JP2000091846A - Ｎｒｄガイドガン発振器 - Google Patents
Ｎｒｄガイドガン発振器Info
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- JP2000091846A JP2000091846A JP10259005A JP25900598A JP2000091846A JP 2000091846 A JP2000091846 A JP 2000091846A JP 10259005 A JP10259005 A JP 10259005A JP 25900598 A JP25900598 A JP 25900598A JP 2000091846 A JP2000091846 A JP 2000091846A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 組立の容易なＮＲＤガイドガン発振器を実現
する。 【解決手段】 平板基板１１の信号電極１４にガンダイ
オード２０のアノード電極１５Ａのバンプ２７を、表面
接地電極１５に同ガンダイオード２のカソード電極２５
Ｋのバンプ２８を接続し、この平板基板１１の裏面をヒ
ートシンク３０でＮＲＤガイド回路の平行平板２に支持
する。平板基板１１の信号線路１２を誘電体ストリップ
線路３に電磁的に結合する。
する。 【解決手段】 平板基板１１の信号電極１４にガンダイ
オード２０のアノード電極１５Ａのバンプ２７を、表面
接地電極１５に同ガンダイオード２のカソード電極２５
Ｋのバンプ２８を接続し、この平板基板１１の裏面をヒ
ートシンク３０でＮＲＤガイド回路の平行平板２に支持
する。平板基板１１の信号線路１２を誘電体ストリップ
線路３に電磁的に結合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＲＤガイド（No
n Radiative Dielectic Wave Guide：非放射性誘電体ガ
イド）回路とガンダイオードを組み合わせて構成したＮ
ＲＤガイドガン発振器に関するものである。
n Radiative Dielectic Wave Guide：非放射性誘電体ガ
イド）回路とガンダイオードを組み合わせて構成したＮ
ＲＤガイドガン発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＮＲＤガイド回路は、マイクロ波ストリ
ップ線路に比べて伝搬損失が低く、また導波管に比べて
伝搬路の制作が容易であるところから、マイクロ波、特
に３０ＧＨｚ以上のミリ波帯の伝送線路として注目され
ている。
ップ線路に比べて伝搬損失が低く、また導波管に比べて
伝搬路の制作が容易であるところから、マイクロ波、特
に３０ＧＨｚ以上のミリ波帯の伝送線路として注目され
ている。
【０００３】このＮＲＤガイド回路は、電磁波が伝搬す
る誘電体ストリップ線路を導電性金属の２枚の平行平板
で挟んだ構造であり、この平行平板の対面間隔が使用周
波数波長の1/2以下に設定されているので、この誘電体
ストリップ線路以外の場所では、電磁波が遮断されてそ
の放射が抑制されるため、誘電体ストリップ線路に沿っ
て電磁波を低損失で伝搬させることができる。
る誘電体ストリップ線路を導電性金属の２枚の平行平板
で挟んだ構造であり、この平行平板の対面間隔が使用周
波数波長の1/2以下に設定されているので、この誘電体
ストリップ線路以外の場所では、電磁波が遮断されてそ
の放射が抑制されるため、誘電体ストリップ線路に沿っ
て電磁波を低損失で伝搬させることができる。
【０００４】このＮＲＤガイド回路とガンダイオードを
組み合わせて構成した３５ＧＨｚ帯および６０ＧＨｚ帯
の発振器が開発され、導波管に匹敵する発振出力が得ら
れている。
組み合わせて構成した３５ＧＨｚ帯および６０ＧＨｚ帯
の発振器が開発され、導波管に匹敵する発振出力が得ら
れている。
【０００５】図６の(a)は従来のＮＲＤガイドガン発振
器の構造を示す図である。これは、平行平板１，２の間
のスペースに、誘電体ストリップ線路３と共にガンダイ
オード１１０を搭載したマウント１２０を設置したもの
であり、ガンダイオード１１０で発振した高周波出力
が、共振器１３０を経由して誘電体ストリップ線路３に
導出される。図６の(b)は共振器１３０の代表的な例を
示す図であり、テフロン銅張積層基板の銅箔をエッチン
グでパターニングした銅箔部分１３１を有するようにし
たものである。この銅箔部分１３１の幅や長さを調整す
ることにより発振周波数を調整することができる。
器の構造を示す図である。これは、平行平板１，２の間
のスペースに、誘電体ストリップ線路３と共にガンダイ
オード１１０を搭載したマウント１２０を設置したもの
であり、ガンダイオード１１０で発振した高周波出力
が、共振器１３０を経由して誘電体ストリップ線路３に
導出される。図６の(b)は共振器１３０の代表的な例を
示す図であり、テフロン銅張積層基板の銅箔をエッチン
グでパターニングした銅箔部分１３１を有するようにし
たものである。この銅箔部分１３１の幅や長さを調整す
ることにより発振周波数を調整することができる。
【０００６】図７はマウント１２０の構成を示す図であ
る。ガンダイオード１１０は円筒部１２１の中に納めら
れており、その円筒部１２１の隣に接続されたバイアス
チョーク１４０を介してバイアス電圧が印加される。こ
のバイアスチョーク１４０は、テフロン銅張積層板をエ
ッチングによりパターンニングし、さらに円筒部１２１
における接続部用リッド１４１となる銅箔部分が残るよ
うに積層板部分を削り取ったものである。ガンダイオー
ド１１０は、そのカソード電極がマウント１２０の放熱
基台１２２にロウ付けされている。この放熱基台１２２
は、リッド１４１との間が円筒形のセラミック１４２に
よって絶縁分離されており、このリッド１４１がガンダ
イオード１１０のアノード電極にリボン１４３によって
接続されている。
る。ガンダイオード１１０は円筒部１２１の中に納めら
れており、その円筒部１２１の隣に接続されたバイアス
チョーク１４０を介してバイアス電圧が印加される。こ
のバイアスチョーク１４０は、テフロン銅張積層板をエ
ッチングによりパターンニングし、さらに円筒部１２１
における接続部用リッド１４１となる銅箔部分が残るよ
うに積層板部分を削り取ったものである。ガンダイオー
ド１１０は、そのカソード電極がマウント１２０の放熱
基台１２２にロウ付けされている。この放熱基台１２２
は、リッド１４１との間が円筒形のセラミック１４２に
よって絶縁分離されており、このリッド１４１がガンダ
イオード１１０のアノード電極にリボン１４３によって
接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したＮ
ＲＤガイドガン発振器は、特殊なマウント１２０を使用
しているためにその製作が困難であり、特にバイアスチ
ョーク１４０は基板を削ってリッド１４１を露出させな
ければならにので、その作業能率が非常に悪いという問
題があった。
ＲＤガイドガン発振器は、特殊なマウント１２０を使用
しているためにその製作が困難であり、特にバイアスチ
ョーク１４０は基板を削ってリッド１４１を露出させな
ければならにので、その作業能率が非常に悪いという問
題があった。
【０００８】また、ガンダイオード１１０のアノード電
極とリッド１４１をリボン１４３によって接続するた
め、寄生インダクタンスが発生し、特性がばらつくとい
う問題もあった。
極とリッド１４１をリボン１４３によって接続するた
め、寄生インダクタンスが発生し、特性がばらつくとい
う問題もあった。
【０００９】本発明は以上のような問題点を解決したＮ
ＲＤガイドガン発振器を提供することである。
ＲＤガイドガン発振器を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、２
枚の金属板からなる平行平板を使用周波数の波長の1/2
以下の間隔で配置し、該平行平板の間に誘電体ストリッ
プ線路を挟持したＮＲＤガイド回路とガンダイオードと
を組み合わせてなるＮＲＤガイドガン発振器において、
信号線路に接続された信号電極および該信号電極に対し
て絶縁された接地電極が表面に形成された絶縁性又は半
絶縁性の平板基板と、同一面にアノード電極およびカソ
ード電極が形成され、該両電極の一方が前記平板基板の
信号電極に接続され他方が前記接地電極に接続されたガ
ンダイオードと、前記平板基板の裏面を前記平行平板の
一方に対して支持するヒートシンクとを具備し、前記平
板基板の前記信号線路の先端が前記誘電体ストリップ線
路に電磁的に結合するよう構成した。
枚の金属板からなる平行平板を使用周波数の波長の1/2
以下の間隔で配置し、該平行平板の間に誘電体ストリッ
プ線路を挟持したＮＲＤガイド回路とガンダイオードと
を組み合わせてなるＮＲＤガイドガン発振器において、
信号線路に接続された信号電極および該信号電極に対し
て絶縁された接地電極が表面に形成された絶縁性又は半
絶縁性の平板基板と、同一面にアノード電極およびカソ
ード電極が形成され、該両電極の一方が前記平板基板の
信号電極に接続され他方が前記接地電極に接続されたガ
ンダイオードと、前記平板基板の裏面を前記平行平板の
一方に対して支持するヒートシンクとを具備し、前記平
板基板の前記信号線路の先端が前記誘電体ストリップ線
路に電磁的に結合するよう構成した。
【００１１】第２の発明は、第１の発明において、前記
ガンダイオードが接続搭載された前記平板基板が前記平
行平板に対して平行で、かつ前記信号線路が前記誘電体
ストリップ線路に対して垂直方向で電磁的に結合するよ
う構成した。
ガンダイオードが接続搭載された前記平板基板が前記平
行平板に対して平行で、かつ前記信号線路が前記誘電体
ストリップ線路に対して垂直方向で電磁的に結合するよ
う構成した。
【００１２】第３の発明は、第１の発明において、前記
ガンダイオードが接続搭載された前記平板基板が前記平
行平板に対して平行で、かつ前記信号線路の電磁波の進
行方向が前記誘電体ストリップ線路の電磁波の進行方向
と同一であり、前記信号線路が前記誘電体ストリップ線
路の基端部と電磁的に結合しているよう構成した。
ガンダイオードが接続搭載された前記平板基板が前記平
行平板に対して平行で、かつ前記信号線路の電磁波の進
行方向が前記誘電体ストリップ線路の電磁波の進行方向
と同一であり、前記信号線路が前記誘電体ストリップ線
路の基端部と電磁的に結合しているよう構成した。
【００１３】第４の発明は、第２又は第３の発明におい
て、前記ガンダイオードが接続搭載された前記平行基板
の姿勢を、前記平行平板に対して平行から垂直に代えて
構成した。
て、前記ガンダイオードが接続搭載された前記平行基板
の姿勢を、前記平行平板に対して平行から垂直に代えて
構成した。
【００１４】第５の発明は、第１乃至第４の発明におい
て、前記信号線路が、サスペンディド線路、マイクロス
トリップ線路、又はコプレーナ線路であるよう構成し
た。
て、前記信号線路が、サスペンディド線路、マイクロス
トリップ線路、又はコプレーナ線路であるよう構成し
た。
【００１５】第６の発明は、第１乃至第５の発明におい
て、前記平板基板が、裏面に接地用の電極を有し、該接
地用の電極と前記接地電極がヴィアホールで接続されて
いるよう構成した。
て、前記平板基板が、裏面に接地用の電極を有し、該接
地用の電極と前記接地電極がヴィアホールで接続されて
いるよう構成した。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態のＮＲ
Ｄガイドガン発振器の構造を示す図である。ＮＲＤガイ
ド回路は２枚の金属の平行平板１，２の間に誘電体スト
リップ線路３を挟んだ構造であり、従来と同じである。
本実施の形態では、線路基板１０の上面にガンダイオー
ド２０を搭載して、これを平板２に対して接地、放熱お
よび高さ調整用のヒートシンク３０を介して支持してい
る。
Ｄガイドガン発振器の構造を示す図である。ＮＲＤガイ
ド回路は２枚の金属の平行平板１，２の間に誘電体スト
リップ線路３を挟んだ構造であり、従来と同じである。
本実施の形態では、線路基板１０の上面にガンダイオー
ド２０を搭載して、これを平板２に対して接地、放熱お
よび高さ調整用のヒートシンク３０を介して支持してい
る。
【００１７】線路基板１０は、図２の(a),(b)に示すよ
うに、半絶縁性又は絶縁性（例えば、比抵抗が106Ωcm
程度以上で、熱伝導率が140W/mK程度以上のＡｌＮ、Ｓ
ｉ、ＳｉＣ、ダイアモンド等）の平板基板１１の上面
に、信号線路１２、その信号線路１２に直流バイアスを
印加するチョーク部１３、その信号線路１２の端部に連
続させた信号電極１４、その信号電極１４を挟むように
配置した一対の表面接地電極１５が形成され、裏面には
接地電極１６が形成され、表面接地電極１５は接地電極
１６に対してヴィアホール１７により接続されている。
この線路基板１０は、その信号線路１２の裏面に接地電
極がなく、サスペンディド線路を形成している。
うに、半絶縁性又は絶縁性（例えば、比抵抗が106Ωcm
程度以上で、熱伝導率が140W/mK程度以上のＡｌＮ、Ｓ
ｉ、ＳｉＣ、ダイアモンド等）の平板基板１１の上面
に、信号線路１２、その信号線路１２に直流バイアスを
印加するチョーク部１３、その信号線路１２の端部に連
続させた信号電極１４、その信号電極１４を挟むように
配置した一対の表面接地電極１５が形成され、裏面には
接地電極１６が形成され、表面接地電極１５は接地電極
１６に対してヴィアホール１７により接続されている。
この線路基板１０は、その信号線路１２の裏面に接地電
極がなく、サスペンディド線路を形成している。
【００１８】ガンダイオード２０は、図３の(a),(b)に
示すように、半導体基板２１の上面に第１のコンタクト
層２２、活性層２３、第２のコンタクト層２４および金
属層２５を積層して、中央に丸形状の凹部２６を金属層
２５から第１のコンタクト層２２にほぼ達するように形
成することにより、その金属層２５をアノード電極２５
Ａとカソード電極２５Ｋに区画し、そのアノード電極２
５Ａの上に熱圧着し易いＡｕのダンプ２７を、カソード
電極２５Ｋの上に同じＡｕのバンプ２８を、各々同じレ
ベルの高さとなるように形成したものである。このバン
プ２７，２８もアノード電極２５Ａ，カソード電極２５
Ｋと等価である。
示すように、半導体基板２１の上面に第１のコンタクト
層２２、活性層２３、第２のコンタクト層２４および金
属層２５を積層して、中央に丸形状の凹部２６を金属層
２５から第１のコンタクト層２２にほぼ達するように形
成することにより、その金属層２５をアノード電極２５
Ａとカソード電極２５Ｋに区画し、そのアノード電極２
５Ａの上に熱圧着し易いＡｕのダンプ２７を、カソード
電極２５Ｋの上に同じＡｕのバンプ２８を、各々同じレ
ベルの高さとなるように形成したものである。このバン
プ２７，２８もアノード電極２５Ａ，カソード電極２５
Ｋと等価である。
【００１９】一例として、半導体基板２１は不純物濃度
が１〜２×1018atom/cm2のｎ型ガリウム砒素からなり、
第１のコンタクト層２２は不純物濃度が２×1018atom/c
m2で厚さ1.5μmのｎ型ガリウム砒素からなり、活性層２
３は不純物濃度が1.2×1016atom/cm2で厚さ1.6μmのｎ
型ガリウム砒素からなり、第２のコンタクト層２４は不
純物濃度が１×1018atom/cmで厚さ0.3μmのｎ型ガリウ
ム砒素からなる。ガリウム砒素に代えてインジウムリン
等の他の化合物半導体を使用することもできる。
が１〜２×1018atom/cm2のｎ型ガリウム砒素からなり、
第１のコンタクト層２２は不純物濃度が２×1018atom/c
m2で厚さ1.5μmのｎ型ガリウム砒素からなり、活性層２
３は不純物濃度が1.2×1016atom/cm2で厚さ1.6μmのｎ
型ガリウム砒素からなり、第２のコンタクト層２４は不
純物濃度が１×1018atom/cmで厚さ0.3μmのｎ型ガリウ
ム砒素からなる。ガリウム砒素に代えてインジウムリン
等の他の化合物半導体を使用することもできる。
【００２０】このガンダイオード２０は、アノード電極
２５Ａに対応する区画部分の活性層の面積が、ガンダイ
オードの所定の動作電流が得られる面積（横方向断面
積）となるよう設定される。また、カソード電極２５Ｋ
に対応する活性層の面積については、アノード電極２５
Ａに対応する活性層の面積の１０倍以上として、そのカ
ソード電極２５Ｋの下層の半導体積層部の電気抵抗をア
ノード電極２５Ａのそれの1/10以下とすることで、この
部分をガンダイオードとして機能させず、実質的に低抵
抗として機能させている。
２５Ａに対応する区画部分の活性層の面積が、ガンダイ
オードの所定の動作電流が得られる面積（横方向断面
積）となるよう設定される。また、カソード電極２５Ｋ
に対応する活性層の面積については、アノード電極２５
Ａに対応する活性層の面積の１０倍以上として、そのカ
ソード電極２５Ｋの下層の半導体積層部の電気抵抗をア
ノード電極２５Ａのそれの1/10以下とすることで、この
部分をガンダイオードとして機能させず、実質的に低抵
抗として機能させている。
【００２１】なお、このガンダイオード２０は、図３の
(c)に示すように、図３の(b)におけるカソード電極２５
Ｋの下層の第２のコンタクト層２４と活性層２３を除去
した構造のガンダイオード２０’に置換し、第１のコン
タクト層２２に直接カソード電極２５Ｋを被着しそのバ
ンプ２８をアノード電極２５Ａのバンプ２７と上面が同
一となるレベルの高さに設けたものであっても良い。
(c)に示すように、図３の(b)におけるカソード電極２５
Ｋの下層の第２のコンタクト層２４と活性層２３を除去
した構造のガンダイオード２０’に置換し、第１のコン
タクト層２２に直接カソード電極２５Ｋを被着しそのバ
ンプ２８をアノード電極２５Ａのバンプ２７と上面が同
一となるレベルの高さに設けたものであっても良い。
【００２２】さて、線路基板１０の平板基板１１へのガ
ンダイオード２０の実装搭載は、そのアノード電極２５
Ａのバンプ２７が信号電極１４に接続され、カソード電
極２５Ｋの一対のバンプ２８が一対の表面接地電極１５
に接続されるように、熱圧着で行う。そして、線路基板
１０の接地電極１６の部分がヒートシンク３０に接続さ
れるようにして、このヒートシンク３０を介して平板２
に接地されるようにする。
ンダイオード２０の実装搭載は、そのアノード電極２５
Ａのバンプ２７が信号電極１４に接続され、カソード電
極２５Ｋの一対のバンプ２８が一対の表面接地電極１５
に接続されるように、熱圧着で行う。そして、線路基板
１０の接地電極１６の部分がヒートシンク３０に接続さ
れるようにして、このヒートシンク３０を介して平板２
に接地されるようにする。
【００２３】線路基板１０のＮＲＤガイド回路への実装
は、図１の(a),(b)に示すように、線路基板１０の平板
基板１１が平行平板１，２に対して平行となり、信号線
路１２の先端が誘電体ストリップ線路３の基部に対して
垂直方向から近接するように行う。
は、図１の(a),(b)に示すように、線路基板１０の平板
基板１１が平行平板１，２に対して平行となり、信号線
路１２の先端が誘電体ストリップ線路３の基部に対して
垂直方向から近接するように行う。
【００２４】チョーク部１３に直流電圧を印加すると、
信号線路１２、信号電極１４、ガンダイオード２０、表
面接地電極１５、ヴィアホール１７、裏面の接地電極１
６、ヒートシンク３０、平板２の経路で電流が流れて、
ガンダイオード２０で電磁波（マイクロ波）が発生し、
信号線路１２を通じて誘電体ストリップ線路３の側面に
到達する。電磁波はここでＮＲＤガイド回路に変換（Ｌ
ＳＭモード）され、誘電体ストリップ線路３内を伝搬し
てゆく。
信号線路１２、信号電極１４、ガンダイオード２０、表
面接地電極１５、ヴィアホール１７、裏面の接地電極１
６、ヒートシンク３０、平板２の経路で電流が流れて、
ガンダイオード２０で電磁波（マイクロ波）が発生し、
信号線路１２を通じて誘電体ストリップ線路３の側面に
到達する。電磁波はここでＮＲＤガイド回路に変換（Ｌ
ＳＭモード）され、誘電体ストリップ線路３内を伝搬し
てゆく。
【００２５】本実施の形態では、チョーク部１３を平板
基板１１に形成しているので、これを信号線路１２、信
号電極１４、表面接地電極１５と同時にエッチングによ
り形成できるので、基板を切除する必要はなく組立は容
易であり、その作業効率が向上する。また、ガンダイオ
ード２０が平板基板１１に対してフェースダウンの姿勢
で直接搭載されるので、リボンを使用する場合に問題と
なる寄生インダクタンスは発生しない。また、ガンダイ
オード２０で発生した熱はバンプ２７，２８や熱伝達特
性の良好な平板基板１１を介してヒートシンク３０に伝
えられるので、放熱効果が高くなる。また、ガンダイオ
ード２０は両側のカソード電極２５Ｋのバンプ２８で支
持されるので、ガンダイオードとして実質的に機能する
中央の半導体積層部分に過度の荷重が加わることが防止
される。
基板１１に形成しているので、これを信号線路１２、信
号電極１４、表面接地電極１５と同時にエッチングによ
り形成できるので、基板を切除する必要はなく組立は容
易であり、その作業効率が向上する。また、ガンダイオ
ード２０が平板基板１１に対してフェースダウンの姿勢
で直接搭載されるので、リボンを使用する場合に問題と
なる寄生インダクタンスは発生しない。また、ガンダイ
オード２０で発生した熱はバンプ２７，２８や熱伝達特
性の良好な平板基板１１を介してヒートシンク３０に伝
えられるので、放熱効果が高くなる。また、ガンダイオ
ード２０は両側のカソード電極２５Ｋのバンプ２８で支
持されるので、ガンダイオードとして実質的に機能する
中央の半導体積層部分に過度の荷重が加わることが防止
される。
【００２６】なお、以上では、信号線路１２の部分とガ
ンダイオード２０が搭載される部分を共通の平板基板１
１に設けたが、これば別の基板に構成して金リボン等の
導電線により接続してもよい。また、ヴィアホール１７
を使用せず、表面接地電極１５を裏面の接地電極１６に
リボン等により接続してもよい。
ンダイオード２０が搭載される部分を共通の平板基板１
１に設けたが、これば別の基板に構成して金リボン等の
導電線により接続してもよい。また、ヴィアホール１７
を使用せず、表面接地電極１５を裏面の接地電極１６に
リボン等により接続してもよい。
【００２７】更に上記では、線路基板１０の信号線路１
２をサスペンディド線路としたが、平板基板１１の裏面
全面に接地電極１６を設ければマイクロストリップ線路
となる。また、この線路は平板基板１１の上面の中央に
信号線路を設け、その信号線路を挟むように一対の接地
電極を同一面に設けたコプレーナ線路とすることもでき
る。このときは、ガンダイオード２０は、そのアノード
電極２５Ａのバンプ２７を中央の信号線路に接続し、カ
ソード電極２５Ｋの両側のバンプ２８を接地電極に接続
すればよい。
２をサスペンディド線路としたが、平板基板１１の裏面
全面に接地電極１６を設ければマイクロストリップ線路
となる。また、この線路は平板基板１１の上面の中央に
信号線路を設け、その信号線路を挟むように一対の接地
電極を同一面に設けたコプレーナ線路とすることもでき
る。このときは、ガンダイオード２０は、そのアノード
電極２５Ａのバンプ２７を中央の信号線路に接続し、カ
ソード電極２５Ｋの両側のバンプ２８を接地電極に接続
すればよい。
【００２８】更に、ガンダイオード２０のアノード電極
２５Ａ、カソード電極２５Ｋは活性層の濃度勾配によっ
て反対になることもあり、この場合はチョーク部１３に
印加する電圧の極性を適宜選定すればよい。
２５Ａ、カソード電極２５Ｋは活性層の濃度勾配によっ
て反対になることもあり、この場合はチョーク部１３に
印加する電圧の極性を適宜選定すればよい。
【００２９】図４はＮＲＤガイドガン発振器の別の例を
示す図である。ここでは、ガンダイオード２０を搭載し
ヒートシンク３０に支持された線路基板１０の向きを、
平行平板１，２に平行で、且つその信号線路１２の先端
が誘電体ストリップ線路３の基端に一直線状に並ぶよう
に配置している。この場合は、誘電体ストリップ線路３
を伝送する電磁波の伝送モードは、ＬＳＥモードとな
る。
示す図である。ここでは、ガンダイオード２０を搭載し
ヒートシンク３０に支持された線路基板１０の向きを、
平行平板１，２に平行で、且つその信号線路１２の先端
が誘電体ストリップ線路３の基端に一直線状に並ぶよう
に配置している。この場合は、誘電体ストリップ線路３
を伝送する電磁波の伝送モードは、ＬＳＥモードとな
る。
【００３０】図５は線路基板１０を平行平板１，２に対
して垂直になるように搭載したものである。この形態で
は、信号線路１２で高次モードが立ちにくいという長所
がある。なお、図４に示したように、誘電体ストリップ
線路３が信号線路１２と一直線に並ぶようにして、線路
基板１０を平行平板１，２に対して垂直に搭載すること
もできる。
して垂直になるように搭載したものである。この形態で
は、信号線路１２で高次モードが立ちにくいという長所
がある。なお、図４に示したように、誘電体ストリップ
線路３が信号線路１２と一直線に並ぶようにして、線路
基板１０を平行平板１，２に対して垂直に搭載すること
もできる。
【００３１】
【発明の効果】以上から本発明によれば、バイアスを印
加するためのチョークとガンダイオードとの接続が単純
となって組立が容易となり、その作業効率が向上する。
また、ガンダイオードの搭載にリボンが不要であり寄生
インダクタンスは発生しない。また、ガンダイオードで
発生した熱は基板を介してヒートシンクに伝えられるの
で、放熱効果が高くなる。
加するためのチョークとガンダイオードとの接続が単純
となって組立が容易となり、その作業効率が向上する。
また、ガンダイオードの搭載にリボンが不要であり寄生
インダクタンスは発生しない。また、ガンダイオードで
発生した熱は基板を介してヒートシンクに伝えられるの
で、放熱効果が高くなる。
【図１】 (a)は本発明の実施の形態のＮＲＤガイドガ
ン発振器の斜視図、(b)は側面図である。
ン発振器の斜視図、(b)は側面図である。
【図２】 (a)は線路基板の平面図、(b)は裏面図であ
る。
る。
【図３】 (a)はガンダイオードの平面図、(b)は断面
図、(c)は変形例のガンダイオードの断面図である。
図、(c)は変形例のガンダイオードの断面図である。
【図４】 本発明の別の実施の形態のＮＲＤガイドガン
発振器の斜視図である。
発振器の斜視図である。
【図５】 本発明の更なる別の実施の形態のＮＲＤガイ
ドガン発振器の斜視図である。
ドガン発振器の斜視図である。
【図６】 (a)は従来のＮＲＤガイドガン発振器の斜視
図、(b)は共振器の斜視図である。
図、(b)は共振器の斜視図である。
【図７】 (a)は図６に示したＮＲＤガイドガン発振器
のマウントの斜視図、(b)は(a)のｂ−ｂ断面図である。
のマウントの斜視図、(b)は(a)のｂ−ｂ断面図である。
１，２：金属の平行平板、３：誘電体ストリップ線路、
１０：線路基板、１１：平板基板、１２：信号線路、１
３：チョーク部、１４：信号電極、１５：表面接地電
極、１６：接地電極、１７：ヴィアホール、２０：ガン
ダイオード、２１：半導体基板、２２：第１のコンタク
ト層、２３：活性層、２４：第２のコンタクト層、２
５：金属層、２５Ａ：アノード電極、２５Ｋ：カソード
電極、２６：凹部、２７，２８：バンプ、３０：ヒート
シンク。
１０：線路基板、１１：平板基板、１２：信号線路、１
３：チョーク部、１４：信号電極、１５：表面接地電
極、１６：接地電極、１７：ヴィアホール、２０：ガン
ダイオード、２１：半導体基板、２２：第１のコンタク
ト層、２３：活性層、２４：第２のコンタクト層、２
５：金属層、２５Ａ：アノード電極、２５Ｋ：カソード
電極、２６：凹部、２７，２８：バンプ、３０：ヒート
シンク。
Claims (6)
- 【請求項１】２枚の金属板からなる平行平板を使用周波
数の波長の1/2以下の間隔で配置し、該平行平板の間に
誘電体ストリップ線路を挟持したＮＲＤガイド回路とガ
ンダイオードとを組み合わせてなるＮＲＤガイドガン発
振器において、 信号線路に接続された信号電極および該信号電極に対し
て絶縁された接地電極が表面に形成された絶縁性又は半
絶縁性の平板基板と、 同一面にアノード電極およびカソード電極が形成され、
該両電極の一方が前記平板基板の信号電極に接続され他
方が前記接地電極に接続されたガンダイオードと、 前記平板基板の裏面を前記平行平板の一方に対して支持
するヒートシンクとを具備し、 前記平板基板の前記信号線路の先端を前記誘電体ストリ
ップ線路に電磁的に結合させたことを特徴とするＮＲＤ
ガイドガン発振器。 - 【請求項２】前記ガンダイオードが接続搭載された前記
平板基板が前記平行平板に対して平行で、かつ前記信号
線路が前記誘電体ストリップ線路に対して垂直方向で電
磁的に結合していることを特徴とする請求項１に記載の
ＮＲＤガイドガン発振器。 - 【請求項３】前記ガンダイオードが接続搭載された前記
平板基板が前記平行平板に対して平行で、かつ前記信号
線路の電磁波の進行方向が前記誘電体ストリップ線路の
電磁波の進行方向と同一であり、前記信号線路が前記誘
電体ストリップ線路の基端部と電磁的に結合しているこ
とを特徴とする請求項１に記載のＮＲＤガイドガン発振
器。 - 【請求項４】前記ガンダイオードが接続搭載された前記
平行基板の姿勢を、前記平行平板に対して平行から垂直
に代えたことを特徴とする請求項２又は３に記載のＮＲ
Ｄガイドガン発振器。 - 【請求項５】前記信号線路が、サスペンディド線路、マ
イクロストリップ線路、又はコプレーナ線路であること
を特徴とする請求項１乃至４に記載のＮＲＤガイドガン
発振器。 - 【請求項６】前記平板基板が、裏面に接地用の電極を有
し、該接地用の電極と前記接地電極がヴィアホールで接
続されていることを特徴とする請求項１乃至５に記載の
ＮＲＤガイドガン発振器。
Priority Applications (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25900598A JP3899193B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Ｎｒｄガイドガン発振器 |
| US09/299,017 US6344658B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-26 | Gunn diode, NRD guide gunn oscillator, fabricating method of gunn diode and structure for assembly of the same |
| EP99108231A EP0954039B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | Gunn diode, NRD guide gunn oscillator and fabricating method |
| EP03025205.0A EP1388902B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | Fabricating method of Gunn diode |
| KR10-1999-0014953A KR100523131B1 (ko) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | 건 다이오드, 엔알디 가이드 건 발진기와 그 제조방법 및 실장구조 |
| DE69934933T DE69934933T2 (de) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | Gunndiode, NRD Leitungsschaltung und Verfahren zur Herstellung |
| EP03025203.5A EP1388901B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | Structure for assembly of a Gunn diode |
| EP03025204.3A EP1388931B1 (en) | 1998-04-28 | 1999-04-27 | NRD guide Gunn oscillator |
| CNB991053869A CN100364111C (zh) | 1998-04-28 | 1999-04-28 | 耿氏二极管及其安装结构 |
| CNB2004100016222A CN1278398C (zh) | 1998-04-28 | 1999-04-28 | 耿氏二极管制造方法以及耿氏振荡器 |
| US09/541,097 US6514832B1 (en) | 1998-04-28 | 2000-03-31 | Gunn diode, NRD guide Gunn oscillator, fabricating method of Gunn diode and structure for assembly of the same |
| US09/540,041 US6426511B1 (en) | 1998-04-28 | 2000-03-31 | Gunn diode, NRD guide gunn oscillator, fabricating method of gunn diode and structure for assembly of the same |
| US09/540,040 US6369663B1 (en) | 1998-04-28 | 2000-03-31 | NRD guide Gunn oscillator |
| KR10-2005-0045357A KR100503694B1 (ko) | 1998-04-28 | 2005-05-30 | 건 다이오드, 엔알디 가이드 건 발진기와 그 제조방법 및실장구조 |
| KR1020050045356A KR20050061415A (ko) | 1998-04-28 | 2005-05-30 | 건 다이오드, 엔알디 가이드 건 발진기와 그 제조방법 및실장구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25900598A JP3899193B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Ｎｒｄガイドガン発振器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091846A true JP2000091846A (ja) | 2000-03-31 |
| JP2000091846A5 JP2000091846A5 (ja) | 2004-10-14 |
| JP3899193B2 JP3899193B2 (ja) | 2007-03-28 |
Family
ID=17328039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25900598A Expired - Lifetime JP3899193B2 (ja) | 1998-04-28 | 1998-09-11 | Ｎｒｄガイドガン発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3899193B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686647B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-02-03 | New Japan Radio Co., Ltd., | Gunn diode and method of manufacturing the same |
-
1998
- 1998-09-11 JP JP25900598A patent/JP3899193B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686647B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-02-03 | New Japan Radio Co., Ltd., | Gunn diode and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3899193B2 (ja) | 2007-03-28 |
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Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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