JPH053175A - ドライエツチング及び灰化処理装置 - Google Patents
ドライエツチング及び灰化処理装置Info
- Publication number
- JPH053175A JPH053175A JP15473891A JP15473891A JPH053175A JP H053175 A JPH053175 A JP H053175A JP 15473891 A JP15473891 A JP 15473891A JP 15473891 A JP15473891 A JP 15473891A JP H053175 A JPH053175 A JP H053175A
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- Japan
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- ashing
- dry etching
- etching
- gas
- exhaust
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ドライエッチング及び灰化処理装置に関し、
ドライエッチング及び灰化処理におけるエッチング及び
アッシング速度を高めかつエッチング及びアッシングを
均一化することができる装置を開発する。 【構成】 減圧式のドライエッチング及び灰化処理装置
において、ドライエッチング又は灰化処理を行う処理室
内の壁面を、処理基板用ステージ面とガス導入口５面の
みで構成し、他の面は排気口１０としたドライエッチン
グ及び灰化処理装置。
ドライエッチング及び灰化処理におけるエッチング及び
アッシング速度を高めかつエッチング及びアッシングを
均一化することができる装置を開発する。 【構成】 減圧式のドライエッチング及び灰化処理装置
において、ドライエッチング又は灰化処理を行う処理室
内の壁面を、処理基板用ステージ面とガス導入口５面の
みで構成し、他の面は排気口１０としたドライエッチン
グ及び灰化処理装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング及び
灰化処理装置に関し、更に詳しくは、主に半導体製造プ
ロセスにおける導電薄膜や絶縁薄膜などのドライエッチ
ング及び有機レジストの灰化（アッシング）処理に好適
に用いることができる装置に関する。
灰化処理装置に関し、更に詳しくは、主に半導体製造プ
ロセスにおける導電薄膜や絶縁薄膜などのドライエッチ
ング及び有機レジストの灰化（アッシング）処理に好適
に用いることができる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体は微細化が進み、それとと
もに半導体素子を構成する絶縁膜の厚さも薄膜化してき
ており、それに伴って半導体製造プロセスの低ダメージ
化が望まれている。このため、灰化処理工程では、絶縁
膜の劣化を少なくするプロセスとして中性活性ガス粒子
をエッチング種とするダウンストリームタイプのアッシ
ング装置が普及してきている。このダウンストリームタ
イプの装置はハロゲンを含んだガスを用いた場合には、
純等方性のエッチング装置として使用でき、汎用性が高
い装置として知られている。
もに半導体素子を構成する絶縁膜の厚さも薄膜化してき
ており、それに伴って半導体製造プロセスの低ダメージ
化が望まれている。このため、灰化処理工程では、絶縁
膜の劣化を少なくするプロセスとして中性活性ガス粒子
をエッチング種とするダウンストリームタイプのアッシ
ング装置が普及してきている。このダウンストリームタ
イプの装置はハロゲンを含んだガスを用いた場合には、
純等方性のエッチング装置として使用でき、汎用性が高
い装置として知られている。
【０００３】一方、半導体製造プロセスにおいては、半
導体素子の微細化が進んだために精密な加工精度が要求
されている。それと同時に量産性を上げるために、処理
の高速化も要求されている。このため、エッチング及び
アッシング工程においてもエッチング及びアッシング速
度の高速化と均一化の両立が求められている。
導体素子の微細化が進んだために精密な加工精度が要求
されている。それと同時に量産性を上げるために、処理
の高速化も要求されている。このため、エッチング及び
アッシング工程においてもエッチング及びアッシング速
度の高速化と均一化の両立が求められている。
【０００４】従来のダウンストリームタイプのエッチン
グ及びアッシング装置の概略図を図 に示す。従来のダウ
ンストリームタイプの装置は、エッチング及びアッシン
グガスを放電させる放電室とエッチング及びアッシング
処理を行う処理室と分離されているもの（図９参照）と
アッシングガスプラズマとウェハとの距離をある程度お
いたもの（図10参照）とがあり、いずれもウェハに、電
子やイオンをほとんど到達させずに、主として活性ガス
種のみによってエッチング及びアッシング処理を行うも
のである。このため、従来の方法ではエッチング及びア
ッシングの速度はウェハに到達する活性ガス種の量によ
って変わってきていた。
グ及びアッシング装置の概略図を図 に示す。従来のダウ
ンストリームタイプの装置は、エッチング及びアッシン
グガスを放電させる放電室とエッチング及びアッシング
処理を行う処理室と分離されているもの（図９参照）と
アッシングガスプラズマとウェハとの距離をある程度お
いたもの（図10参照）とがあり、いずれもウェハに、電
子やイオンをほとんど到達させずに、主として活性ガス
種のみによってエッチング及びアッシング処理を行うも
のである。このため、従来の方法ではエッチング及びア
ッシングの速度はウェハに到達する活性ガス種の量によ
って変わってきていた。
【０００５】従来のダウンストリームタイプの装置の活
性ガス種の流れを図11に示す。このような従来の装置の
構成では、処理室面積が大きいために、ガス導入口５か
ら処理室４内に供給される活性ガス粒子（ａ：壁との衝
突無しにウェハに到達するガス成分、ｂ：壁と衝突して
からウェハに到達するガス成分、及びｃ：ウェハに到達
せずにそのまま排気されるガス成分）がウェハ２に到達
するまでに処理室内壁７に衝突してしまう成分ｂの発生
が避けられなかった。
性ガス種の流れを図11に示す。このような従来の装置の
構成では、処理室面積が大きいために、ガス導入口５か
ら処理室４内に供給される活性ガス粒子（ａ：壁との衝
突無しにウェハに到達するガス成分、ｂ：壁と衝突して
からウェハに到達するガス成分、及びｃ：ウェハに到達
せずにそのまま排気されるガス成分）がウェハ２に到達
するまでに処理室内壁７に衝突してしまう成分ｂの発生
が避けられなかった。
【０００６】また、放電室内でのプラズマ密度の分布に
ある程度ばらつきが生じることは避けられず、処理室内
に流れでる活性ガス種の量の分布にもばらつきが生じ、
従ってエッチング及びアッシングの均一性が悪くなって
いた。これを改善するため、従来はプラズマと処理ウェ
ハの距離をとったり、ガス導入口からウェハとの間にガ
ス拡散板を置いたりするなどの方策がとられていた。
ある程度ばらつきが生じることは避けられず、処理室内
に流れでる活性ガス種の量の分布にもばらつきが生じ、
従ってエッチング及びアッシングの均一性が悪くなって
いた。これを改善するため、従来はプラズマと処理ウェ
ハの距離をとったり、ガス導入口からウェハとの間にガ
ス拡散板を置いたりするなどの方策がとられていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述の如く、従来の装
置では、活性ガス種は処理室内壁への衝突や粒子同士の
衝突のため、そのかなりの部分が失われてしまってい
た。このように、処理室内壁に衝突してからウェハに到
達するガス成分ｂがあることは、エッチング種の濃度を
減少させることになり、また、ガスが処理室内壁に衝突
することで処理室内のガス流に乱れを生み（図12参
照）、ウェハ２からエッチングされてでてきた分子の滞
在時間を長びかせ、エッチング種濃度を減少させてしま
う。
置では、活性ガス種は処理室内壁への衝突や粒子同士の
衝突のため、そのかなりの部分が失われてしまってい
た。このように、処理室内壁に衝突してからウェハに到
達するガス成分ｂがあることは、エッチング種の濃度を
減少させることになり、また、ガスが処理室内壁に衝突
することで処理室内のガス流に乱れを生み（図12参
照）、ウェハ２からエッチングされてでてきた分子の滞
在時間を長びかせ、エッチング種濃度を減少させてしま
う。
【０００８】また、プラズマとウェハ２の距離を長くし
たり、ガス拡散板などを置いたりすることは、それだけ
ガス粒子と処理室内壁、ガス粒子同士の衝突を増やすこ
とになりエッチング種の濃度が減少してしまう。このよ
うに従来の装置ではエッチング種の濃度が減少し、その
ためにエッチング及びアッシング速度が低下するという
問題並びにエッチング及びアッシングの均一性が損なわ
れるという問題を生じていた。
たり、ガス拡散板などを置いたりすることは、それだけ
ガス粒子と処理室内壁、ガス粒子同士の衝突を増やすこ
とになりエッチング種の濃度が減少してしまう。このよ
うに従来の装置ではエッチング種の濃度が減少し、その
ためにエッチング及びアッシング速度が低下するという
問題並びにエッチング及びアッシングの均一性が損なわ
れるという問題を生じていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】従って、本発明は前記し
た従来技術の問題点を排除して、エッチング種の濃度を
高くし、ドライエッチング及び灰化処理の速度を速く
し、かつエッチング及びアッシングの均一化をはかるこ
とができるドライエッチング及び灰化処理装置を提供す
ることを目的とする。
た従来技術の問題点を排除して、エッチング種の濃度を
高くし、ドライエッチング及び灰化処理の速度を速く
し、かつエッチング及びアッシングの均一化をはかるこ
とができるドライエッチング及び灰化処理装置を提供す
ることを目的とする。
【００１０】本発明に従えば、減圧式のドライエッチン
グ及び灰化処理装置において、ドライエッチング又は灰
化処理を行う処理室内の壁面を、処理基板用ステージ面
とガス導入口面のみで構成し、他の面は排気口としたド
ライエッチング及び灰化処理装置が提供される。
グ及び灰化処理装置において、ドライエッチング又は灰
化処理を行う処理室内の壁面を、処理基板用ステージ面
とガス導入口面のみで構成し、他の面は排気口としたド
ライエッチング及び灰化処理装置が提供される。
【００１１】本発明に従えば、上記問題点のうち、活性
ガス種濃度が減少する問題については、処理室内の壁を
処理基板ステージとガス導入口のみとし、残りを排気口
とすることで粒子と壁との衝突を最小限にすることによ
って解決することができ、また、エッチング及びアッシ
ング速度のウェハ内の分布は、ガス導入口面と処理基板
ステージ面とを平行に対向させ全周囲面を排気口とし、
周囲面を区切り排気口を複数にし、そして各排気口に排
気量制御バルブを取り付け各排気口の排気量を調節する
ことによって解決される。
ガス種濃度が減少する問題については、処理室内の壁を
処理基板ステージとガス導入口のみとし、残りを排気口
とすることで粒子と壁との衝突を最小限にすることによ
って解決することができ、また、エッチング及びアッシ
ング速度のウェハ内の分布は、ガス導入口面と処理基板
ステージ面とを平行に対向させ全周囲面を排気口とし、
周囲面を区切り排気口を複数にし、そして各排気口に排
気量制御バルブを取り付け各排気口の排気量を調節する
ことによって解決される。
【００１２】
【作用】図１に示すように本発明によれば、処理室内の
壁はガス導入口５と処理基板（ウェハ）ステージ６のみ
である。従って、活性ガス粒子の中で、従来のようにウ
ェハ以外の壁に衝突してからウェハに到達する成分ｂが
無くなり、ウェハに到達するガス分子中の活性ガス種の
濃度を極めて効果的に上げることができる。また、処理
室内の壁を最小限にすることで、壁からはねかえるガス
の流れがなくなり、ガス流がスムーズで処理室内のガス
の滞在時間が短くなる。
壁はガス導入口５と処理基板（ウェハ）ステージ６のみ
である。従って、活性ガス粒子の中で、従来のようにウ
ェハ以外の壁に衝突してからウェハに到達する成分ｂが
無くなり、ウェハに到達するガス分子中の活性ガス種の
濃度を極めて効果的に上げることができる。また、処理
室内の壁を最小限にすることで、壁からはねかえるガス
の流れがなくなり、ガス流がスムーズで処理室内のガス
の滞在時間が短くなる。
【００１３】図２及び図３に示すように、本発明に従え
ば、ガスの導入口５と処理基板ステージ６を対向面に配
置し、周囲面を排気口とすることで、ガスの流れはウェ
ハ２の中心から放射状になるので、エッチング又はアッ
シングの分布が非常によくなる。さらに周囲排気口10を
複数に区切り、各排気口の排気量を、例えば制御バルブ
12でコントロールすることにより、処理室４内の活性ガ
ス種の流れをコントロールすることができる。図４に示
すように、例えば、バルブ５の開度の大きい排気口10付
近ではガス流が多くなるため、エッチング又はアッシン
グ速度を遅くすることができる。従って、ガス導入口か
ら流れてくる活性ガス種の量の分布のばらつきの有無に
かかわらず、各排気口に設けたバルブ12の制御によっ
て、エッチング又はアッシング速度のウェハ面内分布を
精密にコントロールすることができる。
ば、ガスの導入口５と処理基板ステージ６を対向面に配
置し、周囲面を排気口とすることで、ガスの流れはウェ
ハ２の中心から放射状になるので、エッチング又はアッ
シングの分布が非常によくなる。さらに周囲排気口10を
複数に区切り、各排気口の排気量を、例えば制御バルブ
12でコントロールすることにより、処理室４内の活性ガ
ス種の流れをコントロールすることができる。図４に示
すように、例えば、バルブ５の開度の大きい排気口10付
近ではガス流が多くなるため、エッチング又はアッシン
グ速度を遅くすることができる。従って、ガス導入口か
ら流れてくる活性ガス種の量の分布のばらつきの有無に
かかわらず、各排気口に設けたバルブ12の制御によっ
て、エッチング又はアッシング速度のウェハ面内分布を
精密にコントロールすることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明をその具体的な実施例に従って
更に詳細に説明するが、本発明の技術的範囲をこれらの
実施例に限定するものでないことはいうまでもない。
更に詳細に説明するが、本発明の技術的範囲をこれらの
実施例に限定するものでないことはいうまでもない。
【００１５】本実施例に用いたダウンストリームタイプ
のアッシング装置を図５及び図６に示す。放電室にガス
導入口５から、マスフローコントローラー15により一定
量のアッシングガスＯ2 を導入する。マイクロ波導波管
８より、周波数 2450MHzのマイクロ波を導入し、マイク
ロ波は、Al2O3 製のマイクロ波透過窓９を通り、放電室
３でプラズマを発生させる。プラズマ中の中性活性ガス
種（酸素原子）は、穴径 1.5mmのシャワーヘッド（処理
室ガス導入口）５を通して、処理室４に送り、アッシン
グ処理を行う。シャワーヘッド対向面にあるウェハ２の
温度は、ウェハステージ６中に埋め込まれたヒーターに
より、 180℃に制御する。円筒形の処理室４周囲には壁
が無く、周囲は対称に４つに仕切られた排気口10−１〜
４になっている。ガスは、真空ポンプ14により排気管10
−１〜４、そして主排気管11を通して排出する。排気管
10−１〜４に独立した排気量制御バルブ12−１〜４が備
えられている。排気管10には、処理室６内圧力調節用バ
ルブ13が取り付けられている。
のアッシング装置を図５及び図６に示す。放電室にガス
導入口５から、マスフローコントローラー15により一定
量のアッシングガスＯ2 を導入する。マイクロ波導波管
８より、周波数 2450MHzのマイクロ波を導入し、マイク
ロ波は、Al2O3 製のマイクロ波透過窓９を通り、放電室
３でプラズマを発生させる。プラズマ中の中性活性ガス
種（酸素原子）は、穴径 1.5mmのシャワーヘッド（処理
室ガス導入口）５を通して、処理室４に送り、アッシン
グ処理を行う。シャワーヘッド対向面にあるウェハ２の
温度は、ウェハステージ６中に埋め込まれたヒーターに
より、 180℃に制御する。円筒形の処理室４周囲には壁
が無く、周囲は対称に４つに仕切られた排気口10−１〜
４になっている。ガスは、真空ポンプ14により排気管10
−１〜４、そして主排気管11を通して排出する。排気管
10−１〜４に独立した排気量制御バルブ12−１〜４が備
えられている。排気管10には、処理室６内圧力調節用バ
ルブ13が取り付けられている。
【００１６】実施例１
まず、排気量制御バルブ12−１〜４を全開にして、アッ
シングを行った。アッシング条件は、Ｏ2 流量１slm 、
処理室６内圧力 0.8Torr、マイクロ波パワー 1.5kW、ウ
ェハ温度は 180℃、アッシング時間は15秒であった。試
料として、Siウェハ全面にレジストを塗布したものを用
いた。レジストとしてはノボラック系のポジレジスト
(OFPR-800) を用いた。図７に示すようにウェハを排気
管10−１〜４に対して置き、ウェハ２の面内５点のアッ
シングレートを測定した。アッシングレートの測定結果
を表１に示す。表１の結果から明らかなように、アッシ
ングレートは平均で 2.1μｍ／min であり、アッシング
レートのウェハ面内分布は、±27％であった。
シングを行った。アッシング条件は、Ｏ2 流量１slm 、
処理室６内圧力 0.8Torr、マイクロ波パワー 1.5kW、ウ
ェハ温度は 180℃、アッシング時間は15秒であった。試
料として、Siウェハ全面にレジストを塗布したものを用
いた。レジストとしてはノボラック系のポジレジスト
(OFPR-800) を用いた。図７に示すようにウェハを排気
管10−１〜４に対して置き、ウェハ２の面内５点のアッ
シングレートを測定した。アッシングレートの測定結果
を表１に示す。表１の結果から明らかなように、アッシ
ングレートは平均で 2.1μｍ／min であり、アッシング
レートのウェハ面内分布は、±27％であった。
【００１７】
【表１】
【００１８】実施例２
実施例１において、アッシングレートの速かった点１及
び２に近接する排気量制御バルブ12−及び12−２の開度
をそれぞれ小さくして、実施例１と同条件でアッシング
を行った。その結果を表２に示す。表２の結果から明ら
かなように、平均のアッシングレートは、 2.4μｍ／mi
n で、分布は± 5.8％と改善された。
び２に近接する排気量制御バルブ12−及び12−２の開度
をそれぞれ小さくして、実施例１と同条件でアッシング
を行った。その結果を表２に示す。表２の結果から明ら
かなように、平均のアッシングレートは、 2.4μｍ／mi
n で、分布は± 5.8％と改善された。
【００１９】
【表２】
【００２０】比較例１
従来型の装置として実施例１及び２に用いた装置の処理
室４の周囲に図８に示すように、Al製の円筒形の壁を取
り付けた装置を用いた以外は、実施例１と同条件でアッ
シングを行った。結果を表３に示す。表３の結果から明
らかなように、アッシングレートは、 1.0μｍ／min と
減少した。
室４の周囲に図８に示すように、Al製の円筒形の壁を取
り付けた装置を用いた以外は、実施例１と同条件でアッ
シングを行った。結果を表３に示す。表３の結果から明
らかなように、アッシングレートは、 1.0μｍ／min と
減少した。
【００２１】
【表３】
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によるエッチング及びアッシング装置を用いることによ
り、従来よりエッチング又はアッシング速度を向上さ
せ、さらに、エッチング又はアッシング速度を落とすこ
とがなく、均一なエッチング又はアッシングが可能とな
る。
によるエッチング及びアッシング装置を用いることによ
り、従来よりエッチング又はアッシング速度を向上さ
せ、さらに、エッチング又はアッシング速度を落とすこ
とがなく、均一なエッチング又はアッシングが可能とな
る。
【図１】図１は本発明のドライエッチング及び灰化処理
装置の基本構成を模式的に示した図面である。
装置の基本構成を模式的に示した図面である。
【図２】図２は本発明による装置のガスの流れを模式的
に示した図面である。
に示した図面である。
【図３】図３は本発明による装置のガスの流れを模式的
に示した図面である。
に示した図面である。
【図４】図４は本発明による装置の排気量制御バルブの
開度とガス流の流れを模式的に示した図面である。
開度とガス流の流れを模式的に示した図面である。
【図５】図５は本発明の実施例に用いた装置の図面（横
からみた断面）である。
からみた断面）である。
【図６】図６は本発明の実施例に用いた装置の図面（図
５のＡ−Ａ′断面）である。
５のＡ−Ａ′断面）である。
【図７】図７は実施例での各排気口に対するアッシング
レートの測定点の位置を示す図面である。
レートの測定点の位置を示す図面である。
【図８】図８は比較例に用いた装置の構成を模式的に示
す図面である。
す図面である。
【図９】図９は従来のダウンストリームタイプ装置を模
式的に示す図面である。
式的に示す図面である。
【図10】図10は従来の改良型ダウンストリーム装置を模
式的に示す図面である。
式的に示す図面である。
【図11】図11は従来の処理室に壁がある場合のガスの流
れを模式的に示した図面である。
れを模式的に示した図面である。
【図12】図12は図１の場合のガスの流れを上から見た場
合の断面図を模式的に示す図面である。
合の断面図を模式的に示す図面である。
１…プラズマ
２…ウェハ（例えばSi）
３…放電室
４…処理室
５…ガス導入口（シャワーヘッド）
６…ウェハステージ
７…処理室内壁
８…マイクロ波導波管
９…マイクロ波透過窓
10−１〜４…排気口
11…主排気管
12−１〜４…排気量制御バルブ
13…圧力調節バルブ
14…真空ポンプ
15…マスフローコントローラー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｈ 7353−4Ｍ
Claims (6)
- 【請求項１】 減圧式のドライエッチング及び灰化処理
装置において、ドライエッチング又は灰化処理を行う処
理室内の壁面を、処理基板用ステージ面とガス導入口面
のみで構成し、他の面は排気口としたことを特徴とする
ドライエッチング及び灰化処理装置。 - 【請求項２】 処理基板の全周囲面に排気口を設けた請
求項１に記載のドライエッチング及び灰化処理装置。 - 【請求項３】 ガス導入口と処理基板ステージとを対向
面に位置させた請求項１又は２に記載のドライエッチン
グ及び灰化処理装置。 - 【請求項４】 周囲排気路を少なくとも２つ以上に分離
した請求項１〜３のいずれか１項に記載のドライエッチ
ング及び灰化処理装置。 - 【請求項５】 各排気路に排気量制御バルブを備えた請
求項４に記載のドライエッチング及び灰化処理装置。 - 【請求項６】 主に電気的に中性なガス粒子によってエ
ッチング又は灰化を行う請求項１〜５のいずれか１項に
記載のドライエッチング及び灰化処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15473891A JPH053175A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | ドライエツチング及び灰化処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15473891A JPH053175A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | ドライエツチング及び灰化処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053175A true JPH053175A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15590849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15473891A Withdrawn JPH053175A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | ドライエツチング及び灰化処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053175A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19500162A1 (de) * | 1994-02-03 | 1995-08-10 | Fujitsu Ltd | Plasmaveraschungsverfahren mit Sauerstoffbehandlung |
| JP2008218971A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Tdk Corp | レジストパターン処理装置及びレジストパターン処理方法 |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP15473891A patent/JPH053175A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19500162A1 (de) * | 1994-02-03 | 1995-08-10 | Fujitsu Ltd | Plasmaveraschungsverfahren mit Sauerstoffbehandlung |
| DE19500162C2 (de) * | 1994-02-03 | 2001-03-29 | Fujitsu Ltd | Plasmaveraschungsverfahren mit Sauerstoffbehandlung |
| JP2008218971A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Tdk Corp | レジストパターン処理装置及びレジストパターン処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |