FR3032643A1

FR3032643A1 - Meule abrasive

Info

Publication number: FR3032643A1
Application number: FR1651140A
Authority: FR
Inventors: Ryuji Oshima; Ryogo Maji
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2015-02-13
Filing date: 2016-02-12
Publication date: 2016-08-19
Anticipated expiration: 2036-02-12
Also published as: US20160236325A1; JP2016147359A; CN105881247A; SG10201600749RA; FR3032643B1; KR20160100245A; TW201642334A; DE102016202162A1

Abstract

Une meule abrasive (37,47) pour rectifier une pièce (W) est présentée. La meule abrasive comprend des grains abrasifs de diamant et un composé de bore. Les grains abrasifs de diamant et le composé de bore sont mélangés en un rapport de volumes prédéterminé. La taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant est fixée à 0 µm < Y ≤ 50 µm. Le rapport des tailles de grain moyennes Z entre le composé de bore et les grains abrasifs de diamant est fixé à 0,8 ≤ Z ≤ 3,0. De préférence, la pièce est une tranche de silicium, et le rapport des tailles de grain moyennes Z est fixé à 0,8 ≤ Z ≤ 2,0.

Description

1 MEULE ABRASIVE CONTEXTE DE L'INVENTION Domaine de l'invention La présente invention concerne une meule abrasive pour rectifier une pièce. Description de l'art connexe Une meule abrasive contenant un composé de bore est utilisée pour rectifier une pièce constituée d'un matériau dur et cassant (voir le brevet japonais mis à l'inspection publique n° 2012-56013, par exemple). Le composé de bore a une propriété de lubrification solide et il est par conséquent considéré que le composé de bore agit pour réduire l'usure de la meule abrasive due à la rectification de la pièce.

RESUME DE L'INVENTION Lorsqu'une charge de rectification sur la meule abrasive est élevée lors de la rectification d'une pièce constituée de n'importe quel matériau comprenant un matériau dur et cassant, l'usure de la meule abrasive est également élevée en général, de sorte que la fréquence de remplacement de la meule abrasive est augmentée. En outre, la chaleur générée par la rectification n'est pas rayonnée à partir de la meule abrasive, mais accumulée dans celle-ci, de sorte qu'une vitesse de rectification ne peut pas être augmentée. Ce problème devient plus remarquable dans le cas de la rectification d'une pièce constituée d'un matériau présentant une faible conductivité thermique, tel que le verre. C'est par conséquent un objet de la présente invention de proposer une meule abrasive qui permet d'obtenir une réduction de la charge de rectification, une amélioration du rayonnement thermique, ou une longue durée de vie. Selon un aspect de la présente invention, il est proposé une meule abrasive pour rectifier une pièce, comprenant des grains abrasifs de diamant et un composé de bore ; les grains abrasifs de diamant et le composé de bore étant mélangés en un rapport de volumes prédéterminé ; une taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant étant fixée à 0 pm < Y s 50 pm ; un rapport des tailles de grain 3032643 2 moyennes Z entre le composé de bore et les grains abrasifs de diamant étant fixé à 0,8 Z s 3,0. De préférence, la pièce est une tranche de silicium, et le rapport des tailles de grain moyennes Z est fixé à 0,8 s Z s 2,0. De préférence, le 5 rapport de volumes prédéterminé entre les grains abrasifs de diamant et le composé de bore est fixé à 1:1 à 1:3. De préférence, le composé de bore est sélectionné dans un groupe consistant en le carbure de bore, le nitrure de bore cubique (CBN) et le nitrure de bore hexagonal (HBN). Selon la présente invention, il est possible d'obtenir une réduction 10 de la charge de rectification sur la meule abrasive, une amélioration du rayonnement thermique, ou une longue durée de vie, de sorte que la productivité puisse être améliorée. Les objets, caractéristiques et avantages ci-dessus et d'autres de la présente invention et la manière de les réaliser deviendront plus 15 évidents, et l'invention elle-même sera mieux comprise à partir d'une étude de la description qui suit et des revendications jointes avec référence aux dessins joints montrant un mode de réalisation préféré de l'invention.

20 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en perspective montrant la configuration d'un appareil de rectification comprenant une meule abrasive selon un mode de réalisation préféré de la présente invention ; la figure 2 est un graphe montrant les résultats de la rectification 25 d'une tranche de Si par la meule abrasive selon le mode de réalisation préféré ; la figure 3 est un graphe montrant les résultats de la rectification d'une tranche de Si par la meule abrasive selon le mode de réalisation préféré ; 30 la figure 4 est un graphe montrant les résultats de la rectification d'une tranche de Si par la meule abrasive selon le mode de réalisation préféré ; et la figure 5 est un graphe similaire à la figure 2, montrant les résultats de la rectification d'une tranche de Si polie miroir par la meule 35 abrasive selon le mode de réalisation préféré.

3032643 3 DESCRIPTION DETAILLEE DU MODE DE REALISATION PREFERE Un mode de réalisation préféré de la présente invention va maintenant être décrit en détail avec référence aux dessins. La présente invention n'est pas limitée au mode de réalisation préféré. En outre, les 5 composants utilisés dans le mode de réalisation préféré peuvent comprendre ceux qui peuvent facilement être supposés par les hommes du métier ou sensiblement les mêmes éléments que ceux connus dans l'art. En outre, les configurations décrites ci-dessous peuvent être combinées de manière appropriée. En outre, les configurations peuvent 10 être omises, remplacées, ou modifiées de diverses manières sans s'écarter de l'étendue de la présente invention. La figure 1 est une vue en perspective montrant la configuration d'un appareil de rectification comprenant une meule abrasive selon un mode de réalisation préféré de la présente invention. Sur la figure 1, la 15 direction X montrée par une flèche X est la même que la direction latérale d'un appareil de rectification 10, la direction Y montrée par une flèche Y est la même que la direction longitudinale de l'appareil de rectification 10, et la direction Z montrée par une flèche Z est la même que la direction verticale perpendiculaire au plan XY défini par la direction X et la direction 20 Y. Comme montré sur la figure 1, l'appareil de rectification 10 comprend une première cassette 11 pour stocker une pluralité de tranches W en tant que pièce avant rectification, une deuxième cassette 12 pour stocker les tranches W après rectification, des moyens de manipulation 13 25 servant communément en tant que moyens pour sortir les tranches W de la première cassette 11 avant rectification et moyens pour mettre les tranches W dans la deuxième cassette 12 après rectification, des moyens de positionnement 14 pour positionner (centrer) les tranches W avant rectification, des premiers moyens de transfert 15 pour transférer les 30 tranches W avant rectification, des deuxièmes moyens de transfert 16 pour transférer les tranches W après rectification, trois tables de maintien 17, 18 et 19 pour maintenir les tranches W sous aspiration, une table tournante 20 conçue pour être tournée pour supporter en rotation les tables de maintien 17 à 19, des moyens de rectification 30 et 40 en tant 35 que moyens de traitement pour effectuer différents types de rectification sur la tranche W maintenue sur chacune des tables de maintien 17 à 19, 3032643 4 des premiers moyens de nettoyage 51 pour nettoyer les tranches W après la rectification, et des deuxièmes moyens de nettoyage 52 pour nettoyer les tables de maintien 17 à 19 après la rectification. Dans cet appareil de rectification 10, une des tranches W stockées 5 dans la première cassette 11 est sortie de la première cassette 11 et est ensuite transférée aux moyens de positionnement 14 par les moyens de manipulation 13. Ensuite, la tranche W est positionnée par les moyens de positionnement 14 et ensuite transférée à l'une des tables de maintien 17 à 19, par exemple, la table de maintien 17 dans une position d'attente 10 montrée sur la figure 1, par les premiers moyens de transfert 15. Les trois tables de maintien 17 à 19 sont agencées à intervalles réguliers dans la direction circonférentielle de la table tournante 20. Chacune des tables de maintien 17 à 19 est capable de tourner autour de son axe et peut être déplacée le long d'un cercle dans le plan XY par la rotation de la table 15 tournante 20. Chacune des tables de maintien 17 à 19 est conçue pour être positionnée directement au-dessous des moyens de rectification (unité de rectification) 30 par la rotation dans le sens inverse des aiguilles d'une montre de la table tournante 20 d'un angle prédéterminé, par exemple, 120 degrés par rapport à la position d'attente dans la condition 20 où la tranche W est maintenue sous aspiration. Les moyens de rectification 30 fonctionnent pour effectuer une rectification d'ébauche de la tranche W maintenue sur chacune des tables de maintien 17 à 19. Les moyens de rectification 30 sont montés sur une partie de paroi 22 formée au niveau de l'extrémité arrière d'une base 21 25 dans la direction Y. Une paire de rails de guidage 31 sont prévus sur la partie de paroi 22 de manière à s'étendre dans la direction Z, et un élément de support 33 est monté de manière coulissante sur les rails de guidage 31 de manière à pouvoir être déplacé verticalement par un moteur 32. Les moyens de rectification 30 sont supportés sur l'élément de 30 support 33, de sorte que les moyens de rectification 30 puissent être déplacés verticalement par le mouvement vertical de l'élément de support 33 dans la direction Z. Les moyens de rectification 30 comprennent une broche 34a supportée en rotation, un moteur 34 pour faire tourner la broche 34a, un support de meule 35 fixé à l'extrémité inférieure de la 35 broche 34a, et une meule 36 montée sur la surface inférieure du support de meule 35 pour rectifier le côté arrière de chaque tranche W. La meule 3032643 5 36 comprend une pluralité de meules abrasives 37 pour une rectification d'ébauche. Les meules abrasives 37 sont fixées à la surface inférieure d'une base constituant la meule 36 de manière à être agencées annulairement le long de la circonférence extérieure de la base.

5 La rectification d'ébauche est effectuée de la manière suivante. Lorsque la broche 34a est mise en rotation par le moteur 34, la meule 36 est mise en rotation. A cet instant, les moyens de rectification 30 sont abaissés dans la direction Z par la mise en oeuvre du moteur 32 pour, de ce fait, avancer vers le bas la meule 36 jusqu'à ce que les meules 10 abrasives 37 viennent en contact avec le côté arrière de la tranche W maintenue sur la table de maintien 17, par exemple, et positionnée directement au-dessous des moyens de rectification 30. En conséquence, le côté arrière de la tranche W maintenue sur la table de maintien 17 est rectifié par les meules abrasives 37 de la meule 36 en rotation. Lorsque la 15 rectification d'ébauche de la tranche W maintenue sur la table de maintien 17 est terminée, la table tournante 20 est tournée de 120 degrés dans la direction inverse des aiguilles d'une montre, de sorte que la tranche W maintenue sur la table de maintien 17 soit déplacée à la position directement au-dessous des moyens de rectification (unité de 20 rectification) 40. C'est-à-dire que la tranche W est positionnée directement au-dessous des moyens de rectification 40 après la rectification d'ébauche. Les moyens de rectification 40 fonctionnent pour effectuer une rectification de finition de la tranche W maintenue sur chacune des tables 25 de maintien 17 à 19. Les moyens de rectification 40 sont également montés sur la partie de paroi 22. Une paire de rails de guidage 41 sont prévus sur la partie de paroi 22 de manière à s'étendre dans la direction Z, et un élément de support 43 est monté de manière coulissante sur les rails de guidage 41 de manière à pouvoir être déplacé verticalement par un 30 moteur 42. Les moyens de rectification 40 sont supportés sur l'élément de support 43, de sorte que les moyens de rectification 40 puissent être déplacés verticalement par le mouvement vertical de l'élément de support 43 dans la direction Z. Les moyens de rectification 40 comprennent une broche 44a supportée en rotation, un moteur 44 pour faire tourner la 35 broche 44a, un support de meule 45 fixé à l'extrémité inférieure de la broche 44a, et une meule 46 montée sur la surface inférieure du support 3032643 6 de meule 45 pour rectifier le côté arrière de chaque tranche W. La meule 46 comprend une pluralité de meules abrasives 47 pour effectuer une rectification de finition. Les meules abrasives 47 sont fixées à la surface inférieure d'une base constituant la meule 46 de manière à être agencées 5 annulairement le long de la circonférence extérieure de la base. Ainsi, les moyens de rectification 40 ont la même configuration de base que les moyens de rectification 30, et les meules abrasives 47 diffèrent uniquement quant à leur type des meules abrasives 37. La rectification de finition est effectuée de la manière suivante.

10 Lorsque la broche 44a est mise en rotation par le moteur 44, la meule 46 est mise en rotation. A cet instant, les moyens de rectification 40 sont abaissés dans la direction Z en mettant en oeuvre le moteur 44 pour, de ce fait, avancer vers le bas la meule 46 jusqu'à ce que les meules abrasives 47 viennent en contact avec le côté arrière de la tranche W 15 maintenue sur la table de maintien 17 et positionnée directement au- dessous des moyens de rectification 40. En conséquence, le côté arrière de la tranche W maintenue sur la table de maintien 17 est rectifié par les meules abrasives 47 de la meule 46 en rotation. Lorsque la rectification de finition de la tranche W maintenue sur la table de maintien 17 est 20 terminée, la table tournante 20 est tournée de 120 degrés dans la direction inverse des aiguilles d'une montre, de sorte que la tranche W maintenue sur la table de maintien 17 soit ramenée à la position d'attente (position initiale ou position de chargement/déchargement) montrée sur la figure 1. A cette position, la tranche W dont le côté arrière a subi la 25 rectification de finition est transférée aux premiers moyens de nettoyage 51 par les deuxièmes moyens de transfert 16. Au niveau des premiers moyens de nettoyage 51, la poussière de rectification est retirée de la tranche W par nettoyage. Ensuite, la tranche W est mise dans la deuxième cassette 12 par les moyens de manipulation 13. En outre, après le 30 transfert de la tranche W de la position d'attente aux premiers moyens de nettoyage 51, la table de maintien 17 dans sa condition vide est nettoyée par les deuxièmes moyens de nettoyage 52. Bien que cela ne soit pas décrit spécifiquement ci-dessus, la rectification d'ébauche et la rectification de finition de la tranche W maintenue sur chacune des autres 35 tables de maintien 18 et 19 sont également effectuées de manière similaire conformément à la position de rotation de la table tournante 20.

3032643 7 En outre, le chargement/déchargement de la tranche W sur/de chacune des autres tables de maintien 18 et 19 est également effectué de manière similaire conformément à la position de rotation de la table tournante 20. Chacune des meules abrasives 37 et 47 contient des grains 5 abrasifs de diamant et un composé de bore. Des exemples des grains abrasifs de diamant comprennent le diamant naturel, le diamant synthétique, et le diamant synthétique revêtu d'un métal. Des exemples du composé de bore comprennent le B4C (carbure de bore), le CBN (nitrure de bore cubique) et le HBN (nitrure de bore hexagonal). Chacune 10 des meules abrasives 37 et 47 est obtenue en malaxant les grains abrasifs de diamant et le composé de bore avec un liant vitrifié, un liant à base de résine, ou un liant métallique, en formant le mélange résultant en utilisant une presse à chaud, et en frittant ensuite le matériau formé résultant. En variante, chacune des meules abrasives 37 et 47 peut être obtenue par 15 électroformage des grains abrasifs de diamant et du composé de bore avec un dépôt de nickel sur une base. En outre, le rapport de volumes entre les grains abrasifs de diamant et le composé de bore est de préférence fixé à 1:1 à 1:3. Si X [pm] indique la taille de grain moyenne du composé de bore 20 et Y [pm] indique la taille de grain moyenne des grains abrasifs de diamant, le rapport des tailles de grain moyennes Z (= X/Y) entre le composé de bore et les grains abrasifs de diamant dans chacune des meules abrasives 37 et 47 est fixé à 0,8 s Z s 3,0. Si le rapport des tailles de grain moyennes Z est inférieur à 0,8, la fonction ou le rôle du composé 25 de bore en tant que charge (substance de remplissage) rendant les meules abrasives 37 et 47 fragiles devient grand. En outre, si le rapport des tailles de grain moyennes Z est supérieur à 3,0, la fonction ou le rôle des grains abrasifs de diamant en tant que grains abrasifs principaux devient plus petit que la fonction ou le rôle de la charge, de sorte que les 30 grains abrasifs de diamant contribuent à peine à la rectification. En outre, la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant est fixée à 0 pm < Y s 50 pm. La raison pour laquelle la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant est fixée à 50 pm ou moins est que l'utilisation de grains abrasifs de diamant ayant une taille de grain moyenne de 50 pm 35 ou moins est appropriée pour la rectification de chaque tranche W sur laquelle des dispositifs électroniques sont formés.

3032643 8 Dans le cas où chaque tranche W en tant que pièce dans le mode de réalisation préféré est une tranche de Si (tranche de silicium) contenant du Si, la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant dans chaque meule abrasive 37 pour la rectification d'ébauche est 5 de préférence fixée à 20 pm s Y s 50 pm parce que la taille de grain moyenne pour la rectification d'ébauche est plus grande que celle pour la rectification de finition. En outre, la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant dans chaque meule abrasive 47 pour la rectification de finition est de préférence fixée à 0,5 pm s Y s 1 pm parce que la taille 10 de grain moyenne pour la rectification de finition est plus petite que celle pour la rectification d'ébauche. En fixant le rapport des tailles de grain moyennes Z entre le composé de bore et les grains abrasifs de diamant à 0,8 s Z s 3,0 et en fixant la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant à 15 0 pm < Y s 50 pm comme décrit ci-dessus, la propriété de lubrification solide du composé de bore peut être développée efficacement lors de la rectification de chaque tranche W. En outre, la charge de rectification sur les meules abrasives 37 et 47 peut être réduite. Etant donné que la charge de rectification sur les meules abrasives 37 et 47 est réduite, l'usure des 20 meules abrasives 37 et 47 lors de la rectification de chaque tranche W avec les meules abrasives 37 et 47 peut être réduite, résultant en une longue durée de vie. En outre, le composé de bore a une conductivité thermique élevée. En particulier, le CBN et le HBN ont une conductivité thermique élevée. Par conséquent, le rayonnement thermique à partir d'un 25 point de fonctionnement peut être amélioré lors de la rectification de la pièce avec les meules abrasives 37 et 47. Ainsi, le degré d'usure des meules abrasives 37 et 47 dans l'appareil de rectification 10 peut être réduit, réduisant de ce fait la fréquence de remplacement des meules abrasives 37 et 47. En conséquence, la productivité dans l'appareil de 30 rectification 10 peut être améliorée. Une comparaison a été effectuée entre une meule abrasive classique et la meule abrasive selon la présente invention. Les figures 2 à 4 sont des graphes montrant les résultats de la rectification par la meule abrasive selon le mode de réalisation préféré. Sur les figures 2 et 4, l'axe 35 vertical représente l'ampérage [A] d'un courant électrique fourni au moteur pour faire tourner la meule abrasive, et l'axe horizontal représente 3032643 9 le temps de rectification [s] nécessaire pour la rectification de chaque tranche W. Sur la figure 3, l'axe vertical représente l'usure [pm], et l'axe horizontal représente le nombre de tranches W rectifiées, où chaque point représente l'usure de la meule abrasive à la fin de la rectification de 5 chaque tranche W. La meule abrasive classique (qui sera appelée ci-après « échantillon classique ») et la meule abrasive selon la présente invention (qui sera appelée ci-après « échantillons 1 à 4 de l'invention ») sont toutes deux des meules abrasives pour la rectification d'ébauche. C'est-à- 10 dire que les « échantillons 1 à 4 de l'invention » sont des exemples de chaque meule abrasive 37. D'autre part, « l'échantillon classique » est une meule abrasive sans composé de bore et contenant uniquement des grains abrasifs de diamant, dans laquelle la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant est de 20 pm. Chacun des « échantillons 1 à 4 15 de l'invention » est une meule abrasive contenant à la fois des grains abrasifs de diamant et du CBN en tant que composé de bore, dans laquelle les grains abrasifs de diamant et le composé de bore sont malaxés avec un liant vitrifié et ensuite frittés. « L'échantillon 1 de l'invention » est défini de sorte que la taille de grain moyenne X du 20 composé de bore soit de 20 pm, que la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant soit de 20 pm, que le rapport des tailles de grain moyennes Z soit égal à 1, et que le rapport de volumes entre le composé de bore et les grains abrasifs de diamant soit égal à 1. « L'échantillon 2 de l'invention » est défini de sorte que la taille de grain 25 moyenne X du composé de bore soit de 30 pm, que la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant soit de 20 pm, que le rapport des tailles de grain moyennes Z soit égal à 1,5, et que le rapport de volumes entre le composé de bore et les grains abrasifs de diamant soit égal à 1. « L'échantillon 3 de l'invention » est défini de sorte que la taille 30 de grain moyenne X du composé de bore soit de 45 pm, que la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant soit de 20 pm, que le rapport des tailles de grain moyennes Z soit égal à 2,25, et que le rapport de volumes entre le composé de bore et les grains abrasifs de diamant soit égal à 1. « L'échantillon 4 de l'invention » est défini de sorte que la 35 taille de grain moyenne X du composé de bore soit de 50 pm, que la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant soit de 20 pm, que le 3032643 10 rapport des tailles de grain moyennes Z soit égal à 2,5, et que le rapport de volumes entre le composé de bore et les grains abrasifs de diamant soit égal à 1. Chaque tranche W en tant que pièce à rectifier par « l'échantillon classique » et par les « échantillons 1 à 4 de l'invention » 5 est une tranche de Si comportant un film d'oxyde (film de 5i02 ayant une épaisseur d'environ 600 nm) présent sur la surface de travail. C'est-à-dire qu'une pluralité de ces tranches W ont été rectifiées par « l'échantillon classique » et par les « échantillons 1 à 4 de l'invention ». La figure 2 montre les résultats de la rectification des tranches W 10 par « l'échantillon classique » et par « l'échantillon 1 de l'invention ». Sur la figure 2, QS1 et PS1 indiquent les résultats de la rectification de la première tranche W par « l'échantillon classique » et par « l'échantillon 1 de l'invention », respectivement ; QS2 et PS2 indiquent les résultats de la rectification de la deuxième tranche W par « l'échantillon classique » et 15 par « l'échantillon 1 de l'invention », respectivement ; et QS3 et PS3 indiquent les résultats de la rectification de la troisième tranche W par « l'échantillon classique » et par « l'échantillon 1 de l'invention », respectivement. Comme cela est évident à partir de la figure 2, les résultats de la rectification par « l'échantillon classique » (QS1 à QS3) sont 20 tels qu'aucun pic remarquable n'est présent au début de la rectification et que l'ampérage est uniforme pendant le temps de rectification indépendamment du nombre de tranches W à rectifier. D'autre part, les résultats de la rectification par « l'échantillon 1 de l'invention » (PS1 à PS3) sont tels que des pics supérieurs à l'ampérage dans le cas de 25 « l'échantillon classique » apparaissent au début de la rectification, mais que l'ampérage après l'apparition des pics est nettement inférieur à l'ampérage dans le cas de « l'échantillon classique » indépendamment du nombre de tranches W à rectifier. Dans le cas de « l'échantillon 1 de l'invention » (également de manière similaire dans le cas des 30 « échantillons 2 à 4 de l'invention », l'oxyde natif (Si02) formé sur la surface de travail de chaque tranche W est rectifié au début de la rectification, de sorte que l'ampérage montrant une charge de rectification au début de la rectification est supérieur à celui dans le cas de « l'échantillon classique » et apparaît en tant que pics. Cependant, après 35 le retrait de l'oxyde natif par rectification, l'ampérage diminue rapidement.

3032643 11 Autrement dit, la charge de rectification est considérablement réduite dans son ensemble. Comme décrit ci-dessus, l'ampérage lors de la rectification de chaque tranche W par « l'échantillon 1 de l'invention » est inférieur à celui 5 par « l'échantillon classique » comme montré sur la figure 2. Par conséquent, l'usure de « l'échantillon 1 de l'invention » lors de la rectification de chaque tranche W est nettement réduite comme montré sur la figure 3. En conséquence, dans le cas de la rectification de plusieurs tranches W, le gradient de l'usure de « l'échantillon 1 de l'invention » (la 10 pente d'une ligne PS montrée sur la figure 3) est nettement inférieur au gradient de l'usure de « l'échantillon classique » (la pente d'une ligne QS montrée sur la figure 3). C'est-à-dire que, étant donné que la charge de rectification sur « l'échantillon 1 de l'invention » est inférieure à celle sur « l'échantillon classique », l'usure de « l'échantillon 1 de l'invention » est 15 inférieure à celle de « l'échantillon classique », de sorte que la durée de vie de « l'échantillon 1 de l'invention » est plus longue que celle de « l'échantillon classique ». La figure 4 montre les résultats de la rectification de la nième tranche W (n est un nombre prédéterminé) par « l'échantillon classique » 20 et par les « échantillons 1 à 4 de l'invention ». Sur la figure 4, QS4 indique le résultat de la rectification de la nième tranche W par « l'échantillon classique » ; PS4 indique le résultat de la rectification de la nième tranche W par « l'échantillon 1 de l'invention » ; PS5 indique le résultat de la rectification de la nième tranche W par « l'échantillon 2 de l'invention » ; 25 PS6 indique le résultat de la rectification de la nième tranche W par « l'échantillon 3 de l'invention » ; et PS7 indique le résultat de la rectification de la nième tranche W par « l'échantillon 4 de l'invention ». Comme cela est évident à partir de la figure 4, le résultat de la rectification par « l'échantillon classique » (QS4) est tel qu'aucun pic 30 remarquable n'est présent au début de la rectification du film d'oxyde et que l'ampérage est uniforme (15 à 16 ampères) pendant le temps de rectification. D'autre part, le résultat de la rectification par « l'échantillon 1 de l'invention » (PS4) est tel qu'un pic (environ 15 ampères) inférieur à l'ampérage dans le cas de « l'échantillon classique » apparaît au début de 35 la rectification et que l'ampérage après l'apparition du pic est 3032643 12 remarquablement inférieur (12 à 13 ampères) à l'ampérage dans le cas de « l'échantillon classique ». Le résultat de la rectification par « l'échantillon 2 de l'invention » (PS5) est tel qu'un pic (environ 16 ampères) supérieur à l'ampérage dans 5 le cas de « l'échantillon classique » et à l'ampérage dans le cas de « l'échantillon 1 de l'invention » apparaît au début de la rectification et que l'ampérage après l'apparition du pic est remarquablement inférieur (environ 12 ampères) à l'ampérage dans le cas de « l'échantillon classique » et sensiblement identique à l'ampérage dans le cas de 10 « l'échantillon 1 de l'invention ». Le résultat de la rectification par « l'échantillon 3 de l'invention »(PS6) est tel qu'un pic (environ 18 ampères) supérieur à l'ampérage dans le cas de « l'échantillon classique » et à l'ampérage dans le cas des « échantillons 1 et 2 de l'invention » apparaît au début de la rectification et que l'ampérage après l'apparition 15 du pic est remarquablement inférieur (environ 12 ampères) à l'ampérage dans le cas de « l'échantillon classique » et sensiblement identique à l'ampérage dans le cas des « échantillons 1 et 2 de l'invention ». Le résultat de la rectification par « l'échantillon 4 de l'invention » (PS7) est tel qu'un pic (environ 18 ampères) supérieur à l'ampérage dans le cas de 20 « l'échantillon classique » et à l'ampérage dans le cas des « échantillons 1 à 3 de l'invention » apparaît au début de la rectification et que l'ampérage après l'apparition du pic est remarquablement inférieur à l'ampérage dans le cas de « l'échantillon classique » et sensiblement identique à l'ampérage dans le cas des « échantillons 1 à 3 de l'invention ». Dans le cas des 25 « échantillons 1 à 4 de l'invention », l'ampérage augmente de 9 ampères au pic au début de la rectification (lors de la rectification du film d'oxyde) et diminue ensuite à 12 à 13 ampères lors de la rectification de la tranche de Si. Ce résultat montre que la charge de rectification après le retrait du film d'oxyde est considérablement inférieure à celle dans le cas de 30 « l'échantillon classique ». Dans le cas des « échantillons 1 à 4 de l'invention », l'ampérage lors de la rectification de chaque tranche W est inférieur à celui dans le cas de « l'échantillon classique ». Par conséquent, la charge de rectification lors de la rectification de plusieurs tranches W est inférieure à 35 celle dans le cas de « l'échantillon classique », de sorte que l'usure des « échantillons 1 à 4 de l'invention » est inférieure à celle dans le cas de 3032643 13 « l'échantillon classique ». En conséquence, la durée de vie des « échantillons 1 à 4 de l'invention » est plus longue que celle de « l'échantillon classique ». En particulier, les « échantillons 1 et 2 de l'invention » sont plus appropriés que les « échantillons 3 et 4 de 5 l'invention » lors de la rectification d'une tranche de Si en tant que tranche W en tant que pièce parce que le pic au début de la rectification est plus faible. Par conséquent, dans le cas où la pièce est une tranche de Si, le rapport des tailles de grain moyennes Z est de préférence fixé à 0,8 s Z 2,0. En outre, l'ampérage montré sur la figure 4 change en fonction de 10 l'appareil de rectification et le pic est de préférence plus faible dans l'optique d'une faible charge de rectification et d'une application à l'appareil de rectification. C'est-à-dire que « l'échantillon 1 de l'invention » ou « l'échantillon 2 de l'invention » est plus préférable que « l'échantillon 3 de l'invention » ou « l'échantillon 4 de l'invention ».

15 Bien qu'une tranche de Si comportant un film d'oxyde (oxyde natif) formé sur la surface de travail soit utilisée en tant que pièce dans le mode de réalisation préféré, la tranche W en tant que pièce n'est pas limitée à une tranche de Si, mais la tranche W peut être une tranche de SiC contenant du SiC, par exemple. Dans ce cas, la taille de grain moyenne Y 20 des grains abrasifs de diamant dans chaque meule abrasive 37 pour une rectification d'ébauche est de préférence fixée à 3 pm s Y s 10 pm parce que la taille de grain moyenne pour la rectification d'ébauche est plus grande que celle pour la rectification de finition. En outre, la taille de grain moyenne Y des grains abrasifs de diamant dans chaque meule abrasive 47 25 pour la rectification de finition est de préférence fixée à 0,5 pm s Y s 1 pm parce que la taille de grain moyenne pour la rectification de finition est plus petite que celle pour la rectification d'ébauche. En outre, le rapport des tailles de grain moyennes Z est de préférence fixé à 1,0 s Z s 2,0.

30 En outre, la tranche W en tant que pièce peut être une tranche de Si polie miroir. La figure 5 est un graphe montrant les résultats de la rectification par la meule abrasive selon la présente invention dans le cas où la tranche W est une tranche de Si polie miroir. Sur la figure 5, l'axe vertical représente l'ampérage [A] d'un courant électrique fourni au 35 moteur pour faire tourner la meule abrasive, et l'axe horizontal représente le temps de rectification [s] nécessaire pour la rectification de chaque 3032643 14 tranche W. La figure 5 montre les résultats de la rectification d'une tranche de Si polie miroir par « l'échantillon classique » et par « l'échantillon 1 de l'invention ». La tranche de Si polie miroir est une tranche de Si comportant une surface miroir, dans laquelle aucun film 5 d'oxyde n'est formé sur la surface miroir ou un mince film d'oxyde est formé sur la surface miroir avec une épaisseur inférieure à l'épaisseur du film d'oxyde formé sur la tranche de Si, montré sur les figures 2 à 4. Sur la figure 5, QM1 et PM1 indiquent les résultats de la rectification de la première tranche W par « l'échantillon classique » et par « l'échantillon 1 10 de l'invention », respectivement, et QM2 et PM2 indiquent les résultats de la rectification de la deuxième tranche W par « l'échantillon classique » et par « l'échantillon 1 de l'invention », respectivement. Comme cela est évident à partir de la figure 5, les résultats de la rectification par « l'échantillon classique » (QM1 et QM2) sont tels qu'aucun pic 15 remarquable n'est présent au début de la rectification et que l'ampérage est uniforme (environ 18 ampères au maximum) pendant le temps de rectification indépendamment du nombre de tranches W à rectifier. D'autre part, les résultats de la rectification par « l'échantillon 1 de l'invention » (PM1 et PM2) sont tels qu'aucun pic n'apparaît au début de la 20 rectification et que l'ampérage est plus faible (environ 16 ampères au maximum) que celui dans le cas de « l'échantillon classique ». La tranche de Si polie miroir contient également du Si en tant que composant principal et il est considéré que le comportement de rectification lors de la rectification de la tranche de Si polie miroir est similaire à celui lors de la 25 rectification de la tranche de Si montré sur les figures 2 à 4 après le retrait du film d'oxyde de silicium. Par conséquent, également lors de la rectification de la tranche de Si polie miroir en utilisant les « échantillons 2 à 4 de l'invention », il est possible d'obtenir des effets similaires à ceux dans le cas de la tranche de Si montrés sur les figures 2 à 4.

30 Comme décrit ci-dessus, l'ampérage lors de la rectification de chaque tranche W par « l'échantillon 1 de l'invention » est inférieur à celui par « l'échantillon classique ». Par conséquent, également dans le cas de la rectification de la tranche de Si polie miroir, la charge de rectification sur « l'échantillon 1 de l'invention » est inférieure à celle sur « l'échantillon 35 classique ». En conséquence, l'usure de « l'échantillon 1 de l'invention » lors de la rectification de chaque tranche W est inférieure à celle de 3032643 15 « l'échantillon classique », de sorte que la durée de vie de « l'échantillon 1 de l'invention » est plus longue que celle de « l'échantillon classique ». En outre, étant donné que le composé de bore a une conductivité thermique élevée, le rayonnement thermique à partir du point de rectification sur la 5 pièce à rectifier par les meules abrasives 37 et 47 peut être amélioré. Par conséquent, également dans le cas de la rectification de la tranche de Si polie miroir, il est possible d'éliminer une réduction de la vitesse de rectification en considération de la chaleur générée lors de la rectification, de sorte que la productivité peut être améliorée.

10 La présente invention n'est pas limitée aux détails du mode de réalisation préféré décrit ci-dessus. L'étendue de l'invention est définie par les revendications jointes et tous les changements et modifications qui tombent dans l'équivalence de l'étendue des revendications doivent par conséquent être compris dans l'invention. 15

Claims

REVENDICATIONS1. Meule abrasive (37,47) pour rectifier une pièce (W), comprenant des grains abrasifs de diamant et un composé de bore ; lesdits grains abrasifs de diamant et ledit composé de bore étant mélangés en un rapport de volumes prédéterminé ; une taille de grain moyenne Y desdits grains abrasifs de diamant étant fixée à 0 pm < Y s 50 pm ; un rapport des tailles de grain moyennes Z entre ledit composé de bore et lesdits grains abrasifs de diamant étant fixé à 0,8 s Z s 3,0.
2. Meule abrasive (37,47) selon la revendication 1, dans laquelle ladite pièce (W) est une tranche de silicium, et ledit rapport des tailles de grain moyennes Z est fixé à 0,8 s Z 5 2,0.
3. Meule abrasive (37,47) selon la revendication 1, dans laquelle ledit rapport de volumes prédéterminé entre lesdits grains abrasifs de diamant et ledit composé de bore est fixé à 1:1 à 1:3.
4. Meule abrasive (37,47) selon la revendication 1, dans laquelle ledit composé de bore est sélectionné dans le groupe consistant en le carbure de bore, le nitrure de bore cubique (CBN) et le nitrure de bore hexagonal (HBN).