FI83721C - Dopningsförfarande - Google Patents

Dopningsförfarande Download PDF

Info

Publication number
FI83721C
FI83721C FI894534A FI894534A FI83721C FI 83721 C FI83721 C FI 83721C FI 894534 A FI894534 A FI 894534A FI 894534 A FI894534 A FI 894534A FI 83721 C FI83721 C FI 83721C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
manganese
zinc
compound
thin film
sulfide
Prior art date
Application number
FI894534A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI83721B (fi
FI894534A0 (fi
Inventor
Jaakko Antero Hyvaerinen
Original Assignee
Episystems Oy Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Episystems Oy Ltd filed Critical Episystems Oy Ltd
Priority to FI894534A priority Critical patent/FI83721C/sv
Publication of FI894534A0 publication Critical patent/FI894534A0/fi
Priority to JP51260890A priority patent/JPH05500385A/ja
Priority to DE19904091748 priority patent/DE4091748T/de
Priority to PCT/FI1990/000218 priority patent/WO1991005028A1/en
Priority to FR9011754A priority patent/FR2652358B1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FI83721B publication Critical patent/FI83721B/fi
Priority to GB9205180A priority patent/GB2252450B/en
Publication of FI83721C publication Critical patent/FI83721C/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/08—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state the diffusion materials being a compound of the elements to be diffused
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02557—Sulfides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02581—Transition metal or rare earth elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Claims (8)

1. Förfarande för jämn doping av mangan i en zinksul-fidtunnfilm, varvid en för bildning av mangansulfid läm-plig manganförening MnX2, i vilken X betecknar klor eller brom eller en annan lämplig atom eller grupp, mätäs in i en dopingkammare, kännetecknat därav, att samtidigt med manganföreningen MnX2 mätäs in i dopingkam-maren en med mangansulfiden reagerande zinkförening ZnX2, i vilken X betecknar detsamma som ovan, i ett ömsesidigt deltrycksförhällande av ZnX2 och MnX2 som är nödvändigt för att uppnä önskad manganhalt i tunnfilmen, ätminstone tills zinksulfid-mangansulfidblandningen i dopingkamma-ren genomgäende uppnätt jämnvikt med gasblandningen i dopingkammaren motsvarande den inmatade gasblandningen.
2. Förfarande enligt patentkravet 1, kännetecknat därav, att förhällandet mellan zinkföreningens och manganföreningens deltryck är cirka 300 - 3000 vid en temperatur av cirka 500+30eC.
3. Förfarande enligt patentkravet 2, kännetecknat därav, att förhällandet mellan deltrycken är cirka 1000.
4. Förfarande enligt nägot av patentkraven 1-3, kännetecknat därav, att zinksulfidtunnfilmen avsättes genom användning av ALE-förfarandet.
5. Förfarande enligt patentkravet 4, kännetecknat därav, att manganföreningen MnX2 och zinkförenin-gen ZnX2 mätäs efter avsättning av ett flertal rena zink-sulfidskikt.
6. Förfarande enligt patentkravet 4, kännetecknat därav, att manganföreningen MnX2 mätäs samtidigt 11 83721 tillsammans med zinkföreningen ZnX2 som används för av-sättning av zinksulfidskiktet.
7. Förfarande enligt nägot av patentkraven 1-5, kännetecknat därav, att zinkföreningen är densamma förening som används för avsättning av zinksul-fidtunnfilmen.
8. Förfarande enligt nägot av patentkraven 1-7, kännetecknat därav, att manganföreningen MnX2 är manganklorid och zinkföreningen ZnX2 är zinkklorid.
FI894534A 1989-09-26 1989-09-26 Dopningsförfarande FI83721C (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI894534A FI83721C (sv) 1989-09-26 1989-09-26 Dopningsförfarande
JP51260890A JPH05500385A (ja) 1989-09-26 1990-09-17 ドーピング方法
DE19904091748 DE4091748T (sv) 1989-09-26 1990-09-17
PCT/FI1990/000218 WO1991005028A1 (en) 1989-09-26 1990-09-17 Doping method
FR9011754A FR2652358B1 (fr) 1989-09-26 1990-09-24 Methode de dopage d'une couche de sulfure de zinc.
GB9205180A GB2252450B (en) 1989-09-26 1992-03-10 Doping method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI894534A FI83721C (sv) 1989-09-26 1989-09-26 Dopningsförfarande
FI894534 1989-09-26

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI894534A0 FI894534A0 (fi) 1989-09-26
FI83721B FI83721B (fi) 1991-04-30
FI83721C true FI83721C (sv) 1993-11-22

Family

ID=8529054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI894534A FI83721C (sv) 1989-09-26 1989-09-26 Dopningsförfarande

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPH05500385A (sv)
DE (1) DE4091748T (sv)
FI (1) FI83721C (sv)
FR (1) FR2652358B1 (sv)
GB (1) GB2252450B (sv)
WO (1) WO1991005028A1 (sv)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103897692A (zh) * 2014-03-31 2014-07-02 中国科学院上海光学精密机械研究所 过渡金属离子浓度渐变掺杂硫化锌或硒化锌及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS554794B2 (sv) * 1973-07-31 1980-01-31
GB2047462B (en) * 1979-04-20 1983-04-20 Thomas J Method of manufacturing thin film electroluminescent devices
US4389973A (en) * 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
JPS58157886A (ja) * 1982-03-16 1983-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 螢光体薄膜の製造方法
JPS6287487A (ja) * 1985-10-14 1987-04-21 Sharp Corp 不純物ド−プ単結晶形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2252450A (en) 1992-08-05
WO1991005028A1 (en) 1991-04-18
GB9205180D0 (en) 1992-05-13
JPH05500385A (ja) 1993-01-28
FI83721B (fi) 1991-04-30
GB2252450B (en) 1993-01-20
FI894534A0 (fi) 1989-09-26
FR2652358B1 (fr) 1993-09-03
FR2652358A1 (fr) 1991-03-29
DE4091748T (sv) 1992-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100360790B1 (ko) 박막 제조방법 및 이것을 위한 박막 제조장치
KR101042133B1 (ko) 열화학 증착에 의한 질화규소막 및 옥시질화규소막의 제조방법
US7105054B2 (en) Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
Miehr et al. The first monomeric, volatile bis‐azide single‐source precursor to Gallium nitride thin films
US5942284A (en) Growth of electroluminescent phosphors by MOCVD
JP2010534605A (ja) 第ｉｉｉ族金属窒化物とその製造方法
CN106068335A (zh) 锗或氧化锗的原子层沉积
WO2001066834A3 (en) Chemical vapor deposition process for fabricating layered superlattice materials
US5606056A (en) Carbon nitride and its synthesis
FI83721C (sv) Dopningsförfarande
US5466494A (en) Method for producing thin film
US5098857A (en) Method of making semi-insulating gallium arsenide by oxygen doping in metal-organic vapor phase epitaxy
FI106689B (sv) Förfarande för framställning av en elektroluminensfilm
FI83543B (fi) Dopingsfoerfarande.
WO1997008356A3 (en) Modified metalorganic chemical vapor deposition of group III-V thin layers
KR102355133B1 (ko) 박막 형성용 전구체, 이의 제조방법, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 박막
JPH108045A (ja) 青色発光材料、それを用いたｅｌ素子、及びその製造方法
Helbing et al. Growth of CaS thin films by solid source metalorganic chemical vapor deposition
RU2061113C1 (ru) Способ получения изделий из пиролитического нитрида бора
Francis et al. Observation of the methyl radical during the surface decomposition reaction of trimethylgallium
JPH02230722A (ja) 化合物半導体の気相成長方法
FI86995C (sv) Förfarande för framställning av manganhaltiga zinksulfidtunnfilmer
JP2800686B2 (ja) 高純度プラチナ膜の形成方法
JPS59164697A (ja) 気相成長方法
Schwetlick et al. Incorporation of nitrogen into galliumarsenide grown by chloride VPE

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed
MM Patent lapsed

Owner name: EPISYSTEMS OY LTD