JP2000100862A - ベアチップ実装方法 - Google Patents
ベアチップ実装方法Info
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
を向上し、安価な電子回路モジュールや液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】 ポリイミドフィルム等の絶縁基板上にパ
ターンが形成してある回路基板のIC接続用端子とIC
のバンプをボンディングするときにアンダーフィルを同
時に硬化する。
Description
子手帳または、液晶表表示装置に使用されているドライ
バーICやメモリー,コントローラ等のベアチップ実装
方法に関する。
接着を用いて接続する場合、ICのパットにAuからな
るバンプをメッキで形成したメッキバンプやワイヤーボ
ンディングを応用したスタッドバンプを用いて、回路基
板に異方性導電膜で圧着するか、または銀ペーストをバ
ンプに転写して基板と接続し、その間にアンダーフィル
を充填し接続していた。
バンプに半田を用い、基板の電極に半田付けしアンダー
フィルを充填する工法とICのバンプにAuを用い基板
側の電極にSnメッキを行ない、Au−Sn共晶接続を
行いアンダーフィルを充填していた。Au−Sn共晶接
続はボンディングヘッド5にIClを吸着し、画像処理
でたとえばポリイミドフィルム基板のパターン3とIC
lのパターンを位置補正して、加熱と加圧で圧着する。
ボンディングヘッドはIC3の吸着を解除して上昇し、
ボンディングは終了する。更にアンダーフィル4をIC
の側面に塗布し充填する。充填は数分から数十分で完了
し、オーブンでアンダーフィル4を硬化する。
実装方法では、接続後アンダーフィルをICの側面に塗
布し、ICと基板の間に充填する。アンダーフィルは塗
布してから充填できるまで数分から数10分かかる。ま
た、ICの側面の強度を確保するには更に外周にアンダ
ーフィルと同じ接着剤を塗布し硬化する必要がある。I
C実装は、位置合わせ数秒とボンディングを数秒でアン
ダーフィルの充填と比較しても短時間で済むが、アンダ
ーフィルの充填には上記の時間がかかり、生産性が悪い
問題があった。また、ICの共晶接続の場合ボンディン
グ工程で、ボンディングヘッドが上昇したときに、基板
の熱による変形が大きい場合、接続が外れる場合があっ
た。
からヘッドを上昇するため、更に生産性が悪かった。本
発明は、この問題を解決するものである。
に、少なくとも絶縁基板にパターンが形成してある回路
基板にICをフェイスダウン実装する方法において、回
路基板にはICと接続するパターンを形成しており、該
パターンにはSnまたは半田メッキが被覆している。I
Cにはそのパターンを接続するためのバンプが形成して
ある。アンダーフィルをICの回路面または、基板に塗
布し、ICを基板に熱圧着して、該バンプと該パターン
を金属共晶接続をすると共にアンダーフィルを硬化する
ことで、アンダーフィルの充填工程を短縮し、更にボン
ディングヘッドが上昇したときの基板の変形を押え込む
ことができるので安定した接続歩留まりを得た。
ィルが介在して接続が悪い場合がある。その場合は、パ
ターンとバンプを接触してから、ボンディングヘッドの
温度を上げる必要がある。そのため、ボンディング時間
が長くなる問題がある。そこで、ICのバンプはペリフ
ェラルレイアウトの場合は、該アンダーフィルは熱圧着
したときに該バンプまで広がらない量とすることで、バ
ンプとパターンの接続部に影響を及ばすことなく接続
し、更に該バンプと該パターンを接続後、更にアンダー
フィルをICの側面から流し込み更に硬化することで、
IC全体に充填する時間より短時間でアンダーフィルを
充填することができた。
は、生産性の高い工程を得ることができ、また、安定し
た接続が可能となる。
づいて説明する。図1〜図3は本発明のIC実装方法の
第1の実施例の図である。図1は、IClをボンディン
グヘッド5に吸着し、ポリイミドフィルムの基板2のI
Clと接続するSnメッキをしたパターン3のセンター
にアンダーフィル4を塗布した工程である。アンダーフ
ィル4は熱硬化型接着剤である。IClと基板2の間に
カメラを移動しIClとパターン3の位置を画像処理に
より座標を演算し基板2をセットしたステージにより、
X,Y,Θを補正する。位置が補正できたところで、図
2のようにIClを基板にボンディングする。ボンディ
ングヘッド5は、5000Cに加熱してあり、圧着は2
秒で行なう。IClのAuのバンプとパターン3に被覆
したSnメッキが共晶接続する。この時アンダーフィル
4を同時に硬化する。
ボイドが発生しないように、溶剤や低分子成分を少なく
したようが良い。また、アンダーフィル4は硬化後ゴム
やゲル状が良い。ボンディングヘッドのIC吸着を解除
し、ヘッドを上昇して接続は図3のように完成する。ボ
ンディングヘッドはあらかじめ接続に使用する温度して
おかなければならないわけではなく、温度プロファイル
制御して接続しても良い。ここで用いるICのバンプレ
イアウトは、エリアレイアウトでもペリフェラルレイア
ウトでも良い。
実装して、液晶モジュールは完成する。図4〜図7は本
発明のIC実装方法の第2の実施例の図である。図4
は、バンプのレイアウトがペリフェラルレイアウトであ
るIClをボンディングヘッド5に吸着し、ポリイミド
フィルムからなる基板2のIClと接続するSnメッキ
をしたパターン3のセンターにダミーパターン6が形成
してあり、その上にアンダーフィル4を塗布してある。
アンダーフィル4は嫌気硬化型接着剤である。ダミーパ
ターン6は、GND等の信号に接続してもよい。ICl
と基板2の間にカメラを移動しIClとパターン3の位
置を画像処理により位置を演算↓基板2をセットしたス
テージにより、X,Y,Θを補正する。位置が補正でき
たところで、図2のようにIClを基板2にボンディン
グする。ボンディングヘッド5は、500℃に加熱して
あり、圧着は2秒で行なう。IClのバンプとパターン
3に被覆したSnメッキが共晶接続する。この時アンダ
ーフィル4は、ダミーパターン6とIClの間にだけ広
がる量を塗布しており、IClがダミーパターンと数ミ
クロンの間隔になった時点で、ほとんど温度に関係なく
嫌気硬化する。つまり、ダミーパターン6は嫌気硬化を
安定して行なうために配置しておく。ダミーパターン6
がなくても安定して硬化する場合は、ダミーパターン6
はなくても良い。
い。アンダーフィル4は硬化後ゴムやゲル状が良い。ボ
ンディングヘッド5のIC吸着を解除し、ボンディング
ヘッド5を上昇して接続する。更にバンプの周辺とIC
lの側面に第2のアンダーフィル7を図6のようにIC
lの側面に8個所塗布し放置する。塗布方法はこれに限
ったものではなく、数箇所でも線引きで塗布しても良
い。放置時間は数分で、図7のように第2のアンダーフ
ィル7を充填できる。第2のアンダーフィル7はアンダ
ーフィル4に熱硬化触媒を添加したもので、オーブンで
120℃l時間かけて硬化する。IClのバンプとパタ
ーン3の接続時に、その間にアンダーフィルがないので
一層安定した接続ができる。また、アンダーフィル7を
UV硬化と熱硬化併用型の接着剤でも良く、アンダーフ
ィル7が充填できたところで一度UV硬化で表面を固め
てから、更に熱で光の当たらない部分を硬化してもよ
い。
実装して、液晶モジュールは完成する。
フィルを容易に短時間で充填できることから生産性が高
く、安価で接続歩留まりの良いIC実装が可能となっ
た。
合わせの側面図
ディングしたときの側面図
完成品の側面図
合わせの側面図
ディングしたときの側面図
のアンダーフィルを塗布した上面図
ィルを充填した側面図
側面図
5)
バンプに半田を用い、基板の電極に半田付けしアンダー
フィルを充填する工法とICのバンプにAuを用い基板
側の電極にSnメッキを行ない、Au−Sn共晶接続を
行いアンダーフィルを充填していた。Au−Sn共晶接
続はボンディングヘッド5にIClを吸着し、画像処理
でたとえばポリイミドフィルム基板のパターン3とIC
lのパターンを位置補正して、加熱と加圧で圧着する。
ボンディングヘッドはIC1の吸着を解除して上昇し、
ボンディングは終了する。更にアンダーフィル4をIC
の側面に塗布し充填する。充填は数分から数十分で完了
し、オーブンでアンダーフィル4を硬化する。
づいて説明する。図1〜図3は本発明のIC実装方法の
第1の実施例の図である。図1は、IClをボンディン
グヘッド5に吸着し、ポリイミドフィルムの基板2のI
Clと接続するSnメッキをしたパターン3のセンター
にアンダーフィル4を塗布した工程である。アンダーフ
ィル4は熱硬化型接着剤である。IClと基板2の間に
カメラを移動しIClとパターン3の位置を画像処理に
より座標を演算し基板2をセットしたステージにより、
X,Y,Θを補正する。位置が補正できたところで、図
2のようにIClを基板にボンディングする。ボンディ
ングヘッド5は、500℃に加熱してあり、圧着は2秒
で行なう。IClのAuのバンプとパターン3に被覆し
たSnメッキが共晶接続する。この時アンダーフィル4
を同時に硬化する。
実装して、液晶モジュールは完成する。図4〜図7は本
発明のIC実装方法の第2の実施例の図である。図4
は、バンプのレイアウトがペリフェラルレイアウトであ
るIClをボンディングヘッド5に吸着し、ポリイミド
フィルムからなる基板2のIClと接続するSnメッキ
をしたパターン3のセンターにダミーパターン6が形成
してあり、その上にアンダーフィル4を塗布してある。
アンダーフィル4は嫌気硬化型接着剤である。ダミーパ
ターン6は、GND等の信号に接続してもよい。ICl
と基板2の間にカメラを移動しIClとパターン3の位
置を画像処理により位置を演算し、基板2をセットした
ステージにより、X,Y,Θを補正する。位置が補正で
きたところで、図2のようにIClを基板2にボンディ
ングする。ボンディングヘッド5は、500℃に加熱し
てあり、圧着は2秒で行なう。IClのバンプとパター
ン3に被覆したSnメッキが共晶接続する。この時アン
ダーフィル4は、ダミーパターン6とIClの間にだけ
広がる量を塗布しており、IClがダミーパターンと数
ミクロンの間隔になった時点で、ほとんど温度に関係な
く嫌気硬化する。つまり、ダミーパターン6は嫌気硬化
を安定して行なうために配置しておく。ダミーパターン
6がなくても安定して硬化する場合は、ダミーパターン
6はなくても良い。
い。アンダーフィル4は硬化後ゴムやゲル状が良い。ボ
ンディングヘッド5のIC吸着を解除し、ボンディング
ヘッド5を上昇して接続する。更にバンプの周辺とIC
lの側面に第2のアンダーフィル7を図6のようにIC
lの側面に8個所塗布し放置する。塗布方法はこれに限
ったものではなく、数箇所でも線引きで塗布しても良
い。放置時間は数分で、図7のように第2のアンダーフ
ィル7を充填できる。第2のアンダーフィル7はアンダ
ーフィル4に熱硬化触媒を添加したもので、オーブンで
120℃l時間かけて硬化する。IClのバンプとパタ
ーン3の接続時に、その間にアンダーフィルがないので
一層安定した接続ができる。また、アンダーフィル7を
UV硬化と熱硬化併用型の接着剤でも良く、アンダーフ
ィル7が充填できたところで一度UV硬化で表面を固め
てから、更に熱で光の当たらない部分を硬化してもよ
い。
Claims (2)
- 【請求項1】 少なくとも絶縁基板にパターンが形成し
てある回路基板にICをフェイスダウン実装する方法に
おいて、 前記回路基板は前記ICと接続するパターンを有し、前
記パターンはSnまたは半田メッキの被覆を有し、前記
ICはそのパターンを接続するためのバンプを有し、ア
ンダーフィルを前記ICの回路面または、基板に塗布
し、前記ICと前記基板を熱圧着し、前記バンプと前記
パターンを金属共晶接続すると共に、前記アンダーフィ
ルを硬化するベアチップ実装方法。 - 【請求項2】 前記ICのバンプはペリフェラルレイア
ウトで、該アンダーフィルは熱圧着したときに該バンプ
まで広がらない量であり、かつ該バンプと該パターンを
接続後、前記アンダーフィルを前記ICの側面から流し
込み硬化する請求項1記載のベアチップ実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27235598A JP3026204B1 (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | ベアチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27235598A JP3026204B1 (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | ベアチップ実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3026204B1 JP3026204B1 (ja) | 2000-03-27 |
JP2000100862A true JP2000100862A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17512734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27235598A Expired - Lifetime JP3026204B1 (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | ベアチップ実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3026204B1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009256612A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
JP2010040566A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子回路基板の製造方法 |
WO2010103934A1 (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | ナミックス株式会社 | アンダーフィル材、及び、電子部品の実装方法 |
JP2013229613A (ja) * | 2008-03-26 | 2013-11-07 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
US8895359B2 (en) | 2008-12-16 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor device, flip-chip mounting method and flip-chip mounting apparatus |
KR20220070426A (ko) | 2019-09-30 | 2022-05-31 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 반도체용 접착제, 반도체용 접착제 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20230166071A (ko) | 2021-03-30 | 2023-12-06 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 반도체용 접착제, 반도체용 접착제 시트, 및 반도체장치의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP27235598A patent/JP3026204B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009256612A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
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US8895359B2 (en) | 2008-12-16 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor device, flip-chip mounting method and flip-chip mounting apparatus |
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CN102349141A (zh) * | 2009-03-12 | 2012-02-08 | 纳美仕股份有限公司 | 底部填充材料和电子元件的安装方法 |
US8586467B2 (en) | 2009-03-12 | 2013-11-19 | Namics Corporation | Method of mounting electronic component and mounting substrate |
JP5707316B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2015-04-30 | ナミックス株式会社 | 電子部品の実装方法 |
TWI509751B (zh) * | 2009-03-12 | 2015-11-21 | Namics Corp | Bottoming of the filling material and electronic components of the assembly method |
KR20220070426A (ko) | 2019-09-30 | 2022-05-31 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 반도체용 접착제, 반도체용 접착제 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20230166071A (ko) | 2021-03-30 | 2023-12-06 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 반도체용 접착제, 반도체용 접착제 시트, 및 반도체장치의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3026204B1 (ja) | 2000-03-27 |
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