JP3467840B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＶＨＦ、ＵＨＦ、ＳＨ
Ｆ帯域で採用される非可逆回路素子、例えばサーキュレ
ータやアイソレータに関し、特に、小型化、軽量化並び
に部品コストの低減が可能な構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、アイソレータやサーキュレータ
などの非可逆回路素子は、信号を伝送方向にのみ通過さ
せ、逆方向への伝送を阻止する機能を有しており、携帯
電話あるいは自動車電話などの移動通信機器の送信回路
部に不可欠な部品である。このような用途において、非
可逆回路素子は部品の小型化、軽量化が要求されてい
る。また、需要を喚起するために、部品の低価格化が要
求されている。このような要求に応えるために、誘電体
基板に中心電極、整合回路用電極などを集約配置した構
造を有する非可逆回路素子が提案されている。このよう
な構造を有するサーキュレータの一例が図８及び図９に
示されている。図９は、サーキュレータの断面構造を示
し、図８は主に誘電体基板の構成を示している。従来の
サーキュレータ１００は、金属製ヨーク１０１内部に誘
電体基板１０７〜１０９、フェライト１０４及び磁石１
０６を配置している。フェライト１０４は、接地板１０
５を介在してヨーク１０４の底面に接続されている。誘
電体基板１０７〜１０９は、基板上に形成された中心電
極１０２がフェライト１０４に対面する位置に配置され
ている。さらに、磁石１０６は、中心電極１０２に対向
するようにヨーク１０１の内部上面に貼着されている。
そして、この磁石１０６は、フェライト１０４に直流磁
界を印加する。

【０００３】図８に示すように、中心電極１０２、容量
電極１１０及びアース電極１１１は、３つの誘電体基板
１０７〜１０９の積層体中に形成されている。この積層
基板は次のような工程により製造されている。まず、セ
ラミックグリーンシートを焼成して各々の基板１０７〜
１０９を形成した後、各基板１０７〜１０９の一方の主
面に中心電極１０２、容量電極１１０及びアース電極１
１１をパターン形成し、他方の主面にアース電極１１２
をパターン形成し焼き付け処理を行う。そして、電極が
形成された各誘電体基板１０７〜１０９を積層して圧着
する。さらに、各アース電極１１１、１１２同士をスル
ーホール電極１１３を用いて接続する。なお、各容量電
極１１０には入出力端子と接続される外部電極１１４が
形成されている。この積層構造において、容量電極１１
０、各誘電体基板１０７〜１０９及びアース電極１１２
によって整合用容量が構成される。

【０００４】この従来のサーキュレータは、互いに交差
する３つの中心電極１０２の周囲に整合用容量を構成す
ることにより、部品全体の小型化を図っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構造は、整合用容量の容量値確保の面から小型化
が制約されるという問題がある。すなわち、整合用容量
の容量値は、容量電極１１０とアース電極１１２との対
向面積によって規定される。このため、必要とされる容
量値が大きくなれば、容量電極１１０の電極面積を大き
くしなければならない。従って、各誘電体基板１０７〜
１０９の基板面積が増大し、結果として部品全体が大型
化する。言い換えれば、要求される容量値によって部品
の大きさが制約される。

【０００６】また、従来の構造では、セラミックグリー
ンシートを焼成する工程と、パターン化された各電極を
基板上に焼き付ける工程の２回の焼成工程を必要とする
ため、製造コストが高くなるという問題もあった。また
製造コストの面からは、磁石１０６、フェライト１０４
などを個別にヨーク１０１内に位置決めし、固定するな
どの煩雑な組み立て作業も製造コスト増加の要因となっ
ていた。

【０００７】本発明の目的は、部品の小型化が可能な非
可逆回路素子を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の広い局
面によれば、非可逆回路素子は、複数の誘電体層を積層
し、一体焼成により形成されており、上面において上下
に連続するようにかつ同軸に設けられた第１，第２凹部
を有する多層基板と、前記多層基板中に形成され、かつ
互いに電気的に絶縁されており、さらに交差するように
形成された複数の中心電極と、前記多層基板中に積層さ
れ、かつ前記中心電極毎に接続される複数の容量部を有
する整合用容量とを備え、前記整合用容量の容量部は、
前記誘電体層と前記誘電体層の上下主表面に互いに対向
して形成された一対の容量用電極とから構成されてお
り、一つの前記中心電極に接続された複数の前記容量部
は、互いに並列に接続されており、前記中心電極に対向
するように、前記第１凹部に挿入された磁性体と、前記
磁性体に直流磁界を印加するために、前記第２凹部に挿
入された磁石とをさらに備える。

【０００９】このような構成によれば、整合用容量は、
多層基板中に積層される容量部の積層数を適宜設定する
ことによって必要な容量値を確保することができる。こ
のため、多層基板の平面領域内の面積を増大させること
なく整合用容量の容量値を増大することができる。この
結果、非可逆回路素子の平面的な大きさを縮小し、部品
の小型化を図ることができる。

【００１０】

【００１１】多層基板は一度の焼成工程により一体的に
形成される。従って、前述した従来の非可逆回路素子に
比較して焼成工程が減少し、製造コストが低下する。

【００１２】

【００１３】磁性体は、多層基板の第１凹部に装着する
ことにより中心電極との相対位置が自動的に設定され
る。従って、煩雑な位置決め工程が省略され、製造コス
トの低減を図ることができる。

【００１４】さらに、本発明の非可逆回路素子では、磁
石を中心電極に対向する位置に保持するための第２凹部
が多層基板に形成されており、磁石はこの第２凹部に保
持される。

【００１５】このような構成により、磁石を第２凹部に
装着することにより、磁石と中心電極との位置関係が自
動的に設定される。従って、煩雑な位置決め工程が省略
され、製造コストの低減を図ることができる。

【００１６】なお、本発明における上記複数の中心電極
は、多層基板内において、異なる高さ位置に形成されて
いてもよい。この場合には、一体焼成技術を用いて多層
基板を得るにあたり、異なる誘電体層表面に、前記複数
の中心電極を形成しておけばよい。

【００１７】また、前記中心電極は、基板内の１つの誘
電体層の一面に配置された第１中心電極部と、他面に配
置された第２中心電極部と、該誘電体層に形成されてお
り、かつ第１，第２中心電極部を電気的に接続するスル
ーホール導電部とを有するように構成してもよい。この
場合には、多層基板を一体焼成技術により得るにあた
り、１つの誘電体層に上記スルーホール導電部を形成
し、該誘電体層の上面及び下面に第１，第２の中心電極
部を形成してもよく、あるいは、スルーホール導電部が
形成された誘電体層の一面に第１中心電極部を形成し、
該誘電体層の他面に接触される他の誘電体層の一面に第
２中心電極部を形成してもよい。

【００１８】

【実施例の説明】以下、本発明の非可逆回路素子の実施
例を図面を参照しつつ説明することにより、本発明を明
らかにする。

【００１９】第１の実施例 本発明の第１の実施例による集中定数型のサーキュレー
タの構造が図１ないし図４に示されている。図１を参照
して、サーキュレータ１は、多層基板３と下ヨーク２及
び上ヨーク６とを有している。下ヨーク２及び上ヨーク
６は磁性体金属からなり、上下方向から多層基板３を包
み込むような箱型形状を有している。

【００２０】多層基板３は、上ヨーク６側の上部に、フ
ェライト４を挿入するための第１凹部２６と永久磁石５
を受け入れるための第２凹部２５とを有し、下ヨーク２
側の両端部には凸部７、７が形成されている。この凸部
７、７は、入出力端子及びアース端子となる外部電極８
ａ〜８ｃ、９ａ〜９ｃを外部に露出させるように上ヨー
ク６と下ヨーク２との間から突出している。そして、サ
ーキュレータ１が基板上に実装された場合、この外部電
極８ａ〜８ｃ、９ａ〜９ｃは回路基板の電極ラインに接
続される。

【００２１】フェライト４は、多層基板３中の第２凹部
２６内に装着される。また、永久磁石５は、接地板２７
を介在してフェライト４の上部の第２凹部２５内に装着
される。

【００２２】多層基板３は、図３及び図４に示すよう
に、多数の誘電体層を一体焼成して形成された焼結体で
あり、この焼結体の内部に各電極が埋設されている。こ
こでは、説明の便宜上、焼結前の各誘電体層毎に参照番
号を付して各部の構成を説明する。まず、図４を参照し
て、多層基板３は主に６つの層Ｌ１〜Ｌ６に識別され
る。第１層Ｌ１は、永久磁石５を受け入れるための第２
凹部２５を有しており、例えば２枚の第１誘電体シート
１２から構成される。第１誘電体シート１２の中央部に
は、永久磁石５を受け入れることができる大きさの孔１
２ａが形成されている。

【００２３】第２層Ｌ２は、フェライト４を受け入れる
ための第１凹部２６が形成されており、例えば２枚の第
２誘電体シート１３によって構成されている。第２誘電
体シート１３は、その中央部にフェライト４を挿入する
ことができる大きさの孔１３ａを有している。

【００２４】第３層Ｌ３は、主に整合用容量を形成する
ためのものであり、アース電極１４ａが形成された第３
誘電体シート１４と容量電極１５ａ〜１５ｃが形成され
た第４誘電体シート１５とが交互に複数組積層されてい
る。アース電極１４ａは、第３誘電体シート１４の中央
部を除くほぼ全面に形成されており、第３誘電体シート
１４の一方側側縁に外部導出部１４ｂを、また他方側の
側縁に２つの外部導出部１４ｂを有している。なお、こ
れらの外部導出１４ｂは、それぞれ外部電極８ｂ、９
ａ、９ｃに接続されるものである。

【００２５】容量電極１５ａ〜１５ｃは、第４誘電体シ
ート１５表面上に、互いに１２０度の間隔を持って均等
に配置されている。そして、１つの容量電極、例えば１
５ａと、１つの誘電体シート１４あるいは１５と、１つ
のアース電極１４ａの組み合わせによって１つの容量部
が構成される。この第３層Ｌ３には、このような容量部
が多数積層されている。そして、この容量部の積層数
は、必要とされる整合用容量の容量値に応じて設定され
る。

【００２６】また、第４層Ｌ４は、中心電極１６ａが形
成された３枚の第５誘電体シート１６から構成される。
なお、この第５誘電体シート１６は上記の容量部を構成
する誘電体シートを兼用している。各中心電極１６ａ
は、第５誘電体シート１６表面上の中央部に平行に延び
る２本の線路を有している。３枚の第５誘電体シート１
６〜１６に形成された中心電極１６ａの各々は、互いに
１２０度の角度を持って互いに交差した状態で各誘電体
シート上に配置されている。また、各中心電極１６ａの
一端には、上記の１つの容量部を構成する１つの容量電
極１６ｂが接続して形成されている。また、中心電極１
６ａの他端はアース電極１６ｃに接続されている。

【００２７】各容量電極１６ｂには、各々外部導出電極
１６ｄが形成されている。この各導出電極１６ｄは、そ
れぞれ外部電極８ａ、８ｃ、９ｂに接続される。また、
各アース電極１６ｃに形成された外部導出部１６ｅは、
それぞれ外部電極８ｂ、９ａ、９ｃに接続される。

【００２８】第５層Ｌ５は、アース電極１４ａが形成さ
れた第４誘電体シート１４が複数枚積層されている。最
下部の第４誘電体シート１４は、アース電極１４ａが下
方に向かうように積層されている。

【００２９】第６層Ｌ６は、２つの凸部７、７を構成す
る部分であり、複数の帯状セラミックシート２３、２４
が積層されている。各セラミックシート２３、２４の外
側面には、各々外部電極８ａ〜８ｃ及び９ａ〜９ｃに対
応する電極８ａ´〜８ｃ´、９ａ´〜９ｃ´が形成され
ている。

【００３０】上記の構成において、第３層Ｌ３に形成さ
れた複数の容量電極１５ａ、１６ｂはスルーホール電極
２０を介して積層方向に接続されている。また、同様に
容量電極１５ｂ、１６ｂ及び容量電極１５ｃ、１６ｂは
それぞれスルーホール電極２０、２０を介して積層方向
に接続されている。さらに、複数のアース電極１４ａは
スルーホール電極２１を介して積層方向に接続されてい
る。このような接続により、第３層Ｌ３に構成された各
容量部は各中心電極１６ａ毎に並列に接続され、各整合
用容量を構成する。

【００３１】また、第６層Ｌ６に形成された電極８ａ、
８ｃ、９ｂは、それぞれ容量電極１６ｄ〜１６ｄに接続
されている。上記のような構成を有する多層基板３は、
次のようにして製造される。まず、誘電体セラミック粉
末と有機バインダ等とを混合したスラリーから、例えば
押し出し成形によって可撓性を有するセラミックグリー
ンシートを形成し、所定の寸法に切断する。次に、厚さ
数十μｍ程度の矩形板状のセラミックグリーンシートの
表面に、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ等の電極を印刷あるい
は蒸着法などを用いてパターン形成する。そして、各誘
電体シートを図３あるいは図４に示す順に積層して圧着
した後、積層体を高温焼成して形成する。なお、凸部
７、７を構成するセラミックシート２３、２４も同時に
焼成される。これにより、誘電体シートと各電極とが一
体焼成された多層基板３が形成される。

【００３２】なお、永久磁石５及びフェライト４を挿入
するための第１及び第２凹部２５、２６は、セラミック
グリーンシートに予め形成した後焼成してもよく、また
一体焼成された多層基板３の上面を切削加工して形成し
てもよい。

【００３３】このように構成されたサーキュレータ１
は、組立工程において、まず、多層基板３の第１及び第
２凹部２５、２６内にフェライト４、接地板２７及び永
久磁石５を挿入した後、下ヨーク２及び上ヨーク６を組
み立てることにより完成する。そして、フェライト４及
び永久磁石５は、予め形成された第１及び第２凹部２
５、２６によって中心電極１６ａに対面する所定の位置
に自動的に位置決めされる。そして、永久磁石５はフェ
ライト４に対して直流磁界を印加する。

【００３４】本実施例のサーキュレータ１は、以下のよ
うな特徴を有する。 （１）整合用容量は、多層基板３の第３層Ｌ３中に積層
された複数の容量部を並列接続することによって構成さ
れる。従って、必要とされる容量値が増大した場合に
は、容量部の積層数を増大させることによって対応でき
る。この場合、容量部を構成する各誘電体シートは、そ
の厚さが数十μｍ程度であるため、積層数が増大しても
多層基板３全体の厚みが増大する割合は極めて小さい。
従って、容量部を構成する容量電極１５ａ、１６ｂの平
面面積を低減効果の方が部品の小型化に大きく寄与す
る。

【００３５】（２）多層基板３は複数のセラミックグリ
ーンシート表面上に所定の電極をパターン形成した後、
一体焼成して製造される。従って、前述した従来例にお
いて、２度の焼成工程を必要とするものに比べ、焼成工
程を減少することができ、製造コストを低減することが
可能となる。

【００３６】（３）フェライト４及び永久磁石５は、多
層基板３の上面に予め形成された第１及び第２凹部２
５、２６に挿入するだけで位置決めされる。このため
に、従来例において必要とされたフェライトあるいは永
久磁石の位置決め工程を実質上省略することができ、組
み立て工程が簡略化される。これによっても製造コスト
を低減することが可能となる。

【００３７】（４）フェライト４を受け入れる第１凹部
２６と永久磁石５を受け入れる第２凹部２５とが多層基
板３の上面に同軸上に連続して形成されている。このた
め、永久磁石５とフェライト４とが近接配置される。一
般に、永久磁石５の磁界は外側に向かって広がるような
形状を有するため、磁石とフェライトとの距離が離れる
程磁束が疎になり、近づけば近づくほど磁束は密にな
る。このため、永久磁石５とフェライト４との距離が近
接した本実施例の構成では磁束が密になり、従来例に比
べて磁力の弱い永久磁石５を用いても同等の作用を果た
すことができる。

【００３８】第２の実施例 第２の実施例によるサーキュレータは、第１の実施例に
比べて、フェライト４及び永久磁石５の配置状態が異な
っている。すなわち、図５及び図６に示すように、この
サーキュレータ５０は、多層基板５３の中心電極（図示
せず）に対面する上面及び下面に各々永久磁石５を受け
入れるための第２凹部５５、５５とフェライト４を受け
入れるための第１凹部５６、５６とを形成している。そ
して、各第２凹部５５内には永久磁石５、５が装着さ
れ、第１凹部５６内には接地板２７を介在してフェライ
ト４、４が装着されている。このような構成により、多
層基板５３内の各中心電極は、一対のフェライト４によ
って上下方向から挟持され、かつ一対の永久磁石５によ
り上下両面からバイアス磁界が印加されるように構成さ
れている。このような構成によれば、特に第１の実施例
のサーキュレータと比較して、挿入損失をより低減でき
る効果が得られる。また、第１の実施例で説明した効果
も同様に得ることができる。

【００３９】なお、上記第１及び第２の実施例では、非
可逆回路素子としてサーキュレータを例に説明したが、
本発明の構成はアイソレータに適用することも可能であ
る。アイソレータに適用する場合には、３つの中心電極
１６ａの何れか１つの導出電極１６ｄに終端抵抗を接続
することによって実現される。

【００４０】さらに、上記実施例においては、多層基板
３中に形成された各容量電極、アース電極同士はスルー
ホール電極を介して接続されたが、スルーホール電極の
代わりに、誘電体シートの側面に電極を形成して各電極
間を接続するように構成してもよい。

【００４１】変形例 第２の実施例では、複数の中心電極は、異なる誘電体層
上に形成されていたが、本発明における複数の中心電極
は、同一の誘電体シートを用いて形成することも可能で
ある。このような変形例を、図７を参照して説明する。

【００４２】図７の誘電体シート６１は、図３に示した
３枚の第５誘電体シート１６に代えて用いられる構造に
相当する。誘電体シート６１の上面中央領域には、第１
中心電極部６２ａ〜６７ａが形成されている。この６本
の第１中心電極部６２ａ〜６７ａは、互いに平行に延び
る一対の第１中心電極部を１つのグループとして、３つ
のグループに分類される。例えば、第１中心電極部６２
ａと第１中心電極部６３ａとが、１つのグループを構成
しており、１つのグループを構成している一方の第１中
心電極部６２ａが、他方の第１中心電極部６３ａに比べ
てその長さが長くされている。

【００４３】また、各グループを構成している一対の第
１中心電極部は、中心側が欠落した扇型形状の電極部６
８〜７０に電気的に接続されている。また、誘電体シー
ト６１には、スルーホール導電部７１〜７３が形成され
ている。スルーホール導電部７１〜７３は、貫通孔に導
電性材料を充填することにより形成されている。電極部
６８〜７０は、スルーホール導電部７１〜７３により誘
電体シート６１の下面に引出されている。

【００４４】さらに、上記複数本の第１中心電極部６２
ａ〜６７ａの先端には、それぞれ、スルーホール導電部
７４が形成されている。他方、図７において、下面の電
極形状を明らかにするために、下方に投影して下面の電
極形状を示す。誘電体シート６１の下面では、中央に、
第２中心電極部６２ｂ〜６７ｂが形成されている。第２
中心電極部６２ｂ〜６７ｂは、それぞれ、前述したスル
ーホール導電部７４を介して、対応する第１中心電極部
に電気的に接続されている。例えば、第２中心電極部６
２ｂは、スルーホール導電部７４を介して上面側の第１
中心電極部６２ａと電気的に接続され、それによって一
本の中心電極を構成している。他の第１，第２の中心電
極部も、同様に、スルーホール導電部を介して電気的に
接続され、それぞれ中心電極を構成している。

【００４５】従って、図７に示した変形例では、各中心
電極が、１つの誘電体シート６１の上面及び下面を利用
して構成されており、かつ誘電体シート６１の中央領域
で交差される複数の中心電極のいずれもが、単一の誘電
体シート６１の上面及び下面を利用して構成されてい
る。すなわち、複数の中心電極間は、多層基板内の誘電
体層を介して隔てられていない。

【００４６】なお、図７において、第２中心電極部６２
ｂ〜６７ｂのスルーホール導電部７４に接続される先端
部分と反対側の部分は、周囲に形成されたアース電極７
７に電気的に接続されている。また、アース電極７７で
は、中央領域に向かって開かれた複数の切欠部７８が形
成されている。各切欠部７８は、電極部６８〜７０に電
気的に接続されているスルーホール導電部７１〜７３
と、アース電極７７との電気的接続を防止するために設
けられている。スルーホール導電部７１〜７３は、図３
に示したスルーホール導電部２０に電気的に接続され
る。他方、アース電極７７は、破線の円で示すように、
下方に配置されたスルーホール導電部２１（図３参照）
に電気的に接続される。

【００４７】図７においては、１枚の誘電体シート６１
の上面及び下面に上記電極構造が設けられていたが、誘
電体シート６１の下面側の電極構造は、誘電体シート６
１の下面に配置される他の誘電体シートの上面に形成さ
れていてもよい。すなわち、本変形例における電極構造
は、スルーホール導電部で接続され得る限り、複数枚の
誘電体シートに分離して形成されてもよい。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、整合容
量が、多層基板中に積層された容量部の積層数を適宜定
めることにより確保され得るため、多層基板の平面形状
を増大させることなく、整合容量の容量値を高めること
ができる。その結果、非可逆回路素子の小型化を促進す
ることが可能となる。また、多層基板を、複数の誘電体
を一体焼成して形成した構造の場合には、多層基板が一
度の焼成工程により得られるため、従来の非可逆回路素
子に比べて製造工程を簡略化することができ、コストを
低減することが可能となる。

【００４９】また、磁性体を中心電極に対向する位置に
保持するために、第１凹部が多層基板に形成されている
ので、磁性体の中心電極に対する位置決めを容易に行う
ことができ、その点から製造コストの低減を図り得る。

【００５０】同様に、磁石を保持するために、多層基板
に第２凹部が形成されているので、磁石と中心電極との
位置決めを容易に果たすことができるため、製造コスト
の低減を図ることができる。

【００５１】さらに、上記第１，第２の凹部により、多
層基板の厚みを増大させることなく、上記磁性体及び磁
石を収納することができるため、非可逆回路素子の厚み
方向寸法を小さくすることができ、非可逆回路素子の小
型化をより一層促進することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるサーキュレータの構成を
示す分解斜視図である。

【図２】図１に示すサーキュレータの構造を示す断面図
である。

【図３】第１実施例のサーキュレータの多層基板の構成
を示す分解斜視図である。

【図４】図３に示す多層基板の構成を説明するための説
明図である。

【図５】本発明の第２実施例によるサーキュレータの構
成を示す分解斜視図である。

【図６】第２実施例のサーキュレータの構造を示す断面
図である。

【図７】本発明の変形例のサーキュレータの要部を説明
するための斜視図である。

【図８】従来のサーキュレータの積層基板の構成を示す
分解斜視図である。

【図９】従来のサーキュレータの構造を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１，５０…サーキュレータ（非可逆回路素子） ２，５３…多層基板 ４…フェライト ５…永久磁石 １２〜１６…誘電体シート １６ａ…中心電極 １５ａ〜１５ｃ，１６ｂ…容量電極（整合回路用電極） ２５，５５…第２凹部 ２６，５６…第１凹部 ６１…誘電体シート ６２ａ〜６７ａ…第１中心電極部 ６２ｂ〜６７ｂ…第２中心電極部 ７４…スルーホール導電部

フロントページの続き (72)発明者 児堂 義一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 松井 博志 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 小川 圭二 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平４−345201（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−172702（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−129561（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−25302（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−103004（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01P 1/383 H01P 1/36 H01P 11/00

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の誘電体層を積層し、一体焼成によ
   り形成されており、上面において上下に連続するように
   かつ同軸に設けられた第１，第２凹部を有する多層基板
   と、 前記多層基板中に形成され、かつ互いに電気的に絶縁さ
   れており、さらに交差するように形成された複数の中心
   電極と、 前記多層基板中に積層され、かつ前記中心電極毎に接続
   される複数の容量部を有する整合用容量とを備え、前記
   整合用容量の容量部は、前記誘電体層と前記誘電体層の
   上下主表面に互いに対向して形成された一対の容量用電
   極とから構成されており、 一つの前記中心電極に接続された複数の前記容量部は、
   互いに並列に接続されており、 前記中心電極に対向するように、前記第１凹部に挿入さ
   れた磁性体と、 前記磁性体に直流磁界を印加するために、前記第２凹部
   に挿入された磁石とをさらに備えた、非可逆回路素子。
2. 【請求項２】 前記整合用容量は、前記多層基板の厚み
   方向において前記中心電極と重ならない位置に形成され
   ている、請求項１に記載の非可逆回路素子。
3. 【請求項３】 前記整合用容量は、前記中心電極が形成
   された前記誘電体層の前記中心電極と異なる位置に構成
   された前記容量部を有する、請求項２に記載の非可逆回
   路素子。
4. 【請求項４】 前記整合用容量は、前記多層基板中の前
   記中心電極が形成された前記誘電体層と異なる前記誘電
   体層に構成された前記容量部を有する、請求項３に記載
   の非可逆回路素子。
5. 【請求項５】 前記整合用容量は、前記中心電極が形成
   された前記誘電体層より、積層方向の上方及び／または
   下方に位置する前記誘電体層に構成された前記容量部を
   有する、請求項４に記載の非可逆回路素子。
6. 【請求項６】 前記第１及び前記第２凹部は、前記多層
   基板の上面及び下面の両方に形成されている、請求項１
   〜５のいずれかに記載の非可逆回路素子。
7. 【請求項７】 前記複数の中心電極が、多層基板内にお
   いて異なる高さ位置に形成されている、請求項１〜６の
   いずれかに記載の非可逆回路素子。
8. 【請求項８】 前記中心電極が、一つの誘電体層の一面
   に配置された第１中心電極部と、他面に配置された第２
   中心電極部と、前記一つの誘電体層に形成されており、
   かつ第１，第２中心電極部を電気的に接続するスルーホ
   ール導電部とを有する、請求項１〜７のいずれかに記載
   の非可逆回路素子。