FR2487576A1 - Procede de fabrication de diodes mesa glassivees - Google Patents

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0085974A3 (en) * 1982-02-08 1985-12-27 Hitachi, Ltd. Method of forming a number of solder layers on a semiconductor wafer
EP0347518A1 (de) * 1988-03-28 1989-12-27 Asea Brown Boveri Ag Passivierung eines Halbleiterbauelementes
FR2676307A1 (fr) * 1991-05-06 1992-11-13 Telefunken Electronic Gmbh Procede pour fabriquer des composants a semi-conducteurs scelles par vitrification.
NL2010635A (en) * 2012-05-08 2013-11-11 Shindengen Electric Mfg Co Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device.
EP2717299A4 (en) * 2011-05-26 2015-04-08 Shindengen Electric Mfg GLASS COMPOSITION FOR THE PROTECTION OF A SEMICONDUCTOR CONNECTION, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3735483A (en) * 1970-03-20 1973-05-29 Gen Electric Semiconductor passivating process
JPS4923245A (OSRAM) * 1972-06-26 1974-03-01
FR2335951A1 (fr) * 1975-12-19 1977-07-15 Radiotechnique Compelec Dispositif semiconducteur a surface passivee et procede d'obtention de la structure de passivation
DE2724348A1 (de) * 1976-06-08 1977-12-22 Itt Ind Gmbh Deutsche Glaspassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung
FR2359508A1 (fr) * 1976-07-19 1978-02-17 Silec Semi Conducteurs Nouvelle structure de diodes glassivees et son procede de fabrication
FR2382095A1 (fr) * 1977-02-24 1978-09-22 Rca Corp Structure de passivation en plusieurs couches et procede de fabrication
FR2406307A1 (fr) * 1977-10-17 1979-05-11 Radiotechnique Compelec Dispositif semiconducteur a surface passivee et procede d'obtention de ce dispositif

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3735483A (en) * 1970-03-20 1973-05-29 Gen Electric Semiconductor passivating process
JPS4923245A (OSRAM) * 1972-06-26 1974-03-01
FR2335951A1 (fr) * 1975-12-19 1977-07-15 Radiotechnique Compelec Dispositif semiconducteur a surface passivee et procede d'obtention de la structure de passivation
DE2724348A1 (de) * 1976-06-08 1977-12-22 Itt Ind Gmbh Deutsche Glaspassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung
FR2359508A1 (fr) * 1976-07-19 1978-02-17 Silec Semi Conducteurs Nouvelle structure de diodes glassivees et son procede de fabrication
FR2382095A1 (fr) * 1977-02-24 1978-09-22 Rca Corp Structure de passivation en plusieurs couches et procede de fabrication
FR2406307A1 (fr) * 1977-10-17 1979-05-11 Radiotechnique Compelec Dispositif semiconducteur a surface passivee et procede d'obtention de ce dispositif

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0085974A3 (en) * 1982-02-08 1985-12-27 Hitachi, Ltd. Method of forming a number of solder layers on a semiconductor wafer
EP0347518A1 (de) * 1988-03-28 1989-12-27 Asea Brown Boveri Ag Passivierung eines Halbleiterbauelementes
FR2676307A1 (fr) * 1991-05-06 1992-11-13 Telefunken Electronic Gmbh Procede pour fabriquer des composants a semi-conducteurs scelles par vitrification.
EP2717299A4 (en) * 2011-05-26 2015-04-08 Shindengen Electric Mfg GLASS COMPOSITION FOR THE PROTECTION OF A SEMICONDUCTOR CONNECTION, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
NL2010635A (en) * 2012-05-08 2013-11-11 Shindengen Electric Mfg Co Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device.
FR2990561A1 (fr) * 2012-05-08 2013-11-15 Shindengen Electric Mfg Procede de fabrication de dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur;

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