JP2000009655A - 外観検査装置 - Google Patents

外観検査装置

Info

Publication number
JP2000009655A
JP2000009655A JP10178418A JP17841898A JP2000009655A JP 2000009655 A JP2000009655 A JP 2000009655A JP 10178418 A JP10178418 A JP 10178418A JP 17841898 A JP17841898 A JP 17841898A JP 2000009655 A JP2000009655 A JP 2000009655A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
test material
image
visual inspection
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10178418A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Morimoto
勉 森本
Hiroyuki Takamatsu
弘行 高松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP10178418A priority Critical patent/JP2000009655A/ja
Publication of JP2000009655A publication Critical patent/JP2000009655A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短時間で正確な外観検査が可能な外観検査装
置を提供する。 【解決手段】 光源2から照射され,ウェーハ1の表面
で散乱反射した光をラインセンサ4で受光し,更にステ
ージ10をX方向に移動させることによって上記ウェー
ハ1の全体画像をフレームメモリ7内に格納する。そし
てその全体画像に画像処理を施すなどしてその位置,姿
勢を検出し,予め検査領域が設定された基準座標系に一
致するように位置合わせを行ったうえで,上記検査領域
毎の光の強度の平均値を所定の閾値と比較することによ
り異常判断を行う。このように,ウェーハ全体の画像を
取り込んだ上で,各検査領域毎に良/不良の判断処理を
行うため,各検査領域毎に走査,判断処理を繰り返す場
合と比べて検査に要する時間が大幅に短縮される。ま
た,全体画像を取り込んだ上で,データ処理によって検
査領域の位置合わせを行うことができるため,ウェーハ
を厳密に位置合わせする必要がなく,そのための装置も
不要である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,被検材の外観検査
を行う外観検査装置に係り,例えば,半導体集積回路の
製造プロセス等で生じたウェーハ上の不良箇所の検出な
どに用いることが可能な外観検査装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】デバイス作成中のウェーハにおけるフォ
トレジストの膜厚異常,塗布ムラなどといった塗布不
良,或いはオーバ現象,アンダー現象といった現像不良
などの検査は,従来は検査員による目視検査で行われる
ことが多かった。目視検査の方法としては,ウェーハ表
面に光を照射し,その反射光或いは乱射光を検査員が観
察し,反射光強度或いは乱射光強度がウェーハ全面にわ
たって一様であるかを基準に判断したり,或いは2つ以
上のウェーハを比較し,同じ程度の強度かどうかを判断
することにより行われる。上記目視による検査以外の検
査方法としては,例えばウェーハ表面に光を照射してそ
の乱射光を受光し,受光した乱射光の強度が所定の範囲
内にあるか否かで異常を自動的に判断する外観検査装置
を用いる方法が知られている(特開平8−247958
号公報)。以下,図8を用いてこの外観検査装置につい
て簡単に説明する。上記外観検査装置A0は,図8に示
すように,被検材であるウェーハ51を載置するXYス
テージ52と,制御用コントローラ53と,光強度検出
センサ54と,自動可変ブラインド55と,スポットラ
イト56と,統計処理用コンピュータ57とで構成され
ている。上記ウェーハ51上には,図9に示すように複
数のチップが形成されており,各チップには複数に分割
された検査エリア(図9では9個)が予め設定されてい
る。上記ウェーハ51には上記スポットライト56によ
り斜め上方から光が照射され,ウェーハ51表面での散
乱光が上記光強度検出センサ54で検出され,その光強
度(平均輝度)が測定される。その際,上記光強度検出
センサ54による受光エリアが上記検査エリアの1つに
一致するように,制御用コントローラ53によって上記
XYステージ52と上記自動可変ブラインド55が制御
される。上記光強度検出センサ54で測定された光強度
は,上記制御用コントローラ53において所定の閾値
(上限値及び下限値)の範囲内にあるか否かが判断さ
れ,上記範囲内にあれば正常,上記範囲を外れていれば
不良と判断される。尚,上記閾値は,上記統計処理用コ
ンピュータ57により,次のような方法で設定される。
まず,閾値検出用ウェーハを用意し,該ウェーハ上の各
チップにおける各検査エリアについて,上記と同様の処
理によって光強度の測定を行う。また,各検査エリアに
ついて,上記目視による良,不良の判断が行われる。上
記統計処理用コンピュータ57では,上記各チップにお
ける同一位置の検査エリアについての光強度の分布を作
成し,これらに統計的手法を施すことにより,上記目視
による判定結果に基づいて正常と不良とを判別可能な閾
値(上限値及び下限値)を設定する(図10参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】まず,上記目視による
検査方法には次のような問題点があった。上記ウェーハ
に照射される光は,他のウェーハの感光を防ぐため,イ
エローランプなどの単色光に制限される場合がある。こ
のような単色光を用いるる場合,自然光を利用する場合
に比べて目視による検査が行いにくく,作業に時間がか
かったり,或いは誤った判別が行われる可能性が高かっ
た。また,単一の方向からの光では限られた異常しか検
出できないため,光の照射角を変えてそれぞれ目視によ
る検査を行う必要があり,検査に時間がかかったり,或
いは誤った判別が行われる可能性がより高くなるという
問題点もあった。また,上記外観検査装置A0では,チ
ップ単位,検査エリア単位でXYステージをその都度移
動させながら順次検査を行うため,検査に時間がかかる
という問題点があった。また,2軸を有するXYステー
ジを用いてスキャンしており,これも検査時間の増大の
原因の1つとなっていた。また,チップ単位,検査エリ
ア単位でスキャンしながら検査するため,予め設定され
た検査エリアとウェーハ上の検査エリアを予め一致させ
ておく必要があり,そのため,ウェーハをステージ上の
所定位置,所定方向に正確に設置する必要があった。こ
れには,ウェーハのノッチ位置検出装置などの装置が必
要となる。更に,各検査エリア毎の平均輝度に基づいて
判断しているため,僅かな異常を見逃してしまう可能性
もあった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであ
り,その目的とするところは,短時間で,正確な外観検
査が可能な外観検査装置を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に第1の発明は,被検材の表面に光を照射する投光手段
と,上記投光手段から発せられ,上記被検材の表面で散
乱反射した光を受光する受光手段とを具備し,上記受光
手段により受光された光の状態に基づいて上記被検材の
表面状態を検査する外観検査装置において,上記受光手
段によって得られた光から,上記被検材全体の画像を生
成する全体画像生成手段と,上記全体画像生成手段で生
成された上記被検材全体の画像を所定位置に位置決めす
る位置決め手段と,上記位置決め手段で位置決めされた
上記画像上で,予め設定された検査領域内における所定
の状態量を求める状態量取得手段と,上記状態量取得手
段で得られた上記所定の状態量に基づいて上記被検材の
表面状態を判定する判定手段とを具備してなることを特
徴とする外観検査装置として構成されている。更に,上
記受光手段を,上記被検材の主走査方向所定幅の光を一
度に受光できるラインセンサにより構成すると共に,上
記受光手段を上記被検材に対して相対的に移動させる副
走査手段を具備すれば,走査に要する時間の短縮が可能
となり,ひいては検査時間の更なる短縮が可能となる。
また,予め検査領域が設定された基準座標系と上記全体
画像生成手段で生成された画像の座標系との位置合わせ
を行うことにより,上記全体画像生成手段で生成された
画像の位置決めを行うようにすれば,被検材自体を正確
にセットする場合と比べて短時間で正確な位置合わせが
可能となると共に,物理的な位置決め装置なども必要と
しない。また,上記投光手段が,上記被検材に対して複
数の異なる角度で光を照射するように構成すれば,検出
不可能な異常が少なくなり,検査の正確性を向上させる
ことができる。更に,上記検査領域内の上記所定の状態
量(例えば光の強度,色相,彩度など)に対して所定の
統計処理(例えば平均,標準偏差,分散など)を施し,
その結果に基づいて上記被検材の表面状態を判定するよ
うにすれば,更に検査の正確性を向上させることができ
る。また,上記目的を達成するための第2の発明は,被
検材の表面に光を照射する投光手段と,上記投光手段か
ら発せられ,上記被検材の表面で散乱反射した光を受光
する受光手段とを具備し,上記受光手段により受光され
た光によって得られる上記被検材の表面画像を出力する
外観検査装置において,上記投光手段が,上記被検材に
対して複数の異なる角度で光を照射するように構成され
ると共に,上記投光手段によって照射された上記複数の
光毎に,上記受光手段によって得られた光に基づいて上
記被検材表面の画像を生成する画像生成手段と,上記画
像生成手段で生成された複数の画像を,色調の異なる複
数の信号として合成し,カラーモニタに表示させる表示
手段とを具備してなることを特徴とする外観検査装置と
して構成されている。更に,上記受光手段を,上記被検
材の主走査方向所定幅の光を一度に受光できるラインセ
ンサにより構成すると共に,上記受光手段を上記被検材
に対して相対的に移動させる副走査手段を具備すれば,
走査に要する時間の短縮が可能となり,ひいては検査時
間の更なる短縮が可能となる。
【0005】
【作用】上記第1の発明によれば,まず受光手段及び全
体画像生成手段によって被検材の全体画像が取り込ま
れ,位置決め手段によって検査領域が予め設定された基
準位置に位置合わせされる。そして,状態量取得手段に
よって上記検査領域内における所定の状態量(例えば光
の強度,色相,彩度など)が取得され,更に必要に応じ
てそれらに所定の統計処理が施され,それに基づいて判
定手段により上記被検材の表面状態が判定される。この
ように,被検材全体の画像を取り込んだ上で,各検査領
域毎に良/不良の判断処理を行うため,各検査領域毎に
走査,判断処理を繰り返す上記従来の外観検査装置A0
と比べて検査に要する時間が大幅に短縮される。また,
全体画像を取り込んだ上で,データ処理によって検査領
域の位置合わせを行うことができるため,被検材を厳密
に位置合わせする必要がなく,そのための装置も不要で
ある。また,受光手段としてラインセンサを用いれば,
副走査方向への移動のみで走査が可能であり,走査時間
が短縮される。また上記第2の発明によれば,照射角度
の異なる複数の投光手段に対応する画像が,例えばカラ
ーモニタのR,G,B信号として入力され,表示され
る。カラーモニタは,通常1画素につきR(赤),G
(緑),B(青)の3つの表示画素があり,それらR,
G,B信号の強度変化により色を表現している。従っ
て,上記R,G,B信号に対してそれぞれ異なるモノク
ロ画像信号を入力すれば,各モノクロ信号の強度バラン
スに応じて色調の異なるカラー画像を表示できる。従っ
て,上記のように照射角度の異なる複数の投光手段に対
応する画像をそれぞれR,G,B信号に対応させて入力
すれば,異なる角度で光が照射された被検材の全体画像
が一度で確認できると共に,その色調に基づいて異常領
域を容易に識別できる。例えば,全ての角度からの散乱
光に対し,その強度が弱くなる異常領域は,R,G,B
全てが小さな値となるため,その部分は黒く表示され
る。このように,短時間での目視検査が可能となると共
に,その色調に基づいて異常領域を容易に識別できるた
め,異常部の見落としが少なく,より正確な判別が可能
となる。
【0006】
【発明の実施の形態】以下,添付図面を参照して本発明
の実施の形態及び実施例につき説明し,本発明の理解に
供する。尚,以下の実施の形態及び実施例は,本発明を
具体化した一例であって,本発明の技術的範囲を限定す
る性格のものではない。ここに,図1は第1の発明を具
現化した実施の形態に係る外観検査装置A1の概略構成
を示す模式図,図2は上記外観検査装置A1の処理手順
を示すフローチャート,図3は取り込み画像の一例を示
す図,図4は上記取り込み画像の微分画像の一例を示す
図,図5はノッチテンプレート画像の一例を示す図,図
6は第2の発明を具現化した外観検査装置A2の概略構
成を示す模式図,図7は上記外観検査装置A2の処理手
順を示すフローチャートである。本実施の形態に係る外
観検査装置A1は,上記第1の発明を具現化したもので
あり,図1に示すように,被検材の一例であるウェーハ
1を載置するステージ10と,上記ウェーハ1に光を照
射する光源2(投光手段の一例)と,上記ウェーハ1の
表面における散乱光を集光するシリンドリカルレンズ3
と,上記シリンドリカルレンズ3で集光された散乱光を
受光するラインセンサ4(受光手段の一例)と,上記ラ
インセンサ4からの信号をディジタル信号に変換するA
/Dコンバータ5と,上記A/Dコンバータ5を介して
得られた画像信号を上記ウェーハ1全体について格納す
ると共に,該格納された画像に基づいて上記ウェーハ1
表面の良/不良の判別を行う処理装置6と,上記処理装
置6からの指示に基づいて上記ステージ10を移動させ
るステージコントローラ9とを具備して構成されてい
る。更に,上記処理装置6は,フレームメモリ7(全体
画像生成手段の一例)とCPU8(位置決め手段,状態
量取得手段,及び判定手段の一例)とを具備している。
上記光源2は,図1の奥行き方向(主走査方向)に長く
形成された線状光源であり,上記ウェーハ1の上記主走
査方向にわたって一様な光を照射する。上記シリンドリ
カルレンズ3は,上記線状光源2によって上記ウェーハ
1に照射された光の散乱光を,上記ウェーハ1の上記主
走査方向全幅にわたって集光する。上記ラインセンサ4
は,上記シリンドリカルレンズ3で集光された光を,上
記ウェーハ1の主走査方向にわたって同時に受光するこ
とによって上記ウェーハ1を主走査すると共に,上記ス
テージ10のX方向への移動に伴って副走査する。上記
ステージ10は,上記CPU8からの指示に基づく上記
ステージコントローラ9の制御により,図1のX方向
(副走査方向)にのみ移動可能に構成されている。上記
処理装置6のフレームメモリ7には,上記ラインセンサ
4から出力され,上記A/Dコンバータ5でディジタル
変換された画像信号が順次格納され,上記ラインセンサ
4による上記ウェーハ1全面の走査が終了した時点で上
記ウェーハ1全体の画像の格納が完了する。上記処理装
置6のCPU8では,上記ラインセンサ4による走査が
終了した後,上記フレームメモリ7内の画像に対して所
定の画像処理を施すことによって予め検査エリアが設定
された基準画像との位置合わせが行われ,更に上記検査
エリアに基づいて良/不良の判定が行われる。尚,処理
の詳細については後述する。
【0007】続いて,図2に示すフローチャートに従っ
て,上記外観検査装置A1による処理手順について説明
する。まず,ウェーハ1の一方の端部がラインセンサ4
の視野に入る位置まで上記ステージ10を移動させ(S
1),その位置でのウェーハ1からの散乱光を上記ライ
ンセンサ4で受光させ,その出力をフレームメモリ7内
に格納する(S2)。続いて,ウェーハ1のもう一方の
端部に向かって上記ステージ10を一定量移動させ(S
3),そこで上記と同様にラインセンサ4の出力を上記
フレームメモリ7内に格納する(S2)。以上のS2〜
S3の処理を,ウェーハ1全面の走査が終了するまで
(S4)繰り返し行う。ウェーハ1全面の走査が終了し
た時点で,上記フレームメモリ7内には上記ウェーハ1
全面の画像信号が格納される。図3に,上記フレームメ
モリ7内に格納されたウェーハ1全面の画像の一例を示
す。ウェーハ1全面の走査が終了すると,上記CPU8
において,上記フレームメモリ7内の画像(以下,取り
込み画像という)の位置合わせが行われる(S5)。こ
れは,上記ウェーハ1上のチップの領域を,予め設定さ
れたチップ領域と一致させるために行われるもので,具
体的には例えば次のような手順で行われる。まず,上記
取り込み画像の位置,及び姿勢(方向)を知るために,
上記取り込み画像から,ウェーハ1の外周上に形成され
ているノッチ(若しくはオリフラ)の位置を検出する。
その手順としては,図3に示すような取り込み画像を微
分して図4に示すような画像を求め,更にウェーハ1の
外周が明るく得られるように2値化し,得られた外周線
に円の方程式をフィッティングすることでまず円(ウェ
ーハ1)の中心位置を求める。そして,予め用意された
ノッチ部のテンプレート画像(図5)を回転させなが
ら,図3に示す取り込み画像とのマッチング演算(正規
相関演算)を行い,最も大きな正規相関演算値を示す位
置を探索することによって取り込み画像上のノッチ位置
を求める。以上の処理によって取り込み画像の中心位置
と回転角,即ち位置及び姿勢が検出できる。取り込み画
像の位置,姿勢が検出されると,それに基づいて上記取
り込み画像の座標系と上記チップ領域が設定されている
基準座標系とを一致させるように上記取り込み画像が位
置合わせされる。
【0008】続いて,上記CPU8において,上記取り
込み画像から,予め設定された上記チップ領域毎にその
領域内に含まれる画素の輝度(所定の状態量の一例)の
平均値(所定の統計処理の一例)が求められ(S6),
得られた平均値が所定の閾値(上限値及び下限値)の範
囲内にあるか否かが判断される(S7)。上記範囲を外
れていれば異常チップと判断され,そのチップ位置が結
果として表示される。尚,上記所定の閾値については,
上記従来の外観検査装置A0と同様の方法で設定可能で
ある。上記S6,S7が,検査対象とする全てのチップ
領域に対して繰り返し行われる。検査を行う者は,上記
検査結果をモニタリングすることで,異常に稼働してい
る半導体製造装置を容易に発見できる。以上説明したよ
うに,本実施の形態に係る外観検査装置A1では,被検
材であるウェーハ全体の画像を取り込んだ上で,各チッ
プ領域毎に良/不良の判断処理を行うため,各チップ領
域毎に走査,判断処理を繰り返す上記従来の外観検査装
置A0と比べて検査に要する時間が大幅に短縮できる。
また,全体画像を取り込んだ上で,データ処理によって
チップ領域の位置合わせを行うことができるため,ウェ
ーハをステージ上に厳密に位置合わせする必要がなく,
そのための装置も不要である。また,ラインセンサを用
いているため,ステージは1軸方向(副走査方向)にの
み移動可能であればよく,またこれによって走査時間も
短縮できる。尚,上記の例では,各チップ毎の輝度の平
均値を用いて良/不良の判断を行っているが,輝度に代
えて色相や彩度などを用いてもよい。また平均値に代え
て,標準偏差,分散,最大値,最小値,最頻値,尖度,
歪度,累計度数で上位から一定の割合を超える時点での
値など,様々な統計量を用いることが可能である。ま
た,複数の統計量を用い,それぞれの統計量毎に閾値を
設定し,それらの全て或いは一部が異常値を示すときに
異常と判定するようにしてもよい。更に,上記複数の統
計量を用いた所定の評価値を設定し,その評価値に基づ
いて異常判定を行うようにしてもよい。以上のような判
断を行うことにより,より正確な判定を行うことが可能
となる。また,上記光源2を角度を変えて複数設け,そ
れらを切り替えながらそれぞれの光源毎の画像を個別に
格納し,それら全ての画像に基づいて良/不良の判定を
行うようにすれば,異常検出の精度は更に向上する。
【0009】
【実施例】続いて,上記第2の発明を具現化した例を説
明する。本実施例に係る外観検査装置A2は,図6に示
すような概略構成を有する。尚,上記実施の形態に係る
外観検査装置A1と共通する要素には同符号を付し,そ
の詳細な説明は省略する。尚,上記実施の形態に係る外
観検査装置A1は,当該装置によって自動的に異常検査
を行うものであったが,本外観検査装置A2は目視によ
る検査を支援するための装置であって自動的に異常検査
を行うものではなく,この点では両者は大きく異なる。
外観検査装置A2では,図6に示すように,3つの光源
2a,2b,2cがそれぞれ角度を変えて設置されてい
る。それぞれの光源は,上記外観検査装置A1のものと
同様,図6の奥行き方向(主走査方向)に長く形成され
た線状光源であり,ウェーハ1の上記主走査方向にわた
って一様な光を照射する。また,上記3つの光源は,光
源選択部11によって切り替えられる。尚,上記光源選
択部11は,処理装置6′内のCPU8′からの光源選
択信号に基づいて動作する。また,上記処理装置6′内
には,上記CPU8′の他に,3つのフレームメモリ7
a,7b,7cが設けられている。これら3つのフレー
ムメモリ7a,7b,7cには,それぞれ上記光源2
a,2b,2cに対応する画像が格納される。また,上
記処理装置6′には,R,G,B入力によってカラー画
像を表示するカラーモニタ12が接続されており,上記
フレームメモリ7a,7b,7cに格納された画像がそ
れぞれR,G,B信号として入力される。続いて,図7
に示すフローチャートに従って,上記外観検査装置A2
による処理手順について説明する。まず,ウェーハ1の
一方の端部がラインセンサ4の視野に入る位置まで上記
ステージ10を移動させる(S11)。そして,CPU
8′からの光源選択信号に基づいて,光源選択部11に
よってまず光源2aが点灯され(S12),その時のウ
ェーハ1からの散乱光が上記ラインセンサ4で受光さ
れ,その出力がフレームメモリ7a内に格納される(S
13)。上記S12,S13の処理が,光源2b,2c
について同様に繰り返される(S12〜S14)。続い
て,ウェーハ1のもう一方の端部に向かって上記ステー
ジ10を一定量移動させ(S15),上記S12〜S1
4の処理が同様に繰り返される。以上のS12〜S15
の処理を,ウェーハ1全面の走査が終了するまで(S1
6)繰り返し行う。ウェーハ1全面の走査が終了した時
点で,上記フレームメモリ7a,7b,7c内にはそれ
ぞれ上記光源2a,2b,2cに対応するウェーハ1全
面の画像信号,即ち,それぞれ異なる角度で光が照射さ
れたウェーハ1の全体画像が格納される。ウェーハ1全
面の走査が終了すると,上記フレームメモリ7a,7
b,7c内の画像が,それぞれR,G,B信号に対応さ
せてカラーモニタ12に入力され,カラー画像として表
示される(S17)。ここで,カラーモニタ12は,通
常1画素につきR(赤),G(緑),B(青)の3つの
表示画素があり,それらR,G,B信号の強度変化によ
り色を表現している。従って,上記R,G,B信号に対
してそれぞれ異なるモノクロ画像信号を入力すれば,各
モノクロ信号の強度バランスに応じて色調の異なるカラ
ー画像を表示できる。従って,上記のように上記フレー
ムメモリ7a,7b,7c内の画像をそれぞれR,G,
B信号に対応させて入力すれば,異なる角度で光が照射
されたウェーハ1の全体画像が一度で確認できると共
に,その色調に基づいて異常領域を容易に識別できる。
例えば,全ての角度からの散乱光に対し,その強度が弱
くなる異常領域は,R,G,B全てが小さな値となるた
め,その部分は黒く表示される。また,光源2a,2b
からの照射光に対応する散乱光が,光源2cに対応する
散乱光よりも弱い異常領域では,R,GがBに比べて小
さな値となるため,その部分は青く表示される。
【0010】以上説明したように,本実施例に係る外観
検査装置A2では,カラーモニタ12に表示される1つ
の画像を見るだけで,それぞれ異なる角度で光が照射さ
れた場合の複数の画像が一度で確認できるため,短時間
での目視検査が可能となると共に,その色調に基づいて
異常領域を容易に識別できるため,異常部の見落としが
少なく,より正確な判別が可能となる。また,イエロー
ランプのような単色光を用いてもカラー表示されるた
め,異常部が発見しやすい。尚,上記の例では,複数の
光源を用いて選択的に点灯させるようにしたが,それぞ
れの光源にシャッターを設け,1つのシャッターのみを
選択的に開くようにしてもよい。また,1つの光源を複
数位置に移動させるようにしてもよい。また,上記光源
は3つに限定されるものではなく,2つ或いは4つ以上
用いてもよい。この場合には,例えばR,Gに同じ信号
を入力したり,或いは4つ以上の画像から適宜3つを選
択して表示させるようにすればよい。また,上記の2つ
の例では,ラインセンサと1軸ステージによって走査系
を構成したが,これに限られるものではなく,例えば上
記従来技術と同様のXYステージを用いた走査系を用い
てもよい。また,被検材についても,半導体ウェーハに
限られるものではなく,その他の様々な物の外観検査に
適用可能である。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように,第1の発明は,被
検材の表面に光を照射する投光手段と,上記投光手段か
ら発せられ,上記被検材の表面で散乱反射した光を受光
する受光手段とを具備し,上記受光手段により受光され
た光の状態に基づいて上記被検材の表面状態を検査する
外観検査装置において,上記受光手段によって得られた
光から,上記被検材全体の画像を生成する全体画像生成
手段と,上記全体画像生成手段で生成された上記被検材
全体の画像を所定位置に位置決めする位置決め手段と,
上記位置決め手段で位置決めされた上記画像上で,予め
設定された検査領域内における所定の状態量を求める状
態量取得手段と,上記状態量取得手段で得られた上記所
定の状態量に基づいて上記被検材の表面状態を判定する
判定手段とを具備してなることを特徴とする外観検査装
置として構成されているため,各検査領域毎に走査,判
断処理を繰り返す場合と比べて検査に要する時間が大幅
に短縮される。また,上記受光手段を,上記被検材の主
走査方向所定幅の光を一度に受光できるラインセンサに
より構成すると共に,上記受光手段を上記被検材に対し
て相対的に移動させる副走査手段を具備すれば,走査に
要する時間の短縮が可能となり,ひいては検査時間の更
なる短縮が可能となる。また,予め検査領域が設定され
た基準座標系と上記全体画像生成手段で生成された画像
の座標系との位置合わせを行うことにより,上記全体画
像生成手段で生成された画像の位置決めを行うようにす
れば,被検材自体を正確にセットする場合と比べて短時
間で正確な位置合わせが可能となると共に,物理的な位
置決め装置なども必要としない。また,上記投光手段
が,上記被検材に対して複数の異なる角度で光を照射す
るように構成すれば,検出不可能な異常が少なくなり,
検査の正確性を向上させることができる。更に,上記検
査領域内の上記所定の状態量(例えば光の強度,色相,
彩度など)に対して所定の統計処理(例えば平均,標準
偏差,分散など)を施し,その結果に基づいて上記被検
材の表面状態を判定するようにすれば,更に検査の正確
性を向上させることができる。また,上記第2の発明
は,被検材の表面に光を照射する投光手段と,上記投光
手段から発せられ,上記被検材の表面で散乱反射した光
を受光する受光手段とを具備し,上記受光手段により受
光された光によって得られる上記被検材の表面画像を出
力する外観検査装置において,上記投光手段が,上記被
検材に対して複数の異なる角度で光を照射するように構
成されると共に,上記投光手段によって照射された上記
複数の光毎に,上記受光手段によって得られた光に基づ
いて上記被検材表面の画像を生成する画像生成手段と,
上記画像生成手段で生成された複数の画像を,色調の異
なる複数の信号として合成し,カラーモニタに表示させ
る表示手段とを具備してなることを特徴とする外観検査
装置として構成されているため,それぞれ異なる角度で
光が照射された場合の複数の画像が一度で確認でき,短
時間での目視検査が可能となると共に,その色調に基づ
いて異常領域を容易に識別できるため,異常部の見落と
しが少なく,より正確な判別が可能となる。更に,上記
受光手段を,上記被検材の主走査方向所定幅の光を一度
に受光できるラインセンサにより構成すると共に,上記
受光手段を上記被検材に対して相対的に移動させる副走
査手段を具備すれば,走査に要する時間の短縮が可能と
なり,ひいては検査時間の更なる短縮が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の発明を具現化した実施の形態に係る外
観検査装置A1の概略構成を示す模式図。
【図2】 上記外観検査装置A1の処理手順を示すフロ
ーチャート。
【図3】 取り込み画像の一例を示す図。
【図4】 上記取り込み画像の微分画像の一例を示す
図。
【図5】 ノッチテンプレート画像の一例を示す図。
【図6】 第2の発明を具現化した外観検査装置A2の
概略構成を示す模式図。
【図7】 上記外観検査装置A2の処理手順を示すフロ
ーチャート。
【図8】 従来の外観検査装置A0の概略構成を示す模
式図。
【図9】 上記外観検査装置A0で用いられるウェーハ
におけるチップ領域及び検査エリアの一例を示す図。
【図10】 良/不良の判別に用いられる閾値の設定方
法の説明図。
【符号の説明】
1…ウェーハ(被検材の一例) 2,2a,2b,2c…線状光源(投光手段の一例) 3…シリンドリカルレンズ 4…ラインセンサ(受光手段の一例) 5…A/Dコンバータ 6,6′…処理装置 7,7a,7b,7c…フレームメモリ(全体画像生成
手段の一例) 8,8′…CPU(位置決め手段,状態量取得手段,及
び判定手段の一例) 9…ステージコントローラ 10…ステージ 11…光源選択部 12…カラーモニタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G051 AA51 AB01 AB02 AB20 CA03 CB05 CD04 DA07 EA17 EB01 EB10 EC02 EC03 GD01 4M106 BA04 CA19 CA38 DB02 DB07 DB19 DJ04 DJ07 DJ12 DJ14 DJ15 DJ18 DJ21 DJ23

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被検材の表面に光を照射する投光手段
    と,上記投光手段から発せられ,上記被検材の表面で散
    乱反射した光を受光する受光手段とを具備し,上記受光
    手段により受光された光の状態に基づいて上記被検材の
    表面状態を検査する外観検査装置において,上記受光手
    段によって得られた光から,上記被検材全体の画像を生
    成する全体画像生成手段と,上記全体画像生成手段で生
    成された上記被検材全体の画像を所定位置に位置決めす
    る位置決め手段と,上記位置決め手段で位置決めされた
    上記画像上で,予め設定された検査領域内における所定
    の状態量を求める状態量取得手段と,上記状態量取得手
    段で得られた上記所定の状態量に基づいて上記被検材の
    表面状態を判定する判定手段とを具備してなることを特
    徴とする外観検査装置。
  2. 【請求項2】 上記受光手段が,上記被検材の主走査方
    向所定幅の光を一度に受光できるラインセンサにより構
    成されると共に,上記受光手段を上記被検材に対して相
    対的に移動させる副走査手段を具備してなる請求項1記
    載の外観検査装置。
  3. 【請求項3】 上記位置決め手段が,予め検査領域が設
    定された基準座標系と上記全体画像生成手段で生成され
    た画像の座標系との位置合わせを行うことにより,上記
    全体画像生成手段で生成された画像の位置決めを行う請
    求項1又は2記載の外観検査装置。
  4. 【請求項4】 上記投光手段が,上記被検材に対して複
    数の異なる角度で光を照射する請求項1〜3のいずれか
    に記載の外観検査装置。
  5. 【請求項5】 上記判定手段が,上記検査領域内の上記
    所定の状態量に対して所定の統計処理を施し,その結果
    に基づいて上記被検材の表面状態を判定する請求項1〜
    4のいずれかに記載の外観検査装置。
  6. 【請求項6】 上記所定の状態量が光の強度を含む請求
    項1〜5のいずれかに記載の外観検査装置。
  7. 【請求項7】 上記所定の状態量が色相を含む請求項1
    〜6のいずれかに記載の外観検査装置。
  8. 【請求項8】 上記所定の状態量が彩度を含む請求項1
    〜7のいずれかに記載の外観検査装置。
  9. 【請求項9】 被検材の表面に光を照射する投光手段
    と,上記投光手段から発せられ,上記被検材の表面で散
    乱反射した光を受光する受光手段とを具備し,上記受光
    手段により受光された光によって得られる上記被検材の
    表面画像を出力する外観検査装置において,上記投光手
    段が,上記被検材に対して複数の異なる角度で光を照射
    するように構成されると共に,上記投光手段によって照
    射された上記複数の光毎に,上記受光手段によって得ら
    れた光に基づいて上記被検材表面の画像を生成する画像
    生成手段と,上記画像生成手段で生成された複数の画像
    を,色調の異なる複数の信号として合成し,カラーモニ
    タに表示させる表示手段とを具備してなることを特徴と
    する外観検査装置。
  10. 【請求項10】 上記受光手段が,上記被検材の主走査
    方向所定幅の光を一度に受光できるラインセンサにより
    構成されると共に,上記受光手段を上記被検材に対して
    相対的に移動させる副走査手段を具備してなる請求項9
    記載の外観検査装置。
JP10178418A 1998-06-25 1998-06-25 外観検査装置 Pending JP2000009655A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10178418A JP2000009655A (ja) 1998-06-25 1998-06-25 外観検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10178418A JP2000009655A (ja) 1998-06-25 1998-06-25 外観検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000009655A true JP2000009655A (ja) 2000-01-14

Family

ID=16048161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10178418A Pending JP2000009655A (ja) 1998-06-25 1998-06-25 外観検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000009655A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003028805A (ja) * 2001-07-12 2003-01-29 Kurabo Ind Ltd 表面性状評価装置
JP2003174065A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 半導体基板検査装置、半導体基板検査方法およびプログラム
JP2004077164A (ja) * 2002-08-12 2004-03-11 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法
JP2006275691A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 検査方法および検査装置
JP2007322402A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Yoshiro Yamada 表面検査装置
US7316515B2 (en) 2004-08-05 2008-01-08 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus processing a substrate surface with a processing liquid, liquid processing method, and liquid condition detection apparatus detecting fluctuation of the processing liquid
JP2009014409A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd 基板の欠陥検査方法及び欠陥検査プログラム
JP2009283977A (ja) * 2009-08-21 2009-12-03 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置及び検査方法
JP2014085217A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Nuflare Technology Inc 焦点位置検出装置、検査装置、焦点位置検出方法および検査方法
CN103855045A (zh) * 2012-11-29 2014-06-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆上芯片参数的修调方法
WO2017118160A1 (zh) * 2016-01-04 2017-07-13 京东方科技集团股份有限公司 用于对基板进行检测的系统、方法及生产设备
JP2017183624A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社デンソー岩手 半導体装置の製造過程における異常解析装置および異常解析方法
WO2022124070A1 (ja) 2020-12-11 2022-06-16 株式会社堀場製作所 検査装置、情報処理方法およびプログラム

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61102736A (ja) * 1984-10-26 1986-05-21 Hitachi Ltd パタ−ン修正方法および修正装置
JPS6242039A (ja) * 1985-08-19 1987-02-24 Toshiba Corp 表面検査装置
JPS62223651A (ja) * 1986-03-26 1987-10-01 Hitachi Ltd 検査方法および装置
JPH0474951A (ja) * 1990-07-17 1992-03-10 Hitachi Ltd 検査方法および検査装置
JPH04131750A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Fujitsu Ltd カラー印刷装置の位置ずれ計測方法及びその装置
JPH06201338A (ja) * 1992-12-25 1994-07-19 Hitachi Denshi Ltd 外観状態検査方法
JPH06325162A (ja) * 1993-05-11 1994-11-25 Nikon Corp 画像処理装置
JPH0854350A (ja) * 1991-07-26 1996-02-27 Nikka Densoku Kk 海苔の検査方法および装置
JPH08110216A (ja) * 1994-10-13 1996-04-30 Hitachi Denshi Ltd 外観検査装置の対象面認識処理装置
JPH08220006A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Mitsubishi Electric Corp 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
JPH09127012A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Nkk Corp 表面疵の検出方法およびその装置
JPH09196859A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Nec Corp 表面欠陥検査装置
JPH10144747A (ja) * 1996-11-12 1998-05-29 Miyazaki Oki Electric Co Ltd ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
JPH11218499A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Hitachi Denshi Ltd 外観検査装置およびその画像処理方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61102736A (ja) * 1984-10-26 1986-05-21 Hitachi Ltd パタ−ン修正方法および修正装置
JPS6242039A (ja) * 1985-08-19 1987-02-24 Toshiba Corp 表面検査装置
JPS62223651A (ja) * 1986-03-26 1987-10-01 Hitachi Ltd 検査方法および装置
JPH0474951A (ja) * 1990-07-17 1992-03-10 Hitachi Ltd 検査方法および検査装置
JPH04131750A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Fujitsu Ltd カラー印刷装置の位置ずれ計測方法及びその装置
JPH0854350A (ja) * 1991-07-26 1996-02-27 Nikka Densoku Kk 海苔の検査方法および装置
JPH06201338A (ja) * 1992-12-25 1994-07-19 Hitachi Denshi Ltd 外観状態検査方法
JPH06325162A (ja) * 1993-05-11 1994-11-25 Nikon Corp 画像処理装置
JPH08110216A (ja) * 1994-10-13 1996-04-30 Hitachi Denshi Ltd 外観検査装置の対象面認識処理装置
JPH08220006A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Mitsubishi Electric Corp 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
JPH09127012A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Nkk Corp 表面疵の検出方法およびその装置
JPH09196859A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Nec Corp 表面欠陥検査装置
JPH10144747A (ja) * 1996-11-12 1998-05-29 Miyazaki Oki Electric Co Ltd ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
JPH11218499A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Hitachi Denshi Ltd 外観検査装置およびその画像処理方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003028805A (ja) * 2001-07-12 2003-01-29 Kurabo Ind Ltd 表面性状評価装置
JP2003174065A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 半導体基板検査装置、半導体基板検査方法およびプログラム
JP2004077164A (ja) * 2002-08-12 2004-03-11 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法
US7316515B2 (en) 2004-08-05 2008-01-08 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus processing a substrate surface with a processing liquid, liquid processing method, and liquid condition detection apparatus detecting fluctuation of the processing liquid
JP2006275691A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 検査方法および検査装置
JP2007322402A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Yoshiro Yamada 表面検査装置
JP2009014409A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd 基板の欠陥検査方法及び欠陥検査プログラム
JP2009283977A (ja) * 2009-08-21 2009-12-03 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置及び検査方法
JP2014085217A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Nuflare Technology Inc 焦点位置検出装置、検査装置、焦点位置検出方法および検査方法
US9557277B2 (en) 2012-10-23 2017-01-31 Nuflare Technology, Inc. Inspection apparatus and inspection method
CN103855045A (zh) * 2012-11-29 2014-06-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆上芯片参数的修调方法
WO2017118160A1 (zh) * 2016-01-04 2017-07-13 京东方科技集团股份有限公司 用于对基板进行检测的系统、方法及生产设备
US10467591B2 (en) 2016-01-04 2019-11-05 Boe Technology Group Co., Ltd. System and method for detecting substrate and manufacturing device
JP2017183624A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社デンソー岩手 半導体装置の製造過程における異常解析装置および異常解析方法
WO2022124070A1 (ja) 2020-12-11 2022-06-16 株式会社堀場製作所 検査装置、情報処理方法およびプログラム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3784603B2 (ja) 検査方法及びその装置並びに検査装置における検査条件設定方法
KR101656045B1 (ko) 웨이퍼 검사 시스템 및 방법
US6928185B2 (en) Defect inspection method and defect inspection apparatus
US7643140B2 (en) Method and apparatus for inspecting a semiconductor device
JP2000009655A (ja) 外観検査装置
US20170200658A1 (en) Methods of inspecting substrates and semiconductor fabrication methods incorporating the same
JP2006017726A (ja) 印刷回路基板の微細パターンを検査するための照明装置と、これを具備する自動光学検査システムおよびそれの検査方法
JP2000346627A (ja) 検査装置
JP2004177139A (ja) 検査条件データ作成支援プログラム及び検査装置及び検査条件データ作成方法
TWI495867B (zh) Application of repeated exposure to multiple exposure image blending detection method
US8200003B2 (en) Method for the optical inspection and visualization of optical measuring values obtained from disk-like objects
JP2011158363A (ja) Pga実装基板の半田付け検査装置
US8223328B2 (en) Surface inspecting apparatus and surface inspecting method
US7023541B2 (en) Device inspecting for defect on semiconductor wafer surface
JPH06167460A (ja) 検査装置
JPH08247736A (ja) 実装基板検査装置
JP2014232079A (ja) 太陽電池セル検査装置および太陽電池セル検査装置の画像位置補正方法
JP4216485B2 (ja) パターン検査方法およびその装置
JP2021032598A (ja) ウエーハ外観検査装置および方法
JPH0821709A (ja) 表面形状測定装置
KR100710703B1 (ko) 반도체 리드프레임 도금 선폭 측정 검사장치 및 그 방법
JPH08247958A (ja) 外観検査装置
JPH10242227A (ja) ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
JPH10206337A (ja) 半導体ウエハの自動外観検査装置
WO2022044307A1 (ja) アライメント装置及びアライメント方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050616

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070914

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071002

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080916

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090526

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090901

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091029

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100608