JP2000019557A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 信号供給源から供給される信号をガンマ補正するための制御回路と、
   前記供給される信号をガンマ補正するためのデータを記憶するメモリとを有し、
   前記制御回路および前記メモリは活性層を有するＴＦＴによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記メモリは、複数のＦＡＭＯＳ型ＴＦＴを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記メモリは不揮発性メモリであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記供給される信号はデジタル信号であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
5. 前記供給される信号はアナログ信号であり、前記アナログ信号をデジタル信号に変換する変換回路を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
6. 活性層を有する複数のＴＦＴがマトリクス状に配置された画素領域と、
   前記活性層を有する複数のＴＦＴをスイッチングするドライバと、
   画像信号を供給する画像信号供給源と、
   前記画像信号をガンマ補正する制御回路と、
   前記画像信号をガンマ補正するためのデータを記憶するメモリと、
   を備えた半導体表示装置であって、
   前記活性層を有する複数のＴＦＴと、前記ドライバと、制御回路と、前記メモリとは、同一絶縁基板上に一体形成されることを特徴とする半導体表示装置。
7. 前記画像信号はデジタル信号であることを特徴とする請求項６に記載の半導体表示装置。
8. 前記画像信号はアナログ信号であり、前記アナログ信号をデジタル信号に変換する変換回路を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体表示装置。
9. 活性層を有する複数のＴＦＴがマトリクス状に配置された画素領域と、
   前記活性層を有する複数のＴＦＴをスイッチングするドライバと、
   デジタル画像信号を供給するデジタル画像信号供給源と、
   前記デジタル画像信号をアナログ信号に変換する変換回路と、
   前記デジタル画像信号をガンマ補正する制御回路と、
   前記デジタル画像信号をガンマ補正するためのデータを記憶するメモリと
   を備えた半導体表示装置であって、
   前記変換回路は前記活性層を有する複数のＴＦＴのソース線に異なる電圧を供給する複数の電圧線を有し、
   前記活性層を有する複数のＴＦＴと、前記ドライバと、制御回路と、前記メモリとは同一絶縁基板上に一体形成されることを特徴とする半導体表示装置。
10. 前記メモリは、複数のＦＡＭＯＳ型ＴＦＴを含むことを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体表示装置。
11. 前記メモリは、不揮発性メモリであることを特徴とする請求項６乃至請求項１０のいずれか一に記載の半導体装置。
12. 前記活性層は結晶構造であり、前記活性層の厚さは、１０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項６乃至請求項１１のいずれか一に記載の半導体表示装置。
13. 前記半導体表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項６乃至請求項１２のいずれか一に記載の半導体表示装置。