JP2000033376A - 電解イオン水生成装置及び電解イオン水の生成方法並びに洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 - Google Patents
電解イオン水生成装置及び電解イオン水の生成方法並びに洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法Info
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- JP2000033376A JP2000033376A JP10204676A JP20467698A JP2000033376A JP 2000033376 A JP2000033376 A JP 2000033376A JP 10204676 A JP10204676 A JP 10204676A JP 20467698 A JP20467698 A JP 20467698A JP 2000033376 A JP2000033376 A JP 2000033376A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 超純水に含まれる溶存ガスは、電解イオン水
の生成において電気分解反応の弊害となる。これによ
り、生成される電解イオン水の物性が変動してしまう問
題が生じる。 【解決手段】 本願発明は、超純水１１中の溶存ガスを
脱気する脱気装置１８と、脱気超純水１９に電解質１２
を混合する電解質混合装置と、電解質１２が混合された
脱気超純水１９を電気分解する電解槽１３とを具備する
ことを特徴とする。
の生成において電気分解反応の弊害となる。これによ
り、生成される電解イオン水の物性が変動してしまう問
題が生じる。 【解決手段】 本願発明は、超純水１１中の溶存ガスを
脱気する脱気装置１８と、脱気超純水１９に電解質１２
を混合する電解質混合装置と、電解質１２が混合された
脱気超純水１９を電気分解する電解槽１３とを具備する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体基板の洗
浄技術に関するもので、電解質を加えた超純水を電気分
解して電解イオン水を生成する装置に関する。
浄技術に関するもので、電解質を加えた超純水を電気分
解して電解イオン水を生成する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電解イオン水生成装置について、
図面（図１〜図２）を参酌して説明する。図１に従来の
電解イオン水生成装置の構成を示す。通常、半導体ウェ
ーハ洗浄用の電解イオン水生成装置では、電気分解に用
いる超純水１を供給するために工場の超純水ラインを利
用している。薬品混合装置を用いて、この工場のライン
から供給された超純水１に微量の薬品を混合する。そし
て、この薬品を含んだ超純水１を電解槽３で電気分解す
る。これにより電解イオン水７を生成している。さら
に、電解槽３で電解イオン水７を生成したあと、電解イ
オン水７を貯槽５に貯めこんだり、測定槽４で電解イオ
ン水７の物性を測定することもある。こうして半導体基
板の洗浄用の電解イオン水７が生成される。
図面（図１〜図２）を参酌して説明する。図１に従来の
電解イオン水生成装置の構成を示す。通常、半導体ウェ
ーハ洗浄用の電解イオン水生成装置では、電気分解に用
いる超純水１を供給するために工場の超純水ラインを利
用している。薬品混合装置を用いて、この工場のライン
から供給された超純水１に微量の薬品を混合する。そし
て、この薬品を含んだ超純水１を電解槽３で電気分解す
る。これにより電解イオン水７を生成している。さら
に、電解槽３で電解イオン水７を生成したあと、電解イ
オン水７を貯槽５に貯めこんだり、測定槽４で電解イオ
ン水７の物性を測定することもある。こうして半導体基
板の洗浄用の電解イオン水７が生成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の電解
イオン水生成装置において、電気分解に用いる超純水１
を供給するために工場の超純水ラインを利用している。
この工場の超純水ラインの超純水には微量のガスが溶存
している。溶存しているガスとしては、例えば窒素ガス
や酸素ガス、水素ガスである。これらの溶存ガスは半導
体ウェーハの物理洗浄、例えば超音波洗浄（メガソニッ
ク）等の効果を得るためには必要なものである。しか
し、電解イオン水の生成においては、これらの溶存ガス
が電解槽３での電気分解反応の弊害となる。なぜなら、
この溶存ガスの存在により、電気分解反応で発生したガ
スが超純水中に溶け込みづらくなるからである。これに
より、生成される電解イオン水７の物性が変動してしま
う欠点が生じる。ここで、図２に従来の電解イオン水生
成装置により生成したアルカリ性イオン水のＯＲＰ値
（酸化還元電位の値）の挙動例を示す。この図２による
と、電解時間が経過するとともに、ＯＲＰ値が上昇、下
降を繰り返すことが分かる。これから分かるように、従
来の技術によると、電気分解反応で生じたガスの超純水
への溶け込み方が不安定となる。そして、電解イオン水
７の物性が変動することにより、洗浄効果が不安定とな
る問題が生じる。
イオン水生成装置において、電気分解に用いる超純水１
を供給するために工場の超純水ラインを利用している。
この工場の超純水ラインの超純水には微量のガスが溶存
している。溶存しているガスとしては、例えば窒素ガス
や酸素ガス、水素ガスである。これらの溶存ガスは半導
体ウェーハの物理洗浄、例えば超音波洗浄（メガソニッ
ク）等の効果を得るためには必要なものである。しか
し、電解イオン水の生成においては、これらの溶存ガス
が電解槽３での電気分解反応の弊害となる。なぜなら、
この溶存ガスの存在により、電気分解反応で発生したガ
スが超純水中に溶け込みづらくなるからである。これに
より、生成される電解イオン水７の物性が変動してしま
う欠点が生じる。ここで、図２に従来の電解イオン水生
成装置により生成したアルカリ性イオン水のＯＲＰ値
（酸化還元電位の値）の挙動例を示す。この図２による
と、電解時間が経過するとともに、ＯＲＰ値が上昇、下
降を繰り返すことが分かる。これから分かるように、従
来の技術によると、電気分解反応で生じたガスの超純水
への溶け込み方が不安定となる。そして、電解イオン水
７の物性が変動することにより、洗浄効果が不安定とな
る問題が生じる。
【０００４】なお、ＯＲＰ値が−６５０ｍｖ以下である
イオン水を半導体ウェーハの洗浄に用いると、洗浄効果
を十分に得られると考えられる。これは、アルカリ性イ
オン水中に水素ガスが十分に溶け込んでいると考えられ
るからである。本願発明は、上記欠点に鑑みてなされた
ものであり、電解イオン水の物性を安定させることを目
的とする。
イオン水を半導体ウェーハの洗浄に用いると、洗浄効果
を十分に得られると考えられる。これは、アルカリ性イ
オン水中に水素ガスが十分に溶け込んでいると考えられ
るからである。本願発明は、上記欠点に鑑みてなされた
ものであり、電解イオン水の物性を安定させることを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願発明は、純水中の溶
存ガスを脱気する脱気装置と、前記純水に薬品を混合す
る薬品混合装置と、前記薬品が混合された純水を電気分
解する電解槽とを具備することを特徴とする。また、本
願発明は、純水中の溶存ガスを脱気する脱気装置と、前
記純水に薬品を混合する薬品混合装置と、前記薬品が混
合された純水を電気分解して電解イオン水を供給する電
解槽と、前記電解イオン水で半導体装置を洗浄する洗浄
槽とを具備することを特徴とする。これにより、本願発
明は、電解イオン水の物性を安定させることを可能とす
る。
存ガスを脱気する脱気装置と、前記純水に薬品を混合す
る薬品混合装置と、前記薬品が混合された純水を電気分
解する電解槽とを具備することを特徴とする。また、本
願発明は、純水中の溶存ガスを脱気する脱気装置と、前
記純水に薬品を混合する薬品混合装置と、前記薬品が混
合された純水を電気分解して電解イオン水を供給する電
解槽と、前記電解イオン水で半導体装置を洗浄する洗浄
槽とを具備することを特徴とする。これにより、本願発
明は、電解イオン水の物性を安定させることを可能とす
る。
【発明の実施の形態】本願発明の第一の実施の形態につ
いて図面（図３〜図６）を参酌して説明する。図３に本
願発明の第一の実施の形態にかかる電解イオン水生成装
置の構成を示す。ここでは、電気分解に用いる純水を供
給するために工場の超純水ラインを利用する。まず、脱
気装置１８によりこの超純水１１を脱気する。これによ
り、脱気超純水１９が生成される。脱気装置１８として
は、例えば脱気フィルターを用いる。脱気フィルターは
小さいため、インラインで脱気装置１８を使用すること
ができる利点がある。この脱気装置１８により脱気され
る前の工場の超純水ラインにおける超純水１１には、数
ｐｐｍ程度の溶存ガスが存在している。溶存ガスとして
は、例えば窒素ガスや酸素ガス、水素ガスがある。これ
に対し、脱気超純水１９には、これらの溶存ガスが数ｐ
ｐｂ程度しか存在しなくなる。
いて図面（図３〜図６）を参酌して説明する。図３に本
願発明の第一の実施の形態にかかる電解イオン水生成装
置の構成を示す。ここでは、電気分解に用いる純水を供
給するために工場の超純水ラインを利用する。まず、脱
気装置１８によりこの超純水１１を脱気する。これによ
り、脱気超純水１９が生成される。脱気装置１８として
は、例えば脱気フィルターを用いる。脱気フィルターは
小さいため、インラインで脱気装置１８を使用すること
ができる利点がある。この脱気装置１８により脱気され
る前の工場の超純水ラインにおける超純水１１には、数
ｐｐｍ程度の溶存ガスが存在している。溶存ガスとして
は、例えば窒素ガスや酸素ガス、水素ガスがある。これ
に対し、脱気超純水１９には、これらの溶存ガスが数ｐ
ｐｂ程度しか存在しなくなる。
【０００６】次に、薬品混合装置１２により、脱気超純
水１９に微量の薬品を混合する。ここで、脱気超純水１
９に混合する薬品は、例えば塩酸やアンモニア等の電解
質である。そして、この電解質を含んだ脱気超純水１９
を電解槽１３で電気分解する。これにより電解イオン水
１７（酸性イオン水及びアルカリ性イオン水）を生成す
る。ここで、脱気超純水１９に含まれる酸素ガスの濃度
が数ｐｐｂ程度の場合に、この脱気超純水１９を電気分
解したときのアルカリ性イオン水のＯＲＰ値（酸化還元
電位の値）の挙動を図４に示す。なお、ＯＲＰ値が高い
ということは、電気分解反応で発生するガスが電解イオ
ン水に多く溶けているということを示す。図４は、横軸
に電解時間（電解を加えている時間）をとり、縦軸にＯ
ＲＰ値をとっている。図４によると、電解時間が経過し
ても、ＯＲＰ値は常に−７００ｍＶ程度の値を保って安
定している。これは、電気分解反応で発生するガスが安
定して電解イオン水に溶け込んでいることを示す。この
図４から、電気分解反応においては、超純水に含まれる
溶存ガスが少ないほど、生成される電解イオン水の物性
が安定することが分かる。ここで、図５は従来技術によ
る場合と本願発明の第一の実施の形態とを比較して掲載
したものである。図５に示したように、従来技術に比べ
て本願発明の第一の実施の形態によれば、電解イオン水
の物性を安定させることが可能となる。それにより、安
定した洗浄効果を得ることが可能となる。また、電気分
解反応の効率を向上させる効果を得ることも可能とな
る。
水１９に微量の薬品を混合する。ここで、脱気超純水１
９に混合する薬品は、例えば塩酸やアンモニア等の電解
質である。そして、この電解質を含んだ脱気超純水１９
を電解槽１３で電気分解する。これにより電解イオン水
１７（酸性イオン水及びアルカリ性イオン水）を生成す
る。ここで、脱気超純水１９に含まれる酸素ガスの濃度
が数ｐｐｂ程度の場合に、この脱気超純水１９を電気分
解したときのアルカリ性イオン水のＯＲＰ値（酸化還元
電位の値）の挙動を図４に示す。なお、ＯＲＰ値が高い
ということは、電気分解反応で発生するガスが電解イオ
ン水に多く溶けているということを示す。図４は、横軸
に電解時間（電解を加えている時間）をとり、縦軸にＯ
ＲＰ値をとっている。図４によると、電解時間が経過し
ても、ＯＲＰ値は常に−７００ｍＶ程度の値を保って安
定している。これは、電気分解反応で発生するガスが安
定して電解イオン水に溶け込んでいることを示す。この
図４から、電気分解反応においては、超純水に含まれる
溶存ガスが少ないほど、生成される電解イオン水の物性
が安定することが分かる。ここで、図５は従来技術によ
る場合と本願発明の第一の実施の形態とを比較して掲載
したものである。図５に示したように、従来技術に比べ
て本願発明の第一の実施の形態によれば、電解イオン水
の物性を安定させることが可能となる。それにより、安
定した洗浄効果を得ることが可能となる。また、電気分
解反応の効率を向上させる効果を得ることも可能とな
る。
【０００７】また、図６にアルカリ性イオン水の物性変
動率と溶存している酸素ガスの濃度との関係をまとめた
グラフの例を示す。ここで、物性変動率とは、最適なＯ
ＲＰ値に対しての変動率をいう。ここで、最適なＯＲＰ
値として、−６５０ｍｖを採用している。これは、ＯＲ
Ｐ値が−６５０ｍｖ以下であれば、アルカリ性イオン水
を半導体ウェーハの洗浄用として用いる場合に洗浄効果
を十分に得ることが可能であると考えられるからであ
る。つまり、ＯＲＰ値が−６５０ｍｖ以下であるという
ことは、アルカリ性イオン水中に水素ガスが十分に溶け
込んでおり、また、洗浄後にエッチング残さ等のごみ
（パーティクル）が半導体ウェーハに逆吸着するのを防
止できると考えられるからである。このグラフからも、
電気分解反応において、超純水に含まれる溶存ガスが少
ないほど生成される電解イオン水の物性が最適なＯＲＰ
値の近くで安定することが分かる。これは、電解槽での
電気分解反応で、特にアルカリ性イオン水の中の水素ガ
スの発生効率が上がるためである。ここで、図３に示し
たように、電解槽１３で電解イオン水１７を生成した
後、電解イオン水１７を貯槽１５に貯めこんだり、測定
槽１４で電解イオン水１７の物性、例えばＰＨ値やＯＲ
Ｐ値を測定することもある。
動率と溶存している酸素ガスの濃度との関係をまとめた
グラフの例を示す。ここで、物性変動率とは、最適なＯ
ＲＰ値に対しての変動率をいう。ここで、最適なＯＲＰ
値として、−６５０ｍｖを採用している。これは、ＯＲ
Ｐ値が−６５０ｍｖ以下であれば、アルカリ性イオン水
を半導体ウェーハの洗浄用として用いる場合に洗浄効果
を十分に得ることが可能であると考えられるからであ
る。つまり、ＯＲＰ値が−６５０ｍｖ以下であるという
ことは、アルカリ性イオン水中に水素ガスが十分に溶け
込んでおり、また、洗浄後にエッチング残さ等のごみ
（パーティクル）が半導体ウェーハに逆吸着するのを防
止できると考えられるからである。このグラフからも、
電気分解反応において、超純水に含まれる溶存ガスが少
ないほど生成される電解イオン水の物性が最適なＯＲＰ
値の近くで安定することが分かる。これは、電解槽での
電気分解反応で、特にアルカリ性イオン水の中の水素ガ
スの発生効率が上がるためである。ここで、図３に示し
たように、電解槽１３で電解イオン水１７を生成した
後、電解イオン水１７を貯槽１５に貯めこんだり、測定
槽１４で電解イオン水１７の物性、例えばＰＨ値やＯＲ
Ｐ値を測定することもある。
【０００８】以上のようにして電解イオン水１７が生成
される。次に、ポンプ１６により、この電解イオン水１
７が供給されるのである。なお、薬品混合装置１２によ
り薬品を超純水１１に混合する工程は、脱気装置１８に
より超純水１１を脱気する工程の前に加えても構わな
い。また、薬品混合装置１２により薬品を超純水１１に
混合する工程を脱気装置１８により超純水１１を脱気す
る工程と同時に行っても構わない。さらに、ここでは超
純水１１を用いているが、用途によっては純水を用いて
も構わない。但し、半導体ウェーハの洗浄用の電解イオ
ン水を生成するには、超純水が適当である。以上のよう
に、本願発明の第一の実施の形態によると、電解イオン
水のＯＲＰ値が安定し、その物性を安定させることが可
能となる（図４参照）。そして、電解イオン水の物性が
安定することから、安定した洗浄効果を得ることが可能
となる。また、電気分解する前に超純水を脱気すること
から、溶存ガスが除かれ、電気分解反応の効率が向上す
る効果を得ることも可能となる。なお、従来の技術に比
べて、これらの効果は特にアルカリ性イオン水の生成に
おいて顕著なものとなる。次に、本願発明の第二の実施
の形態について図面（図７）を参酌して説明する。本願
発明の第二の実施の形態は、第一の実施の形態により生
成された電解イオン水を用いた半導体ウェーハの洗浄装
置及び洗浄方法にかかるものである。ここでは、半導体
ウェーハの洗浄槽として、バッチ式洗浄装置を利用した
ものについて説明する。なお、バッチ式洗浄装置とは、
１回の洗浄工程で複数枚の半導体ウェーハを洗浄する装
置をいう。
される。次に、ポンプ１６により、この電解イオン水１
７が供給されるのである。なお、薬品混合装置１２によ
り薬品を超純水１１に混合する工程は、脱気装置１８に
より超純水１１を脱気する工程の前に加えても構わな
い。また、薬品混合装置１２により薬品を超純水１１に
混合する工程を脱気装置１８により超純水１１を脱気す
る工程と同時に行っても構わない。さらに、ここでは超
純水１１を用いているが、用途によっては純水を用いて
も構わない。但し、半導体ウェーハの洗浄用の電解イオ
ン水を生成するには、超純水が適当である。以上のよう
に、本願発明の第一の実施の形態によると、電解イオン
水のＯＲＰ値が安定し、その物性を安定させることが可
能となる（図４参照）。そして、電解イオン水の物性が
安定することから、安定した洗浄効果を得ることが可能
となる。また、電気分解する前に超純水を脱気すること
から、溶存ガスが除かれ、電気分解反応の効率が向上す
る効果を得ることも可能となる。なお、従来の技術に比
べて、これらの効果は特にアルカリ性イオン水の生成に
おいて顕著なものとなる。次に、本願発明の第二の実施
の形態について図面（図７）を参酌して説明する。本願
発明の第二の実施の形態は、第一の実施の形態により生
成された電解イオン水を用いた半導体ウェーハの洗浄装
置及び洗浄方法にかかるものである。ここでは、半導体
ウェーハの洗浄槽として、バッチ式洗浄装置を利用した
ものについて説明する。なお、バッチ式洗浄装置とは、
１回の洗浄工程で複数枚の半導体ウェーハを洗浄する装
置をいう。
【０００９】図７に示したように、まず、超純水１１を
脱気装置１８で脱気する。そして、薬品混合装置１２に
より電解質等の薬品を混合する。次に電解槽１３で電気
分解する。これらの工程により電解イオン水１７を生成
してポンプ１６まで送り出すところまでは第一の実施の
形態と同様である。そして、このポンプ１６で送り出さ
れた電解イオン水１７は、バルブ２０を通り、洗浄槽２
３へと供給される。この洗浄槽２３で、半導体ウェーハ
２４が電解イオン水２５に浸されることにより洗浄され
る。この洗浄工程では、例えば酸性イオン水によって金
属不純物の除去、アルカリ性イオン水によってエッチン
グ残さ等のごみを除去することとなる。そして、洗浄工
程を経た電解イオン水２５はバルブ２６を通って放出さ
れることとなる。なお、バルブ２０及びバルブ２２を適
当に制御して電解イオン水１７と超純水２１とを例えば
交互に洗浄槽２３へ供給することにより、半導体ウェー
ハ２４を電解イオン水による洗浄及び純水による洗浄と
を切り替えることが可能となる。以上が、本願発明の第
二の実施の形態にかかる半導体ウェーハの洗浄装置及び
洗浄方法である。以上のように、本願発明の第二の実施
の形態によれば、電解イオン水のＯＲＰ値が安定し、電
解イオン水の物性を安定させることが可能となる（図４
参照）。また、電気分解する前に超純水を脱気すること
から、溶存ガスが除かれ、電気分解反応の効率が向上す
る効果を得ることも可能となる。そして、物性の安定し
た電解イオン水を用いて半導体ウェーハを洗浄すること
により、安定した洗浄効果を得ることが可能となる。な
お、従来の技術に比べて、これらの効果は特にアルカリ
性イオン水の生成において顕著なものとなる。
脱気装置１８で脱気する。そして、薬品混合装置１２に
より電解質等の薬品を混合する。次に電解槽１３で電気
分解する。これらの工程により電解イオン水１７を生成
してポンプ１６まで送り出すところまでは第一の実施の
形態と同様である。そして、このポンプ１６で送り出さ
れた電解イオン水１７は、バルブ２０を通り、洗浄槽２
３へと供給される。この洗浄槽２３で、半導体ウェーハ
２４が電解イオン水２５に浸されることにより洗浄され
る。この洗浄工程では、例えば酸性イオン水によって金
属不純物の除去、アルカリ性イオン水によってエッチン
グ残さ等のごみを除去することとなる。そして、洗浄工
程を経た電解イオン水２５はバルブ２６を通って放出さ
れることとなる。なお、バルブ２０及びバルブ２２を適
当に制御して電解イオン水１７と超純水２１とを例えば
交互に洗浄槽２３へ供給することにより、半導体ウェー
ハ２４を電解イオン水による洗浄及び純水による洗浄と
を切り替えることが可能となる。以上が、本願発明の第
二の実施の形態にかかる半導体ウェーハの洗浄装置及び
洗浄方法である。以上のように、本願発明の第二の実施
の形態によれば、電解イオン水のＯＲＰ値が安定し、電
解イオン水の物性を安定させることが可能となる（図４
参照）。また、電気分解する前に超純水を脱気すること
から、溶存ガスが除かれ、電気分解反応の効率が向上す
る効果を得ることも可能となる。そして、物性の安定し
た電解イオン水を用いて半導体ウェーハを洗浄すること
により、安定した洗浄効果を得ることが可能となる。な
お、従来の技術に比べて、これらの効果は特にアルカリ
性イオン水の生成において顕著なものとなる。
【００１０】次に、本願発明の第三の実施の形態につい
て図面（図８）を参酌して説明する。本願発明の第三の
実施の形態は、第一の実施の形態により生成された電解
イオン水を用いた半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方
法にかかるものである。ここでは、半導体ウェーハの洗
浄槽として、枚葉式洗浄装置を利用したものについて説
明する。なお、枚葉式洗浄装置とは、１回の洗浄工程で
１枚の半導体ウェーハを洗浄する装置をいう。図８に示
したように、まず、超純水１１を脱気装置１８で脱気す
る。そして、薬品混合装置１２により電解質等の薬品を
混合する。次に電解槽１３で電気分解する。これらの工
程により電解イオン水１７を生成してポンプ１６まで送
り出すところまでは第一の実施の形態と同様である。そ
して、このポンプ１６で送り出された電解イオン水１７
は、バルブ２０を通り、ノズル２７から洗浄カップ２８
へと供給される。この洗浄カップ２８では、電解イオン
水２５が半導体ウェーハ２４の上面へと流し込まれるこ
とにより洗浄される。この洗浄工程では、例えば酸性イ
オン水によって金属不純物の除去、アルカリ性イオン水
によってエッチング残さ等のごみを除去することとな
る。そして、洗浄工程を経た電解イオン水はバルブ２６
を通って放出されることとなる。なお、バルブ２０及び
バルブ２２を適当に制御して電解イオン水１７と超純水
２１とを例えば交互に洗浄カップ２８へ供給することに
より、半導体ウェーハ２４を電解イオン水による洗浄及
び純水による洗浄とを切り替えることが可能となる。
て図面（図８）を参酌して説明する。本願発明の第三の
実施の形態は、第一の実施の形態により生成された電解
イオン水を用いた半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方
法にかかるものである。ここでは、半導体ウェーハの洗
浄槽として、枚葉式洗浄装置を利用したものについて説
明する。なお、枚葉式洗浄装置とは、１回の洗浄工程で
１枚の半導体ウェーハを洗浄する装置をいう。図８に示
したように、まず、超純水１１を脱気装置１８で脱気す
る。そして、薬品混合装置１２により電解質等の薬品を
混合する。次に電解槽１３で電気分解する。これらの工
程により電解イオン水１７を生成してポンプ１６まで送
り出すところまでは第一の実施の形態と同様である。そ
して、このポンプ１６で送り出された電解イオン水１７
は、バルブ２０を通り、ノズル２７から洗浄カップ２８
へと供給される。この洗浄カップ２８では、電解イオン
水２５が半導体ウェーハ２４の上面へと流し込まれるこ
とにより洗浄される。この洗浄工程では、例えば酸性イ
オン水によって金属不純物の除去、アルカリ性イオン水
によってエッチング残さ等のごみを除去することとな
る。そして、洗浄工程を経た電解イオン水はバルブ２６
を通って放出されることとなる。なお、バルブ２０及び
バルブ２２を適当に制御して電解イオン水１７と超純水
２１とを例えば交互に洗浄カップ２８へ供給することに
より、半導体ウェーハ２４を電解イオン水による洗浄及
び純水による洗浄とを切り替えることが可能となる。
【００１１】以上が、本願発明の第三の実施の形態にか
かる半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法である。こ
のように、本願発明の第三の実施の形態によれば、電解
イオン水のＯＲＰ値が安定し、電解イオン水の物性を安
定させることが可能となる（図４参照）。また、電気分
解する前に超純水を脱気することから、溶存ガスが除か
れ、電気分解反応の効率が向上する効果を得ることも可
能となる。そして、物性の安定した電解イオン水を用い
て半導体ウェーハを洗浄することにより、安定した洗浄
効果を得ることが可能となる。なお、従来の技術に比べ
て、これらの効果は特にアルカリ性イオン水の生成にお
いて顕著なものとなることが分かっている。
かる半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法である。こ
のように、本願発明の第三の実施の形態によれば、電解
イオン水のＯＲＰ値が安定し、電解イオン水の物性を安
定させることが可能となる（図４参照）。また、電気分
解する前に超純水を脱気することから、溶存ガスが除か
れ、電気分解反応の効率が向上する効果を得ることも可
能となる。そして、物性の安定した電解イオン水を用い
て半導体ウェーハを洗浄することにより、安定した洗浄
効果を得ることが可能となる。なお、従来の技術に比べ
て、これらの効果は特にアルカリ性イオン水の生成にお
いて顕著なものとなることが分かっている。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、本願発明によると、電解
イオン水の物性を安定させることが可能となる。
イオン水の物性を安定させることが可能となる。
【図１】従来の技術による電解イオン水生成装置の構造
図。
図。
【図２】従来の電解イオン水生成装置により生成された
アルカリ性イオン水のＯＲＰ値の時間変化図。
アルカリ性イオン水のＯＲＰ値の時間変化図。
【図３】本願発明の第一の実施の形態にかかる電解イオ
ン水生成装置の構造図。
ン水生成装置の構造図。
【図４】溶存酸素ガス濃度が数ｐｐｂ程度の超純水を電
気分解して生成されたアルカリ性イオン水のＯＲＰ値の
時間変化図。
気分解して生成されたアルカリ性イオン水のＯＲＰ値の
時間変化図。
【図５】従来技術にかかる電解イオン水生成装置と、本
願発明の第一の実施の形態にかかる電解イオン水生成装
置により生成されたアルカリ性イオン水のＯＲＰ値の時
間変化図。
願発明の第一の実施の形態にかかる電解イオン水生成装
置により生成されたアルカリ性イオン水のＯＲＰ値の時
間変化図。
【図６】電解イオン水の物性変動の溶存酸素ガス濃度依
存性を示した図。
存性を示した図。
【図７】本願発明の第二の実施の形態にかかる半導体ウ
ェーハの洗浄装置の構成図。
ェーハの洗浄装置の構成図。
【図８】本願発明の第三の実施の形態にかかる半導体ウ
ェーハの洗浄装置の構成図。
ェーハの洗浄装置の構成図。
１・・・・超純水 ２・・・・薬品混合装置 ３・・・・電解槽 ４・・・・測定槽 ５・・・・貯槽 ６・・・・ポンプ ７・・・・電解イオン水 １１・・・・超純水 １２・・・・薬品混合装置 １３・・・・電解槽 １４・・・・測定槽 １５・・・・貯槽 １６・・・・ポンプ １７・・・・電解イオン水 １８・・・・脱気装置 １９・・・・脱気超純水 ２０・・・・バルブ ２１・・・・超純水 ２２・・・・バルブ ２３・・・・洗浄槽 ２４・・・・半導体ウェーハ ２５・・・・電解イオン水 ２６・・・・バルブ ２７・・・・ノズル ２８・・・・洗浄カップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮下 直人 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4D061 AA02 AB07 AB08 BA02 BB01 BB04 BD12 CA03
Claims (6)
- 【請求項１】 純水中の溶存ガスを脱気する脱気装置
と、 前記純水に薬品を混合する薬品混合装置と、 前記薬品が混合された純水を電気分解する電解槽と、 を具備することを特徴とする電解イオン水生成装置。 - 【請求項２】 純水中の溶存ガスを脱気する工程と、 前記純水に薬品を混合する工程と、 前記薬品が混合された純水を電気分解する工程と、 を具備することを特徴とする電解イオン水の生成方法。
- 【請求項３】 純水に薬品を混合する工程と、 前記薬品が混合された純水中の溶存ガスを脱気する工程
と、 前記薬品が混合された純水を電気分解する工程と、を具
備することを特徴とする電解イオン水の生成方法。 - 【請求項４】 純水中の溶存ガスを脱気する脱気装置
と、 前記純水に薬品を混合する薬品混合装置と、 前記薬品が混合された純水を電気分解して電解イオン水
を供給する電解槽と、 前記電解イオン水で半導体装置を洗浄する洗浄槽と、を
具備することを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項５】 純水中の溶存ガスを脱気する工程と、 前記純水に薬品を混合する工程と、 前記薬品が混合された純水を電気分解して電解イオン水
を供給する工程と、 前記電解イオン水で半導体装置を洗浄する工程と、を具
備することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。 - 【請求項６】 純水に薬品を混合する工程と、 前記薬品が混合された純水中の溶存ガスを脱気する工程
と、 前記薬品が混合された純水を電気分解して電解イオン水
を供給する工程と、 前記電解イオン水で半導体装置を洗浄する工程と、を具
備することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10204676A JP2000033376A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 電解イオン水生成装置及び電解イオン水の生成方法並びに洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10204676A JP2000033376A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 電解イオン水生成装置及び電解イオン水の生成方法並びに洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000033376A true JP2000033376A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16494461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10204676A Pending JP2000033376A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 電解イオン水生成装置及び電解イオン水の生成方法並びに洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000033376A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003007084A1 (fr) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Jipukomu Kabushiki Kaisha | Procede de production de carte imprimee de connexions |
| JP2008086977A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Jeol Ltd | 電解水製造装置及び電解水製造方法 |
| KR101479982B1 (ko) | 2013-08-13 | 2015-01-08 | 에이펫(주) | 반도체 세정 장치의 pH/ORP 측정 장치 |
| KR101479981B1 (ko) * | 2013-08-13 | 2015-01-08 | 에이펫(주) | 반도체 세정 장치 |
-
1998
- 1998-07-21 JP JP10204676A patent/JP2000033376A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2003007084A1 (fr) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Jipukomu Kabushiki Kaisha | Procede de production de carte imprimee de connexions |
| JPWO2003007084A1 (ja) * | 2001-07-13 | 2004-11-04 | ジプコム株式会社 | プリント配線基板の製造方法 |
| JP2008086977A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Jeol Ltd | 電解水製造装置及び電解水製造方法 |
| KR101479982B1 (ko) | 2013-08-13 | 2015-01-08 | 에이펫(주) | 반도체 세정 장치의 pH/ORP 측정 장치 |
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