JP2002299959A - ガンダイオード発振器 - Google Patents
ガンダイオード発振器Info
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- JP2002299959A JP2002299959A JP2001098917A JP2001098917A JP2002299959A JP 2002299959 A JP2002299959 A JP 2002299959A JP 2001098917 A JP2001098917 A JP 2001098917A JP 2001098917 A JP2001098917 A JP 2001098917A JP 2002299959 A JP2002299959 A JP 2002299959A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガンダイオード発振器の発振出力を高くす
る。 【解決手段】 マイクロストリップ線路20の信号電極
22に連続してスタブ型フィルタ素子22Dを形成し、
そのスタブ型フィルタ素子22Dとガンダイオード10
との距離L1を略λ/2に、そのスタブ型フィルタ素子
22Dの長さを略0.239λ〜0.250λに設定する。
る。 【解決手段】 マイクロストリップ線路20の信号電極
22に連続してスタブ型フィルタ素子22Dを形成し、
そのスタブ型フィルタ素子22Dとガンダイオード10
との距離L1を略λ/2に、そのスタブ型フィルタ素子
22Dの長さを略0.239λ〜0.250λに設定する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波やミリ
波用のガンダイオードを用いた発振器に係り、特に歩留
まりの向上、低コスト化、さらに高出力化が容易となっ
た表面実装型の二次高調波型ガンダイオード発振器に関
するものである。
波用のガンダイオードを用いた発振器に係り、特に歩留
まりの向上、低コスト化、さらに高出力化が容易となっ
た表面実装型の二次高調波型ガンダイオード発振器に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】図6に従来のメサ型構造のガリウム砒素
(GaAs)ガンダイオード100の断面図を示す。高
濃度n型GaAsからなる半導体基板101上に、MB
E法又はMOCVD法により、高濃度n型GaAsから
なる第1のコンタクト層102、低濃度n型GaAsか
らなる活性層103、高濃度n型GaAsからなる第2
のコンタクト層104が順次積層され、電子の走行空間
の面積を小さくするため、メサ型構造となっている。1
05はカソード電極、106はアノード電極である。
(GaAs)ガンダイオード100の断面図を示す。高
濃度n型GaAsからなる半導体基板101上に、MB
E法又はMOCVD法により、高濃度n型GaAsから
なる第1のコンタクト層102、低濃度n型GaAsか
らなる活性層103、高濃度n型GaAsからなる第2
のコンタクト層104が順次積層され、電子の走行空間
の面積を小さくするため、メサ型構造となっている。1
05はカソード電極、106はアノード電極である。
【0003】このように形成されたガンダイオード10
0は、図7に示すようなピル型パッケージ110内に組
み立てられる。このピル型パッケージ110は、放熱基
台電極111と、ガンダイオード100を取り囲む外囲
器となるガラス或いはセラミックスからなる円筒112
とを有し、この円筒112は放熱基台電極111に硬ロ
ウ付けされた構造となっている。ガンダイオード100
は、図示しないサファイア材等のボンデングツールにて
静電吸着され、放熱基台電極111に接着される。さら
に、金リボン113によりガンダイオード100と円筒
112の先端に設けられた金属層とが熱圧着等により接
続される。金リボン113の接続を行った後、円筒11
2上に蓋状の金属ディスク114をロウ付けし、ピル型
パッケージ110に組み立てられる。
0は、図7に示すようなピル型パッケージ110内に組
み立てられる。このピル型パッケージ110は、放熱基
台電極111と、ガンダイオード100を取り囲む外囲
器となるガラス或いはセラミックスからなる円筒112
とを有し、この円筒112は放熱基台電極111に硬ロ
ウ付けされた構造となっている。ガンダイオード100
は、図示しないサファイア材等のボンデングツールにて
静電吸着され、放熱基台電極111に接着される。さら
に、金リボン113によりガンダイオード100と円筒
112の先端に設けられた金属層とが熱圧着等により接
続される。金リボン113の接続を行った後、円筒11
2上に蓋状の金属ディスク114をロウ付けし、ピル型
パッケージ110に組み立てられる。
【0004】このようにピル型パッケージ110に組み
立てられたガンダイオードのマイクロストリップ線路1
20への実装構造の一例を図8に示す。ピル型パッケー
ジ110の両電極111,114の一方は、アルミナ等
からなる平板基板121に形成された孔に貫入してその
平板基板121の裏面に形成された接地電極122と電
気的に接続され、他方は、金リボン123によって平板
基板121上にマイクロストリップ線路として形成され
た信号線路124に接続される。
立てられたガンダイオードのマイクロストリップ線路1
20への実装構造の一例を図8に示す。ピル型パッケー
ジ110の両電極111,114の一方は、アルミナ等
からなる平板基板121に形成された孔に貫入してその
平板基板121の裏面に形成された接地電極122と電
気的に接続され、他方は、金リボン123によって平板
基板121上にマイクロストリップ線路として形成され
た信号線路124に接続される。
【0005】このような構成において、一方の信号電極
124を所定の線路長に設定してオープンにすると、そ
の信号電極124の線路長の共振器で発振周波数が決定
されるガンダイオード発振器となる。
124を所定の線路長に設定してオープンにすると、そ
の信号電極124の線路長の共振器で発振周波数が決定
されるガンダイオード発振器となる。
【0006】ところで、マイクロ波やミリ波帯の発振器
の発振素子であるGaAsからなるガンダイオードは、
GaAsのEnergy Relaxaition Timeの制限により、基
本発振周波数の2倍の周波数を用いた二次高調波モード
で発振させることが多い。
の発振素子であるGaAsからなるガンダイオードは、
GaAsのEnergy Relaxaition Timeの制限により、基
本発振周波数の2倍の周波数を用いた二次高調波モード
で発振させることが多い。
【0007】ピル型パッケージに組み立てられたガンダ
イオードは、これを導波管キャビティに搭載してガンダ
イオード発振器を構成するとき、その基本波成分が導波
管のカットオフ周波数以下であれば、その基本波成分は
導波管のカットオフ周波数によって除外され、その発振
スペクトルは二次高調波成分のみとなり、二次高調波モ
ードの発振出力を得ることができる。
イオードは、これを導波管キャビティに搭載してガンダ
イオード発振器を構成するとき、その基本波成分が導波
管のカットオフ周波数以下であれば、その基本波成分は
導波管のカットオフ周波数によって除外され、その発振
スペクトルは二次高調波成分のみとなり、二次高調波モ
ードの発振出力を得ることができる。
【0008】一方、マイクロ波やミリ波の発振器用の表
面実装型のガンダイオードは、マイクロストリップ線路
やコプレーナ線路に実装してガンダイオード発振器を構
成している。
面実装型のガンダイオードは、マイクロストリップ線路
やコプレーナ線路に実装してガンダイオード発振器を構
成している。
【0009】マイクロストリップ線路への実装は、表面
に信号電極を形成し裏面に接地電極を形成した半絶縁性
の平板基板の該表面に、裏面の接地電極からヴィアホー
ルを介して接続される表面接地電極を形成してマイクロ
ストリップ線路を構成し、その信号電極と表面接地電極
とに、表面実装型ガンダイオードの第1、第2の電極を
それぞれ接続搭載して行われる。
に信号電極を形成し裏面に接地電極を形成した半絶縁性
の平板基板の該表面に、裏面の接地電極からヴィアホー
ルを介して接続される表面接地電極を形成してマイクロ
ストリップ線路を構成し、その信号電極と表面接地電極
とに、表面実装型ガンダイオードの第1、第2の電極を
それぞれ接続搭載して行われる。
【0010】また、コプレーナ線路への実装は、半絶縁
性の平板基板の表面に信号電極および一対の接地電極を
形成してコプレーナ線路を構成し、その信号電極と接地
電極とに、ガンダイオードの第1、第2の電極をそれぞ
れ接続搭載して行われる。
性の平板基板の表面に信号電極および一対の接地電極を
形成してコプレーナ線路を構成し、その信号電極と接地
電極とに、ガンダイオードの第1、第2の電極をそれぞ
れ接続搭載して行われる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示したようにガンダイオード100をピル型パッケージ
110に組み立てる際には、放熱基台電極111にガン
ダイオード100を接着する時、前記ボンディングツー
ルが視野を遮り、放熱基台電極111を直接視認するこ
とが困難となり、組立作業効率が非常に悪いという問題
があった。
示したようにガンダイオード100をピル型パッケージ
110に組み立てる際には、放熱基台電極111にガン
ダイオード100を接着する時、前記ボンディングツー
ルが視野を遮り、放熱基台電極111を直接視認するこ
とが困難となり、組立作業効率が非常に悪いという問題
があった。
【0012】また、ガンダイオード100を組み込んだ
ピル型パッケージ110を図8に示したようにマイクロ
ストリップ線路120に実装する際に、金リボン123
によって接続するので、寄生インダクタンスが発生し、
特性がばらつくという実装上の問題点があった。
ピル型パッケージ110を図8に示したようにマイクロ
ストリップ線路120に実装する際に、金リボン123
によって接続するので、寄生インダクタンスが発生し、
特性がばらつくという実装上の問題点があった。
【0013】さらに、従来のマイクロストリップ線路や
コプレーナ線路上にガンダイオードを搭載してガンダイ
オード発振器を構成した場合は、その発振出力に基本波
成分(発振器の発振周波数の1/2の周波数)と二次高
調波成分(発振器の発振周波数)の2波からなる発振ス
ペクトルが発生するため、不要な基本波成分が発振出力
として出力し、高精度の二次高調波モードで動作させる
ことができないという問題があった。
コプレーナ線路上にガンダイオードを搭載してガンダイ
オード発振器を構成した場合は、その発振出力に基本波
成分(発振器の発振周波数の1/2の周波数)と二次高
調波成分(発振器の発振周波数)の2波からなる発振ス
ペクトルが発生するため、不要な基本波成分が発振出力
として出力し、高精度の二次高調波モードで動作させる
ことができないという問題があった。
【0014】本発明の目的は、組み立てや実装が容易で
歩留まりが高く、さらに低コストで良好な二次高調波成
分のみを発振出力として取り出すことができるようにし
たガンダイオード発振器を提供することである。
歩留まりが高く、さらに低コストで良好な二次高調波成
分のみを発振出力として取り出すことができるようにし
たガンダイオード発振器を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】このために請求項1の発
明は、半絶縁性の平板基板の表面に信号電極と該信号電
極に連続するバイアス電極およびオープンスタブを形成
すると共に前記オープンスタブの近傍で前記信号電極を
またぐように2個の表面接地電極を各々形成し、裏面全
面に裏面接地電極を形成し、前記2個の表面接地電極を
個々のヴィアホールにより前記裏面接地電極と接続した
マイクロストリップ線路と、底面の中央にアノード又は
カソードの一方の電極が形成され、前記底面の両側に他
方の電極が各々形成されたフリップチップ型のガンダイ
オードとを具備し、前記ガンダイオードの前記一方の電
極を前記マイクロストリップ線路の前記信号電極に接着
すると共に他方の各電極を前記マイクロストリップ線路
の前記各表面接地電極に接着したガンダイオード発振器
において、前記マイクロストリップ線路の前記信号電極
に連続して、前記平板基板表面にスタブ型フィルタ素子
を配置し、該スタブ型フィルタ素子の前記ガンダイオー
ドからの離間距離を略λ/2(λ:ガンダイオードの基
本発振周波数の波長)の値とし、その長さを略0.239λ
〜0.250λの値としたことを特徴とするガンダイオード
発振器とした。
明は、半絶縁性の平板基板の表面に信号電極と該信号電
極に連続するバイアス電極およびオープンスタブを形成
すると共に前記オープンスタブの近傍で前記信号電極を
またぐように2個の表面接地電極を各々形成し、裏面全
面に裏面接地電極を形成し、前記2個の表面接地電極を
個々のヴィアホールにより前記裏面接地電極と接続した
マイクロストリップ線路と、底面の中央にアノード又は
カソードの一方の電極が形成され、前記底面の両側に他
方の電極が各々形成されたフリップチップ型のガンダイ
オードとを具備し、前記ガンダイオードの前記一方の電
極を前記マイクロストリップ線路の前記信号電極に接着
すると共に他方の各電極を前記マイクロストリップ線路
の前記各表面接地電極に接着したガンダイオード発振器
において、前記マイクロストリップ線路の前記信号電極
に連続して、前記平板基板表面にスタブ型フィルタ素子
を配置し、該スタブ型フィルタ素子の前記ガンダイオー
ドからの離間距離を略λ/2(λ:ガンダイオードの基
本発振周波数の波長)の値とし、その長さを略0.239λ
〜0.250λの値としたことを特徴とするガンダイオード
発振器とした。
【0016】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、前記マイクロストリップ線路を、半絶縁性の平板基
板の表面に信号電極を形成し該信号電極の両側に接地電
極を形成したコプレーナ線路に置換し、前記各表面接地
電極を前記コプレーナ線路の前記接地電極に置換したこ
とを特徴とするガンダイオード発振器とした。
て、前記マイクロストリップ線路を、半絶縁性の平板基
板の表面に信号電極を形成し該信号電極の両側に接地電
極を形成したコプレーナ線路に置換し、前記各表面接地
電極を前記コプレーナ線路の前記接地電極に置換したこ
とを特徴とするガンダイオード発振器とした。
【0017】
【発明の実施の形態】[第1の実施の形態]図1は第1
の実施形態のガンダイオード発振器を示す斜視図、図2
は図1の基板の一部(ガンダイオード搭載部分)を断面
にした斜視図である。10は底面中央にアノード電極バ
ンプ11が、底面両側にカソード電極バンプ12、13
が各々突出形成されたフリップチップ型のガンダイオー
ドであり、マイクロストリップ線路20に実装されてい
る。
の実施形態のガンダイオード発振器を示す斜視図、図2
は図1の基板の一部(ガンダイオード搭載部分)を断面
にした斜視図である。10は底面中央にアノード電極バ
ンプ11が、底面両側にカソード電極バンプ12、13
が各々突出形成されたフリップチップ型のガンダイオー
ドであり、マイクロストリップ線路20に実装されてい
る。
【0018】このガンダイオード10は、ガリウム砒素
やインジウム燐等からなる半導体積層部のアノード電極
バンプ11に対応する中央部分にガンダイオード機能部
を形成し、共通の底面にアノード電極バンプ11とカソ
ード電極バンプ12、13を形成したもの(例えば、特
願平10−259006号)である。
やインジウム燐等からなる半導体積層部のアノード電極
バンプ11に対応する中央部分にガンダイオード機能部
を形成し、共通の底面にアノード電極バンプ11とカソ
ード電極バンプ12、13を形成したもの(例えば、特
願平10−259006号)である。
【0019】マイクロストリップ線路20は、窒化アル
ミニウム(AlN)、シリコン(Si)、シリコンカー
バイド(SiC)、ダイアモンド等のように比抵抗が10
6Ω・cm以上、熱電導率が140W/mK以上で良好な半絶
縁性の基板を平板基板21とし、その平板基板21の表
面に信号電極22を、また裏面全面に接地電極23を形
成したものである。24、25はタングステンを充填し
たヴィアホール(図2参照)であり、裏面の接地電極2
3と表面に形成した表面接地電極26、27を接続して
いる。
ミニウム(AlN)、シリコン(Si)、シリコンカー
バイド(SiC)、ダイアモンド等のように比抵抗が10
6Ω・cm以上、熱電導率が140W/mK以上で良好な半絶
縁性の基板を平板基板21とし、その平板基板21の表
面に信号電極22を、また裏面全面に接地電極23を形
成したものである。24、25はタングステンを充填し
たヴィアホール(図2参照)であり、裏面の接地電極2
3と表面に形成した表面接地電極26、27を接続して
いる。
【0020】22Aはガンダイオード10に電源電圧を
供給するバイアス電極、22Bはガンダイオード10を
含むマイクロストリップ線路による共振器を構成するオ
ープンスタブ、22Cはマイクロストリップ線路による
発振出力部を構成する出力電極、22Dはスタブ型フィ
ルタ素子であり、それぞれは信号電極22に連続して形
成されている。
供給するバイアス電極、22Bはガンダイオード10を
含むマイクロストリップ線路による共振器を構成するオ
ープンスタブ、22Cはマイクロストリップ線路による
発振出力部を構成する出力電極、22Dはスタブ型フィ
ルタ素子であり、それぞれは信号電極22に連続して形
成されている。
【0021】ガンダイオード10は、そのアノード電極
バンプ11が信号電極22に接着され、カソード電極バ
ンプ12、13が表面接地電極26,27に接着される
ことにより搭載されている。
バンプ11が信号電極22に接着され、カソード電極バ
ンプ12、13が表面接地電極26,27に接着される
ことにより搭載されている。
【0022】本実施形態のガンダイオード発振器では、
ガンダイオード10をフェースダウン姿勢にしてバンプ
11、12、13を電極22、26,27に直接接続
し、金リボンを使用しないので、その金リボンによる接
続に起因して発生していた寄生インダクタンスがなくな
り、特性のばらつきの少ない発振器を実現することが可
能になる。
ガンダイオード10をフェースダウン姿勢にしてバンプ
11、12、13を電極22、26,27に直接接続
し、金リボンを使用しないので、その金リボンによる接
続に起因して発生していた寄生インダクタンスがなくな
り、特性のばらつきの少ない発振器を実現することが可
能になる。
【0023】また、ガンダイオード10に発生する熱が
バンプ11、12、13を介してヒートシンクとしても
機能する基板21に放散されるので、放熱効果も高くな
る。さらに、このようなガンダイオード10の実装状態
では、アノード電極バンプ11の両側にカソード電極バ
ンプ12、13が位置するので、アノード電極に過度の
加重が加わることが防止される。
バンプ11、12、13を介してヒートシンクとしても
機能する基板21に放散されるので、放熱効果も高くな
る。さらに、このようなガンダイオード10の実装状態
では、アノード電極バンプ11の両側にカソード電極バ
ンプ12、13が位置するので、アノード電極に過度の
加重が加わることが防止される。
【0024】さらに、ガンダイオード10から出力電極
22Cの方向に距離L1を隔てて長さL2のスタブ型フ
ィルタ素子22Dを配置しているので、このスタブ型フ
ィルタ素子22Dにより、ガンダイオード10で発振さ
れる不要な基本波成分が除去される。
22Cの方向に距離L1を隔てて長さL2のスタブ型フ
ィルタ素子22Dを配置しているので、このスタブ型フ
ィルタ素子22Dにより、ガンダイオード10で発振さ
れる不要な基本波成分が除去される。
【0025】図3はガンダイオード10とスタブ型フィ
ルタ素子22Dの間の距離L1を変化させたときの発振
出力(パワー)の特性を示す図である。この特性図によ
れば、距離L1を調整して発振出力を調整することがで
きることが分かる。ここでは、略0.500λ、つまり略λ
/2で最大出力が得られている。λはガンダイオードの
発振基本波の周波数の波長である。
ルタ素子22Dの間の距離L1を変化させたときの発振
出力(パワー)の特性を示す図である。この特性図によ
れば、距離L1を調整して発振出力を調整することがで
きることが分かる。ここでは、略0.500λ、つまり略λ
/2で最大出力が得られている。λはガンダイオードの
発振基本波の周波数の波長である。
【0026】図4は前記距離L1を最も高出力が得られ
るλ/2とした条件で、スタブ型フィルタ素子22Dの
長さL2を変化させたときの発振出力の特性を示す図で
ある。このように、L2を変化させても発振出力を変化
させることができる。ここで特筆すべき点は、長さL2
を通常考えられるλ/4とするよりも若干短めにした方
が、高い発振出力が得られる点である。すなわち、スタ
ブ型フィルタ素子22Dの長さL2を、略0.239λ〜0.2
50λの値に設定することにより、高発振出力を得ること
ができることが分かる。
るλ/2とした条件で、スタブ型フィルタ素子22Dの
長さL2を変化させたときの発振出力の特性を示す図で
ある。このように、L2を変化させても発振出力を変化
させることができる。ここで特筆すべき点は、長さL2
を通常考えられるλ/4とするよりも若干短めにした方
が、高い発振出力が得られる点である。すなわち、スタ
ブ型フィルタ素子22Dの長さL2を、略0.239λ〜0.2
50λの値に設定することにより、高発振出力を得ること
ができることが分かる。
【0027】[第2の実施形態]図5は図1、図2に示
したマイクロストリップ線路20を、コプレーナ線路3
0に置換して実現したガンダイオード発振器の実施形態
を示す図である。31はコプレーナ線路30の平板基
板、32は基板31の表面に形成された信号電極、3
3、34はその信号電極32の両側に形成された一対の
表面接地電極である。信号電極32には、バイアス電極
32A、共振器を構成するオープンスタブ32B、出力
電極32C、およびスタブ型フィルタ素子32Dがそれ
ぞれ連続して形成されている。
したマイクロストリップ線路20を、コプレーナ線路3
0に置換して実現したガンダイオード発振器の実施形態
を示す図である。31はコプレーナ線路30の平板基
板、32は基板31の表面に形成された信号電極、3
3、34はその信号電極32の両側に形成された一対の
表面接地電極である。信号電極32には、バイアス電極
32A、共振器を構成するオープンスタブ32B、出力
電極32C、およびスタブ型フィルタ素子32Dがそれ
ぞれ連続して形成されている。
【0028】ガンダイオード10は、そのアノード電極
バンプ11が信号電極32に接着され、カソード電極バ
ンプ12、13が表面接地電極33、34に接着される
ことにより搭載されている。フィルタ素子32Dのガン
ダイオード10からの距離L1や長さL2は、前記した
第1の実施形態と同様に設定することが好ましい。
バンプ11が信号電極32に接着され、カソード電極バ
ンプ12、13が表面接地電極33、34に接着される
ことにより搭載されている。フィルタ素子32Dのガン
ダイオード10からの距離L1や長さL2は、前記した
第1の実施形態と同様に設定することが好ましい。
【0029】[その他の実施形態]なお、以上説明した
各実施形態において、ガンダイオード10のアノード電
極バンプ11とカソード電極バンプ12、13は、バイ
アス電圧の極性によって逆になる場合もある。
各実施形態において、ガンダイオード10のアノード電
極バンプ11とカソード電極バンプ12、13は、バイ
アス電圧の極性によって逆になる場合もある。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のガンダイ
オード発振器によれば、平板基板上にガンダイオードを
フェースダウンの姿勢で搭載するので、組み立てや実装
が容易で歩留まりが高くなる。また、信号電極に連続し
てスタブ型フィルタ素子を構成するので、ガンダイオー
ドとフィルタ素子が同一平面に形成され、新たなフィル
タ素子の追加工程は不要となり、コストダウンが可能と
なる。また、ガンダイオードとスタブ型フィルタ素子間
を近接することで、低線路損失、コンパクト化が可能と
なる。さらに、そのスタブ型フィルタ素子のガンダイオ
ードからの距離L1やそのフィルタ素子の長さL2を適
宜設定することで、高出力のガンダイオード発振器を実
現することが可能となる。
オード発振器によれば、平板基板上にガンダイオードを
フェースダウンの姿勢で搭載するので、組み立てや実装
が容易で歩留まりが高くなる。また、信号電極に連続し
てスタブ型フィルタ素子を構成するので、ガンダイオー
ドとフィルタ素子が同一平面に形成され、新たなフィル
タ素子の追加工程は不要となり、コストダウンが可能と
なる。また、ガンダイオードとスタブ型フィルタ素子間
を近接することで、低線路損失、コンパクト化が可能と
なる。さらに、そのスタブ型フィルタ素子のガンダイオ
ードからの距離L1やそのフィルタ素子の長さL2を適
宜設定することで、高出力のガンダイオード発振器を実
現することが可能となる。
【図1】 本発明の第1の実施形態のガンダイオード発
振器の斜視図である。
振器の斜視図である。
【図2】 図1の基板の一部を断面にした斜視図であ
る。
る。
【図3】 図1、2の距離L1を変化させたときの発振
出力の特性図である。
出力の特性図である。
【図4】 図1、2の長さL2を変化させたときの発振
出力の特性図である。
出力の特性図である。
【図5】 第2の実施形態のガンダイオード発振器の斜
視図である。
視図である。
【図6】 従来のメサ型構造のガンダイオードの断面図
である。
である。
【図7】 従来のガンダイオードをピル型パッケージに
組み込んだ断面図である。
組み込んだ断面図である。
【図8】 ピル型パッケージをマイクロストリップ線路
に搭載した説明図である。
に搭載した説明図である。
10:ガンダイオード、11:アノード電極バンプ、1
2,13:カソード電極バンプ 20:マイクロストリップ線路、21:平板基板、2
2:信号電極、22A:バイアス電極、22B:オープ
ンスタブ、22C:出力電極、22D:スタブ型フィル
タ素子、23:裏面接地電極、24,25:ヴィアホー
ル、26,27:表面接地電極、30:コプレーナ線
路、31:平板基板、32:信号電極、32A:バイア
ス電極、32B:オープンスタブ、32C:出力電極、
32D:スタブ型フィルタ素子、33、34:一対の表
面接地電極、100:従来のガンダイオード、101:
半導体基板、102:第1コンタクト層、103:活性
層、104:第2のコンタクト層、105:カソード電
極、106:アノード電極110:ピル型パッケージ、
111:放熱基台電極、112:円筒、113:金リボ
ン、114:金属ディスク 120:マイクロストリップ線路、121:平板基板、
122:接地電極、123:金リボン、124:信号線
路
2,13:カソード電極バンプ 20:マイクロストリップ線路、21:平板基板、2
2:信号電極、22A:バイアス電極、22B:オープ
ンスタブ、22C:出力電極、22D:スタブ型フィル
タ素子、23:裏面接地電極、24,25:ヴィアホー
ル、26,27:表面接地電極、30:コプレーナ線
路、31:平板基板、32:信号電極、32A:バイア
ス電極、32B:オープンスタブ、32C:出力電極、
32D:スタブ型フィルタ素子、33、34:一対の表
面接地電極、100:従来のガンダイオード、101:
半導体基板、102:第1コンタクト層、103:活性
層、104:第2のコンタクト層、105:カソード電
極、106:アノード電極110:ピル型パッケージ、
111:放熱基台電極、112:円筒、113:金リボ
ン、114:金属ディスク 120:マイクロストリップ線路、121:平板基板、
122:接地電極、123:金リボン、124:信号線
路
Claims (2)
- 【請求項1】半絶縁性の平板基板の表面に信号電極と該
信号電極に連続するバイアス電極およびオープンスタブ
を形成すると共に前記オープンスタブの近傍で前記信号
電極をまたぐように2個の表面接地電極を各々形成し、
裏面全面に裏面接地電極を形成し、前記2個の表面接地
電極を個々のヴィアホールにより前記裏面接地電極と接
続したマイクロストリップ線路と、 底面の中央にアノード又はカソードの一方の電極が形成
され、前記底面の両側に他方の電極が各々形成されたフ
リップチップ型のガンダイオードとを具備し、 前記ガンダイオードの前記一方の電極を前記マイクロス
トリップ線路の前記信号電極に接着すると共に他方の各
電極を前記マイクロストリップ線路の前記各表面接地電
極に接着したガンダイオード発振器において、 前記マイクロストリップ線路の前記信号電極に連続し
て、前記平板基板の表面にスタブ型フィルタ素子を配置
し、該スタブ型フィルタ素子の前記ガンダイオードから
の離間距離を略λ/2(λ:ガンダイオードの基本発振
周波数の波長)の値とし、その長さを略0.239λ〜0.250
λの値としたことを特徴とするガンダイオード発振器。 - 【請求項2】請求項1において、 前記マイクロストリップ線路を、半絶縁性の平板基板の
表面に信号電極を形成し該信号電極の両側に接地電極を
形成したコプレーナ線路に置換し、前記各表面接地電極
を前記コプレーナ線路の前記接地電極に置換したことを
特徴とするガンダイオード発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001098917A JP2002299959A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | ガンダイオード発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001098917A JP2002299959A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | ガンダイオード発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002299959A true JP2002299959A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18952522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001098917A Pending JP2002299959A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | ガンダイオード発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002299959A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014203976A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | プリント回路板 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353920A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | New Japan Radio Co Ltd | ガンダイオード発振器 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001098917A patent/JP2002299959A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353920A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | New Japan Radio Co Ltd | ガンダイオード発振器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014203976A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | プリント回路板 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080107 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100708 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101007 |