ以下に合わせるように搭載されて
なることによって、上記の目的を達成する 本発明（請求項４）に係る半導体レーザ装置は、前記複
数のレーザチップのうち、少なくとも１つが、その端面
を、そのレーザチップの導波路に対して、鋭角の角度を
つけて形成し、他のレーザチップからのレーザ光が、こ
の鋭角の角度を有した端面を反射鏡として、反射されて
から、出射されてなることによって、上記の目的を達成
する。
【００１１】本発明（請求項５）に係る半導体レーザ装
置は、前記鋭角の角度をつけて形成された端面が、自ら
の発振波長に対しては透明であり、かつ他の波長に対し
ては反射する膜でコートされてなることによって、上記
の目的を達成する。
置は、前記鋭角の角度をつけて形成された端面が、自ら
の発振波長に対しては透明であり、かつ他の波長に対し
ては反射する膜でコートされてなることによって、上記
の目的を達成する。
【００１２】本発明（請求項６）に係る半導体レーザ装
置は、前記複数のレーザチップのうち、少なくとも１つ
が、その端面を、そのレーザチップの導波路と異なる領
域のみが、鋭角の角度をつけて形成され、前記鋭角の角
度をつけた領域が、反射鏡として利用可能な、鏡面処理
を施してなり、かつ、そのレーザチップの導波路端面は
劈開されてなることによって、上記の目的を達成する。
置は、前記複数のレーザチップのうち、少なくとも１つ
が、その端面を、そのレーザチップの導波路と異なる領
域のみが、鋭角の角度をつけて形成され、前記鋭角の角
度をつけた領域が、反射鏡として利用可能な、鏡面処理
を施してなり、かつ、そのレーザチップの導波路端面は
劈開されてなることによって、上記の目的を達成する。
【００１３】本発明（請求項７）に係る半導体レーザ装
置の製造方法は、請求項６に記載の半導体レーザ装置を
製造する際、反射鏡として利用可能な、鏡面処理を施し
た後、レーザチップの導波路端面を劈開してなることに
よって、上記の目的を達成する 以下、本発明の作用を
記載する。
置の製造方法は、請求項６に記載の半導体レーザ装置を
製造する際、反射鏡として利用可能な、鏡面処理を施し
た後、レーザチップの導波路端面を劈開してなることに
よって、上記の目的を達成する 以下、本発明の作用を
記載する。
【００１４】本発明においては、波長７８０ｎｍの半導
体レーザチップと、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの半
導体レーザチップが、光学系から見て、光軸を合わせる
ように、又は、光軸間の距離を１６０μｍ以下に合わせ
るように、１つのパッケージに搭載されているため、１
つのパッケージの半導体レーザ装置を用いるだけで、Ｄ
ＶＤとＣＤ−Ｒとを１つの記録再生装置で記録再生する
ことができ、ピックアップを容易に小型化、単純化する
ことができる。
体レーザチップと、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの半
導体レーザチップが、光学系から見て、光軸を合わせる
ように、又は、光軸間の距離を１６０μｍ以下に合わせ
るように、１つのパッケージに搭載されているため、１
つのパッケージの半導体レーザ装置を用いるだけで、Ｄ
ＶＤとＣＤ−Ｒとを１つの記録再生装置で記録再生する
ことができ、ピックアップを容易に小型化、単純化する
ことができる。
【００１５】また、パッケージ内に余分な光学部品を設
置する必要がなく、部品数の低減と共に、アセンブリの
簡素化を実現する。
置する必要がなく、部品数の低減と共に、アセンブリの
簡素化を実現する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施例を図示
により説明する。
により説明する。
【００１７】図１はサブマウント３上の、２つのレーザ
チップの配置図を示す。レーザチップ１は、前端面を、
導波路１６に対して鋭角の角度をつけて形成し、その前
端面を、自らの発振波長に対しては透明で、他の波長に
対しては反射する膜で端面コートしたレーザチップであ
る。レーザチップ２は、レーザチップ１と異なる波長で
発振するレーザチップである。
チップの配置図を示す。レーザチップ１は、前端面を、
導波路１６に対して鋭角の角度をつけて形成し、その前
端面を、自らの発振波長に対しては透明で、他の波長に
対しては反射する膜で端面コートしたレーザチップであ
る。レーザチップ２は、レーザチップ１と異なる波長で
発振するレーザチップである。
【００１８】まず、サブマウント３上に、レーザチップ
１をダイボンドする。次にレーザチップ２のレーザ光１
９をレーザチップ１の前端面で反射するようにダイボン
ドを行う。このとき、レーザチップ２のレーザ光の光軸
１９を、レーザチップ１のレーザ光の光軸１８と一致す
るようにダイボンドすることにより、光学系からみて、
光軸を合わせることが可能になる。
１をダイボンドする。次にレーザチップ２のレーザ光１
９をレーザチップ１の前端面で反射するようにダイボン
ドを行う。このとき、レーザチップ２のレーザ光の光軸
１９を、レーザチップ１のレーザ光の光軸１８と一致す
るようにダイボンドすることにより、光学系からみて、
光軸を合わせることが可能になる。
【００１９】図２に半導体レーザ装置の概略図を示す。
この図においては、わかりやすくするために、導波路１
６、１７、レーザ光の光軸１８、１９は省略している。
ステム４の素子付け面にサブマウント３を介して、レー
ザチップ１とレーザチップ２とが取り付けられている。
レーザチップ１は、Ａｕワイヤ線６により、リードピン
９に、レーザチップ２は、Ａｕワイヤ線７により、リー
ドピン１０に、それぞれ電気的に接続されている。
この図においては、わかりやすくするために、導波路１
６、１７、レーザ光の光軸１８、１９は省略している。
ステム４の素子付け面にサブマウント３を介して、レー
ザチップ１とレーザチップ２とが取り付けられている。
レーザチップ１は、Ａｕワイヤ線６により、リードピン
９に、レーザチップ２は、Ａｕワイヤ線７により、リー
ドピン１０に、それぞれ電気的に接続されている。
【００２０】ステム４には光出力モニタ用ホトダイオー
ド５が取り付けられており、該光出力モニタ用ホトダイ
オード５は、Ａｕワイヤ線８により、リードピン１１に
電気的に接続されている。ステム４上のリードピン９、
１０、１１は、リードピン周りの絶縁材１３、１４、１
５により、ステム４とは電気的に絶縁されている。ステ
ム４上のリードピン１２は、ステムと接続されている。
ド５が取り付けられており、該光出力モニタ用ホトダイ
オード５は、Ａｕワイヤ線８により、リードピン１１に
電気的に接続されている。ステム４上のリードピン９、
１０、１１は、リードピン周りの絶縁材１３、１４、１
５により、ステム４とは電気的に絶縁されている。ステ
ム４上のリードピン１２は、ステムと接続されている。
【００２１】図３は、本発明の半導体レーザ装置の製造
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【００２２】以上のごとく、本発明により、波長の異な
る複数個のレーザチップを１パッケージに、光学系から
みて、光軸を合わせるように、搭載することが可能とな
る。
る複数個のレーザチップを１パッケージに、光学系から
みて、光軸を合わせるように、搭載することが可能とな
る。
【００２３】次に本発明の他の実施例を図示により説明
する。
する。
【００２４】図４に、反射鏡として利用可能な鏡面処理
を施した面を持つレーザチップ１０１のを示す。レーザ
チップ１０１の導波路１１６に対して、鋭角の角度を持
つ面１２０を形成する。導波路１１６に対して鋭角の角
度を持つ面１２０に、鏡面処理を行い、反射鏡として利
用できる面１２０に加工する。その後不要部分１２１を
劈開により除去することにより、前端面１２２を形成す
る。これによって、前端面１２２は、鏡面処理の影響を
受けず、発光点が塞がれることを回避できる。
を施した面を持つレーザチップ１０１のを示す。レーザ
チップ１０１の導波路１１６に対して、鋭角の角度を持
つ面１２０を形成する。導波路１１６に対して鋭角の角
度を持つ面１２０に、鏡面処理を行い、反射鏡として利
用できる面１２０に加工する。その後不要部分１２１を
劈開により除去することにより、前端面１２２を形成す
る。これによって、前端面１２２は、鏡面処理の影響を
受けず、発光点が塞がれることを回避できる。
【００２５】図５にサブマウント１０３上の、２つのレ
ーザチップの配置図を示す。レーザチップ１０１は、レ
ーザチップ１０１の導波路１１６と鋭角の、ある角度を
持って形成された、鏡面処理を施した面１２０をもつレ
ーザチップである。レーザチップ１０２は、レーザチッ
プ１０１と異なる波長で発振するレーザチップである。
ーザチップの配置図を示す。レーザチップ１０１は、レ
ーザチップ１０１の導波路１１６と鋭角の、ある角度を
持って形成された、鏡面処理を施した面１２０をもつレ
ーザチップである。レーザチップ１０２は、レーザチッ
プ１０１と異なる波長で発振するレーザチップである。
【００２６】まず、サブマウント１０３上に、レーザチ
ップ１０１をダイボンドする。次にレーザチップ１０２
のレーザ光１１９をレーザチップ１０１の鏡面処理を施
した面１２０で反射するようにダイボンドを行う。この
とき、レーザチップ１０１のレーザ光の光軸１１９を、
レーザチップ１０１のレーザ光の光軸１１８を平行とな
るようにダイボンドすることにより、光学系からみて、
光軸の距離を１６０μｍ以下に合わせることを実現す
る。
ップ１０１をダイボンドする。次にレーザチップ１０２
のレーザ光１１９をレーザチップ１０１の鏡面処理を施
した面１２０で反射するようにダイボンドを行う。この
とき、レーザチップ１０１のレーザ光の光軸１１９を、
レーザチップ１０１のレーザ光の光軸１１８を平行とな
るようにダイボンドすることにより、光学系からみて、
光軸の距離を１６０μｍ以下に合わせることを実現す
る。
【００２７】これらのレーザチップを配置した構成は、
最初の実施例の図２に示したものと大差ないので、ここ
では省略する。
最初の実施例の図２に示したものと大差ないので、ここ
では省略する。
【００２８】本発明の他の実施例の半導体レーザ装置の
製造方法を示すフローチャートは、最初の実施例の図３
に示すフローチャートと大差ないので、ここでは省略す
る。
製造方法を示すフローチャートは、最初の実施例の図３
に示すフローチャートと大差ないので、ここでは省略す
る。
【００２９】以上のごとく、本発明により、波長の異な
る複数個のレーザチップを１パッケージに、光学系から
みて、光軸間の距離を１６０μｍ以下に合わせるように
搭載することが可能となる。
る複数個のレーザチップを１パッケージに、光学系から
みて、光軸間の距離を１６０μｍ以下に合わせるように
搭載することが可能となる。
【００３０】
【発明の効果】本発明においては、波長７８０ｎｍの半
導体レーザチップと、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの
半導体レーザチップとが、光学系からみて光軸を近接し
て、具体的には、光軸を合わせるように、又は、光軸間
の距離を１６０μｍ以下に合わせるように、配置され
て、１パッケージに搭載されているため、１つのパッケ
ージの半導体レーザ装置を用いるだけで、ＤＶＤとＣＤ
−Ｒとを１つの記録再生装置で、記録、再生することが
可能となり、ピックアップを小型化、単純化することが
可能となる。
導体レーザチップと、波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの
半導体レーザチップとが、光学系からみて光軸を近接し
て、具体的には、光軸を合わせるように、又は、光軸間
の距離を１６０μｍ以下に合わせるように、配置され
て、１パッケージに搭載されているため、１つのパッケ
ージの半導体レーザ装置を用いるだけで、ＤＶＤとＣＤ
−Ｒとを１つの記録再生装置で、記録、再生することが
可能となり、ピックアップを小型化、単純化することが
可能となる。
【図１】本発明の１実施例に係る半導体レーザ装置のレ
ーザチップ配置を示す図である。
ーザチップ配置を示す図である。
【図２】本発明の１実施例に係る半導体レーザ装置の斜
視図である。
視図である。
【図３】本発明の１実施例に係る半導体レーザ装置の製
造方法のフローチャートである。
造方法のフローチャートである。
【図４】本発明の他の実施例に係るのレーザチップの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図５】本発明の他の実施例に係る半導体レーザ装置の
レーザチップの配置を示す図である。
レーザチップの配置を示す図である。
１、２、１０１、１０２ 半導体レーザチップ ３ １０３ サブマウント ４ １０４ ステム ５ 光出力モニタ用ホトダイオード ６、７、８ Ａｕワイヤ線 ９、１０、１１、１２ リードピン １３、１４、１５ 絶縁材 １６、１７、１１６、１１７ 導波路 １８、１９、１１８、１１９ レーザ光の光軸 １２０ 端面 １２２ 後端面
Claims (7)
- 【請求項１】 異なる波長を有する複数のレーザチップ
を、１パッケージに搭載した半導体レーザ装置におい
て、前記レーザチップは、光学系からみて、その光軸が
近接するよう搭載されてなることを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項２】 前記レーザチップは、光学系からみて、
その光軸が、合わさるように搭載されてなることを特徴
とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記レーザチップは、光学系からみて、
その光軸間の距離を１６０μｍ以下に合わせるように搭
載されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体
レーザ装置。 - 【請求項４】 前記複数のレーザチップのうち、少なく
とも１つは、その端面を、そのレーザチップの導波路に
対して、鋭角の角度をつけて形成し、他のレーザチップ
からのレーザ光が、この鋭角の角度を有した端面を反射
鏡として、反射されてから、出射されてなることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項５】 前記鋭角の角度をつけて形成された端面
は、自らの発振波長に対しては透明であり、かつ他の波
長に対しては反射する膜でコートされてなることを特徴
とする請求項４に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記複数のレーザチップのうち、少なく
とも１つは、その端面を、そのレーザチップの導波路と
異なる領域のみが、鋭角の角度をつけて形成され、 前記鋭角の角度をつけた領域は、反射鏡として利用可能
な、鏡面処理を施してなり、かつ、そのレーザチップの
導波路端面は劈開されてなることを特徴とする請求項４
に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の半導体レーザ装置を製
造する際、反射鏡として利用可能な、鏡面処理を施した
後、 レーザチップの導波路端面を劈開してなることを特徴と
する半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27486998A JP3451021B2 (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27486998A JP3451021B2 (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000105939A true JP2000105939A (ja) | 2000-04-11 |
| JP3451021B2 JP3451021B2 (ja) | 2003-09-29 |
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ID=17547704
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27486998A Expired - Fee Related JP3451021B2 (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3451021B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
-
1998
- 1998-09-29 JP JP27486998A patent/JP3451021B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3451021B2 (ja) | 2003-09-29 |
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