JP2000022317A - Printed wiring board and manufacture thereof - Google Patents

Printed wiring board and manufacture thereof

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JP2000022317A
JP2000022317A JP10202691A JP20269198A JP2000022317A JP 2000022317 A JP2000022317 A JP 2000022317A JP 10202691 A JP10202691 A JP 10202691A JP 20269198 A JP20269198 A JP 20269198A JP 2000022317 A JP2000022317 A JP 2000022317A
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solder resist
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solder
printed wiring
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    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed wiring board superior in connection property and reliability and manufacture thereof whereby it is possible to surely form a Ni plating layer at openings of a solder resist layer and raise the adhesion to an underfill at mounting. SOLUTION: Org. residues on a metal surface (roughed surface 162) in openings and oxide film layer on the surface of a solder resist layer 70 formed on a board 30 are removed by an O plasma, hence an Ni plating layer 72 can be adequately precipitated on the roughened surface 162, and the adhesion to an underfill 88 can be raised because of the raised wettability of the solder resist layer 70.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半田バンプを介
して集積回路チップを載置するパッケージ基板等を形成
するプリント配線板およびその製造方法に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed wiring board for forming a package substrate or the like on which an integrated circuit chip is mounted via solder bumps, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】図13に従来技術に係るパッケージ基板
を構成するプリント配線板を示す。該プリント配線板2
10では、ICチップ290を実装するために、半田バ
ンプ276を形成し、これら半田バンプ276が互い融
着しないようにソルダーレジスト層270を設けてあ
る。具体的には、導体回路258からなる半田パッド2
75の上にソルダーレジスト層270を設け、この開口
271にニッケルめっき層272、金めっき層274を
設けた後、半田ペースト等を印刷、リフローして半田バ
ンプ276を形成する。そして、該半田バンプ276を
介してICチップ290を取り付けた後、該半田バンプ
276とICチップ290との接続信頼性を高めるため
に、ICチップ290とプリント配線板との間にアンダ
ーフィル(封止用樹脂)288を充填する。現在、IC
チップの高集積化に伴い、半田バンプ276がファイン
ピッチ化し、ソルダーレジスト270の開口が小径にな
っている。
2. Description of the Related Art FIG. 13 shows a printed wiring board constituting a package substrate according to the prior art. The printed wiring board 2
In FIG. 10, in order to mount the IC chip 290, solder bumps 276 are formed, and a solder resist layer 270 is provided so that the solder bumps 276 do not fuse with each other. Specifically, the solder pad 2 composed of the conductor circuit 258
A solder resist layer 270 is provided on the substrate 75, a nickel plating layer 272 and a gold plating layer 274 are provided in the openings 271, and a solder paste or the like is printed and reflowed to form solder bumps 276. After the IC chip 290 is attached via the solder bump 276, an underfill (sealing) is provided between the IC chip 290 and the printed wiring board in order to enhance the connection reliability between the solder bump 276 and the IC chip 290. 288). Currently IC
As the integration density of the chip increases, the pitch of the solder bumps 276 becomes finer, and the diameter of the opening of the solder resist 270 becomes smaller.

【0003】また、現在、導体回路258に上述したニ
ッケルめっき層及び金めっき層を介さずに、半田ペース
トを直接印刷して半田バンプを形成する方法も採用され
ている。
At present, a method of directly printing a solder paste on the conductor circuit 258 without using the above-described nickel plating layer and gold plating layer to form a solder bump is also adopted.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ソルダ
ーレジスト270の開口部271にニッケルめっき層2
72を形成させる際、該開口部271の径が小さいた
め、めっき液の回り込みが悪くなり、未反応、反応停止
により、ニッケル層272の厚みが薄くなる、または、
ニッケルめっき層が形成されないことがあり、接続不良
の原因となっている。一方、銅導体上にニッケル及び金
めっき層を介さずに、半田バンプを直接形成する際、半
田バンプと導体回路258との接合が取れず、ICチッ
プとプリント配線板との接続不良が発生するという問題
が起こった。
However, the nickel plating layer 2 is formed in the opening 271 of the solder resist 270.
When forming 72, the diameter of the opening 271 is small, so that the plating solution does not easily flow around, and the thickness of the nickel layer 272 is reduced due to unreaction and reaction stop, or
The nickel plating layer may not be formed, which causes a connection failure. On the other hand, when the solder bumps are formed directly on the copper conductor without the intermediary of the nickel and gold plating layers, the solder bumps and the conductor circuit 258 cannot be joined, resulting in poor connection between the IC chip and the printed wiring board. The problem occurred.

【0005】また、ICチップ290とプリント配線板
210との接続信頼性を長期に渡り保つためには、実装
時にアンダーフィル288とソルダーレジスト層270
との密着性を高める必要がある。即ち、アンダーフィル
288とソルダーレジスト層270との密着性が低い
と、両者の界面から水分が侵入し、半田バンプ276か
ら半田のマイグレーション(鉛イオンがソルダーレジス
ト層内を拡散する現象)が発生し、半田バンプ相互の短
絡が生じる。しかしながら、ソルダーレジスト層270
の表面は、酸化膜層が形成され、濡れ性が悪いため、今
以上に密着力を高めることができない。
In order to maintain the connection reliability between the IC chip 290 and the printed wiring board 210 for a long period of time, the underfill 288 and the solder resist layer 270 are required during mounting.
It is necessary to improve the adhesiveness with the adhesive. That is, if the adhesiveness between the underfill 288 and the solder resist layer 270 is low, moisture enters from the interface between them and migration of solder from the solder bumps 276 (phenomenon in which lead ions diffuse in the solder resist layer) occurs. Then, a short circuit occurs between the solder bumps. However, the solder resist layer 270
Since the oxide film layer is formed on the surface of the substrate and the wettability is poor, the adhesion cannot be further improved.

【0006】なお、ソルダーレジスト層270の開口部
271の壁面でも同様に酸化膜層が形成されて、濡れ性
が悪くなり、ニッケルめっき層272、および、半田ペ
−ストが壁面との界面での密着不良を引き起こすことが
ある。
An oxide film layer is similarly formed on the wall surface of the opening 271 of the solder resist layer 270, so that the wettability is deteriorated. Poor adhesion may be caused.

【0007】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その主たる目的は、ソルダーレジ
スト層の開口部のニッケルめっき層の形成を確実にし、
かつ、実装時のアンダーフィルとの密着力を高めること
ができ、接続性、信頼性に優れたプリント配線板とその
製造方法を提案することにある。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and a main object of the present invention is to ensure formation of a nickel plating layer in an opening of a solder resist layer,
Another object of the present invention is to propose a printed wiring board which can enhance the adhesion to an underfill during mounting, and has excellent connectivity and reliability, and a method of manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
ようにソルダーレジスト層の開口部にめっきによるニッ
ケル層を形成させた際に、未反応、反応停止が発生する
原因を研究した。そして、適切にニッケルメッキの形成
されていない未反応部分の開口部の底部の金属表面を分
析した結果、ソルダーレジストの有機残渣が残っている
ことが分かった。その残渣により、パラジウムなどの触
媒が付与されない、または、濡れ性が低下し、反応停止
が発生していることを知見した。
Means for Solving the Problems The present inventors have studied the cause of the occurrence of unreacted or unreacted reaction when a nickel layer is formed by plating on the opening of the solder resist layer as described above. Then, as a result of analyzing the metal surface at the bottom of the opening of the unreacted portion where the nickel plating was not properly formed, it was found that an organic residue of the solder resist remained. It has been found that the residue does not provide a catalyst such as palladium or reduces the wettability, causing the reaction to stop.

【0009】また、上述したように実装時の金属バンプ
を保護するアンダーフィルとソルダーレジストとの密着
性を向上させる必要があるが、ソルダーレジストの表面
は、酸化膜層が形成され、アンダーフィルを構成する樹
脂のソルダーレジスト表面に対する接触角度が大きくな
り、濡れ性を悪くし、これが密着力を下げる原因となっ
ていた。
Further, as described above, it is necessary to improve the adhesion between the underfill for protecting the metal bumps during mounting and the solder resist. However, an oxide film layer is formed on the surface of the solder resist, and the underfill is removed. The contact angle of the constituent resin with respect to the solder resist surface becomes large, and the wettability is deteriorated, which causes the adhesion to be reduced.

【0010】そこで、酸処理によりソルダーレジスト表
面の酸化膜層を溶解させる、あるいは、研磨機等によっ
て酸化膜層を除去させることにより、接触角度を変え、
樹脂等との濡れ性を向上させる方法も考え得る。しか
し、酸処理により酸化膜層を溶解させたとしても、均一
に酸化膜を除去することはできない。また、研磨機等に
より物理的に酸化膜層を除去させると、ソルダーレジス
ト層が剥離することがあり、現実的はでない。
Therefore, the contact angle is changed by dissolving the oxide film layer on the surface of the solder resist by an acid treatment, or by removing the oxide film layer by a polishing machine or the like.
A method of improving wettability with a resin or the like can be considered. However, even if the oxide film layer is dissolved by the acid treatment, the oxide film cannot be removed uniformly. Further, if the oxide film layer is physically removed by a polishing machine or the like, the solder resist layer may be peeled off, which is not practical.

【0011】本発明者らは、開口部の有機残渣、酸化膜
層を除去し、かつ、除去時にソルダーレジスト層が耐え
られる方法を模索した結果、気体プラズマにより有機残
渣、および、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去
するという本発明に至った。すなわち、発明の要旨構成
は、以下のようである。
The present inventors have sought a method of removing the organic residue and the oxide film layer at the opening and withstanding the solder resist layer at the time of removal. As a result, the organic residue and the surface of the solder resist layer were removed by gas plasma. Of the present invention to remove the oxide film layer. That is, the gist configuration of the invention is as follows.

【0012】ソルダーレジスト層を形成し、バイアホー
ルの開口部を設けた後、プラズマによるソルダーレジス
ト層の表面処理を施す。その処理方法は、ソルダーレジ
スト層を形成したプリント配線板を真空状態にした装置
内に入れ、酸素、あるいは窒素、炭酸ガス、四フッ化炭
素のプラズマを放出させて、開口部の導体上の有機残
渣、および、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去
させる。
After forming a solder resist layer and providing openings for via holes, a surface treatment of the solder resist layer by plasma is performed. The processing method is as follows. A printed wiring board on which a solder resist layer is formed is placed in a vacuumed apparatus, and oxygen, or nitrogen, carbon dioxide, or carbon tetrafluoride plasma is released, and the organic layer on the conductor in the opening is released. The residue and the oxide film layer on the surface of the solder resist layer are removed.

【0013】プラズマ処理時間を過剰に実施すると、ソ
ルダーレジスト開口部の有機残渣は完全に除去できる
が、新たに、開口部に露出した金属表面が酸化されてし
まい、触媒が付着しにくく、濡れ性も悪くなるため、ニ
ッケルめっき層の形成を妨げるという問題が起きる。よ
って、プラズマ処理のニッケルとの密着性を向上させる
最適条件は、プラズマ放出量は、500〜1000W、
気体供給量は、100〜500sec./M、処理時間
は、1〜20分で行うのがよい。このプラズマ処理によ
り、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去し、ソル
ダーレジストの表面を損傷させることなく濡れ性を高
め、アンダーフィルとの密着性を向上させることができ
る。
If the plasma processing time is excessively performed, the organic residue in the opening of the solder resist can be completely removed, but the metal surface newly exposed in the opening is oxidized, so that the catalyst is hardly adhered and the wettability is reduced. Therefore, there arises a problem that formation of the nickel plating layer is hindered. Therefore, the optimum conditions for improving the adhesion to nickel in the plasma treatment are as follows: the plasma emission amount is 500 to 1000 W;
The gas supply amount is 100 to 500 sec. / M, the processing time is preferably 1 to 20 minutes. By this plasma treatment, the oxide film layer on the surface of the solder resist layer is removed, the wettability can be increased without damaging the surface of the solder resist, and the adhesion to the underfill can be improved.

【0014】接触角度は、ソルダーレジスト層表面に水
滴を一滴垂らし、その水滴の接触角度を測定した。ソル
ダーレジストの接触角度は40°以下が良い。これは、
接触角度が40°を越えると、濡れ性が低下してしまう
ため、アンダーフィルとソルダーレジストとの密着が低
下し、高温高湿条件で信頼性試験を行うとアンダーフィ
ルとソルダーレジストとの界面から、水が侵入しやすく
なり、半田バンプの破壊が早期に始まる。他方、ソルダ
ーレジストを種々の処理を施しても、接触角度を8°以
下にすることはできなかった。このため、接触角度は8
°〜40°の範囲であることが望ましい。
The contact angle was determined by dropping a single water droplet on the surface of the solder resist layer and measuring the contact angle of the water droplet. The contact angle of the solder resist is preferably 40 ° or less. this is,
If the contact angle exceeds 40 °, the wettability will decrease, and the adhesion between the underfill and the solder resist will decrease. As a result, water easily penetrates and the destruction of solder bumps starts early. On the other hand, even if various treatments were applied to the solder resist, the contact angle could not be reduced to 8 ° or less. Therefore, the contact angle is 8
It is desirable that the angle be in the range of ° to 40 °.

【0015】本願発明におけるソルダーレジスト層の厚
さは、5〜40μmがよい。薄すぎると半田の流れをせ
き止めるソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口
し難くなる上、半田バンプを構成する半田体と接触し、
半田体にクラックを生じさせる原因となるからである。
The thickness of the solder resist layer in the present invention is preferably 5 to 40 μm. If it is too thin, it will not function as a solder dam that blocks the flow of solder.If it is too thick, it will be difficult to open, and it will come in contact with the solder body that constitutes the solder bump,
This is because it causes cracks in the solder body.

【0016】本願発明において半田パッドとして作用す
るバイアホールは、ソルダーレジスト層により、その一
部分が露出した形態、あるいは全部が露出されてなる形
態のいずれも採用できる。前者の場合は、導体パッドも
しくはバイアホールの境界部分で生じる樹脂絶縁層のク
ラックを防止でき、後者の場合は開口位置ずれの許容範
囲を大きくすることができる。
In the present invention, the via hole functioning as a solder pad can be either partially exposed or entirely exposed by the solder resist layer. In the former case, cracking of the resin insulating layer at the boundary between the conductor pad or the via hole can be prevented, and in the latter case, the allowable range of the opening position shift can be increased.

【0017】ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂
を使用でき、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂のアクリレート、
ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂
のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤
などで硬化させた樹脂を使用できる。
As the solder resist layer, various resins can be used, for example, bisphenol A epoxy resin, acrylate of bisphenol A epoxy resin,
A novolak epoxy resin or a resin obtained by curing an acrylate of a novolak epoxy resin with an amine-based curing agent or an imidazole curing agent can be used.

【0018】特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて
半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキ
シ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレー
ト」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として
含むものが好ましい。
In particular, when an opening is provided in the solder resist layer to form a solder bump, a solder bump made of "novolak-type epoxy resin or acrylate of novolak-type epoxy resin" and containing "imidazole hardener" as a hardener is used. preferable.

【0019】このような構成のソルダーレジスト層は、
鉛のマイグレーション(鉛イオンがソルダーレジスト層
内を拡散する現象)が少ないという利点を持つ。しか
も、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹
脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶
融する温度(200 ℃前後)でも劣化せず、ニッケルめっ
き及び金めっきを行う際の強塩基性のめっき液で分解す
ることもない。
The solder resist layer having such a structure is
There is an advantage that migration of lead (phenomenon in which lead ions diffuse in the solder resist layer) is small. Moreover, this solder resist layer is a resin layer obtained by curing novolak epoxy resin acrylate with an imidazole curing agent. It has excellent heat resistance and alkali resistance, does not deteriorate even at the temperature at which the solder melts (around 200 ° C.), It does not decompose with a strongly basic plating solution when performing plating and gold plating.

【0020】しかしながら、このようなソルダーレジス
ト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生
じやすい。このため、補強層を設けることでソルダーレ
ジスト層の剥離を防止することもできる。補強層は、酸
素プラズマにて粗化を行ったソルダーレジスト層に塗布
することも可能である。更に、該補強層の表面を酸素プ
ラズマにて粗化し、アンダーフィルとの密着性を改善す
ることも好適である。
However, since such a solder resist layer is formed of a resin having a rigid skeleton, peeling is likely to occur. Therefore, the provision of the reinforcing layer can also prevent the solder resist layer from peeling off. The reinforcing layer can be applied to a solder resist layer roughened by oxygen plasma. Further, it is also preferable to roughen the surface of the reinforcing layer with oxygen plasma to improve the adhesion to the underfill.

【0021】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。
Here, as the acrylate of the novolak type epoxy resin, an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid or the like can be used.

【0022】上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。このような液状イミダゾール硬化剤としては、
1-ベンジル−2-メチルイミダゾール(品名:1B2MZ )、
1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール(品
名:2E4MZ-CN)、4-メチル−2-エチルイミダゾール(品
名:2E4MZ )を用いることができる。
The above imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. This is because a liquid can be uniformly mixed. As such a liquid imidazole curing agent,
1-benzyl-2-methylimidazole (product name: 1B2MZ),
1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (product name: 2E4MZ-CN) and 4-methyl-2-ethylimidazole (product name: 2E4MZ) can be used.

【0023】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して1〜10重量
%とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範
囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
The addition amount of the imidazole curing agent is desirably 1 to 10% by weight based on the total solid content of the solder resist composition. The reason for this is that if the added amount is within this range, uniform mixing is easy.

【0024】上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させ
ない。また、人体に対する有害性も少ない。
The composition before curing of the solder resist is as follows:
It is desirable to use a glycol ether-based solvent as the solvent. The solder resist layer using such a composition does not generate free oxygen and does not oxidize the copper pad surface. It is also less harmful to the human body.

【0025】このようなグリコールエーテル系溶媒とし
ては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル(DMDG)およびトリエ
チレングリコールジメチルエーテル(DMTG)から選
ばれるいずれか少なくとも1種を用いる。これらの溶剤
は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾ
フェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることがで
きるからである。 CH 3 O-(CH2 CH2 O) n −CH3 (n=1〜5) このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して10〜40wt%がよい。
As such a glycol ether-based solvent, one having the following structural formula, particularly preferably at least one selected from diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG) is used. This is because these solvents can completely dissolve benzophenone and Michler's ketone as reaction initiators by heating at about 30 to 50 ° C. CH 3 O— (CH 2 CH 2 O) n —CH 3 (n = 1 to 5) The glycol ether solvent is preferably 10 to 40% by weight based on the total weight of the solder resist composition.

【0026】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアI907、光増感
剤としては日本化薬製のDETX−Sがよい。さらに、
ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加しても
よい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素
としてはフタロシアニングリーンを用いることが望まし
い。
The solder resist composition as described above includes, in addition to the above, various defoaming agents and leveling agents, thermosetting resins for improving heat resistance and base resistance and imparting flexibility.
A photosensitive monomer or the like can be added to improve the resolution. For example, as the leveling agent, one made of a polymer of an acrylate ester is preferable. The initiator is preferably Irgacure I907 manufactured by Ciba-Geigy, and the photosensitizer is DETX-S manufactured by Nippon Kayaku. further,
A dye or pigment may be added to the solder resist composition. This is because the wiring pattern can be hidden. It is desirable to use phthalocyanine green as this dye.

【0027】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合(塗布性を重視する場合)には後
者がよい。
As the thermosetting resin as an additional component, a bisphenol-type epoxy resin can be used. This bisphenol type epoxy resin includes a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin, and when importance is attached to base resistance, the former is required to reduce viscosity (when importance is attached to coating properties). The latter is better.

【0028】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、多価アクリル系モノマーと
して、日本化薬製のDPE−6A、共栄社化学製のR−
604を用いることができる。
As the photosensitive monomer as an additive component, a polyvalent acrylic monomer can be used.
This is because the polyvalent acrylic monomer can improve the resolution. For example, Nippon Kayaku's DPE-6A and Kyoeisha Chemical's R-
604 can be used.

【0029】また、これらのソルダーレジスト組成物
は、25℃で0.5〜10Pa・s、より望ましくは1
〜10Pa・sがよい。ロールコータで塗布しやすい粘
度だからである。
These solder resist compositions may be used at a temperature of 25 ° C. in a range of 0.5 to 10 Pa · s,
-10 Pa · s is preferred. This is because the viscosity is easy to apply with a roll coater.

【0030】前記酸化処理は、亜塩素酸ナトリウム、水
酸化ナトリウム、リン酸ナトリウムからなる酸化剤の溶
液が望ましい。また、酸化還元処理は、上記酸化処理の
後、水酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナトリウムの溶液
に浸漬して行う。前記粗化層は、1〜5μmがよい。厚
すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると
密着性が低下するからである。
The oxidizing treatment is desirably a solution of an oxidizing agent comprising sodium chlorite, sodium hydroxide and sodium phosphate. Further, the oxidation-reduction treatment is performed by immersing the substrate in a solution of sodium hydroxide and sodium borohydride after the oxidation treatment. The thickness of the roughened layer is preferably 1 to 5 μm. If the thickness is too large, the roughened layer itself is easily damaged and peeled off, and if the thickness is too small, the adhesiveness is reduced.

【0031】本発明では、上記絶縁層もしくは層間絶縁
層として無電解めっき用接着剤を用いることが望まし
い。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは
酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてな
るものが最適である。酸、酸化剤で処理することによ
り、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状
のアンカーからなる粗化面を形成できる。
In the present invention, it is desirable to use an adhesive for electroless plating as the insulating layer or the interlayer insulating layer. The most suitable adhesive for electroless plating is one in which heat-resistant resin particles soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin hardly soluble in an acid or oxidizing agent. is there. By treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus-shaped anchor can be formed on the surface.

【0032】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
1種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1〜
0.8μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が0.8μ
mを越え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、
平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱性粉末樹脂粉末を
用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカー
を形成できるからである。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles which have been particularly hardened include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powder, a heat-resistant powder resin powder having an average particle size of 2 to 10 μm and an average particle size of 2 μm
m and a mixture with a heat-resistant resin powder having a mean particle size of 2 or less.
Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of a 10 μm heat-resistant resin powder, and an average particle diameter of 0.1 to
0.8μm heat resistant resin powder and average particle size 0.8μ
m, and a mixture with a heat-resistant resin powder of less than 2 μm,
It is desirable to use a heat-resistant resin powder having an average particle size of 0.1 to 1.0 μm. This is because they can form more complex anchors.

【0033】粗化面の深さは、Rmax=0.01〜2
0μmがよい。密着性を確保するためである。特にセミ
アディティブ法では、0.1〜5μmがよい。密着性を
確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
The depth of the roughened surface is Rmax = 0.01 to 2
0 μm is preferred. This is to ensure adhesion. Particularly, in the semi-additive method, the thickness is preferably 0.1 to 5 μm. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion.

【0034】前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂か
らなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者につ
いては耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の
開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからであ
る。
The heat-resistant resin hardly soluble in an acid or an oxidizing agent includes a “resin composite composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin” or a “resin composite composed of a photosensitive resin and a thermoplastic resin”. It is desirable to become. This is because the former has high heat resistance, and the latter can form an opening for a via hole by photolithography.

【0035】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレートが最適である。エポキシ樹脂とし
ては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。
As the thermosetting resin, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin and the like can be used. In the case of photosensitization, methacrylic acid, acrylic acid, or the like is reacted with a thermosetting group for acrylation. Particularly, acrylate of epoxy resin is most suitable. As the epoxy resin, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolak type and a cresol novolak type, and an alicyclic epoxy resin modified with dicyclopentadiene can be used.

【0036】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン(PES)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルフ
ァイド(PPES)、ポリフェニルエーテル(PP
E)、ポリエーテルイミド(PI)などを使用できる。
熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹脂の混合割合
は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可塑性樹脂=95
/5〜50/50がよい。耐熱性を損なうことなく、高
い靭性値を確保できるからである。
As the thermoplastic resin, polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), polyphenyl ether (PP
E), polyetherimide (PI) and the like can be used.
The mixing ratio of the thermosetting resin (photosensitive resin) and the thermoplastic resin is: thermosetting resin (photosensitive resin) / thermoplastic resin = 95
/ 5 to 50/50 is preferred. This is because a high toughness value can be secured without impairing the heat resistance.

【0037】前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%、
望ましくは10〜40重量%がよい。耐熱性樹脂粒子
は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂)、エポキシ樹脂などがよい。なお、接着剤は、組
成の異なる2層により構成してもよい。
The mixing weight ratio of the heat resistant resin particles is 5 to 50% by weight based on the solid content of the heat resistant resin matrix.
Desirably, the content is 10 to 40% by weight. As the heat-resistant resin particles, amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin), epoxy resin and the like are preferable. The adhesive may be composed of two layers having different compositions.

【0038】[0038]

【実施例】以下、本発明の実施例に係るプリント配線板
及びその製造方法について図を参照して説明する。先
ず、本発明の第1実施例に係るプリント配線板10の構
成について、図7及び図8を参照して説明する。図7
は、集積回路チップ90搭載前のプリント配線板(パッ
ケージ基板)10の断面を示し、図8は、集積回路チッ
プ90を搭載した状態のプリント配線板10の断面を示
している。図8に示すように、プリント配線板10の上
面側には、集積回路チップ90が搭載され、下面側は、
ドータボード94へ接続されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A printed wiring board according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the printed wiring board 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
8 shows a cross section of the printed wiring board (package substrate) 10 before the integrated circuit chip 90 is mounted, and FIG. 8 shows a cross section of the printed wiring board 10 in a state where the integrated circuit chip 90 is mounted. As shown in FIG. 8, an integrated circuit chip 90 is mounted on the upper surface side of the printed wiring board 10, and the lower surface side is
Connected to daughter board 94.

【0039】図7を参照してプリント配線板の構成につ
いて詳細に説明する。該プリント配線板10では、多層
コア基板30の表面及び裏面にビルドアップ配線層80
A、80Bが形成されている。該ビルトアップ層80A
は、バイアホール60及び導体回路58の形成された層
間樹脂絶縁層50と、バイアホール160及び導体回路
158の形成された層間樹脂絶縁層150とからなる。
また、ビルドアップ配線層80Bは、バイアホール60
及び導体回路58の形成された層間樹脂絶縁層50と、
バイアホール160及び導体回路158の形成された層
間樹脂絶縁層150とからなる。
The configuration of the printed wiring board will be described in detail with reference to FIG. In the printed wiring board 10, the build-up wiring layers 80 are formed on the front and back surfaces of the multilayer core substrate 30.
A and 80B are formed. The built-up layer 80A
Is composed of an interlayer resin insulation layer 50 having via holes 60 and conductor circuits 58 formed therein, and an interlayer resin insulation layer 150 having via holes 160 and conductor circuits 158 formed therein.
Further, the build-up wiring layer 80B is
And an interlayer resin insulation layer 50 on which the conductor circuit 58 is formed,
It comprises a via hole 160 and an interlayer resin insulation layer 150 in which a conductor circuit 158 is formed.

【0040】上面側には、集積回路チップ90のランド
92(図8参照)へ接続するための半田バンプ76Uが
配設されている。半田バンプ76Uはバイアホール16
0及びバイアホール60を介してスルーホール36へ接
続されている。一方、下面側には、ドーターボード(サ
ブボード)94のランド96(図8参照)に接続するた
めの半田バンプ76Dが配設されている。該半田バンプ
76Dは、バイアホール160及びバイアホール60を
介してスルーホール36へ接続されている。該半田バン
プ76U、76Dは、ソルダーレジスト70の開口71
内の導体回路158及びバイアホール160上に、ニッ
ケルめっき層72、金めっき層74が形成された半田パ
ッド75に半田が配設されてなる。
On the upper surface side, solder bumps 76U for connection to lands 92 (see FIG. 8) of the integrated circuit chip 90 are provided. The solder bump 76U is in the via hole 16
0 and via hole 60 to through hole 36. On the other hand, on the lower surface side, a solder bump 76D for connection to a land 96 (see FIG. 8) of a daughter board (sub-board) 94 is provided. The solder bump 76D is connected to the through hole 36 via the via hole 160 and the via hole 60. The solder bumps 76U and 76D are formed in the openings 71 of the solder resist 70.
Solder is disposed on a solder pad 75 having a nickel plating layer 72 and a gold plating layer 74 formed on the conductor circuit 158 and the via hole 160 in the inside.

【0041】図8に示すようにプリント配線板10とI
Cチップ90との間には樹脂封止を行うアンダーフィル
88が配設されている。同様に、プリント配線板10と
マザーボード84との間にアンダーフィル88が配設さ
れている。ここで、ビルトアップ層80Aの上側及びビ
ルトアップ層80Bの下側のアンダーフィル88の表面
は、共に後述するようにプラズマ処理により、接触角度
8°〜40°となるように粗化されている。これによ
り、アンダーフィル88との密着性が改善されて、両者
の界面から水分が侵入し、半田バンプ276に半田のマ
イグレーションが発生し、半田バンプ相互の短絡が生じ
ることを防いでいる。
As shown in FIG. 8, the printed wiring boards 10 and I
An underfill 88 for performing resin sealing is provided between the underfill 88 and the C chip 90. Similarly, an underfill 88 is provided between the printed wiring board 10 and the motherboard 84. Here, the surface of the underfill 88 on the upper side of the built-up layer 80A and the lower side of the lower side of the built-up layer 80B are both roughened by plasma processing so as to have a contact angle of 8 ° to 40 ° as described later. . As a result, the adhesion to the underfill 88 is improved, and moisture infiltrates from the interface between the two to prevent migration of solder on the solder bumps 276, thereby preventing short-circuiting between the solder bumps.

【0042】引き続き、図7に示すプリント配線板を製
造する方法について一例を挙げて具体的に説明する。ま
ず、A.無電解めっき用接着剤、B.層間樹脂絶縁剤、
C.樹脂充填剤、D.ソルダーレジストの組成について
説明する。
Subsequently, a method for manufacturing the printed wiring board shown in FIG. 7 will be specifically described with reference to an example. First, A. Adhesive for electroless plating, B. Interlayer resin insulation,
C. Resin filler, D.I. The composition of the solder resist will be described.

【0043】A.無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物(上層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15
重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、
NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
A. Raw material composition for preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for upper layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
35% by weight of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 3.15% and a photosensitive monomer (Toa Gosei Co., Aronix M315) 3.15
Parts by weight, 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65)
3.6 parts by weight of NMP were obtained by stirring and mixing.

【0044】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 1.0μmのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μmのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。
[Resin composition] 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries,
After mixing 7.2 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 1.0 μm and 3.09 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP was further added, followed by stirring and mixing with a bead mill.

【0045】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP 1.5重量
部を攪拌混合して得た。
[Curing agent composition] 2 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight.

【0046】B.層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
(下層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重
量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、N
MP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
B. Raw material composition for preparing interlayer resin insulation agent (adhesive for lower layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
% Of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 35%, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Alonix M315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco), N
3.6 parts by weight of MP were obtained by stirring and mixing.

【0047】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 0.5μmのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。
[Resin composition] 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries,
After mixing 14.49 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP were further added,
It was obtained by stirring and mixing with a bead mill.

【0048】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP1.5 重量
部を攪拌混合して得た。
[Curing Agent Composition] 2 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight with stirring.

【0049】C.樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポキシモノマー
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO2 球状粒子(アドマテック製、CRS 11
01−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パ
ターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レベ
リング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量部
を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±1
℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。
C. Raw material composition for resin filler preparation [Resin composition] 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), having an average particle diameter of 1.6 μm coated with a silane coupling agent on the surface SiO 2 spherical particles (Admatech, CRS 11
01-CE, where the maximum particle size is 170 parts by weight of the inner layer copper pattern described below (15 μm or less) and 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) by stirring and mixing. The viscosity of the mixture is 23 ± 1
The temperature was adjusted to 45,000-49,000 cps at ℃. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight.

【0050】D.ソルダーレジスト組成物 DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 4
6.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコ
ート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アク
リルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系
消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0P
a・sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で
60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場合はローター
No.3によった。
D. Solder resist composition 60% by weight of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in DMDG was sensitized with 50% of epoxy groups of acrylated oligomer (molecular weight 4000).
6.67 g, 15.0 g of 80 wt% bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 1.6 g, photosensitive acrylic monomer (Nippon Kayaku, R604) 3 g, polyvalent acrylic monomer (Kyoeisha Chemical, DPE6A) 1.5 g, dispersion defoamer (Sannopco) , S-65), and 2 g of benzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (Kanto Chemical) as a photosensitizer were added to the mixture. 2.0P at 25 ° C
A solder resist composition adjusted to a · s was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type).
Rotor No.4 for 60rpm, rotor for 6rpm
No.3.

【0051】引き続き、図1〜図7を参照してプリント
配線板10の製造方法を説明する。E.プリント配線板
の製造 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマ
レイミドトリアジン)樹脂からなる基板30の両面に18
μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板30
Aを出発材料とした(図1(A)参照)。まず、この銅
張積層板30Aをドリル削孔し、無電解めっき処理を施
し、パターン状にエッチングすることにより、基板30
の両面に内層銅パターン34とスルーホール36を形成
した(図1(B))。
Next, a method of manufacturing the printed wiring board 10 will be described with reference to FIGS. E. FIG. Manufacture of Printed Wiring Board (1) Both sides of a substrate 30 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm
copper-clad laminate 30 on which copper foil 32 of μm is laminated
A was used as a starting material (see FIG. 1A). First, the copper-clad laminate 30A is drilled, subjected to an electroless plating process, and etched in a pattern to form a substrate 30A.
An inner copper pattern 34 and a through hole 36 were formed on both surfaces of the substrate (FIG. 1B).

【0052】(2) 内層銅パターン34およびスルーホー
ル36を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、酸
化浴(黒化浴)として、NaOH(10g/l),NaClO
2 (40g/l),Na3 PO4 (6g/l)、還元浴とし
て、NaOH(10g/l),NaBH4 (6g/l)を用いた酸
化−還元処理により、内層銅パターン34およびスルー
ホール36の表面に粗化層38を設けた(図1(C)参
照)。
(2) The substrate 30 on which the inner layer copper pattern 34 and the through hole 36 are formed is washed with water and dried, and then used as an oxidation bath (blackening bath) as NaOH (10 g / l) and NaClO.
2 (40 g / l), Na 3 PO 4 (6 g / l), and NaOH (10 g / l) and NaBH 4 (6 g / l) as a reducing bath were subjected to oxidation-reduction treatment to form the inner layer copper pattern 34 and the through-hole. A roughened layer 38 was provided on the surface of the hole 36 (see FIG. 1C).

【0053】(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。 (4) 前記(3) で得た樹脂充填剤40を、調製後24時間以
内に基板30の両面にロールコータを用いて塗布するこ
とにより、導体回路(内層銅パターン)34と導体回路
34との間、及び、スルーホール36内に充填し、70
℃,20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして
樹脂充填剤40を導体回路34間あるいはスルーホール
36内に充填し、70℃,20分間で加熱乾燥させた(図1
(D)参照)。
(3) The raw material composition for preparing the resin filler C was mixed and kneaded to obtain a resin filler. (4) By applying the resin filler 40 obtained in the above (3) to both surfaces of the substrate 30 using a roll coater within 24 hours after the preparation, the conductor circuit (inner layer copper pattern) 34 and the conductor circuit 34 During and between the through holes 36, 70
After drying at 20 ° C. for 20 minutes, a resin filler 40 was similarly filled between the conductor circuits 34 or inside the through holes 36 on the other surface, and dried by heating at 70 ° C. for 20 minutes (FIG. 1).
(D)).

【0054】(5) 前記(4) の処理を終えた基板30の片
面を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン34の表面
やスルーホール36のランド36a表面に樹脂充填剤4
0が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダ
ー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。こ
のような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に
行った(図2(E)参照)。次いで、100 ℃で1時間、
120 ℃で3時間、 150℃で1時間、 180℃で7時間の加
熱処理を行って樹脂充填剤40を硬化した。
(5) The surface of the inner layer copper pattern 34 and the through holes 36 are polished on one side of the substrate 30 after the treatment of the above (4) by belt sanding using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). Filler 4 on the surface of land 36a
Polishing was performed so that 0 did not remain, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate (see FIG. 2E). Then at 100 ° C for 1 hour,
The resin filler 40 was cured by performing a heat treatment at 120 ° C. for 3 hours, 150 ° C. for 1 hour, and 180 ° C. for 7 hours.

【0055】このようにして、スルーホール36等に充
填された樹脂充填剤40の表層部および内層導体回路3
4上面の粗化層38を除去して基板30両面を平滑化し
た上で、樹脂充填剤40と内層導体回路34の側面とが
粗化層38を介して強固に密着し、またスルーホール3
6の内壁面と樹脂充填剤40とが粗化層38を介して強
固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、
樹脂充填剤40の表面と内層銅パターン34の表面が同
一平面となる。
Thus, the surface layer of the resin filler 40 filled in the through holes 36 and the like and the inner conductor circuit 3
4 After removing the roughened layer 38 on the upper surface and smoothing both surfaces of the substrate 30, the resin filler 40 and the side surface of the inner conductor circuit 34 are firmly adhered to each other through the roughened layer 38, and the through hole 3 is formed.
A wiring board in which the inner wall surface of No. 6 and the resin filler 40 were firmly adhered via the roughened layer 38 was obtained. That is, by this process,
The surface of the resin filler 40 and the surface of the inner layer copper pattern 34 are flush with each other.

【0056】(6) 導体回路34を形成した基板30にア
ルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パ
ラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd
触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅3.9
1×10-2mol/l、硫酸ニッケル3.75×10-3
mol/l、クエン酸ナトリウム7.75×10-2mo
l/l、次亜リン酸ナトリウム2.27×10-1mol
/l、界面活性剤(日信化学工業製、サーフィール46
5)1.10×10-4mol/l、PH=9からなる無
電解めっき液に浸積し、浸漬1分後に、4秒当たり1回
に割合で縦、および、横振動させて、導体回路34およ
びスルーホール36のランド36aの表面にCu−Ni
−Pからなる針状合金の被覆層と粗化層42を設けた
(図2(F)参照)。
(6) The substrate 30 on which the conductor circuit 34 is formed is alkali-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to form Pd
After applying the catalyst and activating the catalyst, copper sulfate 3.9
1 × 10 −2 mol / l, nickel sulfate 3.75 × 10 −3
mol / l, sodium citrate 7.75 × 10 -2 mo
1 / l, sodium hypophosphite 2.27 × 10 -1 mol
/ L, surfactant (Surfir 46, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.)
5) Immersion in an electroless plating solution consisting of 1.10 × 10 −4 mol / l, PH = 9, and one minute after immersion, vertical and horizontal vibrations were performed once every 4 seconds to obtain a conductor. The surface of the land 36a of the circuit 34 and the through hole 36 is Cu-Ni
A coating layer of a needle-shaped alloy made of -P and a roughened layer 42 were provided (see FIG. 2F).

【0057】さらに、ホウフっ化スズ0.1mol/
l、チオ尿素1.0mol/l、温度35℃、PH=
1.2の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ0.3μmSn層(図示せず)を設けた。
Furthermore, tin borofluoride 0.1 mol /
1, thiourea 1.0 mol / l, temperature 35 ° C., PH =
A Cu—Sn substitution reaction was performed under the conditions of 1.2, and a 0.3 μm-thick Sn layer (not shown) was provided on the surface of the roughened layer.

【0058】(7) Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・sに調整して層間樹脂絶
縁剤(下層用)を得た。次いで、Aの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに
調整して無電解めっき用接着剤溶液(上層用)を得た。
(7) The raw material composition for preparing the interlayer resin insulating agent of B was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 1.5 Pa · s to obtain an interlayer resin insulating agent (for lower layer). Next, the raw material composition for preparing the adhesive for electroless plating of A was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 7 Pa · s to obtain an adhesive solution for electroless plating (for the upper layer).

【0059】(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で
得られた粘度 1.5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層用)4
4を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状
態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベー
ク)を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度7Pa・s
の感光性の接着剤溶液(上層用)46を調製後24時間以
内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30
分の乾燥(プリベーク)を行い、厚さ35μmの接着剤層
50αを形成した(図2(G)参照)。
(8) The interlayer resin insulating material (for lower layer) having a viscosity of 1.5 Pa · s obtained in the above (7) is applied on both surfaces of the substrate of the above (6).
4 was coated with a roll coater within 24 hours after preparation, left in a horizontal state for 20 minutes, dried at 60 ° C. for 30 minutes (prebaked), and then the viscosity of 7 Pa · obtained in the above (7) was obtained. s
Of the photosensitive adhesive solution (for upper layer) 46 is applied within 24 hours after preparation, and left in a horizontal state for 20 minutes.
The adhesive layer 50α having a thickness of 35 μm was formed (see FIG. 2G).

【0060】(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板3
0の両面に、図2(H)に示すように85μmφの黒円5
1aが印刷されたフォトマスクフィルム51を密着さ
せ、超高圧水銀灯により 500mJ/cm2 で露光した。これ
をDMTG溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板3
0を超高圧水銀灯により3000mJ/cm2 で露光し、100 ℃
で1時間、120 ℃で1時間、その後 150℃で3時間の加
熱処理(ポストベーク)をすることにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れた85μmφの開口
(バイアホール形成用開口)48を有する厚さ35μmの
層間樹脂絶縁層(2層構造)50を形成した(図3
(I)参照)。なお、バイアホールとなる開口48に
は、スズめっき層(図示せず)を部分的に露出させた。
(9) The substrate 3 on which the adhesive layer was formed in the above (8)
0, a black circle 5 of 85 μmφ as shown in FIG.
The photomask film 51 on which 1a was printed was brought into close contact with the photomask film 51, and was exposed at 500 mJ / cm 2 using an ultrahigh pressure mercury lamp. This is spray-developed with a DMTG solution.
Exposure to 3,000 mJ / cm 2 by ultra-high pressure mercury lamp at 100 ° C
Heat treatment (post-baking) at 120 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 3 hours to obtain an 85 μm φ opening (opening for forming a via hole) 48 having excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film. A 35 μm-thick interlayer resin insulating layer (two-layer structure) 50 having a thickness of 50 μm was formed (FIG. 3).
(I)). Note that a tin plating layer (not shown) was partially exposed in the opening 48 serving as a via hole.

【0061】(10)開口48が形成された基板30を、ク
ロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当
該層間樹脂絶縁層50の表面を粗化し(図3(J)参
照)、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してか
ら水洗いした。さらに、粗面化処理(粗化深さ6μm)
した該基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック製)
を付与することにより、層間樹脂絶縁層50の表面およ
びバイアホール用開口48の内壁面に触媒核を付けた。
(10) The substrate 30 in which the openings 48 are formed is immersed in chromic acid for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 50, whereby the interlayer resin insulating layer 50 Was roughened (see FIG. 3 (J)), and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. Furthermore, surface roughening treatment (roughening depth 6 μm)
Palladium catalyst (Atotech) on the surface of the substrate
, A catalyst nucleus was attached to the surface of the interlayer resin insulation layer 50 and the inner wall surface of the via hole opening 48.

【0062】(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 μmの無電
解銅めっき膜52を形成した(図3(K))。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
(11) The substrate was immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form a 0.6 μm-thick electroless copper plating film 52 on the entire rough surface (FIG. 3 (K)). [Electroless plating aqueous solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 70 ° C. 30 minutes at liquid temperature

【0063】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
52上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、100 mJ/cm2 で露光、0.8 %炭酸ナトリ
ウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト54を
設けた(図3(L)参照)。
(12) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating film 52 formed in the above (11), a mask is placed, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 , and exposure is performed with 0.8% sodium carbonate. After development, a plating resist 54 having a thickness of 15 μm was provided (see FIG. 3 (L)).

【0064】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき
膜56を形成した(図4(M)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温
(13) Next, electrolytic copper plating was performed on the non-resist-formed portion under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 56 having a thickness of 15 μm (see FIG. 4 (M)). [Aqueous electrolytic plating solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (Captoside GL, manufactured by Atotech Japan) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature

【0065】(14)めっきレジスト54を5%KOHで剥
離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜
52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜52と電解銅めっき膜5
6からなる厚さ18μmの導体回路58及びバイアホール
60を形成した(図4(N))。
(14) After the plating resist 54 is peeled off with 5% KOH, the electroless plating film 52 under the plating resist is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to remove the electroless copper. Plating film 52 and electrolytic copper plating film 5
An 18 μm-thick conductor circuit 58 and via hole 60 made of 6 were formed (FIG. 4 (N)).

【0066】(15)(6) と同様の処理を行い、導体回路5
8及びバイアホール60の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面62を形成し、さらにその表面にSn置換を行った(図
4(O)参照)。 (16)前記(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さら
に上層の層間樹脂絶縁層150を設けてから導体回路1
58及びバイアホール160を形成し、多層配線基板を
得た(図4(P)参照)。但し、該導体回路158及び
バイアホール160の表面に形成した粗化面62では、
Sn置換を行わなかった。
(15) The same processing as in (6) is performed, and the conductor circuit 5
A roughened surface 62 made of Cu-Ni-P was formed on the surfaces of the via holes 60 and the via holes 60, and the surfaces thereof were further substituted with Sn (see FIG. 4 (O)). (16) By repeating the above steps (7) to (15), an upper interlayer resin insulation layer 150 is further provided, and the conductor circuit 1
58 and via holes 160 were formed to obtain a multilayer wiring board (see FIG. 4 (P)). However, in the roughened surface 62 formed on the surface of the conductor circuit 158 and the via hole 160,
No Sn substitution was performed.

【0067】(17)前記(16)で得られた基板30両面に、
上記D.にて説明したソルダーレジスト組成物70αを
20μmの厚さで塗布した(図5(Q)参照)。次いで、
70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円
パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのフ
ォトマスクフィルム(図示せず)を密着させて載置し、
1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そ
してさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で
1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、はんだパ
ッド部分(バイアホールとそのランド部分を含む)に開
口(開口径 200μm)71を有するソルダーレジスト層
(厚み20μm)70を形成した(図5(R)参照)。
(17) On both surfaces of the substrate 30 obtained in the above (16),
The above D. The solder resist composition 70α described in
It was applied in a thickness of 20 μm (see FIG. 5 (Q)). Then
After performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and a temperature of 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask film (not shown) on which a circular pattern (mask pattern) is drawn is placed in close contact,
The substrate was exposed to ultraviolet light at 1000 mJ / cm 2 and developed with DMTG. Further, heat treatment is performed at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 1 hour, and at 150 ° C. for 3 hours, and the solder pad portion (including the via hole and its land portion) is opened (opened). A solder resist layer (thickness: 20 μm) 70 having a diameter (200 μm) 71 was formed (see FIG. 5 (R)).

【0068】(18)次に、ソルダーレジスト層70を形成
した基板30に、酸素プラズマ73によって、開口71
内の金属表面(導体回路158及びバイアホール160
の粗化面162の表面)の有機残渣、および、ソルダー
レジスト層70の表面の酸化膜層を除去すると共に粗化
層(図示せず)を形成させた。該酸素プラズマ処理に
は、九州松下製プラズマクリーニング装置(PC12F
−G型)を用い、真空状態にした中に、プラズマ放射量
800W、酸素供給量300sec./M、酸素供給圧
0.15MPa、処理時間10分で行った。この処理に
より、ソルダーレジスト層70表面の接触角度を下げ
た。
(18) Next, an opening 71 is formed on the substrate 30 on which the solder resist layer 70 is formed by oxygen plasma 73.
Metal surface (conductor circuit 158 and via hole 160)
The organic residue on the roughened surface 162) and the oxide film layer on the surface of the solder resist layer 70 were removed, and a roughened layer (not shown) was formed. The oxygen plasma treatment includes a plasma cleaning device (PC12F, manufactured by Kyushu Matsushita).
-G type), and while being in a vacuum state, a plasma radiation amount of 800 W and an oxygen supply amount of 300 sec. / M, oxygen supply pressure 0.15 MPa, processing time 10 minutes. By this processing, the contact angle on the surface of the solder resist layer 70 was reduced.

【0069】(19)プラズマ処理後、塩化ニッケル2.3
1×10-2mol/l、次亜リン酸ナトリウム2.84
×10-1mol/l、クエン酸ナトリウム1.55×1
-1mol/l、からなるpH=4.5の無電解ニッケ
ルめっき液に該基板30を20分間浸漬して、開口部に
厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム7.61×10-3
mol/l、塩化アンモニウム1.87×10-1mol
/l、クエン酸ナトリウム1.16×10-1mol/
l、次亜リン酸ナトリウム1.70×10-1mol/l
からなる無電解金めっき液に80℃の条件で7分20秒間
浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μmの金めっ
き層74を形成することで、バイアホール160及び導
体回路158に半田パッド75を形成した(図6(T)
参照)。
(19) After plasma treatment, nickel chloride 2.3
1 × 10 −2 mol / l, sodium hypophosphite 2.84
× 10 -1 mol / l, sodium citrate 1.55 × 1
The substrate 30 was immersed in an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5 consisting of 0 -1 mol / l for 20 minutes to form a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm in the opening. Further, the substrate was subjected to potassium potassium cyanide (7.61 × 10 −3).
mol / l, ammonium chloride 1.87 × 10 -1 mol
/ L, sodium citrate 1.16 × 10 -1 mol /
l, sodium hypophosphite 1.70 × 10 -1 mol / l
Is immersed in an electroless gold plating solution of 80 ° C. for 7 minutes and 20 seconds to form a 0.03 μm thick gold plating layer 74 on the nickel plating layer, so that the via holes 160 and the conductor circuits 158 are soldered. A pad 75 was formed (FIG. 6 (T)
reference).

【0070】(20)そして、ソルダーレジスト層70の開
口部71に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ(半田体)76U、76D
を形成し、プリント配線板10を形成した(図6(U)
参照)。
(20) Then, a solder paste is printed on the opening 71 of the solder resist layer 70 and reflowed at 200 ° C. so that the solder bumps (solder bodies) 76U, 76D
To form a printed wiring board 10 (FIG. 6 (U)).
reference).

【0071】(21)その後、チェッカー工程で、プリント
配線板10の接続試験を行った。このチェッカー工程で
は、金属製のプローブを該半田バンプ76U、76Dに
当てて、プリント配線板内の短絡・断線を確認した。更
に、印刷工程を経て、製品番号等の印刷を行った。
(21) Thereafter, a connection test of the printed wiring board 10 was performed in a checker process. In this checker process, a metal probe was applied to the solder bumps 76U and 76D to check for a short circuit / break in the printed wiring board. Further, through a printing process, a product number and the like were printed.

【0072】(22)最後に、図6(V)に示すよう上述し
た(18)の工程と同様に、酸素プラズマ73によって、半
田バンプ76U、76Dの表面の汚染(特に、上記チェ
ッカー工程及び印刷工程で付着した油脂類)、および、
ソルダーレジスト層70の表面の酸化膜層を除去すると
共に粗化層(図示せず)を形成させた。該酸素プラズマ
処理には、(18)の工程と同様に九州松下製プラズマクリ
ーニング装置(PC12F−G型)を用い、真空状態に
した中に、プラズマ放射量800W、酸素供給量300
sec./M、酸素供給圧0.15MPa、処理時間1
0分で行った。この処理により、ソルダーレジスト層7
0表面を、接触角度40°以下で8°に近い値まで低下
させ、最大粗さ(Rmax )を0.1nm〜100nmに
することで、図7に示すプリント配線板10を完成し
た。
(22) Finally, as shown in FIG. 6 (V), the surface of the solder bumps 76U and 76D is contaminated by the oxygen plasma 73 (especially the checker process and the printing process). Fats and oils attached in the process), and
The oxide film layer on the surface of the solder resist layer 70 was removed, and a roughened layer (not shown) was formed. In the oxygen plasma treatment, a plasma cleaning device (PC12FG) manufactured by Kyushu Matsushita was used in the same manner as in the step (18).
sec. / M, oxygen supply pressure 0.15MPa, processing time 1
Performed at 0 minutes. By this processing, the solder resist layer 7
The surface 0 was reduced to a value close to 8 ° at a contact angle of 40 ° or less, and the maximum roughness (Rmax) was set to 0.1 nm to 100 nm to complete the printed wiring board 10 shown in FIG.

【0073】引き続き、該プリント配線板10へのIC
チップの載置及び、ドータボード94への取り付けにつ
いて、図8を参照して説明する。完成したプリント配線
板10の半田バンプ76UにICチップ90の半田パッ
ド92が対応するように、ICチップ90を載置し、リ
フローを行うことで、ICチップ90の取り付けを行
う。その後、ICチップ90とプリント配線板10との
間に、アンダーフィル88となる封止樹脂を充填する。
同様に、リフローによりプリント配線板10の半田バン
プ76Dにドータボード94を取り付け、アンダーフィ
ル88となる封止樹脂を充填する。
Subsequently, the IC to the printed wiring board 10
The placement of the chip and the attachment to the daughter board 94 will be described with reference to FIG. The IC chip 90 is mounted such that the solder pads 92 of the IC chip 90 correspond to the solder bumps 76U of the completed printed wiring board 10, and the IC chip 90 is mounted by performing reflow. After that, a sealing resin serving as an underfill 88 is filled between the IC chip 90 and the printed wiring board 10.
Similarly, the daughter board 94 is attached to the solder bumps 76D of the printed wiring board 10 by reflow, and a sealing resin to be the underfill 88 is filled.

【0074】この第1実施例の製造方法では、半田バン
プの形成前に酸素プラズマ73によって、ソルダーレジ
スト層70の表面を粗化した後、更に、半田バンプの形
成後に酸素プラズマ73によって、ソルダーレジスト層
70の表面を粗化するので、ソルダーレジスト層70表
面の接触角度8°に近い値まで低下さ得る。このため、
ソルダーレジスト層70とアンダーフィル88との密着
性を非常に高めることが可能になり、ソルダーレジスト
層70とアンダーフィル88との界面を介しての水分の
侵入をほぼ完全に防ぐことができる。
In the manufacturing method of the first embodiment, the surface of the solder resist layer 70 is roughened by the oxygen plasma 73 before the formation of the solder bump, and the solder resist is further formed by the oxygen plasma 73 after the formation of the solder bump. Since the surface of the layer 70 is roughened, the contact angle of the surface of the solder resist layer 70 can be reduced to a value close to 8 °. For this reason,
Adhesion between the solder resist layer 70 and the underfill 88 can be greatly enhanced, and penetration of moisture through the interface between the solder resist layer 70 and the underfill 88 can be almost completely prevented.

【0075】引き続き、本発明の第2実施例に係るプリ
ント配線板の製造方法について説明する。上述した第1
実施例では、半田バンプの形成前及び半田バンプの形成
後に、酸素プラズマ73によってソルダーレジスト層7
0の表面を2回粗化した。これに対して、この第2実施
形態では、半田バンプの形成前に、酸素プラズマ73に
よってソルダーレジスト層70の表面を1回粗化した。
他の工程は、上述した第1実施例と同様であるため、説
明を省略する。
Next, a method for manufacturing a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described. The first mentioned above
In this embodiment, before the formation of the solder bumps and after the formation of the solder bumps, the solder resist layer 7 is formed by the oxygen plasma 73.
The surface of No. 0 was roughened twice. On the other hand, in the second embodiment, the surface of the solder resist layer 70 was roughened once by the oxygen plasma 73 before the formation of the solder bumps.
The other steps are the same as those in the first embodiment described above, and the description is omitted.

【0076】(比較例)引き続き、該第2実施例に係る
製造方法と、比較例に係る製造方法によるプリント配線
板との比較試験の結果を説明する。この比較例のプリン
ト配線板は、基本的に第2実施例と同様であるが、酸素
プラズマによるソルダーレジスト層の表面処理を実施し
なかった。
(Comparative Example) Next, the results of a comparison test between the manufacturing method according to the second embodiment and a printed wiring board according to the manufacturing method according to the comparative example will be described. The printed wiring board of this comparative example was basically the same as the second example, but the surface treatment of the solder resist layer was not performed by oxygen plasma.

【0077】第2実施例および比較例で製造されたプリ
ント配線板について、ソルダーレジスト層表面の接触角
度、ニッケルめっき層、および、金めっき層の反応不良
発生率、厚み、半田バンプとの接続不良の発生率、実装
後のアンダーフィルとのピール強度、PCT試験による
信頼性試験を行った。この実施例と比較例の評価結果を
図11の図表中に示す。当該試験で、接触角度は、エル
マ販売(株)製 エルマ接触角測定360型にて測定し
た。反応不良発生率は顕微鏡(×50)にて測定を行
い、めっき層の厚みは、電子顕微鏡(×1000)にて
測定を行った。導通不良発生率は半田バンプと該当配線
との導通試験を行い測定した。ピール強度は、ソルダー
レジスト層にアンダーフィルを塗布、硬化後に、ピール
測定を実施した。信頼性試験は、PCT試験(温度12
0℃、圧力2気圧、200時間)後、ICチップとの導
通の確認を行い、動作異常の発生率を調べた。
With respect to the printed wiring boards manufactured in the second embodiment and the comparative example, the contact angle on the surface of the solder resist layer, the incidence of reaction failure of the nickel plating layer and the gold plating layer, the thickness, and the connection failure with the solder bumps , The peel strength with the underfill after mounting, and a reliability test by a PCT test. The evaluation results of this example and the comparative example are shown in the table of FIG. In this test, the contact angle was measured by Elma Contact Angle Measurement Model 360 manufactured by Elma Sales Co., Ltd. The reaction failure occurrence rate was measured with a microscope (× 50), and the thickness of the plating layer was measured with an electron microscope (× 1000). The continuity failure rate was measured by conducting a continuity test between the solder bumps and the corresponding wiring. The peel strength was measured by applying an underfill to the solder resist layer and curing it after curing. The reliability test is a PCT test (temperature 12
(0 ° C., pressure 2 atm, 200 hours), conduction with the IC chip was confirmed, and the occurrence rate of operation abnormality was examined.

【0078】第2実施例のプリント配線板は、濡れ性
(接触角度35°)が向上し、アンターフィルとの密着
性が高まっている(ピール強度15kgf/cm2 )。こ
れにより、PCT試験においても異常が発生しなかっ
た。更に、金属表面(導体回路158及びバイアホール
160の粗化面62の表面)の有機残渣が酸素プラズマ
で除去されるため、ニッケルめっき層、および、金めっ
き層の反応不良発生率が低減している。なお、めっき層
の厚みは比較例と同等であった。
The printed wiring board of the second embodiment has improved wettability (contact angle of 35 °) and improved adhesion to the interfill (peel strength: 15 kgf / cm 2 ). As a result, no abnormality occurred in the PCT test. Furthermore, since the organic residue on the metal surface (the surface of the roughened surface 62 of the conductor circuit 158 and the via hole 160) is removed by oxygen plasma, the rate of occurrence of reaction failure of the nickel plating layer and the gold plating layer is reduced. I have. In addition, the thickness of the plating layer was equivalent to the comparative example.

【0079】引き続き、本発明の第3実施例に係るプリ
ント配線板の製造方法について説明する。上述した第1
実施例では、半田バンプの形成前及び半田バンプの形成
後に、酸素プラズマ73によってソルダーレジスト層7
0の表面を2回粗化した。これに対して、この第3実施
形態では、半田バンプの形成後に、酸素プラズマ73に
よってソルダーレジスト層70の表面を1回粗化した。
他の工程は、上述した第1実施例と同様であるため、説
明を省略する。
Next, a method of manufacturing a printed wiring board according to a third embodiment of the present invention will be described. The first mentioned above
In this embodiment, before the formation of the solder bumps and after the formation of the solder bumps, the solder resist layer 7 is formed by the oxygen plasma 73.
The surface of No. 0 was roughened twice. On the other hand, in the third embodiment, the surface of the solder resist layer 70 is roughened once by the oxygen plasma 73 after the formation of the solder bump.
The other steps are the same as those in the first embodiment described above, and the description is omitted.

【0080】第3実施例および第2実施例の比較に用い
たプリント配線板について、ソルダーレジスト層表面の
接触角度、ニッケルめっき層、および、金めっき層の反
応不良発生率、厚み、半田バンプとの接続不良の発生
率、実装後のアンダーフィルとのピール強度、PCT試
験による信頼性試験を行った。この実施例と比較例の評
価結果を図12の図表中に示す。当該試験で、接触角度
は、エルマ販売(株)製エルマ接触角測定360型にて
測定した。最大粗さは、Digital Instruments社製 Nan
oScope2 にて測定を行った。実装不良発生率は顕微鏡
(×1000)で接続の検査を実施し、ICチップとの
バンプの接続不良をカウントした。ピール強度は、ソル
ダーレジスト層にアンダーフィルを塗布、硬化後に、ピ
ール測定を実施した。信頼性試験は、PCT試験(温度
120℃、圧力2気圧、200時間)後、ICチップと
の導通の確認を行い、動作異常の発生率を調べた。
Regarding the printed wiring board used in the comparison between the third embodiment and the second embodiment, the contact angle on the surface of the solder resist layer, the rate of occurrence of reaction failure of the nickel plating layer and the gold plating layer, the thickness, the solder bump , A peel strength with an underfill after mounting, and a reliability test by a PCT test. The evaluation results of this example and the comparative example are shown in the table of FIG. In this test, the contact angle was measured by Elma Contact Angle Measurement Model 360 manufactured by Elma Sales Co., Ltd. Maximum roughness is Digital Instruments Nan
Measured with oScope2. The mounting failure rate was determined by inspecting the connection with a microscope (× 1000) and counting the connection failure of the bumps with the IC chip. The peel strength was measured by applying an underfill to the solder resist layer and curing it after curing. In the reliability test, after the PCT test (temperature: 120 ° C., pressure: 2 atm, 200 hours), conduction with the IC chip was confirmed, and the occurrence rate of operation abnormality was examined.

【0081】第3実施例のプリント配線板は、濡れ性
(接触角度30°)が向上し、表面が粗され(最大粗さ
(Rmax )20.0nm)ているため、アンターフィル
との密着性が高まっている(ピール強度17kgf/cm
2 )。これにより、PCT試験においても異常が発生し
なかった。更に、半田バンプ76U、76Dの表面の汚
れ(チェッカー工程及び印刷工程で付着した油脂類等)
が除去されているため、ICチップとの接続不良の発生
率が低下している(発生率0%)。
The printed wiring board of the third embodiment has improved wettability (contact angle of 30 °) and a roughened surface (maximum roughness (Rmax) of 20.0 nm). (Peel strength 17kgf / cm
2 ). As a result, no abnormality occurred in the PCT test. Further, dirt on the surfaces of the solder bumps 76U and 76D (eg, oils and fats attached in the checker process and the printing process).
Has been removed, the incidence of poor connection with the IC chip has been reduced (occurrence rate 0%).

【0082】引き続き、図9を参照して本発明の第4実
施例に係るプリント配線板について説明する。上述した
第1〜第3実施例では、導体回路158及びバイアホー
ル160の粗化層162の上方に配設されたニッケルめ
っき層及び金めっき層を介して半田バンプが形成されて
いたが、この第4実施例では、導体回路158及びバイ
アホール160の粗化層162の上方に半田バンプ76
U、76Dが直接形成されている。係る、プリント配線
板においても、第1実施例と同様に、半田バンプの形成
前及び半田バンプの形成後に、酸素プラズマ73によっ
てソルダーレジスト層70の表面を2回粗化すること
も、また、第2、第3実施形態と同様に半田バンプの形
成後又は前に、酸素プラズマ73によってソルダーレジ
スト層70の表面を1回粗化することも可能である。
Next, a printed wiring board according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the above-described first to third embodiments, the solder bumps are formed via the nickel plating layer and the gold plating layer provided above the roughened layer 162 of the conductor circuit 158 and the via hole 160. In the fourth embodiment, the solder bumps 76 are formed above the roughened layer 162 of the conductor circuit 158 and the via hole 160.
U, 76D are formed directly. In such a printed wiring board, the surface of the solder resist layer 70 is roughened twice by the oxygen plasma 73 before the formation of the solder bumps and after the formation of the solder bumps, similarly to the first embodiment. 2. Similar to the third embodiment, the surface of the solder resist layer 70 can be roughened once by the oxygen plasma 73 after or before the formation of the solder bump.

【0083】引き続き、図10を参照して本発明の第5
実施例に係るプリント配線板について説明する。上述し
た第1〜第4実施例では、半田パッドとして作用するバ
イアホール160は、ソルダーレジスト層70により、
その一部分が露出した形態に形成されていた。これに対
して、第5実施例のプリント配線板では、バイアホール
160は、ソルダーレジスト層70から全部が露出され
るよう形成されている。この第5実施例のプリント配線
板では、ソルダーレジスト70の開口71の位置ずれの
許容範囲を大きくすることができる。この第5実施例の
プリント配線板でも、第1実施例と同様に、半田バンプ
の形成前及び半田バンプの形成後に、酸素プラズマ73
によってソルダーレジスト層70の表面を2回粗化する
ことも、また、第2、第3実施形態と同様に半田バンプ
の形成後又は前に、酸素プラズマ73によってソルダー
レジスト層70の表面を1回粗化することも可能であ
る。
Next, referring to FIG. 10, the fifth embodiment of the present invention will be described.
A printed wiring board according to an example will be described. In the first to fourth embodiments described above, the via hole 160 acting as a solder pad is formed by the solder resist layer 70.
A part thereof was formed in an exposed form. On the other hand, in the printed wiring board of the fifth embodiment, the via hole 160 is formed so as to be entirely exposed from the solder resist layer 70. In the printed wiring board of the fifth embodiment, the allowable range of the positional deviation of the opening 71 of the solder resist 70 can be increased. In the printed wiring board of the fifth embodiment, similarly to the first embodiment, the oxygen plasma 73 is formed before the formation of the solder bumps and after the formation of the solder bumps.
The surface of the solder resist layer 70 may be roughened twice by using the oxygen plasma 73 after or before the formation of the solder bumps as in the second and third embodiments. Roughening is also possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(A)、図1(B)、図1(C)、図1
(D)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。
1 (A), 1 (B), 1 (C), 1
(D) is a process drawing of the method for manufacturing a printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図2】図2(E)、図2(F)、図2(G)、図2
(H)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。
FIG. 2 (E), FIG. 2 (F), FIG. 2 (G), FIG.
(H) is a step diagram of the method for producing a printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】図3(I)、図3(J)、図3(K)、図3
(L)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。
FIG. 3 (I), FIG. 3 (J), FIG. 3 (K), FIG.
(L) is a step diagram of the method for manufacturing a printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】図4(M)、図4(N)、図4(O)、図4
(P)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造方法の工程図である。
FIGS. 4 (M), 4 (N), 4 (O), 4
(P) is a process drawing of a method for manufacturing a printed wiring board according to the first example of the present invention.

【図5】図5(Q)、図5(R)、図5(S)は、本発
明の第1実施例に係るプリント配線板の製造方法の工程
図である。
FIGS. 5 (Q), 5 (R), and 5 (S) are process diagrams of a method for manufacturing a printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図6】図6(T)、図6(U)、図6(V)は、本発
明の第1実施例に係るプリント配線板の製造方法の工程
図である。
FIGS. 6 (T), 6 (U), and 6 (V) are process diagrams of a method for manufacturing a printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1実施例に係る製造方法によるプリ
ント配線板の断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the printed wiring board according to the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第1実施例に係る製造方法によるプリ
ント配線板にICチップを載置させた状態を示す断面図
である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a printed wiring board by the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第4実施例に係る製造方法によるプリ
ント配線板の断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of a printed wiring board manufactured by a manufacturing method according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第5実施例に係る製造方法によるプ
リント配線板の断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of a printed wiring board manufactured by a manufacturing method according to a fifth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2実施例に係る製造方法によるプ
リント配線板と比較例のプリント配線板との試験結果を
示す図表である。
FIG. 11 is a table showing test results of a printed wiring board by a manufacturing method according to a second embodiment of the present invention and a printed wiring board of a comparative example.

【図12】本発明の第3実施例に係る製造方法によるプ
リント配線板と比較例のプリント配線板との試験結果を
示す図表である。
FIG. 12 is a table showing test results of a printed wiring board according to a manufacturing method according to a third embodiment of the present invention and a printed wiring board of a comparative example.

【図13】従来技術に係る製造方法によるプリント配線
板の断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view of a printed wiring board by a manufacturing method according to a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 コア基板 50 層間樹脂絶縁層 58 導体回路 60 バイアホール 70 ソルダーレジスト 71 開口 72 ニッケルめっき層 74 金めっき層 75 半田パッド 150 層間樹脂絶縁層 158 導体回路 160 バイアホール Reference Signs List 30 core substrate 50 interlayer resin insulating layer 58 conductive circuit 60 via hole 70 solder resist 71 opening 72 nickel plating layer 74 gold plating layer 75 solder pad 150 interlayer resin insulating layer 158 conductive circuit 160 via hole

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年1月19日(1999.1.1
9)
[Submission date] January 19, 1999 (1999.1.1)
9)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に形成された半田パッドとなる導
体上に、ソルダーレジスト層が形成され、該ソルダーレ
ジスト層には、半田パッドとなる導体の少なくとも一部
を露出させる開口が設けられてなるプリント基板におい
て、 ソルダーレジスト層の表面が、接触角度8°〜40°を
有することを特徴とするプリント配線板。
1. A solder resist layer is formed on a conductor serving as a solder pad formed on a substrate, and an opening for exposing at least a part of the conductor serving as a solder pad is provided in the solder resist layer. A printed wiring board, wherein the surface of the solder resist layer has a contact angle of 8 ° to 40 °.
【請求項2】 前記開口には、ニッケルめっき層、金め
っき層が形成されてなる請求項1に記載のプリント配線
板。
2. The printed wiring board according to claim 1, wherein a nickel plating layer and a gold plating layer are formed in the opening.
【請求項3】 前記半田パッドとなる導体表面には、プ
ラズマ処理による粗化面が形成されてなる請求項1また
は2に記載のプリン配線基板。
3. The pudding wiring board according to claim 1, wherein a roughened surface by plasma processing is formed on a surface of the conductor serving as the solder pad.
【請求項4】 基板上に半田パッドとなる導体を形成す
る工程と、 該導体上に、半田パッドとなる導体の少なくとも一部を
露出させる開口を設けてソルダーレジスト層を形成する
工程と、 前記ソルダーレジスト層表面を気体プラズマ処理する工
程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造
方法。
4. A step of forming a conductor to be a solder pad on a substrate; a step of forming an opening on the conductor to expose at least a part of the conductor to be a solder pad to form a solder resist layer; Performing a gas plasma treatment on the surface of the solder resist layer.
【請求項5】 基板上に半田パッドとなる導体を形成す
る工程と、 該導体上に、半田パッドとなる導体の少なくとも一部を
露出させる開口を設けてソルダーレジスト層を形成する
工程と、 前記ソルダーレジスト層表面を気体プラズマ処理する工
程と、 前記導体に金属層を設けて半田パッドを形成する工程
と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方
法。
5. A step of forming a conductor to be a solder pad on a substrate; a step of forming an opening on the conductor to expose at least a part of the conductor to be a solder pad to form a solder resist layer; A method of manufacturing a printed wiring board, comprising: a step of performing a gas plasma treatment on a surface of a solder resist layer; and a step of forming a solder pad by providing a metal layer on the conductor.
【請求項6】 前記プラズマ処理は、酸素、窒素、炭酸
ガス、四フッ化炭素から選ばれる少なくとも1種以上で
ある請求項4または5に記載のプリント配線板の製造方
法。
6. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 4, wherein the plasma treatment is at least one selected from oxygen, nitrogen, carbon dioxide, and carbon tetrafluoride.
【請求項7】 前記プラズマ処理は、プラズマの放射量
500〜1000Wで、酸素プラズマにより1〜20分
間処理する請求項4または5に記載のプリント配線板の
製造方法。
7. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 4, wherein the plasma treatment is performed with oxygen plasma at a radiation amount of plasma of 500 to 1000 W for 1 to 20 minutes.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214586A (en) * 2002-11-14 2004-07-29 Kyocera Corp Multilayer wiring board
JP2004328006A (en) * 2004-06-07 2004-11-18 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and manufacturing method for the same
KR100484890B1 (en) * 2002-09-19 2005-04-28 재단법인서울대학교산학협력재단 Method to enhance a adhesion strength between solder mask and underfill in semiconductor device manufacturing process
EP2058859A2 (en) 2007-11-06 2009-05-13 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring substrate and semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2011044500A (en) * 2009-08-19 2011-03-03 Renesas Electronics Corp Interposer chip and method of manufacturing the same
KR101099582B1 (en) 2010-02-05 2011-12-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Semiconductor package
KR101175909B1 (en) 2011-07-27 2012-08-22 삼성전기주식회사 Surface treatment method of printed circuit board, and printed circuit board
JP2013023666A (en) * 2011-07-25 2013-02-04 Sekisui Chem Co Ltd Epoxy resin material, cured product, and plasma-roughened cured product
JP2020150271A (en) * 2015-02-26 2020-09-17 マクセルホールディングス株式会社 Mask for array
US20230164925A1 (en) * 2021-11-24 2023-05-25 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing printed wiring board

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100484890B1 (en) * 2002-09-19 2005-04-28 재단법인서울대학교산학협력재단 Method to enhance a adhesion strength between solder mask and underfill in semiconductor device manufacturing process
JP2004214586A (en) * 2002-11-14 2004-07-29 Kyocera Corp Multilayer wiring board
JP2004328006A (en) * 2004-06-07 2004-11-18 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and manufacturing method for the same
EP2058859A2 (en) 2007-11-06 2009-05-13 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring substrate and semiconductor device and method of manufacturing the same
US7893524B2 (en) 2007-11-06 2011-02-22 Shinko Electric Industries, Co., Ltd. Wiring substrate and semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2011044500A (en) * 2009-08-19 2011-03-03 Renesas Electronics Corp Interposer chip and method of manufacturing the same
KR101099582B1 (en) 2010-02-05 2011-12-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Semiconductor package
JP2013023666A (en) * 2011-07-25 2013-02-04 Sekisui Chem Co Ltd Epoxy resin material, cured product, and plasma-roughened cured product
KR101175909B1 (en) 2011-07-27 2012-08-22 삼성전기주식회사 Surface treatment method of printed circuit board, and printed circuit board
US8915419B2 (en) 2011-07-27 2014-12-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for surface-treating printed circuit board and printed circuit board
JP2020150271A (en) * 2015-02-26 2020-09-17 マクセルホールディングス株式会社 Mask for array
US20230164925A1 (en) * 2021-11-24 2023-05-25 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing printed wiring board

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