JP2000021955A - 半導体ウエハの外観検査装置 - Google Patents

半導体ウエハの外観検査装置

Info

Publication number
JP2000021955A
JP2000021955A JP19673798A JP19673798A JP2000021955A JP 2000021955 A JP2000021955 A JP 2000021955A JP 19673798 A JP19673798 A JP 19673798A JP 19673798 A JP19673798 A JP 19673798A JP 2000021955 A JP2000021955 A JP 2000021955A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
axis
stage
semiconductor wafer
wafer
correction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP19673798A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4255997B2 (ja
Inventor
Tatsuo Suzuki
健生 鈴木
Mitsuaki Hagio
光昭 萩尾
Ichiro Moriyama
一郎 盛山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Yaskawa Electric Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Yaskawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Yaskawa Electric Corp filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP19673798A priority Critical patent/JP4255997B2/ja
Publication of JP2000021955A publication Critical patent/JP2000021955A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4255997B2 publication Critical patent/JP4255997B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 走査性能が高く、走査速度の速い、かつ作業
効率のよい半導体ウエハの外観検査装置を得る。 【解決手段】 本発明の半導体ウエハの外観検査装置は
X−Yテーブル1 と、上下方向の駆動と周方向の回転を
行うステージ駆動部2 と、ステージ駆動部2 の上に固定
されたウエハステージ3 と、X−Yテーブルとステージ
駆動部とを制御する制御部と、検査用測定器とを備え、
X−Yテーブルを駆動させて半導体ウエハの全領域を走
査しながら、ステージ駆動部の上下駆動により半導体ウ
エハと測定器との距離を調整するもので、制御部は、ピ
ッチングおよびたわみに基づく上下量、X軸およびY軸
のヨーイング量、X軸とY軸の直角度のずれ量のそれぞ
れの誤差量を予め記憶させた記憶部と、それぞれの誤差
量に応じた補正量を演算する演算部とを有し、それぞれ
の補正量を動作指令として駆動部に与える構成である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおけるウエハの外観検査装置に関するもので、とく
に検査用カメラや顕微鏡のレンズの焦点合わせ、被検査
ウエハの位置修正など走査性能の向上に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、ウエハ外観検査装置における測定
器の光学系レンズの焦点合わせには、モニターにて像を
確認しながらピントリングを手動にて回転させるマニュ
アル方式のほか、自動焦点方式としてレンズを前後に動
かして像のコントラストが最大になる位置を検出した
り、受光素子を用い像の位相差が小さくなる位置を検出
して、像の焦点を合わせるなど、測定器側に焦点合わせ
機構がついていた。また、走査方向に対する被検査ウエ
ハの結晶方向あるいはパターン溝方向を合わせるには、
X−YテーブルのX軸Y軸の2軸の合成を行ったり、ウ
エハステージを回転方向に駆動する軸を備えているもの
ではモニターを監視しながら位置修正していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ウエハ走査
時における、X−Yテーブルの各部品加工組立精度や案
内ガイドの精度の誤差を要因とするピッチングやベース
のたわみ、あるいはヨーイングによるウエハ走査面の変
化に対して、従来のマニュアル方式による測定器の焦点
合わせでは、人手による調整のため検査中はつねにモニ
ターを監視していなければならず作業効率が悪く、測定
器側の自動焦点合わせでは、像の焦点合わせに時間がか
かるため、走査速度があげられず検査時間が増大し、ス
ループットが長くなるなどの問題があった。また、走査
方向に対する検査ウエハの結晶方向あるいはパターン溝
の方向あわせは、X−YテーブルのX軸Y軸の2軸の合
成を行っても、走査によりパターン溝が測定視野からは
ずれるのを防ぐことはできるが、結晶方向あるいはパタ
ーン溝の方向の走査方向に対する傾きそのものは修正す
ることができないなどの問題点があり、ウエハステージ
を回転方向に駆動する軸を備えているものでも人手によ
る調整のため検査中はつねにモニターを監視していなけ
ればならず、作業者はウエハ上の異物や外観不良の検査
という本来の作業以外に、被検査ウエハの位置修正も行
わなければならないという問題点があった。そこで、本
発明は装置の上下誤差、ヨーイング量、直角度誤差を予
め記憶させこれを基に自動的に誤差を補正し移動直線性
を一定に保つことにより、走査性能が高く、走査速度が
速くかつ、作業効率の高い半導体ウエハの外観検査装置
を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明はX軸およびY軸にそれぞれ駆動部を有する
X−Yテーブルと、前記X−Yテーブルの最上部に固定
され上下方向の駆動と周方向の回転を行うステージ駆動
部と、前記ステージ駆動部の上に固定されたウエハステ
ージと、前記X−Yテーブルおよび前記ステージ駆動部
とを制御する制御部と、検査用測定器とを備え、前記X
−Yテーブルを駆動させて半導体ウエハの全領域を走査
しながら、前記ステージ駆動部の上下駆動により前記半
導体ウエハと前記検査用測定器との距離を調整し、異物
や外観不良を検査する半導体ウエハの外観検査装置にお
いて、前記制御部は、前記X−Yテーブルの全可動領域
におけるピッチングおよびたわみに基づく上下量、X軸
およびY軸のヨーイング量、X軸とY軸の直角度のずれ
量のそれぞれの誤差量を予め記憶させた記憶部と、前記
それぞれの誤差量に応じた補正量を演算する演算部とを
有し、前記それぞれの補正量を動作指令として前記X−
Yテーブルの駆動部および前記ステージ駆動部に与える
構成にしている。上記手段により、走査時におけるX−
Yテーブルの任意の位置において、あらかじめ把握して
おいた調整量だけ、走査動作指令時にウエハステージが
自動的に上下し、X軸Y軸互いのヨーイング分の補正を
行い、半導体ウエハの結晶方向やパターン溝方向に対し
て微動回転補正するので、走査面高さや走査移動直線性
が一定となり、半導体ウエハと測定器までの距離を一定
とすることができ、走査方向に対する半導体ウエハの結
晶方向あるいはパターン溝の方向を一定に保つことがで
きる。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図に基づいて詳
細に説明する。図1は、X−Yテーブルとステージ駆動
部の斜視図、図2は半導体ウエハの外観検査装置の側面
図である。図において、1はX−Yテーブル、2はステ
ージ駆動部、3はウエハステージ、4は半導体ウエハで
ある。X−Yテーブル1はベース11、X軸移動テーブ
ル13、Y軸移動テーブル15からなる。ベース11の
上にX軸ガイドレール12が固定されている。X軸ガイ
ドレール12にはめ合うガイドブロック(図示していな
い)上に、X軸移動テーブル13が固定されている。ベ
ース11とX軸移動テーブル13はリニアモータとなっ
ており、電機子巻線を備えた固定子がベース11に、マ
グネットを備えた移動子がX軸移動テーブル13に埋設
してあり、X軸移動テーブル13は、X軸ガイドレール
12により案内されX軸方向に移動できる。X軸移動テ
ーブル13上には、X軸ガイドレール12に直交した方
向にY軸ガイドレール14が固定されており、Y軸ガイ
ドレール14にはめ合うガイドブロック(図示していな
い)上に、Y軸移動テーブル15が固定されている。
【0006】X軸移動テーブル13とY軸移動テーブル
15にはリニアモータとなっており、X軸移動テーブル
13は移動子とともに電機子巻線を備えた固定子が埋設
してあり、Y軸移動テーブル15にはマグネットを備え
た移動子が埋設してある。Y軸移動テーブル15は、Y
軸ガイドレール14により案内されY軸方向に移動でき
るとともに、X軸の動作によりX軸方向にも移動でき
る。ステージ駆動部2はY軸移動テーブル15の上に回
転形モータ21を固定し、その回転部の先端に旋回ベー
ス22が固定されており、旋回ベース22上に、上下軸
機構部23があり、その上部にウエハステージ3を設け
ている。従って、ウエハステージ3は、X−Y軸方向に
移動できるとともに回転動作および上下動作ができるよ
うになっていて、このウエハステージ3の上に半導体ウ
エハ4を載せるようになっている。ウエハステージ3に
対向した位置に検査用測定器52が測定器ベース51に
固定して配置してある。
【0007】つぎに、動作について述べる。図3は上下
方向に補正を行う状況を示した側面図、図4はY軸方向
に補正を行う状況を示した側面図、図5はX軸方向に補
正を行う状況を示した側面図である。 走査高さHの補正を行う。図3において、RH0は補正
を行わない時の半導体ウエハ4の中心の軌跡、LH1は補
正を行った時の半導体ウエハ4の中心の軌跡、RH は任
意の点における上下方向の補正量、WH1は補正を行った
時の半導体ウエハ4の位置、SH1は補正を行った時のウ
エハステージ3の位置、WH0は補正を行なわない時の半
導体ウエハ4の位置、SH0は補正を行なわない時のウエ
ハステージ3の位置である。半導体ウエハ4は、Y軸移
動テーブル15によって走査されるが、Y軸移動テーブ
ル15を構成する各部品の加工組立精度や案内ガイドの
精度の誤差を要因とするピッチングや移動物の位置によ
るベースのたわみあるいは自重によるベースのたわみに
より軌跡RH0が変化する。この変化量を予め測定し、図
示しない制御器側にデータテーブルとしてもたせてお
き、Y軸移動テーブル15の走査時に検査用測定器52
の焦点距離が一定になるようにプログラムしてある動作
指令によってウエハステージ3を図3のように上下させ
る。このようにすると、走査高さHは軌跡RH のように
一定になる。
【0008】X軸およびY軸のヨーイングの補正を行
う。図4、図5において、LX0, LY0は補正を行わない
時の半導体ウエハ4の中心の軌跡、LX1, LY1は補正を
行った時の半導体ウエハ4の中心の軌跡、RY は任意の
点におけるY軸方向の補正量、WX0, WY0は補正を行な
わない時の半導体ウエハ4の位置、SX0, SY0は補正を
行なわない時のウエハステージ3の位置、WX1, WY1
補正を行った時の半導体ウエハ4の位置、SX1, SY1
補正を行った時のウエハステージ3の位置、RY は任意
の点におけるY方向の補正量、RX は任意の点における
X方向の補正量である。前述の走査高さの補正と同様に
X軸のヨーイング分を、予め測定し、図示しない制御器
側にデータテーブルとして記憶させておく。そうすると
Y軸移動テーブル15の走査時に一定になるようにプロ
グラムしてある動作指令によってウエハステージ3をヨ
ーイングなく直進させることができる。Y軸のヨーイン
グ分は図5のように上記と同様にX軸で補正させる。こ
のようにするとヨーイングを生ずることなく直進させる
ことができる。
【0009】X軸とY軸との直角度のずれの補正を行
う。X軸とY軸の直角度がずれている場合、ウエハステ
ージ3の任意の位置における走査方向に対する半導体ウ
エハ4の結晶方向あるいはパターン溝の方向がずれてい
くことに対しても、その直角度の誤差を事前に把握し、
図示しない制御器側にデータテーブルとしてもたせてお
き、Y軸移動テーブル15の走査時に走査方向に対する
半導体ウエハ4の結晶方向あるいはパターン溝の方向が
一定になるようにプログラムしてある動作指令によって
ウエハステージ3を回転軸モータ21により微動回転さ
せて方向を修正する。このようにすると直角度のずれが
なく走査させることができる。
【0010】このように、走査高さが一定となるため、
移動直線性の走査性能が向上し、測定器側による焦点合
わせは不要となり、走査速度が向上できる。さらに、ス
ループットを向上することができるうえ、走査方向に対
する半導体ウエハの結晶方向あるいはパターン溝の方向
を一定にするため、作業者によるウエハの位置修正は不
要となり、ウエハ上の異物や外観不良の検査作業に集中
することができる。
【0011】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば装置
の上下誤差、ヨーイング量、直角度誤差を予め記憶させ
これを基に自動的に誤差を補正し移動直線性を一定に保
つようにしたので、移動直線性の走査性能が向上し、走
査速度を上げることができ、さらに作業効率を向上でき
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のX−Yテーブルとステージ駆動部の斜
視図である。
【図2】本発明の半導体ウエハの外観検査装置の側面図
である。
【図3】本発明による上下方向に補正を行う状況を示し
た側面図である。
【図4】本発明によるY方向に補正を行う状況を示した
側面図である。
【図5】本発明によるX方向に補正を行う状況を示した
側面図である。
【符号の説明】
1:X−Yテーブル 11:ベース 12:X軸ガイドレール 13:X軸移動テーブル 14:Y軸ガイドレール 15:Y軸移動テーブル 2:ステージ駆動部 21:回転形モータ 22:旋回ベース 23:上下軸機構部 3:ウエハステージ 4:半導体ウエハ 5:検査装置 51:測定器ベース 52:検査用測定器 LH0,LX0, LY0:半導体ウエハ中心の軌跡(補正前) LH1,LX1, LY1:半導体ウエハ中心の軌跡(補正後) WH0,WX0, WY0:半導体ウエハの位置(補正前) WH1,WX1, WY1:半導体ウエハの位置(補正後) SH0,SX0, SY0:ウエハステージの位置(補正前) SH1,SX1, SY1:ウエハステージの位置(補正後) RH ,RX , RY :任意の点の補正量
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 萩尾 光昭 福岡県北九州市八幡西区黒崎城石2番1号 株式会社安川電機内 (72)発明者 盛山 一郎 東京都青梅市新町6丁目16番地の3 株式 会社日立製作所デバイス開発センタ内 Fターム(参考) 2F069 AA12 AA60 BB15 DD15 DD16 EE04 EE09 EE11 EE12 EE23 JJ15 JJ17 MM24 MM34 2G051 AA51 AB02 AC22 DA07 DA08 DA09 EA14 4M106 CA38 CA41 DB18 5F031 GG12 KK09

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 X軸およびY軸にそれぞれ駆動部を有す
    るX−Yテーブルと、前記X−Yテーブルの最上部に固
    定され上下方向の駆動と周方向の回転を行うステージ駆
    動部と、前記ステージ駆動部の上に固定されたウエハス
    テージと、前記X−Yテーブルおよび前記ステージ駆動
    部を制御する制御部と、検査用測定器とを備え、前記X
    −Yテーブルを駆動させて半導体ウエハの全領域を走査
    しながら、前記ステージ駆動部の上下駆動により前記半
    導体ウエハと前記検査用測定器との距離を調整し、異物
    や外観不良を検査する半導体ウエハの外観検査装置にお
    いて、 前記制御部は、前記X−Yテーブルの全可動領域におけ
    るピッチングおよびたわみに基づく上下量、X軸および
    Y軸のヨーイング量、X軸とY軸の直角度のずれ量のそ
    れぞれの誤差量を予め記憶させた記憶部と、前記それぞ
    れの誤差量に応じた補正量を演算する演算部とを有し、
    前記それぞれの補正量を動作指令として前記X−Yテー
    ブルの駆動部および前記ステージ駆動部に与えることを
    特徴とする半導体ウエハの外観検査装置。
JP19673798A 1998-06-27 1998-06-27 半導体ウエハの外観検査装置 Expired - Fee Related JP4255997B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19673798A JP4255997B2 (ja) 1998-06-27 1998-06-27 半導体ウエハの外観検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19673798A JP4255997B2 (ja) 1998-06-27 1998-06-27 半導体ウエハの外観検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000021955A true JP2000021955A (ja) 2000-01-21
JP4255997B2 JP4255997B2 (ja) 2009-04-22

Family

ID=16362770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19673798A Expired - Fee Related JP4255997B2 (ja) 1998-06-27 1998-06-27 半導体ウエハの外観検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4255997B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006054441A (ja) * 2004-07-12 2006-02-23 August Technology Corp 動的な焦点合わせ方法および装置
JP2007109861A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ及びプローバにおける回転・移動制御方法
KR101008319B1 (ko) * 2010-07-05 2011-01-13 (주)앤앤아이테크 반도체 칩 검사장치
CN102501230A (zh) * 2011-10-28 2012-06-20 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种多自由度隔振承载平台
WO2019111732A1 (ja) * 2017-12-08 2019-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および露光方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106207370B (zh) * 2016-08-19 2019-03-12 西安空间无线电技术研究所 一种反射面天线调整定位装置及方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006054441A (ja) * 2004-07-12 2006-02-23 August Technology Corp 動的な焦点合わせ方法および装置
JP2007109861A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ及びプローバにおける回転・移動制御方法
KR101008319B1 (ko) * 2010-07-05 2011-01-13 (주)앤앤아이테크 반도체 칩 검사장치
CN102501230A (zh) * 2011-10-28 2012-06-20 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种多自由度隔振承载平台
WO2019111732A1 (ja) * 2017-12-08 2019-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および露光方法
JP2019105675A (ja) * 2017-12-08 2019-06-27 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4255997B2 (ja) 2009-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4627009A (en) Microscope stage assembly and control system
CN113607755B (zh) 一种晶圆的自动检测装置
CN215525587U (zh) 一种晶圆的自动检测装置
JPH0529129B2 (ja)
JP2000021955A (ja) 半導体ウエハの外観検査装置
JP3477698B2 (ja) 走査型露光装置および走査露光方法
JPH11145536A (ja) レーザー装置
JP3053449B2 (ja) 表面検査装置
CN114002921A (zh) 一种激光成像设备以及激光成像方法
JP3007894B2 (ja) 薄板金属盤の外周溶接装置の自動追従方法、及び薄板金属盤の外周溶接装置の溶接状態良否判定方法
JP2001313241A (ja) 露光装置および露光方法
JP2003179122A (ja) 基板検査装置
JP3542451B2 (ja) 精密XYθステージのθ位置合せ方法
JP4263785B2 (ja) チルトステージ
CN220670473U (zh) 晶圆粗糙度检查装置及晶圆检查机
JPH08181062A (ja) 位置決め装置及び位置決め方法
JP2009212257A (ja) ウエハーエッジ検査装置用ステージ
JPH0227488Y2 (ja)
JP2861671B2 (ja) 重ね合せ精度測定装置
JPH05226459A (ja) 半導体ウェハの位置検出装置
JPH09289160A (ja) 露光装置
JP4242522B2 (ja) レーザ加工装置
JPH0829695A (ja) レボルバー式顕微鏡及び回転位置決め装置
JPS58207628A (ja) テ−ブル駆動機構
JP2003057005A (ja) 走査電子顕微鏡等のステージ位置測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20020909

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20020910

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20030826

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20030926

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20031021

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20031023

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050304

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080304

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080422

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080422

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090120

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090129

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees