JP2000058751A - 半導体集積回路及びデータ処理システム - Google Patents

半導体集積回路及びデータ処理システム

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JP2000058751A
JP2000058751A JP10225594A JP22559498A JP2000058751A JP 2000058751 A JP2000058751 A JP 2000058751A JP 10225594 A JP10225594 A JP 10225594A JP 22559498 A JP22559498 A JP 22559498A JP 2000058751 A JP2000058751 A JP 2000058751A
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clock
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integrated circuit
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Masatoshi Sakamoto
将俊 坂本
Michiaki Nakayama
道明 中山
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 クロック信号に同期動作される半導体集積回
路の動作周波数の高速化に対してクロック同期動作の安
定化を図る。 【解決手段】 第1電源幹線(20)及び第2電源幹線
(21)の直下領域(23)に、双方の電源配線に接続
した電源間容量(60)とクロックドライバ(70)と
を配置する。クロックドライバは電源間容量に挟まれて
いる。クロックドライバは電源間容量に隣接するから、
クロック同期動作途上で仮に大きな電流が流れても、ク
ロックドライバは、電源間容量の充放電作用による電源
配線の電圧変動防止効果をその源としての電源間容量の
直近で得ることができ、クロック信号波形の不所望な変
化による誤動作の防止を高い信頼性を持って実現するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、クロック信号に同
期動作される半導体集積回路に係り、電源幹線下の領域
の有効利用、更にはクロック同期動作の安定化と高速化
とに適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】CMOS半導体集積回路であってもその
過渡応答動作時には貫通電流が流れ、高速動作時には比
較的大きな電流が流れる。そのような電流によって電源
配線にノイズが発生する。このノイズを低減する手段と
して、電源配線間に電源間容量を配置し、当該容量の充
放電電荷によって一時的に電源の供給を補うことができ
る。そのような電源間容量について記載された文献の例
として特開平2−144936号公報、特開平7−86
513号公報がある。
【0003】また、クロック同期型の半導体集積回路に
おいて電源セルに隣接してクロックドライバセルを配置
し、クロックドライバセルへ電源を供給する配線の配線
抵抗による電圧降下を小さくしようとする技術が特開平
7−235600号公報に記載がある。この公報におい
て、前記電源セルは、スタンダードセル方式においてク
ロックドライバに電源を供給するための電源線を電源配
線に接続するための基本セルとして位置付けられてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、クロック
信号に同期動作される半導体集積回路の動作周波数の高
速化に対してクロック同期動作の安定化を更に図ること
について検討した。これによれば、半導体集積回路の高
集積化と動作速度の高速化の進歩が著しい今日、前記電
源配線間に電源間容量を配置する技術と、電源セルに隣
接させてクロックドライバセルを配置する技術を単に組
合わせただけでは、電原系ノイズに起因するクロック信
号波形の乱れを完全に防止できず、クロック同期動作の
安定性を更に改善するには不十分であることが本発明者
によって明らかにされた。
【0005】本発明の目的は、クロック信号に同期動作
される半導体集積回路の動作周波数の高速化に対しクロ
ック同期動作の安定化を更に図ることができる半導体集
積回路を提供することにある。
【0006】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0008】すなわち、クロックドライバ(70)から
供給されるクロック信号に同期動作される複数個の回路
ブロック(2)を有し、第1電源配線(20)及び第2
電源配線(21)を介して各部に動作電源が供給される
半導体集積回路(1)において、前記第1電源配線及び
第2電源配線の直下領域(23)に、前記第1電源配線
と第2電源配線に容量端子を接続した電源間容量(6
0)と前記クロックドライバ(70)とを配置する。前
記第1電源配線及び第2電源配線は電源支線よりも幅広
に形成された電源幹線である。前記クロックドライバは
電源間容量に挟まれている。第1電源配線と第2電源配
線は隣接配置されている。
【0009】上記した手段によれば、クロックドライバ
を電源間容量に隣接させれば、クロック同期動作途上で
仮に大きな電流が流れても、クロックドライバは、電源
間容量の充放電作用による電源配線の電圧変動防止効果
をその源としての電源間容量の直近で得ることができる
から、クロックドライバの動作電源が不所望に変動する
ことを極力防止でき、クロック信号波形の不所望な変化
による誤動作の防止を高い信頼性を持って実現すること
ができる。クロックドライバを電源間容量で挟むように
レイアウトすることにより、前記クロック同期動作の誤
動作防止効果を最大限に発揮させることができる。
【0010】また、幅の広い電源幹線の直下にクロック
ドライバ及び電源間容量を配置するのでチップ面積を有
効に利用することができる。即ち、面積の大きな電源幹
線の直下領域は、当該電源幹線が邪魔をして上層配線と
の自由な接続が制限される。このような制限の下では、
当該直下領域に通常の回路セルなどを配置して利用する
ことはできない。このとき、電源間容量は信号配線に接
続する必要はなく、また、比較的大きな容量値を必要と
するから、当該直下の領域を利用すれば、比較的幅広の
電源幹線に重ねて比較的大きな容量を形成することが容
易である。
【0011】また、比較的大きな駆動能力が必要なクロ
ックドライバにあってはサイズの大きなトランジスタを
要することから、トランジスタに必要なチップ占有面積
に比べて信号配線の面積は比較的小さく、幅の広い電源
幹線によって配線の引回しが制限されても何ら支障な
い。逆に電源幹線に重なる領域の有効利用に資すること
ができる。また、第1電源配線と第2電源配線を隣接配
置すれば、電源間容量の構成が簡単になる。
【0012】
【発明の実施の形態】図4には本発明に係る半導体集積
回路をクロック供給系に着目して示してある。半導体基
板に形成された半導体集積回路1は、多数の回路ブロッ
ク2が配列されて構成されているとみなすことができ
る。各回路ブロック2は、クロックドライバAMP4か
ら分配されるクロック信号を入力して動作される夫々所
定の回路を有する。実際に前記所定の回路は組合せ回路
及び順序回路の双方であるが、クロック信号を受けて動
作される点を考慮すれば、ここでは、フリップフロップ
のような順序回路に特に着目する。クロックドライバA
MP4に至るまでのクロック伝達系は、外部クロック信
号を受けるクロック入力回路3から前記各回路ブロック
2のクロックドライバAMP4に至るまでのクロック伝
達経路を、クロックドライバAMP1,AMP2,AM
P3毎にクロック配線L1,L2,L3を分岐させて階
層的に形成し、各階層毎にクロック配線を相互に等長且
つ等幅仕様としてある。クロック配線L1,L2,L3
は所謂Hの字状(H−Tree状)に形成されている。例え
ば、クロック入力回路3から4個のクロックドライバA
MP1までのどの信号線L1も相互に等長且つ等幅で形
成され、同様に、クロックドライバAMP1から4個の
クロックドライバAMP2までのどの信号線L2も相互
に等長且つ等幅で形成され、クロックドライバAMP2
から4個のクロックドライバAMP3までのどの信号線
L3も相互に等長且つ等幅で形成され、クロックドライ
バAMP3から4個のクロックドライバAMP4までの
どの信号線L4も相互に等長且つ等幅で形成されてい
る。前記クロック入力回路3は例えばPLL(Phase Lo
cked Loop)回路によって構成され、クロックドライバ
AMP1〜AMP4はインバータなどによって構成され
る。クロック配線は、相補信号線であっても、或いは単
一の信号線であってもよい。
【0013】図5には本発明に係る半導体集積回路を電
源幹線に着目して平面図で示してある。図6にはそれを
縦断面で示してある。図6に例示されているように、半
導体集積回路1は、半導体基板10上に絶縁層を介して
4層の導電層L1〜L4が形成されている。図5には導
電層に形成された電源幹線が例示されている。電源幹線
は、同一配線層にVddのような高電位側電源を供給す
る第1電源幹線20と回路の接地電圧Vssのような低
電位側電源を供給する第2電源幹線21とを隣接させて
多数配置されている。各導電層における電源幹線の数は
図5に示されている数よりも実際はもっと多く設けられ
ている。図5及び図6より明らかなように、前記第1電
源幹線20及び第2電源幹線21は導電層L4、L2に
おいて縦方向に敷設され、導電層L3では横方向に敷設
されている。各導電層の第1電源幹線20は導電層間に
おいて絶縁層の図示を省略するスルーホールを介して相
互に電気的に接続され、同じく、各導電層の第2電源幹
線21は導電層間において絶縁層の図示を省略するスル
ーホールを介して相互に電気的に接続されている。図6
において30は代表的に示された信号配線である。
【0014】図1には電源幹線直下領域の利用形態の一
例が示される。電源幹線直下領域23を除く半導体基板
10の半導体領域にはフリップフロップや論理ゲートな
どの所要の回路セル40が列単位で規則的に多数配置さ
れている。図1において50、51は電源支線であり、
各回路セル40の列毎に敷設され、回路セル40の電源
端子に接続される。図6に例示されるように電源支線5
0,51は導電層L1に形成され、その上の導電層L2
に形成されている電源幹線20,21から電源電圧Vd
dと接地電圧Vssが供給される。電源幹線20,21
は当然電源支線50,51の配線幅よりも大きくされて
いることは言うまでもない。例えば電源支線50,51
は信号配線30と同じくその配線幅は1.2μm、電源
幹線20,21の配線幅は20μmである。
【0015】図1の半導体基板10の前記電源幹線直下
領域23には前記第1電源幹線20と第2電源幹線21
に容量端子を接続した電源間容量60と前記クロックド
ライバ70(前記個々のクロックドライバAMP1〜A
MP4を総称する)とを配置する。クロックドライバ7
0(AMP1〜AMP4)は図4の説明から明らかのよ
うに半導体基板10に対してマトリクス状に規則的に配
置されており、例えばその配置ピッチは電源幹線20,
21の配置のピッチに等しくされている。これにより、
特に図示はしないが、全てのクロックドライバAMP1
〜AMP4は電源幹線直下領域23に配置可能にされ
る。また、最終段のクロックドライバAMP4の配置を
電源幹線直下領域23に拘束しない場合には、電源幹線
20,21の配置ピッチを前述の場合の2倍にすればよ
い。逆の見方をすれば、電源幹線20,21のピッチを
基準にどの階層のクロックドライバまでを電源幹線直下
領域23に配置するかを決定すればよい。
【0016】図2には電源間容量60とクロックドライ
バ70のレイアウト構成の一例が示される。
【0017】電源間容量60は、例えばMOS容量とし
て構成され、n型半導体領域610に形成されたpチャ
ンネル型MOSトランジスタMp1,Mp2と、p型半
導体領域620に形成されたnチャンネル型MOSトラ
ンジスタMn1,Mn2とを有する。MOSトランジス
タMp1,Mp2において611はゲート電極、612
はソース・ドレイン電極を電源幹線20(Vdd)に結
合するコンタクト部である。ゲート電極611はコンタ
クト部613、電源支線614を介して電源幹線21
(Vss)に結合されている。前記MOSトランジスタ
Mn1,Mn2において621はゲート電極、622は
ソース・ドレイン電極を電源幹線21(Vss)に結合
するコンタクト部である。ゲート電極621はコンタク
ト部623、電源支線624を介して電源幹線20(V
dd)に結合されている。このように構成された電源間
容量60の回路は図3に示される通りである。
【0018】クロックドライバ70は例えばCMOSイ
ンバータとして構成され、n型半導体領域710に形成
されたpチャンネル型MOSトランジスタMp3,Mp
4と、p型半導体領域720に形成されたnチャンネル
型MOSトランジスタMn3,Mn4とを有する。MO
SトランジスタMp3,Mp4において712はソース
電極を電源幹線20(Vdd)に結合するコンタクト
部、713はドレイン電極を出力信号線714に接続す
るコンタクト部、715,716は入力信号線717に
コンタクト部718を介して結合されたゲート電極であ
る。MOSトランジスタMn3,Mn4において722
はソース電極を電源幹線21(Vss)に結合するコン
タクト部、723はドレイン電極を出力信号線714に
接続するコンタクト部である。ゲート電極715,71
6は前記Mp3,Mp4と共通である。
【0019】上記半導体集積回路1において、電源間容
量60はその充放電電荷によって一時的に電源幹線に電
源の供給を補うことができ、これが電源系ノイズの低減
に寄与する。このとき、クロックドライバ70を電源間
容量60に隣接させれば、クロック同期動作途上で仮に
大きな電流が電源幹線20,21に流れても、クロック
ドライバ70は、電源間容量60の充放電作用による電
源配線の電圧変動防止効果をその源としての電源間容量
60の直近で得ることができるから、クロック信号波形
に不所望な変化を生じない。したがって、電源間容量6
0による誤動作防止を高い信頼性を持って実現すること
ができる。クロックドライバ70を電源間容量60で挟
むようにレイアウトすることにより、前記クロック同期
動作の誤動作防止効果を最大限に発揮させることができ
る。
【0020】面積の大きな前記電源幹線20,21の直
下領域23は、当該電源幹線20,21が邪魔をして上
層配線との自由な接続が制限される。このような制限の
下では、当該直下領域に通常の回路セルなどを配置して
利用することはできない。このとき、電源間容量60は
信号配線に接続する必要はなく、また、比較的大きな容
量値を必要とするから、当該直下の領域を利用すれば、
比較的幅広の電源幹線に重ねて比較的大きな容量を形成
することが容易である。また、比較的大きな駆動能力が
必要なクロックドライバ70にあってはサイズの大きな
トランジスタを要することから、トランジスタに必要な
チップ占有面積に比べて信号配線の面積は比較的小さ
く、幅の広い電源幹線によって配線の引回しが制限され
ても何ら支障ない。逆に電源幹線に重なる領域の有効利
用に資することができる。したがって、幅の広い電源幹
線20,21の直下領域23にクロックドライバ70及
び電源間容量60を配置するのでチップ面積を有効に利
用することができる。
【0021】また、第1電源配線20と第2電源配線2
1を隣接配置するから、電源間容量60の構成が簡単に
なる。即ち、電源支線614,624を短くできる。
【0022】図7には前記半導体集積回路1を用いたデ
ータ処理システムの一例であるコンピュータシステムの
ブロック図が示される。このコンピュータシステムは、
プロセッサボード110と周辺回路によって構成され
る。プロセッサボード110は、マイクロプロセッサ1
11を中心に、当該マイクロプロセッサ111が結合さ
れたプロセッサバス112に、代表的に示されたメモリ
コントローラ113及びPCI(Peripheral Component
Interconnect)バスコントローラ114が結合され
る。メモリコントローラ113には、マイクロプロセッ
サ111のワーク領域若しくは一次記憶領域とされるメ
インメモリとしてのSDRAM(Random Access Memor
y)130が結合されている。PCIバスコントローラ
114は低速の周辺回路をPCIバス116を介してプ
ロセッサバス112にインタフェースするブリッジ回路
として機能される。PCIバス116には、特に制限さ
れないが、ディスプレイコントローラ117、IDE
(Integrated Device Electronics)インタフェースコ
ントローラ118、SCSI(Small Computer System
Interface)インタフェースコントローラ119及びそ
の他のインタフェースコントローラ120が結合されて
いる。前記ディスプレイコントローラ117にはフレー
ムバッファメモリ121が接続されている。
【0023】周辺回路として、前記ディスプレイコント
ローラ117に結合されたディスプレイ122、IDE
インタフェースコントローラ118に結合されたハード
ディスクドライブ(HDD)123、SCSIインタフ
ェースコントローラ119に結合されたイメージスキャ
ナ124、そして、前記その他のインタフェースコント
ローラ120に結合されたキーボード125、マウス1
26、及びモデム127等が設けられている。
【0024】プロセッサボード110にはクロック発生
回路(CPG)131が設けられている。クロック発生
回路131から発生されたクロック信号CLKに同期動
作されるマイクロプロセッサ111、メモリコントロー
ラ113、SDRAM130、PCIバスコントローラ
114などは、前記半導体集積回路1の電源間容量60
及びクロックドライバ70の構成が適用されている。こ
れにより、同期クロック信号波形の安定化と言う点で、
コンピュータシステムの動作を高速化することが容易に
なる。
【0025】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは言うまでもない。
【0026】例えば、導電層は4層構造に限定されず適
宜変更可能である。クロックドライバはインバータ1段
構成に限定されず直列2段構成などであってもよい。ま
た、電源間容量もMOS容量に限定されない。また、電
源間容量をMOS容量で構成する場合にはMOSトラン
ジスタの数は図2の例に限定されず適宜変更可能であ
る。
【0027】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0028】すなわち、クロックドライバを電源間容量
に隣接させれば、クロック同期動作途上で仮に大きな電
流が流れても、クロックドライバは、電源間容量の充放
電作用による電源配線の電圧変動防止効果をその源とし
ての電源間容量の直近で得ることができるから、クロッ
ク信号波形の不所望な変化による誤動作の防止を高い信
頼性を持って実現することができる。クロックドライバ
を電源間容量で挟むようにレイアウトすることにより、
前記クロック同期動作の誤動作防止効果を最大限に発揮
させることができる。また、幅の広い電源幹線の直下に
クロックドライバ及び電源間容量を配置するのでチップ
面積を有効に利用することができる。更に、第1電源配
線と第2電源配線を隣接配置すれば、電源間容量の構成
が簡単になる。以上より、クロック信号に同期動作され
る半導体集積回路の動作周波数の高速化に対してクロッ
ク同期動作の安定化を更に図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体集積回路の電源幹線直下領
域の利用形態の一例を示す平面図である。
【図2】電源間容量とクロックドライバのレイアウト構
成の一例を示す平面図である。
【図3】電源間容量の回路構成の一例を示す回路図であ
る。
【図4】本発明に係る半導体集積回路の全体をクロック
供給系に着目して示した平面図である。
【図5】本発明に係る半導体集積回路を電源幹線に着目
して示した平面図である。
【図6】図5の構成に対する縦断面図である。
【図7】本発明に係る半導体集積回路を用いたデータ処
理システムの一例であるコンピュータシステムのブロッ
ク図である。
【符号の説明】
1 半導体集積回路 2 回路ブロック AMP1〜AMP4 クロックドライバ 10 半導体基板 20 第1電源配線 21 第2電源配線 23 電源幹線直下領域 40 回路セル 50,51 電源支線 60 電源間容量 70 クロックドライバ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 クロックドライバから供給されるクロッ
    ク信号に同期動作される複数個の回路ブロックを有し、
    第1電源配線及び第2電源配線を介して各部に動作電源
    が供給される半導体集積回路において、前記第1電源配
    線及び第2電源配線の直下領域に、前記第1電源配線と
    第2電源配線に容量端子を接続した電源間容量と前記ク
    ロックドライバとを配置して成るものであることを特徴
    とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記第1電源配線及び第2電源配線は電
    源支線に電源を供給するために電源支線よりも幅広に形
    成された電源幹線であることを特徴とする請求項1記載
    の半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 前記クロックドライバは電源間容量に挟
    まれて成るものであることを特徴とする請求項2記載の
    半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 第1電源配線と第2電源配線は隣接配置
    されて成るものであることを特徴とする請求項3記載の
    半導体集積回路。
  5. 【請求項5】 クロック発生回路と、前記クロック発生
    回路で発生されたクロック信号に同期動作され請求項1
    乃至4の何れか1項に記載の半導体集積回路とを有して
    成るものであることを特徴とするデータ処理システム。
JP10225594A 1998-08-10 1998-08-10 半導体集積回路及びデータ処理システム Withdrawn JP2000058751A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6732335B2 (en) 2002-04-23 2004-05-04 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor IC with an inside capacitor for a power supply circuit and a method of automatically designing the same
JP2006245384A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置のレイアウト設計方法、およびレイアウト設計プログラム

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