JPH11111766A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁基体と半導体素子との間にフラックス成
分が残留して、ビア導体に腐食を発生させたり、半導体
素子が作動時に発生する熱により気化してアンダーフィ
ルにクラックや破裂を発生させてしまう。 【解決手段】 絶縁基体１と、絶縁基体１の上面に一端
が突出し、この突出部端面に半導体素子５の電極が半田
バンプ６を介して接続されるビア導体２とを具備する配
線基板であって、ビア導体２の少なくとも突出部端面に
はメッキ金属層７が被着されており、かつメッキ金属層
７表面の絶縁基体１の上面からの高さが10〜50μｍであ
る。絶縁基体１上面と半導体素子５との間に大きな隙間
が形成され、フラックス成分が残留しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子がフリ
ップチップ接続により搭載される配線基板に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子をいわゆるフリップチ
ップ接続により搭載するための配線基板は、例えば、酸
化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る複数
の絶縁層を積層して成り、上面中央部に半導体素子が搭
載される搭載部を有する絶縁基体と、絶縁基体上面の搭
載部に被着形成され、半導体素子の電極が半田バンプを
介して接続される半導体素子接続用パッドと、この半導
体素子接続用パッドが被着形成された絶縁層を貫通し、
半導体素子接続用パッドに接続するように設けられたビ
ア導体と、このビア導体に接続され、絶縁基体の内部に
配設された内部メタライズ配線導体と、絶縁基体側面や
下面に被着され、内部メタライズ配線導体に接続された
外部接続用パッドとから構成されている。そして、絶縁
基体上面の搭載部に被着形成された半導体素子接続用パ
ッドに半導体素子の各電極を半田バンプを介していわゆ
るフリップチップ接続し、しかる後、絶縁基体と半導体
素子との間にアンダーフィルと呼ばれる樹脂充填材を充
填し、最後に絶縁基体上面に半導体素子を覆うようにし
て樹脂封止材や金属キャップを取着させることによって
製品としての半導体装置となる。

【０００３】この配線基板は、焼成されることによって
絶縁基体となる複数のセラミックグリーンシートを準備
するとともにこれらのセラミックグリーンシートにビア
導体を収容するための貫通孔を穿孔し、しかる後、これ
らのセラミックグリーンシートに設けた貫通孔内にビア
導体となる金属ペーストを充填するとともに各セラミッ
クグリーンシートに半導体素子接続用パッドとなる金属
ペースト、内部メタライズ配線導体となる金属ペース
ト、外部接続用パッドとなる金属ペーストを従来周知の
スクリーン印刷法を採用して所定パターンに印刷塗布
し、最後にこれらのセラミックグリーンシートを上下に
積層するとともに高温で焼成することによって製作され
る。

【０００４】しかしながら、近時の半導体素子の高集積
化に伴い、半導体素子の各電極はその直径が100 μｍ以
下の小さなものとなってきているとともにそのピッチが
200μｍ以下の狭いものとなってきており、これに対応
して配線基板の半導体素子接続用パッドもその直径が10
0 μｍ以下と小さく、かつそのピッチが200 μｍ以下と
狭いものが要求されるようになってきた。

【０００５】ところが、絶縁基体の上面に直径が100 μ
ｍ以下と小さくかつピッチが200 μｍ以下と狭い半導体
素子接続用パッドをスクリーン印刷法により正確に設け
ることは、スクリーン印刷の精度の限界により極めて困
難である。

【０００６】そこで、絶縁基体上面の搭載部に半導体素
子接続用パッドを設けずに、ビア導体を絶縁基体上面の
搭載部に露出させ、この露出したビア導体に半導体素子
の電極を半田バンプを介して接続する方法が採られるよ
うになってきている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、絶縁基体上
面の搭載部に露出したビア導体に半導体素子の各電極を
半田バンプを介して接続するには、例えば鉛−錫から成
る半田バンプを半導体素子の電極に予め被着させておく
とともに配線基板のビア導体の露出表面に厚みが５μｍ
程度のニッケルメッキ層を被着させておき、半導体素子
の電極に被着させた半田バンプを配線基板のニッケルメ
ッキ層が被着されたビア導体に当接させるとともに所定
の温度で半田バンプを溶融させることによりビア導体に
半導体素子の各電極を接続する方法が採用されている。

【０００８】なお、配線基板のビア導体に半導体素子の
各電極を半田バンプを介して接続する際には、溶融した
半田バンプとビア導体との接合性を良好とするためにフ
ラックスが使用される。

【０００９】従来、このフラックスは、半導体素子の各
電極がビア導体に半田バンプを介して接合された後、フ
ロンやトリクロロエタン等の有機溶剤で洗浄することに
よって除去されていたが、このようなフロンやトリクロ
ロエタン等はオゾン層を破壊したりあるいは人体に有害
であること等から、近時、環境や人体への影響を考慮し
て、このような有機溶剤での洗浄を行なわない試みがな
されるようになってきた。

【００１０】その試みの一つとして、半導体素子の電極
を配線基板のビア導体に半田バンプを介して接続させる
際、半田を溶融させる熱によりフラックス成分を気化さ
せるとともに半導体素子と絶縁基体との隙間から外部に
飛散除去させる方法が検討されている。

【００１１】しかしながら、絶縁基体上面の搭載部に露
出させたビア導体に半導体素子の各電極を半田バンプを
介して接続させるようになした配線基板では、絶縁基体
上面の搭載部に露出したビア導体に半導体素子の各電極
を半田バンプを介して接続させる際、半導体素子と絶縁
基体との間に半導体素子接続用パッドが無い分、半導体
素子と絶縁基体との間隔が狭いものとなり、このため、
半導体素子と絶縁基体との間に気化したフラックス成分
を飛散除去させるための十分な隙間が形成されにくく、
その結果、絶縁基体と半導体素子との間にフラックス成
分が残留して、これがビア導体に腐食を発生させたり半
導体素子が作動時に発生する熱により気化してアンダー
フィルにクラックや破裂を発生させてしまうという欠点
を有していた。

【００１２】また、ビア導体に被着させるニッケルメッ
キの厚みを例えば10μｍを超える厚いものとすることに
よってニッケルメッキ層を絶縁基体上面から大きく突出
させ、これによってビア導体に半導体素子の各電極を半
田バンプを介して接続させる際、半導体素子と絶縁基体
との間の隙間を大きなものとすることも考えられるが、
この場合、ビア導体の露出表面は、通常、絶縁基体の上
面と略同じ高さで平面的であるとともにその直径が100
μｍ以下と小さいことから、これに10μｍを超えるよう
な厚いニッケルメッキを施すとニッケルメッキ層とビア
導体との被着面が平面的でかつ小面積であるためニッケ
ルメッキ層の被着強度が小さいこと、およびニッケルメ
ッキ層の厚みが増すにつれニッケルメッキ層中に大きな
応力が内在してしまうこと等に起因して、ニッケルメッ
キ層に熱応力等が印加されるとニッケルメッキ層がビア
導体から剥離しやすくなってしまうという欠点を誘発し
ていた。

【００１３】本発明は上記事情に鑑みて案出されたもの
であり、その目的は、半導体素子の各電極をビア導体に
半田バンプを介して接続する際に絶縁基体と半導体素子
との間にフラックスが残留してビア導体に腐食を発生さ
せたりアンダーフィルにクラックや破裂を発生させたり
することを有効に防止できる配線基板を提供することに
ある。

【００１４】また、本発明の目的は、そのような本発明
の配線基板を効率よく作製することができる配線基板の
製造方法を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、絶
縁基体と、この絶縁基体の上面に一端が突出し、この突
出部端面に半導体素子の電極が半田バンプを介して接続
されるビア導体とを具備する配線基板であって、前記ビ
ア導体の少なくとも前記突出部端面にはメッキ金属層が
被着されており、かつこのメッキ金属層表面の前記絶縁
基体の上面からの高さが10〜50μｍであることを特徴と
するものである。

【００１６】また、本発明の配線基板の製造方法は、焼
成されることにより絶縁基体となるセラミックグリーン
シートを準備するとともにこのセラミックグリーンシー
トに貫通孔を設ける工程と、この貫通孔内に、焼成され
ることによりビア導体となる、前記セラミックグリーン
シートよりも小さな焼成収縮率を有する金属ペーストを
充填する工程と、前記セラミックグリーンシートおよび
金属ペーストを焼成して絶縁基体およびビア導体となす
とともに前記セラミックグリーンシートの焼成収縮率と
前記金属ペーストの焼成収縮率の差により前記絶縁基体
上面に前記ビア導体の一端を突出させる工程と、前記絶
縁基体上面から突出する前記ビア導体の少なくとも突出
部端面にメッキ金属層をこのメッキ金属層表面の前記絶
縁基体の上面からの高さが10〜50μｍとなるように被着
させる工程とを具備することを特徴とするものである。

【００１７】本発明の配線基板によれば、その少なくと
も前記突出部端面にメッキ金属層が被着され、半導体素
子の各電極が半田バンプを介して接続されるビア導体
は、そのメッキ金属層の表面が絶縁基体の上面からの高
さが10〜50μｍであることから、半導体素子の各電極を
ビア導体に半田バンプを介して接続する際、絶縁基体上
面と半導体素子との間に大きな隙間が形成される。

【００１８】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、ビア導体となる金属ペーストの焼成収縮率を絶縁基
体となるセラミックグリーンシートの焼成収縮率より小
さいものとしたことから、絶縁基体となるセラミックグ
リーンシートに形成した貫通孔にビア導体となる金属ペ
ーストを充填して焼成した場合、絶縁基体となるセラミ
ックグリーンシートの方がより大きく収縮し、その分、
ビア導体の一端が絶縁基体上面から突出したものとな
り、さらにこの突出部端面にメッキ金属層を被着するこ
とにより、絶縁基体上面と半導体素子との間に大きな隙
間が形成される配線基板を効率よく得ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。図１は、本発明の配線基板の実施の形
態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２はビア
導体、３は内部配線導体、４は外部接続用パッドであ
る。

【００２０】絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体・窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体
・窒化珪素質焼結体・炭化珪素質焼結体・ガラスセラミ
ックス等の電気絶縁材料から成る２つの絶縁層１ａ・１
ｂが焼結一体化されて成り、その上面中央部には、半導
体素子５が搭載される搭載部Ａを有しており、搭載部Ａ
には半導体素子５が搭載される。

【００２１】また絶縁基体１には、絶縁層１ａを貫通し
てその一端が搭載部Ａに露出し絶縁基体１上面に突出す
る複数のビア導体２、ならびに絶縁層１ａと１ｂとの間
でビア導体２に接続されるとともに絶縁基体１側面に導
出する内部配線導体３および内部配線導体２に接続され
絶縁基体１側面から下面にかけて導出する外部接続用パ
ッド４が配設されている。

【００２２】ビア導体２は、タングステン・モリブデン
・銅・銀・銀−パラジウム等の金属粉末の焼結体から成
り、半導体素子５の電極を内部配線導体３に電気的に接
続する作用を為し、その一端の絶縁基体１上面に突出し
た突出部に半導体素子５の各電極が半田バンプ６を介し
て接続される。

【００２３】ビア導体２は、図２に図１の要部拡大断面
図で示すように、その一端が絶縁基体１上面から例えば
３〜47μｍ突出するようにして突出部が形成されてお
り、さらに少なくともその突出部端面に、表面の絶縁基
体１上面からの高さが10〜50μｍとなるように例えばニ
ッケルから成る厚み３μｍ以上のメッキ金属層７が被着
されている。

【００２４】また、ビア導体２は、絶縁基体１上面から
３〜47μｍ突出していることから、その露出表面が突出
部として立体的なものとなり、そのためビア導体２の露
出表面にメッキ金属層７を被着させた場合、ビア導体２
とメッキ金属層７とが立体的に強固に被着され、ビア導
体２にメッキ金属層７をその表面の絶縁基体１上面から
の高さが10〜50μｍとなる厚みに容易かつ強固に被着さ
せることができる。

【００２５】なお、ビア導体２は、絶縁基体１上面から
の突出高さが３μｍ未満ではビア導体２の突出部端面に
絶縁基体１上面からの高さが10〜50μｍとなるようにメ
ッキ金属層７を容易かつ強固に被着させることが困難と
なる傾向にあり、またメッキ金属層７の絶縁基体１上面
からの高さが10μｍ未満では絶縁基体１の上面と半導体
素子５との間に十分に大きな間隙を形成することが困難
となる傾向にある。また、ビア導体の突出高さが47μｍ
を超え、またはメッキ金属層７の表面の高さが50μｍを
超えると、ビア導体２の絶縁基体１上面からの突出部、
またはビア導体２にメッキ金属層７が被着された突出部
の機械的強度が弱いものとなって、ビア導体２に半導体
素子５の各電極を半田バンプ６を介して強固に接続する
ことが困難となる傾向にある。従って、ビア導体２は、
絶縁基体１上面からの突出部の高さを３〜47μｍの範囲
とし、またメッキ金属層７の絶縁基体１上面からの高さ
を10〜50μｍの範囲とすることが好ましい。

【００２６】このようにビア導体２とその突出部端面に
被着されたメッキ金属層７とにより、メッキ金属層７表
面の絶縁基体１の上面からの高さが10〜50μｍとされて
いることから、メッキ金属層７が被着されたビア導体２
に半導体素子５の各電極を半田バンプ６を介して接続す
る際、絶縁基体１と半導体素子５との間に大きな隙間が
形成され、この隙間を介して半田を溶融する熱により気
化されたフラックス成分が外部に良好に飛散除去され、
その結果、絶縁基体１と半導体素子５との間にフラック
ス成分が残留してビア導体２に腐食を発生させたり、ア
ンダーフィルにクラックや破裂を発生させることを有効
に防止することができる。

【００２７】なお、ビア導体２に被着させた例えばニッ
ケルから成るメッキ金属層７は、その被着厚みが３μｍ
未満となると、十分な半田濡れ性が確保できなくなって
半田バンプ６の強固な接続が困難となるとともにビア導
体２と共にその表面の絶縁基体１上面からの高さを容易
に10〜50μｍの範囲とすることが困難となる傾向があ
り、ビア導体２に半導体素子５の各電極を半田バンプ６
を介して接合する際、半導体素子５と絶縁基体１との間
に気化したフラックス成分を外部に良好に飛散させるた
めの十分な隙間を形成させることが困難となって絶縁基
体１と半導体素子５との間にフラックス成分が残留し易
いものとなる。従って、ビア導体２に被着させるメッキ
金属層７は、その被着厚みを３μｍ以上とすることが好
ましい。

【００２８】なお、メッキ金属層７の厚みの上限はビア
導体２の突出部の高さに応じて、メッキ金属層７の表面
の絶縁基体１の上面からの高さが10〜50μｍとなるよう
に適宜設定すればよい。

【００２９】また、ビア導体２は、少なくともその突出
部端面に被着された例えばニッケルから成るメッキ金属
層７の表面に、さらに0.1 〜0.3 μｍ程度の厚みの金か
ら成るメッキ金属層を被着させておくと、ビア導体２に
被着されたメッキ金属層７と半田バンプとの濡れ性をさ
らに向上させることができる。従って、ビア導体２の少
なくとも突出部端面に被着された例えばニッケルから成
るメッキ金属層７の表面に、さらに金から成るメッキ金
属層を0.1 〜0.3 μｍ程度の厚み被着させておくことが
好ましい。

【００３０】絶縁基体１の内部に配設された内部配線導
体３は、タングステン・モリブデン・銅・銀・銀−パラ
ジウム等の金属粉末の焼結体から成り、ビア導体２を外
部接続用パッド４に電気的に接続する作用を為し、その
一端がビア導体２に、他端が外部接続用パッド４に接続
されている。

【００３１】また絶縁基体１の側面から下面にかけて配
設された外部接続用パッド４は、タングステン・モリブ
デン・銅・銀・銀−パラジウム等の金属粉末の焼結体か
ら成り、内部配線導体３を外部電気回路に接続する作用
を為し、その一端が内部配線導体３に接続されており、
他端側は図示しない外部電気回路基板の配線導体に図示
しない半田バンプや外部リード端子を介して接続され
る。

【００３２】かくして、本発明の配線基板によれば、絶
縁基体１上面の搭載部Ａに導出したビア導体２の突出部
に半導体素子５の各電極を半田バンプ６を介して接続
し、しかる後、絶縁基体１と半導体素子５との間に図示
しないアンダーフィルを充填するとともに絶縁基体１の
上面に半導体素子５を覆うようにして図示しない樹脂製
封止材あるいは金属製蓋体を取着することによって製品
としての半導体装置となる。

【００３３】次に上述の本発明の配線基板の製造方法に
ついて図３に基づいて説明する。図３（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ本発明の配線基板の製造方法の実施の
形態の一例を示す工程毎の断面図である。

【００３４】まず、図３（ａ）に示すように、焼成され
ることによりそれぞれ絶縁基体１の絶縁層１ａ・１ｂと
なる２枚のセラミックグリーンシート11ａ・11ｂを準備
するとともに、セラミックグリーンシート11ａにビア導
体２を収容するための貫通孔Ｈを設ける。

【００３５】セラミックグリーンシート11ａ・11ｂは、
例えば絶縁層１ａ・１ｂが酸化アルミニウム質焼結体か
ら成る場合、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネ
シウム・酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを
従来周知のドクターブレード法を採用してシート状とな
すことにより製作される。

【００３６】また、セラミックグリーンシート11ａに貫
通孔Ｈを設けるには、従来周知の打ち抜き法やレーザー
加工法が採用され得る。

【００３７】なお、セラミックグリーンシート11ａ・11
ｂは、焼成されることにより元の寸法の約10〜30％程度
焼成収縮する。

【００３８】次に図３（ｂ）に示すように、セラミック
グリーンシート11ａに設けた貫通孔Ｈの内部に焼成され
ることによりビア導体２となる金属ペースト12を従来周
知の充填法を採用して充填するとともにセラミックグリ
ーンシート11ｂの上下面および側面に、内部配線導体３
・外部接続用パッド４となる金属ペースト13・14を従来
周知のスクリーン印刷法を採用して所定パターンに印刷
塗布する。

【００３９】このとき、ビア導体２となる金属ペースト
12は、その焼成収縮率がセラミックグリーンシート11ａ
の焼成収縮率より小さくなるようにしておく。

【００４０】ビア導体２となる金属ペースト12は、その
焼成収縮率がセラミックグリーンシート11ａの焼成収縮
率より小さいことから、後述するようにセラミックグリ
ーンシート11ａ・11ｂを積層した後、セラミックグリー
ンシート11ａ・11ｂおよび金属ペースト12・13・14を焼
成する際、セラミックグリーンシート11ａが金属ペース
ト12より大きく焼成収縮し、その結果、ビア導体２の一
端が絶縁基体１上面から突出したものとなる。

【００４１】なお、ビア導体２・内部配線導体３・外部
接続用パッド４となる金属ペーストは、絶縁基体１が酸
化アルミニウム質焼結体から成る場合、タングステン・
モリブデン等の高融点金属粉末に適当な有機バインダ・
溶剤を添加混合してペースト状としたものが用いられ
る。

【００４２】また、セラミックグリーンシート11ａの焼
成収縮率および金属ペースト12の焼成収縮率は、それぞ
れセラミックグリーンシート11ａに含まれる原料粉末や
金属ペースト12に含まれる金属粉末の粒径、あるいはセ
ラミックグリーンシート11ａの密度や金属ペースト12の
密度、さらには焼成温度等に依存し、これらを適宜コン
トロールすることによりビア導体２となる金属ペースト
12の焼成収縮率をセラミックグリーンシート11ａの焼成
収縮率より小さいものとすることができる。

【００４３】最後に、金属ペースト12が充填されたセラ
ミックグリーンシート11ａと金属ペースト13・14が印刷
塗布されたセラミックグリーンシート11ｂを上下に積層
して積層体となすとともにこれらを還元雰囲気中約1600
℃の温度で焼成してセラミックグリーンシート11ａ・11
ｂをそれぞれ絶縁基体１の絶縁層１ａ・１ｂとなし、金
属ペースト12・13・14をそれぞれビア導体２・内部配線
導体３・外部接続用パッド４となすことにより、図１に
示すように、絶縁基体１にビア導体２・内部配線導体３
および外部接続用パッド４が配設されるとともにビア導
体２の一端が絶縁基体１上面から突出した配線基板が得
られる。このとき、ビア導体２となる金属ペースト12は
絶縁基体１となるセラミックグリーンシート11ａの焼成
収縮率より小さな焼成収縮率を有することから、セラミ
ックグリーンシート11ａが金属ペースト12より大きく焼
成収縮し、その結果、ビア導体２の一端が絶縁基体１上
面から突出する。

【００４４】

【実施例】15ｍｍ角のシリコン基板の下面外周部に直径
100 μｍの電極が276 個形成された半導体素子を準備す
るとともに、この半導体素子の電極に97Ｐｂ−３Ｓｎか
ら成る高さ100 μｍの半田バンプを被着形成した。

【００４５】また、30ｍｍ角の酸化アルミニウム質焼結
体から成る絶縁基体に、半導体素子の電極と対応する配
列のタングステン粉末焼結体から成る直径100 μｍのビ
ア導体を絶縁基体上面からそれぞれ０μｍ・３μｍ・５
μｍ・10μｍ・25μｍ・45μｍ・50μｍ・60μｍ突出す
るようにして配設した配線基板を各15個ずつ準備すると
ともにこの各15個ずつの配線基板をそれぞれ５個づつの
３グループに分け、この分けられた各グループ毎に配線
基板のビア導体にそれぞれ５μｍ・７μｍ・10μｍの厚
みのニッケルメッキ層を被着させ、さらにこのニッケル
メッキ層の上に0.2 μｍの厚みの金メッキ層を被着させ
て、表１に示す試料番号１〜21の試料を各５個ずつ得
た。

【００４６】次に、各配線基板の試料の上面にＲタイプ
のフラックス（千住金属社製45ＰＡ）を30μｍの厚みに
塗布し、この上に半導体素子を、半導体素子の各電極に
被着形成させた半田バンプと配線基板のビア導体とが重
なるように載置し、これを窒素ガス雰囲気中350 ℃の温
度で５分間加熱して半田バンプを溶融させることによ
り、半導体素子の各電極と配線基板のビア導体とを半田
バンプを介して接続させるとともにフラックスを気化さ
せ、その後、室温で冷却し、目視によりフラックスの残
留の有無を確認した。その結果を表１に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】表１に示すように、ビア導体の絶縁基体上
面からの突出高さとニッケルから成るメッキ金属層の厚
みとの合計が10μｍ未満の試料１・２・４にはフラック
スの残留が確認された。また、ビア導体の絶縁基体から
の突出高さが０μｍで、ニッケルから成るメッキ金属層
の厚みが10μｍの試料３は、フラックスの残留はなかっ
たものの、ニッケルからなるメッキ金属層の一部が半田
バンプ接続時の熱応力によりビア導体から剥離してしま
った。さらに、ビア導体の突出部の高さが47μｍを超
え、またはビア導体上のメッキ金属層表面の絶縁基体上
面からの高さが50μｍを超える試料17〜21では、ビア導
体と絶縁基体との間にビア導体となる金属ペーストの焼
成収縮率と絶縁基体となるセラミックグリーンシートと
の焼成収縮率との相違が大きすぎるために剥離が発生
し、またはビア導体の一部に半田バンプ接続時の応力に
よる破断が発生した。その他の試料ではいずれもフラッ
クスの残留・ニッケルメッキの剥離・ビア導体の破断は
なかった。

【００４９】

【発明の効果】本発明の配線基板によれば、半導体素子
の各電極が接続されるビア導体は、一端が絶縁基体の上
面から突出しており、少なくともその突出部端面にメッ
キ金属層が被着されているとともにそのメッキ金属層表
面の絶縁基体上面からの高さが10〜50μｍであることか
ら、半導体素子の各電極をビア導体に半田バンプを介し
て接続する際、絶縁基体上面と半導体素子との間に大き
な隙間が形成され、その結果、半田を溶融させる熱によ
り気化したフラックス成分が絶縁基体と半導体素子との
間に形成された大きな隙間から外部に良好に飛散除去さ
れ、絶縁基体と半導体素子との間にフラックス成分が残
留してビア導体に腐食を発生させたり、アンダーフィル
にクラックや破裂を発生させることを有効に防止するこ
とができる。

【００５０】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、ビア導体となる金属ペーストの焼成収縮率を絶縁基
体となるセラミックグリーンシートの焼成収縮率より小
さいものとしたことから、絶縁基体となるセラミックグ
リーンシートとビア導体となる金属ペーストを焼成した
際に絶縁基体となるセラミックグリーンシートの方がよ
り大きく収縮し、その分、ビア導体の一端が絶縁基体上
面から突出したものとなる。

【００５１】以上により、本発明によれば、半導体素子
の各電極をビア導体に半田バンプを介して接続する際に
絶縁基体と半導体素子との間にフラックスが残留してビ
ア導体に腐食を発生させたりアンダーフィルにクラック
や破裂を発生させたりすることを有効に防止できる配線
基板を提供することができた。

【００５２】また、本発明によれば、そのような本発明
の配線基板を効率よく作製することができる配線基板の
製造方法を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断
面図である。

【図２】図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。

【図３】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の配線基
板の製造方法を説明するための工程毎の断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・・・絶縁基体 １ａ、１ｂ・・・・絶縁層 ２・・・・・・・・ビア導体 ３・・・・・・・・内部配線導体 ４・・・・・・・・外部接続用パッド ５・・・・・・・・半導体素子 ６・・・・・・・・半田バンプ ７・・・・・・・・メッキ金属層 11ａ、11ｂ・・・・絶縁基体１となるセラミックグリー
ンシート 12・・・・・・・・ビア導体２となる金属ペースト

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基体と、該絶縁基体の上面に一端が
   突出し、該突出部端面に半導体素子の電極が半田バンプ
   を介して接続されるビア導体とを具備する配線基板であ
   って、前記ビア導体の少なくとも前記突出部端面にはメ
   ッキ金属層が被着されており、かつ該メッキ金属層表面
   の前記絶縁基体の上面からの高さが１０〜５０μｍであ
   ることを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】 焼成されることにより絶縁基体となるセ
   ラミックグリーンシートを準備するとともに該セラミッ
   クグリーンシートに貫通孔を設ける工程と、該貫通孔内
   に、焼成されることによりビア導体となる、前記セラミ
   ックグリーンシートよりも小さな焼成収縮率を有する金
   属ペーストを充填する工程と、前記セラミックグリーン
   シートおよび金属ペーストを焼成して絶縁基体およびビ
   ア導体となすとともに前記セラミックグリーンシートの
   焼成収縮率と前記金属ペーストの焼成収縮率の差により
   前記絶縁基体上面に前記ビア導体の一端を突出させる工
   程と、前記絶縁基体上面から突出する前記ビア導体の少
   なくとも突出部端面にメッキ金属層を該メッキ金属層表
   面の前記絶縁基体の上面からの高さが１０〜５０μｍと
   なるように被着させる工程とを具備することを特徴とす
   る配線基板の製造方法。