JP2000077416A - 埋め込み配線の形成方法 - Google Patents
埋め込み配線の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 デュアルダマシン法により、良好な埋め込み
配線を形成する方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、デュアルダマシン構造を備え
た埋め込み配線の形成方法であって、平坦に形成された
下層配線３０上に、順次、下部層間絶縁膜３２、エッチ
ングストリッパ層３４、及び上部層間絶縁膜３６を成膜
する工程と、上部層間絶縁膜を貫通してエッチングスト
リッパ層に達する配線溝３８を開口する工程と、上部層
間絶縁膜上に高濃度に不純物でドープしたドープド酸化
膜４０を成膜してドープド酸化膜で配線溝を埋め込み、
かつドープド酸化膜を平坦化する工程と、ドープド酸化
膜、エッチングストリッパ層及び下部層間絶縁膜を貫通
して下層配線に達するビアホール４２を開口する工程
と、ドープド酸化膜をウエットエッチングにより除去
し、ビアホールとビアホールに連通した配線溝からなる
デュアルダマシン構造を形成する工程とを有する。
配線を形成する方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、デュアルダマシン構造を備え
た埋め込み配線の形成方法であって、平坦に形成された
下層配線３０上に、順次、下部層間絶縁膜３２、エッチ
ングストリッパ層３４、及び上部層間絶縁膜３６を成膜
する工程と、上部層間絶縁膜を貫通してエッチングスト
リッパ層に達する配線溝３８を開口する工程と、上部層
間絶縁膜上に高濃度に不純物でドープしたドープド酸化
膜４０を成膜してドープド酸化膜で配線溝を埋め込み、
かつドープド酸化膜を平坦化する工程と、ドープド酸化
膜、エッチングストリッパ層及び下部層間絶縁膜を貫通
して下層配線に達するビアホール４２を開口する工程
と、ドープド酸化膜をウエットエッチングにより除去
し、ビアホールとビアホールに連通した配線溝からなる
デュアルダマシン構造を形成する工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デュアルダマシン
構造を備えた埋め込み配線の形成方法に関し、更に詳細
には、デュアルダマシン構造を備えた良好な品質の埋め
込み配線を形成する方法に関するものである。尚、本発
明で、コンタクトホールとは、接続孔全般を意味し、コ
ンタクトホールに限らず、例えばビアホール、スルーホ
ール等を意味する広い概念である。
構造を備えた埋め込み配線の形成方法に関し、更に詳細
には、デュアルダマシン構造を備えた良好な品質の埋め
込み配線を形成する方法に関するものである。尚、本発
明で、コンタクトホールとは、接続孔全般を意味し、コ
ンタクトホールに限らず、例えばビアホール、スルーホ
ール等を意味する広い概念である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化、高集積化に伴い、
半導体装置の配線も微細化、多層化しているために、絶
縁膜上に配線層を成膜し、次いでパターニングして配線
を形成する方法では、断線、短絡等の配線不良が配線に
生じ易い。そこで、絶縁膜上に配線を形成する方法に代
えて、絶縁膜内に埋め込み金属配線を形成する、いわゆ
るダマシン法が実用化されている。更に、コンタクトプ
ラグの形成とダマシン法による配線形成とを組み合わせ
たデュアルダマシン法が実用化されている。
半導体装置の配線も微細化、多層化しているために、絶
縁膜上に配線層を成膜し、次いでパターニングして配線
を形成する方法では、断線、短絡等の配線不良が配線に
生じ易い。そこで、絶縁膜上に配線を形成する方法に代
えて、絶縁膜内に埋め込み金属配線を形成する、いわゆ
るダマシン法が実用化されている。更に、コンタクトプ
ラグの形成とダマシン法による配線形成とを組み合わせ
たデュアルダマシン法が実用化されている。
【０００３】ここで、図２を参照して、従来のデュアル
ダマシン法により配線を形成する方法を説明する。図２
（ａ）〜（ｃ）は、従来のデュアルダマシン法により配
線を形成する際の工程毎の基板断面を示す断面図であ
る。先ず、下層配線１０上に、順次、下部層間絶縁膜１
２、エッチングストッパ層１４及び上部層間絶縁膜１６
を成膜する。次いで、上部層間絶縁膜１６、エッチング
ストッパ層１４及び下部層間絶縁膜１２を貫通して、下
層配線又は拡散領域１０に達するコンタクトホール１８
を形成する。次に、図２（ａ）に示すように、上部層間
絶縁膜１６上にＡＲＣ等の有機膜２０を成膜しつつコン
タクトホール１８を有機膜２０で埋め込み、続いてＣＭ
Ｐ加工等により、有機膜２０を平坦化する。
ダマシン法により配線を形成する方法を説明する。図２
（ａ）〜（ｃ）は、従来のデュアルダマシン法により配
線を形成する際の工程毎の基板断面を示す断面図であ
る。先ず、下層配線１０上に、順次、下部層間絶縁膜１
２、エッチングストッパ層１４及び上部層間絶縁膜１６
を成膜する。次いで、上部層間絶縁膜１６、エッチング
ストッパ層１４及び下部層間絶縁膜１２を貫通して、下
層配線又は拡散領域１０に達するコンタクトホール１８
を形成する。次に、図２（ａ）に示すように、上部層間
絶縁膜１６上にＡＲＣ等の有機膜２０を成膜しつつコン
タクトホール１８を有機膜２０で埋め込み、続いてＣＭ
Ｐ加工等により、有機膜２０を平坦化する。
【０００４】次いで、平坦化した有機膜２０上にフォト
レジスト膜２２を成膜し、パターニングして、配線溝パ
ターンを有するエッチングマスク２２を形成する。続い
て、エッチングマスク２２を使ってエッチングして、図
２（ｂ）に示すように、エッチングストッパ層１４に達
する配線溝２４を形成する。その際、エッチングストッ
パ層１４がストッパ層として機能し、エッチングがそこ
で停止する。次に、配線溝２４の下部のコンタクトホー
ル１８内の有機膜２０をエッチングして、コンタクトホ
ール１８を開口し、更に、配線溝２４とコンタクトホー
ル１８内の残留有機膜をレジスト剥離により除去し、図
２（ｃ）に示すように、コンタクトホール１８とそれに
連通する配線溝２４とを有するデュアルダマシン構造を
形成している。次いで、図示しないが、Ｔｉ／ＴｉＮ膜
等のバリアメタル層を成膜し、更にＣｕ等の金属を堆積
して配線層を作りつつデュアルダマシン構造を埋め込
む。続いて、ＣＭＰ処理を配線層に施して上部層間絶縁
膜１６を露出させ、配線を形成している。
レジスト膜２２を成膜し、パターニングして、配線溝パ
ターンを有するエッチングマスク２２を形成する。続い
て、エッチングマスク２２を使ってエッチングして、図
２（ｂ）に示すように、エッチングストッパ層１４に達
する配線溝２４を形成する。その際、エッチングストッ
パ層１４がストッパ層として機能し、エッチングがそこ
で停止する。次に、配線溝２４の下部のコンタクトホー
ル１８内の有機膜２０をエッチングして、コンタクトホ
ール１８を開口し、更に、配線溝２４とコンタクトホー
ル１８内の残留有機膜をレジスト剥離により除去し、図
２（ｃ）に示すように、コンタクトホール１８とそれに
連通する配線溝２４とを有するデュアルダマシン構造を
形成している。次いで、図示しないが、Ｔｉ／ＴｉＮ膜
等のバリアメタル層を成膜し、更にＣｕ等の金属を堆積
して配線層を作りつつデュアルダマシン構造を埋め込
む。続いて、ＣＭＰ処理を配線層に施して上部層間絶縁
膜１６を露出させ、配線を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したデュ
アルダマシン法による従来の配線形成方法では、コンタ
クトホール１８内のＡＲＣ等の有機膜２０をエッチング
により除去することが難しく、どうしても有機膜が残留
し、配線溝２４内に有機膜が酸化して生じた酸化膜の突
起が発生するという問題があった。酸化膜の突起が発生
する原因は、配線溝をエッチングする際、第１には、コ
ンタクトホールに埋め込まれたＡＲＣをたたきながらエ
ッチングを行うためであり、また、コンタクトホール内
の有機膜をエッチングしてコンタクトホールを開口する
際、僅かににテーパを引くため、斜めになった、ＡＲＣ
等の有機膜下の酸化膜が、配線溝のエッチングの際に、
残留するからである。そして、酸化膜の突起があると、
配線を形成した際、抵抗増大、導通不良等の配線不良が
生じることが多かった。
アルダマシン法による従来の配線形成方法では、コンタ
クトホール１８内のＡＲＣ等の有機膜２０をエッチング
により除去することが難しく、どうしても有機膜が残留
し、配線溝２４内に有機膜が酸化して生じた酸化膜の突
起が発生するという問題があった。酸化膜の突起が発生
する原因は、配線溝をエッチングする際、第１には、コ
ンタクトホールに埋め込まれたＡＲＣをたたきながらエ
ッチングを行うためであり、また、コンタクトホール内
の有機膜をエッチングしてコンタクトホールを開口する
際、僅かににテーパを引くため、斜めになった、ＡＲＣ
等の有機膜下の酸化膜が、配線溝のエッチングの際に、
残留するからである。そして、酸化膜の突起があると、
配線を形成した際、抵抗増大、導通不良等の配線不良が
生じることが多かった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、デュアルダマシ
ン法により、良好な埋め込み配線を形成する方法を提供
することである。
ン法により、良好な埋め込み配線を形成する方法を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る配線方法は、デュアルダマシン構造を
備えた埋め込み配線の形成方法であって、下層配線上
に、順次、下部層間絶縁膜、エッチングストッパ層、及
び上部層間絶縁膜を成膜する工程と、上部層間絶縁膜を
貫通してエッチングストッパ層に達する配線溝を開口す
る工程と、上部層間絶縁膜上に高濃度に不純物でドープ
したドープド酸化膜を成膜してドープド酸化膜で配線溝
を埋め込み、かつドープド酸化膜を平坦化する工程と、
ドープド酸化膜、エッチングストッパ層、及び下部層間
絶縁膜を貫通して下層配線に達するコンタクトホールを
開口する工程と、ドープド酸化膜をウエットエッチング
により除去し、コンタクトホールとコンタクトホールに
連通した配線溝からなるデュアルダマシン構造を形成す
る工程とを有することを特徴としている。
に、本発明に係る配線方法は、デュアルダマシン構造を
備えた埋め込み配線の形成方法であって、下層配線上
に、順次、下部層間絶縁膜、エッチングストッパ層、及
び上部層間絶縁膜を成膜する工程と、上部層間絶縁膜を
貫通してエッチングストッパ層に達する配線溝を開口す
る工程と、上部層間絶縁膜上に高濃度に不純物でドープ
したドープド酸化膜を成膜してドープド酸化膜で配線溝
を埋め込み、かつドープド酸化膜を平坦化する工程と、
ドープド酸化膜、エッチングストッパ層、及び下部層間
絶縁膜を貫通して下層配線に達するコンタクトホールを
開口する工程と、ドープド酸化膜をウエットエッチング
により除去し、コンタクトホールとコンタクトホールに
連通した配線溝からなるデュアルダマシン構造を形成す
る工程とを有することを特徴としている。
【０００８】本発明方法では、従来の有機膜に代えて、
高濃度に不純物ドープしたドープド酸化膜を使用してい
る。例えばドープドＳＯＧ膜で配線溝を埋め込み、平坦
化し、ドープド酸化膜、エッチングストッパ層及び下部
層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを開口し、ノン
ドープド酸化膜とドープド酸化膜とのウエットエッチン
グのエッチングレートの違いを利用し、配線溝内のドー
プド酸化膜を完全に除去する。これにより、従来のよう
に、配線溝内に酸化膜が残留して、導通不良の配線が形
成されるというような問題は、生じない。
高濃度に不純物ドープしたドープド酸化膜を使用してい
る。例えばドープドＳＯＧ膜で配線溝を埋め込み、平坦
化し、ドープド酸化膜、エッチングストッパ層及び下部
層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを開口し、ノン
ドープド酸化膜とドープド酸化膜とのウエットエッチン
グのエッチングレートの違いを利用し、配線溝内のドー
プド酸化膜を完全に除去する。これにより、従来のよう
に、配線溝内に酸化膜が残留して、導通不良の配線が形
成されるというような問題は、生じない。
【０００９】また、本発明では、コンタクトホールを開
口する際、配線溝上がドープド酸化膜の平坦化により平
坦化されるので、配線溝上のコンタクトホール開口ため
のフォトリソグラフィを精度高く行えるから、微細ホー
ルの形成が可能となる。また、ドープド酸化膜であるか
ら、レジストなどの酸化膜と組成の違う物質を使用しな
いため、その組成が層間絶縁膜の組成と変わらないの
で、エッチングが同時に行える。よって、コンタクトホ
ール開口のドライエッチングの際、エッチングレートの
差が生じない。以上のことにより、従来生じていたよう
な微細なコンタクトホールの開口が難しいという問題が
生じない。
口する際、配線溝上がドープド酸化膜の平坦化により平
坦化されるので、配線溝上のコンタクトホール開口ため
のフォトリソグラフィを精度高く行えるから、微細ホー
ルの形成が可能となる。また、ドープド酸化膜であるか
ら、レジストなどの酸化膜と組成の違う物質を使用しな
いため、その組成が層間絶縁膜の組成と変わらないの
で、エッチングが同時に行える。よって、コンタクトホ
ール開口のドライエッチングの際、エッチングレートの
差が生じない。以上のことにより、従来生じていたよう
な微細なコンタクトホールの開口が難しいという問題が
生じない。
【００１０】本発明の好適な実施態様では、下層配線上
に、順次、下部層間絶縁膜、エッチングストッパ層、及
び上部層間絶縁膜を成膜する工程では、下層配線を平坦
に形成し、更には、ドープド酸化膜が、ＳＯＧ膜であっ
て、スピンコート法により上部層間絶縁膜上に成膜す
る。ドープド酸化膜のウエットエッチングでは、エッチ
ャントとして希釈フッ酸を使用する。
に、順次、下部層間絶縁膜、エッチングストッパ層、及
び上部層間絶縁膜を成膜する工程では、下層配線を平坦
に形成し、更には、ドープド酸化膜が、ＳＯＧ膜であっ
て、スピンコート法により上部層間絶縁膜上に成膜す
る。ドープド酸化膜のウエットエッチングでは、エッチ
ャントとして希釈フッ酸を使用する。
【００１１】配線溝とコンタクトホールとは同じ寸法で
も良いが、好適には、配線溝の横寸法がコンタクトホー
ルの寸法より大きい。
も良いが、好適には、配線溝の横寸法がコンタクトホー
ルの寸法より大きい。
【００１２】上部層間絶縁膜及び下部層間絶縁膜をプラ
ズマＣＶＤ法により成膜する。また、形成したデュアル
ダマシン構造上に、メタル層を堆積して、デュアルダマ
シン構造を埋め込み、次いで、ＣＭＰ研磨、またはエッ
チバックにより上部層間絶縁膜上のメタル層を除去して
デュアルダマシン配線を形成する。配線溝及びコンタク
トホールをフォトリソグラフィ及びエッチングにより開
口する。
ズマＣＶＤ法により成膜する。また、形成したデュアル
ダマシン構造上に、メタル層を堆積して、デュアルダマ
シン構造を埋め込み、次いで、ＣＭＰ研磨、またはエッ
チバックにより上部層間絶縁膜上のメタル層を除去して
デュアルダマシン配線を形成する。配線溝及びコンタク
トホールをフォトリソグラフィ及びエッチングにより開
口する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明
する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る埋め込み配線の形成方法
の実施形態の一例であって、図１（ａ）〜（ｄ）は本実
施形態例の埋め込み配線の形成方法の工程毎の基板断面
を示す断面図である。先ず、平坦に形成された下層配線
３０上に、順次、コンタクトホールの深さに相当する膜
厚の下部層間絶縁膜３２、及びＳｉＮからなる膜厚５０
ｎｍのエッチングストッパ層３４を成膜する。次いで、
配線溝３８の深さに相当する膜厚の上部層間絶縁膜３６
をエッチングストッパ層３４上に成膜し、続いて、図１
（ａ）に示すように、既知のフォトリソグラフィ法とエ
ッチング法により上部層間絶縁膜３６を貫通してエッチ
ングストッパ層３４に達する配線溝３８を開口する。配
線溝３８のエッチングは、エッチングストッパ層３４に
達すると自動的に停止し、かつ配線溝３８はエッチング
ストッパ層３４の面に合わせて平坦な溝底を有し、均一
な深さになる。
例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明
する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る埋め込み配線の形成方法
の実施形態の一例であって、図１（ａ）〜（ｄ）は本実
施形態例の埋め込み配線の形成方法の工程毎の基板断面
を示す断面図である。先ず、平坦に形成された下層配線
３０上に、順次、コンタクトホールの深さに相当する膜
厚の下部層間絶縁膜３２、及びＳｉＮからなる膜厚５０
ｎｍのエッチングストッパ層３４を成膜する。次いで、
配線溝３８の深さに相当する膜厚の上部層間絶縁膜３６
をエッチングストッパ層３４上に成膜し、続いて、図１
（ａ）に示すように、既知のフォトリソグラフィ法とエ
ッチング法により上部層間絶縁膜３６を貫通してエッチ
ングストッパ層３４に達する配線溝３８を開口する。配
線溝３８のエッチングは、エッチングストッパ層３４に
達すると自動的に停止し、かつ配線溝３８はエッチング
ストッパ層３４の面に合わせて平坦な溝底を有し、均一
な深さになる。
【００１４】次に、上部層間絶縁膜３６上に高濃度に不
純物がドープされたＳＯＧをスピンコートで塗布し、図
１（ｂ）に示すように、開口した配線溝３８をＳＯＧ膜
４０で完全に埋め込み、かつＳＯＧ膜４０を平坦化す
る。次に、既知のフォトリソグラフィ法及びエッチング
法を使って、図１（ｃ）に示すように、ＳＯＧ膜４０、
エッチングストッパ層３４及び下部層間絶縁膜３２を貫
通して下層配線３０に達するコンタクトホール４２を開
口する。続いて、ドープされたＳＯＧ膜４０のみを希釈
フッ酸により除去し、図１（ｄ）に示すように、コンタ
クトホール４２とコンタクトホール４２に連通した配線
溝３８からなるデュアルダマシン構造を形成する。
純物がドープされたＳＯＧをスピンコートで塗布し、図
１（ｂ）に示すように、開口した配線溝３８をＳＯＧ膜
４０で完全に埋め込み、かつＳＯＧ膜４０を平坦化す
る。次に、既知のフォトリソグラフィ法及びエッチング
法を使って、図１（ｃ）に示すように、ＳＯＧ膜４０、
エッチングストッパ層３４及び下部層間絶縁膜３２を貫
通して下層配線３０に達するコンタクトホール４２を開
口する。続いて、ドープされたＳＯＧ膜４０のみを希釈
フッ酸により除去し、図１（ｄ）に示すように、コンタ
クトホール４２とコンタクトホール４２に連通した配線
溝３８からなるデュアルダマシン構造を形成する。
【００１５】図示しないが、形成したデュアルダマシン
構造上に、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、またはＣＤＶ法とＰＶ
Ｄ法とを併用して、メタル層を堆積して、デュアルダマ
シン構造を埋め込み、次いで、ＣＭＰ研磨、またはエッ
チバックにより上部層間絶縁膜３６上のメタル層を除去
してデュアルダマシン配線を形成する。
構造上に、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、またはＣＤＶ法とＰＶ
Ｄ法とを併用して、メタル層を堆積して、デュアルダマ
シン構造を埋め込み、次いで、ＣＭＰ研磨、またはエッ
チバックにより上部層間絶縁膜３６上のメタル層を除去
してデュアルダマシン配線を形成する。
【００１６】ドライエッチングでは、ＳＯＧ膜もプラズ
マ酸化膜のエッチングレートがほぼ同じである。一方、
ウエットエッチング、例えば希釈フッ酸によるウエット
エッチングでは、高濃度に不純物ドーピングされている
ＳＯＧ膜は、ノンドープのプラズマ酸化膜に比べてのエ
ッチングレートが非常に速い。
マ酸化膜のエッチングレートがほぼ同じである。一方、
ウエットエッチング、例えば希釈フッ酸によるウエット
エッチングでは、高濃度に不純物ドーピングされている
ＳＯＧ膜は、ノンドープのプラズマ酸化膜に比べてのエ
ッチングレートが非常に速い。
【００１７】本実施形態例では、上述したこのエッチン
グレートの差の特徴を活かして、初めに開口した配線溝
３８に高濃度不純物を含んだＳＯＧをスピンコートで埋
め込み表面を平坦にする。表面が平坦であれば、微細な
コンタクトホール４２をフォトリソグラフィ技術で形成
することは可能であるから、本実施形態例では、フォト
リソグラフィ法とドライエッチング法により微細コンタ
クトホールを形成する。このとき、ＳＯＧ膜とプラズマ
酸化膜のドライエッチレートは同じであるので、通常の
コンタクトホール開口を行えばよい。その後、ウエット
エッチングにより配線溝３８内に残っているＳＯＧと、
表面のＳＯＧを選択的に除去すれば、たとえ配線溝３８
とコンタクトホール４２の目合わせずれが多少起きたと
しても、配線とコンタクトホールの接触面積を減らすこ
となく、微細なデュアルダマシン構造が形成できる。
グレートの差の特徴を活かして、初めに開口した配線溝
３８に高濃度不純物を含んだＳＯＧをスピンコートで埋
め込み表面を平坦にする。表面が平坦であれば、微細な
コンタクトホール４２をフォトリソグラフィ技術で形成
することは可能であるから、本実施形態例では、フォト
リソグラフィ法とドライエッチング法により微細コンタ
クトホールを形成する。このとき、ＳＯＧ膜とプラズマ
酸化膜のドライエッチレートは同じであるので、通常の
コンタクトホール開口を行えばよい。その後、ウエット
エッチングにより配線溝３８内に残っているＳＯＧと、
表面のＳＯＧを選択的に除去すれば、たとえ配線溝３８
とコンタクトホール４２の目合わせずれが多少起きたと
しても、配線とコンタクトホールの接触面積を減らすこ
となく、微細なデュアルダマシン構造が形成できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、エッチングストッパ層
上に形成された上部層間絶縁膜に配線溝を開口し、ドー
プド酸化膜で配線溝を埋め込み、次いでドープド酸化膜
を貫通して下層配線に達するコンタクトホールを開口
し、ドープド酸化膜をウエットエッチングにより除去す
ることにより、デュアルダマシン構造を形成している。
本発明方法では、従来の有機膜に代えて、高濃度に不純
物ドープしたドープド酸化膜を使用し、ノンドープド酸
化膜とドープド酸化膜とのウエットエッチングのエッチ
ングレートの違いを利用し、配線溝内のドープド酸化膜
を完全に除去するので、従来のように、配線溝内に酸化
膜が残留して、導通不良のデュアルダマシン配線が形成
されるというような問題は、生じない。
上に形成された上部層間絶縁膜に配線溝を開口し、ドー
プド酸化膜で配線溝を埋め込み、次いでドープド酸化膜
を貫通して下層配線に達するコンタクトホールを開口
し、ドープド酸化膜をウエットエッチングにより除去す
ることにより、デュアルダマシン構造を形成している。
本発明方法では、従来の有機膜に代えて、高濃度に不純
物ドープしたドープド酸化膜を使用し、ノンドープド酸
化膜とドープド酸化膜とのウエットエッチングのエッチ
ングレートの違いを利用し、配線溝内のドープド酸化膜
を完全に除去するので、従来のように、配線溝内に酸化
膜が残留して、導通不良のデュアルダマシン配線が形成
されるというような問題は、生じない。
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、実施形態例
の埋め込み配線の形成方法の工程毎の基板断面を示す断
面図である。
の埋め込み配線の形成方法の工程毎の基板断面を示す断
面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、従来の埋め
込み配線の形成方法の工程毎の基板断面を示す断面図で
ある。
込み配線の形成方法の工程毎の基板断面を示す断面図で
ある。
１０ 下層配線 １２ 下部層間絶縁膜 １４ エッチングストッパ層 １６ 上部層間絶縁膜 １８ コンタクトホール ２０ 有機膜 ２２ エッチングマスク ２４ 配線溝 ３０ 下層配線 ３２ 下部層間絶縁膜 ３４ エッチングストッパ層 ３６ 上部層間絶縁膜 ３８ 配線溝 ４０ ＳＯＧ膜 ４２ コンタクトホール
Claims (8)
- 【請求項１】 デュアルダマシン構造を備えた埋め込み
配線の形成方法であって、 下層配線上に、順次、下部層間絶縁膜、エッチングスト
ッパ層、及び上部層間絶縁膜を成膜する工程と、 上部層間絶縁膜を貫通してエッチングストッパ層に達す
る配線溝を開口する工程と、 上部層間絶縁膜上に高濃度に不純物でドープしたドープ
ド酸化膜を成膜してドープド酸化膜で配線溝を埋め込
み、かつドープド酸化膜を平坦化する工程と、 ドープド酸化膜、エッチングストッパ層、及び下部層間
絶縁膜を貫通して下層配線に達するコンタクトホールを
開口する工程と、 ドープド酸化膜をウエットエッチングにより除去し、コ
ンタクトホールとコンタクトホールに連通した配線溝か
らなるデュアルダマシン構造を形成する工程とを有する
ことを特徴とする埋め込み配線の形成方法。 - 【請求項２】 下層配線上に、順次、下部層間絶縁膜、
エッチングストッパ層、及び上部層間絶縁膜を成膜する
工程では、下層配線を平坦に形成することを特徴とする
請求項１に記載の埋め込み配線の形成方法。 - 【請求項３】 ドープド酸化膜が、ＳＯＧ膜であって、
スピンコート法により上部層間絶縁膜上に成膜すること
を特徴とする請求項１又は２に記載の埋め込み配線の形
成方法。 - 【請求項４】 ドープド酸化膜のウエットエッチングで
は、エッチャントとして希釈フッ酸を使用することを特
徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の
埋め込み配線の形成方法。 - 【請求項５】 配線溝の開口では、エッチングストッパ
層で自動的にエッチングを停止させ、コンタクトホール
の開口では、エッチングストッパ層を貫通して開口する
ことを特徴とする請求項１から４のうちのいずれか１項
に記載の埋め込み配線の形成方法。 - 【請求項６】 上部層間絶縁膜及び下部層間絶縁膜をプ
ラズマＣＶＤ法により成膜することを特徴とする請求項
１から５のうちのいずれか１項に記載の埋め込み配線の
形成方法。 - 【請求項７】 形成したデュアルダマシン構造上に、メ
タル層を堆積して、デュアルダマシン構造を埋め込み、
次いで、ＣＭＰ研磨、またはエッチバックにより上部層
間絶縁膜上のメタル層を除去してデュアルダマシン配線
を形成することを特徴とする請求項１から６のうちのい
ずれか１項に記載の埋め込み配線の形成方法。 - 【請求項８】 配線溝及びコンタクトホールをフォトリ
ソグラフィ及びエッチングにより開口することを特徴と
する請求項１から７のうちのいずれか１項に記載の埋め
込み配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10248350A JP2000077416A (ja) | 1998-09-02 | 1998-09-02 | 埋め込み配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10248350A JP2000077416A (ja) | 1998-09-02 | 1998-09-02 | 埋め込み配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077416A true JP2000077416A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17176797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10248350A Pending JP2000077416A (ja) | 1998-09-02 | 1998-09-02 | 埋め込み配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077416A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428791B1 (ko) * | 2002-04-17 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 저유전율 절연막을 이용한 듀얼 다마신 배선 형성방법 |
| KR100524928B1 (ko) * | 1999-08-18 | 2005-10-31 | 삼성전자주식회사 | 다마신 공정을 이용한 금속배선 형성방법 |
| KR100652358B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2006-11-30 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 다마신 형성방법 |
-
1998
- 1998-09-02 JP JP10248350A patent/JP2000077416A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100524928B1 (ko) * | 1999-08-18 | 2005-10-31 | 삼성전자주식회사 | 다마신 공정을 이용한 금속배선 형성방법 |
| KR100652358B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2006-11-30 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 다마신 형성방법 |
| KR100428791B1 (ko) * | 2002-04-17 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 저유전율 절연막을 이용한 듀얼 다마신 배선 형성방법 |
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