FR2822853A1 - Preaparation de (mono) cristaux - Google Patents

Preaparation de (mono) cristaux Download PDF

Info

Publication number
FR2822853A1
FR2822853A1 FR0104232A FR0104232A FR2822853A1 FR 2822853 A1 FR2822853 A1 FR 2822853A1 FR 0104232 A FR0104232 A FR 0104232A FR 0104232 A FR0104232 A FR 0104232A FR 2822853 A1 FR2822853 A1 FR 2822853A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
sep
crucible
crystals
crystal
mono
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR0104232A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2822853B1 (fr
Inventor
Fredholm Michele Meyer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Inc
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Priority to FR0104232A priority Critical patent/FR2822853B1/fr
Priority to PCT/EP2002/002460 priority patent/WO2002079550A1/fr
Priority to EP02702400A priority patent/EP1373602A1/fr
Priority to JP2002577950A priority patent/JP2004531444A/ja
Priority to US10/107,283 priority patent/US6669778B2/en
Priority to DE10296589T priority patent/DE10296589T5/de
Priority to US10/113,449 priority patent/US6855203B2/en
Priority to AU2002255986A priority patent/AU2002255986A1/en
Priority to JP2002577949A priority patent/JP2004526654A/ja
Priority to PCT/US2002/009803 priority patent/WO2002079549A2/fr
Priority to TW091117659A priority patent/TWI227754B/zh
Priority to TW091117658A priority patent/TWI236507B/zh
Publication of FR2822853A1 publication Critical patent/FR2822853A1/fr
Priority to US10/454,387 priority patent/US6860942B2/en
Application granted granted Critical
Publication of FR2822853B1 publication Critical patent/FR2822853B1/fr
Priority to US10/698,502 priority patent/US20040089223A1/en
Priority to US10/981,889 priority patent/US7276219B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/12Halides

Abstract

La présente invention a pour objet un procédé de préparation d'un cristal qui comprend :- le chargement d'un creuset en un mélange de la matière première adéquate renfermant, à titre d'impureté, au moins un oxyde et d'une quantité efficace et non excessive d'au moins un agent de fluoration solide à la température ambiante,- la fusion dudit mélange au sein dudit creuset,- la croissance du cristal, par refroidissement contrôlé du mélange fondu,- le refroidissement contrôlé dudit cristal jusqu'à la température ambiante,- la récupération dudit cristal; et qui est caractérisé en ce que l' (les) oxyde (s) résultant de la réaction entre le (s) dit (s) agent (s) de fluoration et le (s) dit (s) oxyde (s), impureté (s), est (sont) susceptible (s) de s'évacuer dudit creuset, au vu des dimensions dudit creuset et de la perméabilité intrinsèque du matériau le constituant.Ledit procédé est particulièrement adapté pour la préparation de (mono) cristaux de CaF2 dans des creusets en graphite.

Description

<Desc/Clms Page number 1>
La présente invention concerne la préparation de (mono) cristaux, notamment la préparation de (mono) cristaux de fluorure de calcium (CaF2). Les cristaux sont obtenus, selon l'invention, très purs, sous forme polycristalline ou monocristalline.
Ladite invention concerne plus précisément : un procédé de préparation de (mono) cristaux, amélioré en référence à la pureté des (mono) cristaux préparés ; un procédé de préparation de (mono) cristaux présentant une transmission élevée dans l'ultraviolet lointain (À < 193 nm, voire À < 157 nm).
Pour augmenter la densité d'intégration de composants électroniques sur une plaque de semi-conducteur et dans la mesure où une lumière d'insolation de très faible longueur d'onde (inférieure à 248 nm) est nécessaire pour améliorer la résolution, des systèmes optiques à ultra-haute performance sont requis. Pour l'obtention de tels systèmes optiques, la technique la plus répandue à ce jour utilise de la silice fondue. Selon une autre technique, déjà exploitée, notamment par les sociétés Bicron et Schott, on utilise des monocristaux de fluorure de calcium et de fluorure de baryum.
Lesdits monocristaux, de fluorure de calcium ou de baryum, et plus généralement de fluorure (s) de métaux alcalins et/ou alcalino-terreux, sont en principe obtenus selon le procédé dit de Stockbarger-Bridgman, familier à l'homme du métier. Selon ledit procédé, le cristal est généré, à partir du matériau fondu adéquat, en descendant lentement (généralement à une vitesse comprise entre 0,3 et 5 mm/h, plus généralement entre 1 et 3 mm/h) un creuset (ou une pile de creusets) contenant ledit matériau fondu au travers d'une zone de solidification, ménagée dans un four. Le (s) creuset (s) est (sont) réalisé (s) en une matière qui résiste à l'attaque chimique du matériau qu'il renferme. Il s'agit généralement d'un (de) creuset (s) en graphite de haute pureté.
Selon l'enseignement des brevets US-A-5 911 824 et 6 093 245, le graphite présente l'inconvénient d'être poreux (d'être un matériau à porosité ouverte) et il est préconisé de revêtir les parois internes de tels creusets en graphite d'un revêtement interne adéquat, pour boucher la porosité desdites parois. Des revêtements en carbone, notamment en carbone pyrolytique ou vitreux, sont décrits.
Les (mono) cristaux doivent impérativement être préparés à l'abri de l'eau, de l'air et de toute autre source d'oxygène. Ils sont ainsi généralement préparés, sous vide, en présence d'un agent de fluoration. Ledit agent de fluoration
<Desc/Clms Page number 2>
assure l'élimination de l'oxygène, notamment de celui introduit, sous forme d'oxyde, à titre d'impureté de la matière première. PbF2 est l'agent de fluoration le plus usité, dans la mesure où sa manipulation ne soulève pas de difficulté particulière, où il est solide à température ambiante et où il présente, lui et son oxyde correspondant (PbO), une forte tension de vapeur aux températures d'utilisation des fours de cristallisation. Ledit PbF2 agit, dans le cadre de la préparation de cristaux de CaF2, selon, notamment, la réaction :
CaO + PbF2-CaF2 + PbO.
Dans la pratique, il est toujours délicat d'optimiser l'intervention dudit agent de fluoration. Il est notamment critique : - d'ajuster la montée en température du mélange (pour sa fusion) en vue de ladite optimisation ; - d'ajuster la quantité dudit agent de fluoration, en vue de minimiser toute rétention de Pb ou autre (selon la nature dudit agent de fluoration en cause) dans le cristal préparé : une telle rétention a bien évidemment des répercutions désavantageuses sur les performances, de transmission et de résistance aux radiations, dudit cristal.
C'est, dan le contexte rappelé ci-dessus, en référence à l'optimisation de l'intervention des agents de fluoration, que la présente invention a été développée.
Figure img00020001
Le procédé de préparation d'un cristal de l'invention comprend : - le chargement d'un creuset en un mélange de la matière première adéquate renfermant, à titre d'impureté, au moins un oxyde et d'une quantité efficace et non excessive d'au moins un agent de fluoration solide à la température ambiante,
Figure img00020002

- la fusion dudit mélange au sein dudit creuset, - la croissance du cristal, par refroidissement contrôlé du mélange fondu, - le refroidissement contrôlé dudit cristal jusqu'à la température ambiante, - la récupération dudit cristal.
En cela, il peut s'agir d'un procédé de Stockbarger-Bridgman ou de tout autre procédé équivalent dont chacune des étapes est familière à l'homme du métier, mis en oeuvre donc pour l'obtention d'un cristal mono-ou polycristallin.
<Desc/Clms Page number 3>
Ainsi, pour préparer des (mono) cristaux de CaF2, ledit creuset est-il généralement chargé en un mélange de poudre synthétique de CaF2, renfermant à titre d'impureté du CaO, et de PbF2 (agent de fluoration).
Le creuset en question peut tout à fait ne pas être unique. Le procédé de l'invention peut effectivement être mis en oeuvre, tout comme le procédé de l'art antérieur, avec une pile de n creusets, animée d'un mouvement de translation, selon son axe vertical.
L' (les) agent (s) de fluoration intervenant n'intervien (nent) pas en quantité excessive. De cette façon, il (s) n'est (ne sont) pas susceptible (s) de polluer les cristaux préparés.
De façon caractéristique, dans le cadre de l'invention, l (les) oxyde (s) (PbO, dans le contexte précisé ci-dessus (à titre purement illustratif) de préparation de (mono) cristaux de CaF2) résultant de la réaction entre le (s) dit (s) agent (s) de fluoration (PbF2) et le (s) dit (s) oxyde (s), impureté (s) (CaO) est (sont) susceptible (s) de s'évacuer dudit creuset, au vu des dimensions dudit creuset et de la perméabilité intrinsèque du matériau le constituant.
Le (s) creuset (s) intervenant pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention est (sont) optimisé (s), quant à sa (leur) taille et sa (leur) perméabilité intrinsèque, de sorte que les cristaux préparés ne renferment plus-en tout état de cause, moins de 0,1 ppm-d'élément correspondant à la formulation des agents de fluoration (élément Pb, dans le contexte précisé ci-dessus (à titre purement illustratif) de préparation de (mono) cristaux de CaF2, avec intervention de PbF2 à titre d'agent de fluoration).
Dans le cadre du procédé de l'invention, l'agent de fluoration (voire les agents de fluoration) agit (agissent) et ne laisse (nt) pas de trace. De par sa (leur) quantité contrôlée d'intervention (quantité efficace et non excessive) et les caractéristiques originales du creuset intervenant, le (s) dit (s) agent (s) de fluoration réagit (réagissent) et le (s) produit (s) de réaction est (sont) susceptible (s) de s'échapper totalement. Il n'y a ainsi pas de pollution des cristaux préparés.
De façon non évidente, dans un contexte d'optimisation de l'intervention de l' (des) agent (s) de fluoration, les inventeurs : - ont montré que le mode de mise en oeuvre du cycle de montée en température (en vue d'obtenir la fusion de la matière première) ne constituait pas le facteur déterminant de la pureté (en référence à l'agent de fluoration intervenant) des cristaux préparés ;
<Desc/Clms Page number 4>
- ont montré que la pureté du matériau constitutif du creuset n'était pas directement en cause ; - ont clairement établi une corrélation entre la perméabilité intrinsèque du creuset et la pureté des cristaux préparés dans ledit creuset. Plus le matériau constitutif dudit creuset est perméable, moins de polluant (introduit par r (les) agent (s) de fluoration intervenant) se retrouve dans les cristaux préparés. Bien évidemment, la perméabilité dudit creuset demeure dans une limite raisonnable de sorte que le mélange fondu soit retenu, de façon stable, dans ledit creuset.
La corrélation établie n'était, a priori, nullement évidente et se positionne tout à fait à l'encontre de l'enseignement des brevets US-A-5 911 824 et 6 093 245 évoqués plus en amont dans le présent texte.
La perméabilité d'un matériau poreux (ici des creusets utilisés, creusets en graphite généralement) est un paramètre parfaitement défini par la norme DIN 51935 : 1993-08 (intitulée, dans sa version anglaise :"Determination of the coefficient of permeability by means of the vaccum-decay method with air as experimental gas"), familière à l'homme du métier. Ladite perméabililité, généralement exprimée en cm2/s, est en fait la résultante de plusieurs facteurs, relatifs à la porosité, tels : - la taille des pores, - leur répartition dans la masse, - le fait qu'ils débouchent ou non, en une proportion donnée.
De façon caractéristique, le procédé de l'invention permet donc de préparer des cristaux très purs (moins de 0,1 ppm de contaminant en général et notamment moins de 0,1 ppm de Pb lorsque PbF2 est utilisé comme agent de fluoration), dans la mesure où l'évacuation des impuretés, générées suite à l'intervention des agents de fluoration, est parfaitement maîtrisée. La maîtrise de cette évacuation est basée conjointement sur les dimensions du creuset en cause (lesdites dimensions sont forcément limitées de sorte que les vapeurs ont la possibilité de diffuser (et de s'évacuer) au sein de la matière fondue avant sa cristallisation (sa prise en masse)) et sur la perméabilité du matériau constitutif dudit creuset. Les vapeurs en cause (PbO, dans le contexte précisé ci-dessus (à titre purement illustratif) de préparation de (mono) cristaux de CaF2, avec intervention de PbF2 à titre d'agent de fluoration) diffusent au sein de la matière fondue et s'évacuent au travers des parois perméables du creuset et de la surface de ladite matière fondue.
<Desc/Clms Page number 5>
On a parlé de l'intervention d'une quantité efficace et non excessive d'au moins un agent de fluoration solide (à la température ambiante). Il intervient généralement un unique tel agent. Il n'est toutefois nullement exclu du cadre de l'invention qu'il en intervienne plusieurs.
En référence à ladite quantité efficace et non excessive, on indique ici, de façon nullement limitative, qu'elle est rarement supérieure à 5 % en poids de la matière première intervenant, qu'elle est avantageusement comprise entre 0,1 et 2 % en poids de ladite matière première.
En référence à la nature du (des) dit (s) agent (s) de fluoration, on précise, de la même façon (c'est-à-dire de façon nullement limitative), que le (s) dit (s) agent (s) de fluoration est (sont) choisi (s) parmi : PbF2, ZnF2, NH4F, NH4F. HF, PTFE (le polytétrafluoroéthylène : Téflon&commat;) et leurs mélanges. On a déjà vu, dans l'introduction du présent texte, que PbF2 est l'agent de fluoration le plus utilisé à ce jour. Son intervention est tout particulièrement préconisée dans le cadre de la présente invention.
Dans le cadre d'une mise en oeuvre préférée du procédé de l'invention, le (s) creuset (s) intervenant est (sont) un (des) creuset (s) en graphite dont la perméabilité, mesurée selon la norme DIN identifiée ci-dessus (DIN 51935), est supérieure à 4 cm2/s. Dans le cadre d'une variante particulièrement préférée, le (s) dit (s) creuset (s) est (sont) en un graphite, dont la perméabilité, mesurée selon ladite norme, est supérieure à 10 cm2/s.
On préconise, de manière générale, l'intervention, dans le procédé de l'invention, de creusets convenant pour préparer des cristaux qui présentent les dimensions ci-après :
Figure img00050001

- 200 mm de diamètre, pour 50 mm de hauteur, - 300 mm de diamètre, pour 80 mm de hauteur.
On préconise, tout particulièrement, l'intervention de tels creusets, en graphite, dont la perméabilité est telle qu'indiquée ci-dessus.
Le matériau constitutif des creusets utilisés n'est pas forcément le graphite mais, bien évidemment, ledit matériau est adapté aux contraintes du procédé mis en oeuvre en son sein (présence de produits corrosifs, hautes températures...).
En tout état de cause, l' (Ies) oxyde (s) polluant (s) généré (s) en cours de cristallisation, au sein du creuset de cristallisation, est (sont), selon l'invention, capable (s) de s'évacuer dudit creuset, de par les dimensions dudit creuset et la perméabilité du matériau le (s) constituant.
<Desc/Clms Page number 6>
Le procédé de l'invention convient particulièrement pour la préparation de (mono) cristaux de fluorures de métaux alcalins et/ou de métaux alcalino-terreux. Il permet la préparation de (mono) cristaux, très purs, d'un métal alcalin ou d'un métal alcalino-terreux, voire la préparation de (mono) cristaux, très purs, mixtes (mélanges d'au moins deux métaux alcalins, d'au moins deux métaux alcalino-terreux ou d'au moins un métal alcalin et d'au moins un métal alcalinoterreux).
Selon l'invention, il a été préparé des (mono) cristaux de fluorures, de grande qualité optique ; notamment des (mono) cristaux de fluorures de calcium et de baryum qui présentent, aux longueurs d'ondes (À) indiquées ci-après, les transmissions intrinsèques (T,) précisées ci-après : X 193nm, T, 99, 9% et 157 nm, T, 99, 0%.
De tels monocristaux ont des débouchés évidents dans les industries du laser et de la lithographie.
Le procédé de l'invention convient tout particulièrement pour la préparation de (mono) cristaux de fluorure de calcium (CaF2).
Le procédé de l'invention est avantageusement mis en oeuvre, avec une pile de creusets, selon la méthode de Stockbarger-Bridgman, c'est-à-dire que, dans son cadre, le refroidissement contrôlé du mélange fondu (pour la croissance des (mono) cristaux) est obtenu, par déplacement à vitesse très réduite, du haut vers le bas, d'une pile de creusets chargés, dans un four à axe vertical, d'une zone chaude vers une zone froide.
Le procédé de l'invention est très avantageusement mis en oeuvre selon la méthode de Stockbarger-Bridgman améliorée, telle que décrite dans la demande de brevet FR 00 03 771 (du 24 mars 2000) non publiée à ce jour, c'est-àdire, avec une translation de la pile de creusets chargés, en continu, les opérations de chargement et de déchargement desdits creusets étant mises en oeuvre sans arrêt de la translation (selon l'axe vertical) de la pile de creusets.
Ledit procédé de l'invention est classiquement mis en oeuvre avec de la matière première intervenant sous forme de poudre, notamment de poudre synthétique (par exemple de CaF2). Il peut aussi avantageusement être mis en oeuvre avec de la matière première intervenant sous forme de billes. De telles billes de fluorures de métaux alcalins ou alcalino-terreux, leur préparation et leur utilisation pour préparer des monocristaux ont été décrites dans la demande de brevet FR-A-2 799 194.
<Desc/Clms Page number 7>
L'homme du métier a parfaitement compris que l'invention présentement revendiquée apporte un plus au niveau de la pureté du cristal préparé, que ledit cristal soit obtenu sous forme mono-ou polycristalline.
Le procédé de l'invention est avantageusement mis en oeuvre pour la préparation de (mono) cristaux de fluorure de calcium (CaF2), en présence de PbF2 (agent de fluoration) ; ledit fluorure de calcium (matière première) renfermant, à titre d'impureté, de l'oxyde de calcium (CaO).
Cette variante avantageuse de mise en oeuvre du procédé de l'invention est illustrée par les exemples ci-après.
1. Le procédé de Stockbarger-Bridgman a été mis en oeuvre, à partir de poudre synthétique de CaF2, dans les mêmes conditions, en utilisant des creusets de graphite (des piles de tels creusets) ; les graphites (de type A à D) ne présentant pas les mêmes caractéristiques. Les caractéristiques en cause-densité, porosité, diamètre moyen des pores, perméabilité-sont indiquées dans le tableau 1 ci-après.
Les creusets utilisés présentaient la même géométrie (cylindrique) et les mêmes dimensions : 200 mm de diamètre pour 50 mm de hauteur.
Le procédé de l'invention a été mis en oeuvre avec les creusets en graphite de type C et D.
A l'issue de la mise en oeuvre du procédé, on a analysé chimiquement les cristaux obtenus, en vue de déterminer leur teneur en plomb (Pb).
Ladite teneur en plomb est indiquée dans ledit tableau 1 ci-après (dernière ligne).
La présence de plomb, au sein des cristaux préparés dans les creusets en graphite de type A et B, a par ailleurs été confirmée, par l'examen de la bande d'absorption à 205 nm. De la même façon, il a été confirmé"l'absence"de plomb (l'absence de ladite bande d'absorption) au sein des cristaux préparés dans les creusets en graphite de type C et D.
Il ressort, sans ambiguïté, de la considération des chiffres indiqués dans ledit tableau 1 que plus le graphite est perméable, plus la teneur résiduelle en plomb est faible. Les cristaux obtenus dans les creusets en graphite A et B ne sont pas acceptables (de par leur teneur résiduelle en plomb, trop élevée).
Ces résultats n'étaient pas prévisibles, au vu de l'enseignement de l'art antérieur.
Ainsi, les inventeurs ont-ils mené un travail expérimental considérable avant de cerner le paramètre critique-la perméabilité intrinsèque du matériau
<Desc/Clms Page number 8>
constitutif du creuset, les dimensions dudit creuset étant fixes-. Ils ont notamment démontré que le mode de mise en oeuvre du cycle de chauffage (en vue d'obtenir la fusion de la matière première) n'était, lui, pas critique. Ceci fait l'objet de l'exemple comparatif ci-après.
<Desc/Clms Page number 9>
TABLEAUI
Figure img00090001
<tb>
<tb> Graphite <SEP> A <SEP> B <SEP> C <SEP> D
<tb> Densité <SEP> 1, <SEP> 745 <SEP> 1, <SEP> 723 <SEP> 1,704 <SEP> 1, <SEP> 590
<tb> (g/cm3)
<tb> Porosité <SEP> (Hg) <SEP> 15,8 <SEP> 16,1 <SEP> 16,7 <SEP> 22,6
<tb> (%)
<tb> Diamètre <SEP> moyen <SEP> des <SEP> pores <SEP> 2,2 <SEP> 19,1 <SEP> 6 <SEP> 21
<tb> ( m)
<tb> Perméabilité <SEP> 0, <SEP> 13 <SEP> 2,6 <SEP> 4,6 <SEP> 14,7
<tb> (cm/s)
<tb> Teneur <SEP> en <SEP> Pb <SEP> 1 <SEP> 000 <SEP> à <SEP> 1 <SEP> 500 <SEP> 5 <SEP> à <SEP> 20 <SEP> < <SEP> 0,2* <SEP> < <SEP> 0,2*
<tb> (ppm)
<tb>
* En dessous de la limite de détection
<Desc/Clms Page number 10>
II. Des creusets en graphite, aux dimensions indiquées à l'exemple 1, de type A et C ont été utilisés (en piles) pour préparer des cristaux selon la méthode de Stockbarger-Bridgman. Ladite méthode a été mise en oeuvre avec des cycles de montée en température différents, précisés dans le tableau II ci-après.
On voit que les résultats, en terme de pollution (de teneur en plomb des cristaux préparés), ne sont pas liés au mode de mise en oeuvre du chauffage mais seulement à la nature du graphite constitutif des creusets de cristallisation.
<Desc/Clms Page number 11>
TABLEAU II
Figure img00110001
<tb>
<tb> # <SEP> (basse <SEP> température) <SEP> # <SEP> (haute <SEP> température)
<tb> . <SEP> 0 <SEP> à <SEP> 600OC, <SEP> à <SEP> 50 C/h. <SEP> 0 <SEP> à <SEP> 850OC, <SEP> à <SEP> 50 C/h
<tb> . <SEP> 600 <SEP> à <SEP> 800OC, <SEP> à <SEP> 10 C/h. <SEP> 850 <SEP> à <SEP> 1200OC, <SEP> à <SEP> 30 C/h
<tb> Cycle <SEP> de <SEP> montée <SEP> en <SEP> température. <SEP> 800OC, <SEP> pendant <SEP> 12 <SEP> h. <SEP> 1200 C, <SEP> pendant <SEP> 12 <SEP> h
<tb> . <SEP> 800 <SEP> à <SEP> 1100 C, <SEP> à <SEP> 20 C/h. <SEP> 1200 C <SEP> à <SEP> 1520 C, <SEP> à <SEP> 50 C/h
<tb> . <SEP> 1100 <SEP> à <SEP> 1520 C, <SEP> à <SEP> 50 C/h
<tb> Graphite <SEP> A <SEP> Présence <SEP> de <SEP> plomb <SEP> Présence <SEP> de <SEP> plomb
<tb> Graphite <SEP> C <SEP> Pas <SEP> de <SEP> plomb <SEP> Pas <SEP> de <SEP> plomb
<tb>

Claims (9)

REVENDICATIONS
1. Procédé de préparation d'un cristal comprenant : - le chargement d'un creuset en un mélange de la matière première adéquate renfermant, à titre d'impureté, au moins un oxyde et d'une quantité efficace et non excessive d'au moins un agent de fluoration solide à la température ambiante, -la fusion dudit mélange au sein dudit creuset, - la croissance du cristal, par refroidissement contrôlé du mélange fondu, - le refroidissement contrôlé dudit cristal jusqu'à la température ambiante, -la récupération dudit cristal ; ledit procédé étant caractérisé en ce que l' (les) oxyde (s) résultant de la réaction entre le (s) dit (s) agent (s) de fluoration et le (s) dit (s) oxyde (s), impureté (s), est (sont) susceptible (s) de s'évacuer dudit creuset, au vu des dimensions dudit creuset et de la perméabilité intrinsèque du matériau le constituant.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite quantité efficace et non excessive d'agent (s) de fluoration représente au plus 5 % en poids, avantageusement entre 0,1 et 2 % en poids, du poids de ladite matière première adéquate.
3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le (s) dit (s) agent (s) de fluoration est (sont) choisi (s) parmi PbF2, ZnF2, NH4F, NH4F. HF, PTFE et leurs mélanges.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit creuset intervenant est un creuset en graphite dont la perméabilité, mesurée selon la norme DIN 51935, est supérieure à 4 cm2/s.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que ledit creuset intervenant est un creuset en graphite dont la perméabilité, mesurée selon la norme DIN 51935, est supérieure à 10 cm2/s.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit creuset convient pour préparer des cristaux qui présentent les dimensions ci-après : 200 mm de diamètre pour 50 mm de hauteur ou 300 mm de diamètre pour 80 mm de hauteur.
<Desc/Clms Page number 13>
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il est mis en oeuvre pour la préparation de (mono) cristaux de fluorures de métaux alcalins et/ou de métaux alcalino-terreux.
8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il est mis en oeuvre pour la préparation de (mono) cristaux de CaF2.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le refroidissement contrôlé du mélange fondu, pour la croissance de (mono) cristaux, est obtenu, par déplacement à vitesse très réduite, du haut vers le bas, d'une pile de creusets chargés, dans un four à axe vertical, d'une zone chaude vers une zone froide.
FR0104232A 2001-03-29 2001-03-29 Preaparation de (mono) cristaux Expired - Fee Related FR2822853B1 (fr)

Priority Applications (15)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0104232A FR2822853B1 (fr) 2001-03-29 2001-03-29 Preaparation de (mono) cristaux
PCT/EP2002/002460 WO2002079550A1 (fr) 2001-03-29 2002-03-06 Procede de preparation de monocristaux de fluorure
EP02702400A EP1373602A1 (fr) 2001-03-29 2002-03-06 Procede de preparation de monocristaux de fluorure
JP2002577950A JP2004531444A (ja) 2001-03-29 2002-03-06 フッ化物単結晶の調製方法
US10/107,283 US6669778B2 (en) 2001-03-29 2002-03-26 Preparation of crystals
JP2002577949A JP2004526654A (ja) 2001-03-29 2002-03-28 透過性グラファイトを用いた波長157nmの光を透過するフッ化バリウム結晶の調製
US10/113,449 US6855203B2 (en) 2001-03-29 2002-03-28 Preparation of 157nm transmitting barium fluoride crystals with permeable graphite
AU2002255986A AU2002255986A1 (en) 2001-03-29 2002-03-28 Preparation of 157nm transmitting barium fluoride crystals with permeable graphite
DE10296589T DE10296589T5 (de) 2001-03-29 2002-03-28 Herstellung von bei 157 nm transmittierenden Bariumfluorid-Kristallen mit permeablem Graphit
PCT/US2002/009803 WO2002079549A2 (fr) 2001-03-29 2002-03-28 Elaboration de cristaux au fluorure de baryum a graphite permeable pour la transmission en longueur d'onde de 157nm
TW091117659A TWI227754B (en) 2001-03-29 2002-08-01 Preparation of 157nm transmitting barium fluoride crystals with permeable graphite
TW091117658A TWI236507B (en) 2001-03-29 2002-08-01 Preparation of crystals
US10/454,387 US6860942B2 (en) 2001-03-29 2003-06-03 Preparation of crystals
US10/698,502 US20040089223A1 (en) 2001-03-29 2003-10-31 Preparation of crystals
US10/981,889 US7276219B2 (en) 2001-03-29 2004-11-05 Preparation of 157nm transmitting barium fluoride crystals with permeable graphite

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0104232A FR2822853B1 (fr) 2001-03-29 2001-03-29 Preaparation de (mono) cristaux

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2822853A1 true FR2822853A1 (fr) 2002-10-04
FR2822853B1 FR2822853B1 (fr) 2003-06-27

Family

ID=8861679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0104232A Expired - Fee Related FR2822853B1 (fr) 2001-03-29 2001-03-29 Preaparation de (mono) cristaux

Country Status (8)

Country Link
US (4) US6669778B2 (fr)
EP (1) EP1373602A1 (fr)
JP (2) JP2004531444A (fr)
AU (1) AU2002255986A1 (fr)
DE (1) DE10296589T5 (fr)
FR (1) FR2822853B1 (fr)
TW (2) TWI236507B (fr)
WO (2) WO2002079550A1 (fr)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7660621B2 (en) 2000-04-07 2010-02-09 Medtronic, Inc. Medical device introducer
FR2822853B1 (fr) * 2001-03-29 2003-06-27 Corning Inc Preaparation de (mono) cristaux
RU2001111055A (ru) * 2001-04-16 2003-04-10 Репкина Тать на Александровна Многосекционный контейнер для выращивания монокристаллов фторида кальция
US7704260B2 (en) * 2002-09-17 2010-04-27 Medtronic, Inc. Low profile instrument immobilizer
EP1475464A1 (fr) * 2003-05-06 2004-11-10 Corning Incorporated Procédé pour la production d'un cristal optique
WO2005079903A2 (fr) * 2004-02-13 2005-09-01 Medtronic, Inc. Procede et appareil pour la fixation d'un dispositif d'administration therapeutique dans un trou de trepan
DE102004008752A1 (de) * 2004-02-23 2005-09-08 Schott Ag Herstellung von großvolumigen CaF2-Einkristallen für die Verwendung als optische Bauelemente mit einer optischen Achse parallel zur (100) oder (110)-Kristallachse
FR2869327A1 (fr) * 2004-04-22 2005-10-28 Univ Claude Bernard Lyon Creuset et procede de croissance de cristaux massifs et, en particulier, de monocristaux du type caf2
US20050241570A1 (en) * 2004-04-22 2005-11-03 Kherreddine Lebbou Crucible and method for growing large crystals, in particular CaF2 monocrystals
DE102005059531A1 (de) * 2005-12-13 2007-06-14 Schott Ag Herstellung hochreiner, besonders strahlungsbeständiger großvolumiger Einkristalle aus Kristallscherben
DE102010044017B4 (de) * 2010-11-17 2013-06-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung von Alkali- oder Erdalkalifluorid-Kristallen und nach dem Verfahren hergestellte Kristalle
CN114180612A (zh) * 2021-12-09 2022-03-15 安徽光智科技有限公司 光学材料高纯氟化钡的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10279396A (ja) * 1997-03-31 1998-10-20 Canon Inc フッ化物結晶の製造装置
JPH10330192A (ja) * 1997-03-31 1998-12-15 Canon Inc フッ化物結晶の製造装置及び製造法並びにルツボ
EP0919646A1 (fr) * 1997-12-01 1999-06-02 Nikon Corporation Procédé pour la production d'un cristal de fluor de calcium et pour le traitement de fluor de calcium sous forme de poudre
US5911824A (en) * 1997-12-16 1999-06-15 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Method for growing crystal
EP0995820A1 (fr) * 1998-10-21 2000-04-26 Canon Kabushiki Kaisha Procédés pour le raffinage d'un fluorure et la crossance d'un cristal de fluorure et élément optique et dispositif d'alignement comprenant ce cristal
JP2000211999A (ja) * 1999-01-22 2000-08-02 Canon Inc フッ化物の製造方法
US6200385B1 (en) * 2000-03-20 2001-03-13 Carl Francis Swinehart Crucible for growing macrocrystals

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1374909A (en) * 1918-05-31 1921-04-19 Lava Crucible Company Of Pitts Method of making graphite crucibles
US3655354A (en) * 1968-05-23 1972-04-11 Union Carbide Corp Graphite crucibles for use in producing high quality quartz
KR930004506A (ko) * 1991-08-29 1993-03-22 티모티 엔. 비숍 실리콘 결정을 성장시키는데 사용되는 유리질 탄소 피복 흑연성분
US5584929A (en) * 1994-03-11 1996-12-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for preparing compound semiconductor crystal
DE19835613C2 (de) * 1997-01-13 2002-12-12 Aisin Seiki Elektrisch leitfähige Harzzusammensetzung und deren Verwendung zur Herstellung von Harzformteilen
JPH10260349A (ja) 1997-03-18 1998-09-29 Nikon Corp 紫外線レーザ用結像光学系
CA2240695A1 (fr) * 1997-06-18 1998-12-18 Saburou Tanaka Procede pour la fabrication d'un creuset en graphite a elements multiples
US6201634B1 (en) * 1998-03-12 2001-03-13 Nikon Corporation Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element
WO2001000907A1 (fr) 1999-06-25 2001-01-04 Corning Incorporated Polissage de lentilles optiques et de preformes en cristal de fluorure avec de l'oxyde de cerium pour microlithographie
US6277351B1 (en) * 2000-03-20 2001-08-21 Carl Francis Swinehart Crucible for growing macrocrystals
US6860942B2 (en) * 2001-03-29 2005-03-01 Corning Incorporated Preparation of crystals
FR2822853B1 (fr) * 2001-03-29 2003-06-27 Corning Inc Preaparation de (mono) cristaux
FR2828933A1 (fr) * 2001-08-27 2003-02-28 Corning Inc Procede de determination de la qualite optique d'un monocristal de fluorure et element optique
US6669920B2 (en) * 2001-11-20 2003-12-30 Corning Incorporated Below 160NM optical lithography crystal materials and methods of making
DE10297547T5 (de) * 2001-12-13 2004-11-04 Corning Incorporated UV-optische Fluoridkristallelemente zur Laserlithografie mit λ<200nm und Verfahren derselben

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6093245A (en) * 1996-12-17 2000-07-25 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Method for growing crystal
JPH10279396A (ja) * 1997-03-31 1998-10-20 Canon Inc フッ化物結晶の製造装置
JPH10330192A (ja) * 1997-03-31 1998-12-15 Canon Inc フッ化物結晶の製造装置及び製造法並びにルツボ
EP0919646A1 (fr) * 1997-12-01 1999-06-02 Nikon Corporation Procédé pour la production d'un cristal de fluor de calcium et pour le traitement de fluor de calcium sous forme de poudre
US5911824A (en) * 1997-12-16 1999-06-15 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Method for growing crystal
EP0995820A1 (fr) * 1998-10-21 2000-04-26 Canon Kabushiki Kaisha Procédés pour le raffinage d'un fluorure et la crossance d'un cristal de fluorure et élément optique et dispositif d'alignement comprenant ce cristal
JP2000211999A (ja) * 1999-01-22 2000-08-02 Canon Inc フッ化物の製造方法
US6200385B1 (en) * 2000-03-20 2001-03-13 Carl Francis Swinehart Crucible for growing macrocrystals

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 01 29 January 1999 (1999-01-29) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 03 31 March 1999 (1999-03-31) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2000, no. 11 3 January 2001 (2001-01-03) *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004526654A (ja) 2004-09-02
US6669778B2 (en) 2003-12-30
US20050115490A1 (en) 2005-06-02
JP2004531444A (ja) 2004-10-14
WO2002079549A3 (fr) 2003-02-13
AU2002255986A1 (en) 2002-10-15
US20030066477A1 (en) 2003-04-10
TWI227754B (en) 2005-02-11
US7276219B2 (en) 2007-10-02
WO2002079549A2 (fr) 2002-10-10
US6855203B2 (en) 2005-02-15
DE10296589T5 (de) 2004-04-22
EP1373602A1 (fr) 2004-01-02
FR2822853B1 (fr) 2003-06-27
WO2002079550A1 (fr) 2002-10-10
US20040089223A1 (en) 2004-05-13
TWI236507B (en) 2005-07-21
US20020189527A1 (en) 2002-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2822853A1 (fr) Preaparation de (mono) cristaux
EP1516078B1 (fr) Procede de manipulation d un chlorure ou bromure ou iodure d e terre rare dans un creuset comprenant du carbone
FR2501190A1 (fr) Corps ceramique en alumine et son procede de fabrication
FR2781475A1 (fr) Utilisation d&#39;un creuset en graphite poreux pour traiter des granules de silice
CH625195A5 (fr)
EP0034097B1 (fr) Procédé de fabrication de pièces, notamment de tubes, en alumine translucide
FR2799194A1 (fr) Billes d&#39;un fluorure d&#39;alcalin ou d&#39;alcalino-terreux polycristallin, leur preparation et leur utilisation pour preparer des monocristaux
JP3969865B2 (ja) フッ化物結晶の製造方法
FR2510092A1 (fr) Procede de production d&#39;un fluorure de graphite
KR20020081324A (ko) 실리콘 용융체 제조 공정
FR2827616A1 (fr) Purification anionique de fluorures de metaux alcalins ou alcalino-terreux,preparation de (mono) cristaux
FR2486058A1 (fr) Nouveau procede de preparation d&#39;alumines de haute purete a partir d&#39;alun d&#39;ammonium
US6860942B2 (en) Preparation of crystals
CN1754012A (zh) 卤化物晶体的退火方法
FR2562219A1 (fr) Procede pour deshydrater des matieres optiques par decharge luminescente
JP2003002789A (ja) フッ化物単結晶の製造方法
EP0216664B1 (fr) Procédé de préparation de décafluorure de soufre et d&#39;hexafluorure de soufre
EP0596774A1 (fr) Procédé de vitrification de résidus solides issus d&#39;incinération de déchets ménagers et/ou industriels, et produit issu de ce procédé
JP2007001779A (ja) フッ化金属単結晶のアニール方法
EP0627388A2 (fr) Procédé et four de fusion pour la vitrification de résidus et produit issu de ce procédé
JP2005200256A (ja) 金属フッ化物の精製方法、金属フッ化物多結晶および単結晶の製造方法および製造装置
JP3208045B2 (ja) 高温用炭化珪素質複合材
JPS6259534A (ja) ガラス溶融用ガラス容器
WO2005108653A1 (fr) CREUSET ET PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAUX MASSIFS ET, EN PARTICULIER, DE MONOCRISTAUX DU TYPE CaF2
FR2543455A1 (fr) Procede d&#39;opalisation de la surface interieure d&#39;objets de grande longueur par rapport a leur section

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse