FR3079531A1 - Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau pzt et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau pzt - Google Patents

Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau pzt et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau pzt Download PDF

Info

Publication number
FR3079531A1
FR3079531A1 FR1800253A FR1800253A FR3079531A1 FR 3079531 A1 FR3079531 A1 FR 3079531A1 FR 1800253 A FR1800253 A FR 1800253A FR 1800253 A FR1800253 A FR 1800253A FR 3079531 A1 FR3079531 A1 FR 3079531A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
substrate
support substrate
layer
monocrystalline
srtio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1800253A
Other languages
English (en)
Other versions
FR3079531B1 (fr
Inventor
Bruno Ghyselen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soitec SA
Original Assignee
Soitec SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to FR1800253A priority Critical patent/FR3079531B1/fr
Application filed by Soitec SA filed Critical Soitec SA
Priority to US17/042,657 priority patent/US11877514B2/en
Priority to JP2020549791A priority patent/JP7451845B2/ja
Priority to KR1020207030290A priority patent/KR102636121B1/ko
Priority to EP19722177.3A priority patent/EP3775332A1/fr
Priority to SG11202009530VA priority patent/SG11202009530VA/en
Priority to CN201980021417.7A priority patent/CN111918986A/zh
Priority to PCT/IB2019/000201 priority patent/WO2019186264A1/fr
Publication of FR3079531A1 publication Critical patent/FR3079531A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR3079531B1 publication Critical patent/FR3079531B1/fr
Priority to US18/464,918 priority patent/US20230422619A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/025—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/06—Joining of crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • H10N30/079—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing using intermediate layers, e.g. for growth control
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
    • H10N30/708—Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions
    • H10N30/8548—Lead-based oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions
    • H10N30/8548—Lead-based oxides
    • H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Procédé de fabrication d'une couche cristalline de matériau PZT comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau silicium suivi d'une croissance par épitaxie de la couche cristalline de matériau PZT.

Description

Procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT et substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT
DOMAINE DE L’INVENTION
La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau Titano-Zirconate de Plomb (PZT) ainsi qu’un substrat pour la croissance par épitaxie d’une telle couche cristalline de matériau PZT.
ETAT DE LA TECHNIQUE
Certains matériaux ne sont pas actuellement disponibles sous forme de substrat cristallin et encore moins sous forme de substrat monocristallin en forme de tranche en grand diamètre. Et certains matériaux sont éventuellement disponibles en grand diamètre mais pas selon certaines caractéristiques ou spécifications en terme de qualité, en particulier vis-à-vis la densité de défauts ou encore les propriétés électriques ou optiques requises.
EXPOSE DE L’INVENTION
La présente invention vise à pallier ces limitations de l’état de la technique en proposant un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT, de préférence d’une couche monocristalline de matériau PZT, ainsi qu’un substrat pour la croissance par épitaxie d’une telle couche cristalline de matériau PZT, de préférence d’une telle couche monocristalline de matériau PZT. Par ceci il est possible de remédier au problème de taille des substrats cristallins voir monocristallins de matériau PZT actuellement disponibles.
L’invention concerne un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT comprenant le transfert d’une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau silicium suivi d’une croissance par épitaxie de la couche cristalline de matériau PZT.
Dans des modes de réalisation avantageux la couche cristalline de matériau PZT est monocristalline.
Dans des modes de réalisation avantageux la couche germe monocristalline a une épaisseur inférieure à 10 pm, de préférence inférieure à 2 pm, et plus préférentiellement inférieure à 0,2pm.
Dans des modes de réalisation avantageux le transfert de la couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur le substrat support de matériau silicium comprend une étape d’assemblage d’un substrat monocristallin de matériau SrTiO3 sur le substrat support suivi d’une étape d’amincissement dudit substrat monocristallin de matériau SrTiO3.
Dans des modes de réalisation avantageux l’étape d’amincissement comprend la formation d’une zone de fragilisation délimitant une portion du substrat monocristallin de matériau SrTiO3 destinée à être transférée sur le substrat support de matériau silicium.
Dans des modes de réalisation avantageux la formation de la zone de fragilisation est obtenue par implantation d’espèces atomiques et/ou ioniques.
Dans des modes de réalisation avantageux l’étape d’amincissement comprend un détachement au niveau de la zone de fragilisation de manière à transférer ladite portion du substrat monocristallin de matériau SrTiO3 sur le substrat support de matériau silicium, en particulier le détachement comprend l’application d’une contrainte thermique et/ou mécanique.
Dans des modes de réalisation avantageux l’étape d’assemblage est une étape d’adhésion moléculaire.
Dans des modes de réalisation avantageux la couche de germe monocristalline de matériau SrTiOs se présente sous la forme d’une pluralité de pavés transférés chacun sur le substrat support de matériau silicium.
Dans des modes de réalisation avantageux le substrat support de matériau silicium comprend une interface démontable configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique.
L’invention concerne aussi un substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT caractérisé en ce qu’il comprend une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau silicium.
Dans des modes de réalisation avantageux la couche cristalline de matériau PZT est monocristalline.
Dans des modes de réalisation avantageux la couche germe monocristalline de matériau SrTiOs se présente sous la forme d’une pluralité de pavés.
Dans des modes de réalisation avantageux le substrat support de matériau silicium comprend une interface démontable configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique.
L’invention concerne aussi un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau comprenant PMN-PT et/ou PZN-PT ayant un paramètre de maille proche de celui du matériau PZT comprenant le transfert d’une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau silicium suivi d’une croissance par épitaxie de la couche cristalline de matériau PMN-PT ou PZN-PT.
L’invention concerne aussi un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau comprenant PMN-PT et/ou PZN-PT ayant un paramètre de maille proche de celui du matériau PZT comprenant le transfert d’une couche germe monocristalline de matériau YSZ ou CeÛ2 ou MgO ou AI2O3 sur un substrat support de matériau silicium suivi d’une croissance par épitaxie de la couche cristalline de matériau PMN-PT ou PZN-PT.
L’invention concerne aussi un substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau comprenant PMN-PT et/ou PZN-PT ayant un paramètre de maille proche de celui du matériau PZT caractérisé en ce qu’il comprend une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 ou YSZ ou CeO2 ou MgO ou AI2O3 sur un substrat support de matériau silicium, saphir, Ni ou Cu.
DESCRIPTION DES FIGURES
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels :
• La figure 1 illustre un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT selon un mode de réalisation de l’invention ainsi qu’un substrat pour la croissance par épitaxie d’une telle couche cristalline de matériau PZT selon ce mode de réalisation de l’invention ;
• La figure 2 illustre un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT selon un autre mode de réalisation de l’invention ainsi qu’un substrat pour la croissance par épitaxie d’une telle couche cristalline de matériau PZT selon cet autre mode de réalisation de l’invention ;
• La figure 3 illustre un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT selon encore un autre mode de réalisation de l’invention ainsi qu’un substrat pour la croissance par épitaxie d’une telle couche cristalline de matériau PZT selon cet autre mode de réalisation de l’invention ;
• La figure 4 illustre un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT selon encore un autre mode de réalisation de l’invention ainsi qu’un substrat pour la croissance par épitaxie d’une telle couche cristalline de matériau PZT selon cet autre mode de réalisation de l’invention ;
• La figure 5 illustre un procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT selon encore un autre mode de réalisation de l’invention ainsi qu’un substrat pour la croissance par épitaxie d’une telle couche cristalline de matériau PZT selon cet autre mode de réalisation de l’invention ;
Pour favoriser la lisibilité des figures, les différentes couches ne sont pas nécessairement représentées à l’échelle.
DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE 5 L’INVENTION
La figure 1 illustre un substrat support 100 de matériau silicium sur lequel on transfère une couche germe monocristalline 200 de matériau SrTiO3. D’autres matériaux de la couche germe monocristalline 200 peuvent être 10 envisagés tels que YSZ, CeO2, MgO ou AI2O3, ces derniers ayant un paramètre de maille proche de celui du matériau PZT. Le substrat support 100 de matériau silicium peut aussi être remplacé par un substrat support 100 de matériau saphir, Ni ou Cu. L’utilisation du silicium a l’avantage d’ouvrir le champ d’application des couches de matériau PZT non seulement 15 a des équipements de grande taille type 300 mm mais aussi rendre compatible l’industrie microélectronique pour laquelle les exigences en terme d acceptance sur la ligne de production de matériau exotique autre que silicium, en particulier PZT, sont élevées. L’étape d’assemblage 1’ de la couche germe monocristalline 200 de matériau SrTiO3 sur le substrat 20 support 100 de matériau silicium se fait préférentiellement par une étape d adhésion moléculaire. Cette étape d’adhésion moléculaire comprend une étape de collage, préférentiellement à température ambiante, et est suivie d’un recuit de consolidation de l’interface de collage qui se fait usuellement à des températures élevées jusqu’à 900°C voire 1100°C pendant une durée 25 de quelques minutes à quelques heures. En ce qui concerne un substrat support de matériau saphir, l’étape d’assemblage 1’ de la couche germe monocristalline sur le substrat support se fait aussi préférentiellement par une étape d adhésion moléculaire utilisant des conditions typiques du même ordre de grandeur que mentionné ci-dessus. En ce qui concerne un substrat 30 support de matériau Ni ou Cu, l’étape d’assemblage 1’ de la couche germe monocristalline sur le substrat support est remplacée par une étape de dépôt du matériau Ni ou Cu sur la couche germe monocristalline par exemple via un dépôt par électrodéposition ou électroformage (electroplating (ECD) selon la terminologie anglo-saxonne). Cette technique comprend usuellement l’utilisation de couche d’accroche et du décapage et est connue en elle-même et ne sera pas décrite plus en détail ici.
La figure 1 représente schématiquement l’étape d’assemblage 1’ d’un substrat monocristallin 20 de matériau SrTiO3 sur le substrat support 100 de matériau silicium. Il suit une étape d’amincissement 2’ du substrat monocristallin 20 de matériau SrTiO3 après avoir été assemblé sur le substrat support 100 de matériau silicium. La figure 1 représente schématiquement l’étape d’amincissement 2’ qui peut être mise en œuvre par exemple par gravure chimique et/ou mécanique (polissage, meulage, fraisage, ..). Ainsi on peut obtenir la couche germe monocristalline 200 de matériau SrTiO3 qui va servir comme germe monocristalline d’une étape de croissance 3’ par épitaxie de la couche cristalline 300 de matériau PZT faite sur le substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT 10 représenté schématiquement dans la figure 1. L’homme de métier saurait ajuster les paramètres utilisés pour une croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT usuellement utilisé lors d’une homoépitaxie ou hétéroépitaxie sur un substrat bulk cristallin afin d’optimiser l’étape de croissance 3’ par épitaxie de la couche cristalline 300 de matériau PZT faite sur le substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT 10 de la présente invention. Une possibilité est que la croissance par épitaxie du matériau PZT se fait par pulvérisation cathodique (sputtering en terminologie anglo-saxonne), par exemple par pulvérisation cathodique magnétron, connu par l’homme de métier. D’autres possibilités seraient soit l’application d’un procédé sol-gel incluant un dépôt à basse température suivi de différents recuits à des températures entre 350°C et 650°C voire 700°C, soit la croissance par épitaxie par MOCVD à des températures usuelles d’environ 550°C en utilisant des précurseurs connus par l’homme de métier. La présence de la couche germe monocristalline permet d’influencer favorablement la qualité cristalline de la couche cristalline de matériau PZT. En particulier on peut obtenir une couche monocristalline de matériau PZT. La présente invention n’est d’ailleurs pas limitée à une épitaxie du matériau PZT mais s’étend à certains cristaux piézoélectriques de type pérovskite tel que le PMN-PT ou le PZN-PT ayant un paramètre de maille proche de celui du matériau PZT.
II est à noter que le coéfficient thermique d’expansion du substrat support 100 prédomine le comportement thermique du substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT 10 lors de l’étape de croissance 3’ par épitaxie de la couche cristalline 300 de matériau PZT. Ceci est due à l’épaisseur mince, de préférence inférieure à 1 pm, de la couche germe monocristalline 200 de matériau SrTiOa par rapport à l’épaisseur totale du substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT 10 qui est de l’ordre de plusieurs dizaines à centaines de pm. Le matériau SrTiOs est d’ailleurs choisi pour fournir une couche germe monocristalline ayant un paramètre de maille le plus proche possible du paramètre de maille choisi pour la couche cristalline 300 de matériau PZT, de préférence du paramètre de maille en état relaxé afin de permettre une croissance par épitaxie induisant le moins de défauts possible dans la couche cristalline 300 de matériau PZT. Le matériau du substrat support 100 a avantageusement d’ailleurs un coéfficient thermique d’expansion particulièrement proche du coéfficient thermique d’expansion du matériau PZT pour les mêmes raisons de diminution de défauts dans la couche cristalline 300 obtenu par épitaxie. Préférentiellement on utiliserait donc un substrat support 100 de matériau saphir pour la présente invention.
La figure 2 représente schématiquement un mode de réalisation du procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT qui se différencie du mode de réalisation décrit en lien avec la figure 1 en ce que le substrat monocristallin 20’ de matériau SrTiO3 subit une étape d’implantation 0” d’espèces atomiques et/ou ioniques afin de former une zone de fragilisation délimitant une portion 200’ du substrat monocristallin 20’ de matériau SrTiO3 destinée à être transférée sur le substrat support 100’ de matériau silicium, et en ce que l’étape d’amincissement 2” comprend un détachement au niveau de cette zone de fragilisation de manière à transférer ladite portion 200’ du substrat monocristallin 20’ de matériau SrTiO3 sur le substrat support 100’ de matériau silicium, en particulier ce détachement comprend l’application d’une contrainte thermique et/ou mécanique. L’avantage de ce mode de réalisation est ainsi de pouvoir récupérer la partie restante 201 du substrat monocristallin 20’ de matériau SrTiO3 de départ qu’on peut ainsi utiliser de nouveau pour faire subir le même procédé de nouveau et ainsi réduire les coûts. Le substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT 10’ ainsi illustré dans la figure 2 sert pour l’étape de croissance 3” de la couche cristalline 300’ de matériau PZT comme déjà décrit lors du procédé décrit en lien avec la figure 1. De manière générale l’étape d’implantation 0” se fait avec des ions hydrogène. Une alternative intéressante bien connue de l’homme de l’art consiste à remplacer tout ou partie des ions hydrogène par des ions hélium. Une dose d’implantation d’hydrogène sera typiquement comprise entre 6x1016 cm'2 et 1x1017 cm’2. L’énergie d’implantation sera typiquement comprise entre entre 50 à 170 keV. Ainsi le détachement se fait typiquement à des températures entre 300 et 600°C. On obtient ainsi des épaisseurs de la couche germe monocristalline de l’ordre de 200 nm à 1,5 pm. Juste après l’opération de détachement, des étapes technologiques additionnelles sont avantageusement ajoutées dans le but soit de renforcer l’interface de collage, soit de récupérer une bonne rugosité, soit de guérir les défauts éventuellement générés pendant l’étape d’implantation ou encore pour préparer la surface de la couche germe à la reprise d’épitaxie. Ces étapes sont par exemple un polissage, une gravure chimique (humide ou sèche), un recuit, un nettoyage chimique. Ils peuvent être utilisés seuls ou en combinaison que l’homme de l’art saura ajuster.
La figure 3 se différencie des modes de réalisation décrits en lien avec la figure 1 et figure 2 en ce que le substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT (10, 10’) comprend une interface démontable 40’ configurée pour être démontée. Dans le cas d’un substrat support 100 de matériau silicium il peut s’agir d’une surface rugueuse par exemple du matériau silicium assemblée avec la couche germe monocristalline lors de l’étape d’assemblage. Ou encore une interface rugueuse peut être présente au sein du substrat support 100 de matériau silicium, ce dernier par exemple obtenu par assemblage de deux plaques de silicium. Un autre mode de réalisation serait d’introduire au niveau de la face à assembler avec la couche germe monocristalline une couche de silicium poreux susceptible de fracturer lors de l’application d’une contrainte mécanique et/ou thermique, par exemple par insertion d’une lame au bord de plaque connu par l’homme de métier ou encore par l’application d’un recuit. Bien évidemment cette interface est choisie de sorte à résister aux autres contraintes mécaniques et/ou thermiques subies lors du procédé de la présente invention (p.ex. détachement, croissance par épitaxie,...). Dans le cas d’un substrat support de matériau saphir il peut s’agir d’un empilement d’oxyde de silicium, de nitrure de silicium et d’oxyde de silicium (structure dite de type ONO) réalisé sur la face du saphir à assembler avec la couche germe monocristalline. Un tel empilement est susceptible de subir un détachement au niveau de la couche de nitrure de silicium lors d’une application laser traversant le substrat support de saphir (détachement ou décollement de type « laser lift off »). L’homme de métier saura identifier d’autres méthodes de réalisations de cette interface démontable. Ces différentes configurations de démontage permettent ainsi soit un report de la couche épitaxiée sur un support final qui n’est pas compatible avec les paramètres de croissance soit la préparation d’un film épais de matériau PZT de type autoporté.
La figure 4 représente schématiquement un mode de réalisation du procédé de fabrication d’une couche cristalline de matériau PZT qui se différencie des modes de réalisation décrits en lien avec la figure 1, la figure 2 et la figure 3 en ce que la couche de germe monocristalline 2000’ de matériau SrTiO3 se présente sous la forme d’une pluralité de pavés (2001’, 2002’, 2003’) transférés chacun sur le substrat support 100” de matériau silicium. Les différents pavés peuvent se présenter sous une forme quelconque (carré, hexagonale, bandes,...) et avec des tailles différentes variant de quelques mm2 à plusieurs cm2. L’espacement entre les puces peut également varier significativement selon que l’on cherche une densité maximum de couverture (dans ce cas on choisira préférentiellement un espacement inférieur à 0,2 mm) ou au contraire une dissémination maximum des pavés au sein du substrat (dans ce cas l’espacement peut être de plusieurs millimètres et même centimètres). Pour chaque pavé l’homme de métier saurait appliquer le transfert qu’il souhaite et n’est pas limité à une méthode particulière. Ainsi on pourrait envisager d’appliquer les renseignements techniques décrits en lien avec le procédé illustré schématiquement dans la figure 1 ou les renseignements techniques décrits en lien avec le procédé illustré schématiquement dans la figure 2 , voir même une combinaison des deux. Ainsi il est possible d’assembler T” des substrats monocristallins (2001, 2002, 2003) de matériau SrTiO3 qui ont une taille inférieure à la taille du substrat support 100” afin de créer par amincissement 2’” sur ce dernier les couches germe monocristallines (200T, 2002’, 2003’) pour la croissance par épitaxie 3’” d’une couche cristalline (3001, 3002, 3003) de matériau PZT sur chaque pavé du substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT 10”.
Les différents modes de réalisation décrites en lien avec les figures 1 à 4 ouvrent ainsi la possibilité de co-intégration de composants faits dans la couche cristalline de matériau PZT avec des composants fait dans le substrat support de matériau silicium. Ce dernier peut être simplement un 5 substrat silicium mais il peut aussi s’agir d’un substrat de type SOI comprenant une couche d’oxyde de silicium séparant un substrat silicium d’une couche fine de silicium. Dans le cas des modes de réalisation décrits en lien avec les figures 1 à 4 l’accès au substrat support peut se faire simplement par lithographie et gravure connu par l’homme de métier. Dans 10 le cas du mode de réalisation décrit en lien avec la figure 4 on peut aussi simplement choisir les emplacements des pavés ainsi que leur espacement.
La figure 5 représente schématiquement un mode de réalisation qui se différencie du mode de réalisation décrit en lien avec la figure 4 en ce que le 15 substrat support 100 ainsi que par la suite le substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline de matériau PZT 10” comprend une interface démontable 40 configurée pour être démontée, par exemple par une technique de décollement par laser (« laser lift off ») et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. Ceci permettrait d’enlever 20 une partie du substrat support 100” comme déjà évoqué en lien avec la figure 3. Un exemple serait l’utilisation d’un substrat support 100 de type SOI comprenant une couche d’oxyde de silicium séparant un substrat silicium d’une couche fine de silicium. Cette couche d’oxyde pourrait être utilisée comme interface démontable 40 par une gravure sélective de cette couche 25 d’oxyde, par exemple par immersion dans un bain d’acide fluorhydrique (HF). Cette option de démontage par gravure chimique d’une couche enterrée est particulièrement intéressante lorsqu’elle vient en combinaison du traitement d’une pluralité de petits substrats. En effet, le rayon d’action des sous-gravures est généralement limité à quelques centimètres voire 30 quelques millimètres si l’on souhaite conserver des conditions et des temps de traitement industriellement raisonnables. Le traitement d’une pluralité de petits substrats autorise le démarrage de plusieurs fronts de gravure chimique grâce à un accès possible de la couche enterrée entre chaque pavé, et non plus seulement sur les bords extrêmes des substrats qui peuvent aller jusqu à 300mm de diamètre. Dans le cas d’un substrat support 5 de type SOI il est ainsi possible d’enlever en partie la couche fine de silicium entre les pavés afin de permettre le démarrage de plusieurs fronts de gravure.
La fine couche de silicium ayant une épaisseur prédéterminée (pouvant varier entre 5 nm à 600 nm, voir plus épais en fonction de l’application visée) pourrait ainsi servir pour former des composants micro-électronique et ainsi permettre la co-intégration de composants à base de matériaux PZT dans un même substrat.
Ainsi après avoir élaboré par épitaxie la couche cristalline (3001, 3002, 3003) on pourrait aussi imaginer un assemblage de cette structure sur un substrat final et démonter au niveau de l’interface démontable 40 une partie du substrat support 100”. Le substrat final peut ainsi fournir des fonctionnalités supplémentaires qui sont par exemple incompatibles avec 20 des paramètres de la croissance effectuée auparavant (par exemple substrat final de type plastique flexible ou encore substrat final comportant des lignes métalliques). Par ailleurs et de manière générale l’interface démontable ne se situe pas forcément à l’intérieur du substrat support mais peut également se trouver à l’interface avec la couche germe de matériau 25 SrTiO3 assemblée sur ce substrat support (par exemple un empilement d’une couche de nitrure de silicium entre deux couches d’oxyde de silicium permet un décollement par laser, particulièrement adapté à un substrat support de type saphir) comme déjà décrit en lien avec la figure 3.

Claims (12)

  1. REVENDICATIONS
    1. Procédé de fabrication d’une couche cristalline (300, 300’, 3001, 3002,
    5 3003) de matériau PZT comprenant le transfert d’une couche germe monocristalline (200, 200’, 2000’) de matériau SrTiO3 sur un substrat support (100, 100’, 100”) de matériau silicium suivi d’une croissance par épitaxie de la couche cristalline (300, 300’, 3001, 3002, 3003) de matériau PZT.
  2. 2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la couche germe monocristalline (200, 200’, 2000’) a une épaisseur inférieure à 10 pm, de préférence inférieure à 2 pm, et plus préférentiellement inférieure à 0,2pm.
    15
  3. 3. Procédé selon une des revendications précédentes dans lequel le transfert de la couche germe monocristalline (200, 200’, 2000’) de matériau SrTiO3 sur le substrat support (100, 100’, 100”) de matériau silicium comprend une étape d’assemblage (T, 1”, T”) d’un substrat monocristallin (20, 20’, 2001, 2002, 2003) de matériau SrTiO3 sur le substrat support (100, 20 100’, 100”) suivi d’une étape d’amincissement (2’, 2”, 2’”) dudit substrat monocristallin (20, 20’, 2001,2002, 2003) de matériau SrTiO3.
  4. 4. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’étape d’amincissement (2”) comprend la formation d’une zone de fragilisation
    25 délimitant une portion (200’) du substrat monocristallin (20’) de matériau SrTiO3 destinée à être transférée sur le substrat support (100, 100’, 100”) de matériau silicium.
  5. 5. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la
    30 zone de fragilisation est obtenue par implantation (0”) d’espèces atomiques et/ou ioniques.
  6. 6. Procédé selon les revendications précédentes 4 à 5 dans lequel l’étape d’amincissement (2”) comprend un détachement au niveau de la zone de fragilisation de manière à transférer ladite portion (200’) du substrat monocristallin (20’) de matériau SrTiO3 sur le substrat support (100, 100’, 100”) de matériau silicium, en particulier le détachement comprend l’application d’une contrainte thermique et/ou mécanique.
  7. 7. Procédé selon les revendications précédentes 3 à 6 dans lequel l’étape d’assemblage (1’, 1”, 1’”) est une étape d’adhésion moléculaire.
  8. 8. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel la couche de germe monocristalline (200, 200’, 2000’) de matériau SrTiO3 se présente sous la forme d’une pluralité de pavés (2001’, 2002’, 2003’) transférés chacun sur le substrat support (100, 100’, 100”) de matériau silicium.
  9. 9. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel le substrat support (100, 100’, 100”) de matériau silicium comprend une interface démontable (40, 40’) configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique.
  10. 10. Substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline (300, 300’, 3001, 3002, 3003) de matériau PZT caractérisé en ce qu’il comprend une couche germe monocristalline (200, 200’, 2000’) de matériau SrTiO3 sur un substrat support (100, 100’, 100”) de matériau silicium.
  11. 11. Substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline (300, 300’, 3001, 3002, 3003) de matériau PZT selon la revendication précédente dans lequel la couche germe monocristalline (200, 200’, 2000’) de matériau
    SrTiO3 se présente sous la forme d’une pluralité de pavés (2001’, 2002’, 2003’).
  12. 12. Substrat pour croissance par épitaxie d’une couche cristalline (300, 300’,
    5 3001, 3002, 3003) de matériau PZT selon l’une des revendications 10 ou 11 dans lequel le substrat support (100, 100’, 100”) de matériau silicium comprend une interface démontable (40, 40’) configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique.
FR1800253A 2018-03-28 2018-03-28 Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau pzt et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau pzt Active FR3079531B1 (fr)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1800253A FR3079531B1 (fr) 2018-03-28 2018-03-28 Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau pzt et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau pzt
JP2020549791A JP7451845B2 (ja) 2018-03-28 2019-03-26 Ｐｚｔ材料の結晶層を製造するための方法、及びｐｚｔ材料の結晶層をエピタキシャル成長させるための基板
KR1020207030290A KR102636121B1 (ko) 2018-03-28 2019-03-26 Pzt 재질의 결정 층을 제조하는 방법 및 pzt 재질의 결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판
EP19722177.3A EP3775332A1 (fr) 2018-03-28 2019-03-26 Procede de fabrication d'une couche cristalline de materiau pzt et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche cristalline de materiau pzt
US17/042,657 US11877514B2 (en) 2018-03-28 2019-03-26 Method for producing a crystalline layer of PZT material by transferring a seed layer of SrTiO3 to a silicon carrier substrate and epitaxially growing the crystalline layer of PZT, and substrate for epitaxial growth of a crystalline layer of PZT
SG11202009530VA SG11202009530VA (en) 2018-03-28 2019-03-26 Method for manufacturing a crystalline layer of pzt material, and substrate for epitaxially growing a crystalline layer of pzt material
CN201980021417.7A CN111918986A (zh) 2018-03-28 2019-03-26 Pzt材料结晶层的制造方法和外延生长pzt材料结晶层的衬底
PCT/IB2019/000201 WO2019186264A1 (fr) 2018-03-28 2019-03-26 Procede de fabrication d'une couche cristalline de materiau pzt et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche cristalline de materiau pzt
US18/464,918 US20230422619A1 (en) 2018-03-28 2023-09-11 Method for producing a crystalline layer of pzt material by transferring a seed layer of srtio3 to a silicon carrier substrate and epitaxially growing the crystalline layer of pzt, and substrate for epitaxial growth of a crystalline layer of pzt

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1800253 2018-03-28
FR1800253A FR3079531B1 (fr) 2018-03-28 2018-03-28 Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau pzt et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau pzt

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR3079531A1 true FR3079531A1 (fr) 2019-10-04
FR3079531B1 FR3079531B1 (fr) 2022-03-18

Family

ID=63834052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1800253A Active FR3079531B1 (fr) 2018-03-28 2018-03-28 Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau pzt et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau pzt

Country Status (8)

Country Link
US (2) US11877514B2 (fr)
EP (1) EP3775332A1 (fr)
JP (1) JP7451845B2 (fr)
KR (1) KR102636121B1 (fr)
CN (1) CN111918986A (fr)
FR (1) FR3079531B1 (fr)
SG (1) SG11202009530VA (fr)
WO (1) WO2019186264A1 (fr)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006135662A2 (fr) * 2005-06-10 2006-12-21 Wisconsin Alumni Research Foundation Structures a film mince a base de perovskite sur des substrats semi-conducteurs a angle de coupe
US20150041853A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-12 International Business Machines Corporation Bonded epitaxial oxide structures for compound semiconductor on silicon substrates

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05234419A (ja) * 1991-11-21 1993-09-10 Toshiba Corp 誘電体を用いた素子
US5442585A (en) * 1992-09-11 1995-08-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Device having dielectric thin film
FR2817395B1 (fr) * 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
FR2835096B1 (fr) * 2002-01-22 2005-02-18 Procede de fabrication d'un substrat auto-porte en materiau semi-conducteur monocristallin
EP1482549B1 (fr) * 2003-05-27 2011-03-30 S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. Procédé pour la fabrication d'une microstructure heteroepitaxiale
US8507361B2 (en) * 2000-11-27 2013-08-13 Soitec Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material
US7407869B2 (en) * 2000-11-27 2008-08-05 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for manufacturing a free-standing substrate made of monocrystalline semiconductor material
US6593212B1 (en) * 2001-10-29 2003-07-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for making electro-optical devices using a hydrogenion splitting technique
JP4100953B2 (ja) * 2002-04-18 2008-06-11 キヤノン株式会社 Ｓｉ基板上に単結晶酸化物導電体を有する積層体及びそれを用いたアクチュエーター及びインクジェットヘッドとその製造方法
WO2004079059A1 (fr) * 2003-03-04 2004-09-16 Fujitsu Limited Procede de formation d'un film en perovskite a orientation 001 et dispositif comportant un film en perovskite
FR2883659B1 (fr) * 2005-03-24 2007-06-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une hetero-structure comportant au moins une couche epaisse de materiau semi-conducteur
US20120000415A1 (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Soraa, Inc. Large Area Nitride Crystal and Method for Making It
US9564320B2 (en) * 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
US20150014853A1 (en) 2013-07-09 2015-01-15 Harper Laboratories, LLC Semiconductor devices comprising edge doped graphene and methods of making the same
JP6720973B2 (ja) * 2015-06-18 2020-07-08 コニカミノルタ株式会社 圧電素子、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、および圧電素子の製造方法
FR3041364B1 (fr) 2015-09-18 2017-10-06 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert de paves monocristallins
JP6776074B2 (ja) * 2016-09-16 2020-10-28 株式会社東芝 圧電デバイスおよび超音波装置
FR3079535B1 (fr) * 2018-03-28 2022-03-18 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau diamant ou iridium et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau diamant ou iridium

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006135662A2 (fr) * 2005-06-10 2006-12-21 Wisconsin Alumni Research Foundation Structures a film mince a base de perovskite sur des substrats semi-conducteurs a angle de coupe
US20150041853A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-12 International Business Machines Corporation Bonded epitaxial oxide structures for compound semiconductor on silicon substrates

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
S. YIN ET AL: "Epitaxial growth and electrical measurement of single crystalline Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 thin film on Si(001) for micro-electromechanical systems", THIN SOLID FILMS, vol. 520, no. 14, 1 May 2012 (2012-05-01), AMSTERDAM, NL, pages 4572 - 4575, XP055536864, ISSN: 0040-6090, DOI: 10.1016/j.tsf.2011.11.073 *
THEVUTHASAN S ET AL: "Cleaving oxide films using hydrogen implantation", MATERIALS LET, ELSEVIER, AMSTERDAM, NL, vol. 49, no. 6, 1 July 2001 (2001-07-01), pages 313 - 317, XP004256839, ISSN: 0167-577X, DOI: 10.1016/S0167-577X(00)00391-8 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR102636121B1 (ko) 2024-02-13
US20230422619A1 (en) 2023-12-28
CN111918986A (zh) 2020-11-10
US11877514B2 (en) 2024-01-16
WO2019186264A1 (fr) 2019-10-03
JP7451845B2 (ja) 2024-03-19
SG11202009530VA (en) 2020-10-29
FR3079531B1 (fr) 2022-03-18
KR20200136436A (ko) 2020-12-07
EP3775332A1 (fr) 2021-02-17
US20210074906A1 (en) 2021-03-11
JP2021518321A (ja) 2021-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3775329A1 (fr) Procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant ou iridium et substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant ou iridium
EP1324385B1 (fr) Procédé de report de couches minces semi-conductrices à partir d'une plaquette donneuse.
FR2840731A1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat comportant une couche utile en materiau semi-conducteur monocristallin de proprietes ameliorees
EP1344249A1 (fr) Procede de fabrication d'une structure empilee comprenant une couche mince adherant a un substrat cible
FR2857983A1 (fr) Procede de fabrication d'une couche epitaxiee
FR2817394A1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
EP1653504A1 (fr) Structure composite à forte dissipation thermique
EP1966821B1 (fr) Procede de relaxation d'une couche mince contrainte
FR2857982A1 (fr) Procede de fabrication d'une couche epitaxiee
EP1631982B1 (fr) Procede d'obtention d'une couche tres mince par amincissement par auto-portage provoque
WO2019186266A2 (fr) Procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau ain et substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau ain
WO2019186268A1 (fr) Procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau gaas et substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau gaas
WO2020128245A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif comprenant une membrane surplombant une cavite
EP3497711B1 (fr) Procédé de fabrication d'une couche épitaxiée sur une plaque de croissance
FR3079531A1 (fr) Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau pzt et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau pzt
FR3079533A1 (fr) Procede de fabrication d'une couche monocristalline de materiau lno et substrat pour croissance par epitaxie d'une couche monocristalline de materiau lno
FR3073083B1 (fr) Procede de fabrication d'un film sur un feuillet flexible
FR3115278A1 (fr) Procédé de transfert d’une membrane
EP1861873A1 (fr) Procede de fabrication d'une hetero-structure comportant au moins une couche epaisse de materiau semi-conducteur
FR3073082B1 (fr) Procede de fabrication d'un film sur un support presentant une surface non plane
FR2866982A1 (fr) Procede de fabrication de composants electroniques
FR3093859A1 (fr) Procédé de transfert d’une couche utile sur une substrat support
WO2024074797A1 (fr) Procede de fabrication d'une structure composite comprenant des paves
WO2023194679A1 (fr) Procede de fabrication d'une structure comprenant au moins deux puces sur un substrat
EP4315396A1 (fr) Procede de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en semi-conducteur monocristallin sur un substrat support

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 2

PLSC Publication of the preliminary search report

Effective date: 20191004

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 3

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 4

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7