JPH06163465A

JPH06163465A - ドライエッチング装置

Info

Publication number: JPH06163465A
Application number: JP4312526A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Tsujimoto; 和典辻本; Kosei Kumihashi; 孝生組橋; Naoyuki Koto; 直行小藤; Shinichi Taji; 新一田地
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-11-24
Filing date: 1992-11-24
Publication date: 1994-06-10

Abstract

(57)【要約】【目的】エッチング深さのパターン寸法依存性を減少さ
せて、微細で高アスペクト比のパターンを、高い精度で
形成する。【構成】プラズマ発生部と試料エッチ部の間に圧力差を
形成して、中性粒子を試料エッチ部へ導入し、さらに中
性粒子に方向性を与える手段を設けて、中性粒子をウェ
ハの表面に垂直に入射させる。【効果】幅が狭く、高アスペクト比の孔の底部に、中性
粒子が十分に供給されるので、微細で高アスペクト比の
パターンを、低いパターン寸法依存性で、迅速かつ高い
精度で形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング装置に
関し、詳しくは異方性が極めて高エッチングを行なうこ
とができ、アスペクト比が高く微細な深溝や深孔の形成
に特に好適なドライエッチング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、ドライエッチングは、エ
ッチ液を用いたウェットエッチングに比べて、微細加工
を高い精度で行うことができるため、半導体集積回路
（ＬＳＩ）の製造に広く用いられている。ドライエッチ
ングの加工精度に対する要求は、ＬＳＩの微細化にとも
なってますます厳しくなっており、このため、極めて微
細なマスクパターンの形状や寸法に忠実に、垂直にエッ
チングすることが困難になっている。

【０００３】ドライエッチングの異方性（垂直加工性）
を向上させるためには、ラジカルや斜めに入射されるイ
オンによる、パターン側面のエッチングを防止しなけれ
ばならない。従来、ラジカルによるエッチングを防止す
るため、例えば、エクステンデイッド・アブストラクト
・オブ・ソリッド・ステート・デバイシス・アンド・マ
テリアルス、２２９頁、１９８６年（ Extended Abstra
cts of Solid State Devices and Materials, P229 (19
86)）に記載されているように、パターン側面に反応防
止用保護膜を形成する方法、ジャパニーズ・ジャーナル
・オブ・アップライド・フイジクス、２９巻、７９２、
１９９０年（ Jpn.J.Appl.Phys., 29, 792 (1990)）に
記載されているガス圧を低くする方法、およびアップラ
イド・フイジクス・レター、５２巻６１６頁（ Appl. P
hys. Lett., 52, P616 (1988)に記載されている、基板
を低温化する方法などが提案されている。

【０００４】しかし、これらの方法を用いても、微細パ
ターンを形成する際に、斜めに入射されるイオンによる
側面のエッチングを、防止できない場合があった。

【０００５】これに対して、プロシーデイング・オブ・
イレブンス・シンポジウム・オン・ドライ・プロセス、
３３頁、１９８９年（Proceedings of 11th Symposium
on Dry Process, p33 (1989)）に記載されているような
低ガス圧化や、ジャパニーズ・ジャーナル・オブメアプ
ライド・フイジクス、２８巻、２１４７頁、１９８９年
（Jpn. J. Appl. Phys., 28, p2147 (1989)）に記載さ
れているような磁場制御等の方法が提案されている。

【０００６】しかし、これらの方法を用いても、アスペ
クト比（エッチング深さのエッチング幅に対する比）が
非常に大きい溝や孔などを形成するのに必要な、十分大
きな垂直加工性を得るのが困難でる。この理由は、エッ
チングの異方性を極めて高くするためには、イオンの方
向性を大きくするだけでは不十分で、ラジカルの方向性
も大きくする必要があるにもかかわらず、これら従来の
方法では、ラジカルの方向性を大きくすることは、全く
考慮されていなかったためである。

【０００７】エッチングにおける表面反応では、イオン
およびラジカルと固体表面との相互作用による、イオン
アシスト反応が起こるため、これらイオンおよびラジカ
ルの両者を、十分に供給することが必要である。しか
し、上記のように、従来はイオンの入射方向の垂直性を
高めることのみが配慮され、ラジカルの入射方向性を高
めることは配慮されていなかった。従って、深い孔や溝
を形成する際、その底部には、イオンは十分入射される
が、ラジカルの入射は困難であり、この結果、イオンと
ラジカルの両者が必要なイオンアシスト反応が、深い溝
や孔の底部では生じ難く、エッチングが進行し難いとい
う問題があった。

【０００８】このような問題は、パターンの寸法が小さ
いほど、また、エッチングされる部分の深さが深いほど
顕著に現われる。そのため、種々の寸法のパターンをエ
ッチングによって同時に形成する場合は、これらのパタ
ーン間で、パターンの寸法の差によってエッチングされ
る深さが異なる現象（マイクロローディング）が顕著に
なり、得られる溝の深さが互いに異なってしまう。

【０００９】従来のエッチングにおいて、イオンの入射
方向のみが配慮されていた理由は、イオンは電荷を持っ
ているので、基板表面に電界を印加することによってイ
オンを加速し、入射の方向性を容易に制御できるのに対
し、ラジカルやガス分子等の中性粒子の場合は、電界に
よって加速することができず、方向性の制御も困難であ
るためである。

【００１０】従って、本発明の目的は、上記従来の問題
を解決し、上記マイクロローデイング効果を防止して、
寸法が微細でアスペクト比が高い溝や孔を、高精度、か
つ、高いエッチング速度で形成することができる、ドラ
イエッチング装置およびドライエッチング方法を提供す
ることである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、プラズマ放電室のガス圧を、試料処理室
（エッチング室）のガス圧よりも高くして、中性のラジ
カルやガス分子に基板方向への運動エネルギーを与え、
基板方向への流れを作るとともに、上記中性のラジカル
やガス分子の流れに方向性を与える手段を設けて、エッ
チすべき試料の表面に、上記中性ラジカルやガス分子を
垂直に入射させるものである。上記中性のラジカルやガ
ス分子の流れに方向性を与える手段としては、例えばノ
ズル、メッシュ状の細孔を有する多孔板、ハニカム板若
しくはラジカルビーム板などを用いることが出来る。

【００１２】

【作用】中性粒子はガス圧の高い方から低い方へと流
れ、その速度はガスの圧力勾配に比例すると考えられ
る。従って、プラズマ放電室の圧力を、試料処理室のガ
ス圧より高くすることにより、中性粒子の試料表面への
流れを作ることができ、この流れの速度は、ガス圧の差
が大きいほど早くなる。

【００１３】一方、ガスがノズルから噴出するときの流
速は、およそｃｏｓθ則に従うと考えられるから、ノズ
ルの軸方向に噴出されるガス粒子の速度が最も大きく、
軸と垂直な方向の速度成分は無い。従って、エッチすべ
き試料の表面に対してノズルを垂直に対向して配置する
と、方向の揃った中性粒子を、試料の表面に垂直な方向
に入射させることができる。また、このノズルを多数使
用することにより、ガスの流れ方向がさらに揃うことは
いうまでもない。同様の効果はノズルの長さを長くして
も得られる。

【００１４】ノズルとしては、例えば開口部が一様に形
成された多孔板を用い、この多孔板によってプラズマ放
電室と試料処理室の間を仕切り、この多孔板を介して、
ガスをシャワー状に基板の表面に照射することができ
る。また、多数の細管を束ねてて使用してもよく、断面
が六角形の開口部を蜂の巣状に備えたハニカム板を用い
ることもできる。

【００１５】このような構成を有する装置を高速排気シ
ステムと組合せると、実用上極めて優れたエッチング装
置が得られる。すなわち、試料処理室内のガス圧を低く
することによって、ガス粒子の再散乱による方向性の低
下が防止され、さらに、高速排気を行なって、ガス流量
が大きいエッチングを行なうことにより、低いガス圧下
で高いエッチ速度を得ることができる。

【００１６】

【実施例】

〈実施例１〉図１を用いて本実施例を説明する。プラズ
マ放電室１内にエッチングガスを導入する。マグネトロ
ン２によって発生された周波数２．４５ＧＨｚの高周波
は、導波管３および石英窓４を経て放電室１内に入り、
上記エッチングガスのプラズマ５が発生される。放電の
効率を高くするため、磁場発生用のソレノイドコイル６
が放電室１の周囲に配置され、８７５ガウスの磁場によ
る電子サイクロトロン共鳴（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃ
ｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ：ＥＣＲと略す）に
よって高密度のプラズマが発生される。

【００１７】試料処理室１４内には試料台７が設けられ
ており、この上にエッチすべきウェハ８を配置して、上
記ガスプラズマによるエッチングが行なわれる。

【００１８】エッチングガスはガス流量コントローラー
９を通り、ガス配管１０を経てプラズマ放電室１内に導
入され、マイクロ波と磁場によってガスプラズマ化され
る。排気は試料処理室１４に接続された２台のターボ分
子ポンプ１１を用いて行なわれ、実効排気速度はコンダ
クタンスバルブ１２によって制御される。ガスプラズマ
は、多数の開口部（小孔）をメッシュ状に有する石英製
多孔板１３を通って、試料処理室１４内へ導入される。
この石英製多孔板１３には、多数の小孔（直径３ｍｍ以
下）が形成されており、厚さは１０ｍｍである。この石
英製多孔板１３としては、厚さが薄いもの、例えば厚さ
１ｍｍのものを複数枚やや離して重ね、使用しても同様
の効果が得られる。

【００１９】プラズマ放電室１は、エッチング反応に必
要な量のエッチング種を生成するために、ある程度大き
な体積が必要であり、本実施例では１０００ｃｍ³とし
た。エッチング時におけるガス圧力は、試料処理室１４
に設置されたガス圧力センサ１５によって測定した。ま
た、プラズマ放電室１と試料処理室１４との差圧を測定
するため、プラズマ放電室１にもガス圧力センサ１５を
設置した。ウェハ８を配置する試料台７には、ウェハ８
を０℃以下に冷却できる冷却機構１６を設け、この試料
台７には１３．５６ＭＨｚから４００ＫＨｚのＲＦバイ
アス１７を印加できる。

【００２０】排気ポンプとしては、排気速度２０００
ｌ／秒のターボ分子ポンプ２台を放電部の中心軸に対し
て対称に配置し、総排気速度４０００ｌ／秒とした。
また、真空処理室１４の実質的なガス排気口部分も、ウ
エハ中心軸に対して対称に配置した。これにより、排気
コンダクタンスを極力大きくしながら、ガスの流れをウ
ェハ中心に対して対称にすることができた。ガスの通路
となる放電室１、試料処理室１４、排気管およびコンダ
クタンスバルブの総排気コンダクタンスは、４０００
ｌ／秒とした。エッチング時におけるウェハ８の位置
は、最下段のコイルの厚さ方向の中心よりも下とし、放
電室１の下方の排気コンダクタンスが極力大きくなる構
造とした。この時の最大実効排気速度は２０００ｌ／
秒であったが、この値より大きくても、良好な結果が得
られる。また、放電室１、試料処理室１４および排気管
の総容積は８０ｌであり、試料処理室１４内のガス滞
在時間は５０ｍ秒であった。

【００２１】このマイクロ波プラズマエッチング装置を
用いて、Ｓｉ単結晶をエッチングして、深い溝の形成を
行なった。試料としては、単結晶Ｓｉ基板の表面上に厚
さ５００ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上にホトレジス
トマスクを形成したものを用い、上記酸化膜をドライエ
ッチングして直径０．１μｍから１．０μｍのホ−ルパ
タ−ンを形成した後、ホトレジストマスクを除去してＳ
ｉＯ₂マスクを形成して、上記単結晶Ｓｉ基板のエッチ
ングを行なった、エッチングガスにはＣｌ₂を用い、試
料処理室のガス圧力を０．５ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パ
ワー５００Ｗ、ＲＦバイアスは２ＭＨｚで２０Ｗ、ウェ
ハ温度は−３０℃とした。磁場強度分布は、放電室の上
方から下方に向けて小さく、ＥＣＲ条件を満たす８７５
ガウスの位置は、ウェハ上方約４０ｍｍとした。

【００２２】プラズマ放電室と試料処理室の間に、ガス
圧力差が生ずる本実施例およびプラズマ放電室と試料処
理室に仕切が無く、従って両者の間にガス圧力差が生じ
ない従来の場合における、エッチング深さのパターン寸
法依存性を、図２に示した。なお、本実施例では、ガス
流量を１００ｓｃｃｍとし、プラズマ放電室のガス圧が
１０ｍＴｏｒｒ、試料処理室のガス圧が０．５ｍＴｏｒ
ｒにそれぞれなるように、排気速度および多孔板の開口
面積を設定した。一方、従来法は、上記のように試料処
理室とプラズマ放電室の間に仕切が無く、ガス圧は０．
５ｍＴｏｒｒとした。

【００２３】図２から明らかなように、従来法では、パ
ターン寸法（幅）が小さい場合は、エッチング深さのパ
ターン寸法依存性が大きく、幅が１．５μｍ以上のとき
のエッチング深さはほとんど変わらないが、幅が０．１
μｍの場合のエッチング深さは、幅が１．５μｍのパタ
ーンの深さの約１／２に過ぎなかった。

【００２４】一方、本発明のエッチング装置を用いた場
合は、幅０．１μｍのときのエッチング深さは、幅が
１．５μｍのパターンの深さの約０．９倍であり、上記
従来の場合よりも、パターンの幅による影響がはるかに
少なかった。これにより、幅が０．１から０．２μｍで
ある微細パターンであっても、エッチング深さの変動を
小さく抑えてエッチングできることが確認された。

【００２５】プラズマ放電室と試料処理室の、ガス圧の
比を変えてＳｉをエッチングした場合の、エッチング深
さのパターン寸法依存性を図３に示した。ガス圧の比
は、多孔板の孔径を変えることによって変化させた。ガ
ス流量１００ｓｃｃｍで、プラズマ放電室のガス圧を、
５０ｍＴｏｒｒおよび２ｍＴｏｒｒに変化させ、試料処
理室のガス圧を０．５ｍＴｏｒｒに調整した。図３から
明らかなように、Ｓｉのエッチング深さのパターン寸法
依存性は、プラズマ放電室のガス圧が２ｍＴｏｒｒのと
き、すなわち、試料処理室のガス圧との比が４の場合、
幅０．１μｍのパターンのエッチング深さは、幅が１．
５μｍ以上のパターンの深さの０．７倍であった。

【００２６】これに対し、プラズマ放電室のガス圧を５
０ｍＴｏｒｒとして、試料処理室のガス圧との比を１０
０倍にした場合、幅が０．１μｍのパターンのエッチン
グ深さは、幅１．５μｍ以上のパターンの深さの０．９
５倍であった。すなわち、試料処理室のガス圧が同じで
ある場合は、プラズマ放電室と試料処理室のガス圧比が
大きい方が、エッチング深さのパターン寸法依存性が小
さく、好ましいことが認められた。

【００２７】〈実施例２〉本発明の他の実施例を図４に
示す。本実施例は、反応性イオンエッチング装置に本発
明を適用した例である。図４において、エッチングガス
はプラズマ放電室１内に導入され、高周波電源１７によ
って周波数１３．５６ＭＨｚの高周波が発生されて、上
部電極１８、下部電極１９からなる平行平板電極の間
に、ガスプラズマ５が発生される。低ガス圧での放電を
可能にするため、試料台である下部電極１９の下に磁石
２１を設置した。プラズマ放電室１と試料処理室１４の
間は多孔板１３により仕切られ、試料処理室１４のガス
圧はプラズマ放電室１のガス圧よりも低くされる。試料
処理室１４内に設けられた下部電極１９の上にウェハ８
を置き、ガスプラズマによりエッチングする。

【００２８】試料室１４からの排気は、試料処理室１４
に設置された２台のターボ分子ポンプ１１を用いて行な
い、実効排気速度は、コンダクタンスバルブ１２によっ
て制御した。エッチングガスの流量はガス流量コントロ
ーラによって制御され、多数の小孔を有するガス導入口
２０からプラズマ放電室１内に導入される。プラズマ放
電室１内で発生したガスプラズマ５は、メッシュ状の開
口部を有する石英製多孔板１３を通って試料処理室１４
へ導入される。プラズマ放電室１の容積は５０００ｃｍ
³とした。

【００２９】エッチング時のガス圧力は、プラズマ放電
室１に設けられたガス圧力センサ１５によって測定し
た。排気ポンプには排気速度２０００ｌ／秒のターボ
分子ポンプ２台を用いて、総排気速度を４０００ｌ／
秒とし、放電部の中心軸に対して対称に配置した。この
時、最大実効排気速度は２０００ｌ／秒であった。ま
た、放電部、真空処理室、排気管の総容積は８０ｌで
ある。

【００３０】このような装置を用いてＳｉＯ₂膜のエッ
チングを行ない、コンタクトホールを形成した。試料と
しては、厚さ２μｍのＳｉＯ₂膜を、ＣＶＤ法によって
Ｓｉ基板上に形成し、その上にホトレジストマスクを周
知の方法を用いて形成した。エッチングガスにはＣＨＦ
₃を用い、プラズマ放電室１のガス圧力は５００ｍＴｏ
ｒｒ、試料処理室１４のガス圧力は５ｍＴｏｒｒにそれ
ぞれ設定した。高周波パワーは９００Ｗ、ガス流量は２
００ｓｃｃｍ、ウェハ温度は２０℃とした。

【００３１】このような条件でエッチングを行なった結
果、直径が０．２μｍのコンタクトホールのエッチング
深さを、直径が１．５μｍの場合の深さの０．９倍以上
にすることができ、エッチング深さのパターン寸法依存
性が小さいエッチングを行なうことができた。

【００３２】〈実施例３〉本発明のさらに他の実施例を
図５に示した。本実施例は、ヘリコンコイル２３を具備
したヘリコンエッチング装置を用いた例である。ラジカ
ルビーム源２４を設けて、ラジカルに方向性を与え、中
性粒子がウエハ８に垂直に入射されるようにした。

【００３３】図５において、プラズマ放電室１内にエッ
チングガスを導入し、ヘリコンコイル２３に周波数１
３．５６ＭＨｚの高周波を供給して、ガスプラズマ５を
発生させる。プラズマ放電室１は、エッチングが行なわ
れる試料処理室と連続しており両者間を仕切る隔壁は設
けられていない。従って、高速排気によって真空容器内
によって真空容器内に生じた圧力差によって、ラジカル
は上部から下部へ流れるが、ウェハ８へのラジカルの入
射の方向性は、上記ラジカルビーム源２４のみによって
制御される。

【００３４】試料台２２には、プラズマ放電電源とは独
立に高周波バイアス（２ＭＨｚ）が印加される。その中
でエッチングが行なわれる放電室１内のガス圧は１ｍＴ
ｏｒｒとし、ラジカルビーム導入口２５とウェハ８の表
面の間の距離を１５ｃｍとした。排気ポンプには排気速
度２０００ｌ／秒のターボ分子ポンプ２台を用いて、
総排気速度を４０００ｌ／秒とし、放電部の中心軸に
対して対称に配置した。この時、最大実効排気速度は２
０００ｌ／秒であった。また、放電部、真空処理室、
排気管の総容積は８０ｌである。

【００３５】このような装置を用い、多層レジスト法に
おけるマスクとして用いられる、厚いホトレジスト膜の
エッチングを行った。すなわち、厚さ１．５μｍのホト
レジスト膜をＳｉ基板上に周知の塗布法によって形成し
た後ベークし、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）
もしくはチタンシリカ等からなる中間層をその上に形成
した。この中間層の上に、所定の形状を有するレジスト
マスクを形成し、上記中間層の露出された部分をドライ
エッチングして、下層である上記厚いホトレジスト膜を
エッチングするためのマスクを形成した。

【００３６】次に、エッチングガスとしてはＯ₂を用
い、ガス圧力１ｍＴｏｒｒ、ヘリコンコイルへのＲＦパ
ワー５００Ｗ、ウェハ温度２０℃、ガス流量１００ｓｃ
ｃｍ、およびバイアス５０Ｗという条件で、上記厚いホ
トレジスト膜のエッチングを行なった。

【００３７】このような条件のエッチングによって形成
されたレジスト膜パターンの断面形状は、１ｍＴｏｒｒ
という低いガス圧力でエッチングが行なわれたため、高
い方向性が認められ、ほぼ垂直な側面が得られた。ま
た、高速排気および大ガス流量によって、８００ｎｍ／
分という高いエッチ速度が得られた。さらに、ラジカル
ビーム源２４からウェハ８の表面に垂直方向にラジカル
ビームが供給されるので、エッチング深さのパターン寸
法依存性は非常に小さくなり、例えばパターンの幅が
０．２μｍである場合のエッチング深さを、幅が１．５
μｍである場合のエッチング深さの、０．９倍以上とす
ることができた。

【００３８】

【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、幅が０．２μｍ以下という、微細で高アスペク
ト比を有するパターンを形成する際においても、エッチ
ング深さのパターン寸法依存性を極めて小さくすること
ができ、高精度な微細加工を実現できる。また、高いア
スペクト比のパターンを、高いエッチング速度で形成す
ることができるので、例えばアイソレーションやキャパ
シタなどに用いられる深い溝などの形成に有効である。

【００３９】本発明は、上記実施例に限られるものあな
く、他の材料すなわちアルミニウム、タングステン、窒
化シリコン、酸化タンタル、ＧａＡｓ、銅など、各種導
電体や各種強誘電体若しくは各種超電動体のエッチング
に用いても、同様の効果が得られる。

【００４０】また、他のエッチング装置、例えばマグネ
トロンエッチング装置、誘導結合型エッチング装置など
を用いても良いことはいうまでもない。

【００４１】なお、本発明において、上記排気速度は、
ほば３００ｌ／秒以上であれば効果が認められ、ほぼ
１０００ｌ／秒以上であれば、極めて優れた結果が得
られた。上記実施例では、実効排気速度を２０００ｌ
／秒としたが、さらに大容量の排気ポンプが利用できる
ならば、排気速度を、さらに大きくしても良いことは言
うまでもない。また、真空容器などの容量が異なれば、
排気速度が同一であっても、真空容器内におけるエッチ
ングガスの滞在時間が異なるのは当然であるが、滞在時
間がほぼ０．０１〜０．１秒の範囲内であれば、良好な
結果が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマエ
ッチン装置を示す図。

【図２】本発明による効果の一例を示す図。

【図３】本発明による効果の一例を示す図。

【図４】本発明の他の実施例である反応性イオンエッチ
ン装置を示す図。

【図５】本発明のさらに他の実施例であるヘリコンエッ
チン装置を示す図。

【符号の説明】

１；プラズマ放電室，２；マグネトロン，３；導波管，
４；石英窓，５；ガスプラズマ，６；ソレノイドコイ
ル，７；試料台，８；ウェハ，９；ガス流量コントロー
ラ，１０；ガス配管，１１；ターボ分子ポンプ，１２；
コンダクタンスバルブ，１３；多孔板，１４；試料処理
室，１５；ガス圧センサ，１６；冷却機構，１７；高周
波電源，１８；上部電極，１９；下部電極，２０；ガス
導入口，２１；磁石，２２；試料台，２３；ヘリコンコ
イル，２４；ラジカルビーム源，２５ラジカルビーム導
入口．

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０１Ｒ 33/64 (72)発明者田地新一東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エッチングガスのプラズマを発生させる手
段と、真空容器内に置かれた被エッチ物を上記プラズマ
を用いてエッチする手段と、上記真空容器内を排気する
手段と、上記プラズマに含まれる中性粒子を移動させる
手段と、上記中性粒子の移動の方向性を制御する手段を
少なくとも具備し、上記中性粒子は上記被エッチ物の表
面に入射されてエッチングが行なわれることを特徴とす
るドライエッチング装置。
【請求項２】上記中性粒子の移動は、上記真空容器内に
形成された圧力差によって行なわれることを特徴とする
請求項１記載のドライエッチング装置。
【請求項３】上記圧力差は、上記プラズマが発生される
部分の圧力を、上記被エッチ物の近傍の圧力より高くす
ることによって行なわれることを特徴とする請求項２記
載のドライエッチング装置。
【請求項４】上記中性粒子の移動の方向性を制御する手
段は多孔板であることを特徴とする請求項１から３のい
ずれかに記載のドライエッチング装置。
【請求項５】上記中性粒子の移動の方向性を制御する手
段はラジカルビ−ム源であることを特徴とする請求項１
から３のいずれかに記載のドライエッチング装置。
【請求項６】上記中性粒子の移動の方向性を制御する手
段はハニカム板であることを特徴とする請求項１から３
のいずれかに記載のドライエッチング装置。
【請求項７】上記排気する手段によって得られる総排気
速度は２０００ｌ／秒以上であり、上記真空容器内を
排気する実効排気速度は３００ｌ／秒以上であること
を特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のドライ
エッチング装置。
【請求項８】上記実効排気速度は５００ｌ／秒以上で
あることを特徴とする請求項６記載のドライエッチング
装置。
【請求項９】上記実効排気速度は１０００ｌ／秒以上
であることを特徴とする請求項６記載のドライエッチン
グ装置。
【請求項１０】上記真空容器内における上記エッチング
ガスの滞在時間は、１００ミリ秒以下であることを特徴
とする請求項１から９のいずれかに記載のドライエッチ
ング装置。
【請求項１１】上記真空容器内には、上記エッチングガ
スのプラズマが形成される放電室と、上記被エッチ物が
配置される試料処理室が形成され、当該放電室と試料処
理室は多孔板若しくはハニカム板によって互いに区分さ
れていることを特徴とする請求項１から４および６から
１０のいずれかに記載のドライエッチング装置。
【請求項１２】上記エッチング装置は、マイクロ波プラ
ズマエッチング装置であることを特徴とする請求項１か
ら４および６から１１のいずれかに記載のドライエッチ
ング装置。
【請求項１３】上記エッチング装置は、反応性イオンエ
ッチング装置であることを特徴とする請求項１から４お
よび６から１１のいずれかに記載のドライエッチング装
置。