FR2571526A1 - Panneau d'affichage et son procede de commande - Google Patents
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN PANNEAU D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE ET SON PROCEDE DE COMMANDE. IL COMPORTE UNE PLAQUE DE BASE 14 FORMANT UNE MATRICE ACTIVE ET PORTANT DES TRANSISTORS 10 A EFFET DE CHAMP A UNE PREMIERE ELECTRODE DESQUELS, AUTRE QUE LA GRILLE 18, EST CONNECTEE UNE ELECTRODE 5 D'ELEMENT D'IMAGE. PLUSIEURS CONTRE-ELECTRODES 15 SONT OPPOSEES A CHAQUE ELECTRODE 5 D'ELEMENT D'IMAGE. LE PANNEAU D'AFFICHAGE EST COMMANDE PAR L'APPLICATION DE SIGNAUX DE BALAYAGE A DEUX DES TROIS TYPES DE LIGNES DE SIGNAUX CONNECTEES A LA SOURCE OU AU DRAIN, A LA GRILLE 18 ET AUX CONTRE-ELECTRODES, ET D'UN SIGNAL D'AFFICHAGE A LA LIGNE DE SIGNAL DU TYPE RESTANT. DOMAINE D'APPLICATION : AFFICHAGE D'IMAGE PAR CRISTAUX LIQUIDES FERRO-ELECTRIQUES, ETC.
Description
L'invention concerne un panneau d'affichage comportant des dispositifs
d'affichage d'image tels que des dispositifs à cristaux liquides et des dispositifs à diodes électroluminescentes, ainsi que leur procédé de commande, et elle a trait particulièrement à un procédé
de commande de dispositi: a cristaux liquides ferro-
électrique à l'aide d'une structure de matrice active.
Parmi les dispositifs d'affichage à cristaux
liquides, on trouve un dispositif d'affichage à matrice.
Ce dispositif possède un grand nombre dléléments duimage
destinés à lVaffichage d'une image ou d'une information.
Les éléments d image sont constitués par un groupe dlectrodes de balayage et par un groupe d 'électrodes de signau- agencies sous la forme duune matriceD et par un composé à cristaux liquides prévu-entre les deux groupes &é lectrodeSo Dans ce dispositif, si la densité de l image ou si la dimlension de lécran d'affichage auguente, il 2aut de très grands notbres délectrodes de balayage et délectrodes duaffichageo En conséquence1 la vitesse de réponse du cristal liquide est réduite. De plus, un phénomt&ne appelé diaphonie apparaît par suite de la distribution de tension à des éléments d Dimage autres que des éléments dilmage "en circuit'o Pour éliminer ces deux inconvénients, on a proposé divers procédés1 par exemple un procede par moyenne de tension, un procédé de commande an fréquence double, D.n procédé à matrice divisée et un procédé à matrice multiplex0 Il est cependant difficile à tous ces procédés de faire face à l accroissement du nombre de lignes de balayage accompagnant l augmentation
du nombre d'éléments d'affichage pour suivre l'agrandisse-
ment de l'écran d affichage ou 1 augmentation de la densité de l'image. Récemment, on a conçu et mis en service un dispositif d'affichage à matrice active. Dans ce dispositif le cristal liquide est commandé directement par plusieurs éléments de commutation tels que des transistors à effet de champ, qui correspondent à des éléments d'image respectifs
et qui sont agencés sous la forme d'une matrice.
Ce dispositif à matrice active peut résoudre le problème de la diaphonie. Cependant, lorsque l'on utilise des dispositifs à cristaux liquides classiques (nématiques), la vitesse d'affichage est limitée. De plus, la dimension de l'écran d'affichage présente une limite supérieure imposée par la fréquence de répétition. On peut pallier le défaut affectant le cristal liquide nématique en utilisant un cristal liquide ferroélectrique pour le dispositif à cristal liquide. Cependant, dans ce cas, la simplification de la structure du circuit accompagnant l'accroissement de la densité de l'image affichée est insuffisante et
d'autres perfectionnements sont souhaités à cet égard.
L'invention a pour but de résoudre les problèmes indiqués ci-dessus affectant l'art antérieur, et son objet est de réduire notablement les lignes des signaux et de simplifier le circuit par une amélioration de la structure
du circuit des électrodes d'affichage avec une matrice active.
Conformément à l'invention, il est prévu un panneau d'affichage qui comprend une plaque de base de matrice active comportant un transistor à effet de champ et une électrode d'élément d'affichage commutée à une première électrode autre que la grille du transistor à effet de champ, et plusieurs contre-électrodes opposées à l'électrode
de l'élément d'affichage.
Conformément à l'invention, il est également prévu un procédé de commande d'un panneau d'affichage du type comprenant une plaque de base de matrice active qui, elle-même, comporte un transistor à couches minces possédant une première électrode, une deuxième électrode constituant la seroe ou le drain et une troisième électrode constituant la grille, une électrode d'élément d'affichage connectée à la première électrode, une deuxième ligne de signal partant de ou connectée à la deuxième électrode, une troisième ligne de signal partant de la troisième électrode ou
connectée à la troisième électrode, et plusieurs contre-
électrodes opposées à l'électrode de l'élément d'image et servant de premières lignes de signaux, le procédé consistant à appliquer des signaux de balayage à deux des trois types de lignes de signaux comprenant les première, deuxième et troisième lignes et à appliquer des signaux d'affichage
au type restant de ligne de signaux.
L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: - la figure 1 est un schéma d'un circuit illustrant un concept fondamental de l'invention;
- les figures 2 et 3 sont des vues en perspec-
tive schématiques illustrant le principe fondamental de
fonctionnement d'un dispositif à cristal liquide ferro-
électrique utilisé conformément à l'invention; - la figure 4 est un schéma montrant des coordonnées d'éléments d'image; - la figure 5 est un schéma illustrant une configuration d'affichage à éléments d'image; - les figures 6A à 6C sont des diagrammes de forme d'ondes de signaux électriques appliques à des lignes de balayage et à des lignes de signaux; - la figure 7 est une vue permettant d'expliquer une opération d'écriture; - les figures 8A et 8B sont des schémas - d'électrodes d'éléments d'image associés à une électrode d'affichage dans une matrice active; - les figures 9 et 10 sont des schémas de circuit illustrant d'autres concepts fondamentaux de l'invention; - la figure 11 est un schéma montrant une configuration d'affichage différente; - la figure 12 est un schéma montrant une structure d'électrode dans laquelle une contre- électrode est divisée; - les figures 13 et 14 sont des schémas de circuitsrespectifs de matrice active conformes à l'invention; - la figure 15 est une coupe transversale partielle d'un dispositif à cristal liquide utilisé conformément à l'invention; - la figure 16 est une vue en perspective, avec arrachement partiel, d'une plaque de base de transistors à couches minces utilisée conformément à l'invention; et - les figures 17A à 17E sont des vues partielles en plan montrant des dispositifs à cristal liquide utilisés
conformément à l'invention.
La figure 1 est un schéma d'un circuit illustrant un concept fondamental de l'invention. Comme représenté sur cette figure, des transistors à effet de champ (désignés ici FET) sont agencés en une matrice. Une première électrode ou borne, servant de source ou de drain de chaque transistor à effet de champ, est prévue avec une électrode d'élément d'image. Plusieurs contre-électrodes sont prévues de façon
à être opposées aux électrodes d'éléments d'image respectifs.
Un signal de balayage est appliqué à une deuxième électrode
ou borne qui est constituée par e drain ou la source, c'est-
à-dire par l'autre partie que celle qui constitue la première borne, et un signal de balayage est également appliqué aux contre-électrodes qui sont disposéesparallèlement à la deuxième borne. Un signal d'affichage est appliqué à la ligne de grille partant de la grille, c'est-à-dire d'une troisième électrode ou borne du transistor à effet de champ, la ligne de grille s'étendant perpendiculairement
à la ligne du signal de balayage etaux contre-électrodes.
Lorsque le nombre d'éléments d'image utilisés pour l'affi-
chage est n, il faut généralement /n x 2 lignes conduc-
trices, alors qu'il faut environ n x 3 lignes conductrices, conformément à l'invention. Lorsqu'il n'existe pas de nombre entier naturel correspondant à la racine cubique de n, il est nécessaire d'augmenter légèrement le nombre des lignes conductrices par rapport à l'estimation donnée ci-dessus. Ainsi qu'il ressort de la structure du circuit
montré sur la figure 1, conformément à l'invention, l'affi-
chage d'une image est réalisé à- l'aide de deux des trois groupes de lignes de signaux constituant des groupes de lignes de signaux de balayage pour la sélection des lignes d'écriture, en même temps qu'un signal dgaffichage est appliqué au groupe restant de lignes de signaux. Plus particulièrement, un signal de tension est appliqué à la grille d'un transistor à effet de champ afin que ce dernier soit dans l'état "conducteur" à sa grille., tandis qu'un champ électrique est établi simultanément entre la source et le drain, c'est-à-dire les bornes autres que la grille, du transistor à effet de champ, et la polarité du champ est commandée de façon à commuter l'état d'affichage entre deux états, à savoir un état d'une première orientation et un état d'une seconde orientation. Conformément à
l'invention, on utilise donc un cristal liquide ferro-
électrique qui peut prendre sélectivement l'un des deux, c'est-à-dire les premier et second états optiquement stables, suivant la polarité du champ électrique. Ainsi, on utilise un cristal liquide ferro-électrique bistable par rapport au champ électrique. Avec un transistor à effet de champ utilisé en tant qu'élément actif, le choix de l'une des deux bornes, autre que la grille, à utiliser comme source et l'autre comme drain, dépend de la polarité de la tension appliquée, que le transistor à effet de champ soit du type p ou du type n. Dans le cas d'un transistor à effet de champ du type n, la borne au potentiel inférieur est la source, tandis qu'avec un transistor à effet de champ du
type p, la borne au potentiel supérieur sert de source.
Lesniveauxdes tensions aux électrodesde-signauxindividuels peuvent être établis à des valeurs souhaitées et ils ne sont pas limités aux valeurs données dans les exemples ci-dessous, pourvu que certaines différences de potentiel subsistent
entre les signaux.
Un exemple particulier de l'affichage d'image à l'aide du dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'invention sera à présent décrit en référence aux
figures 1 et 4 à 7.
Sur le circuit de la figure 1, les éléments de commande ou éléments actifs sont des transistors à effet de champ du type n, avantageusement des transistors à couches minces, et le cristal liquide est un cristal liquide ferro-électrique. Diverses tensions pour l'écriture d'une configuration d'affichage prédéterminée, comme montré sur la figure 5, sont établies à des valeurs souhaitées qui
peuvent satisfaire les conditions suivantes.
(1) cas o "lumineux" est écrit en une position, avec n=a parmi les lignes de signaux de balayage IBAL, m=b parmi les lignes de signal de balayage. et l=c parmi les lignes de signaux d'affichage LSAFF: VCm+VLC < VSn (n=a, m=b) i"lumineux est écrit sur VG -Vp > Vcm+VLc (m=b, l=c) les lignes choisies ,
p CmLC points de non-
VG-Vp < Vcm+VL (m--b, 1 c)
VGl Vp < VCmC+VL écm=b, lJc)ériture sur les lianes choi-
sies O, -
VG -V < Vm +VL (m#b, l=all) choisie ou non choisie Vcm+VLc. >VSn (n=a, m-b) Cm LC Sn (=,mb Vcm LC VSn (m=b, n=a) ( non choisie et choisie Vc+VLc > Vsn (m-b, nia) 7- VCmVLC < VSn (mwb, nea) 6 non choisie Vcm-VC < Sn et non choisie VCm+VLC > VSn (mb, nxa) ou VG1-Vp < Vsn (na, l=all) VG1-Vp < Vcm+VLc (mb, l=all) (2) Cas o "sombre" est écrit en une position, avec n=a parmi les lignes de signal de balayage (, m=b parmi les lignes de sign=a de balayage O) et lca parmi les lignes de signaux d'affichage: VcmVLC > VSn (n=a, m=b) "sombre" est écrit sur les VGîV > V (n=a, lec) J lignes choisiess,() VGi Vp VSn VGi-Vp < V n (na, l-c) I point noiii choisis sur les | lignes choisies, ,
VCm-VLC < VSn (n=a, mb) (DchOisie-
et () non choisie VCm+VLC VSn (n=a, meb J Sn (na, l=all) (non choisie ouGl-VP < VSn choisie ou VCmVLC < VSn (nÉa, m=b) VCM-VC < Sn Vcm-VLC < VSn (mgb, n-a) M) non choisie et. non choisie VCm+VLC > VSn (mb, nÉa) ou VG1-Vp < Vsn (nta, l=all) Gi -Vp < V+V (mb, 1=all)
Ci-dessus, les symboles utilisés ont la signi-
fication suivante: VLC: valeur absolue de la tension de seuil d'un cristal liquide ferro-électrique, Vp: tension de seuil de grille de transistor à effet de champ constituant la matrice active, VSn: tension sur une ligne de signal de balayage-, VCm: tension sur une ligne de signal de balayage, et
VGi: tension sur la ligne de signal d'affichage.
La figure 6 représente les formes d'ondes des
diverses tensions de signaux ci-dessus en phases t1 à t8.
Sur les diagrammes de temps des figures 6A à 6C, l'ordonnée
représente la tension et l'abscisse représente le temps.
La figure 7 illustre une opération d'écritureen présencedes signaux
électriques tels que représentés sur les figures 6A à 6C.
Sur le diagramme de la figure 7, l'ordonnée représente l'état d'affichage, le côté supérieur indiquant l'état "conducteur" (sombre) et le côté inférieur indiquant l'état "bloqué" (lumineux), et l'abscisse représente le temps. Le diagramme montre que les éléments d'image sont "sombres' ou "lumineux" à diverses phases de temps. Sur cette figure, QN-1 indique que l'état du signal du cycle de balayage précédent est conservé. Les positions ou coordonnées des éléments d'image individuels.ndiqués sur la figure 7 sont montrées sur la figure 4. La configuration d'affichage
souhaitée montrée sur la figure 5 est complétée par les-
opérations indiquées ci-dessus aux phases t1 à t8.
Bien qu'une forme de réalisation dans laquelle Vp=O soit décrite en référence aux figures 6A à 6C, la tension VG (c'est-à-dire la tension de grille) peut être décalée de Vp dans le cas o Vp 0. Lorsque l'on utilise comme cristal liquide ferro-électrique dans l'exemple
ci-dessus, une matière du type cinnamate de décylOcxy-
benzylidène-p'-amino-2-méthylbutyle ("DOBAMBC"), VLC=l à 20 V, la température de travail est de 75 à 85 C et le temps nécessaire pour l'écriture d'un élément d'image est d'environ 50 secondes. La structure du circuit selon l'invention est la même que dans le cas o une matrice passive est formée
sur les éléments d'image d'une matrice active ordinaire.
En conséquence, une diaphonie peut se produire comme dans le cas d'une matrice passive ordinaire. Par conséquent, les conditions optimales seront indiquées en prenant en
considération une diaphonie ordinaire.
En référence aux figures 8A et 8B, lorsqu'une contre-électrode est utilisée comme ligne de balayage et qu'un élément d'image de la matrice active est choisie par l'autre ligne de signal de balayage, les première à nième contre-électrodes travaillent indépendamment, comme montré sur la figure 8A, et elles n'influencent pas mutuellement une tension appliquée à travers une matière de commande de lumière (par exemple un cristal liquide) prise entre les électrodes de la matrice active et les éléments d'image
de jeu de contre-électrodes prévus séparément et corres-
pondant aux contre-électrodes.
Cependant, lorsqu'aucun élément d'image de la matrice active n'est choisi, la grille est "bloquée", de
sorte que les cléments d'image prévus séparément et corres-
pondant auKpremière à nième contre-électrodes sont court-
circuités à travers les électrodes des éléments d'image de la matrice active, comme montré sur la figure 8B. Dans ce cas, une tension qui est appliquée lorsque l'une des première à nième contre-électrodeest choisie, est distribuée vers les électrodes des éléments d'image de la matrice active. La tension du signal de balayage appliquée à la contre-électrode d'un élément d'image choisi est supposée être V et la tension appliquée aux autres contre-électrodes pour les éléments d'image non choisis est nulle. Plus précisément, la valeur V est définie par l'équation:
V = VEN - VHORS
o VEN est la tension du signal de balayage de sélectionet
VHORS est la tension du signal de balayage de non-sélection.
Dans ce cas, lorsque la tension V est appliquée à une m-iène (1lm-n) ligne de balayage choisie, la tension
V' qui apparaît sur les autres lignes de balayage, c'est-à-
dire entre les électrodes des éléments d'image non choisis, peut être exprimée par:
V' = V1
n La tension V" sur la ligne m de signal de balayage est donnée par: v= 1 n La tension VEN peut dépasser la tension de seuil de la matière de commande de lumière utilisée (par exemple un cristal liquide), mais la tension VHORS ne dépasse jamais ce seuil. Par conséquent, les trois valeurs de tension V', V" et VHORS peuvent être inférieures à la valeur absolue de la tension de seuil de la matière de commande
de lumière utilisée.
Si VHORS est définiecomme étant égale à aVEN, les trois valeurs de tension indiquées ci-dessus sont toutes fonction de VEN, de sorte qu'il est nécessaire de satisfaire une condition: max(V', V", VHORS) < V0...(1) o V0 est la tension de seuil de la matière de commande
de lumière utilisée.
L'inégalité (1) peut être réécrite sous la forme: VEN n-i max( - (1-a), n'VEN(1-a), aVEN) < V0...(2) Dans l'inégalité (2), si n$1, on a alors: n VEN(1a) = -V (1-a) n "ENn EN Pour obtenir une valeur optimale de a avec, pour condition n0l, on pose nVE (1-a) = aVEN -n VENN On a alors: n-1
Lorsque n=l, a n'a pas de signification.
Par conséquent, le problème de l'inversion des éléments d'image dans l'état "HORS" pour les faire passer dans l'état "EN" avec, pour condition VEN < 1 V0, peut être éliminé par l'application de la tension VEN à une ligne de signal de balayage choisie en même temps que la tension aVEN (a étant la constante donnée par l'équation (3) et n étant le nombre de lignes de signaux de balayage) est
appliquée aux lignes de signaux de balayage non choisies.
En réalité, il exi te des cristaux liquides ferro-électriques dont l'état de mémoire peut être inversé par l'application d'un champ électrique faible pendant une
longue durée. Par conséquent, la tension VEN est avanta-
geusement aussi faible que possible. De plus, le nombre
n est limité par le temps de balayage.
La figure 9 représente la structure d'un circuit baséesur un concept fondamental de l'invention, différent du précédent. Ce circuit peut être utilisé à la place du circuit représenté sur la figure 1. Dans ce circuit, la source ou le drain de chaque transistor à effet de champ
(FET) sert de première borne qui comporte plusieurs élec-
trodes d'éléments d'image. Les contre-électrodes sont prévues de façon à être opposées aux électrodes d'éléments d'image
respectives. Les lignes de signaux partant des contre-
électrodes s'étendent parallèlement à une ligne de signal de grille partant de la grille, c'est-à-dire une troisième borne, du transistor à effet de champ. Une ligne de signal partant de la borne restante (drain ou source) du transistor à effet de champ s'étend perpendiculairement aux deux
types différents de lignesde signaux indiqués ci-dessus.
Le panneau d'affichage peut être commandé par l'application d'un signal d'affichage sur la ligne de signal de grille et par l'application d'un signal de balayage aux deux autres types différents de lignesde signaux de chaque transistor
à effet de champ.
Ainsi qu'il ressort de la structure de circuit de la figure 9, conformément à l'invention, l'affichage d'une image est réalisé par l'utilisation de deux de trois groupes différents-de lignes de signaux, en tant que groupes de lignes de signaux de balayage pour la sélection de lignes d'écriture, en même temps qu'un signal d'affichage est appliqué au groupe restant de lignes de signaux. Plus particulièrement, un signal de tension est appliqué à la grille d'un transistor à effet de champ afin que ce dernier soit dans un état de conduction sur sa grille, tandis qu'un champ électrique est établi simultanément entre la source et le drainqui sont les bornes du transistor à effet de champ autres que la grille, et la polarité du
champ est commandée de façon à établir deux états d'affi-
chage, ctst-à-dire des états de première et seconde orien-
tation. Conformément à l'invention, on utilise alors un
cristal liquide ferro-électrique qui peut prendre-sélec-
tivement l'un de deux états, à savoir lespremier et second étatsoptiquement stables, selon la polarité du champ
électrique, c'est-à-dire qui est une matière bistable vis-à-
vis du champ électrique. Dans un transistor à effet de champ servant d'élément actif, le choix de l'une des deux bornes autre que la grille, pour servir de source et l'autre de drain, est déterminé en fonction de la polarité de la tension appliquées que le transistor à effet de champ soit du type p ou du type n. Dans un transistor à effet de champ du type n, la borne qui est maintenue à un potentiel inférieur sert de source, tandis que dans un transistor du type p, la borne maintenue à un potentiel supérieur sert
de source.
Dans la structure de circuit de la figure 9, des transistors à effet de champ de type n, avantageusement des transistors à couches minces, sont utilisés en tant qu'éléments actifs et le cristal liquide est un cristal liquide ferro-électrique. Les diverses tensions pour écrire la configuration d'affichage montrée sur la figure 5 sont
les mêmes que celles indiquées précédemment.
La figure 10 représente une structure de circuit basée sur un autre concept fondamental de l'invention. Dans ce cas, la cource ou le drain de chaque transistor à effet de champ, servant de première borne, comporte plusieurs éléments d'image. Des contre-électrodes sont opposées aux électrodes d'éléments d'image respectives. Des lignes de
signaux partant des contre-électrodes s'étendent perpen-
diculairement à une ligne de signal de grille partant de la grille, en tant que troisième borne du transistor à effet de champ, et également à une ligne de signal partant d'une deuxième borne constituée par le drain ou la source qui ne constitue pas la première borne du transistor à effet
de champ. Ce panneau d'affichage est commandé par l'appli-
cation d'un signal d'affichage à la ligne de signal de grille et par l'application de signaux de balayage aux deux autres lignes de signaux. Dans ce dispositif, un même signal est appliqué aux bornes Cm portant le même indice m. En général, lorsque le nombre d'éléments d'image utilisés pour l'affichage est n,il faut rn x 2 lignes conductrices. Par
contre, conformément à l'invention Yn x 3 lignes conduc-
trices seulement sont nécessaires. Lorsqu'il n'existe pas de nombre entier naturel correspondant à la racine cubique de n, on doit prévoir un nombre légèrement plus grand de
lignes conductrices.
Ainsi qu'il ressort de la structure du circuit de la figure 10, conformément à l'invention, l'affichage d'une image est réalisé par l'utilisation de deux des trois groupes différents de lignes de signaux, en tant que groupes de lignes de signaux de balayage pour la sélection d'une ligne d'écriture, en même temps qu'un signal d'affichage est appliqué au groupe restant de lignes de signaux. Plus particulièrement, un signal de tension est appliqué à la grille d'un transistor à effet de champ afin que ce dernier soit placé dans un état de conduction sur sa grille, tandis qu'un champ électrique est établi simultanément entre la source et le drain, qui sont les bornes autres que la grille, et que la polarité du champ
est commandée de façon à commuter les deux états d'affi-
chage, c'est-à-dire des états de première et seconde orientation. Conformément à l'invention, on utilise donc un cristal liquide ferroélectrique qui peut prendre sélectivement l'un de deux états, à savoir des premier et second états optiquement stables, suivant la polarité
du champ électrique. Ainsi, un cristal liquide ferro-
électrique bistable vis-à-vis du champ électrique est utilisé. Dans un transistor à effet de champ utilisé comme élément actif, l'une des deux bornes autre que la grille sert de source et l'autre de ces bornes sert de drain, selon ce qui est déterminé en fonction de la polarité de la tension appliquée, que le transistor à effet de champ soit du type p ou du type n. Dans un transistor à effet de champ de type n, la borne qui est maintenue à un potentiel inférieur sert de source, tandis que dans un transistor à effet de champ du type p, la borne maintenue à un potentiel supérieur sert de source. Une configuration d'affichage souhaitée, telle que montrée; sur la figure 11, est obtenue par les opérations décrites ci- dessus aux phases t1 à t8 illustrées sur la figure 7, pour les éléments
d'image respectifs montrés sur la figure 4. Dans la struc-
ture du circuit de la figure 10, on utilise des transistors à effet de champ du type n, avantageusement des transistors à couches minces, en tant qu'éléments actifs, et le cristal liquide est un cristal liquide ferro-électrique. Les
diverses tensions utilisées pour l'écriture de la confi-
guration d'affichage montrée sur la figure 11 sont identiques à celles indiquées précédemment. Un autre concept fondamental de l'invention sera à présent décrit en référence à la figure 12. Celle-ci illustre une structure de contre-électrodes divisées. En
référence à la figure 12, les contre-électrodes sont in-
diquées en n, n-1, n-2,..., et des couches de cristal liquide sont représentées par des hachures. Conformément à l'invention, l'affichage d'une image est réalisé à l'aide de deux groupes de lignes de signaux (c'est=à-dire source et drain) faisant partie de trois groupes de lignes de signaux (c'est-à-dire source, drain et grille), ces deux groupes étant utilisés comme groupes de lignes de signaux de balayage pour sélectionner une ligne d'écriture en même temps qu'un signal d'affichage est appliqué à la ligne
de signal restante (c'est-à-dire la grille). Plus parti-
culièrement, les contre-électrodes sont disposées sous la forme de bandes qui chevauchent chacune deux éléments d'image adjacents formés sur un substrat, et les bandes des contre-électrodes individuelles sont perpendiculaires, dans deux dimensions, aux lignes de signaux de grille
formées sur les substrats.
Dans la structure d'une matrice classique, le nombre d'éléments d'image est exprimé par le produit des
nombres de lignes conductrices verticales et horizontales.
Autrement dit, en présence de 10 000 éléments d'image utilisés pour l'affichage (100 x 100 = 10 000), par exemple, il faut un total de 200 lignes conductrices. Dans le cas de la structure ci-dessus, o chaque contre-électrode chevauche deux éléments d'image adjacents l'un à l'autre, avec 10 000 éléments d'image (c'est-à-dire 100 x 50 x 2 = 10 000 éléments d'image), un faut seulement un total de + 50 + 2 = 152 lignes conductrices. Il est ainsi possible de réduire très notablement lenmibre de connexions
de conducteur avec les circuits extérieurs.
La structure du circuit du panneau d'affichage en cristaux liquides et le procédé de commande de ce panneau conforme à l'invention seront à présent décrits. La figure 13 représente une structure d'un circuit d'une forme de réalisation du panneau d'affichage selon l'invention, dans laquelle un cristal liquide ferro-électrique est commandé par un dispositif à matrice active utilisant des transistors à effet de champ de type n. Cette structure est utilisée pour écrire une configuration d'affichage, par
exemple celle montrée sur la figure 5.
Sur la figure 13, la référence G1, Gi+1,, + Gl+2,... sont des lignes de signaux d'affichage partant des grilles de transistor à effet de champ, Sn, Sn+,Sn+2;...
sont des lignes de signaux de balayage ' partant des sources ou des drains des transistors à effet de champ, et C1, C2,... sont des lignes de signaux de balayage partant des contre-électrodes disposées chacune de façon
à chevaucher deux éléments d'image adjacents.
Il convient de noter que les lignes de signaux partant des contreélectrodes et les lignes de signaux
partant des grilles sont perpendiculaires entre elles.
Les valeurs des tensions pour écrire la configu-
ration d'affichage montrée sur la figure 5, à l'aide de cette structure de circuit, sont les mêmes que celles indiquées précédemment. En outre, les numéros O à indiquant des couches de cristaux liquides respectives montrées sur la figure 13 correspondent à ceux illustr6s sur la figure 4, indiquant des éléments d'image dont l'état d'affichage est montré sur la figure 7. La configuration d'affichage illustrée sur la figure 5 est obtenue par les
opérations décrites ci-dessus aux phases t1 à t8.
La figure 14 représénte une forme de réalisation différente, dans laquelle les bandes des contre-électrodes, telles qu'indiquées ci-dessus, s'étendent dans deux dimensions, parallèlement aux lignes de signaux de grille sur le substrat. Sur la figure 14, les référence G1, G1+1, Gi+2,... sont des lignes de signaux d'affichage partant des grilles des transistors à effet de champ, Sn, Sn+i, Sn+2,... sont des lignes de signaux de balayage " partant des sources ou des drains des transistors à effet de champ, et C1, C2,... sont des lignes de signaux de balayage partant des contre-électrodes chevauchant
chacune deux éléments d'image adjacents.
Il convient de noter que les lignes de signaux partant des contreélectrodes sont parallèles aux lignes
de signaux partant des grilles.
Les valeurs de tension pour l'écriture de la configuration d'affichage montrée sur la figure 5, à l'aide de cette structure de circuit, sont les mêmes que celles
indiquées précédemment.
Le panneau: d'affichage et le procédé de commande conformes à l'invention utilisent une matière capable d'être modulée optiquement, qui peut prendre sélectivement l'un de deux états, à savoir le premier et second état optiquement stables, selon le champ électrique appliqué. Autrement dit, une matière bistable vis-à-vis du champ électrique, en particulier un cristal liquide
présentant un tel caractère, est utilisée.
Le cristal liquide de caractère bistable qui peut être utilisé pour le procédé de commande selon l'invention est le plus avantageusement un cristal liquide smectique chiral. Parmi les cristaux liquides smectiques chiraux, ceux présentant une phase smectique C (SmC*) ou une phase H (SmH*) smectique chirale sont particulièrement préférés. Ces cristaux liquides ferro-électriques sont décrits dans, par exemple, "LE JOURNAL DE PHYSIQUE LETTERS" 36 (L-69), 1975 "Ferroelectric Liquid Crystals"; "Applied Physics Letters" 36 (11) 1980, "Submicro Second Bistable Electrooptic Switching in Liquid Crystals", "Solid State Physics" 16 (141) , 1981 "Liquid Crystal", etc. Les cristaux liquides ferro-électriques décrits dans ces références
peuvent être utilisés dans la présente invention.
Plus particulièrement, des exemples d'un composé de cristal liquide ferroélectrique utilisable dans le
procédé selon l'invention comprennent le cinnamate de décyloxy-
benzylidène-p'-amino-2-méthylbutyle (DOBAMBC), le cinnamate d'hexyloxybenzylidène-p'-amino-2-chloropropyle (HOBACPC), la 4-o-(2méthyl)-butylrésorcylidène-4'-octylaniline (MBRA8), etc. Lorsqu'un dispositif est constitué à l'aide de ces matières, il peut être supporté par un bloc de cuivre, etc., dans lequel est encastré un élément chauffant afin d'établir une condition de température telle que les composés de cristaux liquides prennent une phase smectique
chirale.
La figure 2 représente schématiquement un exemple d'une cellule à cristal liquide ferro-électrique dont le fonctionnement sera expliqué en regard de cette figure. Les références numériques 24 et 24a désignent;:des plaques de base (plaques de verre) sur lesquelles une électrode transparente, par exemple en In203, SnO2, ITO (oxyde d'indium et d'étain), etc., est disposée. Un cristal liquide en phase SmC* ou SmH*, dans lequel les couches 25
de molécules de cristaux liquides sont orientées perpen-
diculairement aux surfaces des plaques de verre, est disposé hermétiquement entre les plaques. La ligne 26 en
trait plein représente des molécules de cristaux liquides.
Chaque molécule 26 de cristal liquide possède un moment dipolaire (PI) 27 dont la direction est perpendiculaire à son axe. Lorsqu'une tension supérieure à un certain seuil est appliquée entre des électrodes formées sur les plaques de base 24 et 24a, la molécule 26 du cristal liquide perd sa structure hélicoidale ou se déroule de façon que la direction de son alignement change et que le moment dipolaires (PI) 27 de toutes les molécules soit orienté dans la direction du champ électrique. Les molécules 26 de cristaux liquides ont une forme allongée et présentent une anisotropie de réfraction entre leur grand axe et leur petit axe. En conséquence, on comprend aisément que, lorsque, par exemple, des polariseurs agencés en nicols croisés, c'est-à-dire avec leurs directions de polarisation se croisant mutuellement, sont disposés sur les surfaces supérieure et inférieure desplaques de verre, la cellule à cristaux liquides ainsi agencée fonctionne comme un dispositif de modulation optique à cristaux liquides dont les caractéristiques optiques varient en fonction de la polarité d'une tension appliquée. En outre, lorsque
l'épaisseur de la cellule à cristaux liquides est suffi-
samment faible (par exemple 1 gm), les molécules du cristal liquide perdent leur structure hélicoidale, même en l'absence d'un champ électrique, de sorte que le moment dipolaire prend 1iun de deux états, c'est-à-dire l'état P dans une direction montante 27 ou l'état Pa dans une direction descendante 27a, comme montré sur la figure 3. Lorsqu'un champ électrique E ou Ea, supérieur à un certain seuil et d'une polarité ou de l'autre, comme montré sur la figure 3, est appliqué à une cellule présentant les caractéristiques mentionnées ci-dessus, le moment dipolaire est dirigé soit dans la direction ascendante 27, soit dans la direction descendante 27a, suivant le vecteur de ce champ électrique E ou Ea. Les molécules des cristaux liquides s'orientent de façon correspondante dans un premier état stable 28 ou
dans un second état stable 28a.
Lorsque le cristal liquide ferro-électrique
mentionné ci-dessus est utilisé en tant qu'élément de modu-
lation optique, il est possible d'obtenir deux avantages.
Le premier avantage est que la vitesse de réponse est très grande. Le second avantage est que l'orientation du cristal liquide présente une bistabilité. Ce second avantage sera expliqué plus en détail, par exemple, en référence à la figure 3. Lorsque le champ électrique E est appliqué aux molécules du cristal liquide, elles sont orientées dans le premier état stable 28. Cet état
reste stable, même si le champ électrique est supprimé.
Par ailleurs, lorsque le champ électrique Ea, dont le sens est opposé à celui du champ électrique E,est appliqué aux molécules, celles-ci s'orientent dans le second état stable 28a, de sorte que leurs directions changent. Cet état reste également stable, même si le champ électrique est supprimé. En outre, tant que l'amplitude du champ électrique E appliqué n'est pas supérieure à un certain seuil, es molécules de cristal liquide sont placées dans
les états d'orientation respectifs. Pour obtenir effecti-
vement une grande vitesse de réponse et une caractéristique de bistabilité, il est avantageux que l'épaisseur de la cellule soit aussi faible que possible et généralement de
0,5 à 20 Dm, en particulier 1 à 5 Dm. Un dispositif électro-
optique à cristaux liquides comportant une structure d'électrodes en matrice dans laquelle le cristal liquide ferro-électrique de ce type est utilisé, est proposé,- par exemple, dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique
N 4 367 924.
La figure 15 est une coupe montrant une cellule à cristal liquide ferroélectrique utilisant des transistors à couches minces; la figure 16 est une vue en perspective montrant une plaque de base de transistors à couches minces,
les figures 17A à 17E sont des vues en plan montrant diffé-
rentes structures de cellules conformes à l'invention.
La cellule à cristal liquide ferro-électrique montrée sur les figures 15 et 16 sert de dispositif à cristal liquide utilisé dans le procédé de commande selon l'invention. Comme représenté, on forme, sur une plaque de base 14, réalisée en verre, en matière plastique, etc., des transistors à couches minces comprenant chacun une électrode de grille 18 connectée à une ligne 6 de signal, un film semiconducteur 10 (en silicium amorphe dopé avec des atomes d'hydrogène) formé sur l'électrode de grille par l'intermédiaire d'un film isolant 16 (par exemple un film de nitrure de silicium dopé avec des atomes d'hydrogène) et deux bornes 1 et 4 disposées de façon à être contiguës au film semiconducteur 10. Les électroses 5 d'éléments d'image (en ITO) sont également formées sur la plaque de base 14, chacune étant connectée à la borne 4 de chaque transistor à couches minces. La borne 1 d'un transistor à couches minces est connectée à une ligne 3 de signal. Les parties décrites ci-dessus sont recouvertes d'une couche isolante 7 constituée d'une matière
telle qu'un polyimide, un polyamide, de l'alcool poly-
vinylique, du polyparaxylylène, du SiO et du SiO2. Des films 2 formant écrans à la lumière en une matière telle que de l'aluminium et du chrome sont formes sur la couche isolante 7. Les contre-électrodes (15) (en ITO) sont formées sur la surface opposée de l'autre plaque de base 14a. Un film isolant 19 est également formé et sert également de
film de commande d'orientation. Un cristal liquide ferro-
électrique 17, tel que décrit ci-dessus, est prévu entre les plaques de base 14 et 14a. Une matière 11 d'étanchéité est disposée le long des bords périphériques des plaques
de base 14 et 14a afin de sceller ou de renfermer herméti-
quement le cristal liquide ferro-électrique 17.
Des polariseurs 13 et 13a sont prévus dans la
disposition en nicols croisés de part et d'autre du dispo-
sitif à cristal liquide possédant la structure de cellule décrite cidessus. En outre, un réflecteur 12, constitué d'une feuille ou d'une plaque d'aluminium dispersant la lumière est placé en arrière du polariseur 13a de manière qu'un observateur A puisse reconnaître l'état d'affichage d'après la lumière réfléchie 11 résultant de la lumière incidente 10.O Dans les figures décrites ci-dessus, les élec- trodes de source et de drain du transistor à effet de champ sont ainsi désignés uniquement lorsqu'un courant circule du drain vers la source. Il est possible que la source serve de drain, suivant la fonction du transistor à effet
de champ.
Dans la structure de cellule montrée sur la figure 17A, dans laquelle plusieurs-contre-électrodes 15 en forme de bandes sont prévues de manière à faire face à des électrodes d'éléments d'image respectives 5 connectées à une première borne autre que la grille, c'est-à-dire à la source ou au drain, de chaque transistor 10 à effet de champ sur une plaque de base constituant une matrice active, une ligne 3 de signal partant d'une deuxième borne constituée
par le drain ou la source du transistor 10 s'étend parallè-
lement aux contre-électrodes 15, et une ligne 6 de signal de grille partant d'une troisième borne constituée par la
grille du transistor à effet de champ s'étend perpendi-
culairement à la ligne 3 de signal indiquée ci-dessus et
aux contre-électrodes 15.
Dans la structure de la cellule montrée sur la figure 17B, dans laquelle, comme précédemment, plusieurs contre-électrodes 15 sont prévues de façon à faire face à des électrodes 5 d'éléments d'image respectifs, connectés à une première borne autre que la grille, c'est-à-dire la source ou le drain, de chaque transistor 10 à effet de champ sur une plaque de base formant une matrice active, des lignes de signaux formnes par les contreélectrodes 15 s'étendent parallèlement à une ligne 6 de signal de grille partant d'une troisième borne constituée par la grille du transistor 10, et perpendiculairement à une ligne 3 de signal partant d'une deuxième borne constituée par le drain ou
la source du transistor 10.
Dans la structure de cellule montrée sur la figure 17C, dans laquelle, comme précédemment, plusieurs contre-électrodes 15 sont prévues de façon à faire face à des électrodes respectives 5 d'éléments d'image connectées à une première borne autre que la grille, c'est-à-dire à la source ou au drain, de chaque transistor 10 à effet de champ sur une plaque de base formant une matrice active, des lignes de signaux formées par les contreélectrodes 15 s'étendent perpendiculairement à une ligne 6 de signal de grille partant d'une troisième borne constituée par la
grille du transistor 10, ainsi qu'à une ligne 3 de signal.
partant d'une deuxième borne constituée par le drain ou la
source du transistor 10.
Dans la structure de cellule montrée sur la figure 17D, dans laquelle une plaque de base de la cellule
à cristal liquide reçoit une matrice active et des contre-
électrodes 15 sont divisées respectivement dans une zone correspondant à chaque élément d'image (5) d'affichage
sur la plaque de base de la matrice active, les contre-
électrodes 15 sont disposées sous la forme de bandes, chevauchant chacune plusieurs éléments d'image (5) portés
par la plaque de base de la matrice active.
Ainsi qu'il ressort de la figure 17D, chaque contre-électrode 15 peut être disposée de façon à recouvrir une moitié de plusieurs éléments d'image portés par la
plaque de base de la matrice active.
Dans la structure montrée sur la figure 17E, dans laquelle, comme précédemment, une plaque de base de la cellule à cristal liquide reçoit une matrice active,
alors que des contre-électrodes 15 sont divisées respecti-
vement dans une zone correspondant à chaque élément d'image (5) d'affichage porté par la plaque de base de la matrice active et sont disposées sous la forme de bandes chevauchant chacune plusieurs éléments d'image (5) situés sur la plaque de base de la matrice active, les bandes formées par les contre-électrodes s'étendent perpendiculairement
aux lignes 6 de signaux de grille.
Comme précédemment et ainsi qu'il ressort de la figure 17E, chaque contreélectrode 15 peut être disposée de façon à recouvrir une moitié de plusieurs éléments d'image (5) portés par la plaque de base de la
matrice active.
Comme décrit précédemment, conformément à l'invention, le nombre des lignes de signaux peut être très notablement réduit par rapport à la structure des
circuits de l'art antérieur.
De plus, conformément à l'invention, les contre-
électrodes d'une cellule à cristal liquide, basée sur le dispositif à matrice active, sont disposées sous la forme de bandes chevauchant chacune deux éléments d'image adjacents portés par la plaque de base. Par conséquent, les lignes de signaux partant des contre-électrodes peuvent être au nombre notablement réduit par rapport aux structures de l'art antérieur. Il est donc possible de simplifier le montage des composants des circuits ainsi que la conception des circuits, et de réduire l'échelle de ces circuits. Il est en outre possible d'accroître la vitesse d'affichage et d'augmenter les dimensions de l'image affichée si l'on utilise un cristal liquide ferro-électrique comme matière du type cristal liquide dans les formes de réalisation
décrites ci-dessus.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au panneau d'affichage décrit et
représenté sans sortir du cadre de l'invention.
Claims (19)
1. Panneau d'affichage, caractérisé en ce qu'il comporte une plaque de base (14) de matrice active comprenant un transistor (10) à effet de champ et une électrode (5) d'élément d'image connectée à une première électrode autre que la grille (18) du transistor à effet de champ, et plusieurs contre-électrodes (15) opposées d i'l4ectrode
d'élément d'image.
2. Panneau d'affichage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une ligne (3) de signal partant d'une seconde électrode qui constitue la source ou le drain du transistor à effet de champ s'étend parallèlement auxdites contre-électrodes, et une ligne (6) de signal de grille, connectée à une troisième borne constituée par la grille dudit transistor à effet de champ, s'étend perpendiculairement
à ladite ligne de signal et aux contre-électrodes.
3. Procédé de commande d'un panneau d'affichage du type comprenant une plaque de base de matrice active qui, elle-même, comprend un transistor (10) à couches minces possédant une première électrode, une deuxième électrode constituant la source ou le drain et une troisième électrode constituant la grille, une électrode d'élément d'image connectée à la première électrode, une deuxième ligne de signal partant de la deuxième électrode, et une troisième ligne de signal partant de la troisième électrode et plusieurs contre-électrodes opposées à l'électrode d'élément d'image et servant de premières lignes de signaux, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à appliquer des signaux de
balayage à deux des trois types de lignes de signaux compre-
nant les première aux troisièmes lignes de signaux, et à appliquer des signaux d'affichage à la ligne de signal du
type restant.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la deuxième ligne de signal partant de la deuxième électrode, en tant que source ou drain du transistor à couches minces, s'étend parallèlement aux premières lignes de signaux partant des contre-électrodes, et en ce que la troisième ligne de signal partant de la grille du transistor à couches minces s'étend perpendiculairement aux premières et deuxièmes lignes de signaux.
5. Panneau d'affichage, caractérisé en ce qu'il
olmporte une plaque de base (14) de matrice active compre-
nant un.transistor (10) à effet de champ possédant une première électrode autre que la grille (18), une deuxième
électrode constituant la source ou le drain, et une troisième -
électrode constituant la grille, une électrode (5) d'élément d'image connectée à la première électrode, une deuxième ligne (3) de signal partant de la deuxième électrode, une troisième ligne de signal partant de la troisième électrode et plusieurs contre-électrodes (15) opposées à l'électrode d'élément d'image et servant de premièreslignesde signaux, ces premières lignes de signaux s'étendant parallèlement à la troisième ligne de signal et perpendiculairement à la
deuxième ligne de signal.
6. Procédé de commande d'un panneau d'affichage du type comprenant une plaque de base de matrice active qui, elle-même, comprend un transistor à couches minces possédant une première électrode, une deuxième électrode constituant la source ou le drain, et une troisième électrode constituant la grille, une électrode d'élément d'image connectée à la première électrode, une deuxième ligne de signal partant de la deuxième électrode, une troisième ligne de signal partant de la troisième électrode et plusieurs contre-électrodes opposées à l'électrode d'élément d'image servant de premières lignesde signaux, ces premières lignes de signaux s'étendant
parallèlement à la troisième ligne de signal et perpendi-
culairement à la deuxième ligne de signal, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à appliquer des signaux de balayage à deux des trois types de lignes de signaux comprenant les premières aux troisièmes lignes de signaux, et à appliquer des signaux d'affichage à la ligne de signal
du type restant.
7. Panneau d'affichage, caractérisé en ce qu'il comporte une plaque de base (14) de matrice active comprenant un transistor <10) à effet de champ possédant une première électrode autre que la grille (18), une deuxième électrode constituant la source ou le drain et une troisième électrode constituant la grille, une électrode (5) d'élément d'image connectée à la première électrode, une deuxième ligne (3) de signal partant de la deuxième électrode, une troisième ligne de signal partant de la troisième électrode et plusieurs contre-électrodes (15) opposées à l'électrode d'élément d'image et servant de premières lignes de signaux, ces premières lignes de signaux s'étendant perpendiculairement
aux deuxième et troisième lignes de signaux.
8. Procédé de commande d'un panneau d'affichage du type comprenant une plaque de base de matrice active qui, elle-même, comprend un transistor à couches minces possédant une première électrode, une deuxième électrode constituant la source ou le drain et une troisième électrode constituant la grille, une électrode d'élément d'image connectée à la première électrode, une deuxième ligne de signal partant de la deuxième électrode, une troisième ligne de signal partant de la troisième électrode et plusieurs contre-électrodes opposées à l'électrode d'élément d'image et servant de premièreslignesde signaux, ces premières lignes de signaux s'étendant perpendiculairement aux deuxième et troisième lignes de signaux, le procédé étant
caractérisé en ce qu'il consiste à appliquer des signaux-
de balayage à deux des trois types de lignes de signaux comprenant les premières aux troisièmes lignes de signaux, et à appliquer des signaux d'affichage à la ligne de signal
du type restant.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendi-
cations 3, 6 et 8,caractérisé en ce que le signal d'affichage est appliqué à la troisième ligne de signal partant
de la troisième électrode en tant que grille du transistor.
10. Procédé selon l'une quelconque des reven-
dications 3, 6 et 8, caractérisé en ce que la capacité d'un cristal liquide est couplée électriquement à l'élec-
trode d'élément d'image.
11. Procédé selon la revendication 10, carac-
térisé en ce que le cristal liquide est un cristal liquide ferroélectrique.
12. Procédé selon la revendication 11, carac-
térisé en ce que le cristal liquide ferro-électrique est
un cristal liquide smectique chiral.
13. Panneau d'affichage à cristaux liquides, caractérisé en ce qu'il comporte une plaque de base (14) de matrice active comprenant plusieurs transistors (10) à effet de champ et plusieurs éléments (5) d'image placés dans des positions correspondant à celles des transistors à effet de champ respectifs, une contreplaque de base (14a) opposée à la plaque de base de matrice active et portant
des contre-électrodes (15) divisées dans une zone corres-
pondant à chaque élément d'image, les contre-électrodes étant disposées en bandes s'étendant perpendiculairement aux lignes de signaux de grille partant des grilles des-transistors à effet de champ afin que chaque bande de contre-électrodes chevauche plusieurs éléments d'image portés par la plaque
de base de matrice active.
14. Panneau d'affichage à cristaux liquides, caractérisé en ce qu'il comporte une plaque de base (14) de matrice active comprenant plusieurs transistors (10) à effet de champ et plusieurs éléments d'image (5) places dans des positions correspondant à celles des transistors à effet de champ respectifs, une contreplaque de base (14a) opposée à la plaque de base de matrice active et portant
des contre-électrodes (15) divisées dans une zone corres-
pondant à chaque élément d'image, les contre-électrodes étant disposées en bandes de manière que chaque bande de contre-électrodes chevauche plusieurs éléments d'image
portés par la plaque de base de matrice active.
15. Panneau d'affichage selon la revendication 14, caractérisé en ce que les bandes des contre-électrodes s'étendent parallèlement aux lignes de signaux de grille partant des grilles des transistors à effet de champ sur
la plaque de base de matrice active.
16. Panneau d'affichage selon l'une quelconque
des revendications 1, 5 et 7, caractérisé en ce que le
transistor à effet de champ est un transistor à couches minces.
17. Panneau d'affichage selon l'une quelconque
des revendications 1, 5 et 7, caractérisé en ce que la
capacité d'un cristal liquide est couplée électriquement
à ladite électrode d'élément d'image.
18. Panneau d'affichage selon l'une des revendi-
cations 14 et 17, caractérisé en ce que le cristal liquide
est un cristal liquide ferro-électrique.
19. Panneau d'affichage selon la revendication 18, caractérisé en ce que le cristal liquide ferro-électrique
est un cristal liquide smectique chiral.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173177A JPS6152681A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 表示パネル及びその駆動法 |
| JP59176822A JPS6155685A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 表示パネル及びその駆動法 |
| JP59176823A JPS6155686A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 表示パネル及びその駆動法 |
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