KR20230174167A - 피가공물의 연삭 방법 - Google Patents

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KR20230174167A
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유스케 후지이
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) TAIKO 프로세스에 있어서 경질 웨이퍼 등을 다단적으로 연삭할 때에, 연삭 후반에서 발생하기 쉬운 문제를 억제한다.
(해결 수단) 단결정 기판은, 저항률이 0.1 Ωㆍcm 이하의 실리콘 단결정 기판, 화합물 반도체 단결정 기판, 단결정 사파이어 기판, 또는, 복산화물 단결정 기판을 갖는 피가공물에, 원환 형상의 제1 베이스의 둘레 방향을 따라 복수의 제1 연삭 지석이 환형으로 배치된 제1 연삭 휠을 사용하여, 링형 보강부와, 직경 방향에 있어서 링형 보강부의 내측에 위치하는 얇은 제1 박판부와, 직경 방향에 있어서 제1 박판부의 내측에 위치하는 제2 박판부를 형성하는 제1 연삭 단계와, 제1 연삭 지석의 지립의 평균 입경보다 작은 평균 입경을 갖는 지립을 각각 포함하는 복수의 제2 연삭 지석이 원환 형상의 제2 베이스의 둘레 방향을 따라 환형으로 배치된 제2 연삭 휠을 사용하여, 제1 박판부 및 제2 박판부를 연삭하는 제2 연삭 단계를 구비하는 피가공물의 연삭 방법을 제공한다.

Description

피가공물의 연삭 방법{METHOD FOR GRINDING A WORKPIECE}
본 발명은, 피가공물의 단결정 기판을 연삭하는 것에 의해, 박판부와, 박판부의 외주부를 둘러싸는 링형 보강부를 피가공물에 형성하는 피가공물의 연삭 방법에 관한 것이다.
각각 박화된 복수의 디바이스 칩을 적층시켜 하나의 패키지로 하는 SiP(System in Package)의 보급 등에 따라, 웨이퍼를 수율 좋게 박화할 수 있는 연삭 기술이 요망되고 있다. 웨이퍼를 박화하는 연삭 기술의 하나로서, TAIKO(등록상표)라고 칭해지는 연삭 기술(이하, 편의적으로 TAIKO 프로세스라고 약기함)이 알려져 있다.
TAIKO 프로세스에서는, 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역을 표면 측에 갖는 웨이퍼의 이면 측을 연삭할 때에, 표면 측의 디바이스 영역에 대응하는 이면 측의 소정 영역을 연삭하는 것에 의해, 이면 측의 외주 부분을 환형 볼록부로서 잔존시킨다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
이에 의해, 이면 측 전체를 동일하게 박화한 경우에 비해 웨이퍼의 강도를 높게 할 수 있으므로, 박화 후의 웨이퍼의 휘어짐이나 반송 시에 있어서의 웨이퍼의 균열 등을 억제할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, TAIKO 프로세스에서는, 먼저, 거친 연삭 지석을 갖는 거친 연삭 휠로 이면 측의 소정 영역에 대해 거친 연삭을 실시한 후, 마무리 연삭 지석을 갖는 마무리 연삭 휠로, 거친 연삭 후의 소정 영역에 대해 마무리 연삭을 실시한다.
그러나, 이와 같이 다단적인 연삭을 실시하는 경우(즉, 거친 연삭 및 마무리 연삭을 순서대로 실시하는 경우)의 연삭 후반(즉, 마무리 연삭)에서는, (1) 불순물 농도가 비교적 높은 하이도프 실리콘 웨이퍼(highly-doped silicon wafer), (2) 화합물 반도체 웨이퍼(예를 들어, 질화갈륨(GaN) 및 탄화규소(SiC)) 등의 경질 웨이퍼를 연삭할 때에, 연삭 지석의 컨디션이 악화되기 쉽다.
연삭 지석의 컨디션이 악화되면, 연삭 저항이 상승하여, 스핀들을 구동하기 위한 전류값이 급격하게 상승하는 등의 문제가 발생한다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2007-19461호
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, TAIKO 프로세스에 있어서 경질 웨이퍼 등을 다단적으로 연삭할 때에, 연삭 후반에 발생하기 쉬운 문제를 억제하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 단결정 기판을 포함하는 피가공물의 그 단결정 기판을 연삭하는 것에 의해, 박판부와, 그 박판부의 외주부를 둘러싸는 링형 보강부를 상기 피가공물에 형성하는 피가공물의 연삭 방법으로서, 상기 단결정 기판은, 저항률이 0.1 Ωㆍcm 이하의 실리콘 단결정 기판, 화합물 반도체 단결정 기판, 단결정 사파이어 기판, 또는, 복산화물 단결정 기판이며, 척 테이블로 상기 피가공물을 유지하는 유지 단계와, 원환 형상의 제1 베이스의 둘레 방향을 따라 복수의 제1 연삭 지석이 환형으로 배치된 제1 연삭 휠을 사용하여, 상기 피가공물의 직경 방향에 있어서 가장 외측에 위치하는 상기 링형 보강부와, 상기 직경 방향에 있어서 상기 링형 보강부의 내측에 위치하고 또한 상기 링형 보강부보다 얇은 제1 박판부와, 상기 직경 방향에 있어서 상기 제1 박판부의 내측에 위치하고 또한 상기 제1 박판부보다 얇은 제2 박판부를 상기 피가공물에 형성하는 제1 연삭 단계와, 상기 제1 연삭 단계 후, 상기 제1 연삭 지석의 지립의 평균 입경보다 작은 평균 입경을 갖는 지립을 각각 포함하는 복수의 제2 연삭 지석이 원환 형상의 제2 베이스의 둘레 방향을 따라 환형으로 배치된 제2 연삭 휠을 사용하여, 상기 제1 박판부 및 상기 제2 박판부를 연삭하는 제2 연삭 단계를 구비하는, 피가공물의 연삭 방법이 제공된다.
바람직하게는, 제1 연삭 단계는, 상기 링형 보강부 및 상기 제1 박판부를 형성하는 상측 가공 단계와, 상기 상측 가공 단계 후, 상기 제2 박판부를 형성하는 하측 가공 단계를 갖는다.
또한, 바람직하게는, 상기 제1 연삭 단계는, 상기 제2 박판부를 형성하는 내측 가공 단계와, 상기 내측 가공 단계 후, 상기 제1 박판부 및 상기 링형 보강부를 형성하는 외측 가공 단계를 갖는다.
또한, 바람직하게는, 상기 제1 연삭 단계에서는, 상기 복수의 제1 연삭 지석의 회전의 궤적이 상기 척 테이블의 회전축의 연장선 상을 통과하지 않는 상태에서 상기 피가공물의 상기 단결정 기판을 연삭하는 것에 의해, 상기 직경 방향에 있어서 상기 제2 박판부보다 내측에 위치하고 상기 제1 박판부와 동일한 두께를 갖는 원통 형상 볼록부를 형성하고, 제2 연삭 단계에서는, 상기 제1 박판부, 상기 제2 박판부 및 상기 원통 형상 볼록부를 연삭한다.
본 발명의 일 양태에 관련된 피가공물의 연삭 방법의 제2 연삭 단계에서는, 먼저, 제1 박판부의 상면 측에서 제2 연삭 지석에 대해 1회째의 드레싱이 실시된다. 게다가, 1회째의 드레싱이 실시된 제2 연삭 지석으로 제1 박판부를 연삭할 수 있다.
더욱 연삭을 진행시키면, 제2 박판부의 상면 측에서 제2 연삭 지석에 대해 2 회째의 드레싱이 실시된다. 게다가, 2회째의 드레싱이 실시된 제2 연삭 지석으로 제2 박판부를 연삭할 수 있다.
즉, 제2 연삭 단계에서는, 단계적인 연삭에 의해 시간적 간격을 두고 복수 회의 드레싱을 실시할 수 있다. 이와 같이, 제2 연삭 단계에 있어서 상이한 타이밍에 제2 연삭 지석의 컨디션을 회복할 수 있기 때문에, 연삭 후반에 발생하기 쉬운 문제를 억제할 수 있다.
도 1은, 제1 실시 형태에서의 피가공물의 연삭 방법의 플로우도이다.
도 2는, 피가공물 등의 사시도이다.
도 3은, 유지 단계를 도시하는 도면이다.
도 4는, 제1 연삭 단계를 도시하는 도면이다.
도 5는, 상측 가공 단계 후의 피가공물의 일부의 단면도이다.
도 6(A)는, 척 테이블과 거친 연삭 유닛을 수평 방향을 따라서 상대적으로 이동시키는 모습을 도시하는 일부 단면 측면도이고, 도 6(B)는, 하측 가공 단계를 도시하는 일부 단면 측면도이다.
도 7은, 하측 가공 단계 후의 피가공물의 일부의 단면도이다.
도 8(A)는, 제2 연삭 단계 개시 시의 피가공물 등의 일부 단면 측면도이고, 도 8(B)는, 제2 연삭 단계 중의 피가공물 등의 일부 단면 측면도이다.
도 9는, 제2 연삭 단계 후에 있어서의 피가공물의 일부의 단면도이다.
도 10은, 제2 실시 형태에서의 피가공물의 연삭 방법의 플로우도이다.
도 11(A)는, 내측 가공 단계 후의 피가공물의 일부의 단면도이고, 도 11(B)는, 외측 가공 단계 후의 피가공물의 일부의 단면도이다.
도 12는, 상측 가공 단계 후의 피가공물의 일부의 단면도이다.
도 13(A)는, 제3 실시 형태에서의 하측 가공 단계의 상면도이고, 도 13(B)는, 제3 실시 형태에서의 하측 가공 단계의 일부 단면 측면도이다.
도 14는, 하측 가공 단계 후의 피가공물의 일부의 단면도이다.
도 15(A)는, 제4 실시 형태에서의 내측 가공 단계에서 원통 형상 볼록부를 형성한 후의 피가공물의 일부의 단면도이고, 도 15(B)는, 제4 실시 형태에서의 외측 가공 단계 후의 피가공물의 일부의 단면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관한 실시 형태에 관해 설명한다. 도 1은, 제1 실시 형태에서의 피가공물(11)(도 2 등 참조)의 연삭 방법의 플로우도이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 피가공물(11)은, 원반 형상의 단결정 기판(13)을 포함한다.
본 실시 형태의 단결정 기판(13)은, 저항률이 0.1Ωㆍcm 이하의 실리콘 단결정 기판, 화합물 반도체 단결정 기판 또는 복산화물 단결정 기판이다. 저항률이 0.001Ωㆍcm 이상 0.1Ωㆍcm 이하의 실리콘 단결정 기판은, 통상, 하이도프 실리콘 웨이퍼라고 불린다.
하이도프 실리콘 웨이퍼는, 통상의 실리콘 단결정 기판(예를 들면, 저항률이 0.1Ωㆍcm보다 크고 40.0Ωㆍcm 이하)에 비해 경질이기 때문에, 통상의 실리콘 단결정 기판을 연삭하는 경우에 비해 연삭(특히, 마무리 연삭)에서는 문제가 생기기 쉽다.
마찬가지로, 질화갈륨, 탄화규소 등의 화합물 반도체 재료로 형성되어 있는 화합물 반도체 단결정 기판이나 단결정 사파이어 기판도, 통상의 실리콘 단결정 기판에 비하여 경질이기 때문에, 통상의 실리콘 단결정 기판을 연삭하는 경우에 비하여 연삭(특히 마무리 연삭)으로는 문제가 발생하기 쉽다.
이에 대해, 탄탈산리튬(LT: lithium tantalate), 니오브산리튬(LN: lithium niobate) 등으로 형성된 웨이퍼(즉, 복산화물 단결정 기판)는, 통상의 실리콘 단결정 기판에 비해 딱딱하지는 않지만, 연삭 시에 클로깅 등이 생기기 쉽기 때문에, 통상의 실리콘 단결정 기판을 연삭하는 경우에 비해 연삭(특히 마무리 연삭)에서는 문제가 생기기 쉽다.
단결정 기판(13)의 표면(13a) 측에는, 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(15)이 격자형으로 설정되어 있고, 복수의 분할 예정 라인(15)으로 구획된 각 소영역에는, IC(Integrated Circuit) 등의 디바이스(17)가 형성되어 있다. 또한, 피가공물(11)에 있어서, 디바이스(17)의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에 제한은 없다.
본 실시 형태에서는, 복수의 디바이스(17)가 형성된 표면(13a) 측의 영역(즉, 디바이스 영역)에 대응하는 이면(13b) 측의 소정 영역을 연삭하는 것에 의해, 피가공물(11)의 일부를 박화한다. 또한, 이면(13b) 측의 소정의 영역은, 피가공물(11)의 외주 가장자리와 동심형이며, 피가공물(11)의 외경보다 작은 원형 영역이다.
단결정 기판(13)을 연삭하기 전에는, 단결정 기판(13)과 대략 동일 직경의 수지제의 보호 부재(19)(도 2 참조)를 표면(13a) 측에 부착시킨다. 도 2는, 피가공물(11) 등의 사시도이다. 보호 부재(19)는, 예를 들어, 기재층 및 점착층을 갖는 테이프이고, 당해 테이프의 점착층이 단결정 기판(13)의 표면(13a) 측에 부착된다.
그러나, 보호 부재(19)는, 점착층을 갖지 않고 기재층만을 가져도 된다. 이 경우, 보호 부재(19)는, 열 압착에 의해 표면(13a) 측에 부착된다. 보호 부재(19)를 표면(13a) 측에 부착시키는 것에 의해, 연삭 시에 있어서의 디바이스(17)에 대한 충격을 완화할 수 있다.
보호 부재(19)를 부착시킨 후, 연삭 장치(2)의 척 테이블(4)(도 3 참조)로 피가공물(11)의 보호 부재(19) 측을 흡인 유지한다(유지 단계(S10). 도 3은, 유지 단계(S10)를 도시하는 도면이다. 또한, 도 3 이후에서는, 복수의 분할 예정 라인(15) 및 디바이스(17)를 생략한다.
척 테이블(4)은, 예를 들어, 비다공질의 세라믹스로 형성된 원반 형상의 프레임체(6)를 포함한다. 프레임체(6)의 상면 측에는, 원형의 오목부가 형성되어 있다. 이 오목부에는, 다공질의 세라믹스로 형성된 원반 형상의 다공질판(8)이 고정되어 있다.
다공질판(8)의 상면은, 외주부에 비해 중앙부가 돌출된 원추 형상을 갖는다. 또한, 도 3에서는, 설명의 편의 상, 다공질판(8)의 형상이 과장되어 있다. 다공질판(8)의 상면에 있어서 외주부에 대한 중앙부의 돌출량은, 예를 들면 10㎛ 이상 30㎛ 이하이다.
다공질판(8)의 상면과, 프레임체(6)의 상면은, 대략 동일 평면이며, 보호 부재(19)를 통해 피가공물(11)을 흡인 유지하기 위한 유지면(4a)으로서 기능한다. 다공질판(8)은 프레임체(6)의 내부에 설치된 유로나, 밸브(도시하지 않음) 등을 통해, 진공 펌프 등의 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
그러므로, 다공질판(8)의 상면에 보호 부재(19)를 통해 피가공물(11)을 재치하고, 계속해서, 흡인원으로부터의 부압을 다공질판(8)에 전달시키면, 피가공물(11)은, 단결정 기판(13)의 이면(13b)이 상방으로 노출된 양태로, 유지면(4a)의 형상을 따라서 유지면(4a)에서 흡인 유지된다.
프레임체(6)의 하부에는, 척 테이블(4)을 회전시키기 위한 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 척 테이블(4)은, 회전 구동원의 동력에 의해, 회전축(4b)의 둘레에서 회전 가능하다.
회전축(4b)은, 유지면(4a)의 일부가 대략 수평이 되도록, Z축 방향(연직 방향, 상하 방향)에 대해 미소 각도만큼 기울어져 있다. 또한, 척 테이블(4)은, 수평 방향 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있고, 이 수평 방향 이동 기구에 의해, Z축 방향에 직교하는 수평 방향을 따라 이동 가능하다.
유지 단계(S10) 후, 디바이스 영역에 대응하는 이면(13b) 측의 소정 영역을 연삭한다(제1 연삭 단계(S20)). 도 4는, 제1 연삭 단계(S20)를 도시하는 도면이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(4)의 상방에는, 거친 연삭 유닛(제1 연삭 유닛)(10)이 배치되어 있다.
거친 연삭 유닛(10)은, 예를 들어, 원통 형상의 스핀들 하우징(도시하지 않음)을 포함한다. 스핀들 하우징에는, Z축 방향 이동 기구(도시하지 않음)가 연결되어 있고, 거친 연삭 유닛(10)은, Z축 방향 이동 기구에 의해 Z축 방향을 따라 이동 가능하다. 스핀들 하우징의 내측의 공간에는, 원기둥 형상의 스핀들(12)의 일부가 회전 가능하게 수용되어 있다.
스핀들 하우징 및 스핀들(12)의 길이 방향은, Z축 방향을 따라 배치되어 있다. 스핀들(12)의 상측의 일부에는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 스핀들(12)의 하단부는, 스핀들 하우징의 하단부보다 하방으로 돌출되어 있다.
스핀들(12)의 하단부에는, 피가공물(11)보다 직경이 작은(예를 들어, 피가공물(11)의 직경의 대략 반분(半分)의 직경을 갖는) 원반 형상의 마운트(14)가 고정되어 있다. 마운트(14)의 하면 측에는, 원환 형상의 거친 연삭 휠(제1 연삭 휠)(16)이 고정되어 있다.
거친 연삭 휠(16)은, 알루미늄 합금 등의 금속으로 형성된 원환 형상의 휠 베이스(제1 베이스)(18a)를 포함한다. 휠 베이스(18a)의 하면 측에는, 휠 베이스(18a)의 둘레 방향을 따라 복수의 거친 연삭 지석(제1 연삭 지석)(18b)이 대략 등간격으로 환형으로 배치되어 있다.
거친 연삭 지석(18b)은, cBN(cubic boron nitride), 다이아몬드 등으로 형성된 지립과, 지립을 고정하기 위한 비트리파이드 본드, 레진 본드 등의 본드재를 포함한다. 거친 연삭 지석(18b)의 지립은, 비교적 큰 평균 입경을 갖는다. 예를 들어, #240 내지 #1200의 입도의 지립이 사용된다.
입도는, 일본 공업 표준 조사회(Japanese Industrial Standards Committee)에 의해 제정되는 JIS 규격의 JIS R6001-2: 2017(연삭 지석용 연삭재의 입도-제2부: 미분(微粉))에 기재되어 있다. 또한, JIS R6001-2:2017에 기재되어 있지 않은 입도에 대해서는, 지석을 제조 및 판매하는 업계에서 통상 사용되고 있는 표기에 따르거나 또는 준한다.
거친 연삭 휠(16)의 근방에는, 거친 연삭 지석(18b) 등에 대해 연삭용의 액체(대표적으로는, 순수)를 공급 가능한 연삭수 공급 노즐(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 연삭 시에는, 가공 영역에서 발생하는 열이나 연삭 부스러기의 제거에, 이 액체가 이용된다.
거친 연삭 휠(16)로 단결정 기판(13)을 연삭할 때에는, 우선, 거친 연삭 유닛(10)의 바로 아래에 척 테이블(4)을 이동시킨다. 구체적으로는, 디바이스(17)가 형성된 원형 영역의 바로 위에 거친 연삭 휠(16)(즉, 모든 거친 연삭 지석(18b))이 위치하도록, 척 테이블(4)을 이동시킨다.
그리고, 도 4에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(4)과 거친 연삭 휠(16)을 각각 소정 방향으로 회전시키고, 또한, 노즐로부터 연삭용의 액체를 공급하면서, 거친 연삭 유닛(10)을 소정의 속도(연삭 이송 속도)로 하강시킨다(상측 가공 단계(S22)).
상측 가공 단계(S22)에서는, 척 테이블(4)의 회전수를 100rpm 이상 600rpm 이하(대표적으로는, 300rpm), 거친 연삭 휠(16)의 회전수를 1000rpm 이상 7000rpm 이하(대표적으로는, 4500rpm), 연삭 이송 속도를 0.8㎛/s 이상 10㎛/s 이하(대표적으로는, 6.0㎛/s)로, 각각 설정한다.
도 5는, 상측 가공 단계(S22) 후의 피가공물(11)의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 상측 가공 단계(S22)에서는, 거친 연삭 휠(16)을 사용하여 디바이스 영역에 대응하는 이면(13b) 측을 연삭하는 것에 의해, 원반 형상의 제1 박판부(13c)와, 제1 박판부(13c)의 외주부를 둘러싸는 링형 보강부(13d)를 형성한다.
제1 박판부(13c)와 링형 보강부(13d)는, 제1 환형 단차부(21a)를 구성한다. 링형 보강부(13d)는, 상측 가공 단계(S22)에서 연삭되지 않은 영역이며, 피가공물(11)의 직경 방향(11a)에 있어서 가장 외측에 위치한다.
제1 박판부(13c)는, 상측 가공 단계(S22)에서 연삭된 영역이고, 직경 방향(11a)에서 링형 보강부(13d)의 내측에 위치하고, 또한, 링형 보강부(13d)보다 얇다. 제1 박판부(13c)의 이면(13b) 측에는, 거친 연삭 지석(18b)으로의 연삭에 기인하는 거친면 영역(13e)이 형성된다.
거친면 영역(13e)은, 후술하는 제2 연삭 단계(S30)에서 피가공물(11)의 피연삭면에 형성되는 요철에 비해 큰 요철을 갖는다. 일례에 있어서, 요철은, 산술 평균 거칠기(Ra), 최대 높이(Rz) 등으로 평가된다.
제1 박판부(13c) 및 링형 보강부(13d)를 형성하는 상측 가공 단계(S22) 후, 계속해서 거친 연삭 휠(16)을 사용하여, 직경 방향(11a)에 있어서 제1 박판부(13c)의 내측을 연삭하는 것에 의해, 제1 박판부(13c)보다 얇은 제2 박판부(13f)(도 7 참조)를 형성한다(하측 가공 단계(S24)).
하측 가공 단계(S24)에서는, 우선, 도 6(A)에 도시하는 바와 같이, 직경 방향(11a)에 있어서 제1 박판부(13c)의 내측을 거친 연삭 휠(16)로 연삭하기 위해서, 척 테이블(4)을 수평 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 거친 연삭 지석(18b)의 외측 측면을 링형 보강부(13d)의 내주 측면으로부터 이격시킨다.
도 6(A)는, 척 테이블(4)과 거친 연삭 유닛(10)을 수평 방향을 따라서 상대적으로 이동시키는 모습을 도시하는 일부 단면 측면도이다. 척 테이블(4)과 거친 연삭 휠(16)을 상대적으로 이동시킬 때에는, 척 테이블(4) 및 거친 연삭 휠(16)을 회전시킨 채이어도 좋고, 회전을 정지시켜도 좋다.
이동의 속도나 이동의 거리에 큰 제한은 없지만, 예를 들어, 이동의 속도를 1.0mm/s 이상 2.0mm/s 이하로 하고, 이동의 거리를 3.0mm 이상 6.0mm 이하로 한다.
수평 방향으로의 이동 후, 도 6(B)에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(4)에 대해 거친 연삭 유닛(10)을 강하시켜, 제1 박판부(13c)에 대해 추가적으로 거친 연삭을 실시한다. 또한, 도 6(A) 및 도 6(B)에서는, 도면의 보기 쉬움을 고려하여, 거친면 영역(13e)을 생략하고 있다. 이후의 도면에서도, 편의적으로 거친면 영역(13e)을 생략하는 경우가 있다.
도 6(B)는, 하측 가공 단계(S24)를 도시하는 일부 단면 측면도이고, 도 7은, 하측 가공 단계(S24) 후의 피가공물(11)의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 하측 가공 단계(S24)에 있어서의 척 테이블(4)의 회전수, 거친 연삭 휠(16)의 회전수, 및, 연삭 이송 속도는, 상기 서술한 상측 가공 단계(S22)에서 사용하는 값과 각각 동일하게 한다.
상기 서술한 바와 같이, 하측 가공 단계(S24)에서는, 직경 방향(11a)에 있어서 제1 박판부(13c)의 내측을 연삭하여 제2 박판부(13f)를 형성한다. 이 때, 제2 박판부(13f)의 이면(13b) 측에도, 거친면 영역(13e)이 형성됨과 함께, 제1 박판부(13c)와 제2 박판부(13f)로 구성되는 제2 환형 단차부(21b)도 형성된다.
또한, 하측 가공 단계(S24)에서는, 연삭의 진행에 맞추어, 거친 연삭 유닛(10)의 하강의 속도를 변경해도 좋다. 구체적으로는, 연삭이 진행됨에 따라 연삭 이송 속도를 낮게 해도 된다.
예를 들어, 연삭의 진행에 따라, 6.0㎛/s, 그 후, 3.0㎛/s, 또한 그 후, 1.0㎛/s로, 단계적으로 연삭 이송 속도를 낮게 한다. 연삭 이송 속도를 단계적으로 낮게 하는 것에 의해, 제2 박판부(13f)의 두께를 높은 정밀도로 조정할 수 있다.
제1 연삭 단계(S20)의 후, 거친 연삭 유닛(10)을 상승시켜 피가공물(11)로부터 이격시킨다. 그리고, 거친 연삭 유닛(10)과는 상이한 마무리 연삭 유닛(제2 연삭 유닛)(20)을 피가공물(11)의 상방에 배치하고(도 8(A) 참조), 마무리 연삭 유닛(20)으로 제1 박판부(13c) 및 제2 박판부(13f)를 연삭한다(제2 연삭 단계(S30)).
본 실시 형태의 마무리 연삭 유닛(20)은, 거친 연삭 유닛(10)과 함께 연삭 장치(2)에 실장되어 있다. 그러나, 마무리 연삭 유닛(20)은, 거친 연삭 유닛(10)을 구비하는 연삭 장치(2)와는 상이한 연삭 장치(도시하지 않음)에 탑재되어도 좋다.
마무리 연삭 유닛(20)은, 예를 들어, 원통 형상의 스핀들 하우징(도시하지 않음)을 포함한다. 스핀들 하우징에는, 예를 들어, Z축 방향 이동 기구(도시하지 않음)가 연결되어 있고, 마무리 연삭 유닛(20)은, Z축 방향 이동 기구에 의해 Z축 방향을 따라 이동 가능하다.
스핀들 하우징의 내측의 공간에는, 원기둥 형상의 스핀들(22)의 일부가 수용되어 있다. 스핀들 하우징 및 스핀들(22)의 길이 방향은, Z축 방향을 따라 배치되어 있다. 스핀들(22)의 상측의 일부에는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 설치되어 있다.
스핀들(22)의 하단부는, 스핀들 하우징의 하단부보다 하방으로 돌출되어 있다. 스핀들(22)의 하단부에는, 상기 서술한 마운트(14)와 대략 동일 직경의 원반 형상의 마운트(24)가 고정되어 있다.
마운트(24)의 하면 측에는, 거친 연삭 휠(16)과 대략 동일 직경이며 원환 형상의 마무리 연삭 휠(제2 연삭 휠)(26)이 고정되어 있다. 마무리 연삭 휠(26)은, 알루미늄 합금 등의 금속으로 형성된 원환 형상의 휠 베이스(제2 베이스)(28a)를 포함한다.
휠 베이스(28a)의 하면 측에는, 휠 베이스(28a)의 둘레 방향을 따라 복수의 마무리 연삭 지석(제2 연삭 지석)(28b)이 대략 등간격으로 환형으로 배치되어 있다. 마무리 연삭 지석(28b)은, cBN(cubic boron nitride), 다이아몬드 등으로 형성된 지립과, 지립을 고정시키기 위한 비트리파이드 본드, 레진 본드 등의 본드재를 포함한다.
마무리 연삭 지석(28b)에 포함되는 지립의 평균 입경은, 거친 연삭 지석(18b)에 포함되는 지립의 평균 입경보다 작다. 평균 입경은, 예를 들어, 1개의 입자 크기를 소정의 입자 직경(즉, 길이)으로 나타내는 경우에, 이 입자 직경을 이용하여 나타낸 입자군의 도수 분포에 근거하여 특정된다.
또한, 입자 직경을 나타내는 방법에는, 기하학적 직경, 상당 직경 등의 기지(旣知)의 방법이 있다. 기하학적 직경에는, 페렛(Feret) 직경, 정방향 최대 직경(즉, Krummbein 직경), Martin 직경, 체직경 등이 있고, 상당 직경에는, 투영 면적 원 상당 직경(즉, Heywood 직경), 등표면적구 상당 직경, 등체적구 상당 직경, 스토크스 직경, 광 산란 직경 등이 있다.
입자군에 대하여, 가로축을 입자 직경(㎛)으로 하고, 세로축을 빈도로 한 도수 분포를 작성한 경우에, 예를 들면 중량 기준 분포 또는 체적 기준 분포에서의 입자 직경의 평균이 평균 입경이 된다. 그런데, 평균 입경 대신에, 입자군의 도수 분포에 있어서 빈도의 누적이 전체의 50%가 되는 메디안 직경, 또는, 가장 빈도가 높은 입자 직경인 모드 직경에 기초하여, 지립의 입자 직경을 판단해도 된다.
메디안 직경 또는 모드 직경에 기초한 경우라도, 마무리 연삭 지석(28b)에 포함되는 지립의 입자 직경은, 거친 연삭 지석(18b)에 포함되는 지립의 입자 직경보다 작다. 본 실시 형태의 마무리 연삭 지석(28b)에는, 예를 들어, #2000 내지 #10000의 입도의 지립이 사용된다.
마무리 연삭 휠(26)로 제1 박판부(13c) 및 제2 박판부(13f)를 연삭할 때에는, 우선, 마무리 연삭 유닛(20)의 바로 아래에 척 테이블(4)을 이동시킨다. 구체적으로는, 모든 마무리 연삭 지석(28b)이 직경 방향(11a)에 있어서 링형 보강부(13d)의 내주 측면보다 더욱 내측에 위치하도록, 척 테이블(4)의 위치를 조정한다(도 8(A) 참조).
그리고, 척 테이블(4)과 마무리 연삭 휠(26)을 각각 소정 방향으로 회전시키고, 또한, 노즐로부터 연삭용의 액체를 공급하면서, 마무리 연삭 휠(26)을 소정의 속도로 하강시킨다. 도 8(A)는, 제2 연삭 단계(S30) 개시 시의 피가공물(11) 등의 일부 단면 측면도이며, 도 8(B)는, 제2 연삭 단계(S30) 중의 피가공물(11) 등의 일부 단면 측면도이다.
제2 연삭 단계(S30)에서는, 척 테이블(4)의 회전수를 100rpm 이상 600rpm 이하(대표적으로는, 300rpm), 마무리 연삭 휠(26)의 회전수를 1000rpm 이상 7000rpm 이하(대표적으로는, 4000rpm)로 각각 설정한다.
제2 연삭 단계(S30)에서는, 우선, 제1 박판부(13c) 상의 거친면 영역(13e)으로 마무리 연삭 지석(28b)에 대해 1회째의 드레싱이 실시된다. 그러므로, 연삭 이송을 진행시키면, 1회째의 드레싱이 실시된 마무리 연삭 지석(28b)으로 제1 박판부(13c)를 연삭할 수 있다.
추가적으로 연삭 이송을 진행시키면, 제2 박판부(13f) 상의 거친면 영역(13e)에서 마무리 연삭 지석(28b)에 대해 2회째의 드레싱이 실시된다. 그러므로, 연삭 이송을 진행시키면, 2회째의 드레싱이 실시된 마무리 연삭 지석(28b)으로 제1 박판부(13c) 및 제2 박판부(13f)를 연삭할 수 있다.
제2 연삭 단계(S30)에서는, 단계적인 연삭에 의해 시간적 간격을 두고 복수 회의 드레싱을 실시할 수 있다. 이와 같이, 제2 연삭 단계(S30)에 있어서 상이한 타이밍에 마무리 연삭 지석(28b)의 컨디션을 회복할 수 있기 때문에, 마무리 연삭에서 발생하기 쉬운 문제를 억제할 수 있다.
특히, 하이도프 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 단결정 기판, 단결정 사파이어 기판 등에 대하여 마무리 연삭을 실시할 때에는, 마무리 연삭 중에 시간적 간격을 두고 복수 회의 드레싱을 실시하는 것에 의해 컨디션을 회복할 수 있으므로, 적절히 마무리 연삭을 실시할 수 있다.
또한, LT, LN 등으로 형성된 복산화물 단결정 기판의 마무리 연삭에서는 연삭 시에 클로깅이 생기기 쉽다. 클로깅이 발생하면, 클로깅이 발생하지 않은 경우에 비해 가공 영역에 있어서 보다 많은 열이 발생하고, 열에 약한 LT, LN 등은 깨지기 쉬워진다. 그러나, 마무리 연삭 중에 시간적 간격을 두고 복수 회의 드레싱을 실시하는 것에 의해 컨디션을 회복할 수 있기 때문에, 발열을 저감시켜 적절히 마무리 연삭을 실시할 수 있다.
도 9는, 제2 연삭 단계(S30) 후에 있어서의 피가공물(11)의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 9에서는, 제2 연삭 단계(S30)에서 제거된 제1 박판부(13c) 및 제2 박판부(13f)의 각 일부를 2점 쇄선으로 나타낸다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 직경 방향(11a)에 있어서 연삭되지 않고 잔존한 제1 박판부(13c)의 내측에는, 제2 박판부(13f)보다도 직경이 크고 또한 얇은 원반 형상의 제3 박판부(13g)가 형성된다. 또, 제2 환형 단차부(21b)가 제거되고, 대신에, 제1 박판부(13c)와 제3 박판부(13g)로 구성되는 제3 환형 단차부(21c)가 형성된다.
또한, 제2 연삭 단계(S30)에서는, 상기 서술한 바와 같이 제1 박판부(13c)만을 연삭한 후에, 제1 박판부(13c) 및 제2 박판부(13f)를 연삭한다. 제1 박판부(13c)만을 연삭할 때의 피연삭면의 면적은 비교적 작기 때문에, 제1 박판부(13c) 및 제2 박판부(13f)를 연삭할 때에 비해, 마무리 연삭 유닛(20)의 연삭 이송 속도를 높게 해도 좋다.
예를 들어, 제1 박판부(13c)만을 연삭하는 마무리 연삭의 전반에서는, 연삭 이송 속도를 0.8㎛/s 이상 5.0㎛/s 이하(대표적으로는, 1.6㎛/s)로 설정하고, 제1 박판부(13c) 및 제2 박판부(13f)를 연삭하는 마무리 연삭의 후반에서는, 연삭 이송 속도를 0.1㎛/s 이상 0.8㎛/s 미만(대표적으로는, 처음에 0.6㎛/s, 다음에 0.3㎛/s로 2단계로 저속화)으로 설정한다.
이에 의해, 제2 연삭 단계(S30)의 전체 기간에 있어서 연삭 이송 속도를, 비교적 저속인 마무리 연삭의 후반에서의 연삭 이송 속도로 고정하는 경우에 비해, 연삭에 요하는 시간을 짧게 하여 효율을 높일 수 있다.
또한, 제2 연삭 단계(S30)의 전체 기간에 있어서 연삭 이송 속도를, 비교적 고속인 마무리 연삭의 전반에서의 연삭 이송 속도로 고정하는 경우에 비해, 제3 박판부(13g)에 형성되는 흠집이나 왜곡의 양을 충분히 저감할 수 있다.
(제2 실시 형태)
다음에, 제2 실시 형태에 대해 설명한다. 도 10은, 제2 실시 형태에서의 피가공물(11)의 연삭 방법의 플로우도이다. 제2 실시 형태에서는, 유지 단계(S10) 후의 제1 연삭 단계(S20)에 있어서, 도 11(A)에 도시하는 바와 같이, 우선, 상기 서술한 제2 박판부(13f)를 형성한다(내측 가공 단계(S26)).
도 11(A)는, 내측 가공 단계(S26) 후의 피가공물(11)의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 내측 가공 단계(S26)에서는, 제2 박판부(13f)의 이면(13b) 측에 상기 서술한 거친면 영역(13e)이 형성된다.
그리고, 내측 가공 단계(S26) 후, 도 11(B)에 도시하는 바와 같이, 제1 박판부(13c) 및 링형 보강부(13d)를 형성한다(외측 가공 단계(S28)). 도 11(B)는, 외측 가공 단계(S28) 후의 피가공물(11)의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
외측 가공 단계(S28) 후, 마무리 연삭 휠(26)을 이용하여 제2 연삭 단계(S30)를 행한다. 제2 실시 형태에서도, 마무리 연삭 지석(28b)의 컨디션을, 시간적 간격을 두고 복수 회에 걸쳐 회복할 수 있기 때문에, 마무리 연삭에서 발생하기 쉬운 문제를 억제할 수 있다.
(제3 실시 형태)
다음에, 제3 실시 형태에 대해 설명한다. 제3 실시 형태는, 제1 실시 형태와 기본적으로 동일하지만, 하측 가공 단계(S24)에 있어서 이면(13b) 측의 중앙부에 원통 형상 볼록부(13h)(도 13(A) 등 참조)를 형성하는 점이 제1 실시 형태와 다르다.
순서를 따라 설명하면, 제3 실시 형태의 상측 가공 단계(S22)에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제1 박판부(13c)를 형성한다. 도 12는, 상측 가공 단계(S22) 후의 피가공물(11)의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
상측 가공 단계(S22) 후의 하측 가공 단계(S24)에서는, 제1 실시 형태의 하측 가공 단계(S24)(도 6(B) 참조)에 비해, 스핀들(12)의 회전 중심을 피가공물(11)의 직경 방향(11a)의 중심 측으로 이동시킨다(도 13(A) 및 도 13(B) 참조).
도 13(A)는, 제3 실시 형태에서의 하측 가공 단계(S24)의 상면도이다. 또한, 도 13(A)에서는, 제1 박판부(13c), 제2 박판부(13f) 및 원통 형상 볼록부(13h)의 거친면 영역(13e)에 형성되어 있는 방사형의 쏘 마크를 나타낸다.
도 13(B)는, 제3 실시 형태에서의 하측 가공 단계(S24)의 일부 단면 측면도이다. 하측 가공 단계(S24)에서는, 복수의 거친 연삭 지석(18b)의 회전의 궤적이 척 테이블(4)의 회전축(4b)의 연장선 상을 통과하지 않는 상태로, 단결정 기판(13)의 이면(13b) 측을 연삭한다.
이에 의해, 직경 방향(11a)에 있어서 제2 박판부(13f)보다도 내측에 위치하고, 또한, 제1 박판부(13c)와 동일한 두께를 갖는 원통 형상 볼록부(13h)를 형성한다. 도 14는, 하측 가공 단계(S24) 후의 피가공물(11)의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
계속되는, 제2 연삭 단계(S30)에서는, 마무리 연삭 유닛(20)을 이용하여, 우선, 제1 박판부(13c) 및 원통 형상 볼록부(13h)에 대하여 마무리 연삭을 실시하고, 또한, 연삭 이송을 진행시키는 것에 의해, 제2 박판부(13f)에 대하여 마무리 연삭을 실시한다.
이에 의해, 원통 형상 볼록부(13h)를 제거함과 함께, 제3 박판부(13g)를 형성한다(도 14의 파선 참조). 제3 실시 형태에서도, 마무리 연삭 지석(28b)의 컨디션을, 시간적 간격을 두고 복수 회에 걸쳐 회복할 수 있기 때문에, 마무리 연삭에서 발생하기 쉬운 문제를 억제할 수 있다.
또한, 제3 실시 형태에서는, 제1 연삭 단계(S20)에서 원통 형상 볼록부(13h)를 형성하는 것에 따라, 제1 및 제2 실시 형태에 비해서 제2 연삭 단계(S30)에서의 연삭에 의해 제거해야 할 피가공물(11)의 체적이 증가한다.
그러나, 제1 실시 형태에 비해 거친면 영역(13e)의 면적이 증가하기 때문에, 마무리 연삭 지석(28b)으로 제1 박판부(13c) 및 원통 형상 볼록부(13h)를 연삭할 때에, 보다 높은 드레싱 효과를 얻을 수 있다고 하는 이점이 있다.
(제4 실시 형태)
다음에, 제4 실시 형태에 대해 설명한다. 제4 실시 형태에서는, 제2 실시 형태와 기본적으로 동일하지만, 내측 가공 단계(S26)에 있어서 이면(13b) 측의 중앙부에 원통 형상 볼록부(13i)(도 15(A) 등 참조)를 형성하는 점이 제2 실시 형태와 다르다.
순서를 따라 설명하면, 제4 실시 형태의 내측 가공 단계(S26)에서는, 제2 실시 형태와 마찬가지로, 제2 박판부(13f)를 형성한다. 다만, 제4 실시 형태의 내측 가공 단계(S26)에서는, 제2 실시 형태의 내측 가공 단계(S26)에 비해, 스핀들(12)의 회전 중심을 피가공물(11)의 직경 방향(11a)의 중심으로 이동시킨다.
복수의 거친 연삭 지석(18b)의 회전의 궤적이 척 테이블(4)의 회전축(4b)의 연장선 상을 통과하지 않는 상태로, 단결정 기판(13)의 이면(13b) 측을 연삭하는 것에 의해, 직경 방향(11a)에 있어서 제2 박판부(13f)보다 내측에 위치하고, 또한, 단결정 기판(13)과 동일한 두께를 갖는 원통 형상 볼록부(13i)를 형성한다.
도 15(A)는, 내측 가공 단계(S26)에서 원통 형상 볼록부(13i)를 형성한 후의 피가공물(11)의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 또한, 내측 가공 단계(S26)에서는, 제2 박판부(13f)의 이면(13b) 측에도 거친면 영역(13e)이 형성된다.
도 15(B)는, 제4 실시 형태에서의 외측 가공 단계(S28) 후의 피가공물(11)의 일부를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 또한, 외측 가공 단계(S28)에서는, 원통 형상 볼록부(13i)의 높이가 저감되고, 도 14에 도시하는 원통 형상 볼록부(13h)와 동일한 높이가 된다. 또한, 제1 박판부(13c) 및 원통 형상 볼록부(13h)의 이면(13b) 측에는 거친면 영역(13e)이 형성된다.
계속되는, 제2 연삭 단계(S30)에서는, 마무리 연삭 유닛(20)을 이용하여, 우선, 제1 박판부(13c) 및 원통 형상 볼록부(13h)에 대하여 마무리 연삭을 실시하고, 또한, 연삭 이송을 진행시키는 것에 의해, 제2 박판부(13f)에 대하여 마무리 연삭을 실시한다. 이것에 의해, 제3 박판부(13g)를 형성한다(도 15(B)의 파선 참조).
제4 실시 형태에서도, 마무리 연삭 지석(28b)의 컨디션을, 시간적 간격을 두고 복수 회에 걸쳐 회복할 수 있기 때문에, 마무리 연삭에서 발생하기 쉬운 문제를 억제할 수 있다. 또한, 제4 실시 형태에서도, 제3 실시 형태와 마찬가지로 거친면 영역(13e)의 면적이 증가하기 때문에, 보다 높은 드레싱 효과를 얻을 수 있다고 하는 이점이 있다.
그 밖에, 상기 서술한 실시 형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다. 상기 서술한 실시 형태에서는, 척 테이블(4)을 수평 방향으로 이동시켰지만, 거친 연삭 유닛(10) 및 마무리 연삭 유닛(20)을 척 테이블(4)에 대해 수평 방향으로 이동시켜도 좋다.
그런데, 상기 서술한 제1 및 제2 실시 형태의 제1 연삭 단계(S20)에서는, 제1 환형 단차부(21a) 및 제2 환형 단차부(21b)의 2개의 단차부를 형성하지만, 3개 이상의 단차부를 형성해도 좋다.
3개 이상의 단차를 형성하는 것에 의해, 제1 연삭 단계(S20)에 요하는 가공 시간은 조금 길어질 가능성이 있지만, 계속되는 제2 연삭 단계(S30)에 있어서, 마무리 연삭 지석(28b)의 컨디션을 회복시키는 타이밍을 보다 많이 설정할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, 척 테이블(4)의 유지면(4a)은, 원추 형상에 한정되지 않는다. 척 테이블(4)의 직경 방향에서의 절단면에서 척 테이블(4)을 본 경우, 유지면(4a)은, 직경 방향의 중심과 양단부 사이가 오목한 쌍오목 형상이어도 좋다.
유지면(4a)이 쌍오목 형상인 경우도, 유지면(4a)으로 흡인 유지된 피가공물(11)을 거친 연삭 유닛(10) 및 마무리 연삭 유닛(20)으로 순차 연삭할 때에는, 회전축(4b)을 적절하게 경사진 상태로 연삭을 실시한다.
2: 연삭 장치, 4: 척 테이블, 4a: 유지면, 4b: 회전축
6: 프레임체, 8: 다공질판
10: 거친 연삭 유닛, 12: 스핀들, 14: 마운트
11: 피가공물, 11a: 직경 방향
13: 단결정 기판, 13a: 표면, 13b: 이면
13c: 제1 박판부, 13d: 링형 보강부, 13e: 거친면 영역
13f: 제2 박판부, 13g: 제3 박판부, 13h, 13i: 원통 형상 볼록부
15: 분할 예정 라인, 17: 디바이스, 19: 보호 부재
16: 거친 연삭 휠(제1 연삭 휠)
18a: 휠 베이스(제1 베이스), 18b: 거친 연삭 지석(제1 연삭 지석)
20: 마무리 연삭 유닛, 22: 스핀들, 24: 마운트
21a: 제1 환형 단차부, 2b: 제2 환형 단차부, 21c: 제3 환형 단차부
26: 마무리 연삭 휠(제2 연삭 휠)
28a: 휠 베이스(제2 베이스), 28b: 마무리 연삭 지석(제2 연삭 지석)
S10: 유지 단계, S20: 제1 연삭 단계
S22: 상측 가공 단계, S24: 하측 가공 단계
S26: 내측 가공 단계, S28: 외측 가공 단계
S30: 제2 연삭 단계

Claims (4)

  1. 단결정 기판을 포함하는 피가공물의 그 단결정 기판을 연삭하는 것에 의해, 박판부와, 그 박판부의 외주부를 둘러싸는 링형 보강부를 상기 피가공물에 형성하는 피가공물의 연삭 방법으로서,
    상기 단결정 기판은, 저항률이 0.1Ωㆍcm 이하의 실리콘 단결정 기판, 화합물 반도체 단결정 기판, 단결정 사파이어 기판, 또는, 복산화물 단결정 기판이며, 척 테이블로 상기 피가공물을 유지하는 유지 단계와,
    원환 형상의 제1 베이스의 둘레 방향을 따라 복수의 제1 연삭 지석이 환형으로 배치된 제1 연삭 휠을 사용하여, 상기 피가공물의 직경 방향에 있어서 가장 외측에 위치하는 상기 링형 보강부와, 상기 직경 방향에 있어서 상기 링형 보강부의 내측에 위치하고 또한 상기 링형 보강부보다 얇은 제1 박판부와, 상기 직경 방향에 있어서 상기 제1 박판부의 내측에 위치하고 또한 상기 제1 박판부보다 얇은 제2 박판부를 상기 피가공물에 형성하는 제1 연삭 단계와,
    상기 제1 연삭 단계 후, 상기 제1 연삭 지석의 지립의 평균 입경보다 작은 평균 입경을 갖는 지립을 각각 포함하는 복수의 제2 연삭 지석이 원환 형상의 제2 베이스의 둘레 방향을 따라 환형으로 배치된 제2 연삭 휠을 사용하여, 상기 제1 박판부 및 상기 제2 박판부를 연삭하는 제2 연삭 단계
    를 구비하는 것을 특징으로 하는, 피가공물의 연삭 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    제1 연삭 단계는,
    상기 링형 보강부 및 상기 제1 박판부를 형성하는 상측 가공 단계와,
    상기 상측 가공 단계 후, 상기 제2 박판부를 형성하는 하측 가공 단계
    를 갖는 것을 특징으로 하는, 피가공물의 연삭 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 연삭 단계는,
    상기 제2 박판부를 형성하는 내측 가공 단계와,
    상기 내측 가공 단계 후, 상기 제1 박판부 및 상기 링형 보강부를 형성하는 외측 가공 단계
    를 갖는 것을 특징으로 하는, 피가공물의 연삭 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 연삭 단계에서는,
    상기 복수의 제1 연삭 지석의 회전의 궤적이 상기 척 테이블의 회전축의 연장선 상을 통과하지 않는 상태에서 상기 피가공물의 상기 단결정 기판을 연삭하는 것에 의해, 상기 직경 방향에 있어서 상기 제2 박판부보다 내측에 위치하고 상기 제1 박판부와 동일한 두께를 갖는 원통 형상 볼록부를 형성하고,
    상기 제2 연삭 단계에서는,
    상기 제1 박판부, 상기 제2 박판부 및 상기 원통 형상 볼록부를 연삭하는 것을 특징으로 하는, 피가공물의 연삭 방법.
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