KR101431503B1 - 태양전지 제조방법에서 이용가능한 부식 마스크 - Google Patents
태양전지 제조방법에서 이용가능한 부식 마스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101431503B1 KR101431503B1 KR1020097004655A KR20097004655A KR101431503B1 KR 101431503 B1 KR101431503 B1 KR 101431503B1 KR 1020097004655 A KR1020097004655 A KR 1020097004655A KR 20097004655 A KR20097004655 A KR 20097004655A KR 101431503 B1 KR101431503 B1 KR 101431503B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ink
- alkali
- substrate
- acid
- soluble
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000001993 wax Substances 0.000 claims description 15
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical class OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical group CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 claims description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000011511 automated evaluation Methods 0.000 claims 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 79
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000002585 base Substances 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 3
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 3
- TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyanobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1C#N TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000029797 Prion Human genes 0.000 description 1
- 108091000054 Prion Proteins 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010002 mechanical finishing Methods 0.000 description 1
- 239000008239 natural water Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 229920002523 polyethylene Glycol 1000 Polymers 0.000 description 1
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/30—Inkjet printing inks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/30—Inkjet printing inks
- C09D11/34—Hot-melt inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은 i) 방식막 이미지를 형성하기 위하여 실리콘 웨이퍼를 포함한 기판상에 알칼리 제거성 수불용성 핫멜트 잉크 제트 잉크를 잉크 제트 인쇄하는 단계; ii) 기판을 수성 산 매질에서 부식 또는 도금하는 단계; 및 iii) 알칼리 수용액으로 방식막 이미지를 제거하는 단계로 구성된 태양전지 제조방법이 제공된다.
Description
본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양광을 전기에너지로 전환시키는 공지의 기구이다. 이러한 태양전지는 다수의 p형 및 n형 영역들을 포함한 실리콘 웨이퍼로 구성되며, 태양광에 노출될 때 이들 영역에서 전위차 및 전류가 발생된다.
베이스 실리콘 웨이퍼에 부가되어, 태양전지는 도핑영역들로부터 전기를 집전하기 위한 전기적 접촉 구조를 포함한다. 일반적으로 이들 구조는 절연층 및 부동태층(passivating layers) 층을 가지는 하나 또는 그 이상의 금속층, 및 지지 프레임과의 양호한 솔더 접합을 위한 솔더 가능한 금속의 최상층을 포함한다. 태양전지는, 예를들면 US6,333,457, US2004/0200520 및 US6,337,283에 기재된다.
태양전지 제조, 특히 전기적 접합구조 형성에 있어서 여러 단계의 전기도금 및/또는 부식(etching)공정이 포함된다. 예를들면, 이산화규소 부동태층 특정영역을 부식하여 이후 증착되는 금속층이 웨이퍼 도핑영역과 접촉되도록 하거나, 구리와 같은 전도성 금속을 특정 패턴으로 증착시켜, 말하자면 n형 영역이 아닌 p형 영역과만 접촉되도록 할 필요가 있다.
웨이퍼 소정영역을 선택적으로 부식 및 도금하는 방법은 방식막(resist)인 보호 마스킹 재료를 부식 또는 도금되지 않을 영역에 인가하는 것이고, 이에 따라 이들 영역에서 부식 또는 도금을 막고, 웨이퍼에 대하여 부식 또는 도금 공정을 수행하고, 이후 방식막은 일반적으로 수용성 알칼리를 분사하거나 세척하여 제거된다.
통상적으로, 스크린 인쇄를 통하여 방식막은 웨이퍼에 인가된다. 본 기술은 양호한 이미지 선명도를 제공하며 신뢰할 수 있다. 태양전지 제조에 있어서 방식막 스크린 인쇄는, 예를 들면 WO 2005/013323 및 WO 2005/011979 에 기재된다.
최근에, 더욱 높은 정밀도를 가지는 전기적 접촉구조를 만들기 위하여 더 얇고, 더욱 정교한 실리콘 웨이퍼를 사용하려는 경향이 있다. 따라서 부식 및/또는 도금 방법의 개선이 요망된다.
발명의 요약
본 발명은, i) 방식막 이미지를 형성하기 위하여 실리콘 웨이퍼로 구성된 기판상에 알칼리 제거성 수불용성 핫멜트 잉크 제트 잉크를 잉크 제트 인쇄하는 단계; ii) 기판을 수성 산 매질에서 부식 또는 도금하는 단계; 및 iii) 알칼리 수용액으로 방식막 이미지를 제거하는 단계로 구성된, 태양전지 제조방법을 제공한다.
발명의 상세한 설명
유연성 브레이드 또는 스퀴지를 이용하여 방식막을 인가하는 스크린 인쇄와는 달리 잉크 제트 인쇄는 비-접촉 방법이다. 따라서 잉크 제트 인쇄는 거의 기판에 응력을 가하지 않는다. 또한 스크린 인쇄에서 필요한 중간 아트워크가 필요하지 않고 잉크 제트 인쇄는 컴퓨터로부터 직접 이미지를 형성할 수 있다.
방식막 잉크는 핫멜트 잉크를 인쇄하기에 적합한 잉크 제트 프린터를 이용하여 기판에 인쇄될 수 있다. 핫멜트 잉크 인쇄에 적합한 프린트 헤드는 Spectra에서 입수된다.
본 발명에 의한 방법은 태양전지 제조에 있어서 임의의 적합한 단계에서 적용될 수 있다. 기판은 태양전지에서 사용되는 타입의 도핑 되거나 또는 도핑 되지 않은 베이스 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 선택적으로 기판은 하나 또는 그 이상의 코팅들 또는 층들, 예를들면 이산화규소와 같은 부동태층 및/또는 하나 또는 그 이상의 금속층들을 가지는 실리콘 웨이퍼일 수 있다.
기판은 최소한 하나의 표면에 이산화규소 부동태층을 가지는 실리콘 웨이퍼일 수 있고, 여기에 i) 단계에서 잉크 제트 잉크는 인쇄되고 ii)단계에서 예를들면 불화수소 및/또는 불화암모늄 수용액을 이용하여 부식된다.
기판은 표면 금속층을 가지는 실리콘 웨이퍼 표면을 포함할 수 있고, 여기에 잉크 제트 잉크가 인쇄된다. 금속은 태양전지 제조에 사용되는 부식 또는 도금되는 임의의 금속 (금속 혼합물 포함)일 수 있고, 예를들면 구리, 티타늄-텅스텐 또는 알루미늄이다. 공정은 전기도금에 의하여 기판 금속층에 구리 또는 주석층과 같은 또 다른 금속층을 적층하는 단계를 포함한다. 전기도금은 일반적으로는 예를들면 황산 및 금속염의 산성 용액인 전기도금매질 조(bath)에 기판을 담그거나 침지시켜 수행된다. 달리, 공정은 예를들면 황산 및 과산화수소로 이루어진 수용액 또는 "PAWN"(인산, 아세트산, 물 및 질산) 부식액을 이용하여 금속층을 부식하는 단계를 포함한다.
잉크 성분은 사용되는 특정 부식액 또는 도금액에 대하여 잉크가 안정되도록 잉크성분이 선택된다.
전기도금 또는 부식 이후, 태양전지 기판은 선택적으로 물로 1회 또는 그 이상 세척 또는 수세하여 미량의 부식액 또는 도금액을 제거한다.
방식막 잉크 이미지는 임의의 적합 방식, 예를들면 부식된 또는 도금된 기판을 알칼리 수용액 조에 담지하거나 수용성 알칼리, 예를 들면 수산화칼륨 희석액으로 분사시켜 제거될 수 있다. 바람직하게는, 잉크 및 세척 조건들은, 기계 파이프, 필터 스크린 또는 배수구를 막히게 하는 입자성 잔류물 또는 조각으로 남지 않고 잉크가 완전히 용해되는 것이다.
본 발명 공정에서 적용되는 잉크는 핫멜트 잉크이고, 즉 주위온도 25℃에서 고상이며 프린터에서 용해되고 가열되어 기판으로 분사된다. 본 발명자들은 핫멜트 잉크 제트 잉크는 특히 양호한 이미지 선명도를 부여한다는 것을 알았고, 이것은 잉크가 기판에 접촉하면 신속하게 냉각되고 고화되어 퍼지지 않기 때문이다. 종래 인쇄 분야에서의 핫멜트 잉크는 주로 탄화수소 왁스에 기초하므로 수성매질에 전혀 불용성이다. 이러한 종래 핫멜트는 유기용매로 세척하거나 기계적 다듬질에 의해서만 제거될 수 있어, 방식막으로 적용될 수 없었다. 본 발명자들은 잉크 제트용으로 적합하고 수용성 알칼리로 쉽게 제거될 수 있으면서도 태양전지 부식 및 도금에서 이용되는 산성 매질에 불용성인 핫멜트 잉크를 조성할 수 있다는 것을 알았다.
본원에서 사용되는 "알칼리 제거성"이라는 용어는 태양전지 부식 및 도금 공정에서 통상 이용되는 수용성 알칼리 조건에서 잉크가 기판으로부터 쉽게 제거될 수 있다는 것을 의미한다.
본원에서 사용되는 "수불용성"이라는 용어는 천연수(pH 7.0-6.5) 및 태양전지 부식 및 도금공정에서 통상 이용되는 산성 매질에서도 잉크가 불용성이라는 것을 의미하고, 따라서 부식 또는 도금 단계에서 또는 관련된 물 세척 단계에서 기판으로부터 제거되지 않는다는 것이다.
본원에서 사용되는 "수 세척성" 및 "알칼리 세척성" 등의 용어는 하기 실험방법에 의해 결정된 물 및 알칼리 세척성을 의미한다.
선택적으로, 잉크는 최소한 80%, 바람직하게는 최소한 90%, 더욱 바람직하게는 최소한 95%, 및 특히 바람직하게는 최소한 99% 의 알칼리 세척성을 가진다.
선택적으로, 잉크는 20% 이하, 바람직하게는 10% 이하, 더욱 바람직하게는 5% 이하, 및 특히 바람직하게는 1% 이하의 수 세척성을 가진다.
잉크는 전형적으로 수용성 알칼리에서 용해되거나 분산되는 성분들을 포함한다. 바람직하게는, 잉크는 알칼리 가용성이거나 수용성 알칼리에서 직경 10 마이크론(um) 이하 입자들로 분산되는 성분들을 포함한다. 예를들면, 많은 안료들은 수용성 알칼리에서 용해되지 않지만 잉크가 기판에서 세척될 때 직경 10㎛ (즉, 10 마이크론 채를 통과함) 이하의 입자들로 분산될 수 있다. 바람직하게는, 잉크는 최소한 95%, 더욱 바람직하게는 최소한 98%, 및 특히 바람직하게는 99%의 수용성 알칼리 가용성 성분들을 포함한다. 바람직하게는, 잉크는 최소한 95%, 더욱 바람직하게는 최소한 98%, 및 특히 바람직하게는 최소한 99중량%의, 최소한 80%, 바람직하게는 최소한 90%, 더욱 바람직하게는 최소한 95%, 및 특히 바람직하게는 최소한 99%의 알칼리 세척성을 가지는 성분을 포함한다.
잉크는 알칼리 가용성 왁스를 포함할 수 있다. 알칼리 가용성 왁스는 카르복실산과 같은 유기산일 수 있다. 적합한 알칼리 가용성 왁스는 미리스트산, 스테아르산, 팔미트산, 라우르산 및 Baker Petrolite로부터 입수되는 Unicid 범위와 같은 기타 산 관능성 왁스이다. 미리스트산이 바람직하다. 왁스는 바람직하게는 최소한 80%, 더욱 바람직하게는 최소한 90%, 특히 바람직하게는 최소한 95%, 및 가장 바람직하게는 최소한 99%의 알칼리 세척성을 가진다. 잉크는 선택적으로는 최소한 30%, 바람직하게는 50중량%의 하나 또는 그 이상의 알칼리 가용성 왁스를 포함한다. 선택적으로, 잉크는 99% 이하, 바람직하게는 90중량% 이하의 알칼리 가용성 왁스 또는 왁스들로 구성된다.
바람직하게는, 잉크는 40~80℃, 바람직하게는 40~60℃ 범위의 녹는점을 가지는 하나 또는 그 이상의 알칼리 가용성 왁스를 포함한다. 세척단계에서 사용되는 수용성 알칼리가 왁스 녹는점과 동등 또는 그 이상의 온도로 가열되면, 왁스는 세척단계에서 녹고 잉크는 태양전지 기판으로부터 더욱 신속하게 제거될 것이다. 물론, 부식 또는 도금단계에서 온도 상승이 요구된다면, 잉크가 상기 상승온도에서 녹지 않거나 연화되지 않도록 잉크 성분들이 선택되어야 한다.
상기된 바와 같이, 잉크는 실리콘, 이산화규소 또는 금속인 표면에 인쇄될 수 있다. 잉크는 기판에 수용될 수 있는 부착력을 가져야 하며 이에 따라 부식 또는 도금 단계에서 기판으로부터 떨어지지 않아야 한다.
일반적으로, 수지는 기판 부착성을 높인다. 바람직하게는, 수지는 최소한 80%, 더 바람직하게는 최소한 90%, 특히 바람직하게는 최소한 95%, 및 가장 바람직하게는 최소한 99%의 알칼리 세척성을 가진다. 적합한 알칼리 가용성 수지는 산 관능성 로진, 변성 로진 및 잔류 산가를 가지는 변성 로진 에스테르를 포함하고 또한 Lawter로부터의 Ennesin M57w, Ennesin PM45/HMP, Ennesin EM65, Hexion로부터의 Prince 2000, Prince 6500 및 Hercules, Pinova 등으로부터의 기타 제품 등을 포함한다. 산가를 가지는 로진 에스테르 수지가 바람직한 알칼리 가용성 수지이다. 이들은 바람직하게는 기판 부착성을 향상시키지만, 잉크 용융점도를 높여서 분산되기 어렵게 할 수 있다. 선택적으로, 잉크는 최대한 40중량%, 바람직하게는 20중량%의 알칼리 가용성 수지 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 바람직하게는, 잉크는 최소한 2%, 더욱 바람직하게는 최소한 5중량%의 알칼리 가용성 수지 또는 이러한 수지들의 혼합물을 포함한다.
착색제를 잉크에 포함시키는 것이 필수적이지는 않지만, 잉크는 바람직하게는 안료 또는 염료 또는 형광제와 같은 착색제를 포함하여 방식막 이미지가 쉽게 감지될 수 있다. 유리하게는, 본 발명의 공정은 방식막 이미지 감지 및 평가 단계를 포함한다. 이러한 단계를 통하여 상당한 결함을 가지는 방식막 이미지를 포함하는 태양전지를 제외시켜 전반적인 공정 기술을 개선시킬 수 있다. 바람직하게는, 감지 및 평가 단계는 자동화된다. 착색제는 염료, 예를들면 잉크에 용해될 수 있는 염료, 예를들면 Ciba로부터의 Orasol 용매 용해성 염료 또는 BASF로부터의 Oilsol과 같은 적합한 지방/오일 용해성 염료일 수 있다. 형광제를 가지는 잉크는 특히 자동화 감지 및 평가에 적합하다.
잉크는 안정제 및 습윤제와 같은 종래 잉크 첨가제들을 더욱 포함할 수 있다. 바람직하게는, 잉크는 최소한 하나의 안정제, 착색제, 산화방지제 또는 습윤제를 포함한다.
실리콘 웨이퍼 및 태양전지에 존재하는 몇몇 기타 재료, 예를들면 이산화규소 부동태층은 더 단단한 재료와 접촉되면 쉽게 긁힌다. 이들 층에서의 결함은 전류누설 및 효율 손실에 이를 수 있다. 이러한 이유로, 인쇄 표면 정도 또는 더 단단한 입자성 재료들은 잉크에 포함되지 않는 것이 바람직하다. 이산화규소는 때로는 첨가제로 잉크에 사용된다. 바람직하게는, 잉크는 1 중량%이하, 더욱 바람직하게는 0.01 중량% 이하의 이산화규소를 포함한다.
효과적으로 분사되기 위하여 잉크는 낮은 용융점도를 가지는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 잉크는 50~125℃ 온도범위에서 20mPas 이하, 더욱 바람직하게는 12mPas 이하의 점도를 가진다. 유리하게는, 잉크는 Spectra Nova 256 또는 S-class 프린트 헤드로 인쇄되기에 적합하다.
잉크 및 잉크 성분들의 알칼리 세척성 평가 실험 방법
1) 구리판 (약 25 mm x 75 mm x 1mm 두께)을 취하여 소수점 네 자리까지 무게Wt(베이스)를 측정한다.
2) 실험잉크는 약 15-30 마이크론 두께의 층으로 구리판 절반을 코팅한다. 24 마이크론 드로우다운 바 (Meyer 로드)로 코팅한다. 상기 범위에서 코팅물의 정확한 두께는 중요하지 않다.
3) 코팅된 구리판 무게 Wt(베이스+잉크)를 측정한다.
4) 코팅된 구리판을 50℃의 5% KOH 수용액 함유 비이커에 담근다. KOH 용액에서 5분간 구리판을 좌우로 휘젓는다.
5) KOH 용액에서 구리판을 꺼내서 흐르는 물로 세척한다. 세척수를 비이커에 수집한다.
6) 구리판을 40℃ 오븐에서 30분간 건조시킨다.
7) 구리판 무게 Wt(베이스+잔류물)을 측정한다.
알칼리 세척성을 다음 식으로 계산한다:
알칼리 세척성 =
(Wt(베이스+잉크))-Wt(베이스+잔류물))/(Wt(베이스+잉크)-Wt(베이스))x100
덩어리, 조각 및 파편 형태의 큰(<1mm) 잉크 조각이 KOH 용액 및 세척액에 포함되지 않는 잉크 또는 잉크 성분들 바람직하다.
잉크 및 잉크 성분들의 수 세척성 평가 실험 방법
1) 구리판 (약 25 mm x 75 mm x 1mm 두께)을 취하여 소수점 네 자리까지 무게Wt(베이스)를 측정한다.
2) 실험잉크는 약 15-30 마이크론 두께의 층으로 구리판 절반을 코팅한다. 24 마이크론 드로우다운 바 (Meyer 로드)로 코팅한다. 상기 범위에서 코팅물의 정확한 두께는 중요하지 않다.
3) 코팅된 구리판 무게 Wt(베이스+잉크)를 측정한다.
4) 코팅된 구리판을 50℃의 물을 함유한 비이커에 담근다. 물에서 5분간 구리판을 좌우로 휘젓는다.
5) 물에서 구리판을 꺼내서 흐르는 물로 세척한다. 세척수를 비이커에 수집한다.
6) 구리판을 40℃ 오븐에서 30분간 건조시킨다.
7) 구리판 무게 Wt(베이스+잔류물)을 측정한다.
8) 수 세척성을 다음 식으로 계산한다:
수 세척성 =
(Wt(베이스+잉크))-Wt(베이스+잔류물))/(Wt(베이스+잉크)-Wt(베이스))x100
실시예
본 발명의 특정 실시예들은 예시적 목적으로만 기재될 것이다.
표에 보이는 조성들 잉크들이 제조되었다. 잉크들은 알칼리 및 수 세척성 실험되었고 결과는 표에 기재된다.
실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 실시예 4 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
Unilin 425 (2) | 79.5 | |||||
PEG 1000 | 98.5 | |||||
미리스트산 | 98.5 | 88.5 | 60 | |||
스테아르산 | 28.5 | 88.5 | ||||
로진 에스테르 수지(1) | 10 | 10 | 10 | 19 | ||
염료-Orasol Black RLI (3) | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
Tween 80 습윤제 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
점도 cps @ 온도 | 8.1 | 12.6 | 12.6 | 12.4 | 10.3 | 11.9 |
60℃ | 60℃ | 70℃ | 75℃ | 125℃ | 115℃ | |
알칼리 세척성 % | 100 | 100 | 100 | 98 | 0 | 100 |
수 세척성 % | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 |
참고: (1) = Lawter로부터 입수된 Ennesin M57W, (2) Baker Petrolite로부터 입수, (3) Ciba로부터 입수
확인되는 바와 같이, 실시예 잉크들 1~4 각각은 잉크 제트 인쇄에 적합한 용융점도를 가진다. 이들은 모두 상당히 알칼리 세척성이지만 수 세척성은 아니다.
비교예 1은 전형적인 종래 핫멜트 잉크 제트 잉크조성물이다. 표에서 보이는 바와 같이, 이것은 알칼리 제거성이 아니다. 따라서 수용성 알칼리 세척에 의해 기판에서 제거되지 않을 것이다.
비교예 2는 수용성 핫멜트 잉크 제트 잉크이다. 표에서 보이는 바와 같이, 이것은 수용성 알칼리 및 또한 물에 의해 제거될 수 있다. 따라서 부식 또는 도금단계에서 또는 이러한 단계와 관련된 물 세척에서 제거될 수 있다.
Claims (17)
- i) 기판상에 방식막(resist) 이미지를 형성하기 위하여 실리콘 웨이퍼를 포함한 기판상에 알칼리 제거성 수불용성 핫멜트 잉크 제트 잉크를 잉크 제트 인쇄하는 단계; ii) 기판을 수성 산 매질에서 부식(etching) 또는 도금하는 단계; 및 iii) 알칼리 수용액(aqueous alkali)으로 방식막 이미지를 제거하는 단계로 구성되고,상기 잉크가 50~125℃ 온도 범위에서 20mPas 이하의 낮은 용융점도를 갖고, 30중량% 이상 99중량% 이하의 하나 이상의 알칼리 가용성 왁스를 포함하며,상기 하나 이상의 알칼리 가용성 왁스가 80% 이상의 알칼리 세척성을 갖는, 태양전지 제조방법.
- 제1항에 있어서, 기판은 최소한 하나의 표면에 이산화규소 부동태층을 가지는 실리콘 웨이퍼이며, i) 단계에서 잉크 제트 잉크는 부동태층에 인쇄되고 ii)단계에서 부동태층은 부식되는, 태양전지 제조방법.
- 제2항에 있어서, 부동태층은 불화수소 및/또는 불화암모늄 수용액을 이용하여 부식되는, 태양전지 제조방법.
- 제1항에 있어서, 기판은 표면 금속층을 가지며, i) 단계에서 잉크 제트 잉크는 금속층에 인쇄되는, 태양전지 제조방법.
- 제4항에 있어서, 금속층은 구리, 티타늄-텅스텐 또는 알루미늄 층인, 태양전지 제조방법.
- 제4항에 있어서, ii) 단계에서, 구리 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 금속을 기판의 금속 층 상에 전기 도금하는 것을 더 포함하는, 태양전지 제조방법.
- 제6항에 있어서, ii) 단계의 전기도금이 기판을 황산 및 금속염 수용액 조에 담지하는 것을 포함하는, 태양전지 제조방법.
- 제4항에 있어서, ii) 단계에서 금속층이 부식되는, 태양전지 제조방법.
- 제8항에 있어서, 부식은 황산 및 과산화수소로 구성된 수용액을 사용하여 수행되는, 태양전지 제조방법.
- 제8항에 있어서, 부식은 "PAWN" 부식액을 사용하여 수행되는, 태양전지 제조방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, i) 단계 이후 방식막 이미지는 결함 감지용 자동화 평가 장비에 의해 평가되는, 태양전지 제조방법.
- 제11항에 있어서, 잉크는 착색제 또는 형광제를 포함하며, 자동화 평가는 이미지 광 감지를 포함하는, 태양전지 제조방법.
- 제12항에 있어서, iii) 단계에서, 수용성 알칼리는 수산화칼륨 수용액인, 태양전지 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제거하는 iii) 단계에서, 방식막 잉크는 알칼리 수용액에 분산되어 5중량% 이하의 방식막 잉크만이 10 마이크론 필터에 걸리는 입자형태인 용액을 형성하는, 태양전지 제조방법.
- 제14항에 있어서, 잉크는 실질적으로 입자들이 없는, 태양전지 제조방법.
- 제15항에 따른 방법에 의해 제조된 태양전지.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 알칼리 가용성 왁스가 미리스트산, 스테아르산, 팔미트산 및 라우르산으로부터 선택되는, 태양전지 제조방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0615651.7A GB0615651D0 (en) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | A process for manufacturing solar cells |
GB0615651.7 | 2006-08-07 | ||
PCT/US2007/075255 WO2008021782A2 (en) | 2006-08-07 | 2007-08-06 | An etching mask usable in a process for manufacturing solar cells |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090042950A KR20090042950A (ko) | 2009-05-04 |
KR101431503B1 true KR101431503B1 (ko) | 2014-08-21 |
Family
ID=37027355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020097004655A KR101431503B1 (ko) | 2006-08-07 | 2007-08-06 | 태양전지 제조방법에서 이용가능한 부식 마스크 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8999180B2 (ko) |
EP (1) | EP2052415B1 (ko) |
KR (1) | KR101431503B1 (ko) |
CN (1) | CN101523616B (ko) |
GB (1) | GB0615651D0 (ko) |
MY (1) | MY148353A (ko) |
WO (1) | WO2008021782A2 (ko) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2304814A2 (de) | 2008-06-18 | 2011-04-06 | Basf Se | Verfahren zur herstellung von elektroden für solarzellen |
DE102008029107B4 (de) * | 2008-06-20 | 2010-02-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates |
JP5734734B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2015-06-17 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 半導体上に電流トラックを形成する方法 |
JP5830323B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2015-12-09 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 半導体上からホットメルトエッチングレジストを剥離する改良された方法 |
CN102637774A (zh) * | 2012-04-01 | 2012-08-15 | 吉阳设备(海安)有限公司 | 一种全自动化se电池量产腐蚀装置及加工方法 |
US8951427B2 (en) * | 2012-05-10 | 2015-02-10 | Oce Technologies B.V. | Hot melt composition and a method and system for manufacturing electronic and/or optical components using such a hot melt composition |
US9583669B2 (en) * | 2012-08-16 | 2017-02-28 | Sun Chemical Corporation | Inkjet printable etch resist |
CN103208560A (zh) * | 2013-03-22 | 2013-07-17 | 江苏荣马新能源有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池石蜡掩膜处理方法 |
CN104681641A (zh) * | 2013-11-29 | 2015-06-03 | 比亚迪股份有限公司 | 抗蚀刻剂及其制备方法、se晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
US20170271536A1 (en) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Solarcity Corporation | System and method for creating a pattern on a photovoltaic structure |
US10937915B2 (en) | 2016-10-28 | 2021-03-02 | Tesla, Inc. | Obscuring, color matching, and camouflaging solar panels |
ES2887981T3 (es) | 2017-03-01 | 2021-12-29 | Tesla Inc | Sistema y procedimiento de embalaje de tejas de tejado fotovoltaicas |
US10381973B2 (en) | 2017-05-17 | 2019-08-13 | Tesla, Inc. | Uniformly and directionally colored photovoltaic modules |
US11258398B2 (en) | 2017-06-05 | 2022-02-22 | Tesla, Inc. | Multi-region solar roofing modules |
US10734938B2 (en) | 2017-07-21 | 2020-08-04 | Tesla, Inc. | Packaging for solar roof tiles |
US10857764B2 (en) | 2017-07-25 | 2020-12-08 | Tesla, Inc. | Method for improving adhesion between glass cover and encapsulant for solar roof tiles |
US10978990B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-04-13 | Tesla, Inc. | Glass cover with optical-filtering coating for managing color of a solar roof tile |
US10454409B2 (en) | 2018-02-02 | 2019-10-22 | Tesla, Inc. | Non-flat solar roof tiles |
US10862420B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-12-08 | Tesla, Inc. | Inter-tile support for solar roof tiles |
US11190128B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-11-30 | Tesla, Inc. | Parallel-connected solar roof tile modules |
US11431279B2 (en) | 2018-07-02 | 2022-08-30 | Tesla, Inc. | Solar roof tile with a uniform appearance |
US11082005B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-08-03 | Tesla, Inc. | External electrical contact for solar roof tiles |
US11245354B2 (en) | 2018-07-31 | 2022-02-08 | Tesla, Inc. | Solar roof tile spacer with embedded circuitry |
US11245355B2 (en) | 2018-09-04 | 2022-02-08 | Tesla, Inc. | Solar roof tile module |
US11581843B2 (en) | 2018-09-14 | 2023-02-14 | Tesla, Inc. | Solar roof tile free of back encapsulant layer |
US11431280B2 (en) | 2019-08-06 | 2022-08-30 | Tesla, Inc. | System and method for improving color appearance of solar roofs |
CN111430472A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-17 | 南通大学 | 一种用于刻蚀太阳能电池钝化层的浆料及其制备与应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031131A (ja) * | 1998-02-23 | 2000-01-28 | Saint Gobain Vitrage | 導電性層のエッチング法 |
WO2003075351A2 (en) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Akzo Nobel N.V. | Process for manufacturing a solar cell unit using a temporary substrate |
WO2005045098A1 (en) * | 2003-10-25 | 2005-05-19 | Fujifilm Imaging Colorants Limited | Process for etching metal and alloy surfaces |
US6998288B1 (en) * | 2003-10-03 | 2006-02-14 | Sunpower Corporation | Use of doped silicon dioxide in the fabrication of solar cells |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4251327A (en) | 1980-01-14 | 1981-02-17 | Motorola, Inc. | Electroplating method |
US4758276A (en) | 1981-12-17 | 1988-07-19 | Dataproducts Corporation | Stearic acid-containing ink jet inks |
JPH032504A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
US5011565A (en) | 1989-12-06 | 1991-04-30 | Mobil Solar Energy Corporation | Dotted contact solar cell and method of making same |
US5882435A (en) | 1993-09-30 | 1999-03-16 | Siemens Solar Gmbh | Process for the metal coating of solar cells made of crystalline silicon |
JPH07278477A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-24 | Brother Ind Ltd | インクジェットプリンタ用ホットメルトインク |
US5965196A (en) | 1996-06-14 | 1999-10-12 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for controlling transparency of print |
JP2001501035A (ja) * | 1996-09-26 | 2001-01-23 | アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ | 光起電箔の製造法 |
US5779779A (en) * | 1996-09-27 | 1998-07-14 | Dataproducts Corporation | UV-blocking hot melt inks |
DE69815733T2 (de) * | 1997-03-14 | 2003-12-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photographischer Rollfilm |
US6048406A (en) | 1997-04-08 | 2000-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Benign method for etching silicon dioxide |
US6149828A (en) * | 1997-05-05 | 2000-11-21 | Micron Technology, Inc. | Supercritical etching compositions and method of using same |
US6071398A (en) * | 1997-10-06 | 2000-06-06 | Learonal, Inc. | Programmed pulse electroplating process |
JP2000044857A (ja) * | 1998-05-29 | 2000-02-15 | Brother Ind Ltd | 熱溶融性インクおよびインクジェット式記録装置 |
US6630285B2 (en) * | 1998-10-15 | 2003-10-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | Positive sensitive resin composition and a process for forming a resist pattern therewith |
US6467897B1 (en) | 2001-01-08 | 2002-10-22 | 3M Innovative Properties Company | Energy curable inks and other compositions incorporating surface modified, nanometer-sized particles |
JP4302335B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2009-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 太陽電池の作製方法 |
JP2005118769A (ja) | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | パターン形成 |
EP1630600A3 (en) | 2004-07-29 | 2006-03-22 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Hot melt composition and method involving forming a masking pattern |
TWI444445B (zh) | 2008-06-23 | 2014-07-11 | Sicpa Holding Sa | 包含樹枝狀聚合物之凹版印刷墨水 |
ATE516693T1 (de) | 2008-11-04 | 2011-07-15 | Rohm & Haas Elect Mat | Verbesserte schmelzzusammensetzungen |
JP5734734B2 (ja) | 2010-05-18 | 2015-06-17 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 半導体上に電流トラックを形成する方法 |
-
2006
- 2006-08-07 GB GBGB0615651.7A patent/GB0615651D0/en not_active Ceased
-
2007
- 2007-08-06 KR KR1020097004655A patent/KR101431503B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-06 EP EP07800024.7A patent/EP2052415B1/en active Active
- 2007-08-06 US US12/375,510 patent/US8999180B2/en active Active
- 2007-08-06 WO PCT/US2007/075255 patent/WO2008021782A2/en active Application Filing
- 2007-08-06 CN CN2007800366444A patent/CN101523616B/zh active Active
- 2007-08-06 MY MYPI20090474A patent/MY148353A/en unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031131A (ja) * | 1998-02-23 | 2000-01-28 | Saint Gobain Vitrage | 導電性層のエッチング法 |
WO2003075351A2 (en) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Akzo Nobel N.V. | Process for manufacturing a solar cell unit using a temporary substrate |
US6998288B1 (en) * | 2003-10-03 | 2006-02-14 | Sunpower Corporation | Use of doped silicon dioxide in the fabrication of solar cells |
WO2005045098A1 (en) * | 2003-10-25 | 2005-05-19 | Fujifilm Imaging Colorants Limited | Process for etching metal and alloy surfaces |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101523616B (zh) | 2012-07-04 |
CN101523616A (zh) | 2009-09-02 |
GB0615651D0 (en) | 2006-09-13 |
US20090308435A1 (en) | 2009-12-17 |
US8999180B2 (en) | 2015-04-07 |
WO2008021782A3 (en) | 2008-12-31 |
EP2052415B1 (en) | 2016-10-05 |
EP2052415A2 (en) | 2009-04-29 |
KR20090042950A (ko) | 2009-05-04 |
WO2008021782A2 (en) | 2008-02-21 |
MY148353A (en) | 2013-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101431503B1 (ko) | 태양전지 제조방법에서 이용가능한 부식 마스크 | |
KR101473689B1 (ko) | 부식 또는 도금방법 및 방식막 잉크 | |
JPH04503079A (ja) | 電子回路の洗浄用二塩基性エステル | |
JP4716225B2 (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物 | |
TW439013B (en) | Photoresist stripping composition | |
EP2718767B1 (en) | Composition of solutions and conditions for use enabling the stripping and complete dissolution of photoresists | |
KR101691850B1 (ko) | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 | |
US8951427B2 (en) | Hot melt composition and a method and system for manufacturing electronic and/or optical components using such a hot melt composition | |
US6800141B2 (en) | Semi-aqueous solvent based method of cleaning rosin flux residue | |
CN101827927B (zh) | 一种等离子刻蚀残留物清洗液 | |
CN109634071B (zh) | 一种用于显示面板和半导体领域的水基型光刻胶剥离液 | |
CN108774597B (zh) | 一种线路板酸性清洗剂及其制备方法 | |
CN101253258B (zh) | 用于自工件表面去除离子污染物的水溶液及方法 | |
EP2920809B1 (en) | Compositions and processes for fabrication of rear passivated solar cells | |
CN110741738B (zh) | 漂洗剂以及漂洗剂的使用方法 | |
KR20160104454A (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 | |
KR20080054714A (ko) | 레지스트 박리용 알칼리 조성물 | |
CN109055029B (zh) | 一种pcb碱性清洗剂及其制备方法 | |
KR101696390B1 (ko) | Tft-lcd 또는 반도체 소자용 세정제 조성물 | |
KR101766209B1 (ko) | 오프셋 인쇄용 요판 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 | |
TW202231863A (zh) | 樹脂遮罩層剝離用洗淨劑組合物 | |
KR20170041366A (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 | |
KR20160034600A (ko) | 금속막용 세정제 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170728 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180731 Year of fee payment: 5 |