IT8922268A1 - Apparecchiatura per impedire l'annebbiamento di un wafer di semi-conduttore - Google Patents

Apparecchiatura per impedire l'annebbiamento di un wafer di semi-conduttore Download PDF

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Kazuo Satoh
Yohji Ogawa
Hirofumi Okano
Kiyomi Suzuki
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Toshiba Ceram Co Ltd
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Description

DESCRIZIONE
La presente invenzione riguarda un'apparecchiatura per impedire l annebbiamento di un wafer di semiconduttore. Pi? particolarmente, l 'invenzione riguarda un?apparecchiatura che mantiene perlomeno la concentrazione di ossidi di zolfo, dalla concentrazione di ossidi di zolfo e ossidi di azoto nell'-atmosfera, di una zona di trattamento di wafer di semiconduttore al di sotto di un livello predeterminato in modo da impedire l 'annebbiamento della superficie di un wafer di semiconduttore a finitura speculare.
E' noto che una superficie di wafer di semiconduttore trattata a specchio in una zona di trattamento di wafer si annebia gradualmente a causa di precipitazioni di componenti contenuti nell 'atmosfera di trattamento, come acqua, ossidi di azoto (NOx), ossidi di zolfo (SOx), ammoniaca e cosi via. Tale annebbiamento della superficie dei wafer a finitura speculare impedisce seriamente fasi successive del processo di produzione dei semiconduttori.
Per eliminare il problema dell 'annebbiamento sono gi? state proposte apparecchiature. Ad esempio, ? stata proposta un'apparecchiatura in cui l 'aria nella zona di trattamento dei wafer di semiconduttore viene trattata con un materiale assorbitore d'acqua o un deumidificatore in modo da rimuovere l 'umidit? contenuta nella regione in prossimit? della superficie del wafer di semiconduttore. E' stato pure proposto un'apparecchiatura in cui la quantit? di componente alcalino derivato da una camera di lavaggio di wafer di semiconduttore ? minimizzata.
Sfortunatamente, tuttavia, queste apparecchiature note risentono dei problemi seguenti.
Particolarmente, poich? il trattamento di un wafer di semiconduttore richiede essenzialmente che l'atmosfera di trattamento abbia a contenere una quantit? adeguata d'acqua cosi che l'apparecchiatura del tipo per prima menzionata non pu? ridurre materialmente il contenuto d'acqua o umidit? ad un livello sufficientemente basso da impedire annebbiamento. Il secondo metodo menzionato presenta pure difficolt? nel ridurre il contenuto di sostanze alcaline ad un livello sufficientemente basso da impedire annebbiamento, poich? la sostanza alcalina come ammoniaca viene impiegata in grande quantit? in una camera di lavaggio in cui ? condotta un'operazione di lavaggio come una fase immediatamente precedente al trattamento del wafer.
Perci?, si ? rivelato impossibile impedire in grado sufficiente l'annebbiamento del wafer di semiconduttore con le tecniche note.
Pertanto, uno scopo della presente invenzione ? quello di fornire un'apparecchiatura per impedire l'annebbiamento di un wafer di semiconduttore che mantenga perlomeno la. concentrazione di ossidi di zolfo, dalla concentrazione di ossidi di zolfo e concentrazione di ossidi di azoto nell'atmosfera, di una zona di trattamento di wafer di semiconduttore al di sotto di livelli predeterminati cosi da impedire annebbiamento di una superficie di wafer di semiconduttore a finitura speculare, eliminado cosi i problemi precedentemente descritti della tecnica nota.
A tal fine, secondo la presente invenzione, ? fornita un-'apparecchiatura per impedire annebbiamento di un wafer di semiconduttore a finitura speculare in una zona di trattamento di wafer di semiconduttore controllando un'atmosfera interna nella zona di trattamento di wafer di semiconduttore, comprendente: un condizionatore d'aria per introdurre l'aria dall'ambiente esterno nella zona di trattamento di wafer di semiconduttore; e mezzi di rimozione disposti nel condizionatore d'aria o tra il condizionatore d'aria e l'ambiente esterno per rimuovere almeno parte degli ossidi di zolfo dagli ossidi di zolfo e ossidi di azoto nell'aria introdotta dall'-ambiente esterno; l'atmosfera interna nella zona di trattamento di wafer di semiconduttore includendo una concentrazione di ossido di zolfo di 60 ng/1 o inferiore.
Secondo l'invenzione avente le caratteristiche indicate precedentemente, ? possibile ridurre sufficientemente il livello della concentrazione di ossidi di zolfo o, alternativamente, sia della concentrazione di ossidi di zolfo che della concentrazione di ossidi di azoto, nell'atmosfera di trattamento nella zona di trattamento dei wafer di semiconduttori, in modo tale che la tendenza all'annebbiamento della superficie del wafer di semiconduttore pu? essere soppressa ad un livello soddisfacente.
Forme di realizzazione preferite dell'apparecchiatura secondo l'invenzione per impedire l'annebbiamento di un wafer di semiconduttore saranno descritte successivamente. Si deve tuttavia notare che la descrizione seguente di forme di realizzazione ha solo lo scopo di facilitare o favorire la comprensione dell'invenzione e non intende limitare l'ambito protettivo dell'invenzione. Pertanto, tutte le modificazioni o sostituzioni di parti equivalenti nelle forme di realizzazione descritte che sono fatte senza scostarsi dallo spirito ed ambito tecnico dell'invenzione devono essere intese come rientranti entro l'ambito protettivo della presente invenzione
La Fig. 1 ? una illustrazione di una forma di realizzazione di un'apparecchiatura secondo l'invenzione per impedire annebbiamento di una superficie di wafer di semiconduttore; e la Fig. 2 ? una illustrazione di un'altra forma di realizzazione dell'apparecchiatura per impedire l?annebbiamento di una superficie di wafer di semiconduttore.
La costruzione ed il funzionamento della prima forma di reaiizzazione dell'invenzione saranno descritti con riferimento alla Fig. 1.
Un'apparecchiatura per impedire l'annebbiamento di un wafer di semiconduttore ? indicato generalmente dal numero 10. L'apparecchiatura 10 ? dotata di un primo filtro 11 che si apre in corrispondenza del suo lato a ingresso all?ambiente esterno in modo da lasciar passare aria alimentata dall'-ambiente imprigionando nel contempo polvere e altri materiali contaminati dall'aria A11. L'apparecchiatura 10 presenta pure un secondo filtro 12 che comunica in corrispondenza del suo lato d'ingresso con il lato di uscita del primo filtro 11 che ? in grado di assorbire e rimuovere parte di almeno ossidi di zolfo SOx, preferibilmente parti sia di ossido di zolfo SOx che di ossidi di azoto NOx, dall'aria A1 che ? stata fornita dal primo filtro 11. L'apparecchiatura 10 ha inoltre un condizionatore 13 dell'aria collegato al lato di uscita del secondo filtro 12. Preferibilmente, il secondo filtro 12 ? un filtro di carbone attivo contenente una massa di carbone attivo o un filtro chimico costituito da un supporto come zeo-1ite ed un materiale assorbente chimico come permanganato di potassio, ad esempio il "PURE SMELL FILTER" (Tipo E) prodotto dal Nippon Muki Kabushiki Kaisha). L'impiego di tale filtro di carbone attivo o filtro chimico ? preferito poich? questo filtro ? in grado di assorbire sia ossidi di zolfo SOx che ossidi di azoto NOx in modo da ridurre le concentrazioni di ossidi di zolfo e ossidi di azoto a livelli sufficientemente bassi da impedire annebbiamento.
II condizionatore 13 dell'aria ha un terzo filtro 13A e un quarto filtro 13B. Il terzo filtro 13A ? in grado di assorbire e rimuovere parte di almeno ossidi di zolfo SOx preferibilmente parti sia di ossidi di zolfo SOx che di ossidi di azoto NOx dall'aria A13 la concentrazione di ossidi di zolfo, preferibilmente sia la concentrazione di ossidi di zolfo che la concentrazione di ossidi di azoto essendo stata ridotta attraverso il secondo filtro 12. L'aria avente la concentrazione di ossidi di zolfo, preferibilmente sia la concentrazione di ossidi di zolfo che la concentrazione di ossidi di azoto, ridotta attraverso il terzo filtro viene introdotta nel quarto filtro 13B che imprigiona e rimuove fini particelle di polvere da quest'aria.
Il numero 20 indica generalmente una zona di trattamento di wafer di semiconduttore che esegue un trattamento desiderato come un trattamento superficiale su una superficie a finitura speculare di un wafer di semiconduttore (non rappresentato) o un semplice trasporto del wafer di semiconduttore. La zona 20 di trattamento del wafer di semiconduttore ? collegata ad una estremit? di uscita dell'apparecchiatura 10 di impedimento di annebbiamento, cio? al lato di uscita del condizionatore 13 dell'aria attraverso un quinto filtro 14 che ? in grado di imprigionare e rimuovere le fini particelle di polvere. L'aria A14da cui il contenuto d'acqua ? stato rimosso e che ? stata riscaldata ad una temperatura adatta attraverso il condizionatore 13 dell'aria ? indotta a passare attraverso il quinto filtro 14 in modo tale che polvere e altre particelle fini sono rimosse per fornire un'aria pulita A15 la quale ? introdotta nello spazio della zona di trattamento di wafer di semiconduttore. Parte dell'aria dell'atmosfera di trattamento viene estratta come ? indicato da ? rinviata al lato d'ingresso del condizionatore 13 dell'aria. Il ritorno dell'aria A16 al lato d'ingresso del condizionatore 13 dell'aria non ? essenziale. In altre parole, l'ariaA16 pu? essere scaricata nell'ambiente, se desiderato. La descrizione seguente, tuttavia procede sul presupposto che l'aria A16 sia rinviata al lato d'ingresso del condizionatore 13 dell'aria per convenienza di spiegazione.
Il funzionamento della forma di realizzazione descritta da apparecchiatura 10 per impedire annebbiamento di un wafer di semiconduttore ? il seguente.
L'aria A11 introdotta dallo spazio ambientale o dall'ambiente viene indotta a passare attraverso il primo filtro 11 in modo tale che sostanze estranee come particelle di polvere sono imprigionate e rimosse. L'aria ? quindi introdotta nel secondo filtro 12 in modo tale che parte di almeno gli ossidi di zolfo SOx preferibilmente parti sia degli ossidi di zolfo SOx che ossidi di azoto NOx sono rimosse tramite adsorbimento L'aria dal secondo filtro 12, con parte dei componenti di ossidi di zolfo preferibilmente componenti di ossido di zolfo SOx e ossidi di azoto NOx rimossi tramite il secondo filtro 12 viene introdotta dal lato d'ingresso del condizionatore 13 dell'aria in modo da essere indotta a passare attraverso il terzo filtro 13A per cui parte di almeno gli ossidi di zolfo SOx, preferibiImente parti degli ossidi di zolfo SOx e ossidi di azoto NOx ? ulteriormente rimossa dall'aria.
L'aria dal terzo filtro 13A, da cui parte di almeno gli ossidi di zolfo SOx preferibilmente parti di ossidi di zolfo SOc e ossidi di azoto NOc sono state rimosse attraverso il terzo filtro 13A, viene introdotta nel quarto filtro 13B in modo tale che fini particelle di polvere e altre particelle fini sono rimosse da quest'aria. L'aria pura cos? formata ? quindi condizionata a livelli adatti di umidit? e temperatura in modo tale che un'aria condizionata ? formata ed introdotta nel quinto filtro 14. Il quinto filtro 14 rimuove inoltre particelle di polvere fini e altre per ottenere un livello desiderato di pulitura e l'aria depurata cos? ottenuta A15 viene introdotta nella zona 20 di trattamento di wafer di semiconduttore in modo da unirsi all'atmosfera di trattamento.
L'aria A15 introdotta nell?atmosfera di trattamento nella zona 20 di trattamento di wafer di semiconduttore ha perlomeno una concentrazione di ossidi di zolfo ridotta di 60 ng/1 o meno, preferibilmente una concentrazione di ossidi di zolfo di 60 ng/1 ed una concentrazione di ossidi di azoto di 50 ng/1, per cui annebbiamento della superficie del wafer di semiconduttore a finitura speculare ? materialmente evitato. Un effetto superiore nell'impedire l'annebbiamento della superficie del wafer di semiconduttore a finitura speculare pu? essere ottenuto riducendo la concentrazione di ossidi di zolfo ad un livello di 20 ng/1 o meno.
L'aria dell'atmosfera di trattamento nella zona 20 di trattamento di wafer di semiconduttore tende ad essere contaminata da ossidi di zolfo SOx, ossidi di azoto NOx e polvere che sono liberati e generati durante il trattamento come il trattamento superficiale di un wafer di silicio nell'atmosfera di trattamento. Al fine di rimuovere tali contaminati, l'aria A16 viene rinviata al lato d'ingresso del condizionatore 13 dell'aria.
L'aria rinviata A16 ? indotta a passare attraverso il terzo filtro 13A in modo tale che parte di almeno gli ossidi zolfo, preferibilmente parti degli ossidi di zolfo SOx, e ossidi di azoto NOx, sono rimosse tramite adsorbimento. L'aria ? quindi indotta a passare attraverso il quarto filtro 13B in modo tale che parte delle fini particelle di polvere e altre viene rimossa e l'aria cosi depurata A14 ? inoltre depurata attraverso il quinto filtro 14 e introdotta come aria pulita A15 per unirsi all'atmosfera nella zona 20 di trattamento di wafer di semiconduttore.
Sar? fornita ora una descrizione dettagliata di una seconda forma di realizzazione dell'apparecchiatura dell'invenzione per impedire annebbiamento di wafer di semiconduttore, facendo specifico riferimento alla Fig. 2.
Un'apparecchiatura per impedire annebbiamento di un wafer di semiconduttore che costituisce la seconda forma di realizzazione della presente invenzione ? indicata generalmente dal numero 30. L'apparecchiatura 30 ha un dispositivo di lavaggio 31 che porta in comunicazione in corrispondenza del suo lato d'ingresso con l'ambiente esterno e che ? in grado di rimuovere, tramite assorbimento mediante acqua o altro liquido, parte di perlomeno gli ossidi di zolfo SOx, preferibilmente parti di ossidi zolfo SOx e ossidi di azoto NOx, dall'aria alimentata dall'ambiente esterno. L'apparecchiatura 30 presenta pure un primo filtro 32 che porta in comunicazione in corrispondenza della sua estremit? di ingresso con l'estremit? di uscita del dispositivo di lavaggio 31 che ? in grado di rimuovere particelle di nebbia d'acqua e altre particelle dall'aria introdotta dal dispositivo di lavaggio 31. L'apparecchiatura 30 ha inoltre un condizionatore 33 dell'aria che ? collegato in corrispondenza della sua estremit? di ingresso all'estremit? di uscita del primo filtro 32.
Il condizionatore 33 del'aria ha un secondo filtro 33A per rimuovere fini particelle di polvere e altre dall'aria A23 introdotta attraverso il primo filtro 32. Il numero 40 indica generalmente una zona di trattamento di wafer di semiconduttore che esegue un trattamento desiderato come un trattamento superficiale sulla superficie a finitura speculare di un wafer di semiconduttore (non rappresentato) oppure un semplice trasporto del wafer di semiconduttore. La zona 40 di trattamento di wafer di semiconduttore ? collegata all'estremit? di uscita dell'apparecchiatura 30 di impedimento di annebbiamento cio? al lato di uscita del condizionamento 33 dell'aria attraverso un terzo filtro 34 che ? in grado di imprigionare e rimuovere fini particelle di polvere per ridurre la concentrazione di particelle ad un livello adatto. L'aria A24 da cui il contenuto d'acqua ? stato rimosso e che ? stata riscaldata ad una temperatura adatta attraverso il condizionatore 33 dell'aria viene indotta a passare attraverso il terzo filtro 34 in modo tale che polvere e altre particelle fini sono rimosse a fornire un'aria pulita A25 che viene introdotta nello spazio della zona di trattamento di wafer di semiconduttore. Parte dell'aria dell'atmosfera di trattamento viene estratta come ? indicato da A26 e rinviata al lato di ingresso del condizionatore 33 dell?aria. Il ritorno dell'aria A26 al lato d'ingresso del condizionatore 33 dell'aria non ? essenziale. In altre parole, l'aria A26 pu? essere scaricata se desiderato nell'ambiente. La descrizione seguente, tuttavia, procede sul presupposto che l'aria A26 sia rinviata al lato di ingresso del condizionatore 33 dell'aria per scopo di convenienza di spiegazione.
Il funzionamento dell'apparecchiatura 30 descritta per impedire annebbiamento di un wafer di semiconduttore avviene nel modo che sar? descritto qui di seguito.
L'aria introdotta dall'ambiente esterno indotta a passare attraverso il dispositivo di lavaggio 31 in modo tale che parte degli ossidi di zolfo SOx, preferibilmente parti degli ossidi di zolfo SOx e degli ossidi di azoto NOx viene rimossa tramite assorbimento in acqua o altro liquido.
L'aria A22 la cui concentrazione di ossidi di zolfo, preferibilmente entrambe le concentrazioni di ossidi di zolfo e di ossidi di azoto, ? ridotta attraverso il dispositivo di lavaggio 31, viene introdotta nel primo filtro 32 che rimuove particelle d'acqua o altro liquido dall'aria per ridurre la concentrazione delle particelle ad un livello adatto.
L'aria A23 formata rimuovendo acqua o altre particelle di liquido dall'aria A22 attraverso il primo filtro 32 ? introdotta nel secondo filtro 33A del condizionatore 33 dell'-aria in modo tale che per fini particelle di polvere e altre sono rimosse per ridurre la concentrazione di particelle ad un livello adatto. Quindi il contenuto d'acqua viene rimosso ad un livello adatto e quindi l'aria viene riscaldata ad una temperatura adatta. L'aria A24 cosi formata viene introdotta nel terzo filtro 34 in cui fini particelle di polvere e altre sono rimosse per ottenere un desiderato basso livello di concentrazione delle particelle. L'aria pulita cosi formata viene introdotta nella zona 40 di trattamento di wafer di semiconduttore in modo da unirsi all'atmosfera di trattamento.
L'aria A25 introdotta dall'atmosfera di trattamento nella zona 40 di trattamento di wafer di semiconduttore ha, almeno, una concentrazione di ossidi di zolfo ridotta a 60 ng/1 o inferiore, preferibilmente una concentrazione di ossidi di zolfo di 60 ng/1 o inferiore ed una concentrazione di ossidi di azoto di 50 ng/1 o inferiore, per cui ? materialmente evitato l'annebbiamento della superficie del wafer di semiconduttore a finitura speculare. Un effetto maggiore nell'impedire l'annebbiamento della superficie del wafer di semiconduttore a finitura speculare pud essere ottenuto riducendo la concentrazione di ossidi di zolfo ad un livello di 20 ng/1 o inferiore.
L'aria A26 nell'atmosfera di trattamento nella zona 40 di trattamento di wafer di semiconduttore tende ad essere contaminata da ossidi di zolfo SOx, ossidi di azodo NOx e pulviscolo che sono liberati e generati durante il trattamento come il trattamento superficiale di un wafer di silicio nell'atmosfera di trattamento. Al fine di rimuovere tali agenti contaminanti, l?aria A26 viene rinviata al lato di ingresso del condizionatore 33 dell'aria.
L'aria rinviata A26 ? indotta a passare attraverso il secondo filtro 33A in modo tale che la polvere e altre particelle sono rimosse ad un livello adatto mediante il secondo filtro 33A e l'aria A24 cosi formata viene introdotta nel terzo filtro 34 e nuovamente introdotta nella zona 40 di trattamento di wafer di semiconduttore dopo la depurazione attraverso il terzo filtro 34.
Due forme di realizzazione dell'apparecchiatura di impedimento di annebbiamento di wafer di semiconduttore sono state descritte con riferimento alle Figg. 1 e 2. I vantaggi dell'invenzione risulterano meglio compresi dalla seguente illustrazione di esempi con dati numerici.
Esempio 1 Un filtro chimico "PURE SMELL FILTER (Tipo E), prodotta dalla Nippon Muki Kabushiki Kaisha e contenente permanganato di potassio supportato da zeolite ? stato impiegato come secondo filtro 12 e terzo filtro 13A della disposizione della prima forma di realizzazione rappresentata in Fig. 1. Conseguentemente, la concentrazione di ossidi di zolfo e le concentrazioni di ossidi di azoto nell'atmosfera entro la zona di trattamento di wafer di semiconduttore erano ridotte a 2 ng/1 L'atmosfera della zona di trattamento di wafer d semiconduttore aveva una temperatura di 23?C ed una umidit? relativa del 50%. Il contenuto di ammoniaca di questa atmosfera era di 80 ng/1. Un wafer di semiconduttore immediatamente dopo la finitura speculare era lasciato in tale atmosfera per 10 giorni ma non era osservato alcun annebbiamento del wafer di semiconduttore.
E' stata pure condotta una prova in cui un wafer di semiconduttore immediatamente dopo la finitura speculare era sigillato in un contenitore ermetico entro la zona 20 di trattamento wafer di semiconduttore ed il contenitore ermetico accogliente il wafer di semiconduttore era lasciato nell'ambiente esterno. Il wafer di semiconduttore non evidenziava alcun annebbiamento nemmeno dopo che erano trascorsi 6 mesi.
Esempio-2
Acqua ? stata impiegata come materiale assorbente nel dispositivo di lavaggio 31 della forma di realizzazione illustrata in Fig. 2. La concentrazione di ossidi di zolfo e la concentrazione di ossidi di azoto dell'atmosfera entro la zona 40 di trattamento di wafer di semiconduttore erano basse, nell?ordine di 5 ng/1 e 8 ng/1 rispettivamente.
La temperatura e l'umidit? relativa dell'atmosfera nella zona 40 di trattamento di wafer di semiconduttore erano di 23?C e 50% rispettivamente mentre la concentrazione di ammoniaca era di 80 ng/1.
Un wafer di semiconduttore immediatamente dopo la finitura speculare era lasciato in questa atmosfera per 10 giorni ma non era osservato alcun annebbiamento del wafer di semiconduttore.
E? stata pure condotta una prova in cui un wafer di semiconduttore immediatamente dopo la finitura speculare era sigillato entro la zona 40 di trattamento di wafer di semiconduttore in un contenitore ermetico ed il contenitore ermetico contenente il wafer di semiconduttore era lasciato nell'ambiente esterno. Il wafer di semicondotture non evidenziava alcun annebbiamento nemmeno dopo il trascorrere di 6 mesi.
Esempio-di-comparazione Un wafer di semiconduttore a finitura speculare ? stato lasciato in un'atmosfera di trattamento di una tipica zona di trattamento di wafer di semiconduttore convenzionale avente una temperatura di 23?C, umidit? relativa del 50% e concentrazioni di ossidi di zolfo, ossidi di azoto e ossido di ammoniaca di 93 ng/1, 57 ng/1 e 80 ng/1 rispettivamente. Il wafer di semiconduttore evidenziava l'annebbiamento entro un giorno.
Un confronto tra gli Esempi 1, 2 e l'esempio di comparazione mostra chiaramente che l'apparecchiatura secondo la presente invenzione fornisce un notevole effetto nell'impedire annebbiamento di wafer di semiconduttore.
Nella prima forma di realizzazione precedentemente descritta, un filtro in grado di rimuovere parte di perlomeno ossidi di zolfo, preferibilmente sia ossidi di zolfo che ossidi di azoto era disposto nel condizionatore 13 dell'aria. Ci?, tuttavia, ? solamente illustrativo ed ? possibile includere un filtro capace di rimuovere parte dell'ammoniaca {ad esempio "PURE SMELL FILTER" {tipo F) prodotto da Nippon Muki Kabushiki Kaisha, contenente acido fosforico supportato da zeolite, nel condizionatore 13 dell'aria in aggiunta al filtro in grado di rimuovere parte degli ossidi di zolfo, preferibilmente parti degli ossidi di zolfo e ossidi di azoto. E' pure possibile fornire un filtro in grado di rimuovere ammoniaca, ad esempio il summenzionato PURE SMELL FILTER Tipo F, in corrispondenza del lato a monte o a valle del secondo filtro 12. Risulter? chiaro che queste modifiche forniscono migliori effetti nell'impedire l'annebbiamento di wafer di semiconduttore.
La seconda forma di realizzazione descritta con riferimento alla Fig. 2 pu? essere modificata in modo tale che l'aria dell'atmosfera di trattamento nella zona 40 di trattamento di wafer di semiconduttore ? rinviata al lato d'ingresso del dispositivo di lavaggio in maniera tale che parte dell'ammoniaca viene rimossa da quest'aria. In questo caso, ossidi di zolfo, ossidi di azoto e ammoniaca esistono simultaneamente nel dispositivo di lavaggio 31 per cui una reazione di neutralizzazione ha luogo per favorire l'assorbimento di questi ossidi e di ammoniaca.
Nelle forme di realizzazione descritte, le zone 20, 40 di trattamento di wafer di semiconduttore sono camere pulite che richiedono tre stadi di filtro 11,13B, 14 e 32,33A, 34. Ci?, tuttavia non ? esclusivo e l'invenzione pu? essere ap-. plicata a varie altre regioni o zone richiedenti condizioni d'atmosfera predeterminate.

Claims (2)

  1. RIVENDICAZIONI 1. Apparecchiatura per impedire l'annebbiamento di un wafer di semiconduttore a finitura speculare in una zona di trattamento di wafer di semiconduttore mediante controllo di un'atmosfera interna in detta zona di trattamento di wafer di semiconduttore comprendente: un condizionatore d'aria per introdurre l'aria da un'ambiente esterno nella zona di trattamento di wafer di semiconduttore; e mezzi di rimozione disposti in detto condizionatore d'aria o fra detto condizionatore d'aria e l'ambiente esterno per rimuovere almeno parte degli ossidi di zolfo agli ossidi di zolfo e ossidi di azoto nell'aria introdotta dall'ambiente esterno; detta atmosfera interna in detta zona di trattamento di wafer di semiconduttore includendo una concentrazione di ossidi di zolfo di 60 ng/1 o meno.
  2. 2. Apparecchiatura secondo la rivendicazione 1 in cui detta atmosfera interna in detta zona di trattamento di wafer di semiconduttore include una concentrazione di ossidi di zolfo di 20 ng/1 o inferiore.
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