JP4766292B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話などのマイクロ波通信機器などに使用されるサーキュレータ、アイソレータなどの非可逆回路素子に係り、小型かつ製造が容易で構成部品間の接続信頼性が高い構造を有するものに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、サーキュレータ、アイソレータ等の非可逆回路素子は、信号を特定方向のみに伝送し、逆方向には伝送しない特性を有し、携帯電話あるいは自動車電話などのマイクロ波通信機器の送信回路には不可欠の部品である。このような用途において、非可逆回路素子は小型化、低損失化が要求されている。
図9に非可逆回路素子の等価回路図を示す。この非可逆回路素子は、ポートP1(IN),P2(OUT),P3(LOAD)に整合回路として整合容量C1,C2,C3が接続されたサーキュレータのいずれか1つのポート(図ではポートP3)に、終端抵抗Riを接続してアイソレータとしたものである。
図6に従来の非可逆回路素子を示す。この非可逆回路素子は、マイクロ波を循環するための中心導体と、各ポートのインピーダンス整合を行うための整合容量を備える。例えばアイソレータは、互いに電気的絶縁状態でかつ120度間隔で絶縁シート100a、100bを介して重ねられた3つの中心導体160a、160b、160cをガーネット等の磁性体150上に配置した中心導体組立体4と、ガーネットに直流磁界を印加するための永久磁石3と、整合容量5を有し、これらを、磁性ヨークを兼ねた金属ケース1,2内に収納して構成されることが多い。
【0003】
他の非可逆回路素子の例として、特開平7−212107号公報で開示された非可逆回路素子を図7に示す。
この非可逆回路素子は、フェライト積層体(中心導体組立体)90と、フェライト積層体90を収容する基台91と、誘電体フィルム92と、遮蔽板93と、永久磁石94a,94bと、上部ヨーク95aと、下部ヨーク95bとから構成されている。ここでフェライト積層体90は、図8に示すように円板状のグリーンシートの上面に互いに絶縁され、かつ等角度で交差する中心導体を導電ペーストを印刷し、この上に他の同形状のグリーンシートを積層密着して中心導体を挟み込み、その後、積層したグリーンシートの側面及び上下面にそれぞれ電極となる導電体ペーストを印刷して焼成を行なうことで一体焼結型のフェライト積層体90としている。
【0004】
基台91には、その中央にフェライト積層体90を収容する円形凹部96を有している。円形凹部96の内面にはフェライト積層体90を収容したときに、入出力電極90b及び90cと接触導通する内部電極91b及び91cと、グランド電極90dに接触導通する側面グランド電極91dと、下部グランド電極に接触導通し下部グランド電極と同一形状のアース面電極97とが形成されている(他のグランド電極についても同様)。電極91bは、円形凹部96の内周面から基台91の上面にかけて形成されており、ビアホール98を介して基台91の下部に設けられた入出力端子99に接続されている。電極91cについても電極91bと同様である。
【0005】
次に、フェライト積層体90を基台91の円形凹部96に挿入すると、入出力電極90b及び90cは、それぞれ内面電極91b及び91cに接触導通し、ビアホールを介して入出力端子に電気的に接続される。フェライト積層体90の上面には、誘電体フィルム92が搭載され遮蔽板93が冠着される。これにより、コンデンサ電極90g,90h,及び90i、誘電体フィルム92、及び遮蔽板93は静電容量を構成する。遮蔽板93を冠着するとその接続部93dはグランド電極90dに接触導通すると共に側面グランド電極91dに接触導通する(以下93e、93fについても同様)。次に、永久磁石94aは遮蔽板93の上面に搭載され、永久磁石94bは基台91の下部に配置される。これら永久磁石94a及び94bは、上部ヨーク95a及び95bによって固定されている。また、上部ヨーク95a及び下部ヨーク95bは、互いに接続部を接続することにより閉磁路を構成している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
この分野では小型であると共に性能的にも高い信頼性が要求される。例えば外部からのノイズによる誤作動が少なく、かつ過酷な振動や衝撃などにも耐え得る構造であることが必要である。ここで中心導体組立体と容量素子基板との接続構造に着目してみると、特開平7−212107号公報で開示されたものは、中心導体を交互に織り込み各中心導体の電極端をフェライト積層体90の側面まで延出させ、基台91の円形凹部96の内面電極91b及び91cに接触導通させるものであり、外面電極と内面電極を対向させ側面同士を接続する構造である。本例では遮蔽板を側面電極に嵌着することで接触導通させただけの構造であった。従って、振動や衝撃に対する信頼性に極めて乏しいと言う問題がある。また、特開平10−178304号公報にも外側面電極と内側面電極の接続が見られるが、この側面電極同士の接続に関し如何様にしたかの具体的な開示はない。このように従来、側面電極同士の接続構造について電気的また機械的に信頼性の高い具体的な接続構造の提案はなかった。
【0007】
以上のことより本発明は、アイソレータやサーキュレータを構成する中心導体組立体と容量素子基板の電極間接続する場合、その位置合わせが容易で、電極部が電気的にも機械的にも確実かつ強固に接続できる信頼性の高い接続構造となした中心導体組立体とこれを用いた非可逆回路素を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、相対向する第1および第2の主面と当該主面間を連結する側面を備えた矩形板状の磁性体に、一端を共通端とし他端を高周波信号の入出力端とする第1〜第3の中心導体を積層配置し、前記第2の主面にグランド電極と第1〜第3の入出力外部電極を形成する中心導体組立体と、該中心導体組立体に直流磁界を印加する永久磁石と、前記中心導体と接続する整合容量と終端抵抗を具備する非可逆回路素子であって、前記中心導体組立体は複数の磁性体層が積層されてなり、その側面には電極が形成されてなく、各中心導体は異なる磁性体層に設けられ、その共通端側とグランド電極との接続と、他端側と入出力外部電極との接続が全てスルーホールで行なわれ、前記中心導体は積層体の外周部よりも内側へ間隔を持って形成されており側面側に表れず、前記第1〜第3の入出力外部電極の相互間は前記グランド電極により区画され、前記入出力外部電極のいずれかを介して前記終端抵抗と接続される中心導体は、積層方向において他の2つの中心導体の間に挟まれ、、その長さが他の2つの中心導体よりも短いことを特徴とする非可逆回路素子である。
前記中心導体組立体の入出力外部電極がLGA(Land Grid Array)又はBGA(Ball Grid Array)とするのが好ましい。
前記中心導体組立体のグランド電極と入出力外部電極にそれぞれ接続する接続電極を一体成形した樹脂ベースを用い、前記接続電極を介して前記中心導体組立体の入出力外部電極と接続する複数の整合容量を具備する非可逆回路素子とするのも好ましい。
本発明においては、前記整合容量を複数の誘電体層と導体層とで積層形成して複数の整合容量を一体化したコンデンサ積層体とするのが好ましい。
前記コンデンサ積層体は前記中心導体組立体が収容される透孔を有し、該透孔から前記樹脂ベースの接続電極が露出するように、樹脂ベース上に配置するのも好ましい。また、前記整合容量を誘電体基板の対向する2つの主面に電極を形成してなる単板型コンデンサとし、前記中心導体組立体の周縁に配置しても良い。
【0009】
【発明の実施の形態】
(実施例1)
以下、本発明の非可逆回路素子の実施例について図面を参照して説明する。図1は、この発明の一実施例に用いた中心導体組立体の外観を示す斜視図である。図2は前記中心導体組立体の分解斜視図であり、図3は本発明の一実施例に係る非可逆回路素子の分解斜視図である。
図3は、本発明の非可逆回路素子の一例を示す分解斜視図である。この非可逆回路素子の基本構成としては、中心導体組立体4、中央部の透孔の中に前記中心導体組立体4を組み込むようになしたコンデンサ積層体5、このコンデンサ積層体5に組み入れられるチップあるいは抵抗膜で形成した抵抗体90、中心導体組立体4に直流磁界を印加する永久磁石3、磁性ヨークを兼ねる金属製の上ケース1と同じく下ケース2とからなっている。コンデンサ積層体5と下ケース2との間に、実装基板との接続端子を備え、中心導体組立体4とコンデンサ積層体5を接続する接続電極を備えた樹脂ベース6を配置している。
【0010】
前記中心導体組立体4は、相対向する第1および第2の主面と当該主面間を連結する側面を備えた矩形状の磁性体に、中心導体を複数の磁性体層とともに積層配置するものであり、前記中心導体は中心導体組立体に形成されたビアホールにより、前記第2の主面に形成された入出力外部電極In、Out、Load及びグランド電極Gndと電気的に接続する。
次に、中心導体組立体4の詳細を図2に中心導体組立体の分解平面図をもとに、製造方法と共に説明する。この中心導体組立体4はガーネット等の磁性体のグリーンシートをドクターブレード法にて作成し、このグリーンシートに所定パターンの中心導体44a,44b,44cをそれぞれAgやCu等の導電性のペ−ストを印刷して形成する。
前記磁性体は、最終組成が一般式:BipGdxCay+vY3-x-y-v-pFe5-u-v-0.5yInuZrvV0.5yO12(原子%)で表され、Bi2O3、Y2O3、CaCO3、Fe2O3、In2O3、V2O5を出発原料として、最終組成が例えばp=1.0、x=0.5、y=0.8、v=0.02、u=0.2の磁性体材料である。
そして前記出発原料をボールミルにて湿式混合し、得られたスラリーを乾燥した後、700℃〜850℃の温度で仮焼し、ボールミルにて湿式粉砕し、得られたスラリーを乾燥して酸化物磁性材料粉末を得た。この磁性材料粉末と有機バインダー、可塑材、および、有機溶剤をボールミルにて混合し粘度を調整した後、ドクターブレード法にて40μm〜250μmの磁性体セラミックグリーンシートを作製した。
【0011】
前記グリーンシートに導電性ペーストを印刷し、ビアホールを形成して、さらにグリーンシートを重ねて80℃に加熱して12MPaの圧力で熱圧着して積層体とした後、所定の大きさ、形状となるように、例えばダイシングソーや鋼刃で前記積層体を切断した後、900℃〜940℃で、2時間〜8時間焼成して中心導体組立体4を得る。
この中心導体組立体4の磁性体層43b〜43dには、それぞれ中心導体44a〜44cが互いに絶縁を保って等角度で交差するように設けられ、磁性体層43eの裏面にあたる第2の主面43fにはグランド電極GNDと入出力電極In、Out、Loadを形成してLGA(Land Grid Array)としている。なお、第2の主面43fに形成された前記グランド電極Gnd、入出力電極In、Out、Loadの一部を中心導体組立体4の表面に露出するようにレジスト処理し、スクリーン印刷によりはんだペーストを塗布し、その後リフロー加熱により球状化させたり、単一粒径のはんだボールや金ボールを実装させて図1(c)に示すようなBGA(Ball Grid Array)としても良い。
磁性体層43b〜43eの縁部には中心導体44a〜44cとグランド電極Gnd、入出力電極In、Out、Loadを接続するφ0.2〜φ0.4のビアホール(図中、黒丸で表示)を形成している。これらのビアホールにはAgやCu等の導体が充填されている。上記に示した実施例において、ビアホールは、その断面を円形としているが他の形状に変更してもよく、レーザー加工等により横長のビアホールを形成してもよい。
【0012】
積層体から個片への分割は、焼成後にダイシングソーで切断して行っても良い。また、中心導体組立体4の第2の主面に形成される入出力電極In,Out,Loadとグランド電極Gndは、グリーンシートに形成するのではなく、焼結した中心導体組立体4にAg、Cuなどの導体を印刷塗布し焼付けて形成しても良い。また必要に応じてビアホールの露出部、グランド電極、入出力電極にめっきが施される。
第2の主面にレジスト処理する場合には、中心導体組立体4を構成する磁性体材料と組成を同じくし、または中心導体組立体と一体で焼結可能な様に調整した絶縁体材料にエチルセルロースなどの有機バインダと、ブチルカルビトール、ターピネオールなどの有機溶剤を混合し、混練してペーストとし、スクリーン印刷して、積層体とともに一体焼成するのが好ましい。
以上の工程を経て中心導体組立体4が形成される。
【0013】
上記の如く、グランド電極Gndは中心導体組立体4の第2の主面に一体形成されているが、これにより各中心導体とグランド電極との距離が一定となるので、中心導体と磁性体とを別体として組立の際に生じるばらつきによるインピーダンスばらつきを少なく構成できる。また、グランド電極Gndと後述する樹脂ベース6等とはんだ付けできるのでグランド電位をより確実にとることが出来る。そして、グランド電極Gndにより中心導体組立体4を強固にはんだ付けすることが出来る。
【0014】
前記コンデンサ積層体5は、その上面および積層体内部には整合容量を形成するための入力容量電極C1、出力容量電極C2、ロード容量電極C3と、終端抵抗90が配置されるグランド電極Gndが形成されている。また、コンデンサ積層体5の裏面には樹脂ベース6に対して電気的に接続するための入出力電極In、Out、Load、グランド電極Gndがそれぞれ設けられている。
【0015】
コンデンサ積層体5は、図4に示すように、誘電体セラミックグリーンシート21a〜21fに容量を形成する電極パターン(図ではハッチング表示)、グランド電極を形成するパターン(Gnd)を印刷し、それらのグリーンシート21a〜21fを積層、圧着した後、焼結して形成される。積層基板内部の電極は、セラミックとの同時焼結によって一体形成される。前記誘電体としては、例えばAl2O3を主成分としSiO2、SrO、CaO、PbO、Na2O、K2Oを副成分として含む低温焼結誘電体磁器組成物を用いる。積層枚数は、必要な容量値に応じて変化する。この容量積層基板5において、容量用電極はランド電極を介してビアホール(図では黒丸●表示)によって裏面電極(図4の21gにコンデンサ積層体5を裏面から見た平面図を示す)に導通される。同様に、グランド電極Gndは、ランド電極を介して、ビアホール(図では黒丸●表示)によって、裏面電極に導通される。図4に示すように、コンデンサ積層体5の下面、すなわち樹脂ベース6(図1参照)との接続面には、入出力用電極In,Out,Load、グランド電極Gndが形成される。ここで、図4に示すように入出力用電極In,Out,Loadはグランド電極Gndが間に介装されるように配設すると、非可逆回路素子としての特性が安定する。
【0016】
中心導体組立体4が矩形状に形成される場合には、コンデンサ積層体5のほぼ中央部に中心導体組立体4に合わせて矩形状の透孔25を形成し、中心導体基板4が円形の場合には透孔25の形状も円形とするのが好ましい。このように中心導体組立体4の形状と、コンデンサ積層体5の中央部に配設した透孔25の形状を一致させることにより、中心導体組立体4とコンデンサ積層体5の位置決め、接続を容易に行うことが出来る。
また、コンデンサ積層体の略中央部の透孔25は、あらかじめグリーンシートに透孔と一致する形状の孔を設けておき、これを複数積層することにより形成できるが、シートを積層、圧着してブロックとした後に、金型で打ち抜いて透孔を形成しても良い。
コンデンサ積層体5の上面には抵抗90が印刷、焼付法により形成される。印刷抵抗の代わりにチップ抵抗を用いることも可能であり、また、セラミックとの同時焼結によって抵抗形成することも可能である。
【0017】
前記樹脂ベース6は、例えば0.1mm厚さの銅板を用い、射出成形によりこの銅板と液晶ポリマーを一体成形して製造される。この樹脂ベース6の上面、すなわちコンデンサ積層体5との接続面側には、接続電極In、Out、Load、GNDが導体板で形成され、樹脂部分を含めて平面状に構成されている。
しかも、接続電極接続電極In、Out、Load、GNDは同一平面上に形成され、接続電極GND、Loadと端子G、接続電極In、Outは端子電極P1、P2と、それぞれ同一の導体板で構成され、電気的に接続している。導体板を用いることで、樹脂ベース6を用いても、前記特開平9−55607号公報記載の発明のように、金属ケースに直接アースする構造に比べて損失が少ない利点がある。
樹脂ベース6において、接続電極GNDと端子Gとが同一の導体板で構成されるため、接続電極GNDと端子Gとの間での電気抵抗は非常に小さい。このためコンデンサ積層体5のグランド電極GNDは低損失でアースに導通される。また、端子P1、P2と入出力電極IN、OUTとがそれぞれ同一の導体板で構成されるため、端子P1、P2と入出力電極IN、OUTとの間での電気抵抗は非常に小さい。このためコンデンサ積層体5の入出力電極IN、OUTは低損失で端子P1、P2に導通される。これにより挿入損失の少ない優れた非可逆回路素子が得られる。
【0018】
外部回路との接続は樹脂ベース6に設けられた端子P1,P2及び端子Gの外部端子によって行われる。これより、外部回路基板への実装状態において、実装基板が何らかの外的要因により変形した時に、その変形によりアイソレータにかかる応力は樹脂ベース6に設けられた外部端子の導体板及び導体板周辺の樹脂部分によって吸収されるため、外部回路とアイソレータの接続が強固なものとなるほか、アイソレータ自体破損しにくくなる。また、前記外部端子を樹脂ベースに設けることにより、樹脂ベース下面部分における端子の平面性が確保されるため実装基板との接触不良を起こしにくい。
【0019】
また、図3及び図5を用いた説明では、永久磁石の形状を四角形で例示したが、円盤状、六角形など任意の形状のものを採用し得る。このことは、ガーネットの形状についても同様である。
【0020】
更に、本発明は、図6に示した従来例の様に中心導体を折り曲げてガーネットを包み込む構造ではなく、積層構造を採用したのでビアホール接続構造の採用との相乗効果で、信頼性が高く低背高な非可逆回路素子を提供でき、周囲空間を有効に利用して非可逆回路素子の高さ方向および横方向の小型化を達成することが出来る。
また、上記中心導体組立体4及びコンデンサ積層体5は、それぞれ別個に製造され、中心導体組立体4をコンデンサ積層体5の透孔内に配置した後、樹脂ベース6の接続電極を介して接続される。このように平板状の樹脂ベース6上にコンデンサ積層体5や中心導体組立体4を載置する構造であるので、組立時のハンドリング(取り扱い)や工程が容易で製造が簡単となる。
【0021】
(実施例2)
図5に他の実施例に係る非可逆回路素子の分解斜視図を示す。この実施例では前記整合容量を、誘電体基板の対向する2つの主面に電極を形成してなる単板型コンデンサとし、前記中心導体組立体の周縁に配置するものである。この場合でも、実施例1と同様にアイソレータやサーキュレータを構成する中心導体組立体と整合容量との電極間を接続する場合、その位置合わせが容易で、電極部が電気的にも機械的にも確実かつ強固に接続できる、信頼性の高い接続構造となした非可逆回路素を得ることが出来た。
【0022】
【発明の効果】
以上のように、本発明によればアイソレータやサーキュレータを構成する中心導体組立体と整合容量との電極間を接続する場合、その位置合わせが容易で、電極部が電気的にも機械的にも確実かつ強固に接続できる信頼性の高い接続構造となした中心導体組立体とこれを用いた非可逆回路素を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)本発明の一実施例に係る中心導体組立体の斜視図(第1の主面)(b)本発明の一実施例に係る中心導体組立体の斜視図(第2の主面の一例)(c)本発明の一実施例に係る中心導体組立体の斜視図(第2の主面の一例)。
【図2】 本発明の一実施例に係る中心導体組立体の分解平面図である。
【図3】 本発明の一実施例に係る非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図4】 本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いるコンデンサ積層体の分解平面図である。
【図5】 本発明の他の実施例に係る非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図6】 従来の非可逆回路素子と中心導体組立体の分解斜視図である。
【図7】 従来の他の例に係る非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図8】 従来の他の例に係る非可逆回路素子に用いる中心導体組立体である。
【図9】 非可逆回路素子の等価回路である。
【符号の説明】
1 上部ヨーク
2 下部ヨーク
3 永久磁石
4 中心導体組立体
5 コンデンサ積層体
6 樹脂ベース
Claims (3)
- 相対向する第1および第2の主面と当該主面間を連結する側面を備えた矩形板状の磁性体に、一端を共通端とし他端を高周波信号の入出力端とする第1〜第3の中心導体を積層配置し、前記第2の主面にグランド電極と第1〜第3の入出力外部電極を形成する中心導体組立体と、該中心導体組立体に直流磁界を印加する永久磁石と、前記中心導体と接続する整合容量と終端抵抗を具備する非可逆回路素子であって、
前記中心導体組立体は複数の磁性体層が積層されてなり、その側面には電極が形成されてなく、各中心導体は異なる磁性体層に設けられ、その共通端側とグランド電極との接続と、他端側と入出力外部電極との接続が全てスルーホールで行なわれ、前記中心導体は積層体の外周部よりも内側へ間隔を持って形成されており側面側に表れず、
前記第1〜第3の入出力外部電極の相互間は前記グランド電極により区画され、
前記入出力外部電極のいずれかを介して前記終端抵抗と接続される中心導体は、積層方向において他の2つの中心導体の間に挟まれ、その長さが他の2つの中心導体よりも短いことを特徴とする非可逆回路素子。 - 前記中心導体組立体の各入出力外部電極がLGA(Land Grid Array)又はBGA(Ball Grid Array)であることを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記整合容量を複数の誘電体層と導体層とで積層形成し、複数の整合容量を一体化したコンデンサ積層体としたことを特徴とする請求項1又は2に記載の非可逆回路素子。
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