JP2000208903A - Printed wiring board and manufacturing of the same - Google Patents

Printed wiring board and manufacturing of the same

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JP2000208903A
JP2000208903A JP1064999A JP1064999A JP2000208903A JP 2000208903 A JP2000208903 A JP 2000208903A JP 1064999 A JP1064999 A JP 1064999A JP 1064999 A JP1064999 A JP 1064999A JP 2000208903 A JP2000208903 A JP 2000208903A
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JP
Japan
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solder
printed wiring
wiring board
layer
resin
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JP1064999A
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Japanese (ja)
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Kazuhito Yamada
和仁 山田
Naohiro Mori
尚博 森
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed wiring board and method for manufacturing it which is superior in connectivity and reliability. SOLUTION: A solder film 75 is formed on the surface of a via hole 160 and conductor circuit 158 via a nickel plating layer 72 and gold plating layer 74, for rust-proof and protection of the surface of via hole 160 and the conductor circuit 158. Even if there is a certain period before mounting of an IC chip (formation of a solder bump) after the completion of the multilayer printed wiring board, a solder bump is appropriately formed on the surface of the solder film 75.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半田バンプを介
して集積回路チップを載置するパッケージ基板等を形成
するプリント配線板およびその製造方法に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed wiring board for forming a package substrate or the like on which an integrated circuit chip is mounted via solder bumps, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

【従来の技術】ビルドアップ多層配線板は、例えば、特
開平9−130050号に開示される方法にて製造され
ている。すなわち、導体回路の表面に無電解めっきやエ
ッチングにより、粗化層を形成させて、ロールーコータ
ーや印刷にて層間絶縁樹脂を塗布、露光、現像して、層
間導通のためのバイアホール開口部を形成させて、UV
硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さら
に、その層間絶縁層に酸化剤などにより粗化処理を施
し、粗化面にパラジウムなどの触媒を付け、薄い無電解
めっき膜を形成し、そのめっき膜上にドライフィルムに
てパターンを形成し、電解めっきで厚付けした後、アル
カリでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導
体回路を作り出させる。これを繰り返すことにより、ビ
ルドアップ多層配線板が得られる。
2. Description of the Related Art A build-up multilayer wiring board is manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-130050. That is, a roughened layer is formed on the surface of a conductive circuit by electroless plating or etching, and an interlayer insulating resin is applied by a roll coater or printing, exposed, and developed to form a via hole opening for interlayer conduction. To form UV
After curing and main curing, an interlayer resin insulating layer is formed. Furthermore, the interlayer insulating layer is subjected to a roughening treatment with an oxidizing agent or the like, a catalyst such as palladium is applied to the roughened surface, a thin electroless plating film is formed, and a pattern is formed on the plating film with a dry film. After being thickened by electrolytic plating, the dry film is peeled off and removed with an alkali and etched to form a conductor circuit. By repeating this, a build-up multilayer wiring board is obtained.

【0003】最外層には、導体回路を保護するために、
ソルダーレジスト層を施す。該ソルダーレジスト層は、
一部開口し、外部接続のために導体回路を露出させる。
該開口にて露出された導体回路(電極)に金属層を形成
することで多層プリント配線板を完成する。該多層プリ
ント配線板にICチップを載置する際に、ソルダーレジ
ストの開口の導体回路(電極)に、半田等のロウ付け材
により半田バンプを形成した後、該半田バンプにICチ
ップのパッド(外部電極)を接続させて導通を取る。I
Cチップと基板の間に封止樹脂(アンダーフィル)を入
れ硬化することにより実装が終了する。一方、パッケー
ジ基板をマザーボードであるプリント配線板に実装する
際は、ICチップ実装面と反対側の導体回路(電極)に
半田ペーストの印刷、又は、半田ボールの搭載を行い、
リフロー炉にて半田ボールを作成する。上記半田ボール
の付いているBGA基板をマザーボード上に実装する。
[0003] In the outermost layer, to protect the conductor circuit,
Apply a solder resist layer. The solder resist layer,
Partially open to expose conductive circuits for external connection.
A multilayer printed wiring board is completed by forming a metal layer on the conductor circuit (electrode) exposed at the opening. When the IC chip is mounted on the multilayer printed wiring board, a solder bump is formed on a conductor circuit (electrode) in the opening of the solder resist with a brazing material such as solder, and then the pad of the IC chip is attached to the solder bump. (External electrode) is connected to establish conduction. I
The mounting is completed by inserting a sealing resin (underfill) between the C chip and the substrate and curing the resin. On the other hand, when the package substrate is mounted on a printed wiring board as a motherboard, solder paste is printed on a conductor circuit (electrode) opposite to the IC chip mounting surface, or a solder ball is mounted.
Create solder balls in a reflow oven. The BGA board with the solder balls is mounted on a motherboard.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ソルダ
ーレジスト層の開口部内に、形成された金属層が変色、
変質することがある。その金属層の変色、変質により金
属の表面状態が変わり、濡れ性が変化するために、IC
チップ側に半田バンプ、マザーボード側に半田ボール
(BGA)などを形成する際、半田がはじいてしまい、
半田ボールが配設できないことが起こった。また、一
旦、配設した半田ボールが、脱落、剥がれることもあっ
た。その変質、変色部分をエッチング、研摩処理、プラ
ズマ処理などで除去するといった方法も考え得るが、金
属層を今以上に損傷してしまうため採用し得ない。
However, the metal layer formed in the opening of the solder resist layer is discolored,
May deteriorate. The surface state of the metal changes due to the discoloration and alteration of the metal layer, and the wettability changes.
When forming solder bumps on the chip side and solder balls (BGA) on the motherboard side, the solder repels,
It happened that the solder balls could not be placed. Also, the solder balls once disposed may fall off or come off. A method of removing the deteriorated or discolored portion by etching, polishing, plasma treatment, or the like can be considered, but cannot be adopted because the metal layer is more damaged.

【0005】一方、多層プリント配線板の製造段階でB
GAを配設してプリント配線板を出荷すればかかる問題
は発生しない。しかし、ICチップ取り付けの際の、I
Cチップを多層プリント配線板に圧着させる工程におい
て、加わる力で配設されたBGAを破損することがあ
る。また、加熱圧着の際、BGAを介すると、基板自体
をうまく加熱できないことが有る。これらの課題に対応
するためには、BGAの形成されていない多層プリント
配線板にICチップを実装するための既存の設備を、B
GAの実装されたタイプの設備に作り替えなければなら
ないため、対応が非常に困難である。
On the other hand, at the stage of manufacturing a multilayer printed wiring board, B
Such a problem does not occur if the printed wiring board is shipped with the GA installed. However, when attaching an IC chip,
In the step of pressing the C chip onto the multilayer printed wiring board, the BGA provided may be damaged by the applied force. In addition, at the time of thermocompression bonding, the substrate itself may not be heated well via the BGA. To address these issues, existing facilities for mounting IC chips on multilayer printed wiring boards without BGAs are
It is very difficult to cope with this because it is necessary to make a type of equipment in which the GA is mounted.

【0006】本発明の目的は、このような問題を解決で
き、接続性、信頼性に優れたプリント配線基板およびの
製造方法を提案することにある。
An object of the present invention is to propose a method for manufacturing a printed wiring board which can solve such a problem and has excellent connectivity and reliability.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究し
た結果、次のような事実を知見した。金属層の変色、変
質は、多層プリント配線板の製造施設において、金属層
形成することでプリント配線板を完成した後、ICチッ
プの実装施設で、BGAなどの外部電極を配設するまで
の期間に、金属被膜が形成されていることが分かった。
更に、該期間中にプリント配線板の金属層の表面に油脂
などが付着することもある。通常レベルの取り扱いで
は、特に問題は起きないが、一定期間(4ヶ月)以上放
置した場合には、金属層の半田濡れ性が低下するために
前述の問題を引き起こすことが分かった。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies, the present inventors have found the following facts. The discoloration and alteration of the metal layer are measured during the period from the completion of the printed wiring board by forming the metal layer at the manufacturing facility of the multilayer printed wiring board to the disposition of external electrodes such as BGA at the IC chip mounting facility. It was found that a metal coating was formed.
Further, during the period, oils and fats may adhere to the surface of the metal layer of the printed wiring board. Although no particular problem occurs in the handling at the normal level, it has been found that when left for a certain period (4 months) or more, the above-described problem is caused because the solder wettability of the metal layer is reduced.

【0008】さらに、研究した結果、金属層を保護し、
BGAなどの配設を確実に行うためには、半田膜を形成
させればよいことが分かった。ソルダーレジストの開口
部内に半田膜を施したプリント配線板では、4ヶ月以上
の期間おいても、BGAの剥がれ、脱落といった問題を
起さなかった。また、金属層の変色、変質も起さないの
で開口部内の導通を確保できた。
Further, as a result of the research, the metal layer was protected,
It has been found that a solder film should be formed in order to reliably dispose the BGA or the like. In the case of a printed wiring board in which a solder film was provided in the opening of the solder resist, no problem such as peeling or falling off of the BGA occurred even after a period of 4 months or more. Further, since no discoloration or deterioration of the metal layer occurs, conduction in the opening can be secured.

【0009】次に、本発明に使用される半田膜について
説明する。開口部内に形成される半田膜は、0.1〜3
0μmの範囲で形成されるのがよい。薄すぎると、半田
膜を形成が困難になり、厚すぎるとソルダーレジストの
厚みが5〜40μmの範囲で形成されることから、ソル
ダレジスト内に治まらないことがあり、他の開口部と半
田膜を介して接触し短絡することがある。特に、1〜1
0μmの範囲で形成されるのがよい。金属層の保護を計
り得ると共に、BGAの配設時に問題が起きないからで
ある。使用される半田はPb/Snで4:6〜9:1
(Pbの配分比30%〜90%)のもので、一般にプリ
ント配線板で使用される半田すべてを用いることができ
る。なお、半田としては、SnAg、SnAgCu、S
nCu等の、鉛を用いないものを用いることができる。
Next, the solder film used in the present invention will be described. The solder film formed in the opening is 0.1 to 3
It is preferable that the thickness be within a range of 0 μm. If the thickness is too small, it is difficult to form a solder film. If the thickness is too large, the thickness of the solder resist is in the range of 5 to 40 μm. Contact and short circuit. In particular, 1-1
It is preferable that the film be formed in a range of 0 μm. This is because the metal layer can be protected and no problem occurs when the BGA is provided. Solder used is Pb / Sn 4: 6-9: 1
(The distribution ratio of Pb is 30% to 90%), and all the solders generally used for printed wiring boards can be used. In addition, SnAg, SnAgCu, S
A material that does not use lead, such as nCu, can be used.

【0010】また、形成方法は、めっき、印刷のどちら
かで行われるが、形成される半田膜の均一性という点で
は、めっきの方が印刷で形成されるものに比べて優れて
いる。
[0010] Further, the forming method is performed by either plating or printing. In terms of the uniformity of the formed solder film, plating is superior to that formed by printing.

【0011】開口部に形成される金属層は、Cu、N
i、Au、Ag、Sn、P、Alの内少なくとも1種類
以上の合金で1層以上形成するのがよい。その形成され
る金属は、導体回路の保護という点からは、Auを主と
した金属合金であるのが望ましい。一方、半田膜との密
着性、ソルダーレジストとの密着性という点では、C
u、あるいはNiを主とした金属合金で、表面に凹凸面
を有するものがよい。例えば、Cu−Ni−Pからなる
合金層を配設することが望ましい。
The metal layer formed in the opening is made of Cu, N
One or more layers of at least one alloy of i, Au, Ag, Sn, P, and Al are preferably formed. The formed metal is preferably a metal alloy mainly composed of Au from the viewpoint of protecting the conductor circuit. On the other hand, in terms of the adhesion to the solder film and the adhesion to the solder resist, C
It is preferable to use a metal alloy mainly composed of u or Ni and having an uneven surface. For example, it is desirable to provide an alloy layer made of Cu-Ni-P.

【0012】上記構成では、BGAなどの外部電極を配
設させる際、開口部内に形成された半田膜が溶融するた
めに、金属層のはんだ濡れ性を起因とするBGAの脱
落、剥がれといったことも発生しない。一定期間置いて
BGAを配設させても問題なく、開口部内の金属層の変
色、変質ということも起きないために、良好な接続性を
長期に渡り維持できる。
In the above configuration, when an external electrode such as a BGA is provided, the solder film formed in the opening is melted, so that the BGA may fall off or peel off due to the solder wettability of the metal layer. Does not occur. Even if the BGA is disposed after a certain period of time, there is no problem, and no discoloration or deterioration of the metal layer in the opening occurs, so that good connectivity can be maintained for a long time.

【0013】本発明のプリント配線基板を製造する方法
について説明する。以下の方法は、セミアディティブ法
によるものであるが、フルアディティブ法を採用しても
よい。
A method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention will be described. The following method is based on the semi-additive method, but may use the full-additive method.

【0014】まず、基板の表面に導体回路を形成した配
線基板を作成する。基板としては、ガラスエポキシ基
板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂
基板等の樹脂絶縁基板、銅張り積層板、セラミック基
板、金属基板等の基板に層間絶縁層を形成し、この層間
絶縁層表面を粗化して粗化面とし、この粗化面全体に薄
付けの無電解めっきを施し、めっきレジストを形成し、
めっきレジスト非形成部分に厚付けの電解めっきを施し
た後、めっきレジストを除去し、エッチング処理して、
電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる導体回路を形
成する方法により行う。導体回路は、いずれも銅パタ−
ンがよい。
First, a wiring board having a conductor circuit formed on the surface of the board is prepared. As a substrate, an interlayer insulating layer is formed on a substrate such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a resin insulating substrate such as a bismaleimide-triazine resin substrate, a copper-clad laminate, a ceramic substrate, a metal substrate, and the like. Roughened to a roughened surface, a thin electroless plating is applied to the entire roughened surface to form a plating resist,
After applying a thick electrolytic plating to the plating resist non-formed part, the plating resist is removed and etched,
This is performed by a method of forming a conductor circuit composed of an electrolytic plating film and an electroless plating film. The conductor circuits are all copper patterns.
Is good.

【0015】導体回路を形成した基板には、導体回路あ
るいはスル−ホ−ルにより、凹部が形成される。その凹
部を埋めるために樹脂充填剤を印刷などで塗布し、乾燥
した後、不要な樹脂充填剤を研磨により研削して、導体
回路を露出させたのち、樹脂充填剤を本硬化させる。
On the substrate on which the conductor circuit is formed, a recess is formed by the conductor circuit or through hole. A resin filler is applied by printing or the like to fill the recess, and after drying, the unnecessary resin filler is ground by grinding to expose the conductive circuit, and then the resin filler is fully cured.

【0016】次いで、導体回路に粗化層を設ける。形成
される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処
理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面またはめ
っき皮膜により形成された粗化面が望ましい。粗化層の
凹凸の最大高さRyは、1〜10μmで形成されるのが
よい。
Next, a roughening layer is provided on the conductor circuit. The roughened layer to be formed is desirably a roughened surface of copper formed by an etching process, a polishing process, an oxidation process, or an oxidation-reduction process or a roughened surface formed by a plating film. The maximum height Ry of the unevenness of the roughened layer is preferably 1 to 10 μm.

【0017】次に、導体回路の粗化面上に層間絶縁樹脂
層を設ける。かかる層間絶縁樹脂層は、無電解めっき用
接着剤を用いて形成することができる。かかる無電解め
っき用接着剤は、熱硬化性樹脂を基剤とし、特に硬化処
理された耐熱性樹脂粒子、酸や酸化剤に溶解する耐熱性
樹脂粒子、無機粒子や繊維質フィラ−等を、必要により
含ませることができる。かかる樹脂絶縁層が下層導体回
路と上層導体回路との間に設けられる場合、層間樹脂絶
縁層となる。
Next, an interlayer insulating resin layer is provided on the roughened surface of the conductor circuit. Such an interlayer insulating resin layer can be formed using an electroless plating adhesive. Such an adhesive for electroless plating is based on a thermosetting resin, and in particular, heat-resistant resin particles cured, heat-resistant resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent, inorganic particles or a fibrous filler, etc. It can be included as needed. When such a resin insulation layer is provided between the lower conductor circuit and the upper conductor circuit, it becomes an interlayer resin insulation layer.

【0018】熱硬化性樹脂基剤としては、エポキシ樹
脂、フェノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることが
できる。なお、熱硬化基の一部を感光化する場合は、熱
硬化基の一部をメタクリル酸やアクリル酸等と反応させ
てアクリル化させたものが好ましい。中でも、エポキシ
樹脂のアクリレ−トが最適である。かかるエポキシ樹脂
としては、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ
樹脂等を用いることができる。また、かかる熱硬化性樹
脂基剤には、ポリエ−テルスルフォンやポリスルフォ
ン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリフェニルエ−テル、ポリエ−テルイミド等
の熱可塑性樹脂を添加することができる。
As the thermosetting resin base, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin and the like can be used. When a part of the thermosetting group is sensitized, it is preferable that a part of the thermosetting group is acrylated by reacting with methacrylic acid or acrylic acid. Among them, acrylate of epoxy resin is most suitable. As such an epoxy resin, a novolak type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, or the like can be used. Further, a thermoplastic resin such as polyethersulfone, polysulfone, polyphenylenesulfone, polyphenylene sulfide, polyphenylether, and polyetherimide can be added to the thermosetting resin base.

【0019】耐熱性樹脂粒子としては、 (1)平均粒径が
10μm以下の耐熱性樹脂粉末、 (2)平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、 (3)平均
粒径が2〜10μm以下の耐熱性樹脂粉末と平均粒径が
2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、 (4)平均粒径
が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が
2μm以下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末の少なくとも
1種を付着させた疑似粒子、 (5)平均粒径が0.8 を越え
2.0 μm未満の耐熱性樹脂粉末と平均粒径が0.1 〜0.8
μmの耐熱性樹脂粉末との混合物、及び (5)平均粒径が
0.1 〜1.0 μmの耐熱性樹脂粉末からなる群より選ばれ
る少なくとも1種の粒子を用いるのが望ましい。これら
の粒子は、より複雑なアンカ−を形成するからである。
これらの粒子により得られる粗化面は、0.1 〜20μmの
最大高さ(Ry)を有することができる。
The heat-resistant resin particles include (1) a heat-resistant resin powder having an average particle size of 10 μm or less, and (2) an average particle size of 2 μm.
(3) a mixture of a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm or less and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of less than 2 μm; Pseudo particles in which at least one of a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less and an inorganic powder is attached to the surface of a heat-resistant resin powder having a diameter of 2 to 10 μm, (5) the average particle diameter exceeds 0.8.
Heat resistant resin powder of less than 2.0 μm and average particle size of 0.1 to 0.8
mixture with heat-resistant resin powder of μm, and (5) average particle size
It is desirable to use at least one kind of particles selected from the group consisting of heat-resistant resin powders of 0.1 to 1.0 μm. This is because these particles form more complex anchors.
The roughened surface obtained with these particles can have a maximum height (Ry) of 0.1 to 20 μm.

【0020】酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子とし
ては、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミ
ン樹脂)、エポキシ樹脂(ビスフェノ−ル型エポキシ樹
脂アミン系硬化剤で硬化させたものが最適)、ビスマレ
イミド−トリアジン樹脂等からなる耐熱性樹脂粒子を用
いることができる。かかる耐熱性樹脂粒子の混合比は耐
熱性樹脂からなるマトリックスの固形分の5〜50重量
%、望ましくは10〜40重量%がよい。
The most suitable heat-resistant resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent are those cured with an amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin) and an epoxy resin (bisphenol-type epoxy resin amine-based curing agent). ), Heat-resistant resin particles composed of a bismaleimide-triazine resin or the like can be used. The mixing ratio of the heat-resistant resin particles is 5 to 50% by weight, preferably 10 to 40% by weight of the solid content of the matrix made of the heat-resistant resin.

【0021】かかる樹脂絶縁層は、複数層にしてもよ
い。例えば、下層を無機粒子や繊維質フィラ−と樹脂基
剤とからなる補強層とし、上層を無電解めっき用接着剤
層とすることができる。また、平均粒径0.1 〜2.0 μm
の酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子を酸や酸化剤に
難溶性の耐熱性樹脂中に分散させて下層とし、無電解め
っき用接着剤層を上層としてもよい。
The resin insulating layer may have a plurality of layers. For example, the lower layer may be a reinforcing layer composed of inorganic particles or fibrous filler and a resin base, and the upper layer may be an adhesive layer for electroless plating. In addition, the average particle size is 0.1 to 2.0 μm
The lower layer may be formed by dispersing heat-resistant resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent in a heat-resistant resin that is hardly soluble in an acid or an oxidizing agent, and the adhesive layer for electroless plating may be an upper layer.

【0022】無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タ
ルク等を使用できる。繊維質フィラ−としては、炭酸カ
ルシウムのウイスカ−、ホウ酸アルミニウムのウイスカ
−。アラミド繊維質、炭素繊維等の少なくとも1種を使
用できる。
As the inorganic particles, silica, alumina, talc and the like can be used. Examples of the fibrous filler include whiskers of calcium carbonate and whiskers of aluminum borate. At least one of aramid fiber and carbon fiber can be used.

【0023】粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹脂上の
全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解
めっき膜は、無電解銅めっきがよく、その厚みは、0.
5〜5μm,より望ましくは1〜3μmとする。なお、
無電解銅めっき液としては、常法で採用される液組成の
ものを使用でき、例えば、硫酸銅:29g/l、炭酸ナト
リウム:25g/l、EDTA:140 g/l、水酸化ナト
リウム:40g/l、37%ホルムアルデヒド: 150ml、
(PH=11.5)からなる液組成のものがよい。
A thin electroless plating film is formed on the entire surface of the interlayer insulating resin provided with the roughened catalyst nuclei. This electroless plating film is preferably formed by electroless copper plating.
The thickness is 5 to 5 μm, more preferably 1 to 3 μm. In addition,
As the electroless copper plating solution, those having a liquid composition adopted in a usual manner can be used. For example, copper sulfate: 29 g / l, sodium carbonate: 25 g / l, EDTA: 140 g / l, sodium hydroxide: 40 g / L, 37% formaldehyde: 150 ml,
(PH = 11.5) is preferred.

【0024】次に、このように形成した無電解めっき膜
上に感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)をラミネ−
トし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジストパ
タ−ンが描画されたフォトマスク(ガラス基板がよい)
を密着させて載置し、露光し、現像処理することによ
り、めっきレジストパタ−ンを配設した非導体部分を形
成する。
Next, a photosensitive resin film (dry film) is laminated on the electroless plating film thus formed by laminating.
And a photomask (preferably a glass substrate) on which a plating resist pattern is drawn on the photosensitive resin film.
Are placed in close contact with each other, exposed, and developed to form a non-conductive portion on which a plating resist pattern is provided.

【0025】次に、無電解銅めっき膜上の非導体部分以
外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホ−ルと
なる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっ
きを用いることが望ましく、その厚みは、5〜20μmが
よい。
Next, an electrolytic plating film is formed on a portion other than the non-conductor portion on the electroless copper plating film, and a conductor portion serving as a conductor circuit and a via hole is provided. As the electrolytic plating, it is desirable to use electrolytic copper plating, and its thickness is preferably 5 to 20 μm.

【0026】さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫
酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化
第二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を除去し、
無電解めっき膜と電解めっき膜の2層からなる独立した
導体回路とバイアホ−ルを得る。
Further, the electroless plating film is removed with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide or an etching solution such as sodium persulfate, ammonium persulfate, ferric chloride, cupric chloride, etc.
An independent conductor circuit and a via hole having two layers of an electroless plating film and an electrolytic plating film are obtained.

【0027】なお、非導体部分に露出した粗化面上のパ
ラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸過水等により溶解除
去する。
The palladium catalyst nuclei on the roughened surface exposed to the non-conductive portion are dissolved and removed with chromic acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide.

【0028】パラジウムを除去して導体回路を形成した
プリント基板の熱処理を行う。熱処理温度は、50〜2
50℃で、かつ、10分以上ホールドさせるのがよい。
熱処理を異なった温度で、2回以上ホールドさせてもよ
い。
The printed circuit board on which the conductor circuit is formed by removing palladium is subjected to a heat treatment. Heat treatment temperature is 50-2
It is preferable to hold at 50 ° C. for 10 minutes or more.
The heat treatment may be held twice or more at different temperatures.

【0029】次いで、表層の導体回路には、粗化層を形
成させる。かかる粗化層は、銅―ニッケル―リンからな
る合金をめっきにより形成させる方法、または、アゾー
ル類の第二銅錯体と有機酸の水溶液からなるエッチング
液を導体回路表面にスプレイするか、かかるエッチング
液に導体回路を浸漬し、バブリングにより形成させる方
法、あるいは、他のエッチング処理、研磨処理、酸化処
理、酸化還元処理によって形成させる方法がある。次い
で、表層の導体回路に粗化層を形成する。形成される粗
化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還
元処理により形成された銅の粗化層、もしくはめっき被
膜により形成された粗化層であることが望ましい。
Next, a roughened layer is formed on the surface conductor circuit. Such a roughened layer is formed by plating an alloy composed of copper-nickel-phosphorus, or by spraying an etching solution composed of an aqueous solution of a cupric complex of azoles and an organic acid on the surface of a conductor circuit, or performing such etching. There is a method in which a conductor circuit is immersed in a liquid and formed by bubbling, or a method in which the circuit is formed by other etching, polishing, oxidation, or oxidation-reduction processing. Next, a roughened layer is formed on the surface conductor circuit. The roughened layer to be formed is desirably a roughened layer of copper formed by an etching process, a polishing process, an oxidation process, or an oxidation-reduction process, or a roughened layer formed by a plating film.

【0030】次いで、前記導体回路上にソルダ−レジス
ト層を形成する。本願発明におけるソルダーレジスト層
の厚さは、5〜40μmがよい。薄すぎるとソルダーダ
ムとして機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、半
田体と接触し半田体に生じるクラックの原因となるから
である。ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使
用でき、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラ
ック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアク
リレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで
硬化させた樹脂を使用できる。特に、ソルダーレジスト
層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノ
ボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾール硬化
剤」を硬化剤として含むものが好ましい。このような構
成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション(鉛
イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象)が少な
いという利点を持つ。しかも、このソルダーレジスト層
は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダ
ゾール硬化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、耐アル
カリ性に優れ、はんだが溶融する温度(200 ℃前後)で
も劣化しないし、ニッケルめっきや金めっきのような強
塩基性のめっき液で分解することもない。しかしなが
ら、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ
樹脂で構成されるので剥離が生じやすい。本発明に係る
粗化層は、このような剥離を防止するために有効であ
る。
Next, a solder-resist layer is formed on the conductor circuit. The thickness of the solder resist layer in the present invention is preferably 5 to 40 μm. If it is too thin, it will not function as a solder dam, and if it is too thick, it will not be easy to open, and it will cause cracks in the solder body due to contact with the solder body. As the solder resist layer, various resins can be used. For example, bisphenol A type epoxy resin, acrylate of bisphenol A type epoxy resin, novolak type epoxy resin, acrylate of novolak type epoxy resin may be used as an amine curing agent or an imidazole curing agent. Can be used. In particular, when an opening is provided in the solder resist layer to form a solder bump, it is preferable that the solder bump be formed of "novolak-type epoxy resin or acrylate of novolak-type epoxy resin" and include "imidazole curing agent" as a curing agent. The solder resist layer having such a configuration has an advantage that migration of lead (a phenomenon in which lead ions diffuse in the solder resist layer) is small. Moreover, this solder resist layer is a resin layer obtained by curing an acrylate of a novolak type epoxy resin with an imidazole curing agent, has excellent heat resistance and alkali resistance, does not deteriorate even at a temperature at which solder is melted (around 200 ° C.), and does not deteriorate. It is not decomposed by a strongly basic plating solution such as plating or gold plating. However, since such a solder resist layer is formed of a resin having a rigid skeleton, peeling is likely to occur. The roughened layer according to the present invention is effective for preventing such peeling.

【0031】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液
状であることが望ましい。液状であれば均一混合できる
からである。
Here, as the acrylate of the novolak type epoxy resin, an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid or methacrylic acid can be used. The imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. This is because a liquid can be uniformly mixed.

【0032】このような液状イミダゾール硬化剤として
は、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール(品名:1B2MZ
)、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾー
ル(品名:2E4MZ-CN)、4-メチル−2-エチルイミダゾー
ル(品名:2E4MZ )を用いることができる。このイミダ
ゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物
の総固形分に対して1〜10重量%とすることが望まし
い。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合
がしやすいからである。上記ソルダーレジストの硬化前
組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使
用することが望ましい。このような組成物を用いたソル
ダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面
を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
As such a liquid imidazole curing agent, 1-benzyl-2-methylimidazole (product name: 1B2MZ
), 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (product name: 2E4MZ-CN), and 4-methyl-2-ethylimidazole (product name: 2E4MZ). The addition amount of the imidazole curing agent is desirably 1 to 10% by weight based on the total solid content of the solder resist composition. The reason for this is that if the added amount is within this range, uniform mixing is easy. In the composition before curing of the solder resist, it is desirable to use a glycol ether-based solvent as a solvent. The solder resist layer using such a composition does not generate free oxygen and does not oxidize the copper pad surface. It is also less harmful to the human body.

【0033】このようなグリコールエーテル系溶媒とし
ては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル(DMDG)およびトリエ
チレングリコールジメチルエーテル(DMTG)から選
ばれるいずれか少なくとも1種を用いる。これらの溶剤
は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾ
フェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることがで
きるからである。 CHO-(CHCHO) −CH(n=1〜5) このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して10〜40wt%がよい。
As such a glycol ether-based solvent, one having the following structural formula, particularly preferably at least one selected from diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG) is used. This is because these solvents can completely dissolve benzophenone and Michler's ketone as reaction initiators by heating at about 30 to 50 ° C. CH 3 O— (CH 2 CH 2 O) n —CH 3 (n = 1 to 5) The glycol ether solvent is preferably 10 to 40% by weight based on the total weight of the solder resist composition.

【0034】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアI907、光増感
剤としては日本化薬製のDETX−Sがよい。
The solder resist composition as described above may further include various defoaming agents and leveling agents, thermosetting resins for improving heat resistance and base resistance and imparting flexibility.
A photosensitive monomer or the like can be added to improve the resolution. For example, as the leveling agent, one made of a polymer of an acrylate ester is preferable. The initiator is preferably Irgacure I907 manufactured by Ciba-Geigy, and the photosensitizer is DETX-S manufactured by Nippon Kayaku.

【0035】さらに、ソルダーレジスト組成物には、色
素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できる
からである。この色素としてはフタロシアニングリーン
を用いることが望ましい。添加成分としての上記熱硬化
性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用い
ることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂に
は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノール
F型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には
前者が、低粘度化が要求される場合(塗布性を重視する
場合)には後者がよい。
Further, a dye or a pigment may be added to the solder resist composition. This is because the wiring pattern can be hidden. It is desirable to use phthalocyanine green as this dye. As the thermosetting resin as an additional component, a bisphenol-type epoxy resin can be used. This bisphenol type epoxy resin includes a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin, and when importance is attached to base resistance, the former is required to reduce viscosity (when importance is attached to coating properties). The latter is better.

【0036】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、日本化薬製のDPE−6
A、共栄社化学製のR−604等の多価アクリル系モノ
マーが望ましい。 また、これらのソルダーレジスト組
成物は、25℃で0.5〜10Pa・s、より望ましく
は1〜10Pa・sがよい。ロールコータで塗布しやす
い粘度だからである。ソルダ−レジスト形成後、ICチ
ップなどの外部半導体への接続のためのBGA配設用の
開口部を形成する。それぞれの開口は、露光、現像処理
により形成する。開口径は、ICチップなどの外部電子
部品用は、80〜150μmの範囲で、BGA配設用
は、100〜700μmの範囲である。
As the photosensitive monomer as an additional component, a polyacrylic monomer can be used.
This is because the polyvalent acrylic monomer can improve the resolution. For example, Nippon Kayaku DPE-6
A, polyacrylic monomers such as R-604 manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. are desirable. Further, these solder resist compositions are preferably 0.5 to 10 Pa · s at 25 ° C., more preferably 1 to 10 Pa · s. This is because the viscosity is easy to apply with a roll coater. After the formation of the solder resist, an opening for disposing a BGA for connection to an external semiconductor such as an IC chip is formed. Each opening is formed by exposure and development processing. The opening diameter is in the range of 80 to 150 μm for external electronic components such as IC chips, and is in the range of 100 to 700 μm for BGA arrangement.

【0037】その後、ソルダ−レジスト層形成後に開口
部に金属層を形成させる。形成させる金属は、銅、ニッ
ケル、金、銀、スズ、リン、アルミの内少なくとも1種
類以上の合金で、かつ1層以上で形成されるのがよい。
例として、ニッケルめっき層に金めっき層を施したもの
を挙げる。先ず、導体回路上に無電解めっきにてニッケ
ルめっき層を形成させる。ニッケルめっき液の組成の例
として硫酸ニッケル4.5g/l、次亜リン酸ナトリウ
ム25g/l、クエン酸ナトリウム40g/l、ホウ酸
12g/l、チオ尿素0.1g/l(PH=11)があ
る。脱脂液により、ソルダ−レジスト層開口部、表面を
洗浄し、パラジウムなどの触媒を開口部に露出した導体
部分に付与し、活性化させた後、めっき液に浸漬し、ニ
ッケルめっき層を形成させる。ニッケルめっき層の厚み
は、0.5〜20μmで、特に3〜10μmの厚みが望
ましい。それ以下では、半田バンプとニッケルめっき層
の接続が取り難い。一方、それ以上では、開口部に形成
した半田バンプが収まりきれず、剥がれたりする。
Thereafter, a metal layer is formed in the opening after the formation of the solder-resist layer. The metal to be formed is preferably an alloy of at least one of copper, nickel, gold, silver, tin, phosphorus, and aluminum, and is preferably formed in one or more layers.
As an example, a case in which a gold plating layer is applied to a nickel plating layer will be described. First, a nickel plating layer is formed on a conductor circuit by electroless plating. As examples of the composition of the nickel plating solution, nickel sulfate 4.5 g / l, sodium hypophosphite 25 g / l, sodium citrate 40 g / l, boric acid 12 g / l, thiourea 0.1 g / l (PH = 11) There is. The opening and the surface of the solder-resist layer are washed with a degreasing solution, a catalyst such as palladium is applied to a conductor portion exposed to the opening, activated, and then immersed in a plating solution to form a nickel plating layer. . The thickness of the nickel plating layer is 0.5 to 20 μm, preferably 3 to 10 μm. Below this, it is difficult to make a connection between the solder bump and the nickel plating layer. On the other hand, above that, the solder bumps formed in the openings cannot be completely accommodated and are peeled off.

【0038】ニッケルめっき層形成後、金めっきにて金
めっき層を形成させる。厚みは、0.01〜0.1μm
であり、望ましくは0.03μm前後である。
After forming the nickel plating layer, a gold plating layer is formed by gold plating. The thickness is 0.01 to 0.1 μm
And preferably about 0.03 μm.

【0039】半田バンプ形成工程、導通確認のチェッカ
ー工程などの種々の工程を経て、BGA配設の開口部内
に、印刷にて、0.5〜30μmの半田膜を形成させプ
リント配線板を得る。
Through various steps such as a solder bump forming step and a check step for checking conduction, a solder film of 0.5 to 30 μm is formed in the opening of the BGA by printing to obtain a printed wiring board.

【0040】[0040]

【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照して
説明する。先ず、本発明の第1実施例に係る多層プリン
ト配線板10の構成について、図6の断面図を参照して
説明する。図6に示すように、多層プリント配線板10
では、コア基板30の表面及び裏面に導体回路34、3
4が形成され、更に、該導体回路34、34の上にビル
ドアップ配線層80A、80Bが形成されている。該ビ
ルトアップ層80A、80Bは、バイアホール60及び
導体回路58の形成された層間樹脂絶縁層50と、バイ
アホール160及び導体回路158の形成された層間樹
脂絶縁層150とからなる。該バイアホール160及び
導体回路158の上層にはソルダーレジスト70が形成
されており、該ソルダーレジスト70の開口部71部内
には、バイアホール160及び導体回路158にニッケ
ルめっき層72、金めっき層74を介して半田膜75が
形成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the multilayer printed wiring board 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the cross-sectional view of FIG. As shown in FIG. 6, the multilayer printed wiring board 10
Then, the conductor circuits 34, 3
4 are formed, and further, build-up wiring layers 80A, 80B are formed on the conductor circuits 34, 34. The built-up layers 80A and 80B include an interlayer resin insulation layer 50 having via holes 60 and conductor circuits 58 formed therein, and an interlayer resin insulation layer 150 having via holes 160 and conductor circuits 158 formed therein. A solder resist 70 is formed on the upper layer of the via hole 160 and the conductor circuit 158. In the opening 71 of the solder resist 70, a nickel plating layer 72 and a gold plating layer 74 are formed in the via hole 160 and the conductor circuit 158. , A solder film 75 is formed.

【0041】図7は、ICチップの実装工程にて、多層
プリント配線板に半田バンプ76U、76Dが形成され
た状態を示している。図8は、該半田バンプ76U、7
6Dを形成した多層プリント配線板10にICチップ9
0を取り付け、ドータボード94へ載置した状態を示し
ている。
FIG. 7 shows a state in which solder bumps 76U and 76D have been formed on a multilayer printed wiring board in an IC chip mounting process. FIG. 8 shows the solder bumps 76U, 7U.
IC chip 9 is attached to multilayer printed wiring board 10 on which 6D is formed.
0 is attached, and is placed on the daughter board 94.

【0042】図6に示す状態の多層プリント配線板10
が出荷され、実装工場において、先ず、図7に示すよう
にソルダーレジスト70の開口部71内の半田膜75に
半田ボールを転写して半田バンプ76U、76Dが形成
される。半田バンプ76U、76Dは、半田ペーストを
スクリーンマスク(メタルマスク、プラスチックマスク
等)を用いて印刷、リフローすることにより形成でき
る。その後、図8中に示すように、多層プリント配線板
10の上面側の半田バンプ76U及びICチップ90の
ランド92を介して、ICチップ90が多層プリント配
線板に接続される。同様にして多層プリント配線板10
の下側の半田バンプ76D及びドーターボード94のラ
ンド96を介して、多層プリント配線板がドータボード
94へ接続される。ここで、多層プリント配線板10と
ICチップ90との間、及び、多層プリント配線板10
とドータボード94との間には、アンダーフィル88が
充填され樹脂封止される。
The multilayer printed wiring board 10 shown in FIG.
Are shipped, first, at a mounting factory, solder balls are transferred to a solder film 75 in an opening 71 of a solder resist 70 as shown in FIG. 7 to form solder bumps 76U and 76D. The solder bumps 76U and 76D can be formed by printing and reflowing a solder paste using a screen mask (metal mask, plastic mask, or the like). Thereafter, as shown in FIG. 8, the IC chip 90 is connected to the multilayer printed wiring board via the solder bumps 76U on the upper surface side of the multilayer printed wiring board 10 and the lands 92 of the IC chip 90. Similarly, the multilayer printed wiring board 10
The multilayer printed wiring board is connected to the daughter board 94 via the lower solder bumps 76D and the lands 96 of the daughter board 94. Here, between the multilayer printed wiring board 10 and the IC chip 90, and between the multilayer printed wiring board 10 and the IC chip 90.
An underfill 88 is filled and resin-sealed between the substrate and the daughter board 94.

【0043】本実施形態では、図6に示すようにバイア
ホール160及び導体回路158の表面にニッケルめっ
き層72、金めっき層74を介して半田膜75が形成さ
れ、開口部71の該バイアホール160及び導体回路1
58の防錆・保護が計られている。このため、後述する
ように、該多層プリント配線板の完成後、ICチップの
実装(半田バンプの形成)までに期間が置かれても、該
半田膜75の表面に適正に半田バンプを形成することが
できる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 6, a solder film 75 is formed on the surfaces of the via holes 160 and the conductive circuits 158 via the nickel plating layer 72 and the gold plating layer 74, and the via holes in the opening 71 are formed. 160 and conductor circuit 1
There are 58 anti-rust and protection measures. Therefore, as will be described later, even after a period from completion of the multilayer printed wiring board to mounting of an IC chip (formation of solder bumps), solder bumps are appropriately formed on the surface of the solder film 75. be able to.

【0044】図6の例は、ICチップ側及びマザーボー
ド側の両方に半田膜75を形成した例である。この他に
も図10に示すように、ICチップ側には半田バンプ7
6Uを予め形成しておくこともできる。この場合は、半
田バンプ形成までの期間が短いため、ICチップ側の半
田膜75は必要ない。そのため、マザーボード側のみに
半田膜75を形成すればよい。
FIG. 6 shows an example in which solder films 75 are formed on both the IC chip side and the motherboard side. In addition, as shown in FIG. 10, solder bumps 7 are provided on the IC chip side.
6U may be formed in advance. In this case, since the period until the formation of the solder bump is short, the solder film 75 on the IC chip side is unnecessary. Therefore, the solder film 75 may be formed only on the motherboard side.

【0045】半田バンプ76及び半田膜75は、上下面
のソルダーレジスト70の開口部71へ半田ペーストの
印刷後に、リフローを行うことにより形成できる。ま
た、上面のソルダーレジスト70の開口部71へ半田ペ
ーストを印刷してからリフローして半田バンプ76Uを
形成した後、下面のソルダーレジスト70の開口部71
へ半田ペーストを印刷してからリフローして半田膜75
を形成することもできる。更に、フローソルダリングに
て、両面同時に半田バンプ76U、半田膜75を同時に
形成することもできる。
The solder bumps 76 and the solder films 75 can be formed by printing the solder paste in the openings 71 of the solder resist 70 on the upper and lower surfaces and then performing reflow. Also, after printing the solder paste in the opening 71 of the solder resist 70 on the upper surface and reflowing to form a solder bump 76U, the opening 71 of the solder resist 70 on the lower surface is formed.
After printing the solder paste to the solder film 75
Can also be formed. Furthermore, the solder bumps 76U and the solder films 75 can be simultaneously formed on both surfaces by flow soldering.

【0046】引き続き、多層プリント配線板10の製造
方法について説明する。ここでは、先ず、第1実施例の
多層プリント配線板の製造方法に用いるA.無電解めっ
き用接着剤、B.層間樹脂絶縁剤、C.樹脂充填剤、
D.ソルダーレジストの原料組成物の組成について説明
する。
Next, a method of manufacturing the multilayer printed wiring board 10 will be described. Here, first, A. A. used in the method of manufacturing the multilayer printed wiring board of the first embodiment is described. Adhesive for electroless plating, B. Interlayer resin insulation, C.I. Resin filler,
D. The composition of the solder resist raw material composition will be described.

【0047】A.無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物(上層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15
重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、
NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン(PES)12
重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポー
ル)の平均粒径 1.0μmのものを 7.2重量部、平均粒径
0.5μmのものを3.09重量部、を混合した後、さらにN
MP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得
た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガイギー製、イル
ガキュア I−907 )2重量部、光増感剤(日本化薬
製、DETX-S)0.2 重量部、NMP 1.5重量部を攪拌混合
して得た。
A. Raw material composition for preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for upper layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
35% by weight of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 3.15% and a photosensitive monomer (Toa Gosei Co., Aronix M315) 3.15
Parts by weight, 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65)
3.6 parts by weight of NMP were obtained by stirring and mixing. [Resin composition] Polyether sulfone (PES) 12
Parts by weight, epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries, polymer pole) with an average particle size of 1.0 μm, 7.2 parts by weight, average particle size
After mixing 0.59 μm of 3.09 parts by weight,
30 parts by weight of MP was added, and the mixture was stirred and mixed with a bead mill to obtain. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN), 2 parts by weight of a photoinitiator (Circa Geigy, Irgacure I-907), 0.2 parts by weight of a photosensitizer (Nippon Kayaku, DETX-S), and 1.5 parts by weight of NMP are stirred and mixed. I got it.

【0048】B.層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
(下層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重
量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、N
MP 3.6重量部を攪拌混合して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン(PES)12
重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポー
ル)の平均粒径 0.5μmのものを 14.49重量部、を混合
した後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで
攪拌混合して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガイギー製、イル
ガキュア I−907 )2重量部、光増感剤(日本化薬
製、DETX-S)0.2 重量部、NMP1.5 重量部を攪拌混合
して得た。
B. Raw material composition for preparing interlayer resin insulation agent (adhesive for lower layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
% Of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 35%, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Alonix M315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco), N
3.6 parts by weight of MP were obtained by stirring and mixing. [Resin composition] Polyether sulfone (PES) 12
After mixing 14.49 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Industries, polymer pole) having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP was further added, and the mixture was stirred and mixed with a bead mill. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN), 2 parts by weight of a photoinitiator (Circa Geigy, Irgacure I-907), 0.2 parts by weight of a photosensitizer (Nippon Kayaku, DETX-S), 1.5 parts by weight of NMP I got it.

【0049】C.樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポキシモノマー
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO球状粒子(アドマテック製、CRS
1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅
パターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レ
ベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量
部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±
1℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。
C. Raw material composition for resin filler preparation [Resin composition] 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), having an average particle diameter of 1.6 μm coated with a silane coupling agent on the surface SiO 2 spherical particles (Admatech, CRS
1101-CE, where the maximum particle size is 170 parts by weight of the inner layer copper pattern described below (15 μm or less) and 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) by stirring and mixing. The viscosity of the mixture is 23 ±
It was obtained by adjusting to 45,000 to 49,000 cps at 1 ° C. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight.

【0050】D.ソルダーレジストの原料組成物 DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 4
6.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコ
ート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アク
リルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系
消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0P
a・sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で
60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場合はローター
No.3によった。
D. Raw Material Composition of Solder Resist A 60% by weight cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in DMDG was sensitized with an oligomer (molecular weight 4000) having a 50% epoxy group acrylated.
6.67 g, 15.0 g of 80 wt% bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 1.6 g, photosensitive acrylic monomer (Nippon Kayaku, R604) 3 g, polyvalent acrylic monomer (Kyoeisha Chemical, DPE6A) 1.5 g, dispersion defoamer (Sannopco) , S-65), and 2 g of benzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (Kanto Chemical) as a photosensitizer were added to the mixture. 2.0P at 25 ° C
A solder resist composition adjusted to a · s was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type).
Rotor No.4 for 60rpm, rotor for 6rpm
No.3.

【0051】プリント配線板の製造 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマ
レイミドトリアジン)樹脂からなる基板30の両面に18
μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板30
Aを出発材料とした(図1の工程(A))。まず、この
銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、
パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に
内層銅パターン34とスルーホール36を形成した(工
程(B))。
Production of Printed Wiring Board (1) A substrate 1 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm
copper-clad laminate 30 on which copper foil 32 of μm is laminated
A was used as a starting material (step (A) in FIG. 1). First, this copper clad laminate is drilled and subjected to electroless plating.
The inner layer copper pattern 34 and the through-hole 36 were formed on both surfaces of the substrate by etching in a pattern (step (B)).

【0052】(2) 内層銅パターン34およびスルーホー
ル36を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、酸
化浴(黒化浴)として、NaOH(10g/l),NaClO
(40g/l), NaPO(6g/l)、還元浴とし
て、NaOH(10g/l),NaBH(6g/l)を用いた酸
化−還元処理により、内層銅パターン34およびスルー
ホール36の表面に粗化層38を設けた(工程
(C))。
(2) The substrate 30 on which the inner layer copper pattern 34 and the through hole 36 are formed is washed with water and dried. Then, NaOH (10 g / l) and NaClO 2 are used as an oxidation bath (blackening bath).
(40 g / l), Na 3 PO 4 (6 g / l), and an oxidation-reduction treatment using NaOH (10 g / l) and NaBH 4 (6 g / l) as a reducing bath to form the inner layer copper pattern 34 and the through hole. A roughened layer 38 was provided on the surface of Step 36 (Step (C)).

【0053】(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。
(3) The raw material composition for preparing the resin filler C was mixed and kneaded to obtain a resin filler.

【0054】(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤を、調製後
24時間以内に導体回路間あるいはスルーホール36内に
塗布、充填した。塗布方法として、スキ−ジを用いた印
刷法で行った。1回目の印刷塗布は、主にスルーホール
36内を充填して、乾燥炉内の温度100 ℃,20分間乾
燥させた。また、2回目の印刷塗布は、主に導体回路
(内層銅パターン)34の形成で生じた凹部を充填し
て、導体回路34と導体回路34との間およびスルーホ
ール36内を樹脂充填剤40で充填させたあと、前述の
乾燥条件で乾燥させた(工程(D))。
(4) After preparing the resin filler obtained in the above (3),
The coating and filling were performed between the conductor circuits or in the through holes 36 within 24 hours. The coating was performed by a printing method using a squeegee. In the first printing application, the inside of the through hole 36 was mainly filled and dried at 100 ° C. in a drying furnace for 20 minutes. In the second printing application, the recess formed mainly by the formation of the conductor circuit (inner layer copper pattern) 34 is filled, and the resin filler 40 is filled between the conductor circuit 34 and the conductor circuit 34 and in the through hole 36. After that, it was dried under the above-mentioned drying conditions (step (D)).

【0055】(5) 前記(4) の処理を終えた基板30の片
面を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン34の表面
やスルーホール36のランド36a表面に樹脂充填剤が
残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このよ
うな一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行っ
た(図2の工程(E))。次いで、100 ℃で1時間、 1
50℃で1時間、の加熱処理を行って樹脂充填剤40を硬
化した。
(5) The surface of the inner layer copper pattern 34 and the through holes 36 are polished on one side of the substrate 30 after the treatment of the above (4) by belt sanding using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). Was polished so that the resin filler did not remain on the surface of the land 36a, and then buffed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate (step (E) in FIG. 2). Then at 100 ° C for 1 hour, 1
Heat treatment was performed at 50 ° C. for 1 hour to cure the resin filler 40.

【0056】このようにして、スルーホール36等に充
填された樹脂充填剤40の表層部および内層導体回路3
4上面の粗化層38を除去して基板両面を平滑化し、樹
脂充填剤40と内層導体回路34の側面とが粗化層38
を介して強固に密着し、またスルーホール36の内壁面
と樹脂充填剤40とが粗化層38を介して強固に密着し
た配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤
40の表面と内層銅パターン34の表面が同一平面とな
る。
The surface layer of the resin filler 40 filled in the through holes 36 and the like and the inner conductor circuit 3
(4) The roughened layer 38 on the upper surface is removed to smooth both surfaces of the substrate, and the resin filler 40 and the side surfaces of the inner conductor circuit 34 are roughened.
To obtain a wiring board in which the inner wall surface of the through-hole 36 and the resin filler 40 are firmly adhered to each other through the roughened layer 38. That is, by this step, the surface of the resin filler 40 and the surface of the inner layer copper pattern 34 are flush with each other.

【0057】(6) 導体回路34を形成した基板30にア
ルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パ
ラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd
触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅3.9
×10−2mol/l、硫酸ニッケル3.8×10−3
mol/l、クエン酸ナトリウム7.8×10−3mo
l/l、次亜りん酸ナトリウム2.3×10−1mol
/l、界面活性剤(日信化学工業製、サーフィール46
5)1.1×10−4mol/l、PH=9からなる無
電解めっき液に浸積し、浸漬1分後に、4秒当たり1回
に割合で縦、および、横振動させて、導体回路およびス
ルーホールのランドの表面にCu−Ni−Pからなる針
状合金の被覆層及び粗化層42を設けた(工程
(F))。さらに、ホウフっ化スズ0.1mol/l、
チオ尿素1.0mol/l、温度35℃、PH=1.2
の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ
0.3μmSn層(図示せず)を設けた。
(6) The substrate 30 on which the conductor circuit 34 is formed is alkali-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to form Pd.
After applying the catalyst and activating the catalyst, copper sulfate 3.9
× 10 −2 mol / l, nickel sulfate 3.8 × 10 −3
mol / l, sodium citrate 7.8 × 10 −3 mo
1 / l, sodium hypophosphite 2.3 × 10 −1 mol
/ L, surfactant (Surfir 46, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.)
5) Immersion in an electroless plating solution consisting of 1.1 × 10 −4 mol / l, PH = 9, 1 minute after immersion, vertical and horizontal vibrations once every 4 seconds, and A coating layer of a needle-like alloy made of Cu-Ni-P and a roughened layer 42 were provided on the surface of the land of the circuit and the through hole (step (F)). Furthermore, tin borofluoride 0.1 mol / l,
Thiourea 1.0 mol / l, temperature 35 ° C, PH = 1.2
Under the conditions described above, a 0.3 μm thick Sn layer (not shown) was provided on the surface of the roughened layer.

【0058】(7) Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・sに調整して層間樹脂絶
縁剤(下層用)を得た。次いで、Aの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに
調整して無電解めっき用接着剤溶液(上層用)を得た。
(7) The raw material composition for preparing the interlayer resin insulating agent of B was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 1.5 Pa · s to obtain an interlayer resin insulating agent (for lower layer). Next, the raw material composition for preparing the adhesive for electroless plating of A was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 7 Pa · s to obtain an adhesive solution for electroless plating (for the upper layer).

【0059】(8) 前記(6) の基板30の両面に、前記
(7) で得られた粘度 1.5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層
用)44を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、
水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プ
リベーク)を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度7
Pa・sの感光性の接着剤溶液(上層用)46を調製後24
時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60
℃で30分の乾燥(プリベーク)を行い、厚さ35μmの接
着剤層50αを形成した(工程(G))。
(8) On both surfaces of the substrate 30 of (6),
The interlayer resin insulating agent (for lower layer) 44 having a viscosity of 1.5 Pa · s obtained in (7) was applied by a roll coater within 24 hours after preparation,
After standing for 20 minutes in a horizontal state, drying (prebaking) was performed at 60 ° C. for 30 minutes.
After preparing a Pa · s photosensitive adhesive solution (for upper layer) 46
Apply within 20 hours, leave it horizontal for 20 minutes, then
Drying (prebaking) was performed at 30 ° C. for 30 minutes to form an adhesive layer 50α having a thickness of 35 μm (step (G)).

【0060】(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板3
0の両面に、85μmφの黒円51aが印刷されたフォト
マスクフィルム51を密着させ、超高圧水銀灯により 5
00mJ/cmで露光した(工程(H))。これをDMT
G溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水
銀灯により3000mJ/cmで露光し、100 ℃で1時間、
120 ℃で1時間、その後 150℃で3時間の加熱処理(ポ
ストベーク)をすることにより、フォトマスクフィルム
に相当する寸法精度に優れた85μmφの開口(バイアホ
ール形成用開口)48を有する厚さ35μmの層間樹脂絶
縁層(2層構造)50を形成した(図3の工程
(I))。なお、バイアホールとなる開口48には、ス
ズめっき層(図示せず)を部分的に露出させた。
(9) The substrate 3 on which the adhesive layer was formed in the above (8)
A photomask film 51 having a black circle 51a of 85 μmφ printed thereon is brought into close contact with both sides of
Exposure was performed at 00 mJ / cm 2 (step (H)). This is DMT
G solution, and then exposed the substrate to 3000 mJ / cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp,
Heat treatment (post-bake) at 120 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 3 hours to obtain an 85 μmφ opening (via hole forming opening) 48 with excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film A 35 μm interlayer resin insulating layer (two-layer structure) 50 was formed (step (I) in FIG. 3). Note that a tin plating layer (not shown) was partially exposed in the opening 48 serving as a via hole.

【0061】(10)開口48が形成された基板30を、ク
ロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層の表面に存在す
るエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層
間樹脂絶縁層50の表面を粗化とし、その後、中和溶液
(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした(工程
(J))。さらに、粗面化処理(粗化深さ6μm)した
該基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック製)を付
与することにより、層間樹脂絶縁層50の表面およびバ
イアホール用開口48の内壁面に触媒核を付けた。
(10) The substrate 30 in which the openings 48 are formed is immersed in chromic acid for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer, thereby forming the interlayer resin insulating layer 50. The surface was roughened, and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water (step (J)). Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 6 μm), the catalyst is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer 50 and the inner wall surface of the via hole opening 48. Attach a nucleus.

【0062】(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 〜1.2 μm
の無電解銅めっき膜52を形成した(工程(K))。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 0.08 mol /l 硫酸銅 0.03 mol /l HCHO 0.05 mol /l NaOH 0.05 mol /l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕 65℃の液温度で20分
(11) The substrate is immersed in an aqueous electroless copper plating solution having the following composition, and a thickness of 0.6 to 1.2 μm
Was formed (step (K)). [Electroless plating aqueous solution] EDTA 0.08 mol / l Copper sulfate 0.03 mol / l HCHO 0.05 mol / l NaOH 0.05 mol / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 65 ° C 20 minutes at liquid temperature

【0063】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
52上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、100 mJ/cmで露光、0.8 %炭酸ナト
リウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト54
を設けた(工程(L))。
(12) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating film 52 formed in the above (11), a mask is placed, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 , followed by exposure to 0.8% sodium carbonate. Developed, 15μm thick plating resist 54
Was provided (step (L)).

【0064】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき
膜56を形成した(図4の工程(M))。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol /l 硫酸銅 0.26 mol /l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドHL) 19.5 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm 時間 65 分 温度 22±2 ℃
(13) Next, electrolytic copper plating was applied to the non-resist-forming portion under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 56 having a thickness of 15 μm (step (M) in FIG. 4). [Aqueous electrolytic plating solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive (captoside HL, manufactured by Atotech Japan) 19.5 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ° C

【0065】(14)めっきレジスト54を5%KOH で剥離
除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、
めっきレジスト下の無電解めっき膜52を溶解除去し、
無電解めっき52及び電解銅めっき膜56からなる厚さ
18μm(10〜30μm)の導体回路58及びバイア
ホール60を得た(工程(N))。
(14) After the plating resist 54 is peeled and removed with 5% KOH, it is etched with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide.
Dissolve and remove the electroless plating film 52 under the plating resist,
A conductor circuit 58 and a via hole 60 each having a thickness of 18 μm (10 to 30 μm) composed of the electroless plating 52 and the electrolytic copper plating film 56 were obtained (step (N)).

【0066】更に、70℃で80g/Lのクロム酸に3分間
浸漬して、導体回路58間の無電解めっき用接着剤層5
0の表面を1μmエッチング処理し、表面のパラジウム
触媒を除去した。
Further, the adhesive layer 5 for electroless plating between the conductor circuits 58 was immersed in chromic acid of 80 g / L at 70 ° C. for 3 minutes.
The surface of No. 0 was etched at 1 μm to remove the palladium catalyst on the surface.

【0067】(15)(6)と同様の処理を行い、導体回路5
8及びバイアホール60の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面62を形成し、さらにその表面にSn置換を行った(工
程(O))。
(15) The same processing as in (6) is performed, and the conductor circuit 5
A roughened surface 62 made of Cu—Ni—P was formed on the surfaces of the via holes 60 and via holes 60, and the surfaces thereof were further substituted with Sn (step (O)).

【0068】(16)(7)〜(14)の工程を繰り返すことによ
り、さらに上層の層間樹脂絶縁層160とバイアホール
160及び導体回路158を形成する。さらに、バイア
ホール160及び該導体回路158の表面に粗化層16
2を形成する(工程(P))。なお、この上層の導体回
路を形成する工程においては、Sn置換は行わなかっ
た。
(16) By repeating the steps (7) to (14), an upper interlayer resin insulating layer 160, via holes 160 and conductor circuits 158 are further formed. Further, the roughened layer 16 is formed on the surface of the via hole 160 and the conductive circuit 158.
2 is formed (step (P)). Note that, in the step of forming the upper conductive circuit, Sn substitution was not performed.

【0069】(17)そして、上述した多層プリント配線板
に半田膜を形成する。前記(16)で得られた基板30両面
に、上記D.にて説明したソルダーレジスト組成物70
αを20μmの厚さで塗布した(図5の工程(Q))。次
いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った
後、円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5
mmのフォトマスクフィルム(図示せず)を密着させて載
置し、1000mJ/cmの紫外線で露光し、DMTG現像処理
した。そしてさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、
120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、
はんだパッド部分(バイアホールとそのランド部分を含
む)の開口71(開口径:ICチップ側133μm、ド
ータボード側650μm)を有するソルダーレジスト層
(厚み20μm)70を形成した(工程(R))。
(17) Then, a solder film is formed on the above-mentioned multilayer printed wiring board. On both surfaces of the substrate 30 obtained in the above (16), the above D.I. Solder resist composition 70 described in
α was applied in a thickness of 20 μm (step (Q) in FIG. 5). Next, after performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a thickness 5 on which a circular pattern (mask pattern) is drawn is formed.
A photomask film (not shown) having a thickness of 1 mm was placed in close contact with the substrate, exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 , and subjected to a DMTG development treatment. And at 80 ° C for 1 hour, at 100 ° C for 1 hour,
Heat treatment at 120 ° C for 1 hour, 150 ° C for 3 hours,
A solder resist layer (thickness: 20 μm) 70 having an opening 71 (opening diameter: 133 μm on the IC chip side, 650 μm on the daughter board side) of the solder pad portion (including the via hole and its land portion) was formed (step (R)).

【0070】(18)その後、塩化ニッケル2.3 ×10−1
ol/l、次亜リン酸ナトリウム2.8×10−1mol/
l、クエン酸ナトリウム1.6 ×10−1mol/l、から
なるpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に、20分間
浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッケルめっき層
72を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリ
ウム7.6 ×10−3mol/l、塩化アンモニウム1.9 ×
10−1mol/l、クエン酸ナトリウム1.2 ×10−1
ol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10−1mol/
lからなる無電解金めっき液に80℃の条件で7.5分間
浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ0.03μmの金
めっき層74を形成した(工程(S))。
(18) Then, nickel chloride 2.3 × 10 −1 m
ol / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10 −1 mol /
l, sodium citrate 1.6 × 10 −1 mol / l, was immersed in an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5 for 20 minutes to form a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm in the opening 71. . Further, the substrate was washed with 7.6 × 10 −3 mol / l of potassium potassium cyanide and 1.9 × 10 3 ammonium chloride.
10 -1 mol / l, sodium citrate 1.2 × 10 -1 m
ol / l, sodium hypophosphite 1.7 × 10 -1 mol /
Then, the substrate was immersed in an electroless gold plating solution composed of 1 for 7.5 minutes at 80 ° C. to form a gold plating layer 74 having a thickness of 0.03 μm on the nickel plating layer 72 (step (S)).

【0071】(19)そして、BGA配設側(基板のICチ
ップ側及びドータボード側)のソルダーレジスト開口部
71に、スクリーン印刷により10μmの半田膜75を
形成した(図6参照)。ここでは、先ず、マザーボード
側のソルダーレジスト70の開口部71に対応するアー
パチャを形成したマスク(図示せず)を基板30に乗せ
て、通常の方法の印刷で半田ペーストを開口部71内へ
印刷し、そして、基板を反転してICチップ側のソルダ
ーレジスト70の開口部71内へ同様に半田ペーストを
印刷する。その後、200゜Cでリフローした。それに
より、露出した導体、即ち、必要最小限の厚さで形成さ
れた導体(金めっき層)74を保護し、ソルダーレジス
トからはみ出すことのないように半田膜75を施した。
なお、半田量は、スクリーンマスクの厚み及び開口径に
より調整できる。これにより、半田膜75を所定の厚み
にすることができる。
(19) Then, a 10 μm solder film 75 was formed on the solder resist opening 71 on the BGA side (the IC chip side and the daughter board side of the substrate) by screen printing (see FIG. 6). Here, first, a mask (not shown) formed with an aperture corresponding to the opening 71 of the solder resist 70 on the motherboard side is placed on the substrate 30, and the solder paste is printed into the opening 71 by printing using a normal method. Then, the substrate is inverted and the solder paste is similarly printed into the opening 71 of the solder resist 70 on the IC chip side. Thereafter, reflow was performed at 200 ° C. As a result, the exposed conductor, that is, the conductor (gold plating layer) 74 formed with the minimum thickness was protected, and the solder film 75 was applied so as not to protrude from the solder resist.
Note that the amount of solder can be adjusted by the thickness and the opening diameter of the screen mask. Thus, the thickness of the solder film 75 can be set to a predetermined thickness.

【0072】(20)ルーターを持つ装置で基板を該当の大
きさに分割切断した。即ち、上述した工程の基板は多数
個取り用であるため、個々の多層プリント配線板に分割
した。その後、多層プリント配線板の短絡・断線を検査
するチェッカー工程を経て、該当する多層プリント配線
板を得た。以上の工程で、BGA側開口部71に半田膜
75を有するプリント配線板10を完成した。
(20) The substrate was divided and cut into a corresponding size by a device having a router. That is, since the substrates in the above-described process are for multiple-piece production, they were divided into individual multilayer printed wiring boards. Thereafter, a corresponding multilayer printed wiring board was obtained through a checker process for inspecting a short circuit / break of the multilayer printed wiring board. Through the above steps, the printed wiring board 10 having the solder film 75 in the BGA side opening 71 was completed.

【0073】引き続き、本実施例の多層プリント配線板
に対する性能比較のため構成した比較例に係る多層プリ
ント配線板について説明する。 (比較例1)比較例1の多層プリント配線板は、基本的
に実施例と同様であるが、BGA側開口部に半田膜を形
成しなかった。その他の条件は同一である。
Next, a multilayer printed wiring board according to a comparative example configured for performance comparison with the multilayer printed wiring board of this embodiment will be described. Comparative Example 1 The multilayer printed wiring board of Comparative Example 1 was basically the same as the example, except that no solder film was formed in the opening on the BGA side. Other conditions are the same.

【0074】以上、実施例および比較例1で製造された
プリント配線板について、開口部内の半田の濡れ性、金
属層の変質、変色、BGAの脱落発生率(プリント配線
板の製造から、1週間後、4ヶ月後、6ヶ月後にBGAを
配設)の3項目を評価した結果を図9に示す。実施例の
製造方法に係るプリント配線板は、半田濡れ性に問題は
なく、金属層の変質、変色は発生せず、4ヶ月及び6ヶ
月放置してからBGA配設させても問題は発生しなかっ
た。一方、比較例に係るプリント配線板は、1週間では
問題が生じなかったが、4ヶ月経過した後にBGAを配
置すると数%の割合で不良が発生した。
As described above, with respect to the printed wiring boards manufactured in Examples and Comparative Example 1, the wettability of the solder in the openings, the deterioration and discoloration of the metal layer, and the occurrence rate of BGA dropping (one week after the manufacture of the printed wiring boards) After 4 months and 6 months, BGA was installed). The printed wiring board according to the manufacturing method of the example has no problem in solder wettability, no deterioration and discoloration of the metal layer does not occur, and a problem occurs even when the BGA is disposed after leaving it for 4 months and 6 months. Did not. On the other hand, in the printed wiring board according to the comparative example, no problem occurred in one week, but when the BGA was disposed after 4 months, a defect occurred at a rate of several percent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a multilayer printed wiring board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図7】図7は、図6に示す多層プリント配線板に半田
バンプを形成した断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view in which solder bumps are formed on the multilayer printed wiring board shown in FIG. 6;

【図8】図7に示す多層プリント配線板にICチップを
取り付け、ドータボードに載置した状態を示す断面図で
ある。
8 is a cross-sectional view showing a state where an IC chip is mounted on the multilayer printed wiring board shown in FIG. 7 and is mounted on a daughter board.

【図9】第1実施例と比較例1に係る多層プリント配線
板を試験した結果を示す図表である。
FIG. 9 is a table showing the results of testing the multilayer printed wiring boards according to the first embodiment and the first comparative example.

【図10】本発明の第1実施例の改変例に係る多層プリ
ント配線板の断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view of a multilayer printed wiring board according to a modification of the first embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 コア基板 34 導体回路 36 スルーホール 50 層間樹脂絶縁層 58 導体回路 60 バイアホール 70 ソルダーレジスト 72 ニッケルめっき層(金属層) 74 金めっき層(金属層) 75 半田膜 76U、76D 半田バンプ 71 開口部 150 層間樹脂絶縁層 158 導体回路 162 粗化層(粗化面) Reference Signs List 30 core substrate 34 conductive circuit 36 through hole 50 interlayer resin insulating layer 58 conductive circuit 60 via hole 70 solder resist 72 nickel plating layer (metal layer) 74 gold plating layer (metal layer) 75 solder film 76U, 76D solder bump 71 opening 150 interlayer resin insulation layer 158 conductive circuit 162 roughened layer (roughened surface)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E343 AA02 AA12 AA17 AA18 AA23 AA36 BB03 BB23 BB24 BB25 BB34 BB44 BB52 BB72 DD03 DD14 DD20 DD33 DD34 DD43 DD44 DD47 DD76 EE02 EE33 EE43 ER02 ER12 ER18 ER33 ER35 GG02 GG04 GG18 5E346 AA02 AA06 CC09 CC10 CC16 CC32 CC33 CC37 CC38 CC39 CC54 CC55 DD03 DD13 DD23 DD24 DD25 DD33 EE21 EE31 FF07 FF15 GG16 GG17 GG22 GG23 GG25 GG27 GG28 HH07 HH40  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E343 AA02 AA12 AA17 AA18 AA23 AA36 BB03 BB23 BB24 BB25 BB34 BB44 BB52 BB72 DD03 DD14 DD20 DD33 DD34 DD43 DD44 DD47 DD76 EE02 EE33 EE43 ER02 ER18 A02 ER18 ER18 ER18 A02 ER18 CC09 CC10 CC16 CC32 CC33 CC37 CC38 CC39 CC54 CC55 DD03 DD13 DD23 DD24 DD25 DD33 EE21 EE31 FF07 FF15 GG16 GG17 GG22 GG23 GG25 GG27 GG28 HH07 HH40

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 外部接続用の電極となる導体回路を配設
した基板上に、該導体回路の少なくとも一部を露出させ
る開口を設けてソルダーレジスト層を形成したプリント
配線板において、 前記開口内の導体回路に金属層を施し、半田膜を形成し
たことを特徴とするプリント配線板。
1. A printed wiring board in which a solder resist layer is formed by providing an opening for exposing at least a part of a conductive circuit on a substrate on which a conductive circuit serving as an electrode for external connection is provided. A printed wiring board characterized in that a metal layer is applied to the conductor circuit of (1) and a solder film is formed.
【請求項2】 前記導体回路上に施された金属層とし
て、2層以上の金属層が形成されていることを特徴とす
る請求項1に記載のプリント配線板。
2. The printed wiring board according to claim 1, wherein two or more metal layers are formed as the metal layer provided on the conductor circuit.
【請求項3】 前記金属層の内の1層は、Cu、Ni、
Au、Ag、Sn、P、Alの内の少なくとも1種類以
上の合金であることを特徴とする請求項2に記載のプリ
ント配線板。
3. The method according to claim 1, wherein one of the metal layers comprises Cu, Ni,
The printed wiring board according to claim 2, wherein the printed wiring board is at least one of Au, Ag, Sn, P, and Al.
【請求項4】 前記半田膜は、0.1〜30μmの範囲
で形成されていることを特徴とする請求項1または2に
記載のプリント配線板。
4. The printed wiring board according to claim 1, wherein the solder film is formed in a range of 0.1 to 30 μm.
【請求項5】 前記半田層は、Pdの配合比が、30〜
90%であることを特徴とする請求項1から4のいずれ
か1に記載のプリント配線板。
5. The solder layer according to claim 1, wherein a mixing ratio of Pd is 30 to
The printed wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein the ratio is 90%.
【請求項6】 前記半田層は、SnAg、SnAgC
u、SnCuのいずれかであることを特徴とする請求項
1から4のいずれか1に記載のプリント配線板。
6. The solder layer is made of SnAg, SnAgC.
The printed wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein the printed wiring board is one of u and SnCu.
【請求項7】 上面側にICチップ接続用の電極となる
導体回路を配設し、下面側に外部基板への接続用の電極
となる導体回路を配設した基板上に、該上面側及び下面
側の導体回路の少なくとも一部を露出させる開口を設け
てソルダーレジスト層を形成したプリント配線板におい
て、 前記上面側の開口内の導体回路に半田バンプを形成し、
前記下面側の開口内の導体回路に金属層を施し、半田膜
を形成したことを特徴とするプリント配線板。
7. On a substrate on which a conductor circuit serving as an electrode for connecting an IC chip is disposed on an upper surface and a conductor circuit serving as an electrode for connection to an external substrate is disposed on a lower surface, In a printed wiring board provided with an opening for exposing at least a part of the lower-side conductive circuit and forming a solder resist layer, a solder bump is formed on the conductive circuit in the upper-side opening,
A printed circuit board, wherein a metal layer is applied to a conductor circuit in the opening on the lower surface side to form a solder film.
【請求項8】 少なくとも以下の(a)〜(c)の工程
を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法、
(a)外部接続用の電極となる導体回路を配設した基板
上に、該導体回路の少なくとも一部を露出させる開口を
設けてソルダーレジスト層を形成する工程、(b)前記
開口部内の導体回路に金属層を施す工程、(c)半田膜
を形成する工程。
8. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising at least the following steps (a) to (c):
(A) forming a solder resist layer by providing an opening for exposing at least a part of the conductor circuit on a substrate on which a conductor circuit serving as an electrode for external connection is disposed; (b) providing a conductor in the opening A step of applying a metal layer to the circuit; and (c) a step of forming a solder film.
【請求項9】 前記半田膜をめっきで形成することを特
徴とする請求項6に記載のプリント配線板の製造方法。
9. The method according to claim 6, wherein the solder film is formed by plating.
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