FI106689B - Förfarande för framställning av en elektroluminensfilm - Google Patents

Förfarande för framställning av en elektroluminensfilm Download PDF

Info

Publication number
FI106689B
FI106689B FI921404A FI921404A FI106689B FI 106689 B FI106689 B FI 106689B FI 921404 A FI921404 A FI 921404A FI 921404 A FI921404 A FI 921404A FI 106689 B FI106689 B FI 106689B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
gas
zone
source
film
zns
Prior art date
Application number
FI921404A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI921404A0 (fi
FI921404A (fi
Inventor
Akiyoshi Mikami
Kousuke Terada
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Publication of FI921404A0 publication Critical patent/FI921404A0/fi
Publication of FI921404A publication Critical patent/FI921404A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI106689B publication Critical patent/FI106689B/sv

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/57—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
    • C09K11/572—Chalcogenides
    • C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
    • C23C16/306—AII BVI compounds, where A is Zn, Cd or Hg and B is S, Se or Te

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Claims (7)

1. Förfarande för framställning av en elektroluminiscensfilm, kännetecknat av, att det omfattar stegen att: (a) ästadkoimna en för s ta och en andra gaskanal i en källzon belägen pä motströmssidan i ett reaktionsrör, och ästadkoimna ett basmaterial av en halvledare av en II-VI gruppens förening i nämnda första gaskanal, och ett grundämne i nämnda andra gaskanal, vilket grundämne har betydelse som emissionscentra i nämnda basmaterial; (b) ästadkomma en tredje gaskanal att passera förbi nämnda källzon frän motströmssidan tili medströmssidan i nämnda reaktionsrör; (c) transportera nämnda basmaterial tili en tillväxtzon belägen pä medströmssidan i nämnda reaktionsrör via nämnda första gaskanal under användning av en bärgas, bestäende av en inert gas, och transportera grundämnet i form av halogenföreningsänga via nämnda andra gaskanal tili tillväxtzonen; och (d) mata en reducerande gas tili tillväxtzonen via en tredje gaskanal, vilken reducerande gas kan reducera halogenförenin-gen: och (e) bilda en tunn elektroluminicensfilm pä ett substrat anord-nat i tillväxtzonen.
2. Förfarande enligt patentkravet 1, kännetecknat av, att en gasblandningszon ästadkommes mellan nämnda källzon » och nämnda tillväxtzon, de frän nämnda första och andra kanal tillförda gaserna blandas i gasblandningszonen. och nämnda tredje gaskanal passerar förbi gasblandningszonen. . i7 106689
3. Förfarande enligt patentkravet 1, kännetecknat av, att nämnda basmaterial är en halvledare av en II-VI grup-pens förening, och nämnda grundämne är mangan eller en sällsynt jordmetall.
4. Förfarande enligt patentkravet 3, kännetecknat av, att nämnda basmaterial är zinksulfid och nämnda grundämne är mangan.
5. Förfarande enligt patentkravet 1, kännetecknat av, att nämnda reducerande gas är väte.
6. Förfarande enligt patentkravet 1, kännetecknat av, att nämnda inerta gas och nämnda reducerande gas är He-gas och H2~gas, repektive, och förhällandet He-gasens gasström-ningshastighet FHe till H2 -gasens gasströmningshastighet Fh2 följer följande relation: 0,01 < FH2/FHe < 1. 1 Förfarande enligt patentkravet 4, kännetecknat av, att temperaturen i källzonen S är inställd pa 700 - 1000°C, temperaturen i gaszonen pa 400 - 600°C.
FI921404A 1991-04-01 1992-03-31 Förfarande för framställning av en elektroluminensfilm FI106689B (sv)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6833191 1991-04-01
JP6833191 1991-04-01

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI921404A0 FI921404A0 (fi) 1992-03-31
FI921404A FI921404A (fi) 1992-10-02
FI106689B true FI106689B (sv) 2001-03-15

Family

ID=13370748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI921404A FI106689B (sv) 1991-04-01 1992-03-31 Förfarande för framställning av en elektroluminensfilm

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5275840A (sv)
FI (1) FI106689B (sv)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5569486A (en) * 1992-12-25 1996-10-29 Nippondenso Co., Ltd Electroluminescence element and process for fabricating same
US6689422B1 (en) * 1994-02-16 2004-02-10 Howmet Research Corporation CVD codeposition of A1 and one or more reactive (gettering) elements to form protective aluminide coating
JP3564737B2 (ja) * 1994-06-24 2004-09-15 株式会社デンソー エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置
JP3644131B2 (ja) * 1995-08-25 2005-04-27 株式会社デンソー Ｅｌ素子の製造方法
US5837320A (en) * 1996-02-27 1998-11-17 The University Of New Mexico Chemical vapor deposition of metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with monodenate or multidentate ligands
US5989733A (en) * 1996-07-23 1999-11-23 Howmet Research Corporation Active element modified platinum aluminide diffusion coating and CVD coating method
FR2793068B1 (fr) * 1999-04-28 2001-05-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6047717A (ja) * 1983-08-26 1985-03-15 Nippon Denso Co Ltd ショックアブソ−バ制御装置
JPH0744069B2 (ja) * 1985-12-18 1995-05-15 キヤノン株式会社 電場発光素子の製造方法
JPH0760738B2 (ja) * 1988-05-13 1995-06-28 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス発光膜の製造方法
JPH02140632A (ja) * 1988-11-22 1990-05-30 Asahi Glass Co Ltd 分布型光ファイバー温度センサー及び温度測定方法
JPH0752671B2 (ja) * 1988-11-30 1995-06-05 シャープ株式会社 Ｅｌ発光膜

Also Published As

Publication number Publication date
FI921404A0 (fi) 1992-03-31
US5275840A (en) 1994-01-04
FI921404A (fi) 1992-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Reiss et al. Low polydispersity core/shell nanocrystals of CdSe/ZnSe and CdSe/ZnSe/ZnS type: preparation and optical studies
US5496582A (en) Process for producing electroluminescent device
FI106689B (sv) Förfarande för framställning av en elektroluminensfilm
Genevée et al. Study of the aluminum doping of zinc oxide films prepared by atomic layer deposition at low temperature
Guziewicz et al. Atomic layer deposition of thin films of ZnSe—structural and optical characterization
US7276121B1 (en) Forming improved metal nitrides
JPH0829943B2 (ja) 超伝導体薄膜の形成方法
US5185181A (en) Process for preparing an electroluminescent thin film
FI103226B (sv) Förfarande för framställning av elektroluminescensfilm
US10403495B2 (en) Sn doped ZnS nanowires for white light source material
JPS62151573A (ja) 堆積膜形成法
US5466494A (en) Method for producing thin film
Yoshikawa et al. “MBE-Like” and “CVD-like” atomic layer epitaxy of ZnSe in mombe system
US8105922B2 (en) Method of thin film epitaxial growth using atomic layer deposition
JPH03208298A (ja) 薄膜ｅｌ素子の製造方法
JP2939530B2 (ja) ビスマスを構成元素に含む多元系酸化物薄膜の結晶成長法
KR100249825B1 (ko) 유기금속 화합물 전구체에 의한 구리박막의 화학증착 방법
Helbing et al. Growth of CaS thin films by solid source metalorganic chemical vapor deposition
JP2726353B2 (ja) エレクトロルミネッセンス薄膜の成長方法
Dhese et al. The growth of diffusion doped ZnSe: Te epilayers by atmospheric pressure metalorganic chemical vapour deposition
JPH0674416B2 (ja) ケイ光物質薄膜の製法および製造装置
CN112831833B (zh) 一种可定位的物料舟皿
Moss et al. MOCVD of the Blue Electro-luminescent Phosphor CaGa2 S4: Ce from a Liquid Reagent Delivery System
FI86995C (sv) Förfarande för framställning av manganhaltiga zinksulfidtunnfilmer
Plaza et al. New method for fabricating ZnO nanowires deposited onto CdTe substrates