IT8319877A1

IT8319877A1 - Metodo ed apparato per la fabbricazione di pannelli a circuito stampato, a piu' strati

Info

Publication number: IT8319877A1
Application number: IT1983A19877A
Authority: IT
Original assignee: Economics Lab
Priority date: 1982-03-04
Filing date: 1983-03-03
Publication date: 1984-09-03
Also published as: DK502783A; EP0103627A4; JPS59500341A; EP0103627A1; WO1983003065A1; IN158376B; DK502783D0; NO834009L; IT8319877A0; IT1163136B; CA1222574A

Description

Descrizione dell*invenzione avente per titolo

"" METODO ED APPARATO PER LA FABBRICAZIONE DI PANNEL= LI A CIRCUITO STAMPATO , A PIU' STRATI ""

RIASSUNTO

La presente invenzione si riferisce ad un metodo e ad un apparato utilizzati per la fabbrica^ zione di complessi a pannelli, a circuito stampato, a strati multipli, a linee fini e ad elevata densit?. Nel metodo per la fabbricazione di complessi a pannello, a circuito stampato, a strati multipli, viene formato un pannello a circuito stampato presentante un disegno circuitale conduttivo annegato in, ed integrale con un substrato di materiale isolante,in modo tale che la superficie del disegno circuitale conduttivo possa risultare esposta lungo una super_

ficie del substrato e possa risultare a livello e

complanare con la stessa. Almeno due di tali pannelli vengono accatastati, con uno strato di materiale

isolante, interposto fra ogni coppia di pannelli

adiacenti. L?intero complesso viene pressato a caldo,

in modo tale da formare un blocco omogeneo di materia^

le isolante presentante disegni circuitali conduttivi

annegati ed integralmente stampati nello stesso.

DESCRIZIONE DELL'INVENZIONE

La presente invenzione include un metodo di fabbricazione di pannelli a circuito stampato,

densi ed a linee fini e di complessi a pannello, a circuito stampato, a strati multipli .e si riferisce pure a pannelli circuitali ed unit? complete formati in conformit? a detto metodo.

Deve essere rilevato che esistono vari meto_

di per la fabbricazione di pannelli a circuito stampa_

to, tali metodi venendo estensivamente adottati nell?industria elettronica. L'avvento dei circuiti integrati su grandissima scala ("VLSI" - very large

scale integrated) ha creato una richiesta sempre

crescente per densit? dei componenti sempre maggiori,

per unit? di area del pannello a circuito stampato.?

Per soddisfare questa domanda crescente, i pannelli a

circuito stampato devono venire fabbricati con spa

ziature e larghezze delle linee conduttrici estremalmente contenute, A causa delle limitazioni che si ri_ scontrano intrinsecamente nei metodi proposti dalla tecnologia anteriore, questi pannelli non possono soddisfare le richieste dell'industria per pannelli a cir_ cuito stampato, a pi? strati, con rese di valore elevato, che posseggano una buona stabilit? dimensiona__ le e spaziature e larghezze delle linee sempre minori.

Quantunque esistano vari metodi noti e quantun^ que questi metodi vengano comunemente adottati nella fabbricazione dei pannelli a circuito stampato, i metodi pi? largamente accettati comportano l'impiego di una tecnica di attacco. Tipicamente, questi metodi includono le fasi di rivestimento di una base di un materiale elettricamente isolante,con un foglio di rame conduttivo, di collocazione di un materiale pro_ tettivo fotosensibile (fotoresist) in intimo contatto con detto foglio, di sviluppo del materiale protettivo fotosensibile, allo scopo di definire un disegno circuitale conduttivo sullo stesso e di eliminazione, per attacco, delle parti esposte del foglio, non coperte dal materiale protettivo fotosensibile,in modo tale da ottenere un disegno circuitale conduttivo in rilievo.

Questo metodo proposto dalla tecnologia anteriore crea parecchi problemi poich?* i disegni conduttivi non sono a livello della superficie del pannello cir_ cuitale per cui una linea conduttiva pu?? venire facilmente graffiata durante la movimentazione, con conseguente probabilit? di ottenimento di complessi a circuito aperto- Inoltre, il conduttore di rame pu?* scheggiarsi e disporsi a ponte attraverso condut_ tori adiacenti, provocando in tal modo la formazione di cortocircuiti.

Inoltre, la fase di attacco condotta in accor_ do con il metodo proposto dalla tecnologia anteriore, pu?* pure creare un*ampia variet? di irregolarit? e di difetti nel complesso circuitale stampato. L'at_ tacco pu?* comportare un attacco eccessivo di un conduttore in prossimit? della propria base, con con_ seguente sottosquadro del conduttore, con conseguente formazione di una sezione disuniforme sagomata a fungo. Inoltre, il materiale protettivo fotosensibile pu?* divenire intrappolato al di sotto delle sporgenze della sezione a fungo,impedendo 1?eliminazione, per attacco, del foglio nascosto al di sotto del materiale protettivo fotosensibile intrappolato.

Un attacco in eccesso rende estremamente difficoltoso il controllo della stabilit? delle linee fini e della larghezza delle linee, man mano che la larghezza delle linee, la larghezza delle spaziature e le tolleranze assumono valori inferiori. Pertanto, i metodi di fabbricazione di attacco possono comportare l'insorgere di difetti multipli nelle linee conduttive, con conseguente significativa riduzione delle rese dei pannelli e con conseguente aumento degli scarti dei pannelli circuitali e questo, ovviamente, comporta un aumento dei costi finali di produzione.

La piattezza e la stabilit? dimensionale dei pannelli rappresentano importanti caratteristiche per garantire che il complesso circuitale possa mantenere un'interconnessione conduttiva continua con i conduttori dei componenti e con i pannelli circuitali adiacenti. Tuttavia, le fluttuazioni della temperatura e della pressione che si riscontrano durante la laminazione, provocano una deformazione dei pannelli, creando in tal modo notevoli solle_ citazioni nel complesso circuitale stampato montato sulle rotaie dell?apparecchiatura. Queste sollecitazioni provocano una rottura e/o un allontanamento dei conduttori dal substrato fabbricato con l?ausilio dei metodi proposti dalla tecnologia specifica, poich?' gli stessi presentano una scarsa duttilit? e non vengono disposti a livello con il pennello circuitale.

La qualit? e la stabilit? dei complessi a pannello circuitale, a strati multipli, risultano pure limitati dai metodi di fabbricazione proposti dalla tecnologia anteriore. Per la realizzazione di questi complessi, gli strati di isolamento per l?unione con le laminazioni debbono venire interposti fra gli strati di pannelli circuitali, allo scopo di riempire i vuoti fra le linee conduttive in rilievo ed il substrato del pannello circuitale.

Il riempimento dei vuoti richiede l?impiego di pres_ sioni di valore elevato, durante il processo di larminazione e questo, ovviamente, pu?' distoreere, distruttivamente, le linee conduttive. Inoltre, anche l?impiego di pressioni di valore molto elevato non pu?' garantire che il laminato possa riempire tutti i vuoti. Infine, rimangono parecchi vuoti entro il complesso a pi? strati finito, tali vuoti costituendo elementi suscettibili di deposito di impurezze. Queste impurezze possono provocare la formazione di cortocircuiti dal punto di vista elettrico. Inoltre, gli strati di unione delle laminazioni ed i substrati dei pannelli circuitali possono presentare una composizione differente poich?' gli stessi vengono spesso alimentati da fabbricanti differenti, possono essere realizzati con l?impiego di resine differenti o possono provenire da lotti di fabbricazione differenti? Conseguentemente, il complesso multistrato finito non e' omogeneo? La mancanza di omogeneit? rende difficoltosa la scelta di appropriate velocit? di perforazione e la scelta degli angoli di perforazione nell?ottenimento dei fori attraverso i vari strati. In alcuni casi,la velocit? di perforazione risulta troppo elevata per la perforazione del rame, provocando in tal modo strappi nello stesso quantunque tale velocit? possa rappresentare la velocit? richiesta per pra_ ticare fori attraverso l?isolante? Pertanto, alcuni degli strati verranno rotti,mentre altri risulteranno lisci mentre alcuni si presenteranno estremamente disuniformi, contribuendo in tal modo all'ottenimento di una qualit? degradata dei pannelli con un aumento del costo unitario?

L?ottenimento di una elevata densit? nei complessi circuitali stampati richiede pure la collocazione di un rivestimento conduttivo uniforme e continuo su fori di piccolo diametro che vengono praticati attraverso complessi a pi? stra_ ti per le interconnessioni ed i terminali dei componenti. Una tecnica largamente nota nel campo specifico, per l'ottenimento di fori con pareti conduttive er rappresentata dalla placcatura non comportante l'impiego di energia elettrica, in modo tale che un deposito di metallo, normalmente di rame, possa venire uniformemente riportato, senza l'ausilio di energia elettrica, sui substrati di pannelli di materiale dielettrico. Questa tecnica comporta lo svantaggio consistente nel deposito di un rivestimento presentante scarse qualit? di adesione ,per cui vengono richieste fasi supplementari per garantire l'ottenimento dell'adeguata adesione richiesta. Un'altra tecnica consiste nell'applicazione di un sottile rivestimento sulla parete del foro, senza l'ausilio di energia elettrica, con successiva elettroplaccatura per la formazione ulte_ riore di una superficie conduttiva. Tuttavia, le classiche tecniche di elettroplaccatura, o elettrodeposizione non consentono l'accesso a fori presentan_ ti piccoli diametri e notevoli profondit?, come richiesto da complessi circuitali stampati, ad eleva_ ta densit? e presentanti linee fini. Conseguentemente, la tecnologia anteriore comporta il rivestimento di fori di piccolissimo diametro, dell'ordine di 0,0115 pollici (o,292 mm), o di valore inferiore, operando totalmente con l'ausilio di un processo non comportan_ te l'impiego di energia elettrica, tali processi ri_ chiedendo ima quantit? sostanziale di tempo di tratta mento, dell'ordine di 24 ore, o pi??

SOMMARIO DELL1INVENZIONE

La presente invenzione si riferisce ad ini metodo di fabbricazione di pannelli a circuito stampato, ad alta densit?, a linee fini e di complessi a pannello circuitale stampato? Uno strato flash di materiale conduttivo costituito, preferibilmente, da rame, viene elettrodepositato su di un substrato rigido di metallo o metallizzato, presentante un basso coefficiente di dilatazione termica. Un certo spessore di materiale protettivo fotosensibile viene depositato sul primo strato,per mezzo di un processo di serigrafia o con l'ausilio di qualsiasi altro metodo noto nella tecnologia specifica. Una maschera viene quindi collocata sul materiale protettivo fotosensibile, allo scopo di definire un disegno circuitale conduttivo sulla superficie del materiale protettivo fotosensibile. La maschera viene quindi esposta alla luce ed il "resist" viene sviluppato. Operando in questo modo verranno formati dei canali presentanti pareti diritte e parallele di "resist" definenti il disegno circuitale conduttivo duplicante la fotomasche_ ra, in modo tale da esporre lo strato di materiale conduttivo ?

Un secondo strato di materiale conduttivo viene formato sulle porzioni fisicamente esposte del pri_ mo strato di materiale conduttivo entro i canali, in modo tale da formare un disegno circuitale conduttivo in rilievo presentante uno spessore che non supera la profondit? dei canali* Il rimanente mate_ riale protettivo fotosensibile viene quindi rimosso dal primo strato di materiale conduttivo*

Lo strato di materiale conduttivo per primo depositato ed il secondo strato definente un disegno circuitale conduttivo in rilievo, vengono completamente ricoperti di uno strato uniforme di materiale isolante laminato* Viene applicata una determinata pressione in modo tale da incorporare completamente i conduttori sollevati nel mate_ riale isolante, in modo tale che il primo strato di materiale conduttivo possa rimanere in contatto in_ timo e continuo con il materiale isolante*

Il primo strato conduttivo, integrato con il disegno circuitale conduttivo in rilievo ed il mar? teriale isolante, viene separato dal substrato rigi_ do. Il primo strato conduttivo viene quindi elimina^ to per attacco,in modo tale che il disegno circu?^ tale conduttivo annegato nel materiale isolante possa venire esposto come a livello e complanare con la superficie del materiale isolante* Possono venire formati pannelli a circuito stampato presentanti opportuni conduttori annegati, esposti su di un singolo lato. Tuttavia, se desiderato, e? possibile fabbricare un pannello circuitale con due lati attivi, mediante termopres_ satura di due pannelli circuitali stampati, parte posteriore contro parte posteriore, o mediante

suinegamento dei conduttori su entrambi i lati di un singolo pannello.

I pannelli circuitali completati vengono accatastati, o impilati, con uno strato di materiale isolante di unione con i laminati, interposto fra ogni strato del pannello a circuito stampato.

Gli strati multipli del complesso circuitale stampato ed il materiale isolante interposto, vengono pressati fra di loro, a caldo, in modo tale da formare un complesso, o "package" omogeneo di materiale isolante, con i disegni circuitali conduttivi annegati nello stesso.

Per preparare i pannelli per i componenti e le interconnessioni, vengono praticati fori opportuni attraverso il complesso omogeneo. I fori vengono rivestiti di un sottile strato di materiale conduttivo costituito, preferibilmente, da rame, adottando vui metodo di rivestimento non comportante l'impiego di energia elettrica,in modo tale da ottenere un substrato conduttivo per l'elettrodeposizione, sullo stesso, di un ulteriore materiale conduttivo.

Utilizzando un apparato di elettrodeposizione ad elevata velocit? d'urto, sulle pareti dei fori e' possibile riportare un materiale conduttivo, continuo e di spessore uniforme.

Uno scopo principale dell'invenzione e' quello di fornire un metodo per la fabbricazione di complessi circuitali stampati, a linee fini, ad elevata densit?, in modo tale che il disegno circuitale conduttivo possa disporsi a livello con, ed allineato con il proprio substrato isolante.

Un ulteriore scopo e? quello di fornire un metodo di fabbricazione di un complesso circuitale stampato, a linee fini, ad elevata densit?, in modo tale che le linee conduttive possano presentare migliori caratteristiche di duttilit?.

Un ulteriore scopo della presente invenzione e' quello di fornire un metodo per la fabbri^ cazione di un complesso circuitale stampato, a linee fini, ad elevata densit?, caratterizzato da una maggior stabilit? dimensionale.

Un ulteriore scopo dell'invenzione e' quello di fornire un metodo di fabbricazione di un complesso circuitale stampato, a linee fini, ad elevata densit? realizzato in modo tale che i circuiti conduttivi possano presentare una larghezza uniforme lungo la sezione corrispondente.

Un ulteriore scopo dell?invenzione e? quello di fornire un metodo per la fabbricazione di complessi a pannello circuitale stampato, a strati multipli, a linee fini, di elevata densit?, con un materiale isolante uniforme, caratterizzati da una piattezza, da una stabilit?, da assenza di ondularzioni e da assenza di vuoti'

Un ulteriore scopo dell?invenzione e' quello di fornire un metodo per la fabbricazione di complessi a pannello a circuito stampato, a linee fini, di elevata densit?, presentanti fori passanti, di piccolo diametro, con uno spessore della parete conduttiva uniforme e continuo.

Altri scopi dell'invenzione risulteranno pi? evidenti dall?analisi della seguente descrizione dettagliaia,la quale deve essere considerata in unione ai disegni allegati, nei quali i vari numeri di riferimento uguali si riferiscono a parti uguali nelle varie figure.

BREVE DESCRIZIONE DEI DISEGNI

La figura 1 costituisce una vista laterale di un substrato con un primo strato depositato sullo stesso;

la figura 2 costituisce una vista laterale del substrato schematizzato nella figura 1, presentante uno strato di materiale protettivo fotosensibile depositato sullo stesso;

la figura 3 rappresenta una vista prospettica del complesso schematizzato nella figura 2, con una fotomaschera allineata sullo stesso;

la figura 4 costituisce una vista prospettica, considerata presa lungo la linea 4?4 della figura 3, illustrante i canali rettangolari definenti un disegno circuitale conduttivo sviluppato nello strato di materiale protettivo fotosensibile, dopo la rimozione della fotomaschera;

la figura 5 costituisce una vista laterale delle linee conduttive in rilievo depositate entro i canali di materielle protettivo fotosensibile, sul primo strato depositato, tale vista essendo considerata presa lungo la linea 4-4 della figura 3;

la figura 6 rappresenta una vista prospettica del disegno circuitale conduttivo in rilievo rappresentato nella figura 5, dopo la rimozione del mate_ riale protettivo fotosensibile rimanente;

la figura 7 rappresenta una vista considerata presa lungo la linea 4?4 della figura 3, illustrante uno strato isolante laminato che ricopre il disegno a circuito conduttivo in risalto ed il primo strato depositato della figura 6;

la figura 8 costituisce una vista presa lungo la linea 4-4 della figura 3, illustrante il complesso schematizzato nella figura 7? rimosso dal substrato rigido;

la figura 9 rappresenta una vista in pianta, dall'alto, del complesso a pannello, a circuito stampato schematizzato nella figura 8, con il primo strato depositato eliminato mediante attacco, in modo tale da esporre il disegno circuitale conduttivo annegato in, ed allineato a livello con il lamina^ to isolante;

la figura 10 costituisce una sezione del pannello a circuito stampato, tale vista essendo consi_ derata presa lungo la linea 9-9 della figura 9?

la figura 11 costituisce una vista laterale di un complesso a pannello, a circuito stampato, presentante opportuni fori di allineamento di tipo passante ;

la figura 12 rappresenta una sezione prospettica illustrante pannelli circuitali stampati multipli e strati isolanti laminati interposti fra le stesse* tali elementi essendo accatastati l'uno sull'altro, su di una pressa di tipo tradizionale;

la figura 13 costituisce una vista prospettica illustrante un complesso a pannelli a circuiti stampati, a pi? strati, di tipo omogeneo, proposto dall?invenzione; e

la figura 14 costituisce una vista prospettica parziale illustrante strati elettrodepositati e riportati senza l'ausilio di energia elettrica, ottenuti su di un foro passante, o di interconnessione, conforme all?invenzione.

DESCRIZIONE DETTAGLIATA DELL'INVENZIONE facendo riferimento specifico alla figura 1 pu?' essere rilevato che un substrato 10 e' formato da un materiale appropriato costituito, ad esempio, da acciaio inossidabile,tale materiale presentando una superficie metallizzata per la ricezione di un sottilissimo strato di materiale elettrodepositato. Nella versione preferita, il substrato ? formato da un metallo

rigido o da una piastra metallizzata. Tuttavia, e' possibile l'impiego di parecchie altre composizioni di materiale, di tipo rigido, presentanti caratteristiche appropriate ossia, ad esempio, e' possibile l'impiego di un vetro metallizzato ossia, ad esempio, e' possibile utilizzare vetro Pyrex metallizzato, presentante un bassissimo coefficiente di dilatazione termica. Il substrato deve presentare un basso coefficiente di dilatazione termica per garantire che quando un conduttore viene collocato sullo stesso, questo conduttore non debba spostarsi o allontanarsi dalle proprie posizioni

di progetto, a causa della dilatazione termica del substrato, provocata durante una successiva fase di pressatura# Un velo di materiale elettricamente conduttivo 12, preferibilmente di rame, viene elettrodepositato sul substrato 1C. Il sottilissimo strato di rame 12 viene utilizzato come strato di base sul qua_ le viene ottenuta, successivamente, l'elettrorivestimento delle linee conduttive. Questo sottilissimo strato viene pure utilizzato come materiale di distac_ co per separare il circuito stampato dal substrato di acciaio inossidabile 10, dopo il completamento della fase di formazione del pannello a circuito stampato ,secondo quanto verr? in seguito descritto in dettaglio.

Lo strato 12 presenta uno spessore minimo possibile poich?' le caratteristiche di trasferimento del calore di un sottilissimo strato tendono a provocare un?accelerazione della dissipazione del calore durante il riscaldamento, con conseguente aumento del? la stabilit? dei conduttori di linea. Conseguentemente sottilissimo strato presentante uno spessore

di soli 0,0001 - 0,0002 pollici (2,54 - 5,08 ^um)

viene depositato sul substrato, nella versione preferita dell?invenzione. Inoltre, un sottilissimo

strato consente un notevole risparmio di rame. Il rivestimento sottile, per elettrodeposizione, viene

ottenuto utilizzando un apparato di elettrodeposi_

zione comunemente noto come apparato di deposizione

ad alta velocit? d?urto, secondo quanto descritto

nel brevetto statunitense No,4*174*261, tale apparato essendo noto con la denominato RISP, ed essendo posto in commercio da Economics Laboratory,Inc.,

Osborn Building, St.Paul, Minnesota,55102. - U.S.A. -Alternativamente, e? possibile l?impiego di qualsiasi apparato classico di elettrodeposizione per

applicare il sottilissimo strato di rame al substrato.

Tuttavia, deve essere rilevato che classici appa_

rat i per elettrodeposizione non possono consentire,in generale, l?ottenimento del rivestimento estremamente sottile contemplato dall?invenzione, senza provocare l?insorgere dei classici "fori di spillo" ed altre imperfezioni e, pertanto, non e' preferibile l?impiego di

altri apparati.

Viene desiderata una bassa pressione di con

tatto in corrispondenza dell?interfaccia fra il sottilissimo strato, o strato "flash" ed il sub_ strato, allo scopo di facilitare la separazione del sottilissimo strato dal substrato? E' possibile ottenere una bassa pressione di contatto impie_ gando materiali dissimili per la realizzazione del sottilissimo strato e del substrato ossia, ad esempio, ed in senso non limitativo, e' possibile l'impiego di un sottilissimo strato di rame con un substrato di acciaio inossidabile,come si verifica nella versione preferita dell'invenzione? Alternativamente, e' possibile l'impiego di materiali presentanti superfici similari se uno qualsiasi dei due materiali viene rivestito di una impurezza per la riduzione dell'adesione in corrispondenza della loro interfaccia?

Nel metodo preferito conforme all'invenzione, il complesso circuitale stampato pu?' venire realizzato su di un lato del substrato di acciaio inossidabile,quantunque per applicazioni multistrato, lo stesso possa venire fabbricato su entrambi i lati del substrato. Questo facilita l'ottenimento di una resa produttiva massima e consente una utilizzazione ottimale dell'apparato di elettrodeposizione e di altri apparati impiegati nel metodo proposto ?

Facendo riferimento generale alle figure 2-5' deve essere rilevato che uno strato di materiale protettivo fotosensibile, o "resist" 14 costituito, ad esempio, dal prodotto Dryfilm posto in commercio dalla Dupont, viene applicato alla superficie del sottilissimo strato di rame 12 sul substrato 10, utilizzando tecniche ben note nel settore specifico. Il materiale protettivo fotosensibile pu?' essere positivo,in modo tale da potersi sciogliersi quando esposto alla luce, oppure negativo, vale a dire

in grado di non sciogliersi quando esposto alla luce. Una fotomaschera 16 definente un disegno circuitale conduttivo 18, viene collocata sulla parte superiore dello strato di materiale protettivo fotosensibile 14, adottando tecniche ben note nel settore specifico. La fotomaschera 16 viene allineata e portata in contatto continuo con la superficie del materiale protettivo fotosensibile 14, allo scopo di garantire una elevata risoluzione del disegno circuitale conduttivo sulla superficie del materiale protettivo fotosensi_ bile 14. La fotomaschera consente di mascherare la superficie dello strato di materiale protettivo foto_ sensibile 14? in modo tale che quando lo stesso viene esposto alla luce, possano venire esposte le sole aree nelle quali devono venire definiti i conduttori. Dopo che la fotomaschera 16 e' stata esposta alla luce, la stessa viene rimossa ed il materiale protettivo fotosensibile 14 viene sviluppato uti_ lizzando uno sviluppatore reperibile in commercio e costituito, ad esempio, dal prodotto Resist Stripper fabbricato dalla Dupont. Conseguentemente, vengono formate opportune cavit? 20 nelle aree in cui si e? verificata la dissoluzione del materiale protettivo fotosensibile 14? in modo tale da esporre il sottilissimo strato di rame 12 in precedenza ricoperto da detto materiale protettivo fotosensibile 14? in accordo con ildisegno circuitale conduttivo definito 13. Le pareti delle cavit? 20 sono parallele fra di loro e perpendicolari al substrato 10,in modo tale da formare canali essenzialmente rettangolari che decorro_ no entro la parte rimanente del materiale protettivo fotosensibile 14 non disciolto,in accordo con il disegno circuitale originale conduttivo 18 definito dalla fotomaschera 16*

L'intero complesso viene quindi collocato in un apparato di elettrodeposizione ad alta velocit? d'urto il quale, nel metodo preferito conforme all'in_ venzione, e' rappresentato dall'apparato RISP precedentemente definito, fabbricato da Economics

Laboratory,Inc.,St.Paul,Minnesota - U.S.A. - Un materiale conduttivo 26 costituito, ad esempio, da rame, viene elettrodepositato sul sottilissimo strato di rame esposto 12,in corrispondenza della parte di

fondo dei canali rettangolari 20, anzich?? utilizzare il metodo di attacco sottrattivo,in accordo con la tecnologia anteriore? Il materiale elettrodepositato 26 viene accumulato entro i canali, sino ad uno spessore desiderato pari, all#incirca, a 1,2 - 15 mil

^ y

sino a y di spessore di rame per , detto spessore venendo selezionato in modo tale da impedire la formazione di una configurazione a fungo del materiale elettrodepositato, come si verifica nella tecnologia anteriore. Tuttavia, in ogni caso, lo spessore non deve mai superare la profondit? dei canali. La fase supplementare di elettrodeposizione consente ^ottenimento di linee conduttive 26 presentan ti pareti laterali diritte e perpendicolari con una larghezza in sezione di valore uniforme, facilitando in tal modo la risoluzione delle linee fini e rendendo possibile un facile controllo delle larghezze delle linee e delle densit?, di dimensioni estremamente strette. L'uso dell?apparato KXSP precedentemente definito consente il rivestimento delle linee conduttive con una velocit? ed una uniformit? considerevolmente migliori di quanto ottenibile con le classi^

che tecniche di elettrodeposizione. Inoltre, 1?elettrorivestimento ad elevata velocit? d'urto consente di

produrre un conduttore molto duttile che consente

l 'impedimento della formazione ci difetti ed anomal?e in linee conduttive con sezioni molto strette.

Facendo ora riferimento generale alle figure

5-8 , deve essere rilevato che lo strato di materiale protettivo fotosensibile viene asportato chimicamente dalla superficie del sottilissimo strato di

rame 12, in modo tale da esporre le linee .del circuito

.conduttivo 26, ottenute per elettrodeposizione e costituenti un circuito in rilievo nel disegno 18.Uno strato di materiale isolante 32 costituito, ad esempio, da uno

strato di fibre di vetro rivestito di resine epossi^

diche, viene laminato sullo strato di rame 12, in

modo tale da ricoprire completamente questo sotti_

lissimo strato di rame 12 ed il disegno circuitale

conduttivo in rilievo 18? Vengono utilizzati materiali isolanti termoindurenti costituiti, ad esempio,

da fibre di vetro rivestite di resina epossidica,, in

virt? del loro basso costo e delle loro buone caratteristiche nei confronti delle variazioni di tempera

tura? Se non viene impiegata una fibra di vetro rivestita di resina epossidica, e' possibile l?impiego di materiali alternativi costituiti, ad esempio, da polipropilene, materiali fendici o da Teflon, fabbricato dalla Dupont?

Lo strato di materiale isolante 32 viene laminato sul disegno circuitale conduttivo 18 e sul sottilissimo strato di rame 12 per mezzo dell'applica^ zione di calore e di pressione, secondo quanto richiesto per il materiale laminato scelto, tale applicazione venendo condotta con una pressa rigida di laminazione costituita, ad esempio, dalla pressa prodotta dalla Pasadena Hydraulic di E1 Monte, California, U.S.A. - Quando viene impiegata fibra di vetro rivestita di resina epossidica, questa fase di laminazione pu?' venire condotta con una pressione compresa, approssimativamente, fra 50 e 250 libbre per pollice (3,52 - 17,57 kg/cm ), dipendentemente dall'armatura del tessuto di vetro-Deve essere rilevato che strati di vetro di spessore maggiore richiedono una pressione di valore superiore per la stabilizzazione della resina epos_ sidica nell'armatura, operando ad una temperatura pari, approssimativamente, a 425 gradi Fahrenheit (218,3eC). Il materiale isolante 32 scorre quindi e riempie completamente tutti i vuoti fra le linee

conduttive in rilievo, tale materiale unendosi

pure, in modo appropriato, con i conduttori. Il ma_

teriale isolante 32 dovrebbe presentare uno spessore

uniforme,in modo tale che le linee conduttive 26 del

disegno circuitale 18 possano venire completamente

ricoperte dal materiale isolante. Il materiale isolante 32 nel quale risulta annegato il disegno cir_

cuitale conduttivo 18 e che risulta unito al sottilissimo strato di rame 12, viene separato manualmente

dalla superficie del substrato 10. Il sottilissimo

strato di rame 12 viene quindi rimosso dal mate__

riale isolante 32 adottando classiche tecniche di

attacco o impiegando un apparato di attacco ad elevata velocit? d?urto,in modo tale da esporre i conduttori 26 del disegno 18 annegati nel materiale

isolante.

Le figure 9 e 10 illustrano il risultante

pannello circuitale stampato prodotto in conformit? con l?invenzione indicato genericamente in 36. In conformit? a quanto illustrato nella figura 10,i conduttori

26 del disegno circuitale 18 risultano a livello con la superficie 34 del materiale isolante 32 e complanare con la stessa, mentre non presenta alcun bordo o alcuna super_

ficie sporgente. Pertanto, il disegno circuitale

conduttivo 18 risulta completamente limitato e non pu?' quindi muoversi? Questo contrasta con le tendenze al galleggiamento o allo spostamento che si riscontrano nei complessi circuitali stampati, fabbricati con l'ausilio dei metodi proposti dalla tecnologia anteriore, i cui disegni circuitali conduttivi risultano in rilievo, vale a dire sollevati al di sopra di una base di materiale isolante. La configurazione conduttiva, annegata, derivante dal metodo proposto dalla presente inven_ zione, consente l'ottenimento di un complesso dura_ turo e notevolmente stabile, il che conduce alla fabbricazione di fogli continui, di notevole larghezza, di complessi circuitali stampati, con tolleranze estremamente strette.

L'ossido creato sui conduttori di rame

non si lega molto bene al materiale isolante.

Conseguentemente , l'intero pannello 36, comprendente il disegno circuitale conduttivo 18, viene immerso in un bagno chimico rappresentato da quello reperibile in commercio con il nome commerciale Macublack della McDermott di Waterbury, Connecticut, U.S.A. Il rivestimento chimico migliora le qua_ lit? di adesione del laminato, garantendo ulteriormente che nel caso di accatastamento dei pan nelli, la superficie di rame di un pannello possa aderire alla superficie laminata di un pannello adiacente. Questo risulta particolarmente importante per pannelli dotati di superfici che espongono prevalentemente un disegno di rame e, pertanto, una quantit? minima di laminato, come si verifica nei pannelli per alimentatori ed in pannelli di massa.

In corrispondenza di questo stadio del processo proposto dall'invenzione, risulta completato uno strato singolo 36 di complesso circuitale stampato. Dopo tale fabbricazione del complesso circuitale stampato con i disegni conduttivi desiderati, e' possibile la realizzazione di complessi circuitali stampati, a strati multipli. Uno strato di materiale isolante 44 viene interposto fra ogni strato

del complesso circuitale stampato 36. Questo materiale

isolante 44 presenta la stessa composizione del materiale impiegato nella struttura laminata del complesso circuitale stampato. Pertanto, vari strati di pannelli a circuito stampato possono venire impilati l'uno sull'altro, con l'interposizione dei corrispondenti strati di materiale isolante 44 inter_ posti fra i vari strati di pannelli circuitali stampat?

Facendo riferimento generale alle figure 9- 13? pu?' essere rilevato che opportuni fori di allineamento 38 vengono praticati attraverso ogni pannello circuitale stampato 42 ed attraverso ogni strato di isolamento 44 che verranno inclusi nel complesso circuitale stampato a strati multipli? Un sistema di osservazione, guidato otticamente costituito, ad esempio, da un sistema prodotto dalla Sportonics, di Rockford, Illinois, U.S.A., consente di stabilire i punti in corrispon denza dei quali devono essere praticati i fori, con successiva perforazione attraverso i vari punti prestabiliti, in modo tale che possa verificarsi la presenza di un foro per ogni punto stabilito. I fori di allineamento 38 rappresentano parte dei mezzi di montaggio che consentono l'accatastamento dei pannelli a circuito stampato 36 e degli strati di isolamento 44 su opportune colon nine di supporto 46, in modo tale che gli strati multipli di pannelli a circuito stampato possano allinearsi esattamente fra una coppia di piastre di pressione 48, soltanto una delle quali ? stata illustrata.

Gli strati multipli 36 costituenti i vari pannelli a circuito stampato, con il materiale isolante 44 interposto fra gli stessi, vengono pressati fra di loro fra la coppia di piastre di pressione 48 , operando su di una pressa di tipo tradizionale, ad una temperatura compresa fra 375 e 425? Fahrenheit (190 - 218?C), ad una pressione di circa 250 libbre/pollice (17,5 kg/cm ) fper formare una unit? multistrato 54? Tuttavia, nella versione preferita, quando viene impiegata una pressione di 50 libbre/pollice (3,52 kg/cm ) per esercitare la pressione in questione su di uno strato singolo, viene adottata la stessa pressione entro l?intero processo.

I complessi a circuito stampato multipli, proposti dalla tecnologia anteriore, presentano spesso degli strati comportanti l'impiego di mate_ riali isolanti con differente composizione oppure realizzati in cicli di fabbricazione differenti. La fabbricazione dei complessi a pannello circuitale stampato, a strati multipli, in conformit? con i principi della presente invenzione consente l'impiego di strati di materiale isolante interposti fra di loro, come pure l'impiego di una base laminata degli strati dei pannelli a circuito stampato dello stesso materiale. Questo si traduce nell'ottenimento di una struttura presentante un materiale omogeneo e continuo quando gli strati vengono pres_ sati a caldo fra di loro, per la formazione del complesso di pannelli a circuito stampato, a pi? strati. Inoltre, poich?' gli strati di pannelli circuitali stampati, realizzati in accordo con il metodo proposto dall 'invenzione, risultano a livello, nel senso che non presentano ne' sporgenze, ne' cavit?, la fabbricazione del complesso multistra_ to viene ottenuto senza vuoti o altre irregolarit? che potrebbero verificarsi nella struttura finale. Inoltre, poich?' la superficie di ogni strato di pannello circuitale risulta a livello, e' possibile adottare una pressione di valore inferiore per la realizzazione del complesso finale multistrato. Il vantaggio dell'impiego di queste pressioni di basso valore e' rappresentato dal fatto che vengono evitate ondulazioni o distorsioni del complesso durante la fase di pressatura.

Nella tecnologia anteriore, lo spostamento ed il galleggiamento interno derivanti dall'impiego di pressioni di valore elevato durante la fase di fabbricazione del complesso a pi? strati, pone delle significative limitazioni sul numero di strati di pannelli circuitali che potrebbero formare un singolo complesso, o "package" a pi? strati. In conformit? ai principi della presente invenzione, la combina_ zione dello sviluppo di un materiale isolante omogeneo nel complesso, unitamente all'eliminazione dei vuoti attraverso l'impiego di complessi circuitali stampati "a livello", consente di aumentare sostanzialmente il numero di strati di pannelli circuitali stampati che possono venire pressati in un singolo complesso. Il metodo proposto dall'invenzione e' stato regolarmente concretizzato per un massimo di 22 strati di pannelli e per un massimo di 4C strati su di una base pi? limitata.

Tuttavia, il metodo non deve essere considerato in tal modo limitato polche' e' possibile la fabbricazione di complessi presentanti anche un numero maggiore di pannelli, adottando il metodo proposto dall 'invenzione.

Facendo riferimento alla figura 14 attraverso il complesso, o unit? integrata a pi? strati 44 vengono quindi formati i fori 58 di interconnessione e per i terminali dei componenti, adottando classici mezzi perforatori. Questi fori presentano diametri genericamente compresi fra 0,0115 e 0,093 pollici (0,298 - 2,362 mm). I fori vengono quindi opportunamente puliti allo scopo di eliminare i trucioli derivanti dall'operazione di foratura, utilizzando mezzi di pulitura molte noti nella tecnologia specifica, o adottando un apparato di rivestimento ad elevata velocit? d'urto.

Come illustrato genericamente nella figura 14, uno strato di rame 56 presentante uno spessore di 0,000050 pollici (1,27 ?m) viene depositato sulle pareti del foro 58 adottando un classico processo

di rivestimento non comportante l'impiego di energia elettrica. Questo deposito di rame viene utilizzato come base,in modo tale da ottenere una condut_ tivit? sufficiente al convogliamento di una corrente sostanziale associata al processo di elettrolisi.

Deve essere rilevato che se questo strato di rame

e' troppo sottile,lo stesso viene eliminato,per bruciatura, a causa del calore generato durante l?elettrolisi.

Anche in questo caso, i fori vengono rivestiti e risciacquati, allo scopo di rimuovere le impurezze e la sporcizia superficiale.Un secondo strato di rame 60 viene quindi aggiunto elettroliticamente,utilizzando l?apparato di rivestimento ad elevata velocit?

d?urto, in modo tale da ottenere il rivestimento desiderato di materiale conduttivo lungo le pareti

del foro 53. E? opportuno l'impiego dell?apparato

di rivestimento ad elevata velocit? d?urto,poich??

i classici mezzi di elettrodeposizione non possono accedere ai fori di notevole lunghezza e di piccolo diametro per l'ottenimento di un buon strato conduttivo.

Inoltre, l?impiego dell'apparato di elettrodeposisione, ad elevata velocit? d'urto, consente l'ot_ tenimento di un rivestimento di rame presentante migliori caratteristiche di duttilit?? Pertanto, la dilatazione termica, o altre dilatazioni lungo l'asse verticale del foro non provocheranno rotture nella superficie di materiale conduttivo, eliminando in tal modo il pericolo di interruzioni del flusso di corrente?

L'invenzione in oggetto consente la fabbrica^ zione di linee conduttive presentanti larghezze e spaziature fra le stesse, dell'ordine di 2 mil (0,0508 mm) con 40 strati nell'unit? integrata, o con un numero maggiore di tali strati, con fori passanti presentanti un diametro dell'ordine di 5 mil (0,127 mm).

Quantunque siano state illustrate e descritte determinate forme pratiche realizzative dell'inven_ zione, deve essere sottolineato il fatto che l'invenzione non e' limitata a queste forme pratiche realizzative. Conseguentemente, agli esperti del settore specifico, risulter? del tutto evidente che all'invenzione in oggetto possono essere apportate varie modifiche nella forma e nei dettagli, senza scostarsi dallo spirito e dallo scopo dell'invenzione?

Claims

RIVENDICAZIONI

1 . Metodo per la fabbricazione di un pannello a circuito stampato comprendente le seguenti fasi ??

(a) formazione, per via elettrolitica, di un sottile primo strato uniforme, relativamente privo di fori di spillo, di un materiale conduttivo, su di un substrato rigido, omogeneo e lucidato, presentante una superficie conduttiva, in cui esiste una bassa pressione di contatto fra il primo strato e la superficie del substrato;

(b) deposito di un materiale protettivo fotosensibile su detto primo strato di materiale conduttivo ;

(c) mascheratura del materiale protettivo fotosensibile con una fotomaschera, allo scopo di definire un disegno circuitale conduttivo sulla superficie del materiale protettivo fotosensibile;

(d) esposizione del materiale protettivo fotosensibile mascherato alla luce;

(e) dissoluzione di quelle porzioni del materiale protettivo fotosensibile che corrispondono al disegno circuitale conduttivo, formando cavit? tridimensionali nel materiale protettivo fotosensibile, in modo tale da esporre detto primo strato di materiale conduttivo in accordo con detto disegno circuitale;

(f) formazione, per via elettrolitica, di un secondo strato di materiale conduttivo, corrispondente a detto primo materiale conduttivo, sulle porzioni esposte di detto primo strato di materiale conduttivo, in cui un disegno circuitale conduttivo in rilievo viene formato al disopra del piano generale di detto primo strato conduttivo, conformantesi alla definizione delle cavit? tridimensionali dell'immagine del materiale protettivo fotosensibile; detto primo strato conduttivo e detto secondo strato conduttivo essendo integralmente uniti fra loro;

(g) rimozione del materiale protettivo fotosensibile in precedenza non disciolto, da detto primo strato di materiale conduttivo, in modo tale da esporre porzioni superficiali della parte superiore e della parete laterale di detto disegno circuitale conduttivo in rilievo configurato in accordo con la configurazione di detta cavit? tridimensiona le;

(h ) trattamento di almeno le porzioni superficiali superiori e a parete laterale tridimensionale di detto disegno circuitale conduttivo sollevato in modo tale da garantire un rivestimento, per conversione chimica, su dette porzioni superficiali, allo scopo di migliorare le propriet? di adesione di dette porzioni superficiali ai materiali isolanti laminati;

(i ) annegamento di detto disegno circuitale conduttivo in rilievo su detto primo strato conduttivo, entro uno spessore uniforme di materiale isolante laminato, in modo tale che il materiale laminato possa aderire saldamente a detto disegno circuitale conduttivo in rilievo attraverso l'intera tridimensionalit? di dette porzioni superficiali dello stesso;

(j ) separazione del primo strato conduttivo con detto laminato unito e detto strato conduttivo annegato dal substrato rigido; e

(k) eliminazione, mediante attacco, di detto primo strato conduttivo da detto materiale isolar te, in modo tale che il disegno circuitale conduttivo, annegato nel materiale isolante laminato risulti esposto e possa giacere a livello e complanare con la superficie del materiale isolante, con uno spessore uniforme in sezione attraverso l'intero pannello circuitale.
2. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui il disegno conduttivo in rilievo viene annegato nel materiale isolante per laminazione.
3. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui il substrato rigido presenta una superficie metallizzata e un basso coefficiente di dilatazione termica.
4. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui il primo strato di materiale conduttivo viene elettrodepositato sul substrato rigido, utilizzando un apparato di elettrodeposizione ad elevata velocit? d'urto.
5- Metodo secondo la rivendicazione 1, comprendente pure le fasi di creazione di fori conduttivi attraverso detto pannello a circuito stampato, per i componenti circuitali e le interconnessioni dei pannelli.
6. Metodo secondo la rivendicazione 1, comprendente pure le seguenti fasi:

(a) creazione di fori attraverso detto pannello a circuito stampato;

(b) rivestimento delle pareti di detto pannello circuitale formanti detti fori, con un sottile strato di materiale conduttivo; e

(c) formazione di una superficie conduttiva continua lungo le pareti di detti fori rivestiti.
7- Metodo secondo la rivendicazione 5, in cui detti fori vengono ottenuti per foratura.
8. Metodo secondo la rivendicazione 6, in cui detti fori vengono inizialmente rivestiti adottando un metodo di rivestimento non comportante l'impiego di energia elettrica per fornire un sottile substrato conduttivo, con successiva elettrodeposizione di materiale conduttivo su detto substrato conduttivo, in modo tale da formare la superficie conduttiva continua lungo le pareti dei fori rivestiti.
9. Metodo per la fabbricazione di complessi, o unit? integrate, a pannelli circuitali stampati, a strati multipli, comprendente le seguenti fasi :

(a) fabbricazione di una pluralit? di strati di pannelli a circuito stampato, in cui ogni strato viene formato mediante annegamento di un disegno circuitale conduttivo in una base di materiale isolante, in modo tale che la superficie esposta del disegno circuitale possa disporsi a livello e complanare con la superficie della base e in cui detti disegni circuitali conduttivi vengono trattati con un rivestimento per conversione chimica, in modo tale da ottenere una unione migliore fra detto disegno circuitale conduttivo e le basi di materiale isolante in cui gli stessi sono annegati;

(b) accatastamento di una pluralit? di detti strati a pannello circuitale l'uno al di sopra dell'altro;

(c) collocazione di uno strato di materiale isolante fra ogni strato di pannello circuitale a circuito stampato accatastati fra loro;

(d) unione della catasta di pannelli circuitali e degli strati interposti di materiale isolante, in modo tale da formare una unit? integrata, a pannelli circuitali stampati, a pi? strati.
10. Metodo secondo la rivendicazione 9, in cui la fabbricazione di ogni strato a pannello circuitale stampato comprende le seguenti fasi:

(a) formazione di un sottile primo strato uniforme, di materiale conduttivo, su di un substrato rigido lucidato, in cui esiste una bassa pressione di contatto fra il primo strato e il substrato;

(b ) deposito di uno spessore di materiale protettivo fotosensibile su detto primo strato di materiale conduttivo;

(c) mascheratura di detto materiale protettivo fotosensibile con una fotomaschera, in modo tale da definire un disegno circuitale conduttivo sulla superficie di detto materiale protettivo fotosensibile ;

(d) esposizione di detto materiale protettivo fotosensibile mascherato, all'azione della luce;

(e) dissoluzione di quelle porzioni del materiale protettivo fotosensibile che corrispondono al disegno circuitale conduttivo, in modo tale da formare cavit? tridimensionali nel materiale protettivo fotosensibile ed esposizione di detto primo strato di materiale conduttivo in accordo con detto disegno circuitale;

(f) formazione di un secondo strato di materiale conduttivo sulle porzioni esposte di detto primo strato di materiale conduttivo, in modo tale da formare un disegno circuitale conduttivo in rilievo conformantesi alla definizione tridimensionale dell'immagine del materiale protettivo fotosensibile;

(g) rimozione del materiale protettivo fotosensibile precedentemente non disciolto da detto primo strato di materiale conduttivo;

(h) trattamento di almeno le porzioni superficiali tridimensionali della parte superiore e delle pareti laterali di detto disegno circuitale conduttivo in rilievo in modo tale da ottenere un rivestimento, per conversione chimica, su dette porzioni superficiali, allo scopo di migliorare le propriet? di adesione di dette porzioni superficiali ai materiali isolanti laminati;

(i) annegamento del disegno circuitale conduttivo in rilievo su detto primo strato conduttivo, entro uno spessore uniforme di materiale isolante laminato, in modo tale che il materiale laminato possa aderire saldamente a detto disegno circuitale conduttivo in rilievo attraverso l'intera tridimensionalit? delle corrispondenti porzioni superi iciali;

(j) separazione del primo strato conduttivo con detto laminato unito e detto strato conduttivo annegato dal substrato rigido;

(k) eliminazione, mediante attacco, di detto primo strato conduttivo da detto materiale isolante, in modo tale che il disegno circuitale conduttivo annegato nel materiale isolante laminato risulti esposto e possa giacere a livello e complanare con la superficie di detto materiale isolante.
11. Metodo secondo la rivendicazione 10, in cui la fase di formazione del primo strato di materiale conduttivo su di un substrato rigido comporta le fasi di elettrodeposizione di un sottile rivestimento di metallo conduttivo su di un substrato rigido presentante una superficie metallizzata e un basso coefficiente di dilatazione termica.
12. Metodo secondo la rivendicazione 10,in cui la fase di formazione di un secondo strato di materiale conduttivo comprende la fase di elettrodeposizione di detto materiale sino ad uno spessore esteso sino a 15 millesimi di pollice (0,381 ram ).
13. Metodo secondo la rivendicazione 10, in cui per l'elettrodeposizione di detto secondo strato viene impiegato un apparato di elettrodeposizione ad elevata velocit? d'urto.
14. Metodo secondo la rivendicazione 10, in cui la fase di annegamento comprende la laminazione di detto materiale isolante al disopra di detto primo strato conduttivo e di detto secondo strabo conduttivo e l'applicazione continua ed uniforme di pressione-e di calore, in modo tale da determinare l'annegamento di detto secondo strato conduttivo in detto materiale isolante.
15. Metodo secondo la rivendicazione 9, in cui i pannelli circuitali e gli strati interposti di materiale isolante vengono uniti fra loro per mezzo dell'applicazione di una pressione e di calore uniforme e continuo, allo scopo di formare una unit? integrata omogenea di materiale isolante, con detti disegni circuitali conduttivi annegati nello stesso.
16. Metodo secondo la rivendicazione 9, comprendente pure le seguenti fasi:

(a) formazione di fori attraverso l'unit? integrata ;

(b) rivestimento delle pareti di detti fori con un sottile strato di materiale conduttivo; e (c) formazione di una superficie conduttiva continua lungo le pareti di detti fori rivestiti.
17- Metodo secondo la rivendicazione 9, com prendente pure le seguenti fasi:

(a) creazione di fori, mediante foratura, per i conduttori elettrici dei componenti circuitali e per le interconnessioni fra i pannelli, attraverso detta catasta di strati di pannelli circuii tali stampati e gli strati interposti di materiale isolante ;

(b) impiego di un metodo di rivestimento, non comportante l'adozione di energia elettrica, per ottenere un sottile substrato conduttivo sulle pareti di detti fori per l'elettrodeposizione del materiale conduttivo sulle stesse; e

(c) elettrodeposizione di materiale conduttivo su d?tto substrato conduttivo, in modo tale da formare una superficie conduttiva continua lungo le pareti dei fori rivestiti.
18. Metodo secondo la rivendicazione 16, comprendente pure la fase supplementare, eseguita immediatamente prima del rivestimento di detti fori, consistente in una pulitura di detti fori.
19. Unit? integrata a pannelli circuitali stampati, a strati multipli, comprendente una pluralit? di strati di pannelli circuitali stampati, ogni pannello circuitale stampato comprendendo un disegno circuitale conduttivo annegato in,ed integrale con un substrato di materiale isolante, in cui la superficie di detto disegno circuitale conduttivo risulta esposta lungo una superficie di detto substrato ed a livello e complanare con detta superficie del substrato, uno strato di materiale isolante interposto fra ogni strato del pannello circuitale stampato, in cui detto strato di materiale isolante viene formato integralmente ed unito alle superfici adiacenti di detti strati di pannelli a circuito stampato, in modo tale che detti strati uniti possano formare una struttura unitaria omogenea presentante una pluralit? di disegni circuitali conduttivi annegati ed integralmente formati nella stessa.
20. Unit? integrata di pannelli a circuito stampato, a strati multipli, secondo la rivendicazione 19, in cui detto strato di materiale isolante e detto substrato di detti pannelli a circuito stampato vengono realizzati con l'impiego dello stesso materiale isolante.
21 . Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui detto primo strato di materiale conduttivo presenta uno spessore inferiore a circa 0,002 pollici (0,0508 mm).
22. Metodo secondo la rivendicazione 21, in cui detto primo strato di materiale conduttivo presenta uno spessore inferiore a circa 0,001 pollici (0,0254 mm ).
23- Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui detto primo sottile strato di materiale conduttivo risulta sostanzialmente privo di fori di spillo, in modo tale da facilitare la successiva separazione di detto primo strato conduttivo con il laminato unito e di detto secondo strato conduttivo annegato, da detto substrato.
24. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui detto primo strato di materiale conduttivo viene formato, su detto substrato, in modo tale da definire una bassa adesione di contatto controllata fra gli stessi.
25. Metodo secondo la rivendicazione 4, in cui detto disegno conduttivo in rilievo di detto secondo strato conduttivo viene realizzato con uno spessore inferiore a circa 0,020 pollici (0,508 mm).
26. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui lo spessore di detto disegno di conduttori sollevato, formato elettroliticamente entro dette cavit? nel materiale protettivo fotosensibile risulta inferiore allo spessore di detto materiale protettivo fotosensibile.
27. Metodo come rivendicato nella rivendicazione 1, in cui detto substrato viene realizzato in acciaio inossidabile e in cui detto primo strato di materiale conduttivo viene realizzato in rame.
28. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui dette cavit? tridimensionali formate nel materiale protettivo fotosensibile presentano pareti laterali parallele,perpendicolari alle porzioni superficiali esposte di detto primo strato di materiale conduttivo; in cui detto disegno conduttivo in rilievo formato nello stesso presenta una sezione trasversale rettangolare uniforme con pareti laterali parallele,in modo tale che possano venire conseguentemente formati disegni di pannelli circuitali conduttivi a linee fini .
29. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui lo spessore di detto materiale isolante non risulta superiore a quattro volte quello del disegno conduttivo in rilievo formato da detto secondo strato di materiale conduttivo.
30. Metodo secondo la rivendicazione 27, in cui detto secondo strato di materiale conduttivo viene realizzato in rame, in modo tale da provvedere ad una unione integrale rame a rame fra detto primo strato conduttivo e detto secondo strato conduttivo.
31. Metodo secondo la rivendicazione 30, in cui dette cavit? tridimensionali formate in detto materiale protettivo fotosensibile presentano pareti laterali parallele , perpendicolari alle porzioni superficiali esposte di detto primo strato di materiale conduttivo, in cui detto disegno circuitale conduttivo in rilievo formato nello stesso presenta sezioni trasversali rettangolari uniformi con pareti laterali parallele, mentre l'unione integrale fra detto primo strato conduttivo e detto secondo strato conduttivo consente la formazione di disegni di pannelli circuitali conduttivi, ad elevata densit?, a linee fini, con detti disegni conduttivi in rilievo, senza spostamento di detti disegni conduttivi in rilievo rispetto a detto primo strato conduttivo duran te la laminazione di detto disegno conduttivo in rilievo entro detto materiale isolante.