JP2000022026A - 電子部品搭載用基板 - Google Patents
電子部品搭載用基板Info
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 搭載する電子部品の各電極を外部電気回路に
長期間にわたり正常に接続することができない。また、
鉛による環境汚染の危険性がある。 【解決手段】 絶縁基体１の表面に電子部品３の電極が
接続される配線導体４が形成されるとともに、配線導体
４の一部に外部電気回路に接続する半田端子２を取着し
て成る電子部品搭載用基板であって、半田端子２は、96
〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金により形成
されている。半田端子２に疲労破壊が起きにくく、半田
端子２は鉛を含有しないことから鉛による環境汚染の危
険性もない。
長期間にわたり正常に接続することができない。また、
鉛による環境汚染の危険性がある。 【解決手段】 絶縁基体１の表面に電子部品３の電極が
接続される配線導体４が形成されるとともに、配線導体
４の一部に外部電気回路に接続する半田端子２を取着し
て成る電子部品搭載用基板であって、半田端子２は、96
〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金により形成
されている。半田端子２に疲労破壊が起きにくく、半田
端子２は鉛を含有しないことから鉛による環境汚染の危
険性もない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子等の電子部品を搭載するための電子部品搭載用基板に
関するものである。
子等の電子部品を搭載するための電子部品搭載用基板に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路素子等の電子部品
を搭載するための電子部品搭載用基板は、一般に酸化ア
ルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムラ
イト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・
ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成り、その上
面中央部に半導体集積回路素子等の電子部品を搭載する
ための搭載部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の搭載
部から下面にかけて導出されるタングステンやモリブデ
ン・銅・銀等の金属粉末焼結体から成る複数個のメタラ
イズ配線導体と、このメタライズ配線導体の絶縁基体下
面に導出した部位に取着された鉛−錫合金により形成さ
れた略球状の半田端子とから構成されており、絶縁基体
の搭載部に半導体集積回路素子等の電子部品を搭載する
とともにこの電子部品の各電極をメタライズ配線導体に
金等の金属バンプを介して電気的に接続し、しかる後、
絶縁基体の上面に電子部品を覆うようにして金属やセラ
ミックスから成る蓋体をガラスや樹脂等の封止材を介し
て接合させたり、あるいは絶縁基体の上面に電子部品を
覆うようにして液状の樹脂を滴下した後これを硬化させ
ること等により、電子部品を気密に封止することによっ
て製品としての電子装置となる。
を搭載するための電子部品搭載用基板は、一般に酸化ア
ルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムラ
イト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・
ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成り、その上
面中央部に半導体集積回路素子等の電子部品を搭載する
ための搭載部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の搭載
部から下面にかけて導出されるタングステンやモリブデ
ン・銅・銀等の金属粉末焼結体から成る複数個のメタラ
イズ配線導体と、このメタライズ配線導体の絶縁基体下
面に導出した部位に取着された鉛−錫合金により形成さ
れた略球状の半田端子とから構成されており、絶縁基体
の搭載部に半導体集積回路素子等の電子部品を搭載する
とともにこの電子部品の各電極をメタライズ配線導体に
金等の金属バンプを介して電気的に接続し、しかる後、
絶縁基体の上面に電子部品を覆うようにして金属やセラ
ミックスから成る蓋体をガラスや樹脂等の封止材を介し
て接合させたり、あるいは絶縁基体の上面に電子部品を
覆うようにして液状の樹脂を滴下した後これを硬化させ
ること等により、電子部品を気密に封止することによっ
て製品としての電子装置となる。
【０００３】かかる電子装置は、絶縁基体下面のメタラ
イズ配線導体に取着された鉛−錫合金からなる半田端子
を外部電気回路基板の配線導体上に当接させ、しかる
後、この半田端子を約230 〜280 ℃の温度で加熱溶融さ
せて外部電気回路基板の配線導体に接合させるとともに
これを冷却固化させることにより外部電気回路基板に実
装され、同時に電子部品搭載用基板に搭載されている電
子部品の各電極がメタライズ配線導体および半田端子を
介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
イズ配線導体に取着された鉛−錫合金からなる半田端子
を外部電気回路基板の配線導体上に当接させ、しかる
後、この半田端子を約230 〜280 ℃の温度で加熱溶融さ
せて外部電気回路基板の配線導体に接合させるとともに
これを冷却固化させることにより外部電気回路基板に実
装され、同時に電子部品搭載用基板に搭載されている電
子部品の各電極がメタライズ配線導体および半田端子を
介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の電子部品搭載用基板においては、絶縁基体を形成す
る酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結
体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質
焼結体・ガラスセラミックス等の熱膨張係数が約４〜10
×10-6／℃であるのに対し、外部電気回路基板は一般に
ガラスエポキシ樹脂から成り、その熱膨張係数が２×10
-5／℃で両者が大きく相違することから、絶縁基体に半
導体集積回路素子等の電子部品を搭載し、しかる後、外
部電気回路基板に実装した場合に、半導体集積回路素子
等の電子部品が作動時に発生する熱が絶縁基体と外部電
気回路基板の両方に繰り返し印加されると、絶縁基体と
外部電気回路基板との間に両者の熱膨張係数の相違に起
因する大きな熱応力が発生するとともに絶縁基体下面に
取着させた鉛−錫からなる半田端子に作用して半田中の
結晶の粗大化を招いて結晶粒界での滑りを発生させ易く
なり、半田端子に疲労破壊を起こさせてしまうという問
題点を有していた。そしてその結果、電子部品搭載用基
板に搭載する半導体集積回路素子等の電子部品の各電極
を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続させること
ができなくなってしまうという問題点を有していた。
来の電子部品搭載用基板においては、絶縁基体を形成す
る酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結
体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質
焼結体・ガラスセラミックス等の熱膨張係数が約４〜10
×10-6／℃であるのに対し、外部電気回路基板は一般に
ガラスエポキシ樹脂から成り、その熱膨張係数が２×10
-5／℃で両者が大きく相違することから、絶縁基体に半
導体集積回路素子等の電子部品を搭載し、しかる後、外
部電気回路基板に実装した場合に、半導体集積回路素子
等の電子部品が作動時に発生する熱が絶縁基体と外部電
気回路基板の両方に繰り返し印加されると、絶縁基体と
外部電気回路基板との間に両者の熱膨張係数の相違に起
因する大きな熱応力が発生するとともに絶縁基体下面に
取着させた鉛−錫からなる半田端子に作用して半田中の
結晶の粗大化を招いて結晶粒界での滑りを発生させ易く
なり、半田端子に疲労破壊を起こさせてしまうという問
題点を有していた。そしてその結果、電子部品搭載用基
板に搭載する半導体集積回路素子等の電子部品の各電極
を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続させること
ができなくなってしまうという問題点を有していた。
【０００５】また、この従来の電子部品搭載用基板によ
れば、絶縁基体下面に取着された半田端子が鉛−錫合金
により形成されており、この半田端子に含まれる鉛が環
境を汚染する危険性が大きいという問題点も有してい
た。
れば、絶縁基体下面に取着された半田端子が鉛−錫合金
により形成されており、この半田端子に含まれる鉛が環
境を汚染する危険性が大きいという問題点も有してい
た。
【０００６】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
案出されたものであり、その目的は、絶縁基体と外部電
気回路基板との間に熱が繰り返し印加されても絶縁基体
に形成された配線導体に取着させた半田端子に疲労によ
る破壊が起きにくく、絶縁基体に搭載する電子部品の各
電極を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続させて
おくことが可能であり、かつ鉛による環境汚染の危険性
がない電子部品搭載用基板を提供することにある。
案出されたものであり、その目的は、絶縁基体と外部電
気回路基板との間に熱が繰り返し印加されても絶縁基体
に形成された配線導体に取着させた半田端子に疲労によ
る破壊が起きにくく、絶縁基体に搭載する電子部品の各
電極を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続させて
おくことが可能であり、かつ鉛による環境汚染の危険性
がない電子部品搭載用基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品搭載用
基板は、絶縁基体の表面に電子部品の電極が接続される
配線導体を形成するとともに、該配線導体の一部に外部
電気回路と接続される半田端子を取着して成る電子部品
搭載用基板であって、前記半田端子は96〜98重量％の錫
と２〜４重量％の銀との合金により形成されていること
を特徴とするものである。
基板は、絶縁基体の表面に電子部品の電極が接続される
配線導体を形成するとともに、該配線導体の一部に外部
電気回路と接続される半田端子を取着して成る電子部品
搭載用基板であって、前記半田端子は96〜98重量％の錫
と２〜４重量％の銀との合金により形成されていること
を特徴とするものである。
【０００８】本発明の電子部品搭載用基板によれば、半
田端子が96〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金
により形成され、この96〜98重量％の錫と２〜４重量％
の銀との合金は鉛−錫合金と比較して耐疲労性に優れる
ことから、絶縁基体に半導体集積回路素子等の電子部品
を搭載し、しかる後、これを外部電気回路基板に実装し
た場合、半導体集積回路素子等の電子部品が作動時に発
生する熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返
し印加されても半田端子に疲労破壊が起きにくい。ま
た、96〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金から
成る半田端子は鉛を含有しないことから、鉛による環境
汚染の危険性もない。
田端子が96〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金
により形成され、この96〜98重量％の錫と２〜４重量％
の銀との合金は鉛−錫合金と比較して耐疲労性に優れる
ことから、絶縁基体に半導体集積回路素子等の電子部品
を搭載し、しかる後、これを外部電気回路基板に実装し
た場合、半導体集積回路素子等の電子部品が作動時に発
生する熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返
し印加されても半田端子に疲労破壊が起きにくい。ま
た、96〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金から
成る半田端子は鉛を含有しないことから、鉛による環境
汚染の危険性もない。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付の図面を基にし
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１０】図１は本発明の配線基板の実施の形態の一
例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は半田端子で
ある。
例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は半田端子で
ある。
【００１１】絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体
や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化
珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス
等の電気絶縁材料から成る略四角形状の平板であり、例
えばその上面中央部に電子部品３を搭載するための搭載
部１ａを有しており、この搭載部１ａには電子部品３が
搭載される。
や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化
珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス
等の電気絶縁材料から成る略四角形状の平板であり、例
えばその上面中央部に電子部品３を搭載するための搭載
部１ａを有しており、この搭載部１ａには電子部品３が
搭載される。
【００１２】絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体から成る場合、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸
化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末に適当な
有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して
泥漿物を作るとともにこの泥漿物を従来周知のドクター
ブレード法等のシート成形法を採用してセラミックググ
リーンシートとなし、しかる後、このセラミックグリー
ンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複
数枚積層し、約1600℃の温度で焼成することによって製
作される。
焼結体から成る場合、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸
化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末に適当な
有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して
泥漿物を作るとともにこの泥漿物を従来周知のドクター
ブレード法等のシート成形法を採用してセラミックググ
リーンシートとなし、しかる後、このセラミックグリー
ンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複
数枚積層し、約1600℃の温度で焼成することによって製
作される。
【００１３】また、絶縁基体１は、その表面、例えば搭
載部１ａ上面から下面にかけて導出する、例えばタング
ステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末焼結体から成
るメタライズ配線導体４が被着されている。
載部１ａ上面から下面にかけて導出する、例えばタング
ステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末焼結体から成
るメタライズ配線導体４が被着されている。
【００１４】このメタライズ配線導体４は、電子部品３
の各電極を半田端子２に電気的に接続するための導電路
として機能し、その搭載部１ａの部位には電子部品３の
各電極が金属バンプ５を介して接続され、また、その絶
縁基体１の下面に導出した部位には略球状の半田端子２
が取着されている。
の各電極を半田端子２に電気的に接続するための導電路
として機能し、その搭載部１ａの部位には電子部品３の
各電極が金属バンプ５を介して接続され、また、その絶
縁基体１の下面に導出した部位には略球状の半田端子２
が取着されている。
【００１５】なお、メタライズ配線導体４は、例えばタ
ングステンから成る場合、タングステン粉末に適当な有
機バインダ・溶剤・可塑剤を添加混合して得た導体ペー
ストを絶縁基体１と成るセラミックグリーンシートに所
定パターンに印刷塗布しておき、これを絶縁基体１とな
るセラミックグリーンシートと同時に焼成することによ
って、絶縁基体１の搭載部１ａから下面にかけて導出す
るように被着形成される。
ングステンから成る場合、タングステン粉末に適当な有
機バインダ・溶剤・可塑剤を添加混合して得た導体ペー
ストを絶縁基体１と成るセラミックグリーンシートに所
定パターンに印刷塗布しておき、これを絶縁基体１とな
るセラミックグリーンシートと同時に焼成することによ
って、絶縁基体１の搭載部１ａから下面にかけて導出す
るように被着形成される。
【００１６】また、メタライズ配線導体４は、その露出
表面にニッケルや金等の耐食性に優れ、かつ金属バンプ
５や半田端子２との接合性に優れる金属をめっき法によ
り１〜20μｍの厚みに被着させておくと、メタライズ配
線導体４が酸化腐食するのを有効に防止することができ
るとともに、メタライズ配線導体４と金属バンプ５や半
田端子２との接続を良好なものとすることができる。従
って、メタライズ配線導体４は、その露出表面にニッケ
ルや金等の耐食性に優れ、かつ金属バンプ５や半田端子
２との接合性に優れる金属をめっき法により１〜20μｍ
の厚みに被着させておくことが好ましい。
表面にニッケルや金等の耐食性に優れ、かつ金属バンプ
５や半田端子２との接合性に優れる金属をめっき法によ
り１〜20μｍの厚みに被着させておくと、メタライズ配
線導体４が酸化腐食するのを有効に防止することができ
るとともに、メタライズ配線導体４と金属バンプ５や半
田端子２との接続を良好なものとすることができる。従
って、メタライズ配線導体４は、その露出表面にニッケ
ルや金等の耐食性に優れ、かつ金属バンプ５や半田端子
２との接合性に優れる金属をめっき法により１〜20μｍ
の厚みに被着させておくことが好ましい。
【００１７】そして、メタライズ配線導体４の絶縁基体
１下面に導出した部位に取着された半田端子２は、96〜
98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金により形成さ
れており、絶縁基体１に搭載された電子部品３の各電極
を図示しない外部電気回路基板の配線導体に電気的に接
続する作用をなす。
１下面に導出した部位に取着された半田端子２は、96〜
98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金により形成さ
れており、絶縁基体１に搭載された電子部品３の各電極
を図示しない外部電気回路基板の配線導体に電気的に接
続する作用をなす。
【００１８】半田端子２を形成する96〜98重量％の錫と
２〜４重量％の銀との合金は、この合金中に含有される
銀が半田の結晶の成長を抑制するとともに結晶粒界にお
ける滑りを有効に食い止めるように作用し、これに繰り
返し応力が印加されたとしても疲労破壊が起きにくい。
２〜４重量％の銀との合金は、この合金中に含有される
銀が半田の結晶の成長を抑制するとともに結晶粒界にお
ける滑りを有効に食い止めるように作用し、これに繰り
返し応力が印加されたとしても疲労破壊が起きにくい。
【００１９】従って、本発明の配線基板によれば、これ
を外部電気回路基板に半田端子２を介して実装した後、
絶縁基体１と外部電気回路基板との間に電子部品３が発
生する熱が繰り返し印加されたとしても、半田端子２に
疲労破壊が起きにくく、搭載する電子部品３の電極を外
部電気回路に長期間にわたり正常に接続させておくこと
が可能となる。
を外部電気回路基板に半田端子２を介して実装した後、
絶縁基体１と外部電気回路基板との間に電子部品３が発
生する熱が繰り返し印加されたとしても、半田端子２に
疲労破壊が起きにくく、搭載する電子部品３の電極を外
部電気回路に長期間にわたり正常に接続させておくこと
が可能となる。
【００２０】また、半田端子２を形成する96〜98重量％
の錫と２〜４重量％の銀との合金は鉛を含有せず、従っ
て、鉛による環境汚染を引き起こすようなことはない。
の錫と２〜４重量％の銀との合金は鉛を含有せず、従っ
て、鉛による環境汚染を引き起こすようなことはない。
【００２１】なお、錫と銀との合金から成る半田端子２
は、錫の含有量が98重量％を超え銀の含有量が２重量％
未満であると、銀が半田の結晶粒径の粗大化を抑制する
とともに結晶粒界における滑りの発生を有効に食い止め
ることが困難となり、また、錫の含有量が96重量％未満
で銀の含有量が４重量％を超えると、半田が脆弱なもの
となる傾向にあり、いずれの場合も半田端子２に繰り返
し応力が印加された場合に半田端子２に疲労破壊が発生
し易い物となる。従って、錫と銀との合金から成る半田
端子２は、錫の含有量が96〜98重量％で、銀の含有量が
２〜４重量％の範囲のものに特定される。
は、錫の含有量が98重量％を超え銀の含有量が２重量％
未満であると、銀が半田の結晶粒径の粗大化を抑制する
とともに結晶粒界における滑りの発生を有効に食い止め
ることが困難となり、また、錫の含有量が96重量％未満
で銀の含有量が４重量％を超えると、半田が脆弱なもの
となる傾向にあり、いずれの場合も半田端子２に繰り返
し応力が印加された場合に半田端子２に疲労破壊が発生
し易い物となる。従って、錫と銀との合金から成る半田
端子２は、錫の含有量が96〜98重量％で、銀の含有量が
２〜４重量％の範囲のものに特定される。
【００２２】また、96〜98重量％の錫と２〜４重量％の
銀との合金から成る半田端子２は、96〜98重量％の錫と
２〜４重量％の銀との合金からなる半田ボールをメタラ
イズ配線導体２の絶縁基体１下面に導出した部位に当接
させるとともにこれを約250℃の温度で溶融させた後、
冷却固化することによって、メタライズ配線導体２の絶
縁基体１下面に導出した部位に取着される。
銀との合金から成る半田端子２は、96〜98重量％の錫と
２〜４重量％の銀との合金からなる半田ボールをメタラ
イズ配線導体２の絶縁基体１下面に導出した部位に当接
させるとともにこれを約250℃の温度で溶融させた後、
冷却固化することによって、メタライズ配線導体２の絶
縁基体１下面に導出した部位に取着される。
【００２３】
【実施例】大きさが33ｍｍ角で、厚みが1.2 ｍｍの酸化
アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体の下面にタング
ステンから成るメタライズ配線導体を、直径が0.65ｍｍ
で厚みが15μｍの円形パターンの形状で、格子間距離が
1.27ｍｍの25列×25列の格子状配列となるようにして62
5 個導出させてなる配線基板を用意した。
アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体の下面にタング
ステンから成るメタライズ配線導体を、直径が0.65ｍｍ
で厚みが15μｍの円形パターンの形状で、格子間距離が
1.27ｍｍの25列×25列の格子状配列となるようにして62
5 個導出させてなる配線基板を用意した。
【００２４】そして、絶縁基体の下面に導出したメタラ
イズ配線導体の表面にニッケルから成るめっき金属層を
３μｍおよび金から成るめっき金属層を0.3 μｍ順次被
着させるとともに、表１に示す組成で直径が0.8 ｍｍの
半田ボールを当接させ、これを約250 ℃の温度で加熱し
て半田ボールを溶融させた後に室温まで冷却して、絶縁
基体の下面に導出された各メタライズ配線導体に略球形
の半田端子を取着させた試料を得た。なお、試料番号１
・２・８・９の試料は本発明と比較するためのものであ
り、本発明の範囲外のものである。
イズ配線導体の表面にニッケルから成るめっき金属層を
３μｍおよび金から成るめっき金属層を0.3 μｍ順次被
着させるとともに、表１に示す組成で直径が0.8 ｍｍの
半田ボールを当接させ、これを約250 ℃の温度で加熱し
て半田ボールを溶融させた後に室温まで冷却して、絶縁
基体の下面に導出された各メタライズ配線導体に略球形
の半田端子を取着させた試料を得た。なお、試料番号１
・２・８・９の試料は本発明と比較するためのものであ
り、本発明の範囲外のものである。
【００２５】次に、これらを、直径が0.7 ｍｍで厚みが
30μｍの銅箔から成る配線導体が試料の半田端子と対応
する配列に被着形成された、大きさが50×50ｍｍで厚み
が1.6 ｍｍのガラス−エポキシ樹脂基板から成る外部電
気回路基板の上面に、各半田端子と外部電気回路基板の
配線導体とがそれぞれ当接するようにして載置するとと
もに、約250 ℃の温度で加熱して半田端子を溶融させた
後に常温まで冷却して外部電気回路基板に実装した。
30μｍの銅箔から成る配線導体が試料の半田端子と対応
する配列に被着形成された、大きさが50×50ｍｍで厚み
が1.6 ｍｍのガラス−エポキシ樹脂基板から成る外部電
気回路基板の上面に、各半田端子と外部電気回路基板の
配線導体とがそれぞれ当接するようにして載置するとと
もに、約250 ℃の温度で加熱して半田端子を溶融させた
後に常温まで冷却して外部電気回路基板に実装した。
【００２６】最後に、これらの試料が実装された外部電
気回路基板を−40〜＋125 ℃の温度サイクルに曝し、各
試料の半田端子に疲労破壊が発生したかどうかを100 サ
イクル毎に調べた。その結果を表１に示す。
気回路基板を−40〜＋125 ℃の温度サイクルに曝し、各
試料の半田端子に疲労破壊が発生したかどうかを100 サ
イクル毎に調べた。その結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１から分かるように、本発明の範囲内の
試料である試料番号３〜７の試料では、500 サイクルま
で半田端子に疲労破壊は見られなかった。一方、本発明
の範囲外にある比較例の試料である試料番号１・２・８
・９の試料では、400 サイクルまたは500 サイクルまで
に半田端子に疲労破壊が発生した。
試料である試料番号３〜７の試料では、500 サイクルま
で半田端子に疲労破壊は見られなかった。一方、本発明
の範囲外にある比較例の試料である試料番号１・２・８
・９の試料では、400 サイクルまたは500 サイクルまで
に半田端子に疲労破壊が発生した。
【００２９】以上の結果から分かるように、本発明の電
子部品搭載用基板によれば、絶縁基体と外部電気回路基
板とに熱が繰り返し印加されても半田端子に疲労破壊が
発生しにくく、搭載する電子部品の電極を外部電気回路
に長期間にわたり正常に接続しておくことができた。
子部品搭載用基板によれば、絶縁基体と外部電気回路基
板とに熱が繰り返し印加されても半田端子に疲労破壊が
発生しにくく、搭載する電子部品の電極を外部電気回路
に長期間にわたり正常に接続しておくことができた。
【００３０】また、本発明の電子部品搭載用基板によれ
ば、半田端子中に有害な鉛を含有しないので鉛による環
境汚染の危険性がない。
ば、半田端子中に有害な鉛を含有しないので鉛による環
境汚染の危険性がない。
【００３１】なお、以上はあくまでも本発明の電子部品
搭載用基板の実施の形態の一例であって、本発明はこれ
らに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々の変更や改良を施すことは何ら差し支えな
い。
搭載用基板の実施の形態の一例であって、本発明はこれ
らに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々の変更や改良を施すことは何ら差し支えな
い。
【００３２】
【発明の効果】本発明の電子部品搭載用基板によれば、
半田端子が96〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合
金により形成され、この96〜98重量％の錫と２〜４重量
％の銀との合金は鉛−錫合金と比較して耐疲労性に優れ
ることから、絶縁基体に半導体集積回路素子等の電子部
品を搭載した後、これを外部電気回路基板に実装した場
合に、半導体集積回路素子等の電子部品が作動時に発生
する熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返し
印加されても、半田端子に疲労破壊が起きにくい。ま
た、96〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金から
成る半田端子は鉛を含有しないことから、鉛による環境
汚染の危険性もない。
半田端子が96〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合
金により形成され、この96〜98重量％の錫と２〜４重量
％の銀との合金は鉛−錫合金と比較して耐疲労性に優れ
ることから、絶縁基体に半導体集積回路素子等の電子部
品を搭載した後、これを外部電気回路基板に実装した場
合に、半導体集積回路素子等の電子部品が作動時に発生
する熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返し
印加されても、半田端子に疲労破壊が起きにくい。ま
た、96〜98重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金から
成る半田端子は鉛を含有しないことから、鉛による環境
汚染の危険性もない。
【００３３】以上により、本発明によれば、絶縁基体と
外部電気回路基板との間に熱が繰り返し印加されても絶
縁基体に形成された配線導体に取着させた半田端子に疲
労による破壊が起きにくく、絶縁基体に搭載する電子部
品の各電極を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続
させておくことが可能であり、かつ鉛による環境汚染の
危険性がない電子部品搭載用基板を提供することができ
た。
外部電気回路基板との間に熱が繰り返し印加されても絶
縁基体に形成された配線導体に取着させた半田端子に疲
労による破壊が起きにくく、絶縁基体に搭載する電子部
品の各電極を外部電気回路に長期間にわたり正常に接続
させておくことが可能であり、かつ鉛による環境汚染の
危険性がない電子部品搭載用基板を提供することができ
た。
【図１】本発明の電子部品搭載用基板の実施の形態の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１・・・・・絶縁基体 ２・・・・・半田端子 ３・・・・・電子部品 ４・・・・・配線導体
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基体の表面に電子部品の電極が接続
される配線導体を形成するとともに、該配線導体の一部
に外部電気回路と接続される半田端子を取着して成る電
子部品搭載用基板であって、前記半田端子は９６〜９８
重量％の錫と２〜４重量％の銀との合金により形成され
ていることを特徴とする電子部品搭載用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180850A JP2000022026A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 電子部品搭載用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180850A JP2000022026A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 電子部品搭載用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000022026A true JP2000022026A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16090463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10180850A Pending JP2000022026A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 電子部品搭載用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000022026A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2178588A1 (es) * | 2000-12-29 | 2002-12-16 | Lear Automotive Eeds Spain | Caja de interconexion, control y gestion para automovil, con impacto medioambiental reducido. |
| US6597070B2 (en) | 2000-02-01 | 2003-07-22 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1998
- 1998-06-26 JP JP10180850A patent/JP2000022026A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597070B2 (en) | 2000-02-01 | 2003-07-22 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| ES2178588A1 (es) * | 2000-12-29 | 2002-12-16 | Lear Automotive Eeds Spain | Caja de interconexion, control y gestion para automovil, con impacto medioambiental reducido. |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040329 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040615 |