FR2834382A1 - Procede et dispositif de gravure anisotrope du silicium a haut facteur d'aspect - Google Patents

Procede et dispositif de gravure anisotrope du silicium a haut facteur d'aspect Download PDF

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Abstract

Selon l'invention, on traite par gravure au plasma un substrat (2) contenu dans une enceinte (1) dont l'atmosphère (5) est maintenue à faible pression par un dispositif de génération de vide (6, 7). Des moyens de génération de plasma (8) génèrent un plasma (9) qui agit sur la surface (2a) du substrat (2). Le procédé de gravure soumet le substrat (2) à une succession alternée d'étapes comprenant : une étape d'attaque par plasma de gaz de gravure provenant d'une source de gaz de gravure (19), une seconde étape de passivation par plasma de gaz de passivation provenant d'une source de gaz de passivation (20), elle-même suivie d'une étape impulsionnelle de dépassivation sélective par action d'un plasma de gaz de nettoyage provenant d'une source de gaz de nettoyage (21) qui enlève le polymère dans la zone de fond des cavités (2b) de façon plus efficace que le gaz de gravure. Cela permet de réaliser des cavités (2b) ayant un facteur d'aspect supérieur à 30, avec une vitesse augmentée, et une bonne sélectivité vis à vis du masque protégeant le substrat (2).

Description

direction perpendiculaire au plan de coupe de l'ensemble à couper.
PROCEDE ET DISPOSITIF DE GRAVURE ANISOTROPE
DU SILICIUM A HAUT FACTEUR D'ASPECT
La présente invention concerne les procédés et dispositifs utilisés pour réaliser des microreliefs à la surface des substrats, notamment des substrats en silicium. L' invention concerne plus spécialement les procédés et dispositifs permettant de réaliser de tels reliefs par attaque chimique anisotrope au plasma, pour la réalisation de composants à base de silicium, par exemple des composants à semi-conducteur pour
l'électronique, ou des pièces pour composants de micromécanique.
Dans la fabrication de tels composants, on cherche en général à réaliser des reliefs qui reproduisent sur la surface du substrat un modèle plan à deux dimensions dont les bords sont nets et perpendiculaires au plan. Par exemple, on veut réaliser un trou borgne ou traversant, selon la direction perpendiculaire au plan général du substrat ou tranche de silicium, et la paroi du trou doit être parallèle à l'axe, la section du trou étant constante sur
toute sa hauteur.
Dans le domaine industriel des MEMS, ou microsystèmes électromécaniques, il y a une demande de plus en plus importante pour la réalisation de structures à très haut facteur d' aspect dans des substrats de silicium. On peut citer comme exemple l'intérêt qu'il y aurait à réaliser des trous de 2 à 3 um de diamètre sur des profondeurs de 100 à 200 m, correspondant à un facteur d' aspect de 30 à 100, pour fabriquer des condensateurs de forte capacité et
miniaturisés pour être utilisés dans les télophones portables.
Un autre exemple est le souhait de réaliser des trous de l'ordre de 10 um de diamètre sur toute l'épaisseur d'une plaquette de silicium pour réaliser les prises de contact: ces trous, une fois métallisés, permettraient de réaliser les connexions électriques vers l'extérieur en remplacement des habituels fils d'or. On pourrait ainsi réaliser des connexions très reproductibles, mais surtout beaucoup plus courtes, diminuant les inductances parasites et présentant ainsi un grand intérêt pour les
applications haute fréquence.
On pourrait également envisager d'hybrider des MEMS avec des circuits intégrés classiques et obtenir ainsi des MEMS avec le
traitement du signal intogré.
Le micro-usinage des substrats en siliclum est actuellement réalisé par des techniques de gravure au plasma. La technique la plus répandue aujourd'hui est pour cela la gravure par plasma de gaz fluoré telle que décrite dans les documents US 5 501 893 ou US 4 985 114. Cette technique consiste à protéger partiellement le substrat de silicium par un masque, et à soumettre l0 le substrat ainsi protégé partiellement à une succession alternée d'étapes d'attaque par plasma de gaz de gravure et d'étapes de passivation par plasma de gaz de passivation. Au cours de chaque étape d'attaque, le plasma de gaz de gravure tel que l'hexafluorure de soufre SF6 réalise des cavités dans les zones de substrat non protégées par le masque. Au cours de chaque étape de passivation, le plasma de gaz de passivation tel qu'un gaz fluorocarboné, par exemple C4F8, dépose sur la paroi de la cavité un film polymère protecteur. Chacune des étapes d'attaque et de passivation a une durée très courte, de quelques secondes, et la passivation évite, au cours de l'étape d'attaque ultérieure, que le plasma de gaz de gravure attaque la paroi latérale de la cavité. Il en résulte que l'attaque se fait sélectivement dans le fond de la cavité, après que le plasma de gaz de gravure ait enlevé le film de polymère protecteur dans le fond de la cavité. Ainsi, malgré le caractère isotrope de l'attaque du silicium par un plasma de gaz de gravure tel qu'un gaz fluoré, on obtient une gravure quasi anisotrope,
rapide et sélective du silicium.
Mais lorsqu'on utilise cette technique pour réaliser des gravures de motifs à haut facteur d'aspect, comme des tranchées de 2 à 3 um de large, on se rend compte que le profil de gravure est tout d'abord vertical puis, à partir d'une certaine profondeur, ce profil devient légèrement positif de sorte que les deux côtés de la tranchée finissent par se rejoindre, et il n'est plus possible d' augmenter la profondeur de la tranchée. Le résultat obtenu est illustré sur la figure 1, qui est la photographie d'une coupe de substrat de silicium gravé par cette technique connue: dans un substrat 2 dont la surface 2a est recouverte d'un masque 2c, on a tenté de réaliser une cavité 2b profonde; il n'a pas été possible d' atteindre une profondeur de plus d' une cinquantaine de um, les parois de la cavité 2b se rejoignant selon un fond 2g de section nulle empêchant toute gravure supplémentaire. A ce jour, en pratique, on ne sait guère faire des gravures de motifs avec des facteurs d' aspect supérieurs à 20, c'est-à-dire ayant une
profondeur supérieure à 20 fois la largeur ou le diamètre.
Il existe donc un besoin d' augmenter le facteur d'aspect
des reliefs réalisés par gravore sur un substrat de silicium.
Pour cela, une première solution a été d'augmenter l'énergie des ions pendant l'étape de gravure, en augmentant la tension de polarisation du substrat. Se faisant, on diminue le nombre d' ions perdus sur les parois de la tranchée et on peut bénéticier de plus d'ions pour pulvériser la couche de polymère dans le fond de la tranchée. On a ainsi pu augmenter légèrement le facteur d'aspect, passant d'un facteur de 20 à un facteur de 23 seulement. Par contre, cette solution présente le gros inconvénient d'augmenter la vitesse d'attaque du masque lui-même qui est en silice ou en résine photosensible, et on diminue ainsi la
sélectivité de gravure.
Une seconde solution qui a été imaginée est d' augmenter le flux d' ions arrivant sur la surface du substrat, en espérant avoir ainsi assez d' ions pour pulvériser le film de polymère dans le fond des cavités. Pour cela, on a tout d'abord augmenté la puissance de la source de plasma. On a pu ainsi augmenter le facteur d' aspect jusqu'à environ 27, mais en dégradant la sélectivité par rapport au masque comme dans la solution précédente. En alternative, on a placé le substrat au plus près de la source de plasma, et on a pu
ainsi augmenter également le facteur d' aspect jusqu'à environ 27.
Mais on a alors dégradé l'uniformité de gravure, c'est-à-dire la profondeur de gravure en fonction des zones considérces sur le substrat. Une troisième solution qui a été imaginée est de diminuer la pression de travail, afin d' augmenter ainsi le libre parcours moyen des particules, diminuant ainsi les collisions entre particules et augmentant la directivité des ions. Comme dans la première solution, on a pu bénéLicier de plus d' ions pour pulvériser la couche de polymère dans les coins du fond de la tranchée, et on a pu augmenter logèrement le facteur d'aspect jusqu'à une valeur d' environ 23. Cette solution ne permet pas d' augmenter sensiblement le facteur d'aspect, et présente en outre S l'inconvénient de diminuer considérablement la vitesse de gravure
du silicium, ce qui est contraire au but recherché.
Les résultats de ces essais sont illustrés sur la figure 2. La courbe A illustre le procédé habituel de gravure par alternance d'étapes d'attaque pas plasma de gaz flueré et d'étapes de passivation par plasma de gaz fluarocarboné selon le document US 501 893. La courbe B illustre le résultat obtenu en augmentant la tension de polarisation du substrat, c'est-à-dire en augmentant l'énergie de bombardement des ions du plasma. La courbe C illustre le résultat obtenu en rapprochant le substrat au plus près de la source de plasma. Et la courbe D illustre le résultat obtenu en réduisant d'un facteur deux la pression d'aLmosphère dans la
chambre de gravure.
Dans chaque cas, la courbe illustre la variation progressive de la vitesse de gravure, ou vitesse de creusement des cavités, en fonction de la profondeur atteinte de la cavité. On constate que pour chaque courbe la vitesse de gravure diminue progressivement en fonction de la profondeur de cavité. Pour chaque courbe, on atteint un maximum de profondeur, et ce maximum détermine le facteur d' aspect maximum pouvant être atteint par le procédé. La courbe A montre un facteur d'aspect maximum d'environ 21. La courbe B montre un facteur d'aspect maximum d' environ 23. La courbe C montre un facteur d' aspect maximum d' environ 29. La courbe
D montre un facteur d' aspect maximum d'environ 23.
La présente invention a pour but de réaliser une gravure de silicium ayant une anisotropie pratiquement parfaite, sans attaque par contre- dépouille ni rétrécissement progressif de la cavité, jusqu'à des profondeurs nettement augmentées permettant
d'atteindre des facteurs d'aspect supérieurs à 30.
De prétérence, l' invention vise également à réaliser de telles gravures avec des vitesses au moins aussi élevées, sinon supérieures aux vitesses de gravure par les procédés connus en étapes alternées d'attaque par plasma de gaz fluoré et de
passivation par plasma de gaz fluarocarboné.
Pour atteindre ces buts ainsi que d'autres, l' invention prévoit un procédé de gravure anisotrope du silicium, dans lequel un substrat de silicium protogé partiellement par un masque est soumis à une succession alternce d'étapes d'attaque par plasma de gaz de gravure réalisant des cavités dans les zones de substrat non protégées par le masque et d'étapes de passivation par plasma de gaz de passivation assurant un dépôt de polymère protecteur sur les parois des cavités résultant des étapes d'attaque; le procédé de l' invention comprend en outre des étapes impulsionnelles de dépassivation sélective par lesquelles le dépôt de polymère protecteur est soumis à l' action d'un plasma de gaz de nettoyage plus efficace que le gaz de gravure et qui enlève le
polymère protecteur dans la zone de fond des cavités.
Grâce à un nettoyage plus efficace du film protecteur dans la zone de fond des cavités, on fait disparaître l'inconvénient du rapprochement progressif des parois de la cavité dans le fond de la cavité, permettant d'atteindre des facteurs d' aspect nettement plus
élevés.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape impuloionnelle de dépassivation sélective après chaque étape
de passivation.
Avantageusement, chaque étape impulsionnelle de dépassivation sélective est disjointe de l'étape de passivation qui
la précède et de l'étape d'attaque qui la suit.
Le gaz de gravure peut avantageusement être un gaz fluoré tel que SF6, CF4 ou NF3. Les meilleurs résultats semblent être
obtenus par SF6.
Le gaz de passivation peut avantageusement être un gaz
fluorocarboné, tel que CHF3, C2F6, C2F4, C4F, ou leurs mélanges.
Dans tous les cas, le gaz de nettoyage peut avantageusement contenir de l'oxygène. On peut ainsi utiliser comme gaz de nettoyage l'un au moins des gaz O2, SO2, CO, CO2, NO, NO2,
N2O, ou leurs mélanges.
Selon un autre aspect, l' invention prévoit un disposiLlf de gravure anisotrope de substrat en silicium, pour la mise en _uvre d'un procédé tel que défini ci-dessus, comprenant: - une encointe étanche conformée pour recevoir et contenir un substrat à graver, - des moyens de création et de maintien d'un vide approprié dans l'enceinte, - des moyens d' injection de gaz pour ingocter sélectivement dans l'enceinte des gaz de gravure, des gaz de passivation et des gaz de nettoyage selon des durées et des déhits programmés, - des moyens de génération d'un plasma dans l'enceinte, face à la surface de substrat à graver, - des moyens de polarisation du substrat, - des moyens de commande pour piloter les moyens d'ingection de gaz selon les étapes successives de gravure, de passivation et de dépassivation. Selon un autre aspect, l' invention permet de réaliser des composants à base de silicium à microreliefs présentant un facteur d' aspect supérieur à 30, en utilisant par exemple un procédé tel que défini ci-dessus. De tels composants présentant en eux- mêmes un caractère de nouveauté, car ils n'avaient pas pu être obtenus
jusqu'à présent.
D'autres objets, caractéristiques et avantages de la
présente invention ressortiront de la description suivante de modes
de réalisation particuliers, faite en relation avec les figures jointes, parmi lesquelles: - la figure 1 précédemment considérée illustre le profil de tranchées réalisés par un procédé de gravure selon l'art antérieur; la figure 2 illustre les courbes de vitesse de gravure en fonction du facteur d' aspect pour plusieurs procédés de gravure connus; - la figure 3 illustre une vitesse d'attaque d'un film de polymère protecteur, en fonction de la tension de polarisation de substrat, d'une part lors d'une attaque par SF6, d'autre part lors d'une attaque par un plasma d'oxygène i - la figure 4 illustre schématiquement un dispositif de gravure selon un mode de réalisation de l' invention; - la figure 5 est un diagramme temporel illustrant les étapes du procédé selon un mode de réalisation de l' invention i S - la figure 6 illustre schématiquement la formation d'une cavité lors de la suite de quatre étapes successives selon le procédé de la figure 5; et - la figure 7 illustre un profil de tranchées en cours de
réalisation par un procédé de gravure selon l' invention.
l0 On considère tout d'abord le dispositif de gravure selon l' invention, par exemple dans le mode de réalisation illustré sur
la figure 4.
Un tel dispositif comprend une enceinte 1 étanche, conformée pour recevoir et contenir un substrat 2 à graver. Le substrat 2 est posé sur un support 3 lui-même polarisé négativement par rapport à la masse par des moyens de polarisation comprenant
une source de polarisation 4.
Un dispositif de génération de vide 6, relié à l'enceinte 1 par une canalisation 7, et comprenant par exemple une pompe primaire et une pompe secondaire, permet de créer et de maintenir
un vide approprié dans l'enceinte 1.
Le substrat 2 est orienté dans l'enceinte 1 de façon que sa surface 2a à travailler soit apparente. On veut par exemple
réaliser dans la surface 2a des cavités telles que la cavité 2b.
Face à la surface 2a à usiner, se trouvent des moyens de génération de plasma 8, pour générer un plasma 9 qui est dirigé vers la surface 2a à usiner et qui se trouve attiré par le substrat 2 polarisé par la source de polarisation 4. Le moyen de génération de plasma 8 comprend, de facon schématique, un générateur de micro ondes ou radiofréquences 10 qui, par l'intermédiaire d'un transducteur ou d'un applicateur radio-fréquences 11, excite les
atomes de gaz dans une zone de génération de plasma 12.
Le dispositif comprend en outre des moyens 13 pour ingecter sélectivement dans l'enceinte 1 des gaz de gravure, des gaz de passivation et des gaz de dépassivation. Ainsi, ces moyens d'ingection de gaz 13 comprennent une entrée de gaz 14 dans l'enccinte 1, de prétérence en amont de la zone de génération de plasma 12, l'entrée de gaz 14 étant relise par des canalisations 15 et des vannes de commande 16, 17 et 18 respectivement à une source de gaz de gravure 19, à une source de gaz de passivation 20 et à une source de gaz de nettoyage 21. Les vannes de commande 16, 17 et 18 sont actionnées par des moyens de commande 22 pour piloter l' injection de gaz selon les étapes successives de gravure, de
passivation et de dépassivation du procédé qui sera décrit ci-
après. On considérera maintenant les diagrammes de la figure 5, qui illustrent respectivement les temps d'ouverture de la vanne 16 pour l'alimentation en gaz de gravure, les temps d'ouverture de la vanne 17 pour l'alimentation en gaz de passivation, et les temps d'ouverture de la vanne 18 pour l'alimentation en gaz de nettoyage. On voit que les étapes du procédé sont impulsionnelles,
c'est-à-dire de durce limitée entre des périodes d'arrêt.
On voit que la première étape d'attaque a) consiste à ouvrir la vanne 16, pour générer un plasma 9 de gaz de gravure. La première étape d'attaque a) est suivie d'une seconde étape de passivation b) disjointe, au cours de laquelle on ferme la vanne 16 et on ouvre la vanne 17 pour la génération d'un plasma 9 de gaz de nettoyage. Ensuite on ferme la vanne 17 et, au cours d'une étape de dépassivation sélective c) on ouvre la vanne 18 pour la génération d'un plasma 9 de gaz de nettoyage. On ferme ensuite la vanne 18 et on recommence les opérations dans une étape d) en ouvrant à nouveau la vanne 16 pour la génération d'un plasma de gaz de gravore, et
ainsi de suite.
Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 5, les étapes successives a), b), c) et d) sont disgointes les unes des autres. On pourrait toutefois, sans sortir du cadre de l' invention, prévoir une étape c) qui empiète sur l'une et/ou l'autre des étapes
b) et d) adjacentes.
Au cours de l'étape a) de génération d'un plasma de gaz de gravure, on introduit dans l'enceinte 1 un gaz de gravure de type gaz fluoré, tel que SF6, CF4 ou NF3 par exemple. D'excellents
résultats sont obtenus en utilisant l'hexafluorure de soufre SF6.
Pendant cette étape, les atomes de fluor générés dans le plasma attaquent de manière isotrope la surface de silicium exposée. Sur la figure 6, on a illustré schématiquement l' action des plasmas sur le substrat: le substrat 2 est illustré en coupe partielle à grande échelle, à l'endroit d'une cavité 2b à réaliser: le substrat 2 est recouvert d'un masque 2c comportant une lumière 2d au droit de la cavité 2b à réaliser. Ainsi, par la lumière 2d, le
substrat 2 reste apparent et accessible par le plasma.
Sur la vue o) de la figure 6, le substrat 2 est représenté
avant gravure.
Sur la vue a) de la figure 6, on a illustré l' action du plasma de gaz de gravore SF6, qui attaque de façon isotrope le silicium du substrat 2 au droit de la lumière 2d pour réaliser un premier tronçon 2bl de la cavité 2b. La durée de l'étape de gravure entre les instants tl et t2 sur la figure 5, est choisie de façon que le premier tronçon 2bl de cavité présente une forme peu IS différente de la forme désirce, c'est-à-dire avec une paroi latérale 2e, sensiblement perpendiculaire à la surface 2a du substrat. Une profondeur de premier tronçon 2bl de quelques microns peut convenir. On peut choisir des paramètres de gravure tels que ceux habituellement utilisés, par exemple une polarisation du substrat 2 de l'ordre de 20 à 80 volts, une pression de l'aLmosphère 5 gazeuse dans l'enceinte 1 de l'ordre de 10 à 100 Pa, et le déLit de gaz de gravure est de l'ordre de 10 à 200 Sccm (cm3
standard par minute).
Au cours de l'étape b) de passivation, on génère un plasma de gaz de passivation en utilisant un gaz fluarocarboné tel que CHF3, C2F6, C2F4, CqF8. La pression de l'aLmosphère 5 dans l'enceinte 1 est similaire de celle de l'étape a), et le détit de gaz de passivation est compris entre 50 et 300 Sccm. Au cours de cette étape, comme illustré sur la vue b) de la figure 6, le plasma de gaz de passivation génère la formation d'un film de polymère protecteur 2f sur toute la surface intérieure du premier tronçon 2bl de cavité, c'est-à-dire à la fois sur la paroi latérale 2e et sur le fond 2g. La durée entre les instants de début t2 et de fin t3 de l'étape b) est choisie de façon que l'épaisseur du film protecteur soit satisfaisante, par exemple de l'ordre de quelques
nanomètres à quelques dizaines de nanomètres.
Au cours de l'étape c), on génère un plasma de gaz de nettoyage ou de dépassivation, choisi de façon à assurer un nettoyage du polymère plus efficace que celui assuré par le gaz de gravure, et qui enlève le polymère dans la zone de fond 2g des cavités 2b de façon sélective. De bons résultats sont obtenus en utilisant un gaz de nettoyage contenant de l'oxygène, par exemple un gaz de nettoyage comprenant l'un au moins des gaz: 02, S02, CO,
CO2, NO, NO2, N2O.
De préférence, on polarise simultanément le substrat 2 par la source de polarisation 4, pour attirer les ions oxygène sur le
substrat 2.
On a pu mesurer la vitesse de gravure du film de polymère par le plasma d'oxygène et la comparer à celle obtenue par le plasma de gaz fluoré SF6 correspondant à l'étape de gravure. La comparaison est illustrée sur la figure 3. On voit que la courbe correspondant au plasma d'oxygène permet une vitesse de nettoyage VN au moins quatre fois supérieure à la vitesse obtenue par un nettoyage à l'hexafluorure de soufre SF6, pour toutes les tensions de polarisation BV entre 0 et 100 volts. Par conséquent, le plasma d'oxygène est au moins quatre fois plus efficace que le plasma de gaz fluoré comme le SF6 pour nettoyer le film de polymère. De plus, dans un plasma de gaz contenant des atomes d'oxygène, on bénéficie de l'effet oxydant des ions mais aussi de l'effet oxydant des atomes, qui sont des particules neutres à trajectoire isotrope. On constate que l'étape de nettoyage permet d'enlever également le film de polymère sur les flans verticaux de cavité au voisinage du fond de la cavité, évitant ainsi le rétrécissement des motifs et
permettant d'atteindre des facteurs d'aspect plus élevés.
Comme le temps passé à enlever le film de polymère est fortement diminué, le temps disponible pour l'étape de gravure est augmenté d'autant, et on peut donc augmenter la vitesse nette de
gravure et donc augmenter la productivité de l'équipement.
Au cours de l'étape impuleionnelle de dépassivation sélective ou de nettoyage, le substrat 2 est polarisé à une tension proche de celle utilisée pendant les étapes d'attaque, typiquement de 20 à 120 volts, avantageusement de 20 à 80 volts, de façon à attirer les ions du plasma. La pression de l'aLmosphère 5 entourant le substrat 2 est comprise entre 0,5 et 10 Pa, de prétérence comprise entre 2 et 5 Pa. Le débit de gaz de nettoyage est compris entre 10 et 100 Sccm, et la durée de l'étape c) est choisie juste suffisante pour assurer un nettoyage efficace de la zone de fond 2g des cavités 2b. Comme on le voit sur la vue c) de la figure 6, l'étape de dépassivation par action du plasma d' oxygène O2 permet d' enlever efficacement et rapidement le film de polymère sur le fond 2g du
premier tronçon 2bl de cavité.
Ensuite, au cours de l'étape d), on recommence une étape d'attaque similaire à l'étape a), par action du plasma de gaz de gravure SF6, qui réalise un second tronçon 2b2 de la cavité 2b. On continue ensuite par une étape impulsionnelle de passivation, puis
par une étape de dépassivation et ainsi de suite.
En pratique, la durée des étapes impulsionnelles de dépassivation sélective c) peut être déterminée en fonction de la durée des étapes de passivation b) qui les précèdent. En effet, plus le film de polymère est épais, plus il faut une étape
impulsionnelle de dépassivation sélective longue.
D'autre part, la durée des étapes impulsionnelles de dépassivation sélective peut être choisie croissante d'une étape de dépassivation à l'autre au cours du procédé de gravure d'un même substrat 2. En effet, comme indiqué sur la figure 1, les premières étapes de gravure permettent de réaliser une cavité à paroi latérale sensiblement verticale jusqu'à atteindre un facteur d' aspect de l'ordre de 20, sans qu'il soit nécessaire d'utiliser des étapes de nettoyage longues pour conserver la section constante de la cavité. L'intérêt des étapes de dépassivation est alors seulement d' augmenter la rapidité du procédé. Mais ensuite, il devient indispensable d'utiliser les étapes de dépassivation pour garantir l'obtention du facteur d'aspect au-delà de 20 ou 30. On peut alors imaginer d'utiliser des étapes de dépassivation dont la durée est progressive au fur et à mesure de l 'augmentation du facteur d' aspect, ou encore des étapes de dépassivation qui sont en nombre croissant, par exemple en allant de une étape de dépassivation pour trois étapes d'attaque et de passivation, puis une étape de dépassivation pour deux étapes d'attaque et de passivation, puis enfin une étape de dépassivation pour une étape
d'attaque et de passivation.
Egalement, selon l 'invention, on peut prévoir une tension de polarisation du substrat 2 qui soit progressivement croissante S d'une étape de dépassivation à l'autre au cours du procédé de
gravure d'un substrat 2.
Le procédé de l' invention permet à la fois d'obtenir des facteurs d'aspect nettement plus élevés que les procédés connus, tout en garantissant une bonne sélectivité vis à vis des masques de laque photosensible, et en augmentant la vitesse globale de gravure. L'effet obtenu est illustré sur la figure 7, qui est une photographie d'une coupe de substrat de silicium après une opération de gravure partielle selon un procédé de la présente invention. On retrouve le substrat 2 dont la surface 2a est recouverte d'un masque 2c. Les cavités 2b en cours de gravore présentent une paroi latérale sensiblement verticale, de sorte que le fond 2g reste de section transversale suffisante pour autoriser une gravure supplémentaire pour accroître la profondeur des cavités
2b, et pour augmenter ainsi le facteur d' aspect.
La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui ont été explicitement décrits, mais elle en inclut les diverses variantes et généralisations qui sont à la portée de
l'homme du métier.

Claims (14)

REVENDICATIONS
1 - Procédé de gravure anisotrope du silicium, dans lequel un substrat (2) de silicium protégé partiellement par un masque (2c) est soumis à une succession alternce d'étapes d'attaque (a) par plasma de gaz de gravure réalisant des cavités (2b) dans les zones de substrat non protogées par le masque (2c) et d'étapes de passivation (b) par plasma de gaz de passivation assurant un dépôt de polymère protecteur (2f) sur les parois des cavités (2b) résultant des étapes d'attaque, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des étapes impulsionnelles de dépassivation sélective (c) par lesquelles le dépôt de polymère protecteur (2f) est soumis à l' action d'un plasma de gaz de nettoyage plus efficace que le gaz de gravure et qui enlève le polymère protecteur (2f) dans la zone de fond (2g) des
cavités (2b).
2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une étape impulsionnelle de dépassivation sélective
(c) après chaque étape de passivation (b).
3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que chaque étape impulsionnelle de dépassivation sélective (c) est disgointe de l'étape de passivation qui la précède (b) et de
l'étape d'attaque qui la suit (d).
4 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à
3, caractérisé en ce que le gaz de gravure est un gaz fluoré tel
que SF6, CF4 ou NF3.
- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à
4, caractérisé en ce que le gaz de passivation est un gaz
fluorocarboné tel que CHF3, C2F6, C2F4, C4F8.
6 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à
5, caractérisé en ce que le gaz de nettoyage contient de l'oxygène.
7 - Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le gaz de nettoyage comprend l'un au moins des gaz 02, S02, CC,
CO2, NO, NO2, N2O.
8 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à
7, caractérisé en ce que, pendant les étapes impuleionnelles de dépassivation sélective (c), le substrat (2) est polarisé de façon
à attirer les ions du plasma.
9 - Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le substrat (2) est polarisé à une tension proche de celle utilisoe pendant les étapes d'attaque (a), typiquement de 20 à 120
volts, avantageusement de 20 à 80 volts.
10 - Procédé selon l'une des revendications 8 ou 9,
caractérisé en ce que la tension de polarisation du substrat (2) est progressivement croissante d'une étape de dépassivation à
l'autre au cours du procédé de gravure d'un substrat (2).
11 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à
lO 10, caractérisé en ce que, pendant les étapes impulsionnelles de dépassivation sélective (c), la pression de l'atmosphère (5) entourant le substrat (2) est comprise entre 0,5 et 10 Pa, de
préférence comprise entre 2 et 5 Pa.
12 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à
11, caractérisé en ce que la durée des étapes impulsionnelles de dépassivation sélective (c) est choisie juste suffisante pour assurer un nettoyage efficace de la zone de fond (2g) des cavités (2b).
13 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à
12, caractérisé en ce que la durce des étapes impulsionnelles de dépassivation sélective (c) est déterminée en fonction de la durée
des étapes de passivation (b) qui les précèdent.
14 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à
13, caractérisé en ce que la durée des étapes impuleionnelles de dépassivation sélective (c) est croissante d'une étape de dépassivation à l'autre au cours du procédé de gravure d'un
substrat (2).
- Dispositif de gravure anisatrope de substrats (2) en silicium, pour la mise en _uvre d'un procédé selon l'une quelconque
des revendications 1 à 14, comprenant:
- une enceinte (1) étanche conformée pour recevoir et contenir un substrat (2) à graver, - des moyens de création et de maintien d'un vide approprié (6, 7) dans l'enceinte (1), - des moyens d' injection de gaz (13) pour ingecter sélectivement dans l'enceinte (1) des gaz de gravure, des gaz de passivation et des gaz de nettoyage selon des durces et des déhits programmés, - des moyens de génération (8) d'un plasma (9) dans l'enceinte (1), face à la surface (2a) de substrat (2) à graver, - des moyens de polarisation (4) du substrat (2), - des moyens de commande (22) pour piloter les moyens d'ingection de gaz (13) selon les étapes successives de gravure, de passivation
et de dépassivation.
16 - Composant à base de silicium à microreliefs (2b) présentant un facteur d' aspect supérieur à 30, réalisé par un
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JP2003560972A JP4576122B2 (ja) 2002-01-03 2002-12-31 シリコンに高アスペクト比の異方性エッチングを行う方法および機器
EP02806334A EP1464078A1 (fr) 2002-01-03 2002-12-31 Procede et dispositif de gravure anisotrope du silicium a haut facteur d aspect
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1689589A2 (fr) * 2003-11-04 2006-08-16 Lexmark International, Inc. Procedes d'amelioration de l'ecoulement dans des canaux fluidiques

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7708859B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-04 Lam Research Corporation Gas distribution system having fast gas switching capabilities
FR2880469B1 (fr) * 2005-01-03 2007-04-27 Cit Alcatel Dispositif de fabrication d'un masque par gravure par plasma d'un substrat semiconducteur
JP4512529B2 (ja) * 2005-07-15 2010-07-28 住友精密工業株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
JP4512533B2 (ja) * 2005-07-27 2010-07-28 住友精密工業株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
KR101238086B1 (ko) * 2005-08-04 2013-02-27 아비자 테크놀로지 리미티드 기판 처리 방법
KR101174775B1 (ko) * 2005-08-29 2012-08-20 엘지디스플레이 주식회사 인쇄판의 제조방법
WO2008007944A1 (fr) * 2006-07-12 2008-01-17 Technische Universiteit Eindhoven Procédé et dispositif de traitement au plasma d'un substrat
US8187483B2 (en) 2006-08-11 2012-05-29 Jason Plumhoff Method to minimize CD etch bias
GB0616125D0 (en) * 2006-08-14 2006-09-20 Radiation Watch Ltd Etch process
KR101001875B1 (ko) 2006-09-30 2010-12-17 엘지이노텍 주식회사 등방성 에칭을 이용한 미세 패턴 형성방법 및 이를 이용하여 제조된 미세패턴이 형성된 반도체 기판 면상 부재
US20080146034A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Method for recess etching
WO2009085598A2 (fr) 2007-12-21 2009-07-09 Lam Research Corporation Double motif de résine photosensible
JP5102653B2 (ja) * 2008-02-29 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体
US20090272717A1 (en) * 2008-03-21 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of a substrate etching system and process
US20090242512A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 Dalsa Semiconductor Inc. Deep reactive ion etching
JP5305734B2 (ja) * 2008-05-19 2013-10-02 ラピスセミコンダクタ株式会社 ドライエッチング方法
KR101795658B1 (ko) * 2009-01-31 2017-11-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에칭을 위한 방법 및 장치
JP5413331B2 (ja) * 2010-08-19 2014-02-12 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP5723678B2 (ja) 2011-05-31 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのガス供給方法
JP6068462B2 (ja) 2011-06-30 2017-01-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高速ガス交換、高速ガス切換、及びプログラミング可能なガス送出のための方法及び装置
JP5961794B2 (ja) * 2012-08-29 2016-08-02 サムコ株式会社 高アスペクト比の凹凸構造を有するシリコン基板の製造方法
DE102014216195A1 (de) * 2014-08-14 2016-02-18 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats
JP6456131B2 (ja) * 2014-12-18 2019-01-23 キヤノン株式会社 基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法
JP6609535B2 (ja) * 2016-09-21 2019-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343321A (ja) * 1986-08-08 1988-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
DE19826382A1 (de) * 1998-06-12 1999-12-16 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium
WO2000005749A2 (fr) * 1998-07-23 2000-02-03 Surface Technology Systems Limited Procede et appareil de gravure anisotrope
JP2000200771A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Tokyo Electron Yamanashi Ltd プラズマ処理方法
US6277756B1 (en) * 1999-02-12 2001-08-21 Denso Corporation Method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0612767B2 (ja) * 1984-01-25 1994-02-16 株式会社日立製作所 溝およびそのエッチング方法
DE4241045C1 (de) * 1992-12-05 1994-05-26 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium
JPH0817796A (ja) * 1994-06-28 1996-01-19 Hitachi Ltd ドライエッチング装置とその方法および半導体装置
TW473857B (en) * 1996-04-26 2002-01-21 Hitachi Ltd Method of manufacturing semiconductor device
ATE251341T1 (de) * 1996-08-01 2003-10-15 Surface Technology Systems Plc Verfahren zur ätzung von substraten
JPH11195641A (ja) * 1998-01-05 1999-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法
WO1999049506A1 (fr) * 1998-03-20 1999-09-30 Surface Technology Systems Limited Procede et appareil pour la fabrication d'un dispositif micromecanique
DE19919469A1 (de) * 1999-04-29 2000-11-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Plasmaätzen von Silizium
US20020134749A1 (en) * 2001-01-26 2002-09-26 Chromux Technologies. Inc. Method of making a vertical, mirror quality surface in silicon and mirror made by the method
US6846746B2 (en) * 2002-05-01 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Method of smoothing a trench sidewall after a deep trench silicon etch process

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343321A (ja) * 1986-08-08 1988-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
DE19826382A1 (de) * 1998-06-12 1999-12-16 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium
WO2000005749A2 (fr) * 1998-07-23 2000-02-03 Surface Technology Systems Limited Procede et appareil de gravure anisotrope
JP2000200771A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Tokyo Electron Yamanashi Ltd プラズマ処理方法
US6277756B1 (en) * 1999-02-12 2001-08-21 Denso Corporation Method for manufacturing semiconductor device

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AYON A A ET AL: "Anisotropic silicon trenches 300-500 mum deep employing time multiplexed deep etching (TMDE)", SENSORS AND ACTUATORS A, ELSEVIER SEQUOIA S.A., LAUSANNE, CH, vol. 91, no. 3, 15 July 2001 (2001-07-15), pages 381 - 385, XP004255492, ISSN: 0924-4247 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 256 (E - 635) 19 July 1988 (1988-07-19) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2000, no. 10 17 November 2000 (2000-11-17) *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1689589A2 (fr) * 2003-11-04 2006-08-16 Lexmark International, Inc. Procedes d'amelioration de l'ecoulement dans des canaux fluidiques
EP1689589A4 (fr) * 2003-11-04 2010-01-20 Lexmark Int Inc Procedes d'amelioration de l'ecoulement dans des canaux fluidiques

Also Published As

Publication number Publication date
JP4576122B2 (ja) 2010-11-04
US20050103749A1 (en) 2005-05-19
EP1464078A1 (fr) 2004-10-06
JP2005515631A (ja) 2005-05-26
WO2003060975A1 (fr) 2003-07-24
FR2834382B1 (fr) 2005-03-18

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