JP2000090838A - プラズマディスプレ―パネルの隔壁構造及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレ―パネルの隔壁構造及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電空間を拡大して発光効率を向上し得るプ
ラズマディスプレーパネルの隔壁構造及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 基板上に第１隔壁層４０ａを形成させ、
その上にリブ状の第２隔壁を形成させた。そして、第１
隔壁層には内側にへこんだ半球状の溝を形成させ、その
溝の形成によって蛍光物質層の表面積を拡大させた。
ラズマディスプレーパネルの隔壁構造及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 基板上に第１隔壁層４０ａを形成させ、
その上にリブ状の第２隔壁を形成させた。そして、第１
隔壁層には内側にへこんだ半球状の溝を形成させ、その
溝の形成によって蛍光物質層の表面積を拡大させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ装置に係るもので、詳しくは、放電空間を拡
大して発光効率を向上させたプラズマディスプレーパネ
ル（以下、ＰＤＰと称す）の隔壁構造及びその製造方法
に関するものである。
ィスプレイ装置に係るもので、詳しくは、放電空間を拡
大して発光効率を向上させたプラズマディスプレーパネ
ル（以下、ＰＤＰと称す）の隔壁構造及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界放
出表示装置（Field Emission Display：ＦＥＤ）及びＰ
ＤＰなどの平面表示装置の開発が活発になり、特に、Ｐ
ＤＰにおいては、単純な構造による制作の容易性、高輝
度及び高発光を有するなど効率面での優秀性、メモリ機
能、１６０°以上の広い視野角を有すること及び４０イ
ンチ以上の大画面を実現することができるなどの長所を
有するため、最も注目を浴びている表示装置である。こ
のような従来のＰＤＰの一例として面放電型交流ＰＤＰ
においては、図７、９に示したように、前面ガラス基板
１０と後面ガラス基板２０とが所定距離離れて対向して
配置され、前面ガラス基板１０と後面ガラス基板２０間
は隔壁２３により区画された放電空間３０が形成されて
いる。
出表示装置（Field Emission Display：ＦＥＤ）及びＰ
ＤＰなどの平面表示装置の開発が活発になり、特に、Ｐ
ＤＰにおいては、単純な構造による制作の容易性、高輝
度及び高発光を有するなど効率面での優秀性、メモリ機
能、１６０°以上の広い視野角を有すること及び４０イ
ンチ以上の大画面を実現することができるなどの長所を
有するため、最も注目を浴びている表示装置である。こ
のような従来のＰＤＰの一例として面放電型交流ＰＤＰ
においては、図７、９に示したように、前面ガラス基板
１０と後面ガラス基板２０とが所定距離離れて対向して
配置され、前面ガラス基板１０と後面ガラス基板２０間
は隔壁２３により区画された放電空間３０が形成されて
いる。
【０００３】後面ガラス基板２０の上面には複数のアド
レス電極Ａが一方向に平行に配置され、そのアドレス電
極Ａが形成された後面ガラス基板２０の上にアドレス電
極Ａを覆うように誘電体層２２が形成されている。その
誘電体層２２の上には複数の隔壁２３が形成されてい
る。それらの隔壁２３の間にアドレス電極Ａがくるよう
に隔壁は形成されている。アドレス電極Ａを被覆してい
る誘電体層２２の上と両側の隔壁の面とには蛍光体層２
４が塗布されている。
レス電極Ａが一方向に平行に配置され、そのアドレス電
極Ａが形成された後面ガラス基板２０の上にアドレス電
極Ａを覆うように誘電体層２２が形成されている。その
誘電体層２２の上には複数の隔壁２３が形成されてい
る。それらの隔壁２３の間にアドレス電極Ａがくるよう
に隔壁は形成されている。アドレス電極Ａを被覆してい
る誘電体層２２の上と両側の隔壁の面とには蛍光体層２
４が塗布されている。
【０００４】一方、前面ガラス基板１０の後面ガラス基
板に面している面にはアドレス電極Ａと直交する方向に
維持／表示電極Ｘｎと走査電極Ｙｎとが所定距離離れて
平行に配置され（図７には電極Ｘｎのみ表示）、それら
維持／表示電極Ｘｎと走査電極Ｙｎには安定的な駆動電
圧を印加するために複数のバス電極１３がそれぞれの電
極の縁に沿って形成されている。ここで、維持／表示電
極Ｘｎ及び走査電極Ｙｎは発光された光の通過率を高め
るために透明材料、特に、ＩＴＯ（Indium TinOxide）
が一般に使用され、各バス電極１３はアルミニウムまた
はクロム／銅／クロム層により形成されている。そし
て、維持／表示電極Ｘｎ、前記走査電極Ｙｎ、バス電極
１３及び前面ガラス基板１０の上面にはＰｂＯ系統の誘
電体層１４が塗布され、誘電体層１４の表面には保護膜
１５としてＭｇＯ膜が塗布されている。ここで、ＭｇＯ
保護膜１５は、ＰｂＯ誘電体層１４をイオンのスパッタ
リングから保護し、また、比較的高い２次電子発生係数
の特性を有し、ＰＤＰがプラズマ放電を行うときに低い
イオンエネルギーが表面に衝突したとき、放電プラズマ
の駆動及び維持電圧を低下させる役割をする。また、Ｐ
ＤＰの内部、即ち、隔壁により囲まれた各放電セルにＨ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ及びこれらの混合気体中の何れか１つと
Ｘｅとの混合気体３１が封入されている。各隔壁間の空
間が放電を発生させる放電空間である。
板に面している面にはアドレス電極Ａと直交する方向に
維持／表示電極Ｘｎと走査電極Ｙｎとが所定距離離れて
平行に配置され（図７には電極Ｘｎのみ表示）、それら
維持／表示電極Ｘｎと走査電極Ｙｎには安定的な駆動電
圧を印加するために複数のバス電極１３がそれぞれの電
極の縁に沿って形成されている。ここで、維持／表示電
極Ｘｎ及び走査電極Ｙｎは発光された光の通過率を高め
るために透明材料、特に、ＩＴＯ（Indium TinOxide）
が一般に使用され、各バス電極１３はアルミニウムまた
はクロム／銅／クロム層により形成されている。そし
て、維持／表示電極Ｘｎ、前記走査電極Ｙｎ、バス電極
１３及び前面ガラス基板１０の上面にはＰｂＯ系統の誘
電体層１４が塗布され、誘電体層１４の表面には保護膜
１５としてＭｇＯ膜が塗布されている。ここで、ＭｇＯ
保護膜１５は、ＰｂＯ誘電体層１４をイオンのスパッタ
リングから保護し、また、比較的高い２次電子発生係数
の特性を有し、ＰＤＰがプラズマ放電を行うときに低い
イオンエネルギーが表面に衝突したとき、放電プラズマ
の駆動及び維持電圧を低下させる役割をする。また、Ｐ
ＤＰの内部、即ち、隔壁により囲まれた各放電セルにＨ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ及びこれらの混合気体中の何れか１つと
Ｘｅとの混合気体３１が封入されている。各隔壁間の空
間が放電を発生させる放電空間である。
【０００５】以下、このように構成された従来ＰＤＰの
動作について説明する。即ち、維持／表示電極Ｘｎと走
査電極Ｙｎ間に所定駆動電圧が印加されると、誘電体層
１４の表面からプラズマ放電が発生し、プラズマ放電に
より発生された紫外線が赤色（以下Ｒと称す）、緑色
（以下Ｇと称す）及び青色（以下Ｂと称す）の蛍光体を
励起発光させ、それらの蛍光体から発光されたＲ、Ｇ、
Ｂの可視光線は、保護膜１５、誘電体層１４及び表示電
極Ｘｎを順次経由して前面ガラス基板１０から放出され
て文字またはグラフィックを表示するようになってい
た。
動作について説明する。即ち、維持／表示電極Ｘｎと走
査電極Ｙｎ間に所定駆動電圧が印加されると、誘電体層
１４の表面からプラズマ放電が発生し、プラズマ放電に
より発生された紫外線が赤色（以下Ｒと称す）、緑色
（以下Ｇと称す）及び青色（以下Ｂと称す）の蛍光体を
励起発光させ、それらの蛍光体から発光されたＲ、Ｇ、
Ｂの可視光線は、保護膜１５、誘電体層１４及び表示電
極Ｘｎを順次経由して前面ガラス基板１０から放出され
て文字またはグラフィックを表示するようになってい
た。
【０００６】従来のＰＤＰにおける放電空間３０におい
ては、図８に示したように、後面ガラス基板２０上に誘
電体層２２が形成され、誘電体層２２の上に各放電セル
を分離するための複数の隔壁２３が形成されている。即
ち、放電空間３０の大きさは、各隔壁２３の高さ及びそ
れら隔壁２３の間の離隔距離によって決定される。従来
のＰＤＰにおける放電空間３０の大きさは、高さ（即
ち、隔壁の高さ）約１５０μｍ、隔壁間の離隔距離であ
る幅（即ち、放電空間の底面の距離）約３００μｍ程度
である。ここで、隔壁２３の両壁面及び誘電体層２２の
上面には厚さ約２０μｍ程度の蛍光体層２４が形成され
ているため、放電空間の大きさによって蛍光体層の表面
積が異なっていた。
ては、図８に示したように、後面ガラス基板２０上に誘
電体層２２が形成され、誘電体層２２の上に各放電セル
を分離するための複数の隔壁２３が形成されている。即
ち、放電空間３０の大きさは、各隔壁２３の高さ及びそ
れら隔壁２３の間の離隔距離によって決定される。従来
のＰＤＰにおける放電空間３０の大きさは、高さ（即
ち、隔壁の高さ）約１５０μｍ、隔壁間の離隔距離であ
る幅（即ち、放電空間の底面の距離）約３００μｍ程度
である。ここで、隔壁２３の両壁面及び誘電体層２２の
上面には厚さ約２０μｍ程度の蛍光体層２４が形成され
ているため、放電空間の大きさによって蛍光体層の表面
積が異なっていた。
【０００７】併し、従来ＰＤＰの発光効率は約１ｌｍ／
Ｗ程度であって、ブラウン管の発光効率である５ｌｍ／
Ｗに比べて非常に低いため、ＰＤＰの開発に当たっては
発光効率の改善が主要な課題となっていた。ここで、発
光効率は次の式１により求めることができる。 Ｆ＝ＫβηqｈvγΦ （１） 式中、Ｆは出力可視光の光速、Ｋは放電空間内の蛍光体
層の表面積、βは蛍光体を放射する可視光線の放電セル
からの脱出効率、ηqは蛍光体の陽子効率、ｈvは可視光
のエネルギー、γは視感度（ｌｍ／ｗ）、Φは放電セル
の単位面積に到達する紫外線の光速、をそれぞれ意味す
る。したがって、式１において、発光効率は蛍光体層の
表面積及び紫外線の量に大きく依存し、その中でも、蛍
光体層の表面積を拡大させることが発光効率を高める方
法として最も容易であることが分かる。このように蛍光
体層の表面積を拡大するためには放電空間の面積を拡大
すべきであり、制限されたパネル空間内で放電空間を拡
大するためには、各隔壁の幅を狭くして隔壁の高さを高
くすべきである。
Ｗ程度であって、ブラウン管の発光効率である５ｌｍ／
Ｗに比べて非常に低いため、ＰＤＰの開発に当たっては
発光効率の改善が主要な課題となっていた。ここで、発
光効率は次の式１により求めることができる。 Ｆ＝ＫβηqｈvγΦ （１） 式中、Ｆは出力可視光の光速、Ｋは放電空間内の蛍光体
層の表面積、βは蛍光体を放射する可視光線の放電セル
からの脱出効率、ηqは蛍光体の陽子効率、ｈvは可視光
のエネルギー、γは視感度（ｌｍ／ｗ）、Φは放電セル
の単位面積に到達する紫外線の光速、をそれぞれ意味す
る。したがって、式１において、発光効率は蛍光体層の
表面積及び紫外線の量に大きく依存し、その中でも、蛍
光体層の表面積を拡大させることが発光効率を高める方
法として最も容易であることが分かる。このように蛍光
体層の表面積を拡大するためには放電空間の面積を拡大
すべきであり、制限されたパネル空間内で放電空間を拡
大するためには、各隔壁の幅を狭くして隔壁の高さを高
くすべきである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来のＰＤＰの隔壁においては、サンドブラスト法、スク
リーンプリント法及びエッチング法などから選択された
一つの工程により製造が行われるており、１５０μｍ以
上の高さを有する隔壁を均一に形成することが極めて困
難であった。本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたもので、プラズマディスプレーパネルの発光効
率を向上させることができる隔壁構造及びその製造方法
を提供することを目的とする。
来のＰＤＰの隔壁においては、サンドブラスト法、スク
リーンプリント法及びエッチング法などから選択された
一つの工程により製造が行われるており、１５０μｍ以
上の高さを有する隔壁を均一に形成することが極めて困
難であった。本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたもので、プラズマディスプレーパネルの発光効
率を向上させることができる隔壁構造及びその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係るＰＤＰの隔壁構造においては、基
板上に形成され、所定高さを有する第１隔壁層と、該第
１隔壁上に形成される第２隔壁層と、の２層構造を有し
て構成されている。そして、このような目的を達成する
ため、本発明に係るＰＤＰの隔壁構造の製造方法におい
ては、基板の上面に所定厚さを有する絶縁物層を形成す
る工程と、絶縁物層の上面にフォトレジスト膜パターン
を形成する工程と、フォトレジスト膜パターンをマスク
として絶縁物層をエッチングし、絶縁物層の上面に溝を
形成して第１隔壁層を形成する工程と、フォトレジスト
膜パターンを除去する工程と、前記フォトレジスト膜パ
ターンが除去された部位の前記第１隔壁層の上面に第２
隔壁層を形成する工程と、を順次行う。
るため、本発明に係るＰＤＰの隔壁構造においては、基
板上に形成され、所定高さを有する第１隔壁層と、該第
１隔壁上に形成される第２隔壁層と、の２層構造を有し
て構成されている。そして、このような目的を達成する
ため、本発明に係るＰＤＰの隔壁構造の製造方法におい
ては、基板の上面に所定厚さを有する絶縁物層を形成す
る工程と、絶縁物層の上面にフォトレジスト膜パターン
を形成する工程と、フォトレジスト膜パターンをマスク
として絶縁物層をエッチングし、絶縁物層の上面に溝を
形成して第１隔壁層を形成する工程と、フォトレジスト
膜パターンを除去する工程と、前記フォトレジスト膜パ
ターンが除去された部位の前記第１隔壁層の上面に第２
隔壁層を形成する工程と、を順次行う。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。本発明実施形態に係るＰＤＰの隔壁
構造においては、図１に示したように、第１隔壁層４０
ａと第２隔壁層４０ｂとにより構成されている。この第
１、第２隔壁層４０ａ、４０ｂの材料としてはガラスの
ように反射率の高い絶縁物質が好ましい。第１隔壁層４
０ａは約２００μｍの厚さを有する絶縁基板により構成
され（図では全体を示していない）、上面の所定部位に
約１３０μｍ程度の半径を有する半球型溝４２を有して
いる。本明細書では説明の便宜上、溝４２を除外した絶
縁基板４１の上面を平地４３と称す。
を用いて説明する。本発明実施形態に係るＰＤＰの隔壁
構造においては、図１に示したように、第１隔壁層４０
ａと第２隔壁層４０ｂとにより構成されている。この第
１、第２隔壁層４０ａ、４０ｂの材料としてはガラスの
ように反射率の高い絶縁物質が好ましい。第１隔壁層４
０ａは約２００μｍの厚さを有する絶縁基板により構成
され（図では全体を示していない）、上面の所定部位に
約１３０μｍ程度の半径を有する半球型溝４２を有して
いる。本明細書では説明の便宜上、溝４２を除外した絶
縁基板４１の上面を平地４３と称す。
【００１１】且つ、第１隔壁層４０ａの平地４３には所
定幅で平地から直立に立ち上がっている帯状のリブ４
６，４７が１画素に対してその両側に２つ平行に並ぶよ
うにして形成された第２隔壁層４０ｂが形成されてい
る。第２隔壁層４０ｂの一方のリブ４６は溝４２の端部
から所定距離（例えば、約４０μｍ程度）離隔した位置
の平地４３の上に形成されるが、他方のリブ４７は溝４
７の端部に整列して平地４３の上に形成される。即ち、
本発明に係るＰＤＰの隔壁構造においては、溝４２とそ
の両方側のリブ４６、４７により放電空間３０が形成さ
れ、放電空間３０内の第１隔壁層４０ａ及び第２隔壁層
４０ｂの表面には厚さ約２０μｍ程度の蛍光体層４５が
塗布されている。
定幅で平地から直立に立ち上がっている帯状のリブ４
６，４７が１画素に対してその両側に２つ平行に並ぶよ
うにして形成された第２隔壁層４０ｂが形成されてい
る。第２隔壁層４０ｂの一方のリブ４６は溝４２の端部
から所定距離（例えば、約４０μｍ程度）離隔した位置
の平地４３の上に形成されるが、他方のリブ４７は溝４
７の端部に整列して平地４３の上に形成される。即ち、
本発明に係るＰＤＰの隔壁構造においては、溝４２とそ
の両方側のリブ４６、４７により放電空間３０が形成さ
れ、放電空間３０内の第１隔壁層４０ａ及び第２隔壁層
４０ｂの表面には厚さ約２０μｍ程度の蛍光体層４５が
塗布されている。
【００１２】このような構造を有する本実施形態に係る
隔壁構造が適用されるＰＤＰにおいては、放電空間の表
面積が拡大されて蛍光体層の表面積が拡大されるため、
発光効率が一層高いことが、図７に示した従来の隔壁構
造と、図１に示した本発明に係る隔壁構造と、をそれぞ
れ有する各ＰＤＰにおける放電空間の蛍光体層の表面積
を比較することにより確認することができる。ここで、
両蛍光体層の表面積を比較する前の前提として、図７及
び図１における隔壁の高さ（本発明の場合は第2隔壁層
の高さ）及び各隔壁間の離隔距離は同じであると仮定す
る。即ち、両蛍光体層の表面積を比較するためには、各
隔壁間の離隔距離を確認すべきであるが、図７の隔壁及
び図１の第２隔壁層の離隔距離が同様であると仮定して
いるため、ここでは蛍光体層の全体長さだけを比較して
みる。先ず、図７における放電空間内の蛍光体層の表面
の長さ（Ｋ１）は式２により求めることができる。 Ｋ１＝ｈ１×２＋ｘ１ （２） 式中、Ｋ１は放電空間内の蛍光体層の表面の全長、ｈ１
は隔壁面に塗布された蛍光体層の表面の長さ、ｘ１は各
隔壁間の放電空間の底面の蛍光体層の表面長さをそれぞ
れ意味している。
隔壁構造が適用されるＰＤＰにおいては、放電空間の表
面積が拡大されて蛍光体層の表面積が拡大されるため、
発光効率が一層高いことが、図７に示した従来の隔壁構
造と、図１に示した本発明に係る隔壁構造と、をそれぞ
れ有する各ＰＤＰにおける放電空間の蛍光体層の表面積
を比較することにより確認することができる。ここで、
両蛍光体層の表面積を比較する前の前提として、図７及
び図１における隔壁の高さ（本発明の場合は第2隔壁層
の高さ）及び各隔壁間の離隔距離は同じであると仮定す
る。即ち、両蛍光体層の表面積を比較するためには、各
隔壁間の離隔距離を確認すべきであるが、図７の隔壁及
び図１の第２隔壁層の離隔距離が同様であると仮定して
いるため、ここでは蛍光体層の全体長さだけを比較して
みる。先ず、図７における放電空間内の蛍光体層の表面
の長さ（Ｋ１）は式２により求めることができる。 Ｋ１＝ｈ１×２＋ｘ１ （２） 式中、Ｋ１は放電空間内の蛍光体層の表面の全長、ｈ１
は隔壁面に塗布された蛍光体層の表面の長さ、ｘ１は各
隔壁間の放電空間の底面の蛍光体層の表面長さをそれぞ
れ意味している。
【００１３】ところが、隔壁の高さは１５０μｍで、蛍
光体層の厚さが２０μｍであるため、隔壁面に塗布され
た蛍光体層の長さｈ１は、隔壁の高さから蛍光体層の厚
さを減算した１３０μｍである。また、各隔壁間の離隔
距離は３００μｍであるが、放電空間の底面の蛍光体層
の表面長さｘ１は、３００μｍから両方側の隔壁に塗布
された蛍光体層の厚さの２０μｍをそれぞれ減算した
値、即ち、２６０μｍである。これを前記式２のような
方式で表すと次のようになる。 Ｋ１＝［（１５０μｍ−２０μｍ）×２］＋［３００μｍ−（２０μｍ×２）］ ＝５２０μｍ 即ち、従来のＰＤＰの隔壁構造における放電空間の蛍光
体層の全体表面の長さは５２０μｍである。
光体層の厚さが２０μｍであるため、隔壁面に塗布され
た蛍光体層の長さｈ１は、隔壁の高さから蛍光体層の厚
さを減算した１３０μｍである。また、各隔壁間の離隔
距離は３００μｍであるが、放電空間の底面の蛍光体層
の表面長さｘ１は、３００μｍから両方側の隔壁に塗布
された蛍光体層の厚さの２０μｍをそれぞれ減算した
値、即ち、２６０μｍである。これを前記式２のような
方式で表すと次のようになる。 Ｋ１＝［（１５０μｍ−２０μｍ）×２］＋［３００μｍ−（２０μｍ×２）］ ＝５２０μｍ 即ち、従来のＰＤＰの隔壁構造における放電空間の蛍光
体層の全体表面の長さは５２０μｍである。
【００１４】一方、図７に示した本発明に係る隔壁構造
を有するＰＤＰの放電空間における蛍光体層の表面の長
さは次式３により求めることができる。 Ｋ２＝ｈ２×２＋ｘ１＋ｘ２ （３） 式中、Ｋ２は放電空間内における蛍光体層の表面長さ、
ｈ２は第２隔壁４０ｂの壁面に塗布された蛍光体層の表
面の長さ、ｘ１は放電空間の底面の長さ中、第２隔壁の
一方のリブと第１隔壁の溝間に形成された平地上面の蛍
光体層の長さ、ｘ２は第１隔壁の半円型溝の上面に形成
された蛍光体層の表面の長さをそれぞれ意味している。
ここで、ｈ２は式２のｈ１と同じであるため、１３０μ
ｍである。また、ｘ１は平地の長さ４０μｍ、半円型溝
上面の蛍光体層の表面の長さはπＲ（半径）で、溝の半
径が１３０μｍで、溝の表面には厚さ２０μｍ程度の蛍
光体層が塗布されているため、実際の蛍光体層の表面ま
での半球の半径は１１０μｍとなる。従って、前記数学
式３は次のように表現することもできる。 Ｋ２＝［（１５０μｍ−２０μｍ）×２］＋４０μｍ＋
１１０πμｍ］＝６４５．４μｍ 即ち、本発明に係る隔壁構造を有するＰＤＰの放電空間
における蛍光体層の表面の長さは６４５．４μｍにな
り、Ｋ１とＫ２とを比較すると、Ｋ２がＫ１に比べて
１．２５倍も大きいことが分かる。よって、本発明に係
る隔壁構造を採用すると、従来に比べて蛍光体層の表面
積が広くなって、発光効率が高くなることが分かる。
を有するＰＤＰの放電空間における蛍光体層の表面の長
さは次式３により求めることができる。 Ｋ２＝ｈ２×２＋ｘ１＋ｘ２ （３） 式中、Ｋ２は放電空間内における蛍光体層の表面長さ、
ｈ２は第２隔壁４０ｂの壁面に塗布された蛍光体層の表
面の長さ、ｘ１は放電空間の底面の長さ中、第２隔壁の
一方のリブと第１隔壁の溝間に形成された平地上面の蛍
光体層の長さ、ｘ２は第１隔壁の半円型溝の上面に形成
された蛍光体層の表面の長さをそれぞれ意味している。
ここで、ｈ２は式２のｈ１と同じであるため、１３０μ
ｍである。また、ｘ１は平地の長さ４０μｍ、半円型溝
上面の蛍光体層の表面の長さはπＲ（半径）で、溝の半
径が１３０μｍで、溝の表面には厚さ２０μｍ程度の蛍
光体層が塗布されているため、実際の蛍光体層の表面ま
での半球の半径は１１０μｍとなる。従って、前記数学
式３は次のように表現することもできる。 Ｋ２＝［（１５０μｍ−２０μｍ）×２］＋４０μｍ＋
１１０πμｍ］＝６４５．４μｍ 即ち、本発明に係る隔壁構造を有するＰＤＰの放電空間
における蛍光体層の表面の長さは６４５．４μｍにな
り、Ｋ１とＫ２とを比較すると、Ｋ２がＫ１に比べて
１．２５倍も大きいことが分かる。よって、本発明に係
る隔壁構造を採用すると、従来に比べて蛍光体層の表面
積が広くなって、発光効率が高くなることが分かる。
【００１５】一方、本発明に係る隔壁構造を採用したＰ
ＤＰの第１実施形態としての面放電型ＰＤＰは、図２、
３に示したように、前面ガラス基板５０と後面ガラス基
板５１とが所定距離離隔して対向に配置され、その間で
プラズマ放電が発生する。前面ガラス基板５０の一方側
面には維持／表示電極Ｘ及び走査電極（未図示）が平行
に形成され、維持／表示電極Ｘ、走査電極及び前面ガラ
ス基板５０の上面に第１誘電体層５２及び第１誘電体層
保護膜５３が順次形成されている。前面ガラス基板５０
と対向している後面ガラス基板５１の上面には第１隔壁
層５４が形成されている。ここで、第１隔壁層５４は平
地５４ａ及び溝５４ｂからなる絶縁基板である。そし
て、第１隔壁層５４の平地５４ａの上面にアドレス電極
５５が形成され、溝５４ｂを除いた第１隔壁層５４及び
アドレス電極５５の上面に第２誘電体層５６が形成され
ている。アドレス電極５５の一方側端部は、第１隔壁層
５４の平地５４ａの一方側端部に整列するように形成さ
れている。且つ、第２誘電体層５６の上には所定高さを
有するリブからなる第２隔壁層５７が形成されている。
その第２隔壁層５７は、第１隔壁層５４の平地５４ａの
アドレス電極を形成させた側とは反対側に整列されて形
成されている。即ち、第２隔壁層は、アドレス電極５５
とその上の第２誘電体層５６の上面を被覆しないように
形成されている。また、第２隔壁層５７の両側壁、第２
誘電体層５６及び前記第１隔壁の溝５４ｂの上面には蛍
光体層５８が形成されている。
ＤＰの第１実施形態としての面放電型ＰＤＰは、図２、
３に示したように、前面ガラス基板５０と後面ガラス基
板５１とが所定距離離隔して対向に配置され、その間で
プラズマ放電が発生する。前面ガラス基板５０の一方側
面には維持／表示電極Ｘ及び走査電極（未図示）が平行
に形成され、維持／表示電極Ｘ、走査電極及び前面ガラ
ス基板５０の上面に第１誘電体層５２及び第１誘電体層
保護膜５３が順次形成されている。前面ガラス基板５０
と対向している後面ガラス基板５１の上面には第１隔壁
層５４が形成されている。ここで、第１隔壁層５４は平
地５４ａ及び溝５４ｂからなる絶縁基板である。そし
て、第１隔壁層５４の平地５４ａの上面にアドレス電極
５５が形成され、溝５４ｂを除いた第１隔壁層５４及び
アドレス電極５５の上面に第２誘電体層５６が形成され
ている。アドレス電極５５の一方側端部は、第１隔壁層
５４の平地５４ａの一方側端部に整列するように形成さ
れている。且つ、第２誘電体層５６の上には所定高さを
有するリブからなる第２隔壁層５７が形成されている。
その第２隔壁層５７は、第１隔壁層５４の平地５４ａの
アドレス電極を形成させた側とは反対側に整列されて形
成されている。即ち、第２隔壁層は、アドレス電極５５
とその上の第２誘電体層５６の上面を被覆しないように
形成されている。また、第２隔壁層５７の両側壁、第２
誘電体層５６及び前記第１隔壁の溝５４ｂの上面には蛍
光体層５８が形成されている。
【００１６】そして、本発明に係る隔壁構造を採択した
ＰＤＰの第２実施形態として対向電極型ＰＤＰにおいて
は、４，５に示したように、走査電極Ｙ’が後面ガラス
基板５１の上面に形成されている。その走査電極Ｙ’は
前面ガラス基板５０に形成された維持／表示電極Ｘと直
交する方向に後面ガラス基板５１と第１隔壁５４間に形
成されている。即ち、本発明に係る隔壁構造を採択した
ＰＤＰの第２実施形態においては、前面ガラス基板５０
に形成された維持／表示電極Ｘと後面ガラス基板５１に
形成された走査電極Ｙ’とに所定電圧を印加してプラズ
マ放電を発生するようになっている。一般に、前面ガラ
ス基板に１つの電極を形成し、後面ガラス基板にもう１
つの電極を形成し、両電極に電圧を印加してプラズマ放
電を発生させる場合、紫外線の発生効率が高い陽光柱プ
ラズマが発生するが、従来の対向電極型ＰＤＰの場合
は、プラズマ放電を発生するための両電極が、前面ガラ
ス基板と後面ガラス基板との距離だけ離れて位置するた
め、その距離が遠くて結果的に放電電圧が高くなるとい
う不都合な点があった。これに対して、本実施形態に係
る隔壁構造を採択した対向電極型ＰＤＰの場合は、アド
レス電極を放電空間の下部に形成せずに隔壁に隣接する
ように形成するため、前面ガラス基板と後面ガラス基板
とにそれぞれ形成されたプラズマ放電用の両電極間の距
離が従来に比べて短くなり、よって、従来の対向電極型
ＰＤＰに比べ放電電圧を低下させることができるため、
ＰＤＰの効率が高くなるという効果がある。
ＰＤＰの第２実施形態として対向電極型ＰＤＰにおいて
は、４，５に示したように、走査電極Ｙ’が後面ガラス
基板５１の上面に形成されている。その走査電極Ｙ’は
前面ガラス基板５０に形成された維持／表示電極Ｘと直
交する方向に後面ガラス基板５１と第１隔壁５４間に形
成されている。即ち、本発明に係る隔壁構造を採択した
ＰＤＰの第２実施形態においては、前面ガラス基板５０
に形成された維持／表示電極Ｘと後面ガラス基板５１に
形成された走査電極Ｙ’とに所定電圧を印加してプラズ
マ放電を発生するようになっている。一般に、前面ガラ
ス基板に１つの電極を形成し、後面ガラス基板にもう１
つの電極を形成し、両電極に電圧を印加してプラズマ放
電を発生させる場合、紫外線の発生効率が高い陽光柱プ
ラズマが発生するが、従来の対向電極型ＰＤＰの場合
は、プラズマ放電を発生するための両電極が、前面ガラ
ス基板と後面ガラス基板との距離だけ離れて位置するた
め、その距離が遠くて結果的に放電電圧が高くなるとい
う不都合な点があった。これに対して、本実施形態に係
る隔壁構造を採択した対向電極型ＰＤＰの場合は、アド
レス電極を放電空間の下部に形成せずに隔壁に隣接する
ように形成するため、前面ガラス基板と後面ガラス基板
とにそれぞれ形成されたプラズマ放電用の両電極間の距
離が従来に比べて短くなり、よって、従来の対向電極型
ＰＤＰに比べ放電電圧を低下させることができるため、
ＰＤＰの効率が高くなるという効果がある。
【００１７】以下、このように構成される本発明に係る
ＰＤＰの隔壁構造の製造方法に対し、図６（Ａ）〜
（Ｅ）に基づいて説明する。先ず、図６（Ａ）に示した
ように、ＰＤＰの後面ガラス基板６０の上面に所定厚さ
（例えば、約２００μｍ）を有するガラスペーストのよ
うな絶縁物ペースト６２をスクリーンプリント法または
ドライフィルム法により塗布した後、ガラスペースト６
２の形成された後面ガラス基板６０を約３５０℃の温度
で約１５分間維持させてガラスペースト６２内の有機物
を燃焼し、約５５０〜６５０℃の温度で約２０分間焼成
する。このとき、ガラスペーストとしては、可視光に対
する反射率の高い材料を選択することが好ましい。
ＰＤＰの隔壁構造の製造方法に対し、図６（Ａ）〜
（Ｅ）に基づいて説明する。先ず、図６（Ａ）に示した
ように、ＰＤＰの後面ガラス基板６０の上面に所定厚さ
（例えば、約２００μｍ）を有するガラスペーストのよ
うな絶縁物ペースト６２をスクリーンプリント法または
ドライフィルム法により塗布した後、ガラスペースト６
２の形成された後面ガラス基板６０を約３５０℃の温度
で約１５分間維持させてガラスペースト６２内の有機物
を燃焼し、約５５０〜６５０℃の温度で約２０分間焼成
する。このとき、ガラスペーストとしては、可視光に対
する反射率の高い材料を選択することが好ましい。
【００１８】次いで、図６（Ｂ）に示したように、焼成
されたガラスペースト６２の上面にフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフィ法により所望のフォトレジス
トパターン６３を形成する。このとき、ガラスペースト
６２の上面が一定間隔で部分的に露出される。次いで、
図６（Ｃ）に示したように、フォトレジスト膜パターン
６３をマスクとしてＨＣｌ溶液をエッチング溶液として
利用してガラスペースト６２に湿式エッチングを施し、
半径約１３０μｍ程度の半円型溝６４を形成する。ここ
で、ガラスペースト６２をエッチングして前記溝６４を
形成する方法としては、湿式エッチング法の他にも、乾
式等方性エッチング法を利用することもできる。次い
で、前記フォトレジスト膜パターン６３を除去して第１
隔壁層７０を形成する。
されたガラスペースト６２の上面にフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフィ法により所望のフォトレジス
トパターン６３を形成する。このとき、ガラスペースト
６２の上面が一定間隔で部分的に露出される。次いで、
図６（Ｃ）に示したように、フォトレジスト膜パターン
６３をマスクとしてＨＣｌ溶液をエッチング溶液として
利用してガラスペースト６２に湿式エッチングを施し、
半径約１３０μｍ程度の半円型溝６４を形成する。ここ
で、ガラスペースト６２をエッチングして前記溝６４を
形成する方法としては、湿式エッチング法の他にも、乾
式等方性エッチング法を利用することもできる。次い
で、前記フォトレジスト膜パターン６３を除去して第１
隔壁層７０を形成する。
【００１９】次いで、図６（Ｄ）に示したように、フォ
トレジスト膜パターン６３により被覆されてエッチング
されてない部分のガラスペースト６２の上面にアドレス
電極６５を形成するが、このとき、アドレス電極６５の
一方の縁部が溝６４の一方の端部に整列するように形成
する。アドレス電極６５は、クロム／銅／クロムの３層
からなる導電体膜またはＡｇからなる導電体膜により形
成されている。次いで、図６（Ｅ）に示したように、溝
６４を除いたガラスペースト６２の上面及びアドレス電
極６５の上面に誘電体層６６を塗布する。誘電体層６６
の上面に約１５０μｍの高さを有するリブ状の第２隔壁
層７５を形成する。第２隔壁層７５の形成方法として
は、公知のスクリーンプリント法、サンドブラスト法、
添加法及びエッチング法などを利用することができる。
トレジスト膜パターン６３により被覆されてエッチング
されてない部分のガラスペースト６２の上面にアドレス
電極６５を形成するが、このとき、アドレス電極６５の
一方の縁部が溝６４の一方の端部に整列するように形成
する。アドレス電極６５は、クロム／銅／クロムの３層
からなる導電体膜またはＡｇからなる導電体膜により形
成されている。次いで、図６（Ｅ）に示したように、溝
６４を除いたガラスペースト６２の上面及びアドレス電
極６５の上面に誘電体層６６を塗布する。誘電体層６６
の上面に約１５０μｍの高さを有するリブ状の第２隔壁
層７５を形成する。第２隔壁層７５の形成方法として
は、公知のスクリーンプリント法、サンドブラスト法、
添加法及びエッチング法などを利用することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＰＤ
Ｐの隔壁構造は、表面部に溝及び平地を有する第１隔壁
層と、第１隔壁層の平地の上面に形成されるリブ状の第
２隔壁層とにより構成されているため、放電空間内の蛍
光体層の表面積を拡大することが可能で、その結果、Ｐ
ＤＰの発光効率を向上し得るという効果がある。そし
て、リブ状の第２隔壁層の高さを従来同様に維持しなが
ら放電空間を拡大することができるため、均一な高さを
有する隔壁を製造しやすくなるという効果がある。且
つ、本発明に係る隔壁構造を有するＰＤＰにおいては、
アドレス電極を放電空間の中央部に形成する代わりに隔
壁の一方側に形成して、ガラス基板と後面ガラス基板と
にそれぞれ形成される維持／表示電極と走査電極との距
離を短くし、よって、放電電圧を低下させてＰＤＰの効
率を向上し得るという効果がある。
Ｐの隔壁構造は、表面部に溝及び平地を有する第１隔壁
層と、第１隔壁層の平地の上面に形成されるリブ状の第
２隔壁層とにより構成されているため、放電空間内の蛍
光体層の表面積を拡大することが可能で、その結果、Ｐ
ＤＰの発光効率を向上し得るという効果がある。そし
て、リブ状の第２隔壁層の高さを従来同様に維持しなが
ら放電空間を拡大することができるため、均一な高さを
有する隔壁を製造しやすくなるという効果がある。且
つ、本発明に係る隔壁構造を有するＰＤＰにおいては、
アドレス電極を放電空間の中央部に形成する代わりに隔
壁の一方側に形成して、ガラス基板と後面ガラス基板と
にそれぞれ形成される維持／表示電極と走査電極との距
離を短くし、よって、放電電圧を低下させてＰＤＰの効
率を向上し得るという効果がある。
【図１】 本発明の一実施形態に係るＰＤＰの隔壁構造
を示した縦断面図である。
を示した縦断面図である。
【図２】 図１の隔壁構造を適用した面放電型ＰＤＰを
示した縦断面図である。
示した縦断面図である。
【図３】 図２の外観斜視図である。
【図４】 本発明の他の実施形態のＰＤＰを示した縦断
面図である。
面図である。
【図５】 図４の外観斜視図である。
【図６】 本発明に係るプラズマディスプレーパネルの
隔壁の製造過程を示した工程縦断面図である。
隔壁の製造過程を示した工程縦断面図である。
【図７】 従来ＰＤＰを示した斜視図である。
【図８】 図９のII−II線縦断面図である。
【図９】 図７の放電空間を形成する隔壁構造を示した
概略図である。。
概略図である。。
４０ａ：第１隔壁 ４０ｂ：第２
隔壁 ４２：溝 ４３：
平地 ４５：蛍光体層 ４６、４７：
リブ ５０：前面ガラス基板 ５１：後面ガ
ラス基板 ５２：第１誘電体層 ５３：保護膜 ５４：第１隔壁 ５４ａ：平地 ５４ｂ：溝 ５５：アドレ
ス電極 ５６：第２誘電体層 ５７：第２隔
壁 ５８：蛍光体層 ６０：後面ガ
ラス基板 ６２：絶縁物ペースト ６３：フォト
レジストパターン ６４：溝 ６５：アドレ
ス電極 ６６：アドレス ７０：第１隔
壁 ７５：第２隔壁 Ａ：アドレス
電極 Ｘ、Ｘｎ：維持／表示電極 Ｙ、Ｙｎ、
Ｙ’：走査電極
隔壁 ４２：溝 ４３：
平地 ４５：蛍光体層 ４６、４７：
リブ ５０：前面ガラス基板 ５１：後面ガ
ラス基板 ５２：第１誘電体層 ５３：保護膜 ５４：第１隔壁 ５４ａ：平地 ５４ｂ：溝 ５５：アドレ
ス電極 ５６：第２誘電体層 ５７：第２隔
壁 ５８：蛍光体層 ６０：後面ガ
ラス基板 ６２：絶縁物ペースト ６３：フォト
レジストパターン ６４：溝 ６５：アドレ
ス電極 ６６：アドレス ７０：第１隔
壁 ７５：第２隔壁 Ａ：アドレス
電極 Ｘ、Ｘｎ：維持／表示電極 Ｙ、Ｙｎ、
Ｙ’：走査電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャエ・サン・チュン 大韓民国・キュンキ−ド・ソングナン・ブ ンダン−ク・セヒュン−ドン・（番地な し）・ウースン アパートメント・206− 302 (72)発明者 ユン・ホ・ヨー 大韓民国・キュンキ−ド・コヤン・イイサ ン−ク・ジュヨップ−２ドン・（番地な し）・ムチョンマウル ウースン アパー トメント・107−202 (72)発明者 セオク・コン・シイ 大韓民国・キュンキ−ド・ソングナン・バ ンダン−ク・クミ−ドン・202・ミュジゲ マウル エルジー アパートメント・203 −1502
Claims (13)
- 【請求項１】 基板上に形成され、所定高さを有する第
１隔壁層と、 第１隔壁上に形成される第２隔壁層と、の２層構造を有
するプラズマディスプレーパネルの隔壁構造。 - 【請求項２】 第１隔壁層は、放電空間となる溝領域が
第２隔壁層の間に形成されたことを特徴とする請求項１
記載のプラズマディスプレーパネルの隔壁構造。 - 【請求項３】 第１隔壁層と第２隔壁層間には、アドレ
ス電極が形成されていることを特徴とする請求項１記載
のプラズマディスプレーパネルの隔壁構造。 - 【請求項４】 アドレス電極と第２隔壁層間には、誘電
体層が形成されていることを特徴とする請求項３記載の
プラズマディスプレーパネルの隔壁構造。 - 【請求項５】 アドレス電極は第１隔壁層の溝の一方の
側に整列して形成され、第２隔壁層は第１隔壁層の溝の
他方側に整列して形成され、アドレス電極の少なくとも
一部は第２隔壁層と重ならないように形成されることを
特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレーパネル
の隔壁構造。 - 【請求項６】 アドレス電極及び誘電体層の一部は第２
隔壁層と重ならないように形成されることを特徴とする
請求項５記載のプラズマディスプレーパネルの隔壁構
造。 - 【請求項７】 基板上に第１隔壁層を形成する段階と、 第１隔壁層の上面に第２隔壁層を形成する段階と、を行
うことを特徴とするプラズマディスプレーパネルの隔壁
の製造方法。 - 【請求項８】 第１隔壁層を形成する段階は、 第１隔壁の材料層を形成する段階と、 前記第１隔壁層にエッチングを施す段階と、を行うこと
を特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレーパネ
ルの隔壁の製造方法。 - 【請求項９】 第１隔壁の材料層を形成する段階は、 ペースト層またはドライフィルムを基板上に形成する段
階と、 ペースト層またはドライフィルムを熱処理する段階と、
を行うことを特徴とする請求項８記載のプラズマディス
プレーパネルの隔壁の製造方法。 - 【請求項１０】 エッチング段階は、フォトレジスト膜
をフォトリソグラフィ法によりパターニングして形成さ
れたフォトレジスト膜パターンをマスクとして利用する
ことを特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレー
パネルの隔壁の製造方法。 - 【請求項１１】 第２隔壁層は、第１隔壁層の上面にス
クリーンプリント法、エッチング法及び添加法中何れか
１つの方法により形成されることを特徴とする請求項７
記載のプラズマディスプレーパネルの隔壁の製造方法。 - 【請求項１２】 第１隔壁層を形成した後、第１隔壁層
の上面にアドレス電極を形成する段階を行うことを特徴
とする請求項７記載のプラズマディスプレーパネルの隔
壁の製造方法。 - 【請求項１３】 アドレス電極を形成した後、アドレス
電極の上面に誘電体層を形成する段階を行うことを特徴
とする請求項１２記載のプラズマディスプレーパネルの
隔壁の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| KR1998-37849 | 1998-09-14 | ||
| KR1019980037849A KR100292469B1 (ko) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 플라즈마디스플레이패널의하부기판및그제조방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=19550536
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2005209637A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-08-04 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ |
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|---|---|---|---|---|
| WO2000048218A1 (fr) * | 1999-02-12 | 2000-08-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Ecran a plasma, procede et dispositif de production correspondants |
| US6930451B2 (en) * | 2001-01-16 | 2005-08-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display and manufacturing method thereof |
| US7372202B2 (en) * | 2004-04-22 | 2008-05-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Phase locked microdischarge array and AC, RF or pulse excited microdischarge |
| US7573202B2 (en) * | 2004-10-04 | 2009-08-11 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Metal/dielectric multilayer microdischarge devices and arrays |
| US7477017B2 (en) | 2005-01-25 | 2009-01-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | AC-excited microcavity discharge device and method |
| KR100670283B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 구비한 평판 표시 장치 |
| KR100718053B1 (ko) * | 2005-09-23 | 2007-05-14 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US20080158098A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Lg Electronics Inc. | Method of driving plasma display panel |
| US8179032B2 (en) * | 2008-09-23 | 2012-05-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Ellipsoidal microcavity plasma devices and powder blasting formation |
| KR101082444B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2011-11-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR101082445B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2011-11-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5705886A (en) * | 1994-12-21 | 1998-01-06 | Philips Electronics North America Corp. | Cathode for plasma addressed liquid crystal display |
| JP2663915B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1997-10-15 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2716013B2 (ja) * | 1995-08-11 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | カラープラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US5982095A (en) * | 1995-09-19 | 1999-11-09 | Lucent Technologies Inc. | Plasma displays having electrodes of low-electron affinity materials |
| EP0852738A2 (en) * | 1996-07-01 | 1998-07-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A device having a plurality of channels filled with an ionizable gas |
-
1998
- 1998-09-14 KR KR1019980037849A patent/KR100292469B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-09-13 US US09/394,431 patent/US6456007B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-14 JP JP11260034A patent/JP2000090838A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005209637A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-08-04 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ |
| JP4519629B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2010-08-04 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ |
Also Published As
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|---|---|
| KR20000019651A (ko) | 2000-04-15 |
| KR100292469B1 (ko) | 2001-07-12 |
| US6456007B1 (en) | 2002-09-24 |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091013 |