FR2715742A1 - Procédé d'incinération d'un résist par plasma avec prétraitement à l'oxygène. - Google Patents
Procédé d'incinération d'un résist par plasma avec prétraitement à l'oxygène. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2715742A1 FR2715742A1 FR9415859A FR9415859A FR2715742A1 FR 2715742 A1 FR2715742 A1 FR 2715742A1 FR 9415859 A FR9415859 A FR 9415859A FR 9415859 A FR9415859 A FR 9415859A FR 2715742 A1 FR2715742 A1 FR 2715742A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- reaction chamber
- oxygen
- plasma
- incineration
- plasma reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 102000020897 Formins Human genes 0.000 description 1
- 108091022623 Formins Proteins 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Le procédé d'incinération d'un résist sur une plaquette dans une chambre de réaction de plasma selon l'invention comprend les étapes consistant à faire circuler un gaz contenant de l'oxygène non activé dans la chambre de réaction de plasma immédiatement avant d'introduire la plaquette dans la chambre de réaction de plasma, puis à réaliser une incinération par plasma du résist. Dans l'un des modes de réalisation préférés, la chambre de réaction ayant été exposée à l'atmosphère, puis mise sous vide, un mélange gazeux d'oxygène (90 % en volume) et de vapeur d'eau (10 % en volume) est amené à circuler dans la chambre de réaction à un débit de 1 000 Ncm3 et sous une pression de 133 Pa pendant 5 min, après quoi l'incinération est accomplie. Le procédé selon l'invention empêche la vitesse d'incinération de décroître au cours du temps.
Description
La présente invention concerne un procédé d'incinération par plasma
d'un photorésist d'une plaquette de semiconducteur, et plus particulièrement un procédé d'incinération d'un photorésist avec prétraitement à l'oxygène de la chambre de réaction.
On sait que le fait d'ajouter de la vapeur d'eau à un plasma d'oxygène améliore généralement la vitesse d'incinération, en particulier dans le cas d'une incinération de type à courant descendant, et présente d'autres effets favorables tels que l'absence de gravure chimique de la plaquette et de corrosion des inter- connexions en aluminium. L'instabilité de la vitesse d'incinération constitue un inconvénient de l'incinération de type à courant descendant au moyen d'un plasma d'oxygène additionné de vapeur d'eau. On suppose que cette instabilité est liée à des phénomènes d'adsorption et de désorption des molécules d'eau sur la paroi interne de la chambre de réaction. La figure 1 des dessins annexés représente les variations de la vitesse d'incinération à partir de la valeur initiale après exposition de la chambre de réaction à l'atmosphère à des fins de réparation et d'entretien, en dépit du fait que la chambre a été mise sous vide avant l'incinération. Des tenta- tives ont été faites pour stabiliser la vitesse d'incinération, par exemple en faisant précéder l'incinération par un traitement par un plasma d'oxygène ou en contrôlant la température superficielle de la paroi intçmrne de la chambre de réaction.
Cependant, aucune de ces tentatives n'est parvenue à stabiliser la vitesse d'inciné- ration. Par exemple, comme le montre la figure 2 des dessins annexés, bien qu'un prétraitement par un plasma d'oxygène ait permi de rétablir temporairement la vitesse d'incinération, ce rétablissement n'était pas durable car la température superficielle de la paroi interne de la chambre de réaction a été augmentée par le plasma d'oxygène lui-même, ce qui finalement a fait baisser la vitesse d'incinéra- tion.
Afin de remédier aux inconvénients évoqués ci-dessus, la présente invention a pour but de proposer un procédé d'incinération d'un résist dans une chambre de réaction de plasma qui comprend l'étape consistant à maintenir dans la chambre de réaction de plasma un courant de gaz contenant de l'oxygène non activé immédiatement avant l'incinération du résist par plasma.
La présente invention a également pour but de proposer un procédé d'incinération d'un résist dans une chambre de réaction de plasma qui comprend les étapes consistant à mettre sous vide la chambre de réaction de plasma, à former un plasma d'oxygène dans une chambre de formation de plasma, à faire circuler un gaz contenant de l'oxygène non activé dans la chambre de réaction de plasma et à introduire dans la chambre de réaction de plasma une plaquette recouverte d'un résist pour l'incinération de celui- ci.
De préférence, le courant de gaz contenant de l'oxygène non activé est maintenu dans la chambre de réaction de plasma pendant au moins 30 s.
De préférence encore, le plasma est formé pendant au moins 30 s.
Le gaz contenant de l'oxygène non activé est un gaz dont les molécules ne sont ni ionisées ni dans un état excité, mais sont dans leur état fondamental. Un exemple typique en sont les molécules d'oxygène neutre (02) à l'exclusion des ions oxygène (tels que 02+), de l'oxygène réactif neutre (O*) ou de l'ozone (03).
Le gaz contenant de l'oxygène non activé est choisi dans le groupe formé par l'oxygène sensiblement pur, un mélange gazeux d'oxygène et de vapeur d'eau, un mélange gazeux sensiblement identique au gaz utilisé pour un processus d'incinération et un mélange gazeux d'oxygène et d'un gaz inerte quelconque. Le prétraitement de la chambre de réaction de plasma au moyen du gaz contenant de l'oxygène non activé peut stabiliser la vitesse d'incinération même après que la chambre de réaction de plasma a été exposée à l'atmosphère.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux dans la description détaillée qui suit et se réfere aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemple, et dans lesquels: la figure 1 est une représentation graphique de l'évolution au cours du temps de la vitesse d'une incinération par un mélange gazeux d'oxygène et de vapeur d'eau avec prétraitement par le vide pour toute incinération selon l'état de la technique, après exposition de la chambre de réaction à l'atmosphère. Cette figure montre que la vitesse d'incinération décroît progressivement au cours du temps.
La figure 2 est une représentation graphique de l'évolution au cours du temps de la vitesse d'incinération avec prétraitement par le vide pour une incinéra- tion selon l'état de la technique comme ci-dessus, après exposition de la chambre de réaction à l'atmosphère. Cette figure montre qu'un prétraitement par un plasma d'oxygène rétablit temporairement la vitesse d'incinération.
La figure 3 représente schématiquement un système de réaction de plasma pour l'incinération d'un photorésist situé sur une plaquette selon la présente invention. Sur cette figure, on voit qu'une première et une seconde chambres de réaction 2, 5 sont reliées à une chambre de transfert de plaquette 4 par des première et seconde vannes étanches au vide 3, 6, respectivement.
La figure 4 représente une coupe transversale d'un appareil d'incinération du type à courant descendant selon la présente invention. On voit sur cette figure qu'une chambre de réaction de plasma 22 est séparée d'une chambre de formation de plasma 24 par un dispositif de type pomme d'arrosage 23 qui ne peut être traversé que par les espèces réactives neutres pour leur permettre d'atteindre la plaquette 21 qui doit subir l'incinération.
La figure 5 est une représentation graphique montrant l'évolution au cours du temps de la vitesse d'incinération pour le premier mode de réalisation selon la présente invention. Dans celui-ci, la chambre de réaction ayant été exposée à l'atmosphère, un prétraitement par le vide est suivi par le passage d'un courant d'oxygène. Le courant d'oxygène rétablit progressivement la vitesse d'incinération.
La figure 6 est une représentation graphique montrant l'évolution au cours du temps de la vitesse d'incinération pour le second mode de réalisation selon la présente invention. Dans celui-ci, la chambre de réaction ayant été exposée à l'atmosphère, un prétraitement par le vide est suivi par l'établissement d'un courant de mélange gazeux constitué par de l'oxygène (90 %) et de la vapeur d'eau (10 %). Le courant de mélange gazeux rétablit la vitesse d'incinération de la même manière que le courant d'oxygène.
La figure 7 est une représentation graphique de l'évolution au cours du temps de la vitesse d'incinération pour le troisième mode de réalisation selon la présente invention. La chambre de réaction ayant été exposée à l'atmosphère, un prétraitement par le vide est suivi par un traitement par un plasma d'oxygène, puis par le passage d'un courant d'oxygène. Le passage du courant d'oxygène maintient la vitesse d'incinération initiale élevée.
La figure 8 est une représentation graphique montrant l'évolution au cours du temps de la vitesse d'incinération pour le quatrième mode de réalisation selon la présente invention. La chambre de réaction ayant été exposée à l'atmosphère, un prétraitement par le vide est suivi par un traitement par un plasma d'oxygène, puis par la circulation d'un courant d'un mélange gazeux constitué par de l'oxygène (90 %) et de vapeur d'eau (10 %). Le courant de mélange gazeux maintient la vitesse d'incinération initiale élevée.
Dans les modes de réalisation qui vont être décrits dans la suite, l'appareil d'incinération du type à écoulement descendant qui est représenté sur la figure 4 a été utilisé. Dans cet appareil, une plaquette 21 destinée à subir l'inciné- ration a été placée sur un porte-plaquette 20 chauffé à une température de 220C.
Une énergie hyperfréquence de 1,5 kW à 13,56 MHz a été appliquée à une chambre de formation de plasma 24 par l'intermédiaire d'une fenêtre en verre de quartz 25. Une chambre de réaction de plasma 22 est séparée de la chambre de formation de plasma 24 par un dispositif de type pomme d'arrosage 23 qui ne se laisse traverser que par les espèces réactives neutres qui peuvent ensuite atteindre la plaquette 21. La distance séparant la plaquette 21 du dispositif de type pomme d'arrosage 23 est telle que les ions et les micro-ondes (hyperfréquences) qui parviennent à pénétrer dans la chambre de réaction de plasma 22 s'estompent suffisamment. Sauf indication contraire, les conditions de l'incinération et du prétraitement par un courant d'oxygène pour mesurer la vitesse d'incinération étaient les mêmes dans tous les modes de réalisation et sont présentées dans le tableau 1 ci-dessous.
Dans le premier mode de réalisation, la chambre de réaction a été mise sous vide jusqu'à une pression d'environ 133 x 10-4 Pa (10-4 Torr) après avoir été exposée à l'atmosphère, et l'incinération initiale par un mélange gazeux d'oxygène et de vapeur d'eau a eu pour conséquence une baisse de la vitesse d'incinération pour les mêmes raisons que dans l'état de la technique. Ensuite, un gaz constitué par de l'oxygène neutre a été amené à circuler dans la chambre de réaction pendant min à un débit de 1 000 Ncm3 et sous une pression de 133 Pa (1 Torr). Comme le montre la figure 5, la vitesse d'incinération a été rétablie progressivement par trois séries de courants consécutifs d'oxygène suivies chacune immédiatement par une opération d'incinération pour mesurer la vitesse d'incinération.
Le tableau 1 ci-dessous montre les conditions opératoires préférées.
TABLEAU 1
Incinération Prétraitement 02 900 Ncm3 02 1000 Ncm3 H20 100 Ncm3 Pression 133 Pa (1,0 Torr) Pression 133 Pa (1,0 Torr) Durée 5 min micro-ondes 1,5 kW température du porte- plaquette 220C température de la paroi interne 50C durée de l'incinération 30 s Dans le second mode de réalisation, après que la vitesse d'incinération ait baissé pour les mêmes raisons que dans le premier mode de réalisation, un gaz de procédé constitué par de l'oxygène (90 % en volume) et de vapeur d'eau (10 % en volume) a été amené à circuler pendant 5 min à un débit de 900 Ncm3 pour l'oxygène et de 100 Ncm3 pour la vapeur d'eau et sous une pression de 133 Pa (1 Torr) avant chaque incinération.
Comme le montre la figure 6, la vitesse d'incinération a été rétablie progressivement par trois séries consécutives de courants de gaz de procédé suivies chacune immédiatement par une opération d'incinération pour mesurer la vitesse d'incinération.
Dans le troisième mode de réalisation, la même série d'opérations a été mise en oeuvre jusqu'à la fin du traitement par un plasma d'oxygène d'une durée de s comme sur la figure 2, après quoi trois séries consécutives de courants d'oxygène et d'opérations d'incinération pour mesurer la vitesse d'incinération ont été réalisées. Les résultats présentés sur la figure 7 montrent que, contrairement au cas de la figure 2, la vitesse d'incinération n'a pas diminué à la suite du traitement par le plasma d'oxygène.
Dans le quatrième mode de réalisation, l'oxygène utilisé dans le troisième mode de réalisation a été remplacé par un gaz d'incinération constitué par de l'oxygène (90 % en volume) et de la vapeur d'eau (10 % en volume). Les résultats présentés sur la figure 8 sont sensiblement identiques à ceux du troisième mode de réalisation.
Concernant le cinquième mode de réalisation, la figure 3 montre le système de réaction de plasma utilisé dans ce mode de réalisation, qui comprend une première chambre de réaction de plasma 2, une seconde chambre de réaction de plasma 5, une première chambre de transfert de plaquette 1, une seconde chambre de transfert de plaquette 4 et une troisième chambre de transfert de plaquette 7. Chacune des chambres de transfert de plaquette est équipée de deux vannes étanches au vide. La vanne étanche au vide 8 est située entre l'atmosphère et la première chambre de transfert de plaquette 1 et la vanne étanche au vide 9 est située entre la première chambre de transfert de plaquette et la première chambre de réaction de plasma 2. La vanne étanche au vide 3 est située entre la première chambre de réaction de plasma 2 et la seconde chambre de transfert de plaquette 4 et la vanne étanche au vide 6 est située entre la seconde chambre de transfert de plaquette et la seconde chambre de réaction de plasma 5. La vanne étanche au vide 10 est située entre la seconde chambre de réaction de plasma 5 et la troisième chambre de transfert de plaquette 7 et la vanne étanche au vide 11 est située entre la troisième chambre de transfert de plaquette 7 et l'atmosphère. Toutes ces chambres peuvent être mises sous vide par un système de vide. Pendant le fonctionnement du dispositif, lorsqu'une plaquette passe de l'atmosphère à la première chambre de transfert de plaquette 1, la vanne 8 est ouverte et la vanne 9 est fermée. Lorsque la première chambre de transfert de plaquette 1 est sous un vide suffisant, la plaquette est transférée dans la première chambre de réaction de plasma 2, tandis que la vanne 8 est fermée et que la vanne 9 est ouverte. Cette succession d'opérations empêche l'air d'entrer dans la première chambre de réaction de plasma 2 dans laquelle des gaz à base d'halogénures sont utilisés pour graver des couches métalliques situées sur la plaquette. Les couches métalliques ayant été gravées pour former des configurations d'interconnexions au moyen de gaz à base d'halogénures, la plaquette est transférée dans la chambre de transfert de plaquette 4, tandis que la vanne 3 est ouverte et que la vanne 6 est fermée, puis dans la seconde chambre de réaction de plasma 5, tandis que la vanne 3 est fermée et que la vanne 6 est ouverte. Cette succession d'opérations empêche les gaz à base d'halogénures de pénétrer dans la seconde chambre de réaction de plasma 5. Le transfert de la plaquette de la première chambre de réaction de plasma 2 dans la seconde chambre de réaction de plasma 5 dure habituellement 180 s. Selon le cinquième mode de réalisation de la présente invention, immédiatement avant l'ouverture de la vanne 6 pour transférer la plaquette de la seconde chambre de transfert de plaquette 4 dans la seconde chambre de réaction de plasma 5, un gaz d'incinération est amené à circuler dans la seconde chambre de réaction de plasma 5 pendant 170 s. Puis, la plaquette est transférée dans la seconde chambre de réaction de plasma 5 pour l'incinération. La plaquette qui a subi l'incinération est transférée dans la troisième chambre de transfert de plaquette 7, tandis que la vanne 10 est ouverte et que la vanne 11 est fermée, puis la plaquette passe de la troisième chambre de transfert de plaquette 7 à l'atmosphère, tandis que la vanne 10 est fermée et que la vanne 11 est ouverte, ce qui empêche l'air de pénétrer dans la seconde chambre de réaction de plasma 5. Une caractéristique remarquable de ce mode de réalisation est qu'il permet d'empêcher la vitesse d'incinération de décroître, de même que le premier mode de réalisation, et ce sans modifier la succession des opérations par rapport à un procédé conventionnel.
Dans le sixième mode de réalisation, des couches d'aluminiumcuivre-titane situées sur une plaquette ayant été gravées pour former des configurations d'interconnexions dans la première chambre de réaction de plasma 2 du système de réaction de plasma représenté sur la figure 3, la plaquette est transférée dans la seconde chambre de transfert de plaquette 4, tandis que la vanne 3 est ouverte et que la vanne 6 est fermée, puis dans la seconde chambre de réaction de plasma 5, tandis que la vanne 3 est fermée et que la vanne 6 est ouverte. De même que dans le cinquième mode de réalisation, un gaz de procédé est amené à circuler dans la seconde chambre de réaction de plasma 5 à un débit de 1 000 Ncm3 et sous une pression de 133 Pa (1,0 Torr) pendant 170 s immédiatement avant l'ouverture de la vanne 6 pour transférer la plaquette de la seconde chambre de transfert de plaquette 4 dans la seconde chambre de réaction de plasma 5. Ensuite, la plaquette est transférée dans la seconde chambre de réaction de plasma 5 pour l'incinération. Dans ce mode de réalisation, on obtient le même résultat que dans le cinquième mode de réalisation, à savoir que l'on évite une baisse de la vitesse d'incinération sans modifier la succession des opérations du procédé.
On voit donc d'après ce qui précède que la présente invention permet de maintenir une production de plaquettes avec un rendement très élevé en évitant les instabilités de la vitesse d'incinération.
Claims (12)
1. Procédé d'incinération d'un résist dans une chambre de réaction de plasma, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à établir un courant de gaz contenant de l'oxygène non activé dans la chambre de réaction de plasma, introduire une plaquette munie d'un résist dans la chambre de réaction de plasma et réaliser une incinération par plasma du résist.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz contenant de l'oxygène non activé est de l'oxygène sensiblement pur.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz contenant de l'oxygène non activé est un mélange gazeux d'oxygène et de vapeur d'eau.
4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz contenant de l'oxygène non activé est identique à un gaz utilisé pour un procédé d'incinéra- tion.
5. Procédé d'incinération d'un résist sur une plaquette par traitement d'une plaquette individuelle in situ dans une chambre de réaction de plasma, caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à maintenir un courant de gaz contenant de l'oxygène non activé dans la chambre de réaction de plasma immédiatement avant l'incinération, le gaz contenant de l'oxygène non activé étant choisi dans le groupe consistant en de l'oxygène sensiblement pur, un mélange gazeux d'oxygène et de vapeur d'eau et un gaz utilisé pour un procédé d'incinération.
6. Procédé d'incinération d'un résist dans une chambre de réaction de plasma, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à mettre sous vide la chambre de réaction de plasma après son exposition à l'atmosphère, établir un courant de gaz contenant de l'oxygène non activé dans la chambre de réaction de plasma, le gaz étant choisi dans le groupe consistant en de l'oxygène sensiblement pur, un mélange gazeux d'oxygène et de vapeur d'eau et un gaz utilisé pour un procédé d'incinération, et introduire une plaquette comportant le résist dans la chambre de réaction de plasma.
7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz contenant de l'oxygène non activé est amené à circuler dans la chambre de réaction de plasma pendant au moins 30 s.
8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz contenant de l'oxygène non activé est amené à circuler dans la chambre de réaction de plasma (22) après formation d'un plasma dans une chambre de formation de plasma (24) séparée de la chambre de réaction de plasma (22) par un dispositif de type pomme d'arrosage (23) qui empêche les particules chargées et les micro- ondes de pénétrer dans la chambre de réaction de plasma, mais qui permet aux espèces réactives électriquement neutres de pénétrer dans la chambre de réaction de plasma.
9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la formation de plasma est maintenue pendant au moins 30 s.
10. Procédé d'incinération d'un résist dans une chambre de réaction de plasma, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à produire un plasma d'un gaz pour procédé d'incinération dans une chambre de formation de plasma, faire circuler le gaz pour procédé d'incinération à l'état non activé dans la chambre de réaction de plasma, puis introduire une plaquette comportant un résist dans la chambre de réaction de plasma pour réaliser une incinération par plasma de type à courant descendant.
11. Procédé d'incinération d'un résist sur une plaquette au moyen d'un système de réaction de plasma comprenant une chambre de transfert de plaquette (4) reliée à une première chambre de réaction (2) par une première vanne étanche au vide (3) et à une seconde chambre de réaction (5) par une seconde vanne étanche au vide (6), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à ouvrir la première vanne étanche au vide (3) pour transférer la plaquette de la première chambre de réaction (2) dans la chambre de transfert de plaquette (4), puis à fermer la première vanne étanche au vide (3), à maintenir un courant d'un gaz contenant de l'oxygène non activé dans la seconde chambre de réaction (5), ledit gaz étant choisi dans le groupe consistant en de l'oxygène sensiblement pur, un mélange gazeux d'oxygène ou de vapeur d'eau et un gaz utilisé pour un procédé d'incinération, à interrompre le courant de gaz contenant de l'oxygène non activé, puis à ouvrir la seconde vanne étanche au vide (6) pour transférer la plaquette de la chambre de transfert de plaquette (4) dans la seconde chambre de réaction (5), à fermer la seconde vanne étanche au vide (6), puis à faire circuler dans la seconde chambre de réaction un gaz pour procédé d'incinération, et à réaliser l'incinération du résist sur la plaquette dans la seconde chambre de réaction (5).
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que l'incinération est accomplie au moyen d'un appareil d'incinération du type à courant descendant dans lequel le résist situé sur la plaquette (21) est retiré par des réactions chimiques avec des espèces réactives électriquement neutres qui sont produites dans une chambre de formation de plasma (24) et qui pénètrent dans la chambre de réaction de plasma (22) à travers un dispositif de type pomme d'arrosage (23) qui empêche les particules chargées et les micro-ondes de pénétrer dans la chambre de réaction de plasma (22).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW084104676A TW269049B (fr) | 1994-02-03 | 1995-05-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6011259A JPH07221075A (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | アッシング処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2715742A1 true FR2715742A1 (fr) | 1995-08-04 |
| FR2715742B1 FR2715742B1 (fr) | 1998-04-03 |
Family
ID=11772951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9415859A Expired - Fee Related FR2715742B1 (fr) | 1994-02-03 | 1994-12-29 | Procédé d'incinération d'un résist par plasma avec prétraitement à l'oxygène. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5560803A (fr) |
| JP (1) | JPH07221075A (fr) |
| KR (1) | KR0175688B1 (fr) |
| DE (1) | DE19500162C2 (fr) |
| FR (1) | FR2715742B1 (fr) |
| TW (1) | TW269049B (fr) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3606991B2 (ja) * | 1996-02-20 | 2005-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 被膜作製方法 |
| US5795831A (en) * | 1996-10-16 | 1998-08-18 | Ulvac Technologies, Inc. | Cold processes for cleaning and stripping photoresist from surfaces of semiconductor wafers |
| JP3575240B2 (ja) * | 1996-11-01 | 2004-10-13 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6026762A (en) * | 1997-04-23 | 2000-02-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems |
| US5970376A (en) * | 1997-12-29 | 1999-10-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post via etch plasma treatment method for forming with attenuated lateral etching a residue free via through a silsesquioxane spin-on-glass (SOG) dielectric layer |
| US6231775B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-05-15 | Anon, Inc. | Process for ashing organic materials from substrates |
| US6410417B1 (en) * | 1998-11-05 | 2002-06-25 | Promos Technologies, Inc. | Method of forming tungsten interconnect and vias without tungsten loss during wet stripping of photoresist polymer |
| DE19855924B4 (de) * | 1998-11-19 | 2006-02-16 | Mosel Vitelic Inc. | Herstellungsverfahren für eine Verbindung |
| US6165313A (en) * | 1999-04-14 | 2000-12-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Downstream plasma reactor system with an improved plasma tube sealing configuration |
| US20050022839A1 (en) * | 1999-10-20 | 2005-02-03 | Savas Stephen E. | Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing |
| US6328847B1 (en) | 2000-01-19 | 2001-12-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Downstream plasma reactor system incorporating a plasma-resistant blocking member |
| US6440864B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-08-27 | Applied Materials Inc. | Substrate cleaning process |
| US6692903B2 (en) | 2000-12-13 | 2004-02-17 | Applied Materials, Inc | Substrate cleaning apparatus and method |
| US20070193602A1 (en) * | 2004-07-12 | 2007-08-23 | Savas Stephen E | Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing |
| KR100605942B1 (ko) * | 2004-07-16 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자용 금속 배선의 후처리 방법 |
| JP4810633B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2011-11-09 | 瀬戸技研工業株式会社 | プラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法及びその装置 |
| KR102326020B1 (ko) | 2020-02-20 | 2021-11-16 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 애싱 장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0345757A2 (fr) * | 1988-06-09 | 1989-12-13 | Fujitsu Limited | Enlèvement d'une couche organique sur un dispositif semi-conducteur pendant sa fabrication par réduction en cendres |
| EP0367568A1 (fr) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Fujitsu Limited | Utilisation de plasma pour enlever des photoresists |
| EP0537720A1 (fr) * | 1991-10-18 | 1993-04-21 | Ushio Inc. | Appareil et procédé pour l'enlèvement d'un film de résine photosensible sur un substrat semi-conducteur |
| EP0561300A1 (fr) * | 1992-03-19 | 1993-09-22 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Dispositif pour enlever une résine photosensible de la surface d'une plaque de semi-conducteur |
| US5294292A (en) * | 1989-08-30 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma ashing method |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4689112A (en) * | 1985-05-17 | 1987-08-25 | Emergent Technologies Corporation | Method and apparatus for dry processing of substrates |
| JPS63264428A (ja) * | 1986-06-17 | 1988-11-01 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 有機化合物の酸化法 |
| US5298112A (en) * | 1987-08-28 | 1994-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for removing composite attached to material by dry etching |
| JPH0698898B2 (ja) * | 1989-07-25 | 1994-12-07 | 本田技研工業株式会社 | 車両の駆動装置 |
| JP2926798B2 (ja) * | 1989-11-20 | 1999-07-28 | 国際電気株式会社 | 連続処理エッチング方法及びその装置 |
| JP2925751B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1999-07-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH053175A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-08 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング及び灰化処理装置 |
| JPH0562936A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法 |
-
1994
- 1994-02-03 JP JP6011259A patent/JPH07221075A/ja not_active Withdrawn
- 1994-11-30 US US08/351,212 patent/US5560803A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-16 KR KR1019940034655A patent/KR0175688B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-12-29 FR FR9415859A patent/FR2715742B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-04 DE DE19500162A patent/DE19500162C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-11 TW TW084104676A patent/TW269049B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0345757A2 (fr) * | 1988-06-09 | 1989-12-13 | Fujitsu Limited | Enlèvement d'une couche organique sur un dispositif semi-conducteur pendant sa fabrication par réduction en cendres |
| EP0367568A1 (fr) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Fujitsu Limited | Utilisation de plasma pour enlever des photoresists |
| US5294292A (en) * | 1989-08-30 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma ashing method |
| EP0537720A1 (fr) * | 1991-10-18 | 1993-04-21 | Ushio Inc. | Appareil et procédé pour l'enlèvement d'un film de résine photosensible sur un substrat semi-conducteur |
| EP0561300A1 (fr) * | 1992-03-19 | 1993-09-22 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Dispositif pour enlever une résine photosensible de la surface d'une plaque de semi-conducteur |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19500162C2 (de) | 2001-03-29 |
| US5560803A (en) | 1996-10-01 |
| KR0175688B1 (ko) | 1999-04-15 |
| DE19500162A1 (de) | 1995-08-10 |
| TW269049B (fr) | 1996-01-21 |
| FR2715742B1 (fr) | 1998-04-03 |
| JPH07221075A (ja) | 1995-08-18 |
| KR950025841A (ko) | 1995-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2715742A1 (fr) | Procédé d'incinération d'un résist par plasma avec prétraitement à l'oxygène. | |
| US5380397A (en) | Method of treating samples | |
| JP4952375B2 (ja) | レジスト除去方法及びその装置 | |
| US5725677A (en) | Dry cleaning process for cleaning a surface | |
| TWI409866B (zh) | 自低ｋ介電材料移除光阻及後蝕刻殘留物之氣體混合物及其使用方法 | |
| US8632687B2 (en) | Method for electron beam induced etching of layers contaminated with gallium | |
| JPH10189550A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20000076263A (ko) | 자외선/할로겐 금속 제거 공정 | |
| JPH03147322A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006319060A (ja) | 配管のクリーニング方法 | |
| JP2821264B2 (ja) | シリコンデバイスのガス清浄法 | |
| JPH05343391A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3184988B2 (ja) | 結晶面異方性ドライエッチング方法 | |
| US20100024845A1 (en) | Process and apparatus for degreasing objects or materials by means of oxidative free radicals | |
| KR19990081964A (ko) | Tin과 al 합금 사이의 인터페이스 안정화 | |
| JPH043914A (ja) | 結晶成長方法および結晶成長装置 | |
| KR20000073004A (ko) | 금속층 식각에 사용된 포토레지스트 마스크 제거 방법 | |
| JP2737613B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH05259133A (ja) | ドライエッチング装置と清浄化方法 | |
| JP3015744B2 (ja) | 連続処理装置 | |
| JPH1174233A (ja) | レーザーアシスト低温エッチング方法 | |
| JPH02183530A (ja) | 半導体素子の作製方法 | |
| JPH0533817B2 (fr) | ||
| JPS6179230A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JPH04176868A (ja) | 表面保護方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20070831 |