JP2000138421A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異なる波長を有するレーザ光の発光点間隔を
１００μｍ以下にする。 【解決手段】 複数の半導体レーザチップを単一のパッ
ケージ内に備え、複数のレーザ光を単一のパッケージか
ら選択的に取り出す半導体レーザ装置であって、少なく
とも１つの半導体レーザチップから出射するレーザ光
が、他の半導体レーザチップの少なくとも１つを通過し
てパッケージ外に取り出されてなることを特徴とする
１００μｍ以下にする。 【解決手段】 複数の半導体レーザチップを単一のパッ
ケージ内に備え、複数のレーザ光を単一のパッケージか
ら選択的に取り出す半導体レーザ装置であって、少なく
とも１つの半導体レーザチップから出射するレーザ光
が、他の半導体レーザチップの少なくとも１つを通過し
てパッケージ外に取り出されてなることを特徴とする
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体の再生・
記録に使用する半導体レーザ装置に関するものである。
更に詳しくは、種類の異なる光記録媒体の再生・記録を
行うことの可能な半導体レーザ装置に関するものであ
る。
記録に使用する半導体レーザ装置に関するものである。
更に詳しくは、種類の異なる光記録媒体の再生・記録を
行うことの可能な半導体レーザ装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、光記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇ
ｉｔａｌ Ｖｉｄｅｏ Ｄｉｓｃ）が開発され、ＤＶＤ
用半導体レーザ素子として、６３５〜６８０ｎｍのレー
ザ光を発する半導体レーザが市販されている。また、次
世代のパーソナルコンピュータとして、ＤＶＤ−ＲＯＭ
・ＤＶＤ−ＲＡＭ装置を搭載したコンピュータの普及が
待たれている。しかし、ＤＶＤ−ＲＯＭ・ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍの再生・記録装置は、現在既に一般的なものとなって
いるＣＤ−ＲＯＭ・ＣＤ−Ｒの再生・記録（少なくとも
再生）が可能なものでなければならない。
ｉｔａｌ Ｖｉｄｅｏ Ｄｉｓｃ）が開発され、ＤＶＤ
用半導体レーザ素子として、６３５〜６８０ｎｍのレー
ザ光を発する半導体レーザが市販されている。また、次
世代のパーソナルコンピュータとして、ＤＶＤ−ＲＯＭ
・ＤＶＤ−ＲＡＭ装置を搭載したコンピュータの普及が
待たれている。しかし、ＤＶＤ−ＲＯＭ・ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍの再生・記録装置は、現在既に一般的なものとなって
いるＣＤ−ＲＯＭ・ＣＤ−Ｒの再生・記録（少なくとも
再生）が可能なものでなければならない。
【０００３】この際、ＤＶＤ−ＲＯＭ・ＤＶＤ−ＲＡＭ
の再生・記録には、６３５〜６８０ｎｍのレーザ光を発
する半導体レーザ（以下６５０ｎｍ帯レーザと記す）を
使用する必要があるが、この６５０ｎｍ帯レーザによる
ＣＤ−ＲＯＭの再生は可能である。しかし、６５０ｎｍ
帯レーザ光は、ＣＤ−Ｒの記録媒体である色素によって
殆ど吸収されてしまうため、ＣＤ−Ｒの再生・記録には
別に７８０〜７９０ｎｍレーザ光を発する半導体レーザ
（以下７８０ｎｍ帯レーザと記す）が必要となってく
る。
の再生・記録には、６３５〜６８０ｎｍのレーザ光を発
する半導体レーザ（以下６５０ｎｍ帯レーザと記す）を
使用する必要があるが、この６５０ｎｍ帯レーザによる
ＣＤ−ＲＯＭの再生は可能である。しかし、６５０ｎｍ
帯レーザ光は、ＣＤ−Ｒの記録媒体である色素によって
殆ど吸収されてしまうため、ＣＤ−Ｒの再生・記録には
別に７８０〜７９０ｎｍレーザ光を発する半導体レーザ
（以下７８０ｎｍ帯レーザと記す）が必要となってく
る。
【０００４】従って、従来のＤＶＤ−ＲＯＭ・ＤＶＤ−
ＲＡＭの再生・記録装置は、６５０ｎｍ帯レーザ用パッ
ケージと７８０ｎｍ帯レーザ用パッケージとを別個に準
備し、それぞれに光学系を用意するという構成が大多数
であった。このような構成では、ピックアップの小型化
が困難でノート型コンピュータには搭載不可能であっ
た。
ＲＡＭの再生・記録装置は、６５０ｎｍ帯レーザ用パッ
ケージと７８０ｎｍ帯レーザ用パッケージとを別個に準
備し、それぞれに光学系を用意するという構成が大多数
であった。このような構成では、ピックアップの小型化
が困難でノート型コンピュータには搭載不可能であっ
た。
【０００５】６５０ｎｍ帯レーザチップと７８０ｎｍ帯
レーザチップを同一のパッケージ内に収めることによっ
て、光学系の共通化、ピックアップの小型化が初めて可
能となる。
レーザチップを同一のパッケージ内に収めることによっ
て、光学系の共通化、ピックアップの小型化が初めて可
能となる。
【０００６】図４（ａ）にこのような２つのレーザチッ
プを１つのパッケージに実装した半導体レーザ装置の例
を示す。ステム１０１上にサブマウント１０２を介して
６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３と７８０ｎｍ帯レーザ
チップ１０４が並列にダイボンドされており、それぞれ
金線１０５，１０６によりレーザリードピン１０７，１
０８に接続されている。１０９、１１０は、それぞれ６
５０ｎｍ帯レーザチップ１０３、７８０ｎｍ帯レーザチ
ップ１０４のレーザ光の発光点を表わす。
プを１つのパッケージに実装した半導体レーザ装置の例
を示す。ステム１０１上にサブマウント１０２を介して
６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３と７８０ｎｍ帯レーザ
チップ１０４が並列にダイボンドされており、それぞれ
金線１０５，１０６によりレーザリードピン１０７，１
０８に接続されている。１０９、１１０は、それぞれ６
５０ｎｍ帯レーザチップ１０３、７８０ｎｍ帯レーザチ
ップ１０４のレーザ光の発光点を表わす。
【０００７】レーザチップ部分の上面拡大図を図４
（ｂ）に示す。レーザチップの横幅は通常２５０〜３０
０μｍであり、レーザ光はレーザチップの中央近辺から
出射されることから考えると、６５０ｎｍ帯レーザチッ
プ１０３の発光点１０９と７８０ｎｍ帯レーザチップ１
０４の発光点１１０との距離は約３００〜５００μｍ程
度であり、当然のこととして出射されるレーザビーム間
の距離も約３００〜５００μｍ程度となる。
（ｂ）に示す。レーザチップの横幅は通常２５０〜３０
０μｍであり、レーザ光はレーザチップの中央近辺から
出射されることから考えると、６５０ｎｍ帯レーザチッ
プ１０３の発光点１０９と７８０ｎｍ帯レーザチップ１
０４の発光点１１０との距離は約３００〜５００μｍ程
度であり、当然のこととして出射されるレーザビーム間
の距離も約３００〜５００μｍ程度となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、同一パ
ッケージ内とはいえ、６５０ｎｍ帯レーザ光と７８０ｎ
ｍ帯レーザ光が約３００〜５００μｍも離れている場合
には、それぞれのレーザ光にとって、レンズ等による収
差のない共通な光学系を設計することが非常に困難なも
のとなる。光学系の共通化の観点からレーザビーム間距
離を考察すると、その許容値は２００μｍ以下できれば
１００μｍ以下が望ましい。
ッケージ内とはいえ、６５０ｎｍ帯レーザ光と７８０ｎ
ｍ帯レーザ光が約３００〜５００μｍも離れている場合
には、それぞれのレーザ光にとって、レンズ等による収
差のない共通な光学系を設計することが非常に困難なも
のとなる。光学系の共通化の観点からレーザビーム間距
離を考察すると、その許容値は２００μｍ以下できれば
１００μｍ以下が望ましい。
【０００９】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たもので、６５０ｎｍ帯レーザチップと７８０ｎｍ帯レ
ーザチップを縦列に配置し、一方のレーザ光は他方のレ
ーザチップ内を通過した後取り出すという手法をとるこ
とによって、レーザチップの横幅という制限をなくし、
レーザビーム間距離を短縮することを目的とする。
たもので、６５０ｎｍ帯レーザチップと７８０ｎｍ帯レ
ーザチップを縦列に配置し、一方のレーザ光は他方のレ
ーザチップ内を通過した後取り出すという手法をとるこ
とによって、レーザチップの横幅という制限をなくし、
レーザビーム間距離を短縮することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
係る半導体レーザ装置は、複数の半導体レーザチップを
単一のパッケージ内に備え、複数のレーザ光を単一のパ
ッケージから選択的に取り出す半導体レーザ装置であっ
て、少なくとも１つの半導体レーザチップから出射する
レーザ光が、他の半導体レーザチップの少なくとも１つ
を通過してパッケージ外に取り出されてなることによっ
て上記の目的を達成する。
係る半導体レーザ装置は、複数の半導体レーザチップを
単一のパッケージ内に備え、複数のレーザ光を単一のパ
ッケージから選択的に取り出す半導体レーザ装置であっ
て、少なくとも１つの半導体レーザチップから出射する
レーザ光が、他の半導体レーザチップの少なくとも１つ
を通過してパッケージ外に取り出されてなることによっ
て上記の目的を達成する。
【００１１】これにより、外見上１つの半導体レーザチ
ップから複数のレーザ光が出射されることとなり、レー
ザ光間隔を短くすることが可能となる。
ップから複数のレーザ光が出射されることとなり、レー
ザ光間隔を短くすることが可能となる。
【００１２】この発明（請求項２）に係る半導体レーザ
装置は、請求項１に記載の半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザチップのレーザ光が通過する領域が、
通過するレーザ光に対して透明な材料で構成されてなる
ことによって、上記の目的を達成する。
装置は、請求項１に記載の半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザチップのレーザ光が通過する領域が、
通過するレーザ光に対して透明な材料で構成されてなる
ことによって、上記の目的を達成する。
【００１３】このように、半導体レーザチップのレーザ
光が通過する領域を、通過するレーザ光に対して透明な
材料、即ち、そのレーザ光を吸収しない材料で構成する
ことにより、通過光の吸収による減衰を防止することが
可能となる。
光が通過する領域を、通過するレーザ光に対して透明な
材料、即ち、そのレーザ光を吸収しない材料で構成する
ことにより、通過光の吸収による減衰を防止することが
可能となる。
【００１４】この発明（請求項３）に係る半導体レーザ
装置は、請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置であ
って、前記半導体レーザチップのレーザ光が通過する領
域が、導波機構を備えてなることによって上記の目的を
達成する。
装置は、請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置であ
って、前記半導体レーザチップのレーザ光が通過する領
域が、導波機構を備えてなることによって上記の目的を
達成する。
【００１５】このように、半導体レーザチップのレーザ
光が通過する領域に、導波機構を備えることにより、レ
ーザ光の拡散を防止することが可能となる。
光が通過する領域に、導波機構を備えることにより、レ
ーザ光の拡散を防止することが可能となる。
【００１６】この発明（請求項４）に係る半導体レーザ
装置は、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体レー
ザ装置であって、前記レーザ光が通過する半導体レーザ
チップが、そのレーザ光の入射及び出射端面領域に、入
射するレーザ光に対してより反射率が低い端面コートが
施されてなることによって上記の目的を達成する。
装置は、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体レー
ザ装置であって、前記レーザ光が通過する半導体レーザ
チップが、そのレーザ光の入射及び出射端面領域に、入
射するレーザ光に対してより反射率が低い端面コートが
施されてなることによって上記の目的を達成する。
【００１７】このように、レーザ光が通過する半導体レ
ーザチップのレーザ光の入射及び出射端面領域に、入射
するレーザ光にとって反射率が低くなるような端面コー
トが施されていることにより、レーザ光が効率良く半導
体レーザチップに入射することが可能となる。
ーザチップのレーザ光の入射及び出射端面領域に、入射
するレーザ光にとって反射率が低くなるような端面コー
トが施されていることにより、レーザ光が効率良く半導
体レーザチップに入射することが可能となる。
【００１８】この発明（請求項５）に係る半導体レーザ
装置は、請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体レー
ザ装置であって、前記複数の半導体レーザチップが、単
一パッケージ内のレーザ光の進行方向に対し縦列に配置
され、後方に配置された半導体レーザチップから出射さ
れたレーザ光が、前方に配置された半導体レーザチップ
の内部を通過した後、パッケージから出射されてなるこ
とによって上記の目的を達成する。
装置は、請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体レー
ザ装置であって、前記複数の半導体レーザチップが、単
一パッケージ内のレーザ光の進行方向に対し縦列に配置
され、後方に配置された半導体レーザチップから出射さ
れたレーザ光が、前方に配置された半導体レーザチップ
の内部を通過した後、パッケージから出射されてなるこ
とによって上記の目的を達成する。
【００１９】これにより、外見上１つの半導体レーザチ
ップから複数のレーザ光が出射されることとなり、レー
ザ光間隔をより短くすることが可能となる。
ップから複数のレーザ光が出射されることとなり、レー
ザ光間隔をより短くすることが可能となる。
【００２０】この発明（請求項６）に係る半導体レーザ
装置は、請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体レー
ザ装置であって、前記レーザ光が通過する半導体レーザ
チップから出射されるレーザ光の波長が、通過するレー
ザ光の波長より短いことによって上記の目的を達成す
る。
装置は、請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体レー
ザ装置であって、前記レーザ光が通過する半導体レーザ
チップから出射されるレーザ光の波長が、通過するレー
ザ光の波長より短いことによって上記の目的を達成す
る。
【００２１】このように、レーザ光が通過する半導体レ
ーザチップから出射されるレーザ光の波長が、通過する
レーザ光の波長より短いことにより、材料的に、通過す
るレーザ光の吸収がない構成をとることが容易となる。
ーザチップから出射されるレーザ光の波長が、通過する
レーザ光の波長より短いことにより、材料的に、通過す
るレーザ光の吸収がない構成をとることが容易となる。
【００２２】この発明（請求項７）に係る半導体レーザ
装置は、請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体レー
ザ装置であって、前記１つの半導体レーザチップのレー
ザ発振用導波路を、他の半導体レーザチップから出射さ
れたレーザ光が通過してなることによって上記の目的を
達成する。
装置は、請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体レー
ザ装置であって、前記１つの半導体レーザチップのレー
ザ発振用導波路を、他の半導体レーザチップから出射さ
れたレーザ光が通過してなることによって上記の目的を
達成する。
【００２３】このとき、通過するレーザ光のスポット
は、導波路位置に限りなく一致していることが望ましい
が、導波路の大きさに対して、３分の１から４分の１程
度のずれは許容範囲として、認められる。
は、導波路位置に限りなく一致していることが望ましい
が、導波路の大きさに対して、３分の１から４分の１程
度のずれは許容範囲として、認められる。
【００２４】このように、１つの半導体レーザチップの
レーザ発振用導波路を、他の半導体レーザチップから出
射されたレーザ光が通過することにより、通過するレー
ザ光のための導波路を別個に形成する必要がなく構成が
簡単になるとともに、複数のレーザ光がほぼ同一の発光
点から出射されることとなる。
レーザ発振用導波路を、他の半導体レーザチップから出
射されたレーザ光が通過することにより、通過するレー
ザ光のための導波路を別個に形成する必要がなく構成が
簡単になるとともに、複数のレーザ光がほぼ同一の発光
点から出射されることとなる。
【００２５】本発明においては、異なる波長のレーザ光
の間隔は、一致しているか、離れている場合は、５０μ
ｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
の間隔は、一致しているか、離れている場合は、５０μ
ｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００２６】また、搭載される半導体レーザチップの差
は３０ｎｍ以上あることが原理上好ましい。
は３０ｎｍ以上あることが原理上好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施例を図１
（ａ），（ｂ）を参照して説明する。図１（ａ）は半導
体レーザ装置の概略図を示したもので、ステム１０１上
にサブマウント１０２を介して６５０ｎｍ帯レーザチッ
プ１０３と７８０ｎｍ帯レーザチップ１０４が縦列にダ
イボンドされており、それぞれ金線１０５，１０６によ
りレーザリードピン１０７，１０８に接続されている。
（ａ），（ｂ）を参照して説明する。図１（ａ）は半導
体レーザ装置の概略図を示したもので、ステム１０１上
にサブマウント１０２を介して６５０ｎｍ帯レーザチッ
プ１０３と７８０ｎｍ帯レーザチップ１０４が縦列にダ
イボンドされており、それぞれ金線１０５，１０６によ
りレーザリードピン１０７，１０８に接続されている。
【００２８】従来例との大きな相違点は、６５０ｎｍ帯
レーザチップ１０３が７８０ｎｍ帯レーザチップ１０４
の前方にダイボンドされている点で、７８０ｎｍ帯レー
ザチップ１０４から出射されたレーザ光は一旦６５０ｎ
ｍ帯レーザチップ１０３に入射し、６５０ｎｍ帯レーザ
チップ１０３の領域１１１を通過した後にパッケージよ
り取り出される。つまり、６５０ｎｍ帯レーザチップ１
０３からは、６５０ｎｍ帯レーザ光と７８０ｎｍ帯レー
ザ光の２つが出射することとなる。その様子を、レーザ
チップ部分の上方からの拡大図を図１（ｂ）に示す。こ
の場合、２つのレーザビーム間の距離は、レーザチップ
の横幅という制限要素がなくなり、約５０〜１００μｍ
程度とすることが可能となる。
レーザチップ１０３が７８０ｎｍ帯レーザチップ１０４
の前方にダイボンドされている点で、７８０ｎｍ帯レー
ザチップ１０４から出射されたレーザ光は一旦６５０ｎ
ｍ帯レーザチップ１０３に入射し、６５０ｎｍ帯レーザ
チップ１０３の領域１１１を通過した後にパッケージよ
り取り出される。つまり、６５０ｎｍ帯レーザチップ１
０３からは、６５０ｎｍ帯レーザ光と７８０ｎｍ帯レー
ザ光の２つが出射することとなる。その様子を、レーザ
チップ部分の上方からの拡大図を図１（ｂ）に示す。こ
の場合、２つのレーザビーム間の距離は、レーザチップ
の横幅という制限要素がなくなり、約５０〜１００μｍ
程度とすることが可能となる。
【００２９】６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３の７８０
ｎｍ帯レーザ光が通過する領域１１１を７８０ｎｍ帯レ
ーザ光にとって透明な材質によって形成することによっ
て、７８０ｎｍ帯レーザ光の吸収による減衰を防止する
ことができる。例えば、６５０ｎｍ帯レーザ光を発生す
るためのＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ系材料は７８０ｎ
ｍ帯レーザ光にとって透明であるので、本実施例のよう
に、６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３を７８０ｎｍ帯レ
ーザチップ１０４の前方に配置することによって通過レ
ーザ光の吸収損失を防止することができる。
ｎｍ帯レーザ光が通過する領域１１１を７８０ｎｍ帯レ
ーザ光にとって透明な材質によって形成することによっ
て、７８０ｎｍ帯レーザ光の吸収による減衰を防止する
ことができる。例えば、６５０ｎｍ帯レーザ光を発生す
るためのＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ系材料は７８０ｎ
ｍ帯レーザ光にとって透明であるので、本実施例のよう
に、６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３を７８０ｎｍ帯レ
ーザチップ１０４の前方に配置することによって通過レ
ーザ光の吸収損失を防止することができる。
【００３０】仮に、７８０ｎｍ帯レーザチップ１０４を
６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３の前方に配置するよう
な場合には、７８０ｎｍ帯レーザチップ１０４の構成材
料であるＡｌＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系は必ずしも６５
０ｎｍ帯レーザ光にとって透明ではないので、７８０ｎ
ｍ帯レーザチップ１０４の６５０ｎｍ帯レーザ光が通過
する領域については、特別に６５０ｎｍ帯レーザ光を吸
収しないようなＡｌ混晶比を選ぶ等の工夫が必要とな
る。
６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３の前方に配置するよう
な場合には、７８０ｎｍ帯レーザチップ１０４の構成材
料であるＡｌＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系は必ずしも６５
０ｎｍ帯レーザ光にとって透明ではないので、７８０ｎ
ｍ帯レーザチップ１０４の６５０ｎｍ帯レーザ光が通過
する領域については、特別に６５０ｎｍ帯レーザ光を吸
収しないようなＡｌ混晶比を選ぶ等の工夫が必要とな
る。
【００３１】また、６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３の
７８０ｎｍ帯レーザ光が通過する領域１１１に７８０ｎ
ｍ帯レーザに対する光導波機構を設けることによって、
７８０ｎｍ帯レーザ光の分散を防止することができる。
例えば、６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３内には６５０
ｎｍ帯レーザ発振のための屈折率導波機構が作りつけら
れているが、同様の導波路を７８０ｎｍ帯レーザ光の通
過領域１１１にも形成すればよい。この場合の光導波路
としては、ＡｌＧａＩｎＰのＡｌ混晶比の差を用いた実
屈折率導波路、ＧａＡｓによる光吸収を利用した損失導
波路があるが、両者とも７８０ｎｍ帯レーザ用の光導波
機構として有効である。
７８０ｎｍ帯レーザ光が通過する領域１１１に７８０ｎ
ｍ帯レーザに対する光導波機構を設けることによって、
７８０ｎｍ帯レーザ光の分散を防止することができる。
例えば、６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３内には６５０
ｎｍ帯レーザ発振のための屈折率導波機構が作りつけら
れているが、同様の導波路を７８０ｎｍ帯レーザ光の通
過領域１１１にも形成すればよい。この場合の光導波路
としては、ＡｌＧａＩｎＰのＡｌ混晶比の差を用いた実
屈折率導波路、ＧａＡｓによる光吸収を利用した損失導
波路があるが、両者とも７８０ｎｍ帯レーザ用の光導波
機構として有効である。
【００３２】ここで、６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３
内の６５０ｎｍ帯レーザ発振用屈折率導波路部分を、７
８０ｎｍ帯レーザ光のための通過領域１１１とする方法
が考えられる。この構造を図２に示す。この場合には、
７８０ｎｍ帯レーザ光用の専用導波路を設ける必要がな
く、前述したように、６５０ｎｍ帯レーザ発振用屈折率
導波路は７８０ｎｍ帯レーザ光にとって透明であるとい
う２つの利点を有している。但し、７８０ｎｍ帯レーザ
光を６５０ｎｍ帯レーザ発振用屈折率導波路に正確に入
射する必要があるため、両チップのダイボンドにはミク
ロン単位の精度が必要となる。
内の６５０ｎｍ帯レーザ発振用屈折率導波路部分を、７
８０ｎｍ帯レーザ光のための通過領域１１１とする方法
が考えられる。この構造を図２に示す。この場合には、
７８０ｎｍ帯レーザ光用の専用導波路を設ける必要がな
く、前述したように、６５０ｎｍ帯レーザ発振用屈折率
導波路は７８０ｎｍ帯レーザ光にとって透明であるとい
う２つの利点を有している。但し、７８０ｎｍ帯レーザ
光を６５０ｎｍ帯レーザ発振用屈折率導波路に正確に入
射する必要があるため、両チップのダイボンドにはミク
ロン単位の精度が必要となる。
【００３３】更に、図３に示すように、６５０ｎｍ帯レ
ーザチップ１０３の７８０ｎｍ帯レーザ光が入射する端
面１１２及び通過後再出射する端面１１３に、７８０ｎ
ｍ帯レーザに対する無反射コート１１４を施すことによ
って、７８０ｎｍ帯レーザ光の反射による損失を防止す
ることができる。無反射コートの材料としては、通常半
導体レーザチップに使用されている、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 等誘電体の４分の１波長膜が有効である。
ーザチップ１０３の７８０ｎｍ帯レーザ光が入射する端
面１１２及び通過後再出射する端面１１３に、７８０ｎ
ｍ帯レーザに対する無反射コート１１４を施すことによ
って、７８０ｎｍ帯レーザ光の反射による損失を防止す
ることができる。無反射コートの材料としては、通常半
導体レーザチップに使用されている、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 等誘電体の４分の１波長膜が有効である。
【００３４】この無反射コートが存在しない場合には、
６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３の端面１１２及び１１
３によって反射した７８０ｎｍ帯レーザ光が７８０ｎｍ
帯レーザチップ１０４に再入射することによって、複合
共振器状態となり、７８０ｎｍ帯レーザ光の縦モード状
態が不安定になる要素を持っているので注意が必要とな
る。
６５０ｎｍ帯レーザチップ１０３の端面１１２及び１１
３によって反射した７８０ｎｍ帯レーザ光が７８０ｎｍ
帯レーザチップ１０４に再入射することによって、複合
共振器状態となり、７８０ｎｍ帯レーザ光の縦モード状
態が不安定になる要素を持っているので注意が必要とな
る。
【００３５】発明の実施例は、新規のＤＶＤ−ＲＯＭ・
ＤＶＤ−ＲＡＭの再生・記録装置を前提としたため、６
５０ｎｍ帯レーザチップと７８０ｎｍ帯レーザチップを
同一のパッケージ内に収めるという形態で説明を行って
きたが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、
他の波長帯の半導体レーザにも適用可能であり、同等な
波長を持つ複数の半導体レーザチップの場合も有効であ
る。また、単一のパッケージに収める半導体レーザの個
数も２個に限定されるものではない。
ＤＶＤ−ＲＡＭの再生・記録装置を前提としたため、６
５０ｎｍ帯レーザチップと７８０ｎｍ帯レーザチップを
同一のパッケージ内に収めるという形態で説明を行って
きたが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、
他の波長帯の半導体レーザにも適用可能であり、同等な
波長を持つ複数の半導体レーザチップの場合も有効であ
る。また、単一のパッケージに収める半導体レーザの個
数も２個に限定されるものではない。
【００３６】
【発明の効果】以上詳述した如く、複数のレーザチップ
を縦列に配置し、一方のレーザ光は他方のレーザチップ
内を通過した後取り出すという手法をとることによっ
て、それぞれのレーザ光間の距離におけるレーザチップ
の横幅という制限をなくし、レーザビーム間距離を５０
〜１００μｍまで短縮することが可能となる。
を縦列に配置し、一方のレーザ光は他方のレーザチップ
内を通過した後取り出すという手法をとることによっ
て、それぞれのレーザ光間の距離におけるレーザチップ
の横幅という制限をなくし、レーザビーム間距離を５０
〜１００μｍまで短縮することが可能となる。
【００３７】また、複数のレーザチップのレーザ発振用
導波路を一直線に配置することによって、複数のレーザ
ビームをほぼ１点から取り出すことも可能となる。
導波路を一直線に配置することによって、複数のレーザ
ビームをほぼ１点から取り出すことも可能となる。
【００３８】いずれにせよ、単一のレーザパッケージか
ら取り出した、複数のレーザビ−ムを共通の光学系によ
って処理することが可能であり、特に、小型のＤＶＤ−
ＲＯＭ・ＤＶＤ−ＲＡＭの再生・記録装置にとって非常
に有効な発明となる。
ら取り出した、複数のレーザビ−ムを共通の光学系によ
って処理することが可能であり、特に、小型のＤＶＤ−
ＲＯＭ・ＤＶＤ−ＲＡＭの再生・記録装置にとって非常
に有効な発明となる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例を示す概略図であ
り、（ｂ）は本発明の一実施例の主要部分の拡大図であ
る。
り、（ｂ）は本発明の一実施例の主要部分の拡大図であ
る。
【図２】本発明の他の実施例の主要部分の拡大図であ
る。
る。
【図３】本発明の更に別の実施例の主要部分の拡大図で
ある。
ある。
【図４】（ａ）は従来例を示す概略図であり、（ｂ）は
従来例の主要部分の拡大図である。
従来例の主要部分の拡大図である。
１０１ レーザステム １０２ サブマウント １０３ ６５０ｎｍ帯レーザチップ １０４ ７８０ｎｍ帯レーザチップ １０５、１０６ 金線 １０７、１０８ レーザリードピン １０９ ６５０ｎｍ帯レーザチップの発光点 １１０ ７８０ｎｍ帯レーザチップの発光点 １１１ レーザ光通過領域 １１２ 通過レーザ光の入射端面 １１３ 通過レーザ光の再出射端面 １１４ 無反射コート膜
Claims (7)
- 【請求項１】 複数の半導体レーザチップを単一のパッ
ケージ内に備え、複数のレーザ光を単一のパッケージか
ら選択的に取り出す半導体レーザ装置であって、 少なくとも１つの半導体レーザチップから出射するレー
ザ光が、他の半導体レーザチップの少なくとも１つを通
過してパッケージ外に取り出されてなることを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置であ
って、 前記半導体レーザチップのレーザ光が通過する領域は、
通過するレーザ光に対して透明な材料で構成されてなる
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の半導体レーザ装
置であって、 前記半導体レーザチップのレーザ光が通過する領域は、
導波機構が備えられてなることを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導
体レーザ装置であって、 前記レーザ光が通過する半導体レーザチップは、そのレ
ーザ光の入射及び出射端面領域に、入射するレーザ光に
対してより反射率が低い端面コートが施されてなること
を特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
体レーザ装置であって、 前記複数の半導体レーザチップは、単一パッケージ内の
レーザ光の進行方向に対し縦列に配置され、後方に配置
された半導体レーザチップから出射されたレーザ光が、
前方に配置された半導体レーザチップの内部を通過した
後、パッケージから出射されてなることを特徴とする半
導体レーザ装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の半導
体レーザ装置であって、 前記レーザ光が通過する半導体レーザチップから出射さ
れるレーザ光の波長は、通過するレーザ光の波長より短
いことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の半導
体レーザ装置であって、 前記１つの半導体レーザチップのレーザ発振用導波路
を、他の半導体レーザチップから出射されたレーザ光が
通過してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30929398A JP2000138421A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30929398A JP2000138421A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138421A true JP2000138421A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=17991266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30929398A Pending JP2000138421A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138421A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001352129A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2002329934A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | ２波長半導体レーザ装置 |
| JP2005217401A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Bayerische Motoren Werke Ag | レーザダイオードシステム、レーザダイオードの配列方法及びレーザダイオードの光学的配列 |
| JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP30929398A patent/JP2000138421A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001352129A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP4589539B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2010-12-01 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2002329934A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | ２波長半導体レーザ装置 |
| JP4617600B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | ２波長半導体レーザ装置 |
| JP2005217401A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Bayerische Motoren Werke Ag | レーザダイオードシステム、レーザダイオードの配列方法及びレーザダイオードの光学的配列 |
| JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
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