JP2000077566A - メタルベース半導体パッケージとそれに用いる樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージとして、（１）液状ポッティング
材用のダムの形成が不要である、（２）ダムの出っ張り
がパッケージの表面から無くなっている、（３）ランド
グリッドアレー等が容易に製造できる、（４）一層配線
でワイヤーボンドパッドを多段にした場合の外側パッド
部内側の配線の露出による外側パッド部ワイヤーと配線
のショートを防止できワイヤーボンドの信頼性が上が
る、（５）ポッティング材との接着性が不十分な金メッ
キ配線部の露出を防ぎポッティング材のパッケージへの
接着信頼性が増加する、などの特徴を有するものを提供
する。 【解決手段】 メタルを支持体としポリイミド等の可撓
性耐熱樹脂を絶縁層として回路加工が施され、かつ、キ
ャビティーを有するメタルパッケージにおいて、回路パ
ターンをソルダーレジストごと絞り加工してキャビティ
ー内に回路パターンとソルダーレジストが入り込んだパ
ッケージを作成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はメタルベース半導体
パッケージおよびそれに用いる樹脂組成物に関する。さ
らに詳しくキャビティーを有し、樹脂封止が容易でしか
も耐久信頼性が高いメタルベース半導体パッケージおよ
びそれに用いる樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】メタルベース半導体パッケージは放熱
性、電磁遮蔽性に優れているなどの特徴を持っており、
近年マイクロコンピュータ、マイクロプロセッサー等の
半導体パッケージ向けの利用が高まっている。メタルベ
ース半導体パッケージの代表的な例としてはＵＳＰ５，
４２０，４６０号に開示されているメタルベースのボー
ル・グリッド・アレイ（Ball Grid Array,以下ＢＧＡと
略す）、ＵＳＰ５，６３９，９９０号に開示されている
メタルベースのメタル・クワッド・パッケージ（Metal
Quad Package、以下ＭＱＰと略す）、特開平６−２９１
２４３号に開示されている２段絞りで表面実装性の良い
メタルベース半導体パッケージ、特開平８−１７２１４
２の２段絞りで表面実装性の良いメタルベース半導体パ
ッケージ、１９９６年１２月のThe Third VLSI PACKAGI
NG WORKSHOP of JapanでのHigh Performance Cavity-Do
wn Metal Based BGA Package (TECHNICAL DIGEST, Page
153)（以下ＭｅＢＧＡと略す）等がある。

【０００３】これらのパッケージでは全て絞り部、特に
キャビティーの斜面にはソルダーレジスト（以下ＳＲと
略す）が形成されていない。このような場合には、種々
の問題点が生じるが、従来のパッケージではその問題点
を別な手段で補っている。しかし、それらの手段により
別途問題点を生じていた。

【０００４】ＵＳＰ５，４２０，４６０号のＢＧＡの説
明図ではＬＳＩ、ワイヤーボンド部を保護する封止樹脂
が半田ボールが搭載されている平坦部上のＳＲの上に掛
かって盛られている。このように封止樹脂を盛り上げて
成形硬化させるのは樹脂の硬化時の粘性を調整する必要
があるが、粘性を調整する結果、封止樹脂の流動が低下
して封止樹脂内にボイドを形成し易くなり封止の耐久信
頼性を低下させる。そのボイドを除去するために真空脱
泡をしたりするが完全ではなかったり、封止形状が変形
したりするため耐久信頼性が低下する。そのため、樹脂
流動性を保持して封止するためには、ＭｅＢＧＡに示さ
れるようにダムを設けて封止樹脂の流れを止める方法が
現実的であり一般的である。この場合ダムを設ける工数
が必要であり、かつ、ダムの形成の際に放出するガスや
樹脂のブリードで周辺の回路を汚染する等の問題があ
る。また、ダムを形成するとダムのスペースが必要にな
り、益々高密度化するパッケージに取り好ましくないの
である。さらに、ダムの高さはＢＧＡにおける半田ボー
ルの小型化や半田ボール無しのランド・グリッド・アレ
イ（Land Grid Array,以下ＬＧＡと略す）でのマザーボ
ードへの接続の邪魔になるのである。

【０００５】別な方法としてＵＳＰ５，６３９，９９０
号で開示されているＭＱＰ構造を取り、絞り部をダム代
わりにする方法がある。しかし、絞り部にＳＲがないた
めに外部配線と半田接合する際、配線間が狭い場合は特
に配線間で半田ブリッジが起こりやすい問題がある。

【０００６】また、封止樹脂の流れを防ぐ方法としては
ＵＳＰ５，６３９，９９０号の方法と類似するが、特開
平６−２９１２４３号、特開平８−１７２１４２号で示
されるように２段以上に絞り、絞り部をダム代わりにす
る方法がある。しかし、ＳＲは該公開特許公報の詳細な
説明や説明図で明らかなように、特開平６−２９１２４
３号では使用されていなく、特開平８−１７２１４２号
では半田ボールが搭載されている平坦部の上にのみ掛か
っている。ＳＲが使用されない場合には配線間に異物な
ど介在し易く長期信頼性という点では電流のリークの心
配が大きい。また、ＳＲが半田ボール搭載面の平坦部に
のみ使用された場合には半導体をポッティング材、キャ
ップ材、トランスファーモールド材で封止する場合で
も、封止部分とＳＲが塗布された部分の間には隙間があ
り、その部分の配線は金メッキ状態で空気中に露出する
ことになる。また、その様な場合には半田ボール付けの
際の微小半田の飛散や異物の介在等により配線間の絶縁
性から考えると長期信頼性と言う点で電流リークあるい
はショートの危険がある。

【０００７】また、近年、ＡＳＩＣ等のＬＳＩで信号数
の増大の傾向が強く、ワイヤーボンドパッド数が増えて
いる。そのため、パッドを千鳥配置など多列にしてワイ
ヤーボンド性を向上させているが、そのピッチが小さく
なると、ワイヤー同士のショートの恐れが高くなり問題
が生じる。特に１層配線で千鳥配置にする場合には特に
重要である。それを避けるため、特開平８−１７２１４
２号で開示されているようにワイヤーボンドパッドを多
段にする方法が採られる場合がある。ワイヤーボンドを
多段にした場合でも、パッドの載る段の高さ位置はＬＳ
Ｉチップのパッド高さ位置に近い方が、ワイヤーボンド
長さを短くできる。また、ワイヤーの長さを短くするた
めにも、ワイヤーを段にできるだけ水平に飛ばすことが
望ましい。その場合問題になるのが、ワイヤーと配線の
間のショートである。

【０００８】さらに、一般的にＳＲで保護されていない
部分の配線には金メッキが施されているが、封止樹脂は
金メッキにたいしての接着信頼性は十分ではない場合が
多く、信頼性試験において水分の侵入を受けやすいので
ある。

【０００９】以上の様に従来のメタルベース半導体パッ
ケージは放熱性、電磁遮蔽性に優れているなどの特徴か
ら利用されているが、種々の問題を抱えているのであ
る。

【００１０】これらの根本的な問題の一つには、ファイ
ンパターンに好適な感光性樹脂であると共にメタルベー
ス半導体パッケージの回路材料（回路金属、回路下地絶
縁層）との接着力がパッケージ製造工程、高度の信頼性
試験に耐える信頼性を持ち、かつ実用的なキャビティー
を形成する上で必要な伸び性が良好なソルダーレジスト
用の樹脂組成物が実存していなかったことにもある。即
ち、絞り加工を満足させることのできるアクリル系感光
性樹脂の場合は無電解Ｎｉ、ＡｕメッキおよびＰＣＴで
欠陥が発生する。

【００１１】一方、無電解Ｎｉ、ＡｕメッキおよびＰＣ
Ｔを満足させるエポキシ系感光性樹脂あるいはポリアミ
ド系感光性樹脂の場合は絞り加工性で欠陥を生じるため
使用できないのである。また、公知の有機溶剤現像型の
ポリイミド系感光性樹脂の場合、銅回路との接着性が不
十分であり、耐無電解Ｎｉ、Ａｕメッキや耐ＰＣＴ性が
不十分であったし、絞り加工に適用した例は見あたらな
い。

【００１２】他の一つには、前記理由もあり、メタルベ
ース半導体パッケージのキャビティーの縁あるいは斜面
にソルダーレジストを存在させる発想が無かったことで
ある。

【００１３】以上の理由で、キャビティーを形成する絞
り加工の縁あるいは斜面までＳＲを形成した耐久信頼性
のあるメタルベース半導体パッケージは存在しなかった
のである。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】メタルベース半導体パ
ッケージにおいてキャビティーを形成した場合に問題に
なる、１）ポッティング材流出防止のダムの形成工程、
２）ダム形成の際に発生する揮発分あるいはブリード物
による回路の汚染、３）パッケージ有効面積におけるダ
ムのスペースの無駄、４）ダムの高さによるマザーボー
ドへの接続の妨害、５）ＳＲを使用しない場合の配線間
の絶縁信頼性の低下、６）ＳＲを半田ボール搭載の平坦
部にのみ形成する場合の配線露出部の配線間の絶縁信頼
性低下、７）一層の配線でワイヤーボンドパッドを多段
にした場合の外側パッド部の内側の配線の露出による外
側パッド部へのワイヤーと配線のショート、８）キャビ
ティー内にＳＲを形成せず、配線部分が金メッキである
ことによる封止樹脂と金メッキの接着信頼性の低下等の
全てを解決することが課題となっている。

【００１５】全てを実現させるための課題としては、
１）ＳＲをキャビティーの斜面の内側、少なくともキャ
ビティーの縁まで存在させること、２）一層の配線でワ
イヤーボンドパッドを多段にした場合の外側パッド部の
内側の配線をＳＲでキャビティー斜面の内側、少なくと
もキャビティーの縁まで存在させること、３）メタルベ
ース半導体パッケージの構成材料全てがキャビティーを
形成するための絞り加工でクラック等の欠陥を生じない
こと、４）キャビティーを形成した後の製造工程である
ワイヤーボンドパッド形成のための無電解Ｎｉ，Ａｕメ
ッキ工程でのメッキ液のＳＲとＳＲ下地との界面への潜
りが無いこと、である。さらに望ましくは５）メタルベ
ース半導体パッケージの耐久信頼性で少なくとも温度サ
イクル試験（−６５℃乃至＋１５０℃間で１００サイク
ル、好ましくは１０００サイクル）、ＰＣＴ（１２５℃
×１００％×（２２０ｋＰａ（２．３ｋｇｆ／ｃ
ｍ² ））×９６ｈｒ、好ましくは１９２ｈｒ）で異常が
無いこと、であり、さらには、１〜５）を満足させる上
での特にネックになる新規のＳＲを開発することであ
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者らが鋭意検討し
た結果、メタルベース半導体パッケージの１段キャビテ
ィーの少なくとも縁、好ましくは斜面において、ＳＲで
回路が保護された状態とすることでキャビティーの縁あ
るいは斜面にダムの役割を持たせると共に配線の外気へ
の露出を防止できる、あるいは、多段キャビティーのワ
イヤーパッド部など配線を露出させる必要の有る部分を
除いて、各段のキャビティーの縁、好ましくは斜面にお
いてＳＲで回路が保護された状態とすることで、ワイヤ
ーとワイヤーパッド内側の配線のショートを防ぐことが
できることを見いだした。また、封止材との接着信頼性
の良いＳＲをキャビティーの内部に形成することで封止
の信頼性を向上できることも見いだした。

【００１７】以上の形態を実現させるためには、１）メ
タルベース半導体パッケージの構成材料であるＳＲを塗
布する前のメタルベース回路加工基板としてはＵＳＰ
５，６３９，９９０号に記載されているようなメタルベ
ース回路基板を採用すること、２）ＳＲには、１０％以
上の伸びがあり、耐湿性、耐薬品性の優れた感光性樹脂
組成物のＳＲを使用することが重要であることを見いだ
した。

【００１８】好適なＳＲとしては（Ａ）熱可塑性ポリイ
ミドの前駆体であるアミック酸であり、その対数粘度
（Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド溶媒、濃度０．５ｇ
／１００ｍｌ−溶媒、３５℃）が０．３〜１．０ｄｌ／
ｇであるものを含窒素系有機溶剤に溶解した溶液と
（Ｂ）光重合可能なＣ−Ｃ不飽和２重結合を有する化合
物と、および（Ｃ）光重合開始剤とからなる感光性樹脂
組成物がある。また、前記ポリアミック酸の代わりに熱
可塑性ポリアミドイミドの前駆体であるポリアミック
酸、あるいは熱可塑性ポリエーテルイミドの前駆体であ
るポリアミック酸で、その対数粘度が０．３〜１．０ｄ
ｌ／ｇであるものの含窒素系溶解した溶液を使用しても
良い。それらの感光性樹脂組成物で回路を被覆し、少な
くともキャビティーの縁あるいは斜面まで被覆すること
により課題を達成できることを見いだした。

【００１９】特に好適なＳＲとしては下記の感光性樹脂
組成物があり、その感光性樹脂組成物で回路を被覆し、
少なくともキャビティーの縁あるいは斜面まで被覆する
ことにより一層、好適に課題を達成できることを見いだ
した。

【００２０】式（１）〔化５〕

【００２１】

【化５】 （式中、Ｒは構造式（２）〔化６〕

【００２２】

【化６】 からなる群より選ばれる四価の基である。）で表される
繰り返し単位を有し、それの対数粘度（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド溶媒、濃度０．５ｇ／１００ｍｌ−溶
媒、３５℃で測定）が０．３〜１．０ｄｌ／ｇであるポ
リアミド酸を含む窒素系溶媒に溶解した溶液と、（Ｂ）
光重合可能なＣ−Ｃ不飽和２重結合を有する化合物と、
および（Ｃ）光重合開始剤とからなる感光性樹脂組成
物。

【００２３】さらに好ましくはＳＲとして使用された場
合において、絞り加工で伸ばされた場合の伸び率が１０
％以上、１００％以下であるように組み合わされた樹脂
組成物が適している。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明のメタルベース半導体パッ
ケージの実施態様は次のようである。本発明のメタルベ
ース半導体パッケージの層構成最小基本単位は支持体と
しての金属板、耐熱樹脂からなる誘電体、回路配線、Ｓ
Ｒからなる。形状は絞り加工で１段以上のキャビティー
が形成されキャビティーの深さは０．１ｍｍ以上、１．
５ｍｍ以下であり、キャビティーの絞り角度は２０°以
上、９０°以下である。また、キャビティーにおいて外
側平坦部から絞り込まれる部分のソルダーレジストの外
側の曲率半径は絞り角度や回路基板の厚さに関係する
が、ＳＲ付き回路基板の厚さの１／２以上、５倍以下で
ある。

【００２５】また、配線をカバーするＳＲがキャビティ
ーの内側斜面、少なくともキャビティーを形成する絞り
のＲの掛かった縁まで存在している。また、このパッケ
ージは耐金メッキ性、半田リフロー性、耐ＰＣＴ性、耐
温度サイクル性等の半導体用の製造信頼性、耐久信頼性
を持っている。

【００２６】キャビティーの深さが０．１ｍｍより小さ
ければ半導体を搭載するキャビティーの意味が無くな
り、１．５ｍｍより大きければパッケージの高さが大き
くなりすぎ実用的では無くなる。キャビティーの絞り角
度が２０°より小さければキャビティーの深さが取りに
くいこと、ポッティング樹脂でモールドする際にダムの
役割をし難いことのためキャビティーの価値が失われ
る。また、９０°より大きい絞り加工は実質的に価値が
無い。キャビティーにおいて外側平坦部から絞り込まれ
る部分のソルダーレジストの外側の曲率半径はＳＲ付き
回路基板の厚さの１／２より小さければ局部的にＳＲや
回路の伸びが大きくなり過ぎ、割れを生じるため好まし
くない。また、５倍より大きければ絞り角度が小さくな
りキャビティー形成の意味が失われるためである。ま
た、ＳＲが少なくともキャビティーを形成する絞りのＲ
の掛かった縁まで存在しないとＳＲがダムの役割を果た
さないのである。さらに、本発明のメタルベース半導体
パッケージの信頼性において製造信頼性では耐無電解金
メッキ性、耐久信頼性では耐ＰＣＴ性が特に重要であ
る。その理由は次のようである。

【００２７】１）耐無電解金メッキ性：メタルベース半
導体パッケージにおいてＮｉ、Ａｕメッキは種々の理由
で一般的に無電解メッキで行われることが多い。一つの
理由は、絶縁層が０．１ｍｍ以下と薄いため、外形加工
での打ち抜きで銅箔層と金属板がショートする可能性が
高いので電解メッキに必要な電解線が引き難いことがあ
る。無電解Ｎｉメッキは弱酸性の電解水溶液、温度８５
℃で１５分程度（Ｎｉ膜厚みに依存する）、無電解フラ
ッシュＡｕメッキは弱アルカリ性の電解水溶液、温度９
０℃で５分程度、無電解厚付けＡｕメッキは弱酸性の電
解水溶液、温度６５℃で４５分程度（Ａｕ膜厚みに依存
する）が一つの例である。このようにパッケージ構成
層、特にＳＲ膜に取っては厳しい要求の一つである。Ｓ
Ｒ膜そのもの及びＳＲと下地と接着性が不十分であると
厳しいメッキ条件でメッキ液がＳＲと下地である有機絶
縁層および／あるいは回路配線の間に潜り込みパッケー
ジの線間絶縁性等の耐久信頼性に悪影響する。

【００２８】２）耐ＰＣＴ性：半導体パッケージは種々
の機器の頭脳であり心臓部に相当するＬＳＩを搭載する
事が多いため耐久信頼性の観点が重要であり、耐久信頼
性の促進テストとしては、少なくとも耐ＰＣＴ性（温度
１２５℃、湿度１００％、蒸気圧力２２０ｋＰａ（２．
３ｋｇｆ／ｃｍ² ））が９６時間以上で構成材料界面で
の剥がれ、変色が生じな無い事が非常に重要である。耐
ＰＣＴ性での欠陥は一般的にはＳＲと下地界面の剥が
れ、回路の変色、結果としての回路間の絶縁抵抗の低下
などが多い。場合によっては、絶縁層と回路あるいはベ
ース金属との界面の剥がれ等もある。

【００２９】上記の層構成、絞り深さ、絞り角度のキャ
ビティーを持ち、ＳＲが少なくともキャビティーを形成
する絞りのＲの掛かった縁まで存在し、耐金メッキ性、
半田リフロー性、耐ＰＣＴ性、耐温度サイクル性等の半
導体用の信頼性を持っているメタルベース半導体パッケ
ージを製造する方法を次に説明する。

【００３０】ＳＲで回路を被覆する前のメタルベース回
路基板としては曲げ絞り加工に耐え、前記無電解金メッ
キ、ＰＣＴ等の信頼性試験に耐える耐熱性基板であれば
良い。ＵＳＰ５，６３９，９９０号（特開平６−５３６
２１号）等で公知のメタルベース回路基板等が好適であ
る。その基板は半導体パッケージに少なくとも必要な前
記無電解金メッキ、ＰＣＴに十分耐えることを見いだし
た。

【００３１】そのメタルベース回路基板および、さらに
ＳＲを被覆したメタルベース回路基板の概要は次のよう
である。

【００３２】（１）銅箔層と金属板とが第一の絶縁層を
介して積層されかつ回路加工が行われたメタルベース単
層回路基板、（２）（１）のメタルベース回路基板が複
数の銅箔層とその複数の銅箔層を絶縁する第二の絶縁層
とを有してなる多層構造を有し、前記複数の銅箔層の内
の少なくとも２層が相互に電気的に接続されているメタ
ルベース多層回路基板、（３）（１）の第一の絶縁層の
前記銅箔層への接触界面および前記第一の絶縁層の前記
金属板への接触界面が少なくとも熱可塑性ポリイミド、
熱可塑性ポリエーテルイミドあるいは熱可塑性ポリアミ
ドイミドからなるメタルベース単層回路基板、および
（４）（２）の第二の絶縁層が少なくとも熱可塑性ポリ
イミド、熱可塑性ポリエーテルイミド、または熱可塑性
ポリアミドイミドからなるメタルベース多層回路基板、
等が好適である。さらには、銅箔回路層の一部と金属板
が相互に電気的に接続された前記メタルベース単層回路
基板、または、前記メタルベース多層回路基板が好適で
ある。

【００３３】金属板の種類は特に問わないがポリマーと
の複合材料であるメタルベース回路基板を回路ごと曲げ
絞り加工することが可能であれば良い。電気的および熱
的特性から種々のリードフレーム材用の銅合金、その他
銅合金、銅等が好ましい。厚さは０．０５ｍｍ以上、
２．０ｍｍ以下、好ましくは０．１５ｍｍ以上、１．５
ｍｍ以下である。金属板の厚みが０．０５ｍｍより薄く
なると、最終的な機械加工後の平坦度が低下し、半導体
用パッケージとして好ましくない。また、２．０ｍｍよ
り厚くなると、メタルベース回路基板の機械加工が困難
になる。

【００３４】絶縁層の種類は特に問わないがガラス転移
温度が１６０℃以上であり、フィルムの破断時の伸びが
１０％以上の耐熱性ポリマーで厚みが０．００３ｍｍ以
上、０．１ｍｍ以下が好適に使用される。より好ましい
厚みとしては０．０１ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下であ
る。ガラス転移温度が１６０℃以下の場合、金ワイヤー
ボンド工程や半田リフロー工程を含めた部品実装時にお
ける信頼性が低下するので好ましくない。フィルムの伸
び率が１０％よりも低い場合、絞り角度２０°以上の絞
り加工を行った時に、金属板と耐熱性ポリマーとの剥離
や、絶縁層のクラックの発生があり好ましくない。耐熱
性ポリマーの厚みが０．００３ｍｍより薄い場合は絶縁
信頼性の面で好ましくなく、０．１ｍｍより厚い場合は
絶縁層あるいは回路のクラック発生などが起こりやすい
等で絞り加工での曲率半径を小さくし難いので好ましく
ない。

【００３５】特に、金属板、銅箔への接触界面が熱可塑
性ポリイミド、熱可塑性ポリエーテルポリイミドもしく
は熱可塑性ポリアミドイミドからなり、前記耐熱性ポリ
マーが熱可塑性ポリイミド、熱可塑性ポリエーテルイミ
ドもしくは熱可塑性ポリアミドイミドで構成されたも
の、またはデュポン社のカプトン等の非熱可塑性の耐熱
ポリマーと複合化されたものがより好適に使用される。

【００３６】そこで用いられる熱可塑性ポリイミドとし
てはＵＳＰ５，６３９，９９０号（特開平６−５３６２
１号）に記載の樹脂がある。例えば、三井化学（株）の
LARC-TPI、3,3'−ジアミノベンゾフェノンと3,3',4,4'
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とから生成
されるポリイミドがある。熱可塑性ポリエーテルイミド
の例としてはＧＥ社のウルテム(ULTEM) 等である。ま
た、熱可塑性ポリアミドイミドとしては日立化成社のハ
イマール等がある。

【００３７】回路材料としては、回路が曲げあるいは絞
り加工されたときにその機械加工に耐える伸びを持った
材料であれば良い。好ましくは伸び率が１０％以上の材
料が良い。圧延銅箔またはその銅箔に更に電解メッキが
積層されたもの等が好適に使用される。

【００３８】これらのメタルベース回路基板が好適な理
由はキャビティーを形成する際の絞り加工において絶縁
層、回路のクラックがなく加工に追従するからである。

【００３９】ＳＲで回路を被覆する前の他の好適なメタ
ルベース回路基板としては、ＵＳＰ５，６３９，９９０
号に記載の前記回路基板の裏面にポリイミド、ポリエー
テルイミド等のエラストマー的な耐熱樹脂を積層したメ
タルベース基板がある。これらのメタルベース基板は温
度変化等の環境変化で基板形状変化が少ないので特にＢ
ＧＡ、ＬＧＡに好適である。

【００４０】上記メタルベース回路基板上に形成するＳ
Ｒとしては、ファイン加工に好適な感光性樹脂組成物で
あり、絞り加工を行いキャビティーを形成する際の伸び
が１０％以上であることが必要である。その伸びが必要
な理由は、所定厚みの基板で絞り角度を２０°以上にす
る際、ＳＲは伸びの最も必要な絞りのＲ部の最外側に存
在しクラックが入らないことが必要なためである。ま
た、ＳＲの伸びはＳＲ単独のフィルムで測定するのでは
無く、絞り加工を行った時に実際に伸びる量で測定する
のである。測定法をフィルム単独で測定した値を採用し
ない理由は、絞り加工でのフィルム伸び速度がＪＩＳ規
格Ｃ２３１８等で規定される速度より速く、必ずしもＣ
２３１８で測定した伸び率が絞り加工での伸び率と相関
しないためである。

【００４１】ＳＲの好ましい厚みとしては回路上で０．
００３〜０．１０ｍｍである。より好ましい厚みは０．
００５〜０．０５ｍｍである。ＳＲの厚みが０．００３
ｍｍより薄ければ回路の保護の効果が低かったり、絞り
加工時にクラックが入りやすい。また、０．１０ｍｍよ
り厚ければ露光感度の低下、封止樹脂流出防止用のダム
省略効果が減少するなどで好ましくない。

【００４２】好適な感光性樹脂組成物としては（Ａ）熱
可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸であ
り、その対数粘度（Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド溶
媒、濃度０．５ｇ／１００ｍｌ−溶媒、３５℃）が０．
３〜１．０ｄｌ／ｇであるものを含窒素系有機溶剤に溶
解した溶液と、（Ｂ）光重合可能なＣ−Ｃ不飽和２重結
合を有する化合物と、および（Ｃ）光重合開始剤とから
なる感光性樹脂組成物がある。また、前記ポリアミック
酸の代わりに熱可塑性ポリアミドイミドの前駆体である
ポリアミック酸、あるいは熱可塑性ポリエーテルイミド
の前駆体であるポリアミック酸で、その対数粘度が０．
３〜１．０ｄｌ／ｇであるものの含窒素系溶解した溶液
を使用しても良い。それらの感光性樹脂組成物で回路を
被覆し、少なくともキャビティーの縁あるいは斜面まで
被覆することにより課題を達成できることを見いだし
た。対数粘度が０．３より小さければ本発明に必要なＳ
Ｒの伸びを１０％以上にすることが困難であり、１．０
より大きければＳＲのファインな現像が困難になるため
である。

【００４３】特に好適なＳＲとしては下記の感光性樹脂
組成物があり、その感光性樹脂組成物で回路を被覆し、
少なくともキャビティーの縁あるいは斜面まで被覆する
ことにより一層、好適に課題を達成できることを見いだ
した。

【００４４】式（１）〔化７〕

【００４５】

【化７】 （式中、Ｒは構造式（２）〔化８〕

【００４６】

【化８】 からなる群より選ばれる四価の基である。）で表される
繰り返し単位を有し、それの対数粘度（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド溶媒、濃度０．５ｇ／１００ｍｌ−溶
媒、３５℃で測定）が０．３〜１．０ｄｌ／ｇであるポ
リアミド酸を含む窒素系溶媒に溶解した溶液と、（Ｂ）
光重合可能なＣ−Ｃ不飽和２重結合を有する化合物と、
および（Ｃ）光重合開始剤とからなる感光性樹脂組成物
について説明する。

【００４７】本発明者らはＵＳＰ５，６３９，９９０号
記載のようなメタルベース回路基板とＳＲに、上記した
ごときアルカリ水溶液現像型の感光性樹脂組成物を開発
し、それを用いることによりキャビティーを形成する絞
り加工の縁あるいは斜面までＳＲを形成したことによ
り、ダム形成を省略でき、多段のワイヤーボンドの際の
絶縁を効率良く行うことができ、またキャビティー内の
側面とモールド材との接着信頼性を上げた耐久信頼性の
ある新規なメタルベース半導体パッケージを開発したの
である。

【００４８】このメタルベース半導体パッケージは、メ
タルベース半導体パッケージにおいてキャビティーを形
成した場合に問題になる、１）ポッティング材流出防止
のダムの形成工程、２）ダム形成の際に発生する揮発分
またはブリード物による回路の汚染、３）パッケージ有
効面積におけるダムのスペースの無駄、４）ダムの高さ
によるマザーボードへの接続の妨害、５）ＳＲを使用し
ない場合の配線間の絶縁信頼性の低下、６）ＳＲを半田
ボール搭載の平坦部にのみ形成する場合の配線露出部の
配線間の絶縁信頼性低下、７）一層配線でワイヤーボン
ドパッドを多段にした場合の外側パッド部内側の配線の
露出による外側パッド部ワイヤーと配線のショート、
８）キャビティー内にＳＲを形成しなく、配線部分が金
メッキであることによる封止樹脂と金メッキの接着信頼
性の低下等の全てを解決することができ多くの応用が可
能になる。

【００４９】具体例としてはＬＧＡのようにダムを実質
的に形成する余地のないパッケージにおいて、キャビテ
ィーの絞りの縁あるいは斜面をモールド樹脂のダム代わ
りする場合、一層の配線で多数のボンディングパッド
が、狭ピッチで多列に配置されていてボンディングパッ
ドが同一平面ではワイヤーボンドがワイヤーの接触で困
難あるいは歩留まり低減となり、多列を多段にする必要
のある場合で、段間の配線とワイヤーのショートを防ぐ
場合、多層の配線でも多層を形成する一層の配線で多段
のボンディングパッドをする場合などである。

【００５０】

【実施例】以下実施例により本発明を説明する。 （メタルベース基板例１）ジメチルアセトアミドを溶剤
として3,3'-ジアミノフェノキシベンゼンと3,3',4,4'-
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を当量比で
１：０．９９で混合し、２５℃で２４時間反応させアミ
ド酸溶液を得た（PAA-A とする）。PAA-A を２５μｍ厚
みのカプトンＨ（東レデュポン社製）の両面にダイコー
タを用いて塗布、１００〜２００℃で乾燥、２２０〜２
６０℃でイミド化、最終乾燥した。カプトンＨの両面に
形成されたPAA-A をイミド化してできたポリイミドＡ
（PI-Aとする）の厚さは各面とも５μｍであった。２５
μｍのカプトンＨの両面にPI-Aを５μｍ積層したフィル
ムをボンドプライＡとする。

【００５１】また、PAA-A を２５μｍ厚みのカプトンＨ
の片面に両面塗布の場合と同様にして塗布、乾燥、イミ
ド化した。カプトンＨの片面に形成されたPI-Aの厚さは
３μｍであった。２５μｍのカプトンＨの片面にPI-Aを
３μｍ積層したフィルムをカバーフィルムＡとする。

【００５２】PI-Aは熱可塑性ポリイミドであり、ガラス
転移温度は１９８℃、ボンドプライＡおよびカバーフィ
ルムＡのフィルムの伸び率はそれぞれ５５％、６０％で
あった。次に１８μｍ厚さの圧延銅箔（１）（BHN -02B
T ジャパンエナジー社製）、ボンドプライＡ、０．３５
ｍｍ厚さのベース銅板（１）（C-1020 三菱伸銅社製で
両面の表面は日本電解（株）にてＮｉ、Ｃｏ等の電気メ
ッキにより接着力改善のための表面粗化処理がされてい
る）、熱可塑性ポリイミド側をベース銅板側にしたカバ
ーフィルムＡをこの順に積層した後、真空中で温度２５
０℃、圧力６．４ＭＰａ（６５ｋｇｆ／ｃｍ² ）、時間
６０分でプレス成形した。この成形品をメタルベース基
板（１）とする。メタルベース基板（１）のすべての層
間の接着力は７８４Ｎ／ｍ（０．８ｋｇｆ／ｃｍ）以上
を確認した。

【００５３】感光性樹脂組成物の作成 １）ポリアミド酸を含む窒素系溶媒溶液の製造 〔合成例１〕 （ポリアミド酸ＰＡ１） 反応器（攪拌機、還流冷却器および窒素導入管付き）
中、窒素雰囲気下、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド１３
５ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル１３５ｇ
に１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン５
３．２９ｇ（０．１８２５モル）を溶解し、これを攪拌
しながら、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物５７．９６０ｇ（０．１８０モル）
を乾燥固体のまま少量ずつ添加した。この間、反応器の
温度を２５〜３０℃に保ち、添加後２０時間、窒素雰囲
気下で攪拌を継続し、固形分３０％のポリアミド酸を得
た。このポリアミド酸の対数粘度は０．７５であった。

【００５４】〔合成例２〕 （ポリアミド酸ＰＡ２） 合成例１の３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物のかわりに、３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を同一当量用いた
以外は、合成例１と全く同様に操作して固形分３０％の
ポリアミド酸を得た。これらのポリアミド酸の対数粘度
は０．６５であった。

【００５５】〔合成例３〕 （ポリアミド酸ＰＡ３） 合成例２と同様にしてポリアミド酸を合成したが、３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
の量を５３．０６６ｇ（０．１６４８モル）に減少して
合成した。このポリアミド酸の対数粘度は０．２１であ
った。

【００５６】〔合成例４〕 （ポリアミド酸ＰＡ４） 反応器（攪拌機、還流冷却器および窒素導入管付き）
中、窒素雰囲気下、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２７
０ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル２７０ｇ
に１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン５
３．２９ｇ（０．１８２５モル）を溶解し、これを攪拌
しながら、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物５８．５４０ｇ（０．１８１８モ
ル）を乾燥固体のまま少量ずつ添加した。この間、反応
器の温度を２５〜３０℃に保ち、添加後２０時間、窒素
雰囲気下で攪拌を継続し、固形分１５％のポリアミド酸
を得た。このポリアミド酸の対数粘度は１．９６であっ
た。

【００５７】 ２）感光性樹脂組成物の製造 〔組成物例１〕 （ＳＲ１） 配合量（重量部） 合成例１のポリアミド酸（ＰＡ１） ２２０ ペンタエリスリトールトリアクリレート ２５ ＩＲＵＧＡＣＵＲＥ９０７ （チバガイギー社製 以下ＩＧＣ９０７と略す） ６ カヤキュアー ＤＥＴＸ （日本化薬製 以下ＤＥＴＸと略す） ２ Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド ４

【００５８】 〔組成物例２〕 （ＳＲ２） 配合量（重量部） 合成例２のポリアミド酸（ＰＡ２） ２２０ ペンタエリスリトールトリアクリレート ２５ ＩＧＣ９０７ ６ ＤＥＴＸ ２ Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド ４

【００５９】 〔組成物例３〕 （ＳＲ３） 配合量（重量部） 合成例３のポリアミド酸（ＰＡ３） ２２０ ペンタエリスリトールトリアクリレート ２５ ＩＧＣ９０７ ６ ＤＥＴＸ ２ Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド ４

【００６０】 〔組成物例４〕 （ＳＲ４） 配合量（重量部） 合成例１のポリアミド酸（ＰＡ４） ４４０ ペンタエリスリトールトリアクリレート ２５ ＩＲＵＧＡＣＵＲＥ９０７ （チバガイギー社製 以下ＩＧＣ９０７と略す） ６ カヤキュアー ＤＥＴＸ （日本化薬製 以下ＤＥＴＸと略す） ２ Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド ４

【００６１】（実施例１）メタルベース基板（１）の圧
延銅箔をエッチングレジストでパターンを描き、塩化第
二銅でエッチングして銅回路１００と半田付け用ランド
部４００、ボンディングパッド部５００を形成した。こ
れをメタルベース回路基板（１）とする。感光性ソルダ
ーレジスト（ＳＲ１）を導電体回路上で３０μｍ厚みに
なるように塗布した後、パターン形成してＳＲ層６００
を形成した。このＳＲ付きメタルベース回路基板のダイ
搭載部分９００（１８ｍｍ角）を形成するため、深さ
０．７ｍｍの絞り加工を行った。ＳＲ層は絞り加工の下
部まで回路を被覆していた。その後、無電解でＮｉメッ
キ（３μｍ）、Ａｕメッキ（０．５μｍ）からなるメッ
キ層７００を形成してキャビティーダウンのＬＧＡ用の
４０ｍｍ角のメタルベース半導体パッケージを得た。キ
ャビティーを形成する絞りの角度は３０°であり、外側
平坦部から絞り込まれる部分のソルダーレジストの外側
の最小曲率半径は１．２ｍｍであった。また、ＳＲの伸
びは約３０％であった。絞り加工後の検査でベース銅板
（１）００１、両面のポリイミド層（回路側のポリイミ
ド層２００および裏面のポリイミド層３００）、回路層
１００、ＳＲ層６００にはクラック等の外観異常は全く
検出されなかった。回路側のワイヤーボンド部や半田ボ
ール搭載部へのＮｉ、Ａｕメッキにおいて、ＳＲの下地
へのメッキ液の潜りも全く観察されなかった。このメタ
ルベース半導体パッケージをＰＣＴにかけた。ＰＣＴ条
件は１２５℃、１００％ＲＨ、２２０ｋＰａ（２．３kg
f/cm² ）、１９２Ｈｒであった。ＰＣＴ後の外観では構
成材料の浮き、剥がれは観察されなかった。ＳＲの碁盤
目テストでも剥離はなっかた。

【００６２】半導体チップ１０００をダイアタッチ材１
１００で搭載部９００に接着し、金のワイヤー１２００
で金メッキされたボンディングパッド部５００にボンデ
ィングを行った後ポッティング材８００でモールドした
場合の半導体実装後のメタルベース半導体パッケージ断
面模式図を図１に示した。配線の空気へのオープンは無
く、ダム無しにモールドでき、モールド材のキャビティ
ー外側への出っ張りは無くＬＧＡとして好適であった。

【００６３】（実施例２）メタルベース基板（１）の圧
延銅箔をエッチングレジストでパターンを描き、塩化第
二銅でエッチングして銅回路１０１、半田ボール用パッ
ド部４１０、千鳥型ボンディングパッド部５１０、５２
０を形成した。感光性ソルダーレジスト（ＳＲ２）を導
電体回路上で３０μｍ厚みになるように塗布した後、パ
ターン形成してＳＲ層６１０を形成した。このＳＲ付き
メタルベース回路基板のダイ搭載部分９１０（１３ｍｍ
角）と千鳥型ボンディングパッドの内側のパッド部５２
０のための段９２０を形成するため、全深さ０．５ｍｍ
の２段絞り加工を行った。１段目の絞り深さは０．１７
ｍｍであった。レジストインク層は第一段目の下部まで
覆っていた。千鳥型ボンディングパッドの外側のパッド
は絞りの無い平坦部に形成されている。その後、無電解
でＮｉメッキ（４μｍ）、Ａｕメッキ（０．５μｍ）か
らなるメッキ層７１０を形成してキャビティーダウンの
ＢＧＡ用の４０ｍｍ角のメタルベース半導体パッケージ
を得た。キャビティーを形成する絞りの角度は第一段目
が４０°であり、第二段目は４５°であった。外側平坦
部から絞り込まれる部分のソルダーレジストの外側の最
小曲率半径は０．８５ｍｍであった。また、ＳＲの伸び
は約４０％であった。絞り加工後の検査でベース銅板
（１）００１、両面のポリイミド層（２００および３０
０）、銅回路１０１、ＳＲ層６１０にはクラック等の外
観異常は全く検出されなかった。回路側のワイヤーボン
ド部や半田ボール搭載部へのＮｉ、Ａｕメッキにおい
て、ＳＲの下地へのメッキ液の潜りも全く観察されなか
った。このメタルベース半導体パッケージをＰＣＴにか
けた。ＰＣＴ条件は１２５℃、１００％ＲＨ、２２０ｋ
Ｐａ（２. ３kgf/cm² ）、１９２Ｈｒであった。ＰＣＴ
後の外観では構成材料の浮き、剥がれは観察されなかっ
た。ＳＲの碁盤目テストでも剥離はなかった。

【００６４】半導体チップ１０１０をダイアタッチ材１
１００で搭載部９１０に接着し、金のワイヤー１２１０
で金メッキされたボンディングパッド部５１０へ、金の
ワイヤー１２２０で金メッキされたボンディングパッド
部５２０にそれぞれボンディングを行い、ダム２０００
を形成した後、ポッティング材８００でモールドした場
合の半導体実装後のメタルベース半導体パッケージ断面
模式図を図２に示した。

【００６５】ボンディングパッド部５１０へのワイヤー
１２１０が水平に近かったがＳＲが絞り部に形成されて
いるため、ワイヤー１２１０と銅回路１０１とのショー
トが全くなくワイヤーボンド歩留まりが良好であった。

【００６６】（比較例１〜３）実施例１で得られたメタ
ルベース回路基板１に同一パターンで種々のソルダーレ
ジストをメーカーの推奨する方法で形成した。種々のソ
ルダーレジストの内容は次のとおりである。 １．ＰＳＲ４０００：プラスチックＢＧＡに多用されて
いる太陽インク（株）製の感光性エポキシ系レジストイ
ンク ２．ＳＲ−９０００：フレキシブル回路基板等に使われ
る日立化成（株）製の感光性アミド系レジストインク ３．パイララックスＰＣ１０００：フレキシブル回路基
板等に用いられるデュポン（株）の感光性カバーレイフ
ィルム これらＳＲ付きメタルベース回路基板にダイ部分１００
０（１８ｍｍ角）を形成するため、深さ０．７ｍｍの絞
り加工を行った。ソルダーレジスト層は絞り加工の下部
まで回路を被覆していた。その後、無電解でＮｉメッキ
（３μｍ）、Ａｕメッキ（０．５μｍ）からなるメッキ
層７００を形成してキャビティーダウンのＬＧＡ用の４
０ｍｍ角のメタルベース半導体パッケージを得た。キャ
ビティーを形成する絞りの角度は３０°であり、外側平
坦部から絞り込まれる部分のソルダーレジストの外側の
最小曲率半径は約１．２ｍｍの設計とした。絞り加工で
ＳＲに割れの生じなかったパッケージについてＰＣＴに
かけた。ＰＣＴ条件は１２５℃、１００％ＲＨ、２２０
ｋＰａ（２．３kgf/cm² ）、１９２Ｈｒであった。

【００６７】これらの絞り加工、無電解メッキ、ＰＣＴ
後の観察結果を表１に示した。表１に示されるように絞
り加工でのＳＲのクラック、無電解メッキでのメッキ液
の潜り、ＰＣＴでのＳＲの剥がれの全ての問題点が無い
物は無く、キャビティーの斜面にＳＲが存在し、かつ、
耐久信頼性に優れたパッケージは得られなかった。

【００６８】

【表１】

【００６９】（比較例４）実施例１で得られたメタルベ
ース回路基板１にＳＲ３を導電体回路上で３０μm 厚み
になるように塗布した後、パターン形成してＳＲ層６２
０を形成した。このＳＲ付きメタルベース回路基板にダ
イ部分９００（１８ｍｍ角）を形成するため、深さ０．
７ｍｍの絞り加工を行った。ソルダーレジスト層は絞り
加工の下部まで回路を被覆していた。キャビティーを形
成する絞りの角度は３０°であり、外側平坦部から絞り
込まれる部分のソルダーレジストの外側の最小曲率半径
は約１．２ｍｍの設計とした。この絞り加工品を観察し
た所、ＳＲは絞り加工の部分で割れを生じると共に銅回
路１００、ポリイミド層２００も切断していてパッケー
ジとして使用できなかった。その模式図を図３に示し
た。

【００７０】（比較例５）実施例１で得られたメタルベ
ース回路基板１にＳＲ４を導電体回路上で４５μm 厚み
になるように塗布した後、パターン形成してレジストイ
ンク層を形成した。

【００７１】しかし、ＳＲの現像において未露光部でも
部分的にＳＲが残ってしまい、ＳＲの現像が不十分であ
り回路として使用できない物であった。

【００７２】

【発明の効果】メタルを支持体としポリイミドを絶縁層
として回路加工が施され、キャビティーを有するメタル
パッケージにおいてソルダーレジストごと絞り加工して
キャビティー内にソルダーレジストが入り込んだパッケ
ージを提供することによって、液状ポッティング材用の
ダムの形成を不要にできること、ダムが無いことによる
ダムの出っ張りをパッケージの表面から無くすことがで
き、ランドグリッドアレー等が容易に製造できる、一層
配線でワイヤーボンドパッドを多段にした場合の外側パ
ッド部内側の配線の露出による外側パッド部ワイヤーと
配線のショートを防止できワイヤーボンドの信頼性を上
げることができる、ポッティング材との接着性が一般的
に不十分な金メッキ配線部の露出を防ぐことからポッテ
ィング材のパッケージへの接着信頼性が増加する等、優
れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】はベース銅板００１、回路側ポリイミド層２０
０、裏面ポリイミド層３００、銅回路１００、ランド部
４００、ボンディングパッド部５００、ＳＲ１層６０
０、Ｎｉ，Ａｕメッキ層７００、ポッティング材８０
０、ダイ搭載部分９００、半導体チップ１０００、ダイ
アタッチ材１１００、金ワイヤー１２００からなる半導
体実装後のメタルベース半導体パッケージである。

【図２】はベース銅板００１、回路側ポリイミド層２０
０、裏面ポリイミド層３００、銅回路１０１、ボールパ
ッド部４１０、千鳥型ボンディングパッド部５１０、５
２０、ＳＲ２層６１０、Ｎｉ，Ａｕメッキ層７１０、ポ
ッティング材８００、ダイ搭載部分９１０、ボンディン
グパッド５２０を形成するための段９２０、半導体チッ
プ１０１０、ダイアタッチ材１１１０、金ワイヤ１２１
０、１２２０からなる半導体実装後のメタルベース半導
体パッケージである。

【図３】はベース銅板００１、回路側ポリイミド層２０
０、裏面ポリイミド層３００、銅回路１００、ランド部
４００、ボンディングパッド部５００、ＳＲ３層６２
０、ダイ搭載部分９００からなるメタルベース半導体パ
ッケージの製造途中工程の絞り加工品である。

【符号の説明】

００１・・・ベース銅板 １００・・・銅回路 １０１・・・銅回路 ２００・・・回路側ポリイミド層 ３００・・・裏面ポリイミド層 ４００・・・ランド部 ４１０・・・ボールパッド部 ５００・・・ボンディングパッド部 ５１０・・・千鳥型ボンディングパッド部の外側 ５２０・・・千鳥型ボンディングパッド部の内側 ６００・・・ＳＲ１層 ６１０・・・ＳＲ２層 ６２０・・・ＳＲ３層 ７００、７１０・・・Ｎｉ，Ａｕメッキ層 ８００・・・・・・・ポッティング材 ９００、９１０・・・ダイ搭載部分 ９２０・・・・・・・ボンディングパッド部５２０を形
成する段 １０００、１０１０・・・・・・・・半導体チップ １１００、１１１０・・・・・・・・ダイアタッチ材 １２００、１２１０、１２２０・・・金ワイヤー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA13 AA14 AA20 AB16 AD01 BC12 BC31 BC43 CA00 CB21 CB25 CB57 DA18 DA20 FA43 5E315 AA09 BB01 BB16 CC15 DD09 DD15 DD17 DD25 GG07 GG13

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 キャビティーの少なくとも縁あるいは斜
   面において、回路がソルダーレジストで保護されている
   ことを特徴とするメタルベース半導体パッケージ。
2. 【請求項２】 キャビティーの深さが０．１ｍｍ以上、
   １．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載
   のメタルベース半導体パッケージ。
3. 【請求項３】 キャビティーが２段以上の絞りになって
   いることを特徴とする請求項１に記載のメタルベース半
   導体パッケージ。
4. 【請求項４】 キャビティーを形成する絞りの角度が２
   ０°以上、９０°以下であることを特徴とする請求項１
   に記載のメタルベース半導体パッケージ。
5. 【請求項５】 キャビティーにおいて外側平坦部から絞
   り込まれる部分のソルダーレジストの外側の曲率半径
   が、ソルダーレジスト付き回路基板の厚さの１／２以
   上、５倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の
   メタルベース半導体パッケージ。
6. 【請求項６】 ベースメタルの厚みが０．１５ｍｍ以
   上、２．０ｍｍ以下で、絶縁層の厚みが０．００５ｍｍ
   以上、０．１ｍｍ以下、ソルダーレジストの厚みが０．
   ００３ｍｍ以上、０．０５ｍｍ以下であることを特徴と
   する請求項１に記載のメタルベース半導体パッケージ。
7. 【請求項７】 メタルベース半導体パッケージ単独の特
   性において、耐ＰＣＴ性が９６時間以上で構成材料界面
   での剥がれ、変色が生じなく、無電解ニッケルを１．５
   μm 以上、無電解金メッキを０．３μm 以上析出させる
   工程でソルダーレジストと回路金属、有機絶縁層からな
   る下地との間にメッキ液の潜りが生じないことを特徴と
   する請求項１に記載のメタルベース半導体パッケージ。
8. 【請求項８】 ソルダーレジストが、式（１）〔化１〕
   で示される樹脂と、 【化１】 （式中、Ｒは構造式（２）〔化２〕 【化２】 からなる群より選ばれる四価の基である。）で表される
   繰り返し単位を有し、それの対数粘度（Ｎ，Ｎ−ジメチ
   ルアセトアミド溶媒、濃度０．５ｇ／１００ｍｌ−溶
   媒、３５℃で測定）が０．３〜１．０ｄｌ／ｇであるポ
   リアミド酸を含む窒素系溶媒に溶解した溶液と、（Ｂ）
   光重合可能なＣ−Ｃ不飽和２重結合を有する化合物と、
   および（Ｃ）光重合開始剤とからなる感光性樹脂組成物
   であることを特徴とする請求項１に記載のメタルベース
   半導体パッケージ。
9. 【請求項９】 パッケージの形式がＭＱＰ、ＢＧＡ又は
   ＬＧＡであることを特徴とする請求項１に記載のメタル
   ベース半導体パッケージ。
10. 【請求項１０】 回路が多層構造を持っていることを特
    徴とする請求項１に記載のメタルベース半導体パッケー
    ジ。
11. 【請求項１１】 樹脂組成物の伸びが室温において１０
    ％以上であり、その樹脂組成物をソルダーレジストとし
    て用いた基板において、その基板の絞り加工で１０％以
    上の伸びを示し、その絞り加工された状態で、ＰＣＴを
    ９６時間以上行なった場合において、ソルダーレジスト
    が回路金属、有機絶縁層からなるソルダーレジストの下
    地との間で剥がれが無く、また、無電解ニッケルメッキ
    を１．５μm 以上、無電解金メッキを０．３μm 以上析
    出させる工程で、ソルダーレジストと回路金属、有機絶
    縁層からなるソルダーレジストの下地との間にメッキ液
    の潜りを生じないことを特徴とする樹脂組成物。
12. 【請求項１２】 ソルダーレジストが式（１）〔化３〕
    で示される樹脂 【化３】 （式中、Ｒは構造式（２）〔化４〕 【化４】 からなる群より選ばれる四価の基である。）で表される
    繰り返し単位を有し、それの対数粘度（Ｎ，Ｎ−ジメチ
    ルアセトアミド溶媒、濃度０．５ｇ／１００ｍｌ−溶
    媒、３５℃で測定）が０．３〜１．０ｄｌ／ｇであるポ
    リアミド酸を含む窒素系溶媒に溶解した溶液と、（Ｂ）
    光重合可能なＣ−Ｃ不飽和２重結合を有する化合物と、
    および（Ｃ）光重合開始剤とからなる感光性樹脂組成物
    であることを特徴とする請求項１０に記載の樹脂組成
    物。