JP2000031131A - 導電性層のエッチング法 - Google Patents
導電性層のエッチング法Info
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基材のような透明な基材の上に堆積さ
れた層をエッチングする方法おいて、より良好な性能を
提供し、実施においてより融通性があり、より簡単で迅
速な化学的エッチング方法を提供することである。 【解決手段】 エッチングされる層の上に少なくとも１
種のホットメルトインクを含むマスクを堆積させる少な
くとも１つの工程を含むことを特徴とする、ガラス透明
基材の上のドーピングされた金属酸化物の導電性を有す
る層を化学的にエッチングする方法であり、好ましく
は、ホットメルトインクが、本質的に、ポリオレフィン
族化合物のような脂肪族炭化水素ポリマー、例えば、パ
ラフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、及び／又は
ポリスチレンを主成分とする１種以上の有機物ワックス
を含んでなり、少なくとも６０℃の融点を有し、水に不
溶性であり、発生期の水素の攻撃に抵抗性である。
れた層をエッチングする方法おいて、より良好な性能を
提供し、実施においてより融通性があり、より簡単で迅
速な化学的エッチング方法を提供することである。 【解決手段】 エッチングされる層の上に少なくとも１
種のホットメルトインクを含むマスクを堆積させる少な
くとも１つの工程を含むことを特徴とする、ガラス透明
基材の上のドーピングされた金属酸化物の導電性を有す
る層を化学的にエッチングする方法であり、好ましく
は、ホットメルトインクが、本質的に、ポリオレフィン
族化合物のような脂肪族炭化水素ポリマー、例えば、パ
ラフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、及び／又は
ポリスチレンを主成分とする１種以上の有機物ワックス
を含んでなり、少なくとも６０℃の融点を有し、水に不
溶性であり、発生期の水素の攻撃に抵抗性である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基材のよう
な透明な基材の上に堆積された層をエッチングするプロ
セス、より詳しくは、電極又は導電性エレメントを得る
ために少なくとも適当な導電性を有する層をエッチング
するプロセスに関する。
な透明な基材の上に堆積された層をエッチングするプロ
セス、より詳しくは、電極又は導電性エレメントを得る
ために少なくとも適当な導電性を有する層をエッチング
するプロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】本発明
は、特に、ドーピングされた金属酸化物を主成分とする
又は金属を主成分とする層、好ましくは、特定の性質と
厚さによって透明である層を対象にする。ここで、本発
明は不透明な層を排除するものではない。ガラス基材を
素材にした多数の生産品は、実用上、良好な又は非常に
高い解像度(resolution)を有する特定のパターンを備え
た導電性エレメントを必要とする。即ち、例えば、フラ
ットスクリーン型放射スクリーンのガラスの電極、光起
電力セルの電極、加熱式窓の導電性エレメント、アンテ
ナ内蔵式窓などが挙げられる。
は、特に、ドーピングされた金属酸化物を主成分とする
又は金属を主成分とする層、好ましくは、特定の性質と
厚さによって透明である層を対象にする。ここで、本発
明は不透明な層を排除するものではない。ガラス基材を
素材にした多数の生産品は、実用上、良好な又は非常に
高い解像度(resolution)を有する特定のパターンを備え
た導電性エレメントを必要とする。即ち、例えば、フラ
ットスクリーン型放射スクリーンのガラスの電極、光起
電力セルの電極、加熱式窓の導電性エレメント、アンテ
ナ内蔵式窓などが挙げられる。
【０００３】米国特許第３８３７９４４号は、エッチン
グされるべき層の上に、「フォトレジスト」と称される
樹脂の連続層を先ず堆積させ、フォトレジストはフレー
ムを介して露光され、現像・洗浄され、所望のパターン
を有するマスクを形成することによる導電性金属酸化物
層を化学的にエッチングする技術を開示している。次い
で化学的処理が、樹脂で覆われていない層の領域に行わ
れる。
グされるべき層の上に、「フォトレジスト」と称される
樹脂の連続層を先ず堆積させ、フォトレジストはフレー
ムを介して露光され、現像・洗浄され、所望のパターン
を有するマスクを形成することによる導電性金属酸化物
層を化学的にエッチングする技術を開示している。次い
で化学的処理が、樹脂で覆われていない層の領域に行わ
れる。
【０００４】この技術によると、マスクを得るのに手間
がかかり、かなりの数の工程を必要とする。また、各パ
ターンについて新たなフレームを用意する必要があるた
め、小数の製造に不向きであり、大型の基材についても
不向きである。このため、本発明の目的は、これらの従
来の問題を解決することであり、とりわけ、より良好な
性能を有し、実施においてより融通性があり、より簡単
で迅速な、新規なタイプの化学的エッチングを提供する
ことである。
がかかり、かなりの数の工程を必要とする。また、各パ
ターンについて新たなフレームを用意する必要があるた
め、小数の製造に不向きであり、大型の基材についても
不向きである。このため、本発明の目的は、これらの従
来の問題を解決することであり、とりわけ、より良好な
性能を有し、実施においてより融通性があり、より簡単
で迅速な、新規なタイプの化学的エッチングを提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】本発明
は、ガラスのような透明な基材の上の、ドーピングされ
た金属酸化物のタイプの導電性を有する層を化学的エッ
チングするプロセスに関するものであり、エッチングさ
れる層の上に少なくとも１種のホットメルトインクを含
むマスクを堆積させる少なくとも１つの工程を有する。
ここで、用語「ホットメルト」インクは、熱可塑性ポリ
マー／材料を含むインクを総称する。
は、ガラスのような透明な基材の上の、ドーピングされ
た金属酸化物のタイプの導電性を有する層を化学的エッ
チングするプロセスに関するものであり、エッチングさ
れる層の上に少なくとも１種のホットメルトインクを含
むマスクを堆積させる少なくとも１つの工程を有する。
ここで、用語「ホットメルト」インクは、熱可塑性ポリ
マー／材料を含むインクを総称する。
【０００６】用語「導電性を有する」とは、高くても４
×１０-2Ω・ｃｍ、とりわけ４×１０-3〜４×１０-4Ω
・ｃｍであるかそれを下回る抵抗率を有する層を意味す
る。より具体的には、通常１００〜３００ｎｍの膜厚に
おいて、高くて１０００Ω／ 2 、好ましくは高くて５０
Ω／2 の層である。このような層のエッチングは、実際
に、各種の用途を有する電極のネットワークを作成する
ことを可能にする。ここで、誘電性タイプの導電性が低
い又はゼロの層にも、それらを例えば装飾目的にエッチ
ングすることが有益であれば、本発明のエッチング技術
を同様に首尾よく適用できることは当然である。
×１０-2Ω・ｃｍ、とりわけ４×１０-3〜４×１０-4Ω
・ｃｍであるかそれを下回る抵抗率を有する層を意味す
る。より具体的には、通常１００〜３００ｎｍの膜厚に
おいて、高くて１０００Ω／ 2 、好ましくは高くて５０
Ω／2 の層である。このような層のエッチングは、実際
に、各種の用途を有する電極のネットワークを作成する
ことを可能にする。ここで、誘電性タイプの導電性が低
い又はゼロの層にも、それらを例えば装飾目的にエッチ
ングすることが有益であれば、本発明のエッチング技術
を同様に首尾よく適用できることは当然である。
【０００７】インクジェット印刷技術によって堆積させ
たホットメルトインクを主成分とするマスクの使用は、
次のようないくつかの理由により特に有益である。即
ち、第１に、単一工程でマスクを所望パターンに直接堆
積させることができ、所望パターンを得るのに少なくと
も３つの工程を必要とする上記の堆積技術よりもかなり
の時間短縮になる。第２に、このマスクは少量製造にも
首尾よく適し、多数のフレームを保有する必要がない。
これは、新しいパターンについては、それぞれについて
堆積装置を再プログラムするだけでよいためであり、こ
の装置は、パターンを記憶させるだけでコンピューター
によって有利に制御することができる。第３に、大型の
基材の上にこのタイプのマスクを堆積させることが割合
に容易なことである。
たホットメルトインクを主成分とするマスクの使用は、
次のようないくつかの理由により特に有益である。即
ち、第１に、単一工程でマスクを所望パターンに直接堆
積させることができ、所望パターンを得るのに少なくと
も３つの工程を必要とする上記の堆積技術よりもかなり
の時間短縮になる。第２に、このマスクは少量製造にも
首尾よく適し、多数のフレームを保有する必要がない。
これは、新しいパターンについては、それぞれについて
堆積装置を再プログラムするだけでよいためであり、こ
の装置は、パターンを記憶させるだけでコンピューター
によって有利に制御することができる。第３に、大型の
基材の上にこのタイプのマスクを堆積させることが割合
に容易なことである。
【０００８】ここで、従来、ホットメルトインクを印刷
することによってマスクを堆積させることが適切な結果
を生むか否かは、全く不確かであった。事実として、こ
のタイプのインクは、従来は全く異なる用途、即ち、対
象物に恒久的な印字等を付すために使用されてきた。化
学的エッチングにおいては、これらのインクは、極めて
厳しい腐食による化学的攻撃に耐えなければならず、一
方で、そのインクは、エッチング後に容易に除去されな
ければならず、これらの要件は、従来の標準的な物品の
印字等などの用途には、全ては必要とされてはいない又
は望まれてはいなかった。
することによってマスクを堆積させることが適切な結果
を生むか否かは、全く不確かであった。事実として、こ
のタイプのインクは、従来は全く異なる用途、即ち、対
象物に恒久的な印字等を付すために使用されてきた。化
学的エッチングにおいては、これらのインクは、極めて
厳しい腐食による化学的攻撃に耐えなければならず、一
方で、そのインクは、エッチング後に容易に除去されな
ければならず、これらの要件は、従来の標準的な物品の
印字等などの用途には、全ては必要とされてはいない又
は望まれてはいなかった。
【０００９】しかしながら、本発明者は、ホットメルト
インクが適切に選定されるならば、これらの要件を全て
満たすことを極めて予想外に見出した。堆積されるマス
クの厚さは、いろいろな対象基準によって異なるが、例
えば２０〜６０μｍであることができる。これらのイン
クは、基本的に有機物のワックスを１種以上含むことが
有利である。用語「ワックス」は、インクジェット印刷
の分野で知られる意味であり、一般に、脂肪族の炭化水
素ポリマーのような長鎖ポリマーを含む。特には、ポリ
プロピレンやポリエチレンのようなポリオレフィン族、
ポリスチレンのようなパラフィン族が挙げられる。ま
た、これらのインクは、エチレンビニルアセテート（Ｅ
ＶＡ）のような可塑剤、酸化防止剤、及び着色剤のよう
な添加剤を含むこともできる。
インクが適切に選定されるならば、これらの要件を全て
満たすことを極めて予想外に見出した。堆積されるマス
クの厚さは、いろいろな対象基準によって異なるが、例
えば２０〜６０μｍであることができる。これらのイン
クは、基本的に有機物のワックスを１種以上含むことが
有利である。用語「ワックス」は、インクジェット印刷
の分野で知られる意味であり、一般に、脂肪族の炭化水
素ポリマーのような長鎖ポリマーを含む。特には、ポリ
プロピレンやポリエチレンのようなポリオレフィン族、
ポリスチレンのようなパラフィン族が挙げられる。ま
た、これらのインクは、エチレンビニルアセテート（Ｅ
ＶＡ）のような可塑剤、酸化防止剤、及び着色剤のよう
な添加剤を含むこともできる。
【００１０】本発明におけるインクの作用は、少なくと
も６０℃、とりわけ少なくとも７５℃、好ましくは７５
〜１００℃、又は７５〜８５℃の融点を有するものであ
ることから、エッチングされるべき層の上に高温の液相
で堆積され、迅速に冷却され，所望のパターンを有して
層の上で凝固することである。好ましくは、水に不溶の
ものが選択され、とりわけ層に化学的攻撃を及ぼす物質
が水溶媒を含む場合は、水に不溶のものが選択される。
同様に、マスクによって覆われていない領域の層に所望
の化学的攻撃を及ぼす物質が発生期(nascent)の水素に
よる場合、その発生期の水素による攻撃に耐えることが
望ましい。
も６０℃、とりわけ少なくとも７５℃、好ましくは７５
〜１００℃、又は７５〜８５℃の融点を有するものであ
ることから、エッチングされるべき層の上に高温の液相
で堆積され、迅速に冷却され，所望のパターンを有して
層の上で凝固することである。好ましくは、水に不溶の
ものが選択され、とりわけ層に化学的攻撃を及ぼす物質
が水溶媒を含む場合は、水に不溶のものが選択される。
同様に、マスクによって覆われていない領域の層に所望
の化学的攻撃を及ぼす物質が発生期(nascent)の水素に
よる場合、その発生期の水素による攻撃に耐えることが
望ましい。
【００１１】本発明によるエッチングプロセスは、以下
の順次の工程を用いて行われることが好ましい。 (a) 少なくとも１種のホットメルトインクを含むマスク
を、エッチングされる層の上に堆積させ（所望のパター
ンを直接に）、(b) 発生期の水素により、マスクのない
領域の層を攻撃し（即ち、発生期の水素がマスクのない
領域にのみ発生するか、あるいは、より簡単には、発生
期の水素が全体的又はほぼ全体的に発生するが、その攻
撃がマスクのない領域に集中し、マスクのある領域が水
素による腐食攻撃から保護される）、(c) 所望により、
層を備えた基材を洗浄処理し（とりわけ、発生期の水素
の水素を発生させるために使用した残存材料／溶媒を除
去する）、(d) マスクを除去する。
の順次の工程を用いて行われることが好ましい。 (a) 少なくとも１種のホットメルトインクを含むマスク
を、エッチングされる層の上に堆積させ（所望のパター
ンを直接に）、(b) 発生期の水素により、マスクのない
領域の層を攻撃し（即ち、発生期の水素がマスクのない
領域にのみ発生するか、あるいは、より簡単には、発生
期の水素が全体的又はほぼ全体的に発生するが、その攻
撃がマスクのない領域に集中し、マスクのある領域が水
素による腐食攻撃から保護される）、(c) 所望により、
層を備えた基材を洗浄処理し（とりわけ、発生期の水素
の水素を発生させるために使用した残存材料／溶媒を除
去する）、(d) マスクを除去する。
【００１２】本発明の第１の態様によると、発生期の水
素は、亜鉛（特には粉末状）と強酸を反応させて発生さ
せる。この操作は、一般に、２つの工程で行われ、即
ち、マスクのない層の領域に粉末状亜鉛を接触させ、次
いで酸性ｐＨを有する溶液を接触させる。あるいはその
順序を逆にしてもよい。粉末状亜鉛は、公知の粉末分配
ノズルを用い、固体相として層の上に堆積(project) さ
せることができる。
素は、亜鉛（特には粉末状）と強酸を反応させて発生さ
せる。この操作は、一般に、２つの工程で行われ、即
ち、マスクのない層の領域に粉末状亜鉛を接触させ、次
いで酸性ｐＨを有する溶液を接触させる。あるいはその
順序を逆にしてもよい。粉末状亜鉛は、公知の粉末分配
ノズルを用い、固体相として層の上に堆積(project) さ
せることができる。
【００１３】また、粉末状亜鉛は、液体又は流体相とし
てあるいはエーロゲル(aerogel) 型エマルジョンとして
層の上に堆積させることができ、特には、テルピネオー
ルのような溶媒及び／又は水系溶媒の中に亜鉛粉末を懸
濁させ、所望により、エーロジル(aerosil) のようなレ
オロジー改質用の添加剤を加える。溶媒は、亜鉛と強酸
の反応を促進させるように、強酸を含む溶液に適合して
それに可溶な溶媒を選択することが好ましい。亜鉛は、
スプレー（液滴で溶液を噴霧する装置を用いる）又はス
クリーン印刷のような種々の技術を用いて、サスペンシ
ョンとして堆積させることができる。
てあるいはエーロゲル(aerogel) 型エマルジョンとして
層の上に堆積させることができ、特には、テルピネオー
ルのような溶媒及び／又は水系溶媒の中に亜鉛粉末を懸
濁させ、所望により、エーロジル(aerosil) のようなレ
オロジー改質用の添加剤を加える。溶媒は、亜鉛と強酸
の反応を促進させるように、強酸を含む溶液に適合して
それに可溶な溶媒を選択することが好ましい。亜鉛は、
スプレー（液滴で溶液を噴霧する装置を用いる）又はス
クリーン印刷のような種々の技術を用いて、サスペンシ
ョンとして堆積させることができる。
【００１４】また、層を一旦マスクした後、例えば、ス
パッタリングのような真空下の技術を用いて亜鉛の薄い
層を堆積させることにより、エッチングされる層を亜鉛
に接触させることも可能である。酸性ｐＨを有する溶液
に関し、この溶液は、少なくとも１種の水系又はアルコ
ール系有機系溶媒を含むことができ、好ましくは、水系
とアルコール系の混合物、例えば水とエタノール又はイ
ソプロパノールである。事実として、酸を含む水にアル
コールを加えると、亜鉛と接触したときに生じる水素の
気泡サイズをより適切に制御することができ、特に、層
に及ぼす「より穏やかな(gentler) 」攻撃をもたらすよ
うに気泡サイズを小さくできることが分かっている（こ
のため、水素の気泡の機械的作用によるマスクの離脱の
恐れが抑えられる）。アルコールを増強する又はそれに
代えて、アニオン系、カチオン系又はノニオン系界面活
性剤のような適当な添加剤を加えることによってこの効
果を得ることもできる。
パッタリングのような真空下の技術を用いて亜鉛の薄い
層を堆積させることにより、エッチングされる層を亜鉛
に接触させることも可能である。酸性ｐＨを有する溶液
に関し、この溶液は、少なくとも１種の水系又はアルコ
ール系有機系溶媒を含むことができ、好ましくは、水系
とアルコール系の混合物、例えば水とエタノール又はイ
ソプロパノールである。事実として、酸を含む水にアル
コールを加えると、亜鉛と接触したときに生じる水素の
気泡サイズをより適切に制御することができ、特に、層
に及ぼす「より穏やかな(gentler) 」攻撃をもたらすよ
うに気泡サイズを小さくできることが分かっている（こ
のため、水素の気泡の機械的作用によるマスクの離脱の
恐れが抑えられる）。アルコールを増強する又はそれに
代えて、アニオン系、カチオン系又はノニオン系界面活
性剤のような適当な添加剤を加えることによってこの効
果を得ることもできる。
【００１５】酸は、ＨＣｌのような強酸が選択されるこ
とが好ましい。有利には、１〜２０重量％の割合、とり
わけ１〜１０重量％の割合が、溶液中のＨＣｌのような
酸について選択され、過度に高過ぎない濃度の、溶液に
接触する装置の早期腐食を防ぐと同時に所望のエッチン
グを達成するのに十分な濃度が選択される。酸性ｐＨを
有する溶液とエッチングされる層との接触は、例えば、
スプレー、溶液の浴の中に基材を浸漬、などによって行
うことができる。ここで、装置の簡易性と製造ラインの
簡潔性の点からは、亜鉛含有溶液と酸含有溶液の双方の
堆積をスプレーによって行うのが有利であり、これによ
れば、一方のスプレーノズルの下で、次いでもう一方の
スプレーノズルの下で、基材を適当な速度で移動させる
ことにより行うことができる。
とが好ましい。有利には、１〜２０重量％の割合、とり
わけ１〜１０重量％の割合が、溶液中のＨＣｌのような
酸について選択され、過度に高過ぎない濃度の、溶液に
接触する装置の早期腐食を防ぐと同時に所望のエッチン
グを達成するのに十分な濃度が選択される。酸性ｐＨを
有する溶液とエッチングされる層との接触は、例えば、
スプレー、溶液の浴の中に基材を浸漬、などによって行
うことができる。ここで、装置の簡易性と製造ラインの
簡潔性の点からは、亜鉛含有溶液と酸含有溶液の双方の
堆積をスプレーによって行うのが有利であり、これによ
れば、一方のスプレーノズルの下で、次いでもう一方の
スプレーノズルの下で、基材を適当な速度で移動させる
ことにより行うことができる。
【００１６】本発明の第２の態様によると、マスクのな
い層の領域にアルミニウム（特に粉末状）を接触させ、
次いでアルカリ性ｐＨを有する溶液を接触させることに
よって発生期の水素の発生させることができる。あるい
は、この順序を逆にしてもよい。粉末状アルミニウムの
堆積は、上記の亜鉛について説明した堆積と同様にして
行うことができる。同じように、この他、マスクした層
にＡｌの薄層をスパッタリングのような技術を用いて堆
積させることにより、エッチングされる層にアルミニウ
ムを接触させることもできる。アルカリ性溶液に関し、
上記の酸性溶液について選択したのと同様なタイプの溶
媒と同様なタイプの堆積技術が選択されることができる
が、この場合、酸に代えて塩基を、とりわけＮａＯＨの
ような強アルカリを用いる。
い層の領域にアルミニウム（特に粉末状）を接触させ、
次いでアルカリ性ｐＨを有する溶液を接触させることに
よって発生期の水素の発生させることができる。あるい
は、この順序を逆にしてもよい。粉末状アルミニウムの
堆積は、上記の亜鉛について説明した堆積と同様にして
行うことができる。同じように、この他、マスクした層
にＡｌの薄層をスパッタリングのような技術を用いて堆
積させることにより、エッチングされる層にアルミニウ
ムを接触させることもできる。アルカリ性溶液に関し、
上記の酸性溶液について選択したのと同様なタイプの溶
媒と同様なタイプの堆積技術が選択されることができる
が、この場合、酸に代えて塩基を、とりわけＮａＯＨの
ような強アルカリを用いる。
【００１７】洗浄処理を含む工程(c) は、とりわけ残留
する金属粉末、酸、又は塩基を除去するための、単に層
を洗浄することからなることができる。これは、水及び
／又は有機溶媒を主成分とする洗浄溶液を用い、基材に
スプレーする又は基材を浸漬することにより行うことが
できる。マスクは種々の仕方で除去することができる。
限定されるものではないが、先ず化学的仕方を選択する
ことができ、マスクを適切な溶媒の中で溶解させること
により行い、この溶媒は基本的に有機溶媒である。有機
溶媒には、トルエン、ターペンタインオイル、トリクロ
ロメタン、又はブチルアセテートが挙げられる。
する金属粉末、酸、又は塩基を除去するための、単に層
を洗浄することからなることができる。これは、水及び
／又は有機溶媒を主成分とする洗浄溶液を用い、基材に
スプレーする又は基材を浸漬することにより行うことが
できる。マスクは種々の仕方で除去することができる。
限定されるものではないが、先ず化学的仕方を選択する
ことができ、マスクを適切な溶媒の中で溶解させること
により行い、この溶媒は基本的に有機溶媒である。有機
溶媒には、トルエン、ターペンタインオイル、トリクロ
ロメタン、又はブチルアセテートが挙げられる。
【００１８】有機物の廃棄物を処理することを回避すべ
き場合、別な仕方を行うこともでき、例えば、超音波処
理が挙げられ、適当な寸法を有する基材について主とし
て行うことができる。また、高温空気ブレードを例えば
移動する基材の上に導くことで熱処理を行うこともで
き、このブレードはマスクを軟化させて液体に変え、そ
れを空気の吹きつけによって除去することができる。も
う１つの仕方は、基材を例えば少なくとも２５０℃オー
ブンの中に通し、特には４００〜４５０℃の温度にし、
マスクを燃焼・分解することである。このような非常に
高い温度での処理の利点は、基材にさらに施されるべき
別な熱処理に付随して行えることであり、あるいは、エ
ッチングプロセスとは独立にコーティングを施すことが
できることである。このことは、例えば、電子工業に使
用されるガラス基材について広くあてはまり、放射スク
リーンの構造に必要なガラス基材は、そのペイン(pane)
が、寸法安定性の面から高温の少なくとも１回の熱処理
を受けなければならない。
き場合、別な仕方を行うこともでき、例えば、超音波処
理が挙げられ、適当な寸法を有する基材について主とし
て行うことができる。また、高温空気ブレードを例えば
移動する基材の上に導くことで熱処理を行うこともで
き、このブレードはマスクを軟化させて液体に変え、そ
れを空気の吹きつけによって除去することができる。も
う１つの仕方は、基材を例えば少なくとも２５０℃オー
ブンの中に通し、特には４００〜４５０℃の温度にし、
マスクを燃焼・分解することである。このような非常に
高い温度での処理の利点は、基材にさらに施されるべき
別な熱処理に付随して行えることであり、あるいは、エ
ッチングプロセスとは独立にコーティングを施すことが
できることである。このことは、例えば、電子工業に使
用されるガラス基材について広くあてはまり、放射スク
リーンの構造に必要なガラス基材は、そのペイン(pane)
が、寸法安定性の面から高温の少なくとも１回の熱処理
を受けなければならない。
【００１９】もう１つの技術は、マスクの離脱を容易に
するために適当な温度で熱処理してマスクを軟らかく
し、機械的な力でそれを剥ぎ取ることである。本発明に
よるエッチングプロセスは、各種の層をエッチングする
ことができ、とりわけドーピングされた金属酸化物の層
であり、例えばフッ素をドーピングされた酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2 ：Ｆ）、砒素をドーピングされた酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2 ：Ａｓ）、アンチモンをドーピングされた酸化錫
（ＳｎＯ2 ：Ｓｂ）、又は周期律表のＶａ族の金属ドー
パントでドーピングされたものが挙げられる。錫をドー
ピングした酸化インジウム（ＩＴＯ）を主成分とする
層、又は例えば銀からなる金属層をエッチングすること
もできる。これらの層は厚くても薄くてもよく、例え
ば、数ナノメートルから数百ナノメートルであることが
できる。従って、これらは、２０〜５００ｎｍ、とりわ
け少なくとも４０ｎｍ、例えば２００〜３８０ｎｍの層
であることができる。
するために適当な温度で熱処理してマスクを軟らかく
し、機械的な力でそれを剥ぎ取ることである。本発明に
よるエッチングプロセスは、各種の層をエッチングする
ことができ、とりわけドーピングされた金属酸化物の層
であり、例えばフッ素をドーピングされた酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2 ：Ｆ）、砒素をドーピングされた酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2 ：Ａｓ）、アンチモンをドーピングされた酸化錫
（ＳｎＯ2 ：Ｓｂ）、又は周期律表のＶａ族の金属ドー
パントでドーピングされたものが挙げられる。錫をドー
ピングした酸化インジウム（ＩＴＯ）を主成分とする
層、又は例えば銀からなる金属層をエッチングすること
もできる。これらの層は厚くても薄くてもよく、例え
ば、数ナノメートルから数百ナノメートルであることが
できる。従って、これらは、２０〜５００ｎｍ、とりわ
け少なくとも４０ｎｍ、例えば２００〜３８０ｎｍの層
であることができる。
【００２０】層の性質とその厚さは、腐食性の攻撃溶液
の濃度とエッチング時間（一般に、長くて数分間のオー
ダー）の調節のために考慮されるべきである。本発明に
よるプロセスは、ＳｎＯ2 を主成分とする、とりわけＳ
ｎＯ2 ：Ｆからなる層をエッチングするのに有効である
ことが見出されており、このＳｎＯ2 ：Ｆからなる層
は、従来、本発明による効果に反し、非常に「硬質」で
耐薬品性があり、このためエッチングが難しいことが知
られていた。本発明は、このタイプの層の用途に、非常
に多様な分野を開拓するものであり、特に電極を製造す
る電子工業において、首尾よく機能するが必要な電気的
構造を得るにはアニーリング処理を必要とする通常ＩＴ
Ｏからなる電極を取って代えることができる。
の濃度とエッチング時間（一般に、長くて数分間のオー
ダー）の調節のために考慮されるべきである。本発明に
よるプロセスは、ＳｎＯ2 を主成分とする、とりわけＳ
ｎＯ2 ：Ｆからなる層をエッチングするのに有効である
ことが見出されており、このＳｎＯ2 ：Ｆからなる層
は、従来、本発明による効果に反し、非常に「硬質」で
耐薬品性があり、このためエッチングが難しいことが知
られていた。本発明は、このタイプの層の用途に、非常
に多様な分野を開拓するものであり、特に電極を製造す
る電子工業において、首尾よく機能するが必要な電気的
構造を得るにはアニーリング処理を必要とする通常ＩＴ
Ｏからなる電極を取って代えることができる。
【００２１】また、本発明は、各種分野における電極／
導電性エレメントの製造プロセスに関する。この分野
は、例えばガラス工業であり、ジュール効果によって加
熱される窓やアンテナ内蔵式窓に導電性ネットワークを
形成することができる。また、この分野は、光起電力セ
ル工業であることもできる。さらに、この分野は電子工
業であることもでき、フラットスクリーン型の放射スク
リーン、プラズマスクリーンと称されるスクリーン、タ
ッチスクリーン、及びより広くは、電磁波のとりわけ可
視光を照射され、透過し、又は放射することができる任
意のタイプのスクリーン／窓の前面又は背面の製造に適
用することができる。
導電性エレメントの製造プロセスに関する。この分野
は、例えばガラス工業であり、ジュール効果によって加
熱される窓やアンテナ内蔵式窓に導電性ネットワークを
形成することができる。また、この分野は、光起電力セ
ル工業であることもできる。さらに、この分野は電子工
業であることもでき、フラットスクリーン型の放射スク
リーン、プラズマスクリーンと称されるスクリーン、タ
ッチスクリーン、及びより広くは、電磁波のとりわけ可
視光を照射され、透過し、又は放射することができる任
意のタイプのスクリーン／窓の前面又は背面の製造に適
用することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に本発明を例（限定されない）
に言及しながらより詳しく説明する。以下の詳細な説明
において、使用した基材は、下記の割合の化学的組成
（重量％）を有するプラズマスクリーンタイプの放射ス
クリーンの前面と背面を作成するための、厚さが約２．
８ｍｍのフロートガラス基材である。
に言及しながらより詳しく説明する。以下の詳細な説明
において、使用した基材は、下記の割合の化学的組成
（重量％）を有するプラズマスクリーンタイプの放射ス
クリーンの前面と背面を作成するための、厚さが約２．
８ｍｍのフロートガラス基材である。
【００２３】 ＳｉＯ2 ５８％ Ａｌ2 Ｏ3 ３％ ＺｒＯ2 ８％ Ｎａ2 Ｏ ４．５％ Ｋ2 Ｏ ７．５％ ＣａＯ ８．５％ ＳｒＯ ９％ ＢａＯ ０％ ＳＯ3 痕跡（０．０７〜０．１％） この組成は、約６０９℃の歪点値と約８３．６×１０-7
℃-1の熱膨張率α（25〜300 ℃）に対応する。
℃-1の熱膨張率α（25〜300 ℃）に対応する。
【００２４】このタイプの用途に適切なこの他のガラス
組成は、とりわけＷＯ９６／１１８８７とＥＰ−９８／
４０００５３．９（１９９７年１月１３日）に記載され
ている。予備的工程は、当業者には公知であるため詳述
しないが、６０ｃｍ×１０００ｃｍの寸法を有する２枚
のガラス基材の上に２７０ｎｍのＳｎＯ2 ：Ｆの層を堆
積させることからなり、フロートガラスのシートの上に
気相原料の熱分解（ＣＶＤ又は化学蒸着と称される）に
よって直接に連続して、又は切断ペインの上に逐次的に
堆積させることにより行った。この目的は、層を高解像
度でエッチングし、長さ１０００ｃｍ×幅１２５μｍの
平行なストリップの形態の電極を形成することである。
これらのストリップは、１７５μｍ離れたペアのストリ
ップに区分され、１つのペアの２つのストリップは５０
μｍの距離で隔てられた。
組成は、とりわけＷＯ９６／１１８８７とＥＰ−９８／
４０００５３．９（１９９７年１月１３日）に記載され
ている。予備的工程は、当業者には公知であるため詳述
しないが、６０ｃｍ×１０００ｃｍの寸法を有する２枚
のガラス基材の上に２７０ｎｍのＳｎＯ2 ：Ｆの層を堆
積させることからなり、フロートガラスのシートの上に
気相原料の熱分解（ＣＶＤ又は化学蒸着と称される）に
よって直接に連続して、又は切断ペインの上に逐次的に
堆積させることにより行った。この目的は、層を高解像
度でエッチングし、長さ１０００ｃｍ×幅１２５μｍの
平行なストリップの形態の電極を形成することである。
これらのストリップは、１７５μｍ離れたペアのストリ
ップに区分され、１つのペアの２つのストリップは５０
μｍの距離で隔てられた。
【００２５】本発明のエッチングプロセスの主要工程を
図１に概略で示しているが、出発点は、切断されて適切
にトリミングされ、次いでＳｎＯ2 ：Ｆ層２で被覆され
たガラス基材である。工程において、ホットメルトイ
ンクが、インクジェット印刷によって所望のパターンに
直接堆積され、マスク３を形成し、このマスク３は所望
のパターンとして、幅１２５μｍで１７５μｍ離れたペ
アの平行ストリップの形態で堆積され、同じペアの２つ
のストリップの間の距離は５０μｍであり、工程は、
マスク層２の表面上にＺｎ（又はＡｌ）粉末を堆積させ
ることからなり、この粉末は、流体５のサスペンション
中の表示４で示されており、工程は、マスク層の表面
上に酸性ｐＨを有する溶液を堆積させることからなり
（前工程で層の上にＺｎ粉末ではなくてＡｌ粉末が堆積
されていればアルカリｐＨの溶液）、層２を無マスク領
域２’にならしめる発生期の水素を生成させ、工程
は、基材を洗浄し（工程４は図示せず）、工程におい
て、マスクを除去し、マスクのパターンに対応してエッ
チングされたＳｎＯ2 ：Ｆ層、即ち、所望のパターンを
有するストリップを得る。
図１に概略で示しているが、出発点は、切断されて適切
にトリミングされ、次いでＳｎＯ2 ：Ｆ層２で被覆され
たガラス基材である。工程において、ホットメルトイ
ンクが、インクジェット印刷によって所望のパターンに
直接堆積され、マスク３を形成し、このマスク３は所望
のパターンとして、幅１２５μｍで１７５μｍ離れたペ
アの平行ストリップの形態で堆積され、同じペアの２つ
のストリップの間の距離は５０μｍであり、工程は、
マスク層２の表面上にＺｎ（又はＡｌ）粉末を堆積させ
ることからなり、この粉末は、流体５のサスペンション
中の表示４で示されており、工程は、マスク層の表面
上に酸性ｐＨを有する溶液を堆積させることからなり
（前工程で層の上にＺｎ粉末ではなくてＡｌ粉末が堆積
されていればアルカリｐＨの溶液）、層２を無マスク領
域２’にならしめる発生期の水素を生成させ、工程
は、基材を洗浄し（工程４は図示せず）、工程におい
て、マスクを除去し、マスクのパターンに対応してエッ
チングされたＳｎＯ2 ：Ｆ層、即ち、所望のパターンを
有するストリップを得る。
【００２６】下記の例１〜３は、いくつかの態様におけ
るこれらの種々の工程を詳細に示す。これらの全ての例
において、マスク３を形成するためのホットメルトイン
クは、マーケンコーポレーション社から市販のインク
（品番９６２０６）である。このインクは、約８０℃の
融点を有し、その組成は、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、エチレンビニルアセテートワック
ス、酸化防止剤、着色剤（アントラキノン系）を含む。
インクは、公知の圧電系ドロップオンデマンド(drop on
demand)式インクジェットの原理で作動するホットメル
トインクジェットプリンターを用いて基材に堆積させ、
このプリンターは、マーケンコーポレーション社から市
販されており（品番９６２）、コンピューターでプログ
ラム制御される。
るこれらの種々の工程を詳細に示す。これらの全ての例
において、マスク３を形成するためのホットメルトイン
クは、マーケンコーポレーション社から市販のインク
（品番９６２０６）である。このインクは、約８０℃の
融点を有し、その組成は、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、エチレンビニルアセテートワック
ス、酸化防止剤、着色剤（アントラキノン系）を含む。
インクは、公知の圧電系ドロップオンデマンド(drop on
demand)式インクジェットの原理で作動するホットメル
トインクジェットプリンターを用いて基材に堆積させ、
このプリンターは、マーケンコーポレーション社から市
販されており（品番９６２）、コンピューターでプログ
ラム制御される。
【００２７】
【実施例】例１ 工程は、上記のインクとその装置を用いて行った。得
られたマスクは約３０〜５０μｍの厚さを有した。工程
は、亜鉛粉末（グッドフェロー社、品番ＺＮ００６０
２０）とテルピネオール（アルドリッチ社、品番４３２
６２８）を重量で３：１の割合で混ぜたものを用いて行
った。この混合物は、どちらかと言えば流体オイルの稠
度を有した。これを、メッシュサイズ９０と開孔サイズ
６３μｍのポリエステル印刷用スクリーンを用い、スク
リーン印刷によって層２の全体を覆って堆積させた。次
いで、この混合物により溝付けし、層２の無マスク領域
２’を形成した。
られたマスクは約３０〜５０μｍの厚さを有した。工程
は、亜鉛粉末（グッドフェロー社、品番ＺＮ００６０
２０）とテルピネオール（アルドリッチ社、品番４３２
６２８）を重量で３：１の割合で混ぜたものを用いて行
った。この混合物は、どちらかと言えば流体オイルの稠
度を有した。これを、メッシュサイズ９０と開孔サイズ
６３μｍのポリエステル印刷用スクリーンを用い、スク
リーン印刷によって層２の全体を覆って堆積させた。次
いで、この混合物により溝付けし、層２の無マスク領域
２’を形成した。
【００２８】工程は、水、イソプロパノール、及び塩
酸からなるエッチング溶液（水／イソプロパノールの比
が９：１の体積比、ＨＣｌ濃度は６体積％）の浴の中に
基材１を浸漬することによってこれらの領域２’をエッ
チングすることからなった。浸漬は３分間続けた。洗浄
工程は、水／エタノールの混合物からなる第２浴の中
に基材１を浸漬することによって行った。
酸からなるエッチング溶液（水／イソプロパノールの比
が９：１の体積比、ＨＣｌ濃度は６体積％）の浴の中に
基材１を浸漬することによってこれらの領域２’をエッ
チングすることからなった。浸漬は３分間続けた。洗浄
工程は、水／エタノールの混合物からなる第２浴の中
に基材１を浸漬することによって行った。
【００２９】工程のマスクの除去は、トリクロロメタ
ンの第３浴の中に基材１を浸漬することによって行っ
た。これらの処理の後に得られたＳｎＯ2 ：Ｆ層は、高
い解像度を有する所望のパターンでエッチングされてい
た。 例２ 工程は、例１と同様にして行った。
ンの第３浴の中に基材１を浸漬することによって行っ
た。これらの処理の後に得られたＳｎＯ2 ：Ｆ層は、高
い解像度を有する所望のパターンでエッチングされてい
た。 例２ 工程は、例１と同様にして行った。
【００３０】工程は、例１と同じ亜鉛粉末、水、エー
ロジル（レオージー改質剤として作用）を重量割合でそ
れぞれ３８％、６０．５％、１．５％を含む混合物を用
いて行った。この混合物はエーロゲル(aerogel) の稠度
を有した。これを、標準的スプレー装置を用い、スプレ
ーによって層２の上に堆積させた。工程は、水、イソ
プロパノール、及び塩酸からなるエッチング溶液（水／
イソプロパノールの比が４／１の体積比、ＨＣｌ濃度は
１．５体積％）の浴の中に基材１を浸漬することによっ
てこれらの領域２’をエッチングすることからなった。
浸漬は４分間続けた。
ロジル（レオージー改質剤として作用）を重量割合でそ
れぞれ３８％、６０．５％、１．５％を含む混合物を用
いて行った。この混合物はエーロゲル(aerogel) の稠度
を有した。これを、標準的スプレー装置を用い、スプレ
ーによって層２の上に堆積させた。工程は、水、イソ
プロパノール、及び塩酸からなるエッチング溶液（水／
イソプロパノールの比が４／１の体積比、ＨＣｌ濃度は
１．５体積％）の浴の中に基材１を浸漬することによっ
てこれらの領域２’をエッチングすることからなった。
浸漬は４分間続けた。
【００３１】洗浄工程は、水の浴の中に基材１を浸漬
することによって行った。工程のマスクの除去は、４
５０℃の適当なオーブンの中で３０分間にわたって基材
を熱処理することによって行った。 これらの処理の後に得られたＳｎＯ2 ：Ｆ層は、例１と
同等の品質でエッチングされていた。
することによって行った。工程のマスクの除去は、４
５０℃の適当なオーブンの中で３０分間にわたって基材
を熱処理することによって行った。 これらの処理の後に得られたＳｎＯ2 ：Ｆ層は、例１と
同等の品質でエッチングされていた。
【００３２】例３ 工程は、この例では厚さ１３０μｍであるＳｎＯ2 ：
Ｆ層について、例１と同様にして行った。工程は、ア
ルミニウム粉末（グッドフェロー社、品番ＬＳ１５５１
２４ＪＶ）と例１で使用したテルピネオールの重量比で
５：３の混合物を用いて行った。この混合物を、例１と
同様にしてスクリーン印刷によって層２の上に堆積させ
た。
Ｆ層について、例１と同様にして行った。工程は、ア
ルミニウム粉末（グッドフェロー社、品番ＬＳ１５５１
２４ＪＶ）と例１で使用したテルピネオールの重量比で
５：３の混合物を用いて行った。この混合物を、例１と
同様にしてスクリーン印刷によって層２の上に堆積させ
た。
【００３３】工程は、水、エタノール、及び水酸化ナ
トリウム（１モル／リットルの濃度）の５０℃の浴の中
に基材１を浸すことによって領域２’をエッチングする
ことからなった。浸漬は５分間続けた。洗浄工程は、
水と６８体積％ＨＮＯ3 からなる溶液の中に基材１を数
秒間浸し、次いで水とエタノールからなる第３浴の中に
浸すことによって行った。
トリウム（１モル／リットルの濃度）の５０℃の浴の中
に基材１を浸すことによって領域２’をエッチングする
ことからなった。浸漬は５分間続けた。洗浄工程は、
水と６８体積％ＨＮＯ3 からなる溶液の中に基材１を数
秒間浸し、次いで水とエタノールからなる第３浴の中に
浸すことによって行った。
【００３４】工程のマスクの除去は、例１と同様にし
て行った。 得られたＳｎＯ2 ：Ｆ層３は、もはやエッチング領域に
導電性を有していなかった。まとめると、本発明のプロ
セスは、マスクを堆積させるためのいくつかの工程を有
する。マスクのパターンは、インクジェットプリンター
を制御するコンピューターのプログラムによって容易に
変更でき、少なくとも１ｍ×１ｍのかなりの大きさの基
材を処理することができる。殆どの工程は連続的に行う
ことができ、基材を１つの浴から別な浴に、また１つの
スプレー装置から別なスプレー装置に逐次的に移動させ
ることは随意である。例２のような加熱を伴う除去処理
は、ガラス又は他のコーティングを熱処理する工程と統
合することもできる。
て行った。 得られたＳｎＯ2 ：Ｆ層３は、もはやエッチング領域に
導電性を有していなかった。まとめると、本発明のプロ
セスは、マスクを堆積させるためのいくつかの工程を有
する。マスクのパターンは、インクジェットプリンター
を制御するコンピューターのプログラムによって容易に
変更でき、少なくとも１ｍ×１ｍのかなりの大きさの基
材を処理することができる。殆どの工程は連続的に行う
ことができ、基材を１つの浴から別な浴に、また１つの
スプレー装置から別なスプレー装置に逐次的に移動させ
ることは随意である。例２のような加熱を伴う除去処理
は、ガラス又は他のコーティングを熱処理する工程と統
合することもできる。
【００３５】マスクを形成するホットメルトインクが、
発生期の水素による攻撃、又は酸やアルカリによる攻撃
に極めて良好に耐えることを確かめることは可能であ
る。このように、本発明は、従来エッチングすることが
困難であったＳｎＯ2 を主成分とする層や、ＩＴＯなど
のエッチングが比較的容易な層の効果的なエッチングを
可能にする。
発生期の水素による攻撃、又は酸やアルカリによる攻撃
に極めて良好に耐えることを確かめることは可能であ
る。このように、本発明は、従来エッチングすることが
困難であったＳｎＯ2 を主成分とする層や、ＩＴＯなど
のエッチングが比較的容易な層の効果的なエッチングを
可能にする。
【図１】本発明によるエッチングプロセスの工程の概略
図である。
図である。
１…基材 ２…マスク ３…ＳｎＯ2 ：Ｆ層 ４…粉末 ５…流体
Claims (20)
- 【請求項１】 エッチングされる層の上に少なくとも１
種のホットメルトインクを含むマスク(3) を堆積させる
少なくとも１つの工程を含むことを特徴とする、ガラス
透明基材(1) の上のドーピングされた金属酸化物の導電
性を有する層(2) を化学的にエッチングする方法。 - 【請求項２】 ホットメルトインクが、本質的に、ポリ
オレフィン族化合物のような脂肪族炭化水素ポリマー、
例えば、パラフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、
及び／又はポリスチレンを主成分とする１種以上の有機
物ワックスを含んでなる請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 ホットメルトインクが、少なくとも６０
℃、とりわけ少なくとも７５℃、好ましくは７５〜１０
０℃の融点を有する請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】 ホットメルトインクが水に不溶性である
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】 ホットメルトインクが発生期の水素の攻
撃に抵抗性である請求項１〜４のいずれか１項に記載の
方法。 - 【請求項６】 マスク(3) が、インクジェット印刷技
術、とりわけ圧電式ドロップオンデマンドのインクジェ
ット印刷技術によって堆積される請求項１〜５のいずれ
か１項に記載の方法。 - 【請求項７】 次の逐次的工程： (a) 少なくとも１種のホットメルトインクを含むマスク
(3) を、エッチングされる層(2) の上に堆積させ、(b)
発生期の水素により、マスク(3) のない領域(2')の層
(2) を攻撃し、(c) 所望により、層を備えた基材(1) を
洗浄処理し、(d) マスク(3) を除去する、を含む請求項
１〜６のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項８】 マスク(3) が存在しない層の領域(2')
を、とりわけ粉末として又は層(4) の形態で亜鉛に接触
させ、次いで酸性ｐＨを有する溶液に接触させる、又は
酸性ｐＨを有する溶液に接触させ、次いでとりわけ粉末
として又は層(4) の形態で亜鉛に接触させることによ
り、工程(b) の間に発生期の水素の発生させる請求項７
に記載の方法。 - 【請求項９】 亜鉛が粉末形態(4) であり、固体相の層
(2) の上に堆積される請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 亜鉛が粉末形態(4) であり、液体、流
体、又はエーロゲル状の相として層(2) の上に堆積さ
れ、とりわけ所望によりエーロジル系のレオロジー改質
用添加剤を添加された１種以上の有機溶媒及び／又は水
系溶媒の中のサスペンションとして堆積される請求項８
に記載の方法。 - 【請求項１１】 亜鉛(4) が、スプレー技術又はスクリ
ーン印刷によって、液体又は流体又はエーロゲル状の相
の中のサスペンション、として堆積された請求項１０に
記載の方法。 - 【請求項１２】 酸性ｐＨを有する溶液が、少なくとも
１種の水系、アルコール系、水／アルコール系の溶媒、
ＨＣｌのような強酸、及び随意の界面活性剤添加剤を含
む請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１３】 酸性ｐＨを有する溶液が、１〜２０重
量％の酸、とりわけ１〜１０重量％の酸を含む請求項１
２に記載の方法。 - 【請求項１４】 酸性ｐＨを有する溶液が、基材(1) の
浸漬又はスプレーの使用によって、エッチングされる層
(2) に接触される請求項８〜１３のいずれか１項に記載
の方法。 - 【請求項１５】 マスク(3) の存在しない層の領域(2')
を、とりわけ粉末状又は層状のアルミニウムに接触さ
せ、次いでアルカリ性ｐＨを有する溶液に接触させる、
又はアルカリ性ｐＨを有する溶液に接触させ、次いでと
りわけ粉末状又は層状のアルミニウムに接触させること
によって、工程(b) の間に発生期の水素を発生させる請
求項７に記載の方法。 - 【請求項１６】 洗浄工程(c) が、水及び／又は有機溶
媒を主成分とする溶媒を用い、基材(1) にスプレー又は
浸漬を行うことによって層(2) を洗浄することを含む請
求項７〜１５のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１７】 マスク(3) が、とりわけ本質的に有機
溶媒である適当な溶媒に溶かす、超音波処理、軟化後の
機械的力、又は高温空気ナイフによって除去される請求
項７〜１６のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１８】 マスク(3) が、熱処理、とりわけ基材
(1) 及び／又は基材を被覆する層の熱処理によって付随
的に除去される請求項７〜１６のいずれか１項に記載の
方法。 - 【請求項１９】 ドーピングされた金属酸化物の層、と
りわけフッ素、砒素、アンチモンをドーピングされた酸
化錫、又は錫をドーピングした酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）を主成分とする層をエッチングする請求項７〜１６
のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２０】 ガラス工業における電極／導電性エレ
メントの製造、とりわけ加熱式窓、アンテナ内蔵窓、電
子工業のとりわけフラットスクリーン型放射スクリーン
のプラズマスクリーン、タッチスクリーン、又は光起電
力セル工業の製造における請求項１〜１９のいずれか１
項に記載の方法の使用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9802138A FR2775280B1 (fr) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | Procede de gravure d'une couche conductrice |
| FR9802138 | 1998-02-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031131A true JP2000031131A (ja) | 2000-01-28 |
| JP4237322B2 JP4237322B2 (ja) | 2009-03-11 |
Family
ID=9523242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04468199A Expired - Fee Related JP4237322B2 (ja) | 1998-02-23 | 1999-02-23 | 導電性層のエッチング法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6379569B1 (ja) |
| EP (2) | EP0937691A1 (ja) |
| JP (1) | JP4237322B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990072818A (ja) |
| FR (1) | FR2775280B1 (ja) |
| TW (1) | TW522175B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002348684A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-12-04 | Xerox Corp | マスキング方法、薄膜にパターン形成する方法及びマスキングプロセスの実行方法 |
| WO2006041153A1 (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 導電性パターンおよび電子デバイスの製造方法、ならびに電子デバイス |
| JP2008517453A (ja) * | 2004-10-19 | 2008-05-22 | サン−ゴバン グラス フランス | 導電層のエッチング装置およびエッチング方法 |
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