JP2000100843A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する工程、
上記リードフレームに半導体素子を搭載し、上記半導体素子の電極と上記凸状の端子部を接続する工程、
上記リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止する工程、
上記リードフレームの不要部分を分離、除去する工程を備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】 リードフレーム表面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄの単体またはこれらの組み合わせによるめっき皮膜を形成する工程、
上記リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する工程、
上記リードフレームに半導体素子を搭載し、上記半導体素子の電極と上記凸状の端子部を接続する工程、
上記リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止する工程、
上記リードフレームの不要部分を分離、除去する工程を備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】 リードフレーム表面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄの単体またはこれらの組み合わせによるめっき皮膜を形成する工程、
上記リードフレームの半導体素子搭載面側に、耐熱性に優れた樹脂製フィルムを設ける工程、
上記リードフレームの少なくとも端子となる部分を、金型を用いて半導体素子搭載面側に凸状の半抜き状態に成形する工程、
上記リードフレームの少なくとも上記凸状の端子部上に設けられた上記樹脂製フィルムを除去する工程、
上記リードフレームに半導体素子を搭載し、上記半導体素子の電極と上記凸状の端子部を接続する工程、
上記リードフレームの半導体素子搭載面側を樹脂で覆い封止する工程、
上記リードフレームの不要部分を分離、除去する工程を備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】 リードフレームの不要部分は、機械的手段により分離、除去されることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】 リードフレームの不要部分は、化学的手段により分離、除去されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】 半導体素子の電極と端子部の接続は、金またはアルミ等よりなる金属細線を用いたワイヤボンディングにて行うことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】 半導体素子の電極と端子部の接続は、はんだ、金または導電性樹脂等よりなるバンプを用いたフリップチップボンディングにて行うことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】 請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法を用いて作成され、リードフレーム上に搭載された半導体素子、上記半導体素子の電極と上記リードフレームの端子部を電気的に接続するワイヤまたはバンプ、上記リードフレームの上記半導体素子搭載面側を覆う封止樹脂を備えたことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項９】 リードフレームの端子部は、半導体素子搭載部の周辺に沿って複数列に配置されていることを特徴とする請求項８記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】 リードフレームは、銅合金よりなることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】 上面に、複数の凸部と、上記複数の凸部の間を連結する凹部を有するリードフレームを準備する工程と、
上記リードフレームの凸部上に、複数の電極を有する半導体素子を接着し、上記複数の電極と、上記複数の凸部とを電気的に接続する工程と、
上記リードフレームの上面と、上記半導体素子とを覆う封止樹脂部を形成する工程と、
上記リードフレームの凹部を、上記リードフレームの凸部および上記封止樹脂部から分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】 上記リードフレームの凹部は、上記封止樹脂部が形成される領域のうち、上記凸部が形成される領域を除く全面に形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】 上記封止樹脂部は、成型金型を用いて、封止樹脂を成型することによって形成されることを特徴とする請求項１１〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】 上記リードフレームの凹部は、機械的手段により、上記リードフレームの凸部および上記封止樹脂部から分離、除去されることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】 上記リードフレームの凹部は、化学的手段により、上記リードフレームの凸部および上記封止樹脂部から分離、除去されることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】 上記リードフレームは、上記凸部と上記凹部の境界で半抜き状態に成型されていることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】 上記半導体素子は、上面と、下面を有し、上記複数の電極は、上記半導体素子の上面上に形成されており、上記半導体素子を接着する工程において、上記半導体素子の下面を、上記リードフレームの凸部上に、ダイボンド材を介して接着することを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】 上記複数の電極と、上記複数の凸部とを電気的に接続する工程は、ワイヤボンディングにて行うことを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】 上記リードフレームの凸部には、Ni,Cu,Ag,Au,Pdの単体またはこれらの組み合わせによるメッキ被膜が形成されていることを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】 上記リードフレームの凸部の下面に、金属球もしくは金属柱を設ける工程を有することを特徴とする請求項１１〜１９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】 上記半導体素子を接着し、上記複数の凸部と電気的に接続する工程は、フリップチップボンディングによって行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。