JP2000091053A - チップ型サージアブソーバ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放電室を有するマイクロギャップ式チップ型
サージアブソーバを、接着用ガラスを用いることなく、
従って熱膨張差に起因するクラックによる封止不良を防
止して、また、焼結体の切断加工を行うことなく、容易
に製造する。 【解決手段】 複数枚のセラミックグリーンシート１１
を薄板状に積層して各々、第１、第２、第３の積層シー
ト１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを得、第１の積層シート１２
Ａに放電電極形成用の導電性膜１４及び放電間隙用のマ
イクロギャップ１４Ａを形成し、第２の積層シート１２
Ｂに放電室形成用の複数の長孔１３を並列して形成し、
これらの積層シート１２Ａ〜１２Ｃに積層して積層体１
５とする。この積層体１５を、切断してチップ１７を
得、このチップ１７を脱脂及び焼成した後、封入ガス中
で端子電極１８を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、サージ電圧を吸収
するサージアブソーバ及びその製造方法に係るものであ
り、詳しくは絶縁性基板で囲まれた放電室に臨むよう
に、放電間隙をあけて１対の放電電極が設けられたチッ
プ型サージアブソーバ及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び先行技術】電話機、モデムなど電子機
器が通信線と接続する部分、或いはＣＲＴ駆動回路な
ど、雷サージや静電気等の異常電圧による電撃を受けや
すい部分に接続し、異常電圧によって電子機器が破壊さ
れるのを防ぐために使用されるサージアブソーバとして
は、次のようなものがある。

【０００３】 図４に示す如く、円柱形碍子４１の表
面に、マイクロギャップ４２Ａを有する導電性皮膜４２
を形成したアブソーバ素子の両端にキャップ電極４３を
かぶせたものをスラグリード４５を用いてガラス管４６
内に封入ガスで封止したガラス管封止型マイクロギャッ
プ式サージアブソーバ。 図５に示す如く、放電間隙をあけて１対の放電電極
５１Ａ，５１Ｂを板面に形成したアルミナ基板５１と、
放電室形成用の開孔５２Ａが板央部に形成されたアルミ
ナ基板５２と開孔のないアルミナ基板５３とを（図５
（ａ））、この順で、ガラスペーストを用いて積層一体
化すると共に放電室内を封入ガス雰囲気としてサージア
ブソーバ素子５４とし、その両端面に端子電極５５Ａ，
５５Ｂを形成したチップ型サージアブソーバ（図５
（ｂ））。 図６に示す如く、板面に放電電極６１Ａを形成した
アルミナ基板６１と、板面に放電電極６３Ａを形成した
アルミナ基板６３とを、放電室形成用の開孔６２Ａが板
央部に形成されたアルミナ基板６２を介して（図６
（ａ））、ガラスペーストを用いて積層一体化すると共
に放電室内を封入ガス雰囲気としてサージアブソーバ素
体６４とし、その両端面に端子電極６５Ａ，６５Ｂを形
成したチップ型サージアブソーバ（図６（ｂ））。 図７に示す如く、アルミナ基板７１の一方の板面に
放電電極７１Ａ，７１Ｂと端子電極７２Ａ，７２Ｂを形
成し、大気中で放電させるチップ型サージアブソーバ。

【０００４】上記〜のサージアブソーバでは、それ
ぞれ次のような問題がある。

【０００５】のガラス管封止型マイクロギャップ式サ
ージアブソーバでは、マイクロギャップで放電をトリガ
するために放電遅れがなく、しかも主放電をキャップ電
極間に形成するためにマイクロギャップの傷みが少なく
なり寿命特性に優れるという長所を有する反面、ガラス
管内にアブソーバ素子と封入ガスを封入して作製するた
め、製品形状は円筒状で、表面実装には不向きである。
また、このようにガラス管内に素子を封入するもので
は、小型化が図れず、長さ３ｍｍ以下のものを作製する
ことは非常に困難である。

【０００６】のチップ型サージアブソーバのように、
開孔を有する基板を用いて放電室を形成する場合、基板
に開孔を形成するための金型作製にコストが非常にかか
り、また開孔の大きさを変更するにも金型を作製し直さ
ねばならず、形状変更に大きなコストが必要となる。ま
た、３枚の基板を重ねるため、封着後の基板の重なり具
合にずれが生じ、外形寸法のバラツキが大きなものとな
る傾向がある。更には、構造上、主放電もマイクロギャ
ップ上で形成されることとなるため、マイクロギャップ
の傷みが激しく、寿命特性の面で問題がある。

【０００７】のチップ型サージアブソーバでは、放電
空間に臨むように対向する放電電極をただ配置しただけ
であるため、電界電子放出などによる放電をトリガする
機構がない。その結果、インパルスに対する放電遅れが
十分に小さくならず、サージ吸収性能がマイクロギャッ
プ式サージアブソーバに比べて劣る。しかも、３枚の基
板を重ねるため、のチップ型サージアブソーバと同
様、外形寸法のバラツキの問題がある。

【０００８】のチップ型サージアブソーバでは、外形
寸法のバラツキは小さいが、大気中で放電するため、大
気の湿度、圧力、塵埃の影響を受けて放電開始電圧が安
定しない。

【０００９】このような問題点を解決し、封入ガス雰囲
気の放電室を有するチップ型サージアブソーバであっ
て、製品寸法のバラツキを防止して、容易に封止を行う
ことができ、しかも、放電をトリガするマイクロギャッ
プとは別に、主放電を行う主放電電極を形成することが
でき、寿命特性を向上させることができるチップ型サー
ジアブソーバを提供するべく、本出願人は先に、図３に
示す如く、積層配置された第１及び第２の絶縁性基板３
１，３２と、第１の絶縁性基板３１の板面のうち、第２
の絶縁性基板３２に対面する板面に、放電間隙３３Ａを
あけて設けられた１対の放電電極３３と、第２の絶縁性
基板３２の板面のうち第１の絶縁性基板３１に対面する
板面に、放電間隙３３Ａに臨むように設けられた放電室
形成用の溝３４と、第１及び第２の絶縁性基板３１，３
２の積層体の対向する１対の端面に、溝３４を封止する
ように設けられた端子電極３５，５５とを備えてなるチ
ップ型サージアブソーバを提案した（特願平１０−１６
５３１４号。以下「先願」という）。

【００１０】このチップ型サージアブソーバでは、第２
の絶縁性基板３３に形成した溝３４により放電室を形成
することができる。しかも、チップ形状でありながらマ
イクロギャップ（第１の絶縁性基板３１の放電間隙３３
Ａ）で放電をトリガし、沿面放電の形態で放電を封止電
極（端子電極）３５，３５まで伸展させ、封止電極（端
子電極）３５，３５間でアーク放電を形成する２段階放
電を行うことができるため、放電遅れが小さく、しかも
マイクロギャップの劣化を防止して寿命特性を向上させ
ることができる。

【００１１】この先願のチップ型サージアブソーバは、
薄板状の第１の絶縁性基板の一方の板面に放電電極形成
用の導電性膜及び放電間隙用のマイクロギャップを形成
する工程、薄板状の第２の絶縁性基板の一方の板面にガ
ラス系接着剤層を形成すると共に、放電室形成用の複数
の溝を並列して形成する工程、該第１の絶縁性基板と第
２の絶縁性基板とを、該導電性膜形成面と溝形成面とを
対面させて接着して積層体とする工程、該積層体を前記
溝と直交する方向に短冊状に切断して角柱体を得る工
程、該角柱体をその長手方向と直交する方向に切断して
チップを得る工程、並びに該チップの前記溝が露出した
面に端子電極を形成する工程により製造される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記先願のチップ型サ
ージアブソーバでは、その製造工程において、第１の絶
縁性基板と第２の絶縁性基板とをガラス系の接着剤層を
用いて加熱接着する際に、アルミナ等の絶縁性基板と接
着剤層のガラスとの熱膨張係数の差に起因してガラス系
接着剤層にクラックが入ってしまうために、封止が困難
であるという欠点がある。また、焼結体よりなる絶縁性
基板の積層体をチップ状に切断する作業が困難であると
いう欠点もある。

【００１３】本発明は上記先願の問題点を解決し、放電
室を有するマイクロギャップ式チップ型サージアブソー
バを、接着用ガラスを用いることなく、従って熱膨張差
に起因するクラックによる封止不良を防止して、また、
焼結体の切断加工を必要とすることなく製造することを
目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明のチップ型サージ
アブソーバは、積層配置された第１、第２及び第３の絶
縁性基板と、該第１の絶縁性基板の板面のうち、該第２
の絶縁性基板に対面する板面に、放電間隙をあけて設け
られた１対の放電電極と、該第１、第２及び第３の絶縁
性基板の積層体の対向する１対の端面に設けられた端子
電極とを備えてなるチップ型サージアブソーバであっ
て、該第２の絶縁性基板は、該第１及び第３の絶縁性基
板の両側辺に沿ってそれぞれ配置され、これらの第１、
第２及び第３の絶縁性基板に囲まれることにより放電室
が形成され、前記放電間隙は該放電室に臨んでおり、こ
れらの第１、第２及び第３の絶縁性基板は焼結により一
体化されており、前記端子電極は前記放電電極に導通す
ると共に、該放電室の両端面を封止するように設けられ
ており、かつ、該放電室内が封入ガス雰囲気とされてい
ることを特徴とする。

【００１５】本発明のチップ型サージアブソーバの製造
方法は、複数枚のセラミックグリーンシートを薄板状に
積層して各々、第１、第２、第３の積層シートを得る工
程、第１の積層シートの一方の板面に放電電極形成用の
導電性膜及び放電間隙用のマイクロギャップを形成する
工程、第２の積層シートに放電室形成用の複数の長孔を
並列して形成する工程、第１の積層シート、第２の積層
シート及び第３の積層シートを、この順で、かつ、前記
導電性膜形成面が第２の積層シートに対面するように積
層して積層体とする工程、積層体を、前記長孔と直交す
る方向と、隣接する長孔同士の間で長孔と平行方向とに
それぞれ切断してチップを得る工程、並びに該チップを
脱脂及び焼成する工程、及び焼成されたチップの前記孔
が露出した面に封入ガス中で端子電極を形成する工程を
備えることを特徴とする。

【００１６】かかるチップ型サージアブソーバであれ
ば、ガラス系接着剤を用いることなく、積層したセラミ
ックグリーンシートを焼結により一体化するため、前述
のような絶縁性基板とガラスとの熱膨張差に起因するク
ラック発生の問題はない。

【００１７】しかも、その製造に当っては、セラミック
グリーンシートの積層シートを積層してなる積層体をチ
ップ状に切断した後焼結するため、切断作業を容易に行
える。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。

【００１９】図１は本発明のチップ型サージアブソーバ
の実施の形態を示す図であって、（ａ）図は断面図、
（ｂ）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

【００２０】図１のチップ型サージアブソーバ１０にお
いて、１は第１の絶縁性基板に相当するアルミナ基板で
あり、一方の板面に放電間隙２Ａをあけて導電性膜より
なる放電電極２が形成されている。３，３は、第２の絶
縁性基板に相当するアルミナ基板であり、第３の絶縁性
基板に相当するアルミナ基板５及び第１の絶縁性基板で
あるアルミナ基板１の間において、これらアルミナ基板
１，５の両側辺に沿って配置されており、これらのアル
ミナ基板１，３，３，５で囲まれる空間が放電室４とさ
れている。

【００２１】そして、アルミナ基板１，３，５の積層体
６の両端面に、放電電極２に導通するように、かつ、放
電室４の両端面を封止するように端子電極７，７が形成
されている。

【００２２】なお、図示の如く、放電電極２の放電間隙
２Ａは放電室４に臨むように設けられており、また、放
電室４内は封入ガス雰囲気とされている。

【００２３】次に、本発明のチップ型サージアブソーバ
の製造方法の実施の形態を図２を参照して説明する。

【００２４】まず、セラミックグリーンシート１１を複
数枚積層して５０〜９０℃，１〜５ｔ／ｃｍ²で圧着
し、薄板状の積層シート１２とする（図２（ａ），
（ｂ））。ここで、セラミックグリーンシートは、例え
ば、アルミナ粉末とＳｉＯ₂等の焼結助材とからなる原
料粉末を有機ビヒクル（有機バインダと溶剤、分散剤、
可塑剤等の混合物）と混合して調製したスラリーをドク
ターブレード法でシート化するなどして、常法により容
易に製造することができる。このセラミックグリーンシ
ートは厚さ２０〜８０μｍ程度とし、５〜２４枚を積
層、圧着して積層シートとするのが好ましい。

【００２５】次いで、この積層シート１２のうちの１枚
１２Ｃに、放電室形成用の長方形状の長孔１３を複数本
並行に形成する（図２（ｃ））。また、別の積層シート
１２Ａに上記長孔１３と対応するように帯状の電極膜１
４を形成し、この電極膜１４にマイクロギャップ１４Ａ
を形成する（図３（ｄ））。

【００２６】そして、電極膜１４を形成した積層シート
１２Ａ、長孔１３を形成した積層シート１２Ｂ及び積層
シート１１を積層、圧着したのみの積層シート１２Ｃを
この順で積層し、５０〜９０℃，１〜５ｔ／ｃｍ²で圧
着して積層体１５とする（図２（ｅ），（ｆ））。この
圧着には、押え板として、長孔１３を形成した積層シー
ト１２Ｂと平面視形状が同形状の押え板を用いるのが好
ましい。

【００２７】次いで、この積層体１５を、前記長孔１３
の延在方向と直交する方向に前記マイクロギャップ１４
Ａの中間の位置で切断して角柱体１６とし（図２
（ｇ））、この角柱体１６をその長手方向と直交する方
向に、隣接する長孔３，３同士の間の位置で切断してチ
ップ状素体１７を得る（図２（ｈ））。この切断順序は
逆であっても良い。即ち、先に、長孔とを平行方向に切
断しても良い。

【００２８】そして、このチップ状素体１７を脱脂し、
次いで、大気中又はＮ₂，Ａｒ等の不活性ガス中におい
て８００〜１１００℃で０．５〜３時間焼成して焼結さ
せた後、封入ガス中で開口１７Ａが露出した面に端子電
極１８，１８を形成してチップ型サージアブソーバ１０
を得る（図２（ｉ））。

【００２９】なお、本発明において、絶縁性基板として
は、絶縁性で気密性の高いものであれば良く、アルミナ
基板の他、コランダム、ムライト、コランダムムライ
ト、アクリル、ベークライト等の基板を用いることがで
きる。従って、その製造に当っては、各々のセラミック
グリーンシートを用いることができる。

【００３０】また、図２に示す方法において、長孔１３
は幅０．１〜１．０ｍｍ程度のものを０．１〜３ｍｍ程
度のピッチで形成するのが好ましく、放電電極用の電極
膜１４は、幅０．１〜１．０ｍｍ程度のものを、長孔１
３と同等のピッチで形成するのが好ましい。

【００３１】この放電電極用の電極膜１４は、Ｔｉ，Ｔ
ｉＮ，Ｔａ，Ｗ，ＳｉＣ，ＳｎＯ₂，ＢａＡｌ，Ｎｂ，
Ｓｉ，Ｃ、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｌａ或いはこれら
の２種以上の混合物等で、スパッタ法、蒸着法、イオン
プレーティング法、印刷法、焼付法等により、膜厚０．
１〜２０μｍ程度に形成するのが好ましい。

【００３２】また、マイクロギャップ１４Ａは、レーザ
ーカット、スクリーンマスク、エッチング等で形成する
ことができ、通常、０．１μｍ〜２．８ｍｍの幅に、電
極膜１４の１本当り、１〜１００本形成される。

【００３３】端子電極を導電性ペーストの塗布により形
成する場合は、Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｂ，Ｓｎ，
Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃ，Ｒｕ，Ｒｈ或いはこれら
の２種以上の混合物よりなる導電性ペーストを塗布し、
Ａｒ，Ｈｅ，Ｎ₂等の封入ガス中（Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，
Ｐｄ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃ，Ｒｕ，Ｒｈの場
合）で加熱すれば良い。なお、このときの加熱は、トン
ネル炉、バッチ炉のいずれでも良いが、封入時に密閉状
態になり、チップ内の圧力が温度上昇とともに上昇して
も炉内の圧力も同様に上昇する炉が好適である。

【００３４】一方、端子電極をキャップ電極で形成する
場合には、金属製のキャップ電極をチップにかぶせて加
熱接着すれば良い。具体的には、まず、Ａｇ，Ａｇ／Ｐ
ｄ，Ａｇ／Ｐｔ，Ｃｕ等の導電性ペーストを塗布した
後、大気中又はＮ₂等の不活性ガス中で焼成して１層目
の電極層を形成し、次いで、上記導電性ペーストにＰｂ
Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系ガラス粉末等を混合した導電性
ガラスペーストを塗布した後、大気中又はＮ₂等の不活
性ガス中で焼成して第２層目の接着性を有する電極層を
形成し、これに金属製のキャップ電極をかぶせて封入ガ
ス雰囲気で加熱接着すれば良い。この場合の焼成用の加
熱炉としても、上記と同様のものを用いることができ
る。

【００３５】なお、封入ガスとしては、Ｈｅ，Ｎ₂，Ａ
ｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＳＦ₆，ＣＯ₂，Ｈ₂等の１種を単独
で、或いは２種以上を混合して使用することができる。
また、この封入ガスの圧力は、通常の場合、１００〜１
０００Ｔｏｒｒ程度とされる。これらの封入ガスの代り
に空気を用いることも可能であるが、放電安定性の面か
らは封入ガス雰囲気とするのが好ましい。

【００３６】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。

【００３７】実施例１ 図２に示す方法で本発明のチップ型サージアブソーバを
製造した。

【００３８】出発原料としてＡｌ₂Ｏ₃及びＳｉＯ₂粉末
を４：６の重量比となるように秤量し、有機バインダ、
溶剤、分散剤、可塑剤を添加し、ボールミルで２４時間
混合してスラリーを調製した。このスラリーを用いて、
ドクターブレード法により厚さ５０μｍのセラミックグ
リーンシートを作製した。

【００３９】このセラミックグリーンシートを１０枚重
ね、温度７０℃，圧力２ｔ／ｃｍ²で圧着して第１の積
層シートとし、この積層シートの一方の板面にＡｇ／Ｐ
ｄペーストを印刷、乾燥して、幅０．３ｍｍで厚さ３μ
ｍの電極膜を帯状に形成し、その後、ＹＡＧレーザーで
幅１００μｍのマイクロギャップ溝を３ｍｍピッチで形
成した。

【００４０】別に、上記セラミックグリーンシート８枚
を重ねて温度７０℃，圧力２ｔ／ｃｍ²で圧着して第２
の積層シートとし、この積層シートに、上記電極膜と対
応する位置に幅０．５ｍｍで長さ６０ｃｍの長方形状の
長孔を形成した。

【００４１】別に、上記セラミックグリーンシート８枚
を重ねて温度７０℃，圧力２ｔ／ｃｍ²で圧着して第３
の積層シートとした。

【００４２】なお、いずれも圧着後の積層シートの大き
さは８０ｍｍ×７０ｍｍである。

【００４３】これら３枚の積層シートを重ねて、第２の
積層シートの長孔と同位置に開口を有し、各積層シート
と同一寸法の金属板を押え板として用い、温度７０℃，
圧力２ｔ／ｃｍ²で圧着して積層体を得た。

【００４４】この積層体をチップ状に切断し、脱脂処理
した後、大気中にて９００℃で２時間焼成してチップ状
焼結体を得た。

【００４５】このチップ状焼結体の開口が露出した端面
に、Ａｇ／Ｐｄ導電性ペーストを塗布して大気中にて８
５０℃で焼成して第１層目の電極層を形成した。次い
で、ガラスペーストを塗布し、７００℃で焼成してキャ
ップ電極と接着性を有する層を形成した。この接着層形
成面にキャップ電極をかぶせＡｒガス（８００Ｔｏｒ
ｒ）中で加熱することにより封止すると共に端子電極を
形成して、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．４ｍｍ厚さの
チップ型サージアブソーバを製造した。

【００４６】なお、キャップ電極には、Ｆｅ−Ｎｉ合金
をＣｕで挟んだ厚み０．１ｍｍのクラッド材の表面にＣ
ｕ₂Ｏ酸化膜を形成した板をコ字形に加工したものを用
いた。

【００４７】得られたチップ型サージアブソーバの直流
放電開始電圧（Ｖｓ）（ＤＣ電圧を印加し放電電流が１
ｍＡになった時点の電圧）を調べ、結果を表１に示し
た。

【００４８】実施例２ 実施例１において、マイクロギャップ幅を５０μｍとし
たこと以外は同様にしてチップ型サージアブソーバを製
造し、同様に評価を行って、結果を表１に示した。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、放
電室を有するマイクロギャップ式チップ型サージアブソ
ーバを、接着用ガラスを用いることなく、従って熱膨張
差に起因するクラックによる封止不良を防止して、ま
た、焼結体の切断加工を必要とすることなく容易に製造
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ型サージアブソーバの実施の形
態を示す図であって、（ａ）図は断面図、（ｂ）図は
（ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図２】本発明のチップ型サージアブソーバの製造方法
の実施の形態を示す斜視図である。

【図３】先願のチップ型サージアブソーバの実施の形態
を示す図であって、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は分解
斜視図、（ｃ）図は（ａ）図のＣ−Ｃ線に沿う断面図で
ある。

【図４】先行技術に係るサージアブソーバを示す断面図
である。

【図５】先行技術に係るチップ型サージアブソーバを示
す斜視図である。

【図６】先行技術に係るチップ型サージアブソーバを示
す斜視図である。

【図７】先行技術に係るチップ型サージアブソーバを示
す斜視図である。

【符号の説明】

１，３，５ アルミナ基板 ２ 放電電極 ２Ａ 放電間隙 ４ 放電室 ６ 積層体 ７ 端子電極 １０ チップ型サージアブソーバ １１ セラミックグリーンシート １２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ 積層シート １３ 長孔 １４ 電極膜 １４Ａ マイクロギャップ １５ 積層体 １６ 角柱体 １７ チップ状素体 １８ 端子電極

フロントページの続き (72)発明者 原田 宏一郎 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内 (72)発明者 中元 隆裕 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 積層配置された第１、第２及び第３の絶
   縁性基板と、 該第１の絶縁性基板の板面のうち、該第２の絶縁性基板
   に対面する板面に、放電間隙をあけて設けられた１対の
   放電電極と、 該第１、第２及び第３の絶縁性基板の積層体の対向する
   １対の端面に設けられた端子電極とを備えてなるチップ
   型サージアブソーバであって、 該第２の絶縁性基板は、該第１及び第３の絶縁性基板の
   両側辺に沿ってそれぞれ配置され、これらの第１、第２
   及び第３の絶縁性基板に囲まれることにより放電室が形
   成され、前記放電間隙は該放電室に臨んでおり、 これらの第１、第２及び第３の絶縁性基板は焼結により
   一体化されており、 前記端子電極は前記放電電極に導通すると共に、該放電
   室の両端面を封止するように設けられており、 かつ、該放電室内が封入ガス雰囲気とされていることを
   特徴とするチップ型サージアブソーバ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のチップ型サージアブソ
   ーバを製造する方法であって、 複数枚のセラミックグリーンシートを薄板状に積層して
   各々、第１、第２、第３の積層シートを得る工程、 第１の積層シートの一方の板面に放電電極形成用の導電
   性膜及び放電間隙用のマイクロギャップを形成する工
   程、 第２の積層シートに放電室形成用の複数の長孔を並列し
   て形成する工程、 第１の積層シート、第２の積層シート及び第３の積層シ
   ートを、この順で、かつ、前記導電性膜形成面が第２の
   積層シートに対面するように積層して積層体とする工
   程、 積層体を、前記長孔と直交する方向と、隣接する長孔同
   士の間で長孔と平行方向とにそれぞれ切断してチップを
   得る工程、 該チップを脱脂及び焼成する工程、 並びに焼成されたチップの前記孔が露出した面に封入ガ
   ス中で端子電極を形成する工程を備えるチップ型サージ
   アブソーバの製造方法。