JP2006245384A - 半導体集積回路装置のレイアウト設計方法、およびレイアウト設計プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電源間容量セル2を隣接配置し(S2)、クロックツリー構造CTに応じた配置位置の電源間容量セル2を選択して(S5)、クロックドライバセル1に置き換える(S6)。第1電源幹線19の形成と同時にその直下領域に、クロックドライバセル1および電源間容量セル2を配置すると共に、電源間容量セル2をクロックドライバセル1に置き換えて第1電源幹線19の直下領域にクロックドライバセル1を配置することができる。周辺領域に電源間容量を備えると共に、最短距離にて第1電源幹線19からクロックドライバセル1に電源を供給することができ、電源ノイズや電圧降下が抑制された安定電源が供給される。
【選択図】 図3
Description
例えば、本実施形態においては、第1電源幹線19の直下領域にクロックドライバセル1と電源間容量セル2とを配置する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、クロックドライバセル1へに供給される電源を安定化された電源とするという趣旨に鑑みれば、電源間容量を、第1電源幹線19の直下領域に加え、または直下領域に代えて、第1電源幹線19の直下領域に配置されたクロックドライバセル1に隣接する方向であって、第1電源幹線19の形成方向と交差する方向に配置することも考えられる。
ここで、第1電源幹線19と交差する方向とは、例えば、第1電源幹線19と直交する方向である。この方向に更に別途の配線層により第2電源幹線を形成することもできる。
更に、クロックドライバセル1を、第1電源幹線と第2電源幹線との交差領域に配置することもできる。これにより、クロックドライバセル1に供給される電源は更に安定化された電源とすることができる。
(付記1) 第1電源幹線を構成する配線層およびその直下領域に配置され該第1電源幹線に接続される容量成分を備える電源間容量セル、または前記第1電源幹線を構成する配線層およびその直下領域に配置され該第1電源幹線により給電されるクロックドライバを備えるクロックドライバセルの何れか一方を、前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルの何れか他方と置き換え可能に隣接配置して、前記第1電源幹線を形成するステップと、
配置された前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルのうち、クロックツリー構造に応じた位置に配置されている前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルを選択するステップと、
前記電源間容量セルが隣接配置される場合、前記選択するステップにおいて選択される前記電源間容量セルを前記クロックドライバセルに置き換えるステップと、
前記クロックドライバセルが隣接配置される場合、前記選択するステップにおいて非選択の前記クロックドライバセルを前記電源間容量セルに置き換えるステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記2) 前記電源間容量セルおよび前記クロックドライバセルは、前記配線層に代えて第1電源幹線領域情報を備え、
前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルが隣接配置されることにより結合された前記第1電源幹線領域情報内に、前記配線層を配線するステップを有することを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記3) 前記クロックツリー構造に応じた位置とは、前記クロックツリー構造と前記第1電源幹線との交点に最近接の位置であることを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記4) 第1電源幹線の直下領域で、前記第1電源幹線に接続される電源間容量および前記第1電源幹線により給電されるクロックドライバを構成する際の共通構成要素を備える共通セルを、前記共通セルに重ねて前記電源間容量/前記クロックドライバを構成する専用構成要素を備える電源間容量形成セル/クロックドライバ形成セルの何れをも重畳配置可能に、隣接配置するステップと、
配置された前記共通セルのうち、クロックツリー構造に応じた位置に配置されている前記共通セルを選択するステップと、
前記選択するステップにおいて選択される前記共通セルに重ねて、前記クロックドライバ形成セルを配置するステップと、
前記選択するステップにおいて非選択の前記共通セルに重ねて、前記電源間容量形成セルを配置するステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記5) 前記第1電源幹線を構成する配線層は、前記電源間容量形成セルおよび前記クロックドライバ形成セルに備えられ、または/および前記共通セルに備えられてなることを特徴とする付記4に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記6) 前記電源間容量形成セルおよび前記クロックドライバ形成セルは、前記第1電源幹線への接続を行なう配線層または/およびコンタクト層を含んで構成されることを特徴とする付記4に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記7) クロックツリー構造に応じた位置にクロックドライバセルを配置するステップと、
配置された前記クロックドライバセルに隣接して電源間容量セルを配置し、該クロックドライバセルおよび該電源間容量セルの直上領域を第1電源幹線領域として確保するステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記8) 前記クロックドライバセルを配置するステップに先立ち、前記クロックドライバセルの配置領域を設定するステップを有し、
前記電源間容量セルを配置するステップでは、前記クロックドライバセルの前記配置領域内で前記電源間容量セルを隣接配置することを特徴とする付記7に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記9) 前記電源間容量セルおよび前記クロックドライバセルは、前記第1電源幹線を構成する配線層が配置されてなることを特徴とする付記7に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記10) 前記電源間容量セルを配置するステップの後、前記クロックドライバセルおよび前記電源間容量セルの直上領域に、前記第1電源幹線を構成する配線層を配線するステップを有することを特徴とする付記7に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記11) 前記電源間容量セルおよび前記クロックドライバセルは、共に同一のトランジスタ構成を備え、
前記第1電源幹線に接続される前記トランジスタ構成の接続位置に応じて、前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルが構成されることを特徴とする付記1または7に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記12) 前記専用構成要素とは、前記電源間容量/前記クロックドライバに応じて、前記共通セルにおける個別の接続位置を前記第1電源幹線に接続する構成を備えてなることを特徴とする付記4に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記13) 前記クロックドライバセルを配置する際、駆動すべき負荷に応じて隣接配置される前記クロックドライバセルの数が調整されることを特徴とする付記1、4、7の少なくとも何れか1項に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記14) 前記第1電源幹線に交差する方向に前記クロックドライバセルに隣接して、前記電源間容量セルを配置するステップを有することを特徴とする付記1、4、7の少なくとも何れか1項に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記15) 前記第1電源幹線に交差する方向に配置される前記電源間容量セルの直上領域に第2電源幹線が形成されることを特徴とする付記1、4、7の少なくとも何れか1項に記載の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
(付記16) 第1電源幹線を構成する配線層およびその直下領域に配置され該第1電源幹線に接続される容量成分を備える電源間容量セル、または前記第1電源幹線を構成する配線層およびその直下領域に配置され該第1電源幹線により給電されるクロックドライバを備えるクロックドライバセルの何れか一方を、前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルの何れか他方と置き換え可能に隣接配置して、前記第1電源幹線を形成するステップと、
配置された前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルのうち、クロックツリー構造に応じた位置に配置されている前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルを選択するステップと、
前記電源間容量セルが隣接配置される場合、前記選択するステップにおいて選択される前記電源間容量セルを前記クロックドライバセルに置き換えるステップと、
前記クロックドライバセルが隣接配置される場合、前記選択するステップにおいて非選択の前記クロックドライバセルを前記電源間容量セルに置き換えるステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計プログラム。
(付記17) 第1電源幹線の直下領域で、前記第1電源幹線に接続される電源間容量および前記第1電源幹線により給電されるクロックドライバを構成する際の共通構成要素を備える共通セルを、前記共通セルに重ねて前記電源間容量/前記クロックドライバを構成する専用構成要素を備える電源間容量形成セル/クロックドライバ形成セルの何れをも重畳配置可能に、隣接配置するステップと、
配置された前記共通セルのうち、クロックツリー構造に応じた位置に配置されている前記共通セルを選択するステップと、
前記選択するステップにおいて選択される前記共通セルに重ねて、前記クロックドライバ形成セルを配置するステップと、
前記選択するステップにおいて非選択の前記共通セルに重ねて、前記電源間容量形成セルを配置するステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計プログラム。
(付記18) クロックツリー構造に応じた位置にクロックドライバセルを配置するステップと、
配置された前記クロックドライバセルに隣接して電源間容量セルを配置し、該クロックドライバセルおよび該電源間容量セルの直上領域を第1電源幹線領域として確保するステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計プログラム。
2 電源間容量セル
12、13、14、15、16 下層配線層
17、18 配線層
19 第1電源幹線
21、22 拡散層
31 ゲート層
41 ビアコンタクト層
42、43 コンタクト層
CLK クロック信号
CT クロックツリー構造
Claims (5)
- 第1電源幹線を構成する配線層およびその直下領域に配置され該第1電源幹線に接続される容量成分を備える電源間容量セル、または前記第1電源幹線を構成する配線層およびその直下領域に配置され該第1電源幹線により給電されるクロックドライバを備えるクロックドライバセルの何れか一方を、前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルの何れか他方と置き換え可能に隣接配置して、前記第1電源幹線を形成するステップと、
配置された前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルのうち、クロックツリー構造に応じた位置に配置されている前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルを選択するステップと、
前記電源間容量セルが隣接配置される場合、前記選択するステップにおいて選択される前記電源間容量セルを前記クロックドライバセルに置き換えるステップと、
前記クロックドライバセルが隣接配置される場合、前記選択するステップにおいて非選択の前記クロックドライバセルを前記電源間容量セルに置き換えるステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。 - 第1電源幹線の直下領域で、前記第1電源幹線に接続される電源間容量および前記第1電源幹線により給電されるクロックドライバを構成する際の共通構成要素を備える共通セルを、前記共通セルに重ねて前記電源間容量/前記クロックドライバを構成する専用構成要素を備える電源間容量形成セル/クロックドライバ形成セルの何れをも重畳配置可能に隣接配置するステップと、
配置された前記共通セルのうち、クロックツリー構造に応じた位置に配置されている前記共通セルを選択するステップと、
前記選択するステップにおいて選択される前記共通セルに重ねて、前記クロックドライバ形成セルを配置するステップと、
前記選択するステップにおいて非選択の前記共通セルに重ねて、前記電源間容量形成セルを配置するステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。 - クロックツリー構造に応じた位置にクロックドライバセルを配置するステップと、
配置された前記クロックドライバセルに隣接して電源間容量セルを配置し、該クロックドライバセルおよび該電源間容量セルの直上領域を第1電源幹線領域として確保するステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。 - 第1電源幹線を構成する配線層およびその直下領域に配置され該第1電源幹線に接続される容量成分を備える電源間容量セル、または前記第1電源幹線を構成する配線層およびその直下領域に配置され該第1電源幹線により給電されるクロックドライバを備えるクロックドライバセルの何れか一方を、前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルの何れか他方と置き換え可能に隣接配置して、前記第1電源幹線を形成するステップと、
配置された前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルのうち、クロックツリー構造に応じた位置に配置されている前記電源間容量セルまたは前記クロックドライバセルを選択するステップと、
前記配置するステップにおいて前記電源間容量セルが配置される場合、前記選択するステップにおいて選択される前記電源間容量セルを前記クロックドライバセルに置き換えるステップと、
前記配置するステップにおいて前記クロックドライバセルが配置される場合、前記選択するステップにおいて非選択の前記クロックドライバセルを前記電源間容量セルに置き換えるステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計プログラム。 - 第1電源幹線に接続される電源間容量および前記第1電源幹線により給電されるクロックドライバを構成する際の共通構成要素を備える共通セルを、前記共通セルに重ねて前記電源間容量/前記クロックドライバを構成する専用構成要素を備える電源間容量形成セル/クロックドライバ形成セルの何れをも重畳配置可能に隣接配置するステップと、
配置された前記共通セルのうち、クロックツリー構造に応じた位置に配置されている前記共通セルを選択するステップと、
前記選択するステップにおいて選択される前記共通セルに重ねて、前記クロックドライバ形成セルを配置するステップと、
前記選択するステップにおいて非選択の前記共通セルに重ねて、前記電源間容量形成セルを配置するステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置のレイアウト設計プログラム。
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US8030797B2 (en) | 2007-09-07 | 2011-10-04 | Nec Corporation | Apparatus, circuit and method of wiring for supplying power |
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JPH11261006A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2000058751A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路及びデータ処理システム |
JP2001007293A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
-
2005
- 2005-03-04 JP JP2005060338A patent/JP2006245384A/ja not_active Withdrawn
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US8030797B2 (en) | 2007-09-07 | 2011-10-04 | Nec Corporation | Apparatus, circuit and method of wiring for supplying power |
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