FR2571168A1 - Support d'enregistrement optique. - Google Patents

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Hiroyoshi Kishi
Hisaaki Kawade
Masaaki Matsushima
Mitsuharu Sawamura
Kazuoki Honguu
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Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN SUPPORT D'ENREGISTREMENT OPTIQUE DE GRANDE RESISTANCE A LA CORROSION. IL COMPREND UN SUBSTRAT1, UNE COUCHE OPTIQUE D'ENREGISTREMENT2 FORMEE SUR LE SUBSTRAT ET AU MOINS UN FILM3 CONSTITUE D'UN CARBURE ET D'UN NITRURE ET FORME EGALEMENT SUR LE SUBSTRAT. DOMAINE D'APPLICATION : ENREGISTREMENTS OPTIQUES.

Description

L'invention concerne un support d'enregistre-
ment optique qui permet d'exécuter un enregistrement
et une reproduction à l'aide d'un faisceau lumineux.
Des films minces d'alliages terres rares-
métaux de transition, des films minces d'oxydes réducteurs tels que des composés de chalcogène utilisant le passage d'une phase non cristalloilde à une phase cristalloide,
des supports d'enregistrement à mode thermique, des sup-
ports d'enregistrement thermoplastiques, etc., sont connus en tant que support d'enregistrement optique utilisé dans des disques optiques. Par exemple, on connaît, en tant que supports d'enregistrement magnétooptiques formés par des films minces d'alliages de terres rares et de métaux de transition, des films minces polycristallins
tels que MnBi et MnCuBi, des films minces non cristal-
loides ou amorphes tels que GdCo, GdFe, TbFe, DyFe, GdTbFe, TbDyFe, GdFeCo, TbFeCo et GdTbCo, et des films minces
monocristallins tels que GIG (gadolinium-fer-grenat).
Parmi ces films minces, les films minces non cristalloides ont récemment été considérés comme
constituant d'excellents supports d'enregistrement magnéto-
optiques en tenant compte de l'aptitude à façonner le film, par laquelle un film mince de grande surface est produit à une température proche de la température ambiante, de l'efficacité avec laquelle un signal est écrit à l'aide
d'une faible énergie lumineuse et thermique et de l'effi-
cacité avec laquelle le signal écrit est lu à un bon rapport signal/bruit. En particulier, le GdTbFe ayant une température de curie de l'ordre de 150-200 C et le GdTbFeCo ayant un grand angle de rotation de Kerr et un excellent ccmportnement à la reproduction (demande de brevet japonaise N 196639/1983) conviennent en tant
que support d'enregistrement magnéto-optique.
Cependant, les matières magnétiques non cris-
talloides, comprenant le GdTbFe, ont généralement une
résistance à la corrosion moins bonne et ont pour inconvé-
nient d'être corrodées dans une atmosphère humide et de
perdre de leurs caractéristiques magnétiques. En particu-
lier, dans une réalisation dans laquelle une couche réflé-
chissante ou une couche d'interférence et une couche réflé- chissante sont prévues sur la face arrière de la couche d'enregistrement magnétique (c'est-à-dire la face opposée à celle sur laquelle la lumière arrive) afin d'améliorer
le rapport signal/bruit, l'épaisseur de la couche d'enre-
gistrement magnétique doit être faible pour utiliser
efficacement l'effet Faraday et, par conséquent, la résis-
tance à la corrosion est encore aggravée. Cette détériora-
tion des caractéristiques d'enregistrement, résultant d'une oxydation, est un inconvénient commun aux sports
d'enregistrement magnéto-optiques etauxsupports d'enregis-
trement optiques.
Pour éliminer un tel inconvénient, on a pro-
posé des supports d'enregistrement optiques analogues à un disque, ayant une structure dans laquelle diverses
couches de protection sont prévues sur une couche d'enre-
gistrement optique, ou bien ayant une structure à sandwich d'air dans laquelle une couche d'enregistrenmtmagnét1qe est enveloppée d'un gaz inerte, ou bien ayant la structure collée dans laquelle un autre substrat est collé sur une couche protectrice avec interposition entre eux d'une
couche d'adhésif. Cependant, dans chacune de ces réalisa-
tions, l'effet de protection s'est révélé insuffisant dans le cas o la couche d'enregistrement est formée
en une matière aisément oxydable, ou bien lorsque l'épais-
seur de la couche d'enregistrement est très faible.
L'invention a pour objet un support d'enregis-
trement optique dont la résistance à la corrosion est très supérieure à celle des supports d'enregistrement
de l'art antérieur.
Cet objet de la présente invention est réalisé au moyen d'un support d'enregistrement optique caractérisé par au moins une couche d'enregistrement optique et un film constitué d'un carbure et d'un nitrure appliqués sur un substrat.
Le carbure peut être avantageusement du car-
bure de silicium..
Le carbure et le nitrure peuvent être utilisés diversement s'ils sont transparents et d'une excellente résistance à la corrosion lorsqu'ils sont mis en forme de film. Ce peut être, par exemple, du carbure de silicium (SiC) et du nitrure de silicium (Si3N4), ou bien du SiC et
du nitrure d'aluminium (AlN).
L'invention sera décrite plus en détail en regard du dessin annexé à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lequel:
les figures 1 à 4 sont des coupes transver-
sales schématiques de plusieurs formes de réalisation du support d'enregistrement optique selon l'invention; et la figure 5 est un graphique montrant le résultat d'un essai de résistance à la corrosion d'un
support d'enregistrement optique sans couche protec-
trice, d'un support d'enregistrement optique dans lequel un film de SiO est prévu en tant que couche protectrice,
et du support d'enregistrement optique selon l'invention.
La figure 1 représente une première forme de réalisation du support d'enregistrement optique selon l'invention. La référence numérique 1 désigne un substrat,
la référence numérique 2 désigne une couche d'enregistre-
ment et la référence numérique 3 désigne un film constitué
d'un carbure et d'un nitrure.
Le substrat 1 peut être formé en verre, en une matière plastique telle qu'une résine polyméthacrylate de méthyle (PMMA) ou une résine polycarbonate (PC), ou bien un métal tel que de l'aluminium, et un sillon de
guidage peut être formé à l'avance dans ce substrat.
Une couche d'enregistrement en GdTbFe ou analogue est formée sur le substrat 1 par un procédé tel que la pulvéri- sation, après quoi un film constitué d'un carbure et
d'un nitrure est formé par un procédé tel qu'une pulvérisa-
tion. Plus particulièrement, le film constitué d'un carbure et d'un nitrure est formé, par exemple,
par mise en place de Si sur un film mince de SiC et forma-
tion d'un film constitué de SiC et de Si3N4 avec Ar et N2 comme gaz de pulvérisation, ou pulvérisation de SiC en tant que première cible et de Si3N4 en tant que seconde
cible, à la fois.
Le film 3 peut être formé par le procédé décrit ci-dessus à une épaisseur de 5 - 1000 nanomètres,
et avantageusement de 20 - 300 nanomètres.
La figure 1 représente un exemple dans lequel le film 3 constitué d'un carbure et d'un nitrure n'est formé que sur le côté de la couche d'enregistrement 2 qui est opposé au substrat 1, mais le film protecteur peut être prévu sur le côté de la couche 2 d'enregistrement qui est. adjacent au substrat 1, ou bien peut être appliqué sur les côtés opposés de la couche 2 d'enregistrement,
comme indiqué par les films 3 et 3' sur la figure 2.
D'autres couches auxiliaires, par exemple une couche d'interférence en une matière telle que SiO, MgF2, Nb205, Ta205, A1203, AIN ou Si3N4 et une couche réfléchissante en un métal tel que Cu, A1 ou Au, peuvent également être
appliquées si cela est nécessaire. La couche d'enregistre-
ment et le film constitué d'un carbure et d'un nitrure peuvent être réalisés, soit en contact l'un avec l'autre,
soit avec interposition entre eux d'autres couches auxi-
laires.
Après la couche d'enregistrement optique, le film constitué d'un carbure et d'un nitrure et les couches auxiliaires ont été appliqués sur le substrat, comme demandé, un substrat protecteur peut être prévu sur le c6té opposé à celui du substrat, ou bien une struc-
ture dite collée ou une structure à sandwich d'air renfer-
mant un gaz inerte peut être adoptée.
Les figures 3 et 4 représentent d'autres formes de réalisation du support d'enregistrement optique
selon l'invention.
La figure 3 représente une forme de réalisa-
tion dans laquelle une couche 12 d'enregistrement, un film 13 constitué d'un carbure et d'un nitrure, une couche réfléchissante 15 et une couche 16 de protection sont appliquées les uns à la suite des autres sur un substrat 11. Le film 13 assume la fonction d'un film protecteur ainsi que celle d'un film d'interférence optique qui provoque une interférence multiple entre la couche 12 d'enregistrement et la couche réfléchissante 15 et augmente l'angle de rotation de Kerr. La figure 4 montre une forme de réalisation dans laquelle un film 23 constitué d'un carbure et d'un nitrure, une couche 22 d'enregistrement, un film 23' constitué d'un carbure et d'un nitrure, une couche réfléchissante 25 et une couche protectrice 26 sont appliqués les uns à la suite des autres sur un substrat 21. Le film 23' assume la fonction d'un film
d'interférence optique.
Certains exemples du procédé de réalisation du support d'enregistrement optique selon l'invention seront donnés ci-dessous pour décrire plus en détail
les formes de réalisation précédentes.
Exemple 1
Le support d'enregistrement magnéto-optique ayant la structure montrée sur la figure 1 a été fabriqué
de la manière suivante.
Une plaque de verre blanc de 2,5 x 7,5 cm, d'une épaisseur de 1 mm, a été utilisée comme substrat 1 et la couche 2 d'enregistrement de GdTbFe a été formée à une épaisseur de 100 nanomètres, dans un appareil de pulvérisation à haute fréquence, par une pulvérisation réalisée dans de l'argon gazeux à l'aide de morceaux
de Gd et de Tb de chacun 10 mm x 10 mm, disposés uniformé-
ment sur une première cible constituée de Fe et d'un diamètre de 12,5 cm. Sur cette couche d'enregistrement, on a appliqué un film de SiC-Si3N4 (en parts égales, en pourcentage atomique) à une épaisseur de 100 nanomètres, au moyen d'une pulvérisation effectuée dans un mélange d'Ar et de N2 gazeux, à un rapport de 1:1, avec des morceaux de Si de 10 mm x 10 mm, disposés uniformément sur une seconde cible constituée de SiC de 12,5 cm de
diamètre. Le coefficient de transmission du film de SiC-
Si3N4 était de 92 % à une longueur d'onde de 830 nano-
mètres. On a procédé à un essai de résistance à la corro-
sion en plaçant le support d'enregistrement magnéto-
optique ainsi fabriqué dans un thermo-hygrostat d'une température de 85 C et d'une humidité relative de %. A titre de comparaison, on a procédé à des essais de résistance à la corrosion, à un moment, sur un support d'enregistrement magnéto-optique fabriqué de la même manière que dans l'exemple 1, sauf que le film de SiC-Si3N4 n'a pas été formé, et sur un support
d'enregistrnementmagnéto-optique (exemple comparatif 1) fabri-
qué de la même manière que dans l'exemple 1, sauf qu'à la place du film de SiC-Si3N4, on a formé un film de SiO
à une épaisseur de 100 nanomètres, par évaporation.
Le résultat est montré à la figure 5. Sur la figure 5, on indique en ordonnées le changement de la force coercitive et en abscisses le temps. La variation (Hc) de la forme coercitive est exprimée en rapport à
la valeur initiale (Hc0). On voit que lorsque la réduc-
tion de la force coercitive était plus grande, l'oxyda-
tion ou la corrosion du GdTbFe constituant la couche d'enregistrement progressait davantage. Ainsi qu'il ressort de la figure 5, le support d'enregistrement magnéto-optique de l'exemple 1, dans lequel le film
de SiC-Si3N4 a été formé, présente la meilleure résis-
tance à la corrosion.
En ce qui concerne l'angle de rotation de Kerr qui est à la base de la reproductibilité, on a noté peu de variation par rapport à la valeur initiale pour laquelle du SiC-Si3N4 était utilisé en tant que couche protectrice. La courbe A correspond au support
d'enregistrement sans couche protectrice.
Exemple 2
En utilisant seulement une cible de SiC dans une atmosphère d'argon gazeux ou en changeant le nombre de morceaux de Si disposés sur du SiC, dans un mélange de Ar et de N2 gazeux à un rapport de 1:1, on a fabriqué, de la même manière que dans l'exemple 1, des supports d'enregistrement magnéto-optiques dans lesquels les rapports de composition de SiC et de Si3N4 étaient 0:100, 10:90, 20:80, 50:50, 80:20, 90:10 et
:0 (toutes valeurs en pourcentages atomiques).
On a mesuré le coefficient de transmission
du film de SiC-Si3N4, à une longueur d'onde de 830 nano-
mètres, ainsi que le rapport de la force coercitive à la valeur initiale (Hc/Hc0) en exécutant des essais de
résistance à la corrosion pendant 500 heures, les sup-
ports d'enregistrement étant placés dans un thermo-
hygrostat à une température de 85 C et une humidité relative de 85 %. Les résultats sont donnés dans le
tableau 1 ci-dessous.
unveqD lueúe xneaDzom ua (I aldmSxe) Da np la (ú aydmaxe) VHRd np 'I 2ezlsqns emmoa 'sTTT:In e uo ueAiUens asiTuum el ap gnbTiqe; 9, e z azngT eT ins ailzuom aznzonizs eT queLe anbTido-ougem zuemuaaiZsTgazua,p 1zoddns a' 0ú t a ú saTdmaxa 6'0 ap 03H/oH zlodde un la % Z6-1L6 ap UOTssTmsuelZ ap luaOT -Ti;aoo un alxTp-V-Isa,D 'uoq luanmazTInTazed leuynsgi un zueTzqo uo 'anbTmoTe ageuuaeznod ua 'OZ:Og za 0O:OZ aziua çz seTidmoo 19sa NTS:DTS xoddem aT eo seD aT suea uoTs -o02zo el, auesTsa ua la aualZedsuelz ua sPo; el r ZualTaoxa Isa lu8maZlsTgalua,p zioddns aT 'sanbTmole saseiuaSznod ua '0:06,? 06:01 ap Isa túS:DTS zioddei aT eo seo saT suep 'az1uoo zea *asTeTnem snTd aouaz oz -edsueiz aun,p sa STuem 'uo0so0zoa eT V aeuevsTs91 91uOl -=loxa aun aeuasgd zuamozsi2slua;p zioddns al 'anbTmoqe aSeluaDznod ua '0:001 aP p a tNITS:DtS lioddez OT Qo 8eD al suep 3a 'UOTso0moD el V 3uelsTs x zuaemtesT;ns sed!sa,u TT srem <'auazedsuexl aZuaITaxXa aun auop la L % ú6 ap uoTssTmSUeZ. ap zuaoaTjljaoo un aeuasszd juam -aZs19Talua,p 2zoddns aI 'anbTmoze ageluazanod ua '00oL:0 ap:sa N S:DTg lxoddex aT eo seD aT suea
6'0 L 0 001L L
6'0 01 06 9 01L
6'0 16 OZ 09 5
6'0 Z6 0' 0O 1
6'0 Z6 08 OZ ú
8'0 ú6 06 01 Z
9'0 ú6 001L 0 L S
(%) UOTST sb D)/H- -sueiz Sp (sanbTmooe (sanbTmole UolTTl luaTDTIJooD %) NTs %) DTS -ueqnDp L fiVnaVZ o pour dimensions, 2,5 x 7,5 cm et une épaisseur de 1,2 mm; on a disposé- uniformément des morceaux de Si de mm x 10 mm sur du SiC de 12,5 cm de diamètre, et on a formé, dans un mélange de Ar et N2 gazeux à unrapport de 1:1, un film 3 de SiC-Si3N4, dans lequel le rapport
SiC:Si3N4 était de 50:50, à une épaisseur de 20 nano-
mètres, par pulvérisation. Ensuite, en utilisant comme cible des morceaux de Gd et de Tb ayant chacun mm x 10 mm, disposés uniformément sur une pièce de Fe de 12,5 cm de diamètre, la couche 2 d'enregistrement
de GdTbFe a été fonrmée à une épaisseur de 100 nanamètres, par pulvéri-
sation dans de l'argon gazeux. Puis, sur cette couche d'enregistrement, on a formé un film 3' de SiC-Si3N4 à une épaisseur de 100 nanomètres, de la manière décrite
ci-dessus.
On a procédé à un essai de résistance à
la corrosion pendant 500 heures sur le support d'enregis-
trement magnéto-optique ainsi fabriqué, placé dans un
thermo-hygrostat à une température de 70 C et une humi-
dité relative de 85 %, de façon à mesurer la variation de la force coercitive (Hc/Hc0). Le résultat montre que l'utilisation de l'une quelconque des résines PMMA et PC conduit à un rapport Hc/Hc0 de 0,9, ce qui traduit une
excellente résistance à la corrosion (tableau 2).
A titre de comparaison, on a également pro-
cédé à un essai, en même temps, sur un support d'enregis-
trement magnéto-optique (exemple comparatif 2) fabriqué
de la même manière que dans les exemples décrits ci-
dessus, sauf qu'à la place du film de SiC-Si3N4, on a formé des films de SiO à des épaisseurs de 20 nanomètres et de 100 nanomètres, respectivement, par évaporation,
sur les côtés opposés de la couche d'enregistrement.
On a obtenu comme résultat un rapport Hc/Hc0 de 0,5 et un
effet de résistance à la corrosion du SiC-Si3N4 suffisam-
ment grand en comparaison avec celui du SiO.
Exemple 5
On a fabriqué un support d'enregistrement magnéto-optique de la même manière que dans l'exemple 3, sauf qu'à la place du film 3' de SiC-Si3N4 appliqué sur la couche 2 d'enregistrement, on a formé un film de SiO à une épaisseur de 100 nanomètres, par évaporation, et on a procédé à un essai de résistance à la corrosion de la même manière que dans l'exemple 3. Le rapport
Hc/Hc0 du présent exemple est de 0,7 (tableau 2).
L'amélioration de la résistance à la corro-
sion du film de SiC-Si3N4 apparaît en comparaison avec
l'exemple comparatif 2.
TABLEAU 2
Matières formant les coucixhes Substrat Film 3 Couche d'en- Film 3' Hc/Hc 1 registrement Exemple 3 PM/A SiC-Si3N4 GdTbFe SiC-Si3N4 0,9 Exemple 4 PC SiC-Si3N4 GdTbFe SiC-Si3N4 0,9 Exemple 5 PMM SiC-Si3N4 GdTbFe SiO 0,7
Exemple
comparatif 2 PMMA SiO GdTbFe SiO 0,5
Exemples 6-8
On a utilisé comme substrat une plaque de verre de 200 mm de diamètre, dans laquelle un sillon préalable a été formé à l'aide d'une résine durcissant
aux rayons ultraviolets, ayant une épaisseur de 10-
gm,et on a formé sur un substrat une couche d'enregis-
trement en GdTbFe d'une épaisseur de 20 nanomètres, de la même manière que dans l'exemple 1. On a formé sur la couche d'enregistrement des couches A, B et C ayant des épaisseurs de 50 nanomètres, 50 nanomètres et 100 nanomètres, respectivement, comme indiqué dans
le tableau 3 ci-dessous.
Z571168
On a formé un film de SiC-Si3N4 dans un mélan-
ge de Ar et de N2 gazeux dans un rapport de 1:1, de la même manière que dans l'exemple 1. Le rapport SiC: Si3N4 du film ainsi formé est de 50:50, en pourcentage atomique. On a formé par évaporation un film de SiO.
Le film d'Al de la couche B est une couche réfléchis-
sante formée par évaporation.
On a procédé à un essai de résistance à
la corrosion pendant 500 heures sur les supports d'enre-
gistrement magnéto-optiques ainsi fabriqués, placés dans un thermohygrostat à une température de 85 C et une humidité relative de 85 %, et on a mesuré le rapport
Hc/Hc0. Le résultat est montré dans le tableau 3 ci-
dessous. A titre de comparaison, on a fabriqué un
support d'enregistrement magnéto-optique (exemple compa-
ratif 3) similaire à ceux des exemples 6-8, sauf que les deux couches A et C étaient formées de SiO, et on
a essayé en même temps ce support d'enregistrement.
Le résultat est indiqué dans le tableau 3 ci-dessous.
TABLEAU 3
Couches A (50 nm) B (50 nm) C (100 nm) Hc/Hc0 Exemple 6 SiC-Si3N4 Al SiCSi3N4 0,9 Exemple 7 SiC-Si3N4 Al SiO 0,9 Exemple 8 SiO Al SiC-Si3N4 0,9
Exemple
compara-
tif 3 SiO Al SiO 0,6
Ainsi qu'il ressort de la description précé-
dente, la résistance à la corrosion peut être améliorée par la formation d'au moins une couche constituée d'un
carbure et d'un nitrure.
p f
Exemples 9-13
On a utilisé des substrats tels qu'indiqués dans le tableau 4 et ayant chacun un diamètre de 200 mm et une épaisseur de 1,2 mm et on a formé, sur chacun des substrats, un film de SiC-Si3N4 A une épaisseur de nanomètres dans un mélange de Ar et N2 gazeux, A un rapport de 1:1, de la- Rome maidére que dans l'exemple s. Le rapport SiC:Si3N4 du film de SiC- Si3N4 formé était de 50:50, en pourcentage atomique. On a ensuite formé, comme couche d'enregistrement, du GdTbFe A une épaisseur de 20 nanomètres. Des couches D, E et F ont été formées
les unes à la suite des autres sur la couche d'enregistre-
ment, A des épaisseurs de 50 nanomètres, 50 nanomètres et 100 nanomètres, respectivement, A l'aide des matières
indiquées dans le tableau 4 ci-dessous, de façon A obte-
nir des supports d'enregistrement magnéto-optiques.
Le rapport SiC:Si3N4 du film de SiC-Si3N4 constituant les
couches D et E était de 50:50, en pourcentage atomi-
que, et ce film a été formé de la manière décrite précé-
demment. Un film de SiO a été formé par évaporation.
Un film d'Al formant la couche E constitue une couche
réfléchissante et a été formé par évaporation.
On a procédé A un essai de résistance à
la corrosion pendant 500 heures sur les supports d'enre-
gistrement magnéto-optiques fabriqués, en les plaçant dans un thermohygrostat A une température de 70 C et
une humidité relative de 85 Z. Le rapport Hc/HcO est in-
diqué dans le tableau 4 ci-dessous.
A titre de comparaison, on a fabriqué un
support d'enregistrement magnéto-optique (exemple compa-
ratif 4) similaire A celui de l'exemple 9, sauf que le film de SiC-Si3N4 de l'exemple 9 a été remplacé par un
film de SiO, et on a essayé ce support en même temps.
T A B L E A U 4
Matières formant les.couches Substrat Cocgh sD E F Hc/Hc0
d'enregis-
_......__. trement.
Exemple 9 Verre SiC-Si3N4 GdTbFe SiC-Si3N4 A1 SiC-S 3N4 0>9 Exemple 10 PMMA siC-Si3N4 GdTbFe SiC-Si3N4 A1 SiC-Si3N4 0>8 Exemple 11 PC SiC-Si3N4 GdTbFe SiC-Si3N4 A1 - 0,8 Exemple 12 PMMA SiC-Si3N4 GdTbFe SiC-Si3N4 A1 Si 0D7 Exemple 13 PMMA SiC-Si3N4 GdTbFe SiO A1 SiC- i3N4 07 Exemple PMMA SiO GdTbFe SiO A1 S iO 0,2
compara-
t i f 4..........._ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _, _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ Co
71168
Les résultats indiqués dans le tableau 4 montrent que lorsque l'on utilise un substrat de matière plastique de moins grande résistance à: l'humidité que le verre, on améliore remarquablement la résistance à l'humidité en formant un film constitué d'un carbure
et d'un nitrure en contact avec le substrat.
Exemples 14-18
On a formé une couche d'enregistrement de la même manièfie- que -dans l'exemple 1, après quoi deux cibles, à savoir du SiC de 12,5 cm de diamètre et du A1N de 12,5 cm de diamètre, ont été pulvérisées à la fois de façon que la puissance de pulvérisation de chaque cible soit modifiée et que des films de SiC-AlN ayant les diverses compositions indiquées dans le tableau 5 ci-dessous soient appliqués à une épaisseur de nanomètres. On a procédé à un essai de résistance
à la corrosion sur les supports d'enregistrement magnéto-
optiques ainsi fabriqués, en les plaçant dans un thermo-
hygrostat d'une température de 85 C et d'une humidité relative de 85 %, et le tableau 5 ci-dessous donne les
valeurs du rapport Hc/Hc0 après 500 heures et du coeffi-
cient de transmission du film de SiC-AlN à une longueur
d'onde de 830 nanomètres.
T A B L E'XU 5
SiC AiN Coefficient de Hc/Hc transmission Exemple 0 % (ato- 100 % 92 0,7
comparatif mique) (atomi-
que). Exemple 14 5 95 92 0O8 Exemple 15 15 85. 92 0, 9 Exemple 16 45 55 91 0,9 Exemple 17 80 20 90 0, 9 Exemple 18 90 10 83 0,9 Exemple 100 0 74 0,9
compara-
tif 6 rN ce Le résultat est que les exemples comparatifs et 6, qui n'utilisent que du SiC et du AlN, respective-
ment, montrent quecesdeux matières ne scnt pas les meilleu-
res et qu'elles sont inférieures, respectivement, en coefficient de transmission et en résistance à la corro- sion. Dans la plage d'un poucentage atomique de SiC compris entre 5 et 90 (dans ce cas, 95 à 10 % d'AlN, en valeur atomique), et avantageusement de 15-80 Z de
SiC (dans ce cas, 85 à 20 Z d'AlN), le support d'enregis-
trement magnéto-optique est excellent à la fois en résis-
tance à la corrosion et en caractéristiques optiques.
Exemples 19-29
De m0me que pour les exemples 14-18 et les exem-
ples 3-13, on a fabriqué des supports d'enregistrement magnéto-optiques en utilisant les divers substrats, épaisseurs de film et constitutions du support donnés dans le tableau 6 ci-dessous, et on a procédé à un essai
de résistance à la corrosion pendant 500 heures en pla-
çant le support d'enregistrement dans un thermo-hygrostat à une température de 70 C et une humidité relative de Z, ou bien une température de 85 C et une humidité relative à 85 X. Le rapport Hc/Hc0 obtenu dans cet essai est donné dans le tableau 6 ci-dessous. La composition du film de SiC-AlN utilisé dans ces exemples était
de 40-50 Z d'atomes de SiC (60-50 X d'atomes d'AlN).
TA B LEAU 6
L i i,, i i,.. i. , i. i..
Substrat Sous- Couche Couche d'in- Couche ré- Couche de Hc/Hc couche d'enregis- terférence fléchis- protection
trement.c;n1 .....
Exemple 19 Verre Aucune OdTbPe SiC-AIN Al 50 nim SC-AIN *0,9 __ _ 20 nm 50 nm 100, nm " " " " " SiO 100 nm *0,9
,, . , L J ,,,,. ... ..-
* 21 " n " SiO 50 nr, SiC-AIN *09 ni 22 " SiC-AIN SiC-AIN, ra 50 1. Aucune 0,9 _____20_ 2nm___ 5___ _ 100 nm __ 24 PC " " i. . u 0 8 PM"A. " S 100 im 0,7 26 l e n SiO 50 nm,. SiC-A1N _________. ___loO 100 nm 0,7 27 "'" GdTbFe Aucune Aucune " 0,9 lO0 O ram
28 PC.", "." 0" ,9
29 PMMA " " " SiO 100 nmI 0.7 (Le repère* indique le résultat de l'essai de résistance à la corrosion à 85 C et 85 %, -q
et l'absence de repère correspond au résultat du même essai à 700C et 85 9).
Le résultat est que, en comparaison avec les exemples comparatifs 2, 3 et 4 qui n'utilisent qu'un film de SiO, le film de SiC-AlN a pour effet d'empêcher l'entrée d'eau, d'oxygène, etc., à partir du substrat de matière plastique ou de l'air, et de supprimer la détérioration du film magnétique comme c'est le cas
du film de SiC-Si3N4.
Seul l'exemple de GdTbFe a été donné en
tant que couche d'enregistrement magnétique, mais l'utili-
sation de GdTbFeCo a pour résultat une amélioration de la résistance à la corrosion, égale ou supérieure
à celle indiquée dans les exemples donnés. Comme mention-
né précédemment, la couche d'enregistrement optique
selon l'invention n'est pas limitée à la couche d'enregis-
trement magnétique.
La résistance à la corrosion peut être amé-
liorée par la formation, sur le substrat, d'un film constitué d'au moins une couche d'un carbure et d'un nitrure. L'effet est particulièrement remarquable si ce film est appliqué en contact avec le substrat de matière plastique dont la résistance à la corrosion,
qui est inférieure, pose un grave problème.
Il va de soi que de nombreuses modifications
peuvent être apportées au support d'enregistrement opti-
que décrit et représenté sans sortir du cadre de l'inven-
tion.

Claims (11)

REVENDICATIONS
1. Support d'enregistrement optique, caracté-
risé en ce qu'il comporte un substrat (1), une couche (2) d'enregistrement optique formée sur le substrat, et au moins un film (3) constitué d'un carbure et d'un
nitrure et formé sur le substrat.
2. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le film est formé sur au moins un côté de la couche d'enregistrement
optique et en contact avec cette couche.
3. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le film est
formé sur au moins un côté de la couche d'enregistre-
ment optique avec une autre couche interposée entre eux.
4. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le film est constitué d'un mélange de carbure de silicium et de nitrure de silicium contenant 10 à 90 Z d'atomes de carbure de silicium par rapport à la quantité totale
d'atomes du film.
5. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le film est constitué d'un mélange de carbure de silicium et de
nitrure d'aluminium contenant 5 à 90 % d'atomes de car-
bure de silicium par rapport à la quantité totale d'ato-
mes du film.
6. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur
du film est de 5 à 1000 nanomètres.
7. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte
en outre une couche réfléchissante (15; 25).
8. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte
en outre une couche d'interférence (13; 23').
9. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est constitué d'une matière plastique et en ce que le film comprend un film formé en contact avec le substrat.
10. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche
d'enregistrement est constituée de GdTbFe.
11. Support d'enregistrement optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche
d'enregistrement est constituée de GdTbFeCo.
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