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Glaspassiviertes Halbleiterbauelement und
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Verfahren zur Herstellung Die vorliegende Erfindung betrifft die Passivierung
von Halbleiterbauelementen und insbesondere auch ein Verfahren zur Passivierung
von Halbleiterbauelementen durch Auf stäuben eines passivierenden Glases auf die
Oberfläche des Halbleiterbauelements.
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Bislang wurden die meisten Halbleiterbauelemente unter Verwendung
einer aus einem käuflichen gemahlenen Passivierungsglas hergestellten Glasfritte
passiviert. Derartige Gläser sind von verschiedenen Herstellern beziehbar, und entsprechend
den speziellen Anforderungen des zu passivierenden Bauelements können sie mit unterschiedlichen
Eigenschaften versehen sein.
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Es gibt eine ganze Reihe von Verfahren zur Aufbringung des Passivierungsglases
auf die Platte aus Halbleitermaterial, sie alle erfordern einen Träger zur Erzeugung
einer pastenähnlichen Substanz, die das gemahlene Glas oder die Suspension von Glas
in einer Flüssigkeit enthält. Die pastenförmige Substanz, oder kurz gesagt die Paste,
kann dann von Hand auf die Oberfläche der Platte aufgebracht werden, wobei man eine
buttermesserähnliche Vorrichtung zum Verstreichen derselben auf der Oberfläche
benutzt.
Automatische Verfahren zum Ausbreiten der Glasfritte auf der Plattenoberfläche schließen
die Anwendung der Sedimentationstechnik ein, wobei die Suspension durch die Schwerkraft
auf der Oberfläche abgelagert wird. Bei der Zentrifugierung wiederum wird die Suspension
auf der Platte aufgebracht und danach durch das Zentrifugieren diese auf der Oberfläche
abgelagert. Nach der Verteilung wird das abgelagerte bei Glas einer Temperatur von
ca. 400 OC getrocknet, so daß der Träger von der Glasfritte verdampft, die dann
auf die Schmelztemperatur des Glases gebracht wird, um eine hermetische Abdichtung
über der ganzen Platte zu erzeugen.
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Es gibt eine Reihe von Nachteilen dieser Passivierungsart, einer davon
besteht darin, daß das Halbleiterbauelement Temperaturen unterworfen wird, die über
dem Schmelzpunkt des Glases liegen und für das Halbleitermaterial sehr schädlich
sein können.
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Außerdem besteht die Gefahr, daß Feuchtigkeit in dem abgedichteten
Bauelement mit eingeschlossen wird. Die Passivierungsschicht hat auch eine sehr
unterschiedliche Stärke, da die verwendeten Verteilungstechniken, die auf dem Fließen
einer Paste oder einer manuellen Verteilung beruhen, sehr grob sind. Als Folge davon
haben die dünnen Stellen auf der Plattenoberfläche eine dicke Schicht von Passivierungsmaterial,
während die stärkeren Stellen eine dünne Schicht tragen. Die Stärke der Passivierungsschicht
kann von 5 Micron bis zu mehreren Millimetern variieren, diese Stärke ist erforderlich,
um die Möglichkeit von lochförmigen Fehlern (pinholes), die sich durch die gesamte
Stärke der Passivierungsschicht erstrecken, zu vermeiden. Die von derartigen Löchern
erzeugten Schwierigkeiten sind in der Halbleitertechnik wohlbekannt.
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Aufgrund der erforderlichen Stärke der Passivierungsschicht ergaben
sich Schwierigkeiten bei der Herstellung von Kontakt-
Öffnungen
durch die Glasfritte. Ritzen erwies sich als schwierig, da die dicke Passivierungsschicht
in den Ritzgräben nicht sauber brach und die Tendenz hatte, während des Brechvorgangs
abzusplittern. Die Schichtstärke erschwert auch die Verwendung der modernen und
wirtschaftlichen Methode des Ritzens mit Laser.
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Es wird somit deutlich, daß das bisherige Verfahren zur Passivierung
von Halbleiterbauelementen mit Hilfe von Glasfritten wenig zufriedenstellend war,
da es verhältnismäßig viel Zeit erforderte, ferner teuer war und keine einheitliche
Stärke des Passivierungsmaterials lieferte. Somit resultierten Bauelemente mit ungleichmäßigen
Kennlinien. Die Verwendung einer dicken Glaspassivierungsschicht machte das Ritzen
bzw. Anreißen und die Herstellung von Kontaktöffnungen schwierig.
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Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement
zu schaffen, das durch eine dünne, einheitliche Passivierungsschicht ausgezeichnet
ist, die bei einfacher Herstellung die Anwendung hoher Temperaturen vermeidet. Diese
Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst.
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Die vorliegende Erfindung ermöglicht somit die Passivierung von Halbleiterbauelementen
mit Hilfe einer Hochfrequenzaufstäubung eines Passivierungsglases auf den Halbleiterbauelementen.
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Dazu wird eine dicke, langlebige Glasscheibe aus Passivierungsglas
ausgeformt und auf der Auffangelektrode eines Hochfrequenzaufstäubungsgerätes montiert,
so daß das Glas auf den Halbleiterbauelementen in gesteuerter Weise unter Anwendung
einer zeitlich bemessenen Hochfrequenzzerstäubung des Glases abgelagert wird.
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Die vorliegende Erfindung liefert eine gleichförmige Schicht mit der
Stärke von ca. 104 bis 4104A aus Passivierungsglas, das
die Bauelemente
hermetisch abdichtet. Die gleichförmige Stärke ergibt eine beständige Passivierung
mit einer verbesserten Festigkeit der Bauelemente. Das durch Zerstäubung aufgebrachte
Passivierungsglas besitzt die gleichen Eigenschaften wie das früher nach dem Stand
der Technik aufgebrachte, ausgenommen, daß nunmehr die Stärke gleichförmig und die
Zahl der Fehlstellen verringert ist.
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Bringt man das Passivierungsglas mit Hilfe der Hochfrequenzzerstäubung
auf, so läßt sich eine dünne Passivierungsschicht ohne das Risiko von lochförmigen
Fehlstellen, die dieselbe durchziehen, erreichen. Die Notwendigkeit, das Glas nach
der Ablagerung auf den Halbleiterbauelemente erneut aufzuschmelzen, besteht damit
nicht mehr. Die aufgestäubte Glasschicht muß lediglich bei einer erhöhten Temperatur
für kurze Zeit getempert werden, um die Oberflächenladungen neu zu verteilen und
das Glas durch die Ausbildung von Bindungen zwischen den einzelnen Glasmolekülen
zu verdichten. Die Möglichkeit eines Feuchtigkeitseinschlusses in dem abgedichteten
Bauelement besteht fast überhaupt nicht, da das Verfahren unter Ausschluß von Luft
stattfindet.
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Abgesehen von einer verbesserten Ausbeute ist auch das Passivierungsverfahren
mit zerstäubtem Glas wesentlich billiger und erfordert weniger Zeit als die Verfahren
nach dem Stand der Technik. Ein weiterer Vorteil in der Verwendung einer dünnen
Passivierungsschicht aus Glas liegt darin, daß die passivierte Halbleiterplatte
mit Hilfe eines Laserstrahls angeritzt werden kann und das Glas leichter entfernt
werden kann bei der Ausbildung der Kontaktöffnungen.
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Die weiteren Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden
Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung deutlich. Es stellen dar:
Fig.
1 einen senkrechten Schnitt durch eine Halbleiterplatte, auf der eine Schicht aus
Passivierungsglas aufgestäubt ist, Fig. 2 einen senkrechten Schnitt durch eine herkömmliche
Double-plug-Diode, auf der eine Schicht aus Passivierungsglas aufgestäubt ist.
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Die vorliegende Erfindung beschreibt also die Bildung einer Schicht
aus passivierendem Glas auf einem Halbleiterbauelement, wobei die Schicht dadurch
abgelagert wird, daß Glas von einer Glasscheibe mittels Hochfrequenz zerstäubt wird.
An sich kann eine solche Glasscheibe aus irgendeinem beliebigen käuflichen Passivierungsglas
hergestellt sein, in dem vorliegenden Fall bestand sie jedoch aus gemahlenem Passivierungsglas
aus Silicium, und zwar Corning Code 7723. Dieses Glas besitzt eine Erweichungstemperatur
von 770 CC und eine Temperungstemperatur von 522 CC sowie ferner ausgezeichnete
Passivierungseigenschaften.
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Eine bestimmte Menge von Glaspulver der genannten Sorte wurde in einem
Schmelztiegel aufgeschmolzen und anschließend zur Ausbildung einer festen Masse
von Passivierungsglas abgekühlt.
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Das Glas wurde dann erneut erweicht und zu einer flachen Glasscheibe
mit einem Durchmesser von 53 cm und einer Stärke von 0,95 cm ausgerollt. Es versteht
sich, daß der Durchmesser und die Stärke der Glasscheibe nicht besonders kritisch
sind, abgesehen davon, daß für den Fall, daß man die Scheibe zu dick macht, sie
während des Abkühlens und der nachfolgenden Verfahrensschritte springen kann. Die
empfohlene Stärke der Glasscheibe liegt zwischen 0,3 und 0,95 cm. Selbstverständlich
ist die Lebensdauer desto länger, je stärker die Scheibe ist. Ausmaße von 53 cm
Durchmesser und 0,95 cm Stärke haben sich bei der Glasscheibe im Rahmen der Erfindung
als besonders zweckmäßig erwiesen. Nach dem Ausrollen der Scheibe auf die gewünschten
Maße
wird sie der entsprechenden Temperungstemperatur von 522 0C unterworfen, um Spannungen
zu beseitigen. Anschließend wird eine Fläche der Scheibe mit einer Toleranz von
13 2 mm flachgeschliffen.
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Nach Ausbildung der Glasscheibe wird diese auf der Auffangelektrode
eines Hochfrequenzzerstäubungsgerätes befestigt. Das im Rahmen der Erfindung verwendete
Gerät dieser Art besaß eine mit Chrom feuerbescichtete, wassersekühlte Auffangelektrode
aus Kupfer, wobei das Chrom ein Material darstellt, das eine maximale Bindungsstärke
zwischen der Kupferelektrode und der Glasscheibe gewährleistet. Diese wurde dann
mit der angeschliffenen Seite nach oben auf eine heiße Platte gesetzt und eine Schicht
aus Kohlenstoff zwischen der heißen Platte und der Glasscheibe angeordnet. Die Glasscheibe
wurde dann auf eine Temperatur erhitzt, die der Schmelztemperatur des Indiums entspricht
und dieses Metall wurde dann in geschmolzenem Zustand über die flachgeschliffene
Oberfläche derselben gegossen.
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Gleichzeitig wurde die kupferne Auffangelektrode auf die Schmelztemperatur
des Indiums erhitzt und hernach auf der flachen Oberfläche der Glasscheibe aufgesetzt
und beschwert, um einen guten Oberflächenkontakt zwischen beiden Teilen herzustellen.
Die Hitzeeinwirkung auf die Glasscheibe und die Elektrode wurde noch eine Stunde
lang fortgesetzt und danach die heiße Platte entfernt und das zusammengesetzte Teil
mit einem Filz aus Kohlenstoff bedeckt, worauf es langsam abgekühlt wurde, um ein
Zerspringen zu vermeiden. Nach gründlicher Abkühlung wurde das aus Glasscheibe und
Elektrode zusammengesetzte Teil in der Hochfrequenzanlage installiert.
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Bei der vorliegenden Erfindung wurde als Hochfrequenzzerstäubungsgerät
das Modell 3115 der Vacuum Industries Inc. aus der Serie 2250 verwendet. Selbstverständlich
können andere ähnliche
Vorrichtungen ebenfalls benutzt werden.
Eine Zerstäubungskanone von dem Typ, wie sie von der Fa. Sloan hergestellt wird,
kann dann benutzt werden, wenn eine geeignete Scheibe entsprechend den Techniken
der vorliegenden Erfindung ausgebildet wird.
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Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Gerät besaß eine Leistung
von 2.000 W und arbeitete mit einer Hochfrequenz von 13,56 MHz. Die Vorrichtung
war auch für eine Inertgasatmosphäre mit einem Vakuum im Bereich von 10 7 Torr eingerichtet.
Das vom Herstellergdieferte Gerät wurde dahingehend abgeändert, daß die oben besprochene
Glasscheibe eingesetzt wurde und der teure Quarzsubstrathalter durch einen billigen
anodisch oxydierten Aluminiumhalter ersetzt wurde, der einen ähnlichen Ausdehnungskoeffizienten
besitzt wie das Glas. Die Substratelektrode ist aus rostfreiem Stahl und ähnlich
wie die kupferne Auffangelektrode wassergekühlt. Es ist äußerst wichtig, daß die
Wasserkühlung ausreichend ist, um die Elektrodentemperatur unterhalb dem Schmelzpunkt
des Indiums zu halten, so daß sich die Glasscheibe von der Auffangelektrode nicht
ablöst. Der Elektrodenabstand ist von 2,54 bis 7,62 cm einstellbar.
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Die Zerstäubung wird in einer Inertgasatmosphäre aus z. B. Argon bei
einem Vakuum von ca. 10 6 Torr ausgeführt, wobei ca. 80 % oder anders ausgedrückt
ca. 1.700 W der möglichen Leistung angelegt sind, die ausreicht, um ein Plasma des
Argongases zu erzeugen. Es können auch noch andere Gase zugesetzt sein, um die Eigenschaften
des Endproduktes zu verstärken. Die Argonionen schlagen auf die Glasscheibe, wodurch
sich Moleküle des Glasmaterials von der Scheibe lösen und diese werden auf der Halbleiterplatte
abgelagert, die auf dem Substrathalter über der Substratelektrode sitzt. Die Bildungsrate
der aufgestäubten Glasschicht hängt von verschiedenen Faktoren ab und Raten
im
Bereich von 78 A/min bis 200 A/min wurden erreicht, sie hängen ab vom Elektrodenabstand,
der eingesetzten Leistung und anderen Parametern, die sich auf die Atmosphäre in
dem Hochfrequenzzerstäubungsgerät beziehen.
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In Fig. 1 wird unter der Bezugsziffer 1G ein Körper aus Halbleitermaterial
gezeigt, der ein Teil einer n-leitenden Halbleiterplatte ist, wobei oben auf dem
Halbleiterkörper 10 eine höherdotierte n-leitende Epitaxschicht 12 aufgewachsen
ist. Die Schicht 14 aus dielektrischem Material, wie z. B. Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid,
ist auf der Oberfläche der Epitaxschicht abgelagert und besitzt die Öffnungen 16,
durch die eine p-leitende Zone 18 zur Ausbildung eines PN-Überganges eindiffundiert
ist. Über der Öffnung 16 ist der Metallkontakt 20 so ausgeformt, daß er mit der
p-leitenden Zone 18 in Kontakt ist und gleichzeitig durch die dielektrische Schicht
14 gegen die Epitaxschicht 12 isoliert wird. Selbstverständlich lassen sich auch
Kontakte zu dem n-leitenden Halbleitermaterial herstellen, es erübrigt sich jedoch,
solche Kontakte bei der Beschreibung der vorliegenden Erfindung zu zeigen. Die eine
Vielzahl von PN-Obergängen aufweisende Platte wird dann durch Sägen, sitzen oder
mit Hilfe eines Laserstrahls geritzt und bildet die Gräben 22 zwischen den einzelnen
Elementen der Halbleiterplatte. Nach Ritzen der Gräben wird eine weitere Schicht
15 aus dielektrischem Material als Abdeckung der Grabenoberfläche aufgebracht.
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Diese dielektrische Schicht kann wiederum Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid
sein, die nach einem der bekannten Verfahren aufgebracht werden.
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Die Gräben können vor der Bildung des Kontaktes hergestellt werden
und die Folge der verschiedenen Verfahrensschritte ist freigestellt.
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Die geritzten Platten werden dann in das Hochfrequenzzerstäubungsgerät
gebracht, das evakuiert und erneut mit Inertgas wie Argon gefüllt wird, wobei der
Druck im Bereich von 10 6 Torr liegt. Die Hochfrequenzleistung wird dann angestellt
und auf ein Niveau gesteigert, bei dem sich das Plasma entwickelt.
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Die Energiezufuhr wird dabei so eingestellt, daß ein geringer Anteil
an reflektierter Energie verbleibt. Die Leistung wird unter Einstellung zur Verringerung
der Reflexion in Intervallen von 200 W gesteigert, bis ein Bereich von 1.600 bis
1.800 W bei einem Minimum an reflektierter Energie erreicht ist. Die Aufstäubung
wird dann fortgesetzt, bis die gewünschte Stärke an Passivierungsglas 24 auf dem
Halbleiterbauelement ausgebildet ist. Jede beliebige Stärke läßt sich erreichen,
es hat sich jedoch gezeigt, daß eine Stärke von 10.000 bis 20.000 A die gegebene
Stärke zur Passivierung der meisten Halbleiterbauelemente darstellt. Es konnte jedoch
auch eine Stärke bis zu 40.000 A erreicht werden. Nach Festlegung der grundlegenden
Verfahrensparameter kann die zur Bildung der gewünschten Stärke erforderliche Zeit
bestimmt werden und hernach wird das Auf stäuben lediglich für diesen Zeitraum bei
den Grundparametern durchgeführt.
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Sobald die gewünschte Stärke erreicht ist, wird die Hochfrequenz abgestellt,
die Zerstäubungskammer entlüftet und die passivierten Platten aus dem Gerät herausgenommen.
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Nach Aufbringung der dünnen gleichförmigen Schicht von Passivierungsglas
auf der Halbleiterplatte wird das Glas einem Temperungsprozeß unterworfen, bei dem
es 15 min lang auf eine Temperatur von 522 bis 650 0C erhitzt wird, um die während
des Aufstäubens auf der Glasschicht 24 angesammelten Oberflächenladungen zu verteilen
und das Glas selbst durch Erzeugung von Bindungen zwischen den Glasmolekülen zu
verdichten. Die Temperungstemperatur der Glasschicht variiert entsprechend dem Temperungspunkt
des verwendeten Passivierungsglases.
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Nach der Passivierung der Halbleiterplatte wird gewöhnlich die Glasschicht
24 an bestimmten Stellen zur Freilegung der Kontakte 20 geöffnet, so daß elektrische
Kontakte angeschlossen werden können. Da die passivierende Schicht gleichmäßig stark
und im Vergleich zu derartigen Schichten nach dem Stand der Technik ziemlich dünn
ist, läßt sich die Öffnung 26 in der Glasschicht 24 leicht herstellen. Ein einfaches
Verfahren zur Entfernung des Passivierungsglases von der Oberfläche der Kontakte
20 besteht in der bloßen Anwendung von Schleifmaterial, wie z. B. auf einem Block
befestigtes Sandpapier, womit das Glas von der Oberfläche der erhabenen Kontakte
20 abgeschliffen wird.
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Nach dem Freilegen der Kontakte ist es an der Zeit, die Platte in
die einzelnen Halbleiterbauelemente zu zerbrechen, und dies geschieht nach einem
der zahlreichen bekannten Brechverfahren.
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Die aus Passivierungsglas bestehende Schicht 24 bricht dabei glatt
entlang dem Boden der geritzten Gräben 22 und das mit dicken Passivierungsschichten
nach dem Stand der Technik verbundene Absplitterungsproblem wird vermieden.
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Fig. 2 zeigt einen senkrechten Schnitt durch eine typische Hdouble-plug"-Diode,
die auf einer Halbleiterplatte ausgebildet ist, die danach in einzelne Bauteile
mit Hilfe der Laserstrahlritz- und Brechtechnik getrennt wird. Das Ritzen mit dem
Laserstrahl kann nach der Passivierung der Platte vollzogen werden, da die durch
Hochfrequenzzerstäubung erzeugte Passivierungsschicht dünn ist. Durch die erhebliche
Stärke der Passivierungsschicht bedingt, war es bislang nicht möglich, ein passiviertes
Bauelement mittels eines Laserstrahls zu ritzen. Die vorliegende Erfindung erlaubt
dagegen die Anwendung moderner Ritztechniken beim Ritzen und Brechen von passivierten
Halbleiterplatten.
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Das Bauelement nach Fig. 2 geht von einem Substrat 28 aus, das mit
Antimon hochdotiert ist. Auf dem Substrat 28 ist eine n-leitende Epitaxschicht 30
aufwachsen gelassen und darüber ist auf der Oberfläche 32 eine Siliciumdioxidschicht
abgeschieden. Der Schutzring 34 wird dadurch ausgebildet, daß ein Fenster in der
Siliciumdioxidschicht geöffnet wird und eine N++-Diffusion in den Zonen der Platte
durchgeführt wird, die dann als aktive Zonen des Halbleiterbauelements dienen sollen.
Nach Ausbildung des Schutzringes 34 wird die Siliciumdioxidschicht 36 wiederhergestellt
und eine Siliciumnitridschicht 38 kann auf der Siliciumdioxidschicht 36 gegebenenfalls
abgeschieden werden.
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Nach Bildung der dielektrischen Schichten 36 und 38 wird in diesen
das Fenster 40 geöffnet und mit Hilfe einer Bordiffusion die p-leitende Zone 42
erzeugt, die einen PN-Übergang mit.
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dem n-leitenden Halbleitermaterial der Schicht 30 bildet. Nach der
Ausbildung der p-leitenden Zone 42 wird über ihr mittels herkömmlicher Metallisierungstechniken
ein Metallkontakt 44 ausgebildet. Gleichzeitig damit oder anschließend daran wird
auf der hochdotierten Schicht 28 der Kontakt 46 angebracht.
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Die Platte wird daran anschließend in das zuvor beschriebene Hochfrequenzzerstäubungsgerät
eingebracht und eine Passivierungsschicht 48 aus Glas auf der Oberfläche des Bauelements
mittels der Hochfrequenzzerstäubungstechnik erzeugt. Die Schicht 48 kann irgendeine
beliebige Stärke besitzen, eine Stärke von 10.000 bis 20.000 # erscheint jedoch
zur Passivierung der meisten Halbleiterbauelemente günstig.
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Nach Entwicklung der Schicht 48 auf die gewünschte Stärke wird das
Glas einem Temperungsverfahren unterworfen, bei dem es ca. 15 min lang auf eine
Temperatur von ca. 522 bis 650 0C
erhitzt wird, so daß die sich
auf der Glasschicht 48 während des Zerstäubungsverfahrens angesammelten Oberflächenladungen
verteilen und das aufgestäubte Glas durch die Ausbildung von Bindungen zwischen
den einzelnen Molekülen sich verdichtet.
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Die Temperungstemperatur hängt von den Eigenschaften des einzelnen
verwendeten Passivierungsglases ab.
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Nach vollständiger Passivierung der Halbleiterplatte wird die Glasschicht
48 zur Freilegung des Kontaktes 44 entfernt, wobei eines der herkömmlichen Verfahren
zur Entfernung von Glas angewendet wird. Aufgrund der geringen Stärke der Passivierungsschicht
ist eine einfache Methode zur Entfernung der passivierenden Glasschicht 48 von der
Oberfläche des Kontaktes 20 die Verwendung von abschleifendem Material, wie z. B.
auf einem Block befestigtes Sandpapier, mit dem das Glas von der Oberfläche des
erhabenen Kontaktes 44 abgeschliffen wird. Wegen der geringen Stärke der Passivierungsschicht
48 ist es möglich, zu diesem Zeitpunkt die Platte mit dem Laserstrahl zu ritzen,
um die einzelnen Bauteile festzulegen und um hernach die Platte in einzelne Halbleiterplättchen
zu zerbrechen, wobei die herkömmlichen Brechverfahren angewendet werden. Die vorliegende
Erfindung kann zur Passivierung von jedem beliebigen Typ eines Halbleiterbauelementes
verwendet werden, ob es sich nun um ein diskretes Bauelement handelt oder um integrierte
Schaltungen mit hohem Integrationsgrad.
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Die vorliegende Erfindung ergibt eine gleichmäßige Schicht aus Passivierungsglas
auf dem Halbleiterbauelement, deren Minimalstärke vorzugsweise im Bereich von 10.000
bis 20.000 A liegt, die aber bis zu 40.000 # dick sein kann. Die vorliegende Erfindung
gestattet die Verwendung einer dünnen Passivierungsschicht, da die lochartigen Fehlstellen
und die Ungleichmäßigkeit der Passivierungsschichten nach dem Stand der Technik
durch
das Verfahren der Aufbringung einer passivierenden Glasschicht
nach der vorliegenden Erfindung beseitigt wurden. Die dünne Passivierungsschicht
besitzt die gleichen günstigen Passivierungseigenschaften wie die nach bislang bekannten
Verfahren aufgebrachten Gläser. Bei Anwendung des Verfahrens nach der vorliegenden
Erfindung ist es überflüssig, das Glas nach der Aufbringung erneut aufzuschmelzen,
und es ist lediglich ein kurzes Temperungsverfahren zur Verdichtung des Glases und
zur Neuverteilung der Oberflächenladungen nötig. Die dünne Schicht ist weitgehend
frei von lochförmigen Fehlstellen, was eine dauerhafte Passivierung und Bauteilefestigkeit
ergibt. Die weitere Handhabung der Halbleiterplatten ist vereinfacht, da die dünne
gleichförmige Schicht aus passivierendem Glas die Anwendung des Laserstrahlritzens
ermöglicht und eine leichte Entfernung der passivierenden Schicht über den Kontaktzonen
gestattet.
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Obgleich die vorliegende Erfindung in Verbindung mit einem speziellen
Passivierungsglas, nämlich dem Corning 7723 Siliciumpassivierungsglas, und ferner
in Verbindung mit einem besonderen Modell eines Hochfrequenzzerstäubungsgerätes
der Firma Vacuum Industries Inc. beschrieben wurde, so versteht es sich doch, daß
irgendein beliebiges Gerät dieser Art oder eine Zerstäubungskanone benutzt werden
kann, um das gleiche gewünschte Ergebnis zu erreichen, und daß andere käufliche
Passivierungsgläser bei der Durchführung verwendet werden können. Es versteht sich
ferner, daß andere Passivierungsgläser abweichende Eigenschaften bezüglich der Schmelz-
und Temperungstemperaturen haben können, die dann bestimmte Abwandlungen in denselben
sowie in den Anwendungszeiten erfordern, dies ist jedoch für den Fachmann bedeutungslos,
da er in der Lage ist, auch mit anderen Geräten und anderen Materialien die vorliegende
Erfindung zu benutzen.
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L e e r s e i t e