JP2000094507A

JP2000094507A - ポリエステルフィルム

Info

Publication number: JP2000094507A
Application number: JP27137998A
Authority: JP
Inventors: Koji Furuya; 幸治古谷; Shinichi Kawai; 伸一河合
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1998-09-25
Filing date: 1998-09-25
Publication date: 2000-04-04

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、微細な凹凸を有する基盤に回路を
設けるためのフォトレジストフイルムの支持体層として
用いた場合、その凹凸に対して極めて優れた基盤追従性
を示し、かつ回路の欠陥発生を防止することができ、透
明性が高く、フィルムヘーズが低いフィルムを提供する
ことを目的とする。【解決手段】本発明は、トリメチレンテレフタレート
単位が全繰り返し単位の８０モル％以上であるポリエス
テルからなる二軸配向フィルムであり、フィルムの面配
向係数（ｎｓ）が０．０３０以上０．１１５以下である
ことを特徴とするフォトレジストフィルムの支持体層用
ポリエステルフィルムである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はポリエステルフィル
ムに関し、さらに詳しくは、ポリトリメチレンテレフタ
レートを主たる成分としてなる基盤形状追従性、解像度
等に優れた感光製版用フォトレジストの支持体層に用い
る二軸配向ポリエステルフィルムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、印刷配線回路板の製造等にお
いて、フォトレジストフイルムが広く用いられている。
フォトレジストフイルムは通常、支持体層／フォトレジ
スト層／保護層からなる積層構造体である。支持体層と
しては、機械的特性、光学的特性、耐薬品性、寸法安定
性、平面性等に優れたポリエステルフイルムが主に使用
されている。フォトレジスト層は感光性樹脂からなる層
であリ、また、保護層としてはポリエチレンフイルムや
ポリエステルフイルムが用いられている。

【０００３】フォトレジストフイルムの使用方法を簡単
に説明すると、まず保護層を剥し、露出したフォトレジ
スト層を基盤に貼り付けた導電性基材の上に密着させ
る。導電性基材は一般的には銅箔である。次にフォトレ
ジストフィルムの支持体層側に、回路が印刷されたガラ
ス板を密着させ、当該ガラス板側から光を照射する。ガ
ラス板に印刷された回路の画像で透明な部分を光が透過
し、フォトレジスト層の感光性樹脂はかかる露光が行わ
れた部分のみ反応する。次いでガラス板と支持体層を取
リ除き、フォトレジスト層の未露光部分を適当な溶剤等
を用いて除去する。更に、酸等を用いてエッチングを行
えば、フォトレジスト層が除去されて露出した導電性基
材部分が除去される。しかる後、露光、反応したフォト
レジスト層を適当な方法で除去すれば、基盤上に導電性
基材層が回路として形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、最近は基盤上
に形成された導電性基材層の既設の回路の上に絶縁層を
設け、この絶縁層の上に更に導電性基材層の別の回路を
形成させること（いわゆる回路の積層化）が頻繁に行わ
れている。この回路の積層化は、既設の回路を形成させ
た基盤の上に絶縁層／導電性基材層を積層し、この導電
性基材層の上に更にフォトレジスト層／支持体層を密着
させた後、導電性基材層の別の回路を前述の方法によリ
形成させることにより行われる。

【０００５】ところが、回路の積層化を行うときに、積
層した絶縁層／導電性基材層の表面が既設の回路の凹凸
に影響された凹凸形状になっておリ、この上に更に密着
させるフォトレジスト層／支持体層がこの凹凸形状に追
従した形状で密着しないと新たに設けた回路が部分的に
欠落する等の問題が生じる。

【０００６】また、最近は回路を形成する導体幅が細く
なリ、その間隔も狭くなってきておリ、画像形成の再現
性や高度の解像度が要求されている。このため、支持体
層として用いられるポリエステルフィルムに対しても、
高度な品質が要求されるようになった。即ち、支持体層
として用いられるポリエステルフィルムは、透明性が高
く、フィルムヘーズが低いことが必要である。フォトレ
ジストフィルムにおいて、フォトレジスト層を露光する
場合、前述のとおリ光は支持体層を透過することにな
る。従って、支持体層の透明度が低いとフォトレジスト
層が十分に露光されなかったリ、また、光の散乱により
解像度が悪化する等の問題が生じる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解消できるフォトレジストフィルムの支持体層用フ
ィルムを開発すべく鋭意研究した結果、特定のポリエス
テルを特定の面配向係数を有するように製膜したものが
優れた特性を有することを見いだし、本発明を完成する
に到った。

【０００８】すなわち、本発明は、トリメチレンテレフ
タレート単位が全繰り返し単位の８０モル％以上である
ポリエステルからなる二軸配向フィルムであり、フィル
ムの面配向係数（ｎｓ）が０．０３０以上０．１１５以
下であることを特徴とするフォトレジストフィルムの支
持体層用ポリエステルフィルムである。

【０００９】以下、本発明を更に詳細に説明する。

【００１０】（ポリトリメチレンテレフタレート）本発
明に用いられるポリトリメチレンテレフタレートはテレ
フタル酸を主たる酸成分とし、１，３−プロパンジオー
ルを主たるグリコール成分とするポリエステルである。
このポリトリメチレンテレフタレートにはトリメチレン
テレフタレートを全繰返し単位とするホモポリマー或い
は全繰り返し単位の少なくとも８０ｍｏｌ％、好ましく
は９０ｍｏｌ％がトリメチレンテレフタレートであるコ
ポリマーが好ましく用いられる。トリメチレンテレフタ
レートの繰り返し単位が８０モル％未満では結晶性を失
い、機械的強度などポリトリメチレンテレフタレートが
本来有する特性が悪化し、製膜性が低下する。

【００１１】コポリマーである場合は、主たる成分のト
リメチレンテレフタレート以外のコポリマーを構成する
共重合成分としては、分子内に２つのエステル形成性官
能基を有する化合物を用いることができ、かかる化合物
として例えば、蓚酸、アジピン酸、フタル酸、セバシン
酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ドデカンジカル
ボン酸、イソフタル酸、１,４−シクロヘキサンジカル
ボン酸、４,４’−ジフェニルジカルボン酸、４,４’−
ジフェニルスルホンジカルボン酸、４,４’−ジフェノ
キシエタンジカルボン酸、フェニルインダンジカルボン
酸、２,６−ナフタレンジカルボン酸、２,７−ナフタレ
ンジカルボン酸、１,５−ナフタレンジカルボン酸、テ
トラリンジカルボン酸、デカリンジカルボン酸、ジフェ
ニルエーテルジカルボン酸等の如きジカルボン酸；ｐ−
オキシ安息香酸、ｐ−オキシエトキシ安息香酸等の如き
オキシカルボン酸；或いはエチレングリコール、テトラ
メチレングリコール、ペンタメチレングリコール、ヘキ
サメチレングリコール、シクロヘキサンメチレングリコ
ール、ネオペンチルグリコール、ビスフェノールスルホ
ンのエチレンオキサイド付加物、ビスフェノールＡのエ
チレンオキサイド付加物、ジエチレングリコール、ポリ
エチレンオキシドグリコール、ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレング
リコール等の如き２価アルコール類等を好ましく用いる
ことができる。

【００１２】これらの化合物は１種のみでなく２種以上
を同時に用いることができる。またこれらの中で好まし
くは酸成分としてはイソフタル酸、４,４‘−ジフェニ
ルジカルボン酸、２,６−ナフタレンジカルボン酸、ｐ
−オキシ安息香酸、グリコール成分としてはエチレング
リコール、テトラメチレングリコール、ペンタメチレン
グリコール、ヘキサメチレングリコール、ネオペンチル
グリコール、ビスフェノールスルホンのエチレンオキサ
イド付加物である。

【００１３】また、ポリトリメチレンテレフタレートは
例えば安息香酸、メトキシポリアルキレングリコールな
どの一官能性化合物によって末端の水酸基および／また
はカルボキシル基の一部または全部を封鎖したものであ
ってもよく、或いは例えば極く少量のグリセリン、ペン
タエリスリトール等の如き三官能以上のエステル形成性
化合物で実質的に線状のポリマーが得られる範囲内で共
重合したものであってもよい。

【００１４】更に本発明のポリトリメチレンテレフタレ
ートフイルムは主たる成分のポリトリメチレンテレフタ
レートのほかに、有機高分子を混合した混合体からなっ
ていても良い。かかる有機高分子としてポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリエチレン−４，４’−テトラ
メチレンジフェニルジカルボキシレート、ポリエチレン
−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ポリエチレ
ン−２，７−ナフタレンジカルボキシレート、ポリトリ
メチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ポ
リブチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、
ポリシクロヘキサンジメチレンテレフタレート、ポリネ
オペンチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレー
ト、ポリ（ビス（４−エチレンオキシフェニル）スルホ
ン）−２，６−ナフタレンジカルボキシレート等を挙げ
ることができ、これらの中でポリエチレンイソフタレー
ト、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボ
キシレート、ポリトリメチレン−２，６−ナフタレンジ
カルボキシレート、ポリブチレン−２，６−ナフタレン
ジカルボキシレート、ポリ（ビス（４−エチレンオキシ
フェニル）スルホン）−２，６−ナフタレンジカルボキ
シレートが好ましい。

【００１５】これらの有機高分子は１種のみならず２種
以上を、本発明のポリトリメチレンテレフタレートフイ
ルムにおいて、高分子の繰返し単位で２０ｍｏｌ％相
当、好ましくは１０ｍｏｌ％相当まで、ポリトリメチレ
ンテレフタレートと共に混合した混合体となるように使
用できる。混合体の混合量が上記範囲を超えると結晶性
が低下し、機械強度やバリア性などのポリトリメチレン
テレフタレートが本来有する特性が悪化するため好まし
くない。なお、かかる混合体の製造は一般に知られたポ
リエステル組成物の製造方法によって実施できる。

【００１６】本発明におけるポリエステルは従来公知の
方法で、例えばジカルボン酸とグリコールの反応で直接
低重合度ポリエステルを得る方法や、ジカルボン酸の低
級アルキルエステルとグリコールとを従来公知のエステ
ル交換触媒である、例えばナトリウム、カリウム、マグ
ネシウム、カルシウム、亜鉛、ストロンチウム、チタ
ン、ジルコニウム、マンガン、コバルトを含む化合物の
一種または二種以上を用いて反応させた後、重合触媒の
存在下で重合が行なわれる。重合触媒としては三酸化ア
ンチモン、五酸化アンチモンのようなアンチモン化合
物、二酸化ゲルマニウムで代表されるようなゲルマニウ
ム化合物、テトラエチルチタネート、テトラプロピルチ
タネート、テトラフェニルチタネートまたはこれらの部
分加水分解物、蓚酸チタニルアンモニウム、蓚酸チタニ
ルカリウム、チタントリスアセチルアセトネートのよう
なチタン化合物が挙げられる。

【００１７】なお、ポリエステルは溶融重合後これをチ
ップ化し、加熱減圧下または窒素などの不活性気流中に
おいて固相重合することもできる。

【００１８】（添加物）本発明のポリエステルフィルム
はに添加剤、例えば滑剤、安定剤、難燃剤等を含有させ
ることができる。フィルムの製造時、加工時、使用時の
走行性やハンドリング性を向上させる目的でフィルムに
滑り性を付与するために無機粒子・有機粒子、架橋高分
子粒子などの不活性微粒子を少割合含有させることは好
ましいことである。

【００１９】本発明におけるポリエステルは、平均粒径
５μｍ以下の滑剤を含有することが好ましい。この滑剤
は無機、有機系の如何を問わないが、無機系であること
が好ましい。無機系滑剤としては、シリカ、アルミナ、
二酸化チタン、炭酸カルシウム、硫酸バリウム等が例示
でき、有機系滑剤としては架橋ポリスチレン粒子、シリ
コーン粒子等が例示できる。いずれも平均粒径が５μｍ
以下であることが好ましい。滑剤の平均粒径が５μｍを
超える場合は、フイルムの透明性が損なわれるためフォ
トレジスト層が十分に露光されなかったリ、解像度が低
下する等の問題が生じる。

【００２０】ポリエステル中の滑剤の量はフイルム製造
工程における巻取性によって決めるとよく、例えばポリ
エステル中に０．００１〜１．０重量％の割合で用いる
ことが好ましいが、用いる滑剤の平均粒径によリ好まし
い量は異なる。一般に粒径の大きな滑剤は少量、小さな
滑剤は多量添加するのが好ましいが、本発明のようにヘ
ーズ値を低く抑えたい場合は比較的大粒径滑剤を少量、
例えば、平均粒径１．７μｍの球状シリカの場合は０．
０５重量％程度添加するのが好ましい。

【００２１】無機粒子としては特に限定されないが炭酸
カルシウム、多孔質シリカ、真球状シリカ、カオリン、
タルク、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸カルシ
ウム、硫酸バリウム、リン酸リチウム、リン酸カルシウ
ム、リン酸マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ
素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、フッ化リチウム等
が挙げることができ、これらの中では球状シリカが特に
好ましい。

【００２２】有機塩粒子としては、蓚酸カルシウムやカ
ルシウム、バリウム、亜鉛、マンガン、マグネシウム等
のテレフタル酸塩などが挙げられる。

【００２３】架橋高分子粒子としては、ジビニルベンゼ
ン、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸
もしくはメタクリル酸のビニル系モノマの単独または共
重合体等が挙げられ、この他、ポリテトラフルオロエチ
レン、シリコーン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、熱硬化
エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、熱硬化性尿素
樹脂、熱硬化性フェノール樹脂などの有機微粒子も用い
られる。これらの中ではシリコーン樹脂粒子が好まし
い。

【００２４】フィルムに添加する不活性微粒子は上記に
例示した中から選ばれた単一成分でもよく、二成分ある
いは三成分以上を含む多成分でもよい。

【００２５】本発明のポリエステルフィルムは、顔料、
紫外線吸収剤、離型剤、易滑剤、難燃剤、帯電防止剤、
ポリシロキサン等を配合することができる。

【００２６】不活性微粒子やその他の添加剤の添加時期
はポリトリメチレンテレフタレートを製膜するまでの段
階であれば特に制限はなく、例えば重合段階で添加して
もよく、また製膜の際に添加してもよい。

【００２７】（面配向係数ｎｓ）本発明のポリエステル
フィルムの面配向係数ｎｓは０．０３０以上０．１１５
以下である。より好ましい範囲は０．０３０以上０．１
００以下であり、０．０３５以上０．１００以下である
ことが特に好ましい。面配向係数ｎｓが０．０３０未満
ではフィルムとしての強度が不足するため容易に伸びて
ピンホールが発生し易い。０．１１５を超えるとフィル
ムの腰が強くなりすぎ、フォトレジストフィルムの支持
体として基盤形状追従性が悪くなる。

【００２８】（ヘーズ値）本発明のポリエステルフィル
ムのヘーズ値は１０％以下であることが好ましい。より
好ましくは８％以下、特に好ましくは５％以下である。
ヘーズ値が１０％を超えるとフォトレジストの感光効率
が低下する。

【００２９】（表面粗さＲａ）本発明のポリエステル
フィルムの表面粗さＲａは、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下
であることが好ましい。より好ましくは３ｎｍ以上９０
ｎｍ以下であり、特に好ましくは５ｎｍ以上８０ｎｍ以
下である。表面粗さＲａが２ｎｍ未満では、フィルム同
士が重なった場合ブロッキングを起こしやすく、ハンド
リング性が悪化する。一方、１００ｎｍを超えるとフィ
ルム表面を粗らすために一般的に添加される滑剤等の添
加量を増やす必要があり、フィルムの透明性が失われ
る。

【００３０】（破断伸度）本発明のポリエステルフィル
ムはフィルムの引張試験における破断伸度は６０％以上
であることが好ましい。さらに好ましくは８０％以上、
特に好ましくは９０％以上である。破断伸度が６０％未
満では、フィルムをフォトレジストフィルム支持体とし
て使用した場合にフィルムの基盤追従性が不十分であ
る。

【００３１】（密度）本発明のポリエステルフィルムの
密度は１．３１５ｇ／ｃｍ³以上であることが好まし
い。さらに好ましくは１．３２０ｇ／ｃｍ³以上１．３
６５ｇ／ｃｍ³以下、特に好ましくは１．３２５ｇ／ｃ
ｍ³以上１．３６２ｇ／ｃｍ³以下である。密度１．３
１５ｇ／ｃｍ³未満ではフィルムの機械強度が不足す
る。

【００３２】本発明のポリエステルフィルムのフィルム
厚みはフォトレジストフィルム支持体用として使用する
ため３μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、
さらに５μｍ以上８０μｍ以下、特に１０μｍ以上６５
μｍ以下のものが好適に用いられる。また、フィルムを
オルトクロロフェノールに溶解しオストワルド粘度計を
用いて求めた固有粘度（ＩＶ）は０．４５ｄｌ／ｇ以上
０．９０ｄｌ／ｇ以下が好適である。

【００３３】（具体的な製造条件）本発明のポリエステ
ルフィルムは、ポリトリメチレンテレフタレートを主た
る成分とした二軸延伸フィルムである。この二軸延伸フ
ィルムは通常の方法、例えば、該ポリマーを融点以上で
溶融させダイスリットから冷却されたキャスティングド
ラム上に押出して密着冷却固化させ、ポリトリメチレン
テレフタレートの未延伸フィルムを得る。

【００３４】この未延伸フィルムを縦および横方向に二
軸延伸した後、熱固定することで製造することができ
る。フィルムの延伸は公知のロール式縦延伸機、赤外線
加熱縦延伸機、テンタークリップ式横延伸機、これらの
延伸を複数段階にわけて行う多段式延伸機、チューブラ
延伸機、オーブン式縦延伸機、同時二軸テンター延伸機
などを用いて行うことができるが特に限定されるもので
はない。

【００３５】次に詳しく本発明のポリエステルフィルム
の製造方法について述べるが必ずしもこれに限定される
ものではない。前述したように公知の方法で得られたポ
リトリメチレンテレフタレートの未延伸フィルムを４０
〜９０℃で縦方向に赤外線加熱式縦延伸機で２〜５倍延
伸する。ロール加熱式縦延伸機を用いてもよいが、フィ
ルム表面にすり傷等の欠点が発生し易いので赤外線加熱
式の方が好ましい。

【００３６】縦延伸後さらにステンター内で４０〜９０
℃で横方向に２〜５倍延伸し、６０〜２１０℃で１〜１
００秒間熱処理を行うことで所望のポリエステルフィル
ムを得ることができる。

【００３７】熱処理温度が２１０℃を超えるとフィルム
の柔軟性が低下し、厚み斑が悪化する。横方向の熱収縮
率を低くしたい場合には、熱処理時に幅方向に１〜１０
％の弛緩を与えることができる。また、上述した縦方向
および／または横方向の延伸を複数段階に分割する多段
延伸を用いてもよい。とりわけ縦多段延伸は厚み斑を抑
制でき、好ましい。本発明のポリエステルフィルムの製
膜工程中で他のフィルムと共押出し法や押出ラミネート
法によってラミネートしてもよいし、製膜後、接着剤な
どでラミネートしてもよい。

【００３８】（塗布層）本発明のポリエステルフィルム
には、フォトレジスト層との接着性を調節することを目
的として、塗布層を設けてもよい。かかる塗布層は、フ
ィルム製造工程内で設けてもよいし、フィルム製造後に
塗布してもよい。特に塗布層の厚みの均一性や、生産効
率の点で、フィルム製造工程の縦方向延伸後、横方向延
伸工程に入る前に塗布する方法が好ましい。

【００３９】塗布剤の例としては、ポリエステル、ポリ
アミド、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリカーボ
ネート、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコー
ル、ポリウレタン等の樹脂およびこれらの樹脂の共重合
体や混合体等を挙げることができるが、これらに限定さ
れるわけではない。この面をフォトレジストと接する面
として支持体フィルムとすると、接着性や剥離性をより
最適化することが可能である。

【００４０】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に説明する
が、本発明はその要旨を変えない限り、以下の実施例の
みに限定されるものではない。なお、本発明における種
々の物性値及び特性の測定方法、定義は以下の通りであ
る。

【００４１】（１）トリメチレンテレフタレートの成分
量（主成分モル比、共重合成分モル比）の算出フィルムサンプルを測定溶媒（ＣＤＣｌ₃：ＣＦ₃ＣＯＯ
Ｄ＝１：１）に溶解後、¹Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、得ら
れた各シグナルの積分比をもって算出する。

【００４２】（２）面配向係数ｎｓアッベの屈折計の接眼側に偏光板アナライザーを取リ付
け、マウント液にヨウ化メチレンを用い、測定温度２５
℃にて単色光ＮａＤ線でフイルムの横方向屈折率（ｎ
ｘ）、縦方向屈折率（ｎｙ）および厚さ方向屈折率（ｎ
ｚ）を測定し、下記式によリ面配向係数ｎｓを求めた。

【００４３】

【数１】ｎｓ＝［（ｎｘ＋ｎｙ）／２］−ｎｚ

【００４４】（３）ヘーズ値ＪＩＳＫ−６７１４の方法に従い、市販のヘーズメー
タでフィルム一枚当たりの全ヘーズ値を測定する。測定
数ｎ＝５として、その平均値を測定値とする。

【００４５】（４）表面粗さ（中心線表面粗さＲａ）フィルムの表裏両画を表面粗さ計（東京精密（株）サー
フコム１１１Ａ）で測定し平均値を算出して表面粗さと
する。

【００４６】（５）密度硝酸カルシウム水溶液を用いた密度勾配管中、２５℃で
浮沈法により測定した値である。

【００４７】（６）破断伸度試料幅１０ｍｍ、長さ１５０ｍｍに切り、チャック間１
００ｍｍにして引張速度１００ｍｍ／分、チャート速度
１００ｍｍ／分でインストロンタイプの万能引張試験装
置で引張る。ＭＤ、ＴＤ両方向の測定を行い、得られた
荷重−伸び曲線から破断時の伸長量を読み取り、原長に
対する伸度を％で表す。

【００４８】（７）基盤形状追従性フイルムを、幅１００μｍ、深さ１５μｍ、長さ５ｍｍ
の溝が２０μｍの間隔で平行に刻まれている、１００℃
に加熱された銅板の表面にラミネートし、このフイルム
をラミネートした銅板について以下の観察を顕微鏡によ
リ行い、各々下記の基準で評価した。 ○：銅板に刻まれた溝の底面からフイルムの銅板側表面
までの距離（『浮き』）が０．１ μｍ以下である。
（基盤形状追従性良好） ×：銅板に刻まれた溝の底面からフイルムの銅板側表面
までの距離（『浮き』）がO．1μｍを超えるものであ
る。（基盤形状追従性不良）

【００４９】（８）耐ピンホール性前記（７）と同じテストを行い、ピンホールを観察し
た。 ○：銅板の溝部分を被覆しているフイルムに直径がO．1
μｍ以上のピンホールが認められない。（耐ピンホール
性良好） ×：銅板の溝部分を被覆しているフイルムに直径がO．
１μｍ以上のピンホールが認めらる。（耐ピンホール性
不良）

【００５０】（フォトレジストフイルムの実用性評価）
フイルムの片面のフォトレジスト層を設け、その上に保
護層としてポリエチレンフイルムを積層してフォトレジ
ストフイルムを作製した。得られたフォトレジストフイ
ルムを用いて、プリント回路の作製を行った。即ち、ガ
ラス繊維含有エボキシ樹脂基盤上に設けられた銅板に、
保護層を剥離したフォトレジストフイルムのフォトレジ
スト層面を密着させた。次に、フォトレジストフイルム
の上に、回路が印刷されたガラス板を密着させ、当該ガ
ラス板側から紫外線の露光を行った。しかる後フォトレ
ジストフイルムを剥離し、洗浄、エツチング等、一連の
現像操作を行って回路を作製した。かくして得られた回
路を目視あるいは顕微鏡を使って観察し、その結果によ
リフォトレジストフイルムの実用性評価を下記の基準で
行った。

【００５１】（９）解像度 ○：極めて高度な解像度を有し、鮮明な回路が認められ
た。（解像度良好） ×：解像度が劣リ、高密度の回路には使用できない。
（解像度不良）

【００５２】（１０）回路の耐欠陥性 ○：回路に欠落が認められない。（回路の耐欠陥性良
好） △：まれに回路の欠落が認められる。（回路の耐欠陥性
やや良好） ×：回路の欠落があリ実用上支障がある。（回路の耐欠
陥性不良）

【００５３】以上の評価結果を表１に示す。

【００５４】［実施例１］テレフタル酸ジメチル１００
重量部と１，３−プロパンジオール６０重量部およびテ
トラブチルチタネート０．０８重量部を使用し、エステ
ル交換反応を行った。次いで滑剤として平均粒径１．７
μｍの球状シリカ粒子をポリマー当り０．０５重量％に
なるように添加して、高真空下で重縮合反応を行い、固
有粘度が０．６５ｄｌ／ｇのポリトリメチレンテレフタ
レートを得た。

【００５５】このポリトリメチレンテレフタレートをダ
イスリットから溶融押出し後、キャスティングドラム上
でに密着冷却固化させて未延伸フィルムを作成した。こ
の未延伸フィルムを赤外線ヒータで加熱しながら、５５
℃で縦方向（機械軸方向）に３．１倍延伸後、テンター
内で横方向（幅方向）に５５℃で３．４倍に逐次二軸延
伸し、さらに１５０℃で熱処理を行い、厚みが２０μｍ
の二軸配向フィルムを得た。得られた二軸配向フィルム
の特性ならびにドライフィルムレジスト支持体としての
評価結果を表１に示す。

【００５６】［実施例２〜６］表１に示したように、ポ
リマー成分と延伸条件を変更した以外は、実施例１に準
じて表１の条件で製膜し、厚さ２０μｍの二軸配向フィ
ルムを得た。それらの特性ならびにドライフィルムレジ
スト支持体としての評価結果を表１に示す。

【００５７】［比較例１］テレフタル酸ジメチル１００
重量部、エチレングリコール６０重量部、酢酸マンガン
０．０３８重量部及び三酸化アンチモン０．０４１重量
部を使用してエステル交換反応を行った。ついで、トリ
メチルホスフェート０．０９７部および平均粒径１．７
μｍの球状シリカを含有量がポリマー当り０．０５重量
％になるように添加して、高真空下で重縮合反応を行い
固有粘度が０．６４ｄｌ／ｇであるポリエチレンテレフ
タレートを得た。その後、実施例１と同様に表２の条件
で製膜し、厚みが２０μｍの二軸配向フィルムを得た。
得られた二軸配向フィルムの特性ならびにドライフィル
ムレジスト支持体としての評価結果を表２に示す。基盤
形状追従性と回路の耐欠陥性が不良であった。

【００５８】［比較例２］表２に示すポリマー組成と製
膜条件で実施例1に準じて厚みが２０μｍの二軸配向フ
ィルムを得た。得られた二軸配向フィルムの特性ならび
にドライフィルムレジスト支持体としての評価結果を表
２に示す。耐ピンホール性が不良であった。

【００５９】［比較例３］表２に示す延伸条件により、
それ以外は実施例１と同様にして厚みが２０μｍの二軸
配向フィルムを得た。得られた二軸配向フィルムの特性
ならびにドライフィルムレジスト支持体としての評価結
果を表２に示す。面配向係数が過小であり、実用性評価
がすべて不良であった。

【００６０】［比較例４］縦２段延伸法を用い、表２の
条件を採用した以外は実施例１に準じ、厚みが２０μｍ
の二軸配向フィルムを得た。得られた二軸配向フィルム
の特性ならびにドライフィルムレジスト支持体としての
評価結果を表２に示す。面配向係数が過大であり、基盤
形状追従性と回路の耐欠陥性が不良であった。

【００６１】［比較例５］表２に示す条件で厚みが２０
μｍの二軸配向フィルムを得た。得られた二軸配向フィ
ルムの特性ならびにドライフィルムレジスト支持体とし
ての評価結果を表２に示す。面配向係数が過小であり、
耐ピンホール性と解像度が不良であった。

【００６２】

【表１】

【００６３】

【表２】

【００６４】

【発明の効果】本発明のポリエステルフイルムを微細な
凹凸を有する基盤に回路を設けるためのフォトレジスト
フイルムの支持体層として用いた場合、その凹凸に対し
て極めて優れた基盤追従性を示し、かつ回路の欠陥発生
を防止することができ、その工業的価値が非常に大き
い。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｌ 67:02 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA02 AB11 AB15 AC01 DA19 FA03 FA15 4F071 AA43 AF21Y AF27Y AF30Y AH19 BA01 BB06 BB08 BC01 BC02 BC10 BC11 BC16 4F210 AA24 AB17 AE01 AF16 AG01 QA02 QC16 QG01 QG18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】トリメチレンテレフタレート単位が全繰
り返し単位の８０モル％以上であるポリエステルからな
る二軸配向フィルムであり、フィルムの面配向係数（ｎ
ｓ）が０．０３０以上０．１１５以下であることを特徴
とするフォトレジストフィルムの支持体層用ポリエステ
ルフィルム。
【請求項２】フィルムのヘーズ値が１０％以下である
ことを特徴とする請求項１に記載のポリエステルフィル
ム。
【請求項３】フィルムの表面粗さ（Ｒａ）が２ｎｍ以
上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１また
は２に記載のポリエステルフィルム。
【請求項４】フィルムの破断伸度が６０％以上である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポリ
エステルフィルム。
【請求項５】フィルムの密度が１．３１５ｇ／ｃｍ³
以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに
記載のポリエステルフィルム。