JP2000013112A - 集中定数型アイソレータ - Google Patents

集中定数型アイソレータ

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JP2000013112A
JP2000013112A JP10175219A JP17521998A JP2000013112A JP 2000013112 A JP2000013112 A JP 2000013112A JP 10175219 A JP10175219 A JP 10175219A JP 17521998 A JP17521998 A JP 17521998A JP 2000013112 A JP2000013112 A JP 2000013112A
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isolator
capacitance
electrode
parallel resonance
capacitor
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JP10175219A
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Takahide Kurahashi
孝秀 倉橋
Yoshinori Matsumaru
宜紀 松丸
Akito Watanabe
明人 渡辺
Shusuke Ohata
秀典 大波多
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で、構造の簡単な集中定数型アイソレー
タを提供する。 【解決手段】 中心導体61は、ストリップライン61
1、612、613を含む。ストリップライン611、
612、613は略120度の角度で交差する。並列共
振容量を構成する容量電極641〜643のそれぞれ
は、ストリップライン611、612、613のそれぞ
れに個別に接続されている。容量電極641〜643の
内、容量電極643は、その損失による抵抗成分646
を持ち、抵抗成分646が終端抵抗を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯域等
で用いられる無線機器、例えば携帯電話のごとき移動体
無線機器等に使用される集中定数型アイソレータに関す
る。
【0002】
【従来の技術】この種の集中定数型アイソレータは、例
えば、特開平2ー55403号公報等に開示されている
ように、フェライトコアと、フェライトコアに直流磁場
を印加する永久磁石と、フェライトコア及び永久磁石の
間に配置される中心導体と、並列共振容量のための容量
基板と、フェライトコアに対する直流磁場の効率を上げ
るためのヨーク等を含んでいる。
【0003】アイソレータは、更に、無反射にするため
の終端抵抗を含む。従来のアイソレータでは、終端抵抗
は、例えば、上述した先行技術文献に記載されているよ
うに、並列共振容量を形成した容量基板に、単独部品で
ある抵抗体を搭載して構成してあった。終端抵抗体は、
一端が容量基板の上に形成された容量電極に接続され、
他端がグランド接続電極に接続されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の移動
体通信機器の小型化に伴い、それに使用されるアイソレ
ータの小型化、低価格化の要求が強くなっている。
【0005】ところが、従来の従来の集中定数型アイソ
レータは、終端抵抗を構成する抵抗体の一端を、並列共
振容量の容量電極に接続し、他端をグランド接続電極に
接続していた。この構造では、アイソレータの構造が複
雑になる。しかも、容量基板に終端抵抗を構成する抵抗
体を搭載するためのスペース、及び、グランド接続電極
のためのスペースが必要になるので、容量基板の平面積
が大きくなる。このため、アイソレータの小型化及び低
価格化に限界を生じていた。
【0006】本発明の課題は、小型で、構造の簡単な集
中定数型アイソレータを提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るアイソレータは、中心導体と、並列
共振容量とを含む。前記中心導体は、3つのストリップ
ラインを含む。前記3つのストリップラインは略120
度の角度で交差している。
【0008】前記並列共振容量は、少なくとも3つ備え
られ、それぞれは前記3つのストリップラインのそれぞ
れに個別に接続されている。前記並列共振容量の内の1
つの並列共振容量は、その損失による抵抗成分を持ち、
前記抵抗成分が終端抵抗を構成する。
【0009】本発明に係るアイソレータにおいて、中心
導体は、3つのストリップラインを含み、3つのストリ
ップラインは略120度の角度で交差する。この構造
は、集中定数型アイソレータの基本を与える。
【0010】本発明に係るアイソレータは、 並列共振
容量を含む。並列共振容量は、少なくとも3つ備えら
れ、それぞれは、3つのストリップラインのそれぞれに
個別に接続されている。従って、中心導体を構成する各
個のストリップラインのそれぞれに、並列共振回路を付
加した集中定数型アイソレータが得られる。
【0011】本発明に係るアイソレータにおいて、並列
共振容量の内の1つの並列共振容量は、その損失による
抵抗成分を持ち、前記抵抗成分が終端抵抗を構成する。
従って、アイソレーション端子を、1つの並列共振容量
に接続するだけでよく、終端抵抗を接続するグランド接
続電極は不要である。このため、小型で、構造の簡単な
集中定数型アイソレータが得られる。
【0012】一つの態様として、前記1つの並列共振容
量は、抵抗成分を含む容量電極を有する。前記終端抵抗
は、前記容量電極に含まれる前記抵抗成分によって与え
られる。
【0013】別の態様として、前記容量電極は、少なく
とも一部に、他の部分よりは高い抵抗値を示す抵抗部分
を含むこともある。この場合、前記終端抵抗は、実質的
に、前記抵抗部分の抵抗値によって与えられる。
【0014】更に別の態様として、前記容量電極は、前
記抵抗成分を生じさせる組成分を、電極面に分布させて
あってもよい。この場合、前記終端抵抗は、前記容量電
極の全体の抵抗値で与えられる。
【0015】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面
は、単なる例に過ぎない。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係る集中定数型ア
イソレータにおける全体構成及び組立順序を概略的に示
す分解斜視図、図2は図1に示した集中定数型アイソレ
ータの組立状態を示す斜視図、図3は図2の3ー3線に
沿った部分断面図である。
【0017】これらの図を参照すると、実施例に示され
た集中定数型アイソレータは、中心導体61と、フェラ
イトコア62と、永久磁石66と、容量基板64と、ヨ
ーク67、68とを含んでいる。永久磁石66はフェラ
イトコア62に直流磁場を印加する。中心導体61はフ
ェライトコア62及び永久磁石66の間に配置される。
実施例において、中心導体61はフェライトコア62の
外面に配置されている。ヨーク67、68は永久磁石6
6からフェライトコア62に印加される直流磁場の効率
を上げるために備えられている。
【0018】中心導体61はフェライトコア62に組み
付けられ、組立体63を構成する。中心導体61の構
成、及び、中心導体61とフェライトコア62の組み合
わせ構造については、図4及び図5に拡大して示してあ
る。中心導体61は、グランド導体(シールド板)61
0と、3つのストリップライン611、612及び61
3を含んでいる。3つのストリップライン611、61
2及び613は、グランド導体610から放射方向に突
出させてある。このような中心導体61は、例えば、銅
箔の打ち抜き加工によって得ることができる。ストリッ
プライン611及び612は先端部が入出力端となり、
ストリップライン613は先端部が終端されている。
【0019】グランド導体610は、この上に載置する
円板状フェライトコア62とほぼ同じ寸法の円板形状と
なっている。グランド導体610の上に円板状フェライ
トコア62を載置した後、円板状フェライトコア62の
外周縁に沿って、入出力端を持つストリップライン61
1及び612のうちの一方を折り曲げ、次に他方を折り
曲げ、最後に終端抵抗接続端を持つストリップライン6
13を折り曲げる。これにより、図5に示すように、円
板状フェライトコア62の上面に3つのストリップライ
ン611、612及び613を折り重ね、互いに略12
0度の角度で交差させた組立体63が得られる。
【0020】図示されていないが、各ストリップライン
611、612及び613を円板状フェライトコア62
に折り重ねる際に、ストリッブライン611、612及
び613の相互間の絶縁をとるために、例えばポリイミ
ド系の絶縁シートが互いの間に挟み込まれている。
【0021】容量基板64は、無機または有機系の誘電
体材料でなり、ほぼ中央部に組立体63を取り付けるた
めの抜き穴640を有している。容量基板64の上面に
は、ストリップライン611、612及び613の先端
部が載置され、接続される所定形状の容量電極641、
642及び643が備えられている。ストリップライン
611、612及び613の先端部は、ハンダ付け等の
手段によって、容量電極641、642及び643にそ
れぞれ接続されている。容量基板64の下面にはグラン
ド電極645(図3参照)が形成されている。
【0022】さらに、容量電極643には、酸化ルテニ
ウム等でなる抵抗体646の一端が接続されている。抵
抗体646の他端は、容量電極643と間隔を隔てて配
置された容量電極644に接続される。容量電極64
3、抵抗体646及び容量電極644が一体となり、並
列共振容量を形成している。この並列共振容量643
は、抵抗体646を含んでいるため、非常に損失分の大
きい容量となる。この損失分が終端抵抗と等価の働きを
するため、容量電極644を従来のようにグランドに接
続しなくても、終端が形成できることになる。そのた
め、アイソレータの構造を簡単にすることができ、小型
化、低価格化が可能になる。次に、この点について、図
6〜図10を参照して説明する。
【0023】図6は中心導体61のストリップライン6
11、612及び613と容量電極641、642及び
643とを接続した回路構成を示している。図6は使用
状態における回路構成を想定し、既に接地された回路構
成となっている。
【0024】L1〜L3はストリップライン611、6
12及び613によるインダクタンス、C1〜C3は容
量電極641、642、643、644、及び、抵抗体
646と、グランド電極645との間で得られる並列共
振容量を示している。並列共振容量C1〜C3の一端は
ストリップライン611、612及び613によって構
成されるインダクタンスL1〜L3の一端に接続され
る。並列共振容量C1〜C3の他端は接地される。スト
リップライン611によって構成されるインダクタンス
L1の一端は出力端子OUTとして用いられ、ストリッ
プライン612によって構成されるインダクタンスL2
の一端は入力端子INとして用いられる。ストリップラ
イン613によって構成されるインダクタンスL3の一
端は、アイソレーション端子として用いられ、容量電極
643、644、抵抗体646による並列共振容量C
3、及び、並列共振容量C3に含まれる抵抗体646に
よる抵抗Rを介して、接地される。インダクタンスL1
〜L3の他端は接地される。
【0025】図7は従来の集中定数型アイソレータにお
いて、アイソレーション端子となるストリップラインに
よるインダクタンスLと、並列共振容量C01と、終端
抵抗R01との関係を示す回路図である。図7に示すよ
うに、従来の集中定数型アイソレータは、アイソレーシ
ョン端子となるストリップラインを終端するために、終
端抵抗R01の一端を、並列共振容量C01の一端に接
続し、更に終端抵抗R01の他端を接地する必要があっ
た。このため、終端抵抗R01の他端を接続するための
グランド接続電極を設ける必要があり、それが原因で、
構造が複雑になると共に、小型化及び低コスト化に限界
を生じていた。
【0026】図8は図6に示した本発明に係る集中定数
型アイソレータにおいて、ストリップライン613と、
並列共振容量C3との関係を抜き出して示す回路図であ
る。既に述べたように、並列共振容量C3は、容量電極
643、抵抗体646及び容量電極644が一体となっ
て構成されている。一般に、導体の抵抗を含んだ容量の
等価回路は、容量と抵抗の直列回路で表すことができ
る。従って、並列共振容量C3は、図8に示すように、
抵抗体646の抵抗Rと、容量電極643及び容量電極
644による容量値(C3)の直列回路として表現でき
る。
【0027】図8に示す回路において、抵抗Rを含んだ
並列共振容量C3と、インダクタンスL3との並列共振
回路を考えると、図8に示した抵抗R及び容量値(C
3)の直列回路は、図9に示すように、抵抗R01とコ
ンデンサC01との並列回路として書き換えることがで
きる。図9の回路を図6に示した回路と対比すると明ら
かなように、図9の抵抗R01、容量C01及びインダ
クタンスL3による並列共振回路は、図6の回路と等価
である。即ち、抵抗R及び容量値(C3)に適当な定数
を選ぶことにより、必要な終端抵抗R01を、並列共振
容量C3の損失分で形成できることになる。
【0028】容量電極643、容量電極644及び抵抗
体646の形状は、図1の形状に限定されるものではな
く、調整の容易さ等を考慮し種々の構成が考えられる。
【0029】更に、この構成では、容量電極643と容
量電極644との面積の比を変えることにより、実効的
に、R01の値を変化させることができる。従来、抵抗
値の調整は、抵抗体そのものをトリミングにより調整し
ていた。この場合、抵抗値を上げる調整はできるが、抵
抗値を下げる調整はできなかった。本発明によれば、抵
抗体をトリミングすることなく、容量電極643、64
4の面積を調整することにより、実効的な容量値の調整
が可能となる。さらに、従来は不可能であった実効的な
容量値を下げる調整も可能になる。
【0030】実施例に示された集中定数型アイソレータ
は、更に、樹脂ケース65と、面装着用の端子基板69
を備えている。樹脂ケース65は、方形枠状であり、2
つのストリップライン611、612のそれらの先端に
対応する位置に2つの接続電極651、652を有す
る。また、樹脂ケース65の下側には、組立体63を取
り付けたカバー68が組み付けられて、接続電極65
1、652のケース内側端部に、ストリップライン61
1、612の先端部並びに容量電極641、642が半
田付等の手段によってそれぞれ接続される。
【0031】鉄等の軟磁性金属によるヨーク67の内側
には、永久磁石66が固定されている。この永久磁石6
6を内蔵するヨーク67が樹脂ケース65の上側に組み
付けられ、ヨーク67及びヨーク68が相互にカシメら
れて一体化されている。その結果、ヨーク67及びヨー
ク68で構成される磁気ヨークの内側に、永久磁石66
と、ストリップライン611、612及び613を上側
に設けたフェライトコア62とが配置されることとな
る。これらは磁気ヨークによって囲まれている。
【0032】端子基板69は、入出力端を持つ2つのス
トリップライン611及び612の先端部に対応する位
置に、2つの端子電極691及び692をその下面に有
すると共に、グランド電極694をその下面に有する。
さらに、その上面に、図示されていないビアホールを介
して端子電極691及び692に接続される電極695
及び696と、図示されていないビアホールを介してグ
ランド電極694に接続される電極697とを有してい
る。端子電極691及び692は外部回路に接続する際
の面実装端子として用いられる。
【0033】端子基板69は、ヨーク68の下面に装着
され、樹脂ケース65の接続電極651及び652のケ
ース外側端部が、電極695及び696にそれぞれハン
ダ付けで接続され、ヨーク68の下面が電極697にハ
ンダ付けで接続される。このようにして、入出力端とな
る2つのストリッブライン611及び612の先端部
が、端子基板69の端子電極691及び692に引き出
され、集中定数型アイソレータが組み立てられる。
【0034】図10は本発明に係る集中定数型アイソレ
ータの別の実施例における全体構成を示す分解斜視図で
ある。図において、図1〜図3に示された構成部分と同
一の構成部分については、同一の参照符号を付してあ
る。容量基板64は、中央部に、組立体63を取り付け
るための抜き穴640を有している。容量基板64の上
面には、所定形状の容量電極641、642及び643
が形成されている。容量電極641、642及び643
には、ストリッブライン611、612及び613の先
端部が載置され接続される。
【0035】容量電極641、642及び643のう
ち、容量電極643は酸化ルテニウム等で形成される。
従って、容量電極643は、抵抗成分を生じさせる組成
分を、電極面に分布させた構成となる。容量電極643
は適度な抵抗値を持ち、損失の大きな並列共振容量を形
成することができる。この損失分が終端抵抗と等価の働
きをするため、容量電極643を従来のようにグランド
に接続しなくても、終端が形成できることになる。その
ため、アイソレータの構造を簡単にすることができ、小
型化、低価格化が可能になるのである。容量電極の形状
は、図の形状に限定されるものではなく、調整の容易さ
等を考慮し種々の構成が考えられる。その他の構成は、
図1等に示した実施例と同様でよい。
【0036】図11は本発明に係る集中定数型アイソレ
ータの更に別の実施例を概略的に示す分解斜視図であ
る。図において、図1〜図3に示された構成部分と同一
の構成部分については、同一の参照符号を付してある。
この実施例では、3つのコンデンサ71〜73を有す
る。コンデンサ71、72の上面にストリップライン6
11、612の先端部が載置され、接続される。コンデ
ンサ73の上面には、ストリップライン613の先端部
が接続される。この単板コンデンサ73の上面の電極7
31は、酸化ルテニウム等で形成される。この電極73
1は適度な抵抗値を持ち、損失の大きな並列共振容量を
形成することになる。この損失分が終端抵抗と等価の働
きをする。従来技術では、並列共振容量と、グランドの
間に、チップ抵抗等の抵抗体を形成していたが、本実施
例によれば、抵抗体を形成すること、抵抗体をグランド
に接続すること等が不要になる。そのため、アイソレー
タの構造を簡単にすることができ、小型化、低価格化が
可能になるのである。
【0037】図12は本発明に係る集中定数型アイソレ
ータの更に別の実施例を示す分解斜視図である。図にお
いて、図1〜図3に示された構成部分と同一の構成部分
については、同一の参照符号を付してある。この実施例
に示されたアイソレータは、磁気回転子8を含んでい
る。磁気回転子8の側方には、磁気回転子8を取り囲む
ように配置された容量基板64が備えられている。ま
た、磁気回転子8の上に永久磁石66が配置されてい
る。参照符号67はヨークである。
【0038】図13は容量基板64の平面図、図14は
図13の14ー14線に沿った断面図である。図示され
た容量基板64は、単層の誘電体基板であり、その上面
には、入力端子に接続される容量電極641、及び、出
力端子に接続される容量電極642が形成されている。
更に、容量基板64の上面には、アイソレーション端子
を形成する容量電極643、抵抗体646及び容量電極
644が形成されている。容量基板64の下面にはグラ
ンド電極645(図14参照)が形成されている。容量
電極641、642、643、644、及び、抵抗体6
46と、グランド電極645との間で共振容量が得られ
る。この容量基板64には、中央部に磁気回転子8が嵌
合されるぺく、開口形状が磁気回転子8の平面外側形状
にほぼ等しい穴640が設けられている。従来技術のア
イソレータでは、容量電極644とグランド電極645
が、容量基板64の側面を介して接続されていた。
【0039】これに対して、本発明によれば、容量電極
644とグランド電極645を接続する必要がないた
め、アイソレータの構造を簡単にすることができ、小型
化、低価格化が可能になるのである。磁気回転子8及び
容量基板64をそれぞれ別個に製造し、磁気回転子8を
容量基板64の穴640に嵌合させた後、磁気回転子8
の入力端子、出力端子及びグランド電極を、容量基板6
4の入力端子641、出力端子642及びグランド電極
645にそれぞれ電気的に接続することによって、アイ
ソレータが組立られる。
【0040】図15は磁気回転子8の内部に備えられた
中心導体61の構成を示す図、図16は図15の16ー
16線に沿った断面図である。磁気回転素子8は、焼結
体でなる絶縁性磁性体80の内部に、中心導体61を構
成するストリップライン611、612及び613を埋
設した構造となっている。絶縁性磁性体80の側面には
ストリップライン611、612から導かれた入出力端
子、及び、ストリップライン613から導かれたグラン
ド電極が備えられている。絶縁性磁性体80の上下面に
はグランド電極81がそれぞれ形成されている。
【0041】次に、図12に示した集中定数型アイソレ
ータの具体的な製造工程を説明する。
【0042】<磁気回転子8の製造工程>まず、磁気回
転子8のための磁性体グリーンシートを作成する。酸化
イットリウム(Y203)と、酸化鉄(Fe2O3)とを、モル比
で、3:5の割合で混合する。得られた混合粉を、12
00℃で仮焼きする。仮焼きされた混合粉を、ボールミ
ルにて粉砕する。粉砕された混合粉に、有機バインダ及
び溶剤等を添加して、磁性体スラリーを調製する。
【0043】次に、得られた磁性体スラリーを用いて、
例えば、ドクターブレード法等を適用し、グリーンシー
トを成形する。
【0044】次に、グリーンシートに厚膜印刷法で中心
導体611、612、613のパターンを形成する。導
体材料としては、例えばパラジウムペーストを使用す
る。
【0045】このようにして形成したグリーンシートを
重ねて熱圧着し、積層体を得る。その後、この積層体を
所定の大きさの所定の形状に切断し、1480℃で焼成
する。次いで、焼成体の上下面、側面に銀へ一ストを焼
き付けることによってグランド電極、入力端子、出力端
子を、銀へ一ストを焼き付けることにより形成する。こ
れにより磁性体及び中心導体が一体化して焼成された磁
気回転子8が得られる。
【0046】<組立工程>上記工程を通して得られた磁
気回転子8を、容量基板64の穴640の内部に嵌合さ
せ、電気的接続を行った後、永久磁石66及びヨーク6
7を組み付けることにより、アイソレータを得ることが
できる。
【0047】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、小
型で、構造の簡単な集中定数型アイソレータを提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る集中定数型アイソレータにおける
全体構成を概略的に示す分解斜視図である。
【図2】図1に示した集中定数型アイソレータの組立状
態を示す斜視図である。
【図3】図2の3ー3線に沿った断面図である。
【図4】図1〜図3に図示された集中定数型アイソレー
タに用いられている中心導体を、展開して示した図であ
る。
【図5】図4に示された中心導体とフェライトコアとの
組み合わせになる組立体の平面図である。
【図6】図1〜図3に示した集中定数型アイソレータに
おいて、中心導体のストリップラインと容量電極との電
気的接続を示す回路図である。
【図7】従来の集中定数型アイソレータにおいて、アイ
ソレーション端子となるストリップラインによるインダ
クタンスと、並列共振容量と、終端抵抗との関係を示す
回路図である。
【図8】図6に示した本発明に係る集中定数型アイソレ
ータにおいて、アイソレーション端子となるストリップ
ラインと、並列共振容量との関係を抜き出して示す回路
図である。
【図9】図8に示した回路の等価回路図である。
【図10】本発明に係る集中定数型アイソレータの別の
実施例における全体構成を示す分解斜視図である。
【図11】本発明に係る集中定数型アイソレータの更に
別の実施例における全体構成を示す分解斜視図である。
【図12】本発明に係る集中定数型アイソレータの更に
別の実施例における全体構成示す分解斜視図である。
【図13】図12に示した集中定数型アイソレータに用
いられている容量基板の平面図である。
【図14】図13の14ー14に沿った線断面図であ
る。
【図15】図12に示した集中定数型アイソレータに用
いられている磁気回転子の断面図である。
【図16】図15の16ー16線に沿った平面断面図で
ある。
【符号の説明】
61 中心導体 611、612、613 ストリップライン 64 容量基板 641、642 容量電極 643、644 容量電極 645 接地電極 646 抵抗 71〜73 コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 明人 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 大波多 秀典 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 5J013 EA01 FA07

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 中心導体と、並列共振容量とを含むアイ
    ソレータであって、 前記中心導体は、3つのストリップラインを含み、前記
    3つのストリップラインは略120度の角度で交差して
    おり、 前記並列共振容量は、少なくとも3つ備えられ、それぞ
    れは前記3つのストリップラインのそれぞれに個別に接
    続されており、 前記並列共振容量の内の1つの並列共振容量は、その損
    失による抵抗成分を持ち、前記抵抗成分が終端抵抗を構
    成するアイソレータ。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載されたアイソレータであ
    って、 前記1つの並列共振容量は、前記抵抗成分を含む容量電
    極を有するアイソレータ。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載されたアイソレータであ
    って、 前記容量電極は、少なくとも一部に、他の部分よりは高
    い抵抗値を示す抵抗部分を含むアイソレータ。
  4. 【請求項4】 請求項2に記載されたアイソレータであ
    って、 前記容量電極は、前記抵抗成分を生じさせる組成分を、
    電極面に分布させてあるアイソレータ。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4の何れかに記載されたア
    イソレータであって、 更に、永久磁石と、フェライトコアとを含んでおり、 前記永久磁石は、前記フェライトコアに直流磁場を印加
    し、 前記中心導体は、前記永久磁石と前記フェライトコアと
    の間に配置されているアイソレータ。
JP10175219A 1998-06-22 1998-06-22 集中定数型アイソレータ Pending JP2000013112A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100352489B1 (ko) * 1999-12-16 2002-09-11 삼성전기주식회사 비가역 회로소자

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KR100352489B1 (ko) * 1999-12-16 2002-09-11 삼성전기주식회사 비가역 회로소자

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